JP7325635B2 - パルス電源装置 - Google Patents
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Description
本開示は、複数のスイッチング素子の動作により電圧を重畳させて片極性の高電圧パルスを発生するパルス電源装置に関する。
高電圧パルスを発生させるパルス電源装置は、パルスアーク放電を利用した殺菌装置、水処理装置、レーザ発振器、排気ガス浄化装置、オゾン発生機、極端紫外光(Extreme Ultra-Violet:EUV)光源等に使用される。これらの装置は、瞬間的に極めて高いパルス電力が必要とされる。このため、これらの装置に使用されるパルス電源装置は、パルス的に放出される電気エネルギーであるパルスパワーを極めて短い時間内に放出することが要求される。
従来、この種のパルス電源装置では、気体放電スイッチが用いられていた。しかしながら、気体放電スイッチにおいては、放電の持続時間が短く、安定性が低いという課題があった。近年、半導体スイッチング素子が使用されるようになり、半導体スイッチング素子により生成した誘導電圧をトランスにより重畳することで、片極性且つ短パルス幅の高電圧パルスを発生することができるようになった。
片極性の高電圧パルスを繰り返し出力する場合、誘導電圧を重畳するトランスの磁性体には、磁気飽和に起因して発生する残留磁気が残る。この残留磁気が大きい場合、トランスにおける磁束変化が小さくなり、誘導電圧の重畳量が小さくなって高電圧パルスの発生が困難になるという問題がある。
このような技術的背景の下、下記特許文献1には、過飽和リアクトルの磁気飽和を低減するため、過飽和リアクトルのリセット巻線にリセット電流を供給して過飽和リアクトルの鉄心を逆励磁しておく磁気リセット回路を設ける構成が開示されている。
磁気リセット回路には、リセット電流を流すための電源と、誘導電圧に起因する過大電流を抑制するための抑制コイルとが必要とされる。誘起電圧に起因する過大電流を電源に流さないためには、抑制コイルのインダクタンス値を大きくする必要がある。ところが、抑制コイルのインダクタンス値が大きいと、パルス電源装置における電源部の出力インピーダンスに影響を及ぼし、所望のパルス幅の出力電圧を得ることが困難になるという問題がある。
本開示は、上記に鑑みてなされたものであって、電源部の出力インピーダンスの影響を抑制して、所望のパルス幅の出力電圧を得ることが可能なパルス電源装置を得ることを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するため、本開示に係るパルス電源装置は、各々が片極性のパルス電圧を出力する複数のパルス電源と、複数のトランスとを備える。複数のトランスは、各々が1次巻線、2次巻線及び3次巻線を有し、1つのパルス電源が1つの1次巻線に1つずつ接続される。複数の2次巻線は順次直列に接続され、直列に接続された複数の2次巻線の両端は出力端子を構成する。出力端子には負荷が接続されて第1の閉回路を構成する。複数の3次巻線は順次直列に接続され、直列に接続された複数の3次巻線の両端は電圧印加端子を構成する。電圧印加端子には磁気リセット回路が接続され、複数の3次巻線と磁気リセット回路とで第2の閉回路を構成する。磁気リセット回路は、3次巻線にリセット電流を流すための電源である磁気リセット電源と、インピーダンス変更回路とを備える。インピーダンス変更回路は、3次巻線に誘起される電圧によって第2の閉回路に流れ得る誘導電流を制限するためのインピーダンスを変更可能に構成される。
本開示に係るパルス電源装置によれば、電源部の出力インピーダンスの影響を抑制して、所望のパルス幅の出力電圧を得ることができるという効果を奏する。
以下に添付図面を参照し、本開示の実施の形態に係るパルス電源装置について詳細に説明する。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1に係るパルス電源装置の構成例を示す図である。実施の形態1に係るパルス電源装置100は、図1に示すように、制御部1と、電源部2と、トランス群3と、磁気リセット回路4とを備える。電源部2は、各々が片極性のパルス電圧を出力する複数のパルス電源P1,P2,…,Pnを有する。nは2以上の整数を表す。トランス群3は、n個、即ちパルス電源P1~Pnと同数のトランスTr1,Tr2,…,Trnを有する。複数のトランスTr1~Trnは、各々が1次巻線La1,La2,…,Lan、2次巻線T1,T2,…,Tn、3次巻線T1s,T2s,…,Tns及び磁性体コア3eを有する。1次巻線La1~Lan、2次巻線T1~Tn及び3次巻線T1s~Tnsは、磁性体コア3eを介して互いに磁気結合している。
図1は、実施の形態1に係るパルス電源装置の構成例を示す図である。実施の形態1に係るパルス電源装置100は、図1に示すように、制御部1と、電源部2と、トランス群3と、磁気リセット回路4とを備える。電源部2は、各々が片極性のパルス電圧を出力する複数のパルス電源P1,P2,…,Pnを有する。nは2以上の整数を表す。トランス群3は、n個、即ちパルス電源P1~Pnと同数のトランスTr1,Tr2,…,Trnを有する。複数のトランスTr1~Trnは、各々が1次巻線La1,La2,…,Lan、2次巻線T1,T2,…,Tn、3次巻線T1s,T2s,…,Tns及び磁性体コア3eを有する。1次巻線La1~Lan、2次巻線T1~Tn及び3次巻線T1s~Tnsは、磁性体コア3eを介して互いに磁気結合している。
パルス電源P1は1次巻線La1に接続され、パルス電源P2は1次巻線La2に接続され、パルス電源Pnは1次巻線Lanに接続される。即ち、1つのパルス電源は、1つの1次巻線に1つずつ接続される。
2次巻線T1~Tnは順次直列に接続され、直列に接続された2次巻線T1,Tnの両端は出力端子3a,3bを構成する。出力端子3a,3bには負荷8が接続され、2次巻線T1~Tnと負荷8とで第1の閉回路5が構成される。負荷8の例は、前述した殺菌装置、水処理装置、レーザ発振器、排気ガス浄化装置、オゾン発生機、EUV光源等である。
3次巻線T1s~Tnsは順次直列に接続され、直列に接続された3次巻線T1s,Tnsの両端は電圧印加端子3c,3dを構成する。電圧印加端子3c,3dには磁気リセット回路4が接続され、3次巻線T1s~Tnsと磁気リセット回路4とで第2の閉回路6が構成される。
図2は、実施の形態1に係るパルス電源の構成例を示す図である。図2では、図1に示すパルス電源P1~Pnのうちのパルス電源P1の構成が代表的に示されている。
パルス電源P1は、複数のスイッチング素子S11,S12,…,S1jと、複数のコンデンサC11,C12,…,C1jと、直流電源DC1と、駆動回路7とを有する。jは2以上の整数を表す。複数のコンデンサC11~C1jは、互いに並列に接続され、且つ各々がスイッチング素子S11~S1jの各々に直列に接続される。駆動回路7は、スイッチング素子S11,S12,…,S1jをオン又はオフに駆動する。駆動回路7の動作は、制御部1によって制御される。直流電源DC1は、コンデンサC11~C1jの各両端に直流電圧を印加して、コンデンサC11~C1jの各々を充電する。なお、図2では、直流電源DC1とコンデンサC11~C1jの各々とが常時接続されているように図示されているが、直流電源DC1とコンデンサC11~C1jの各々とは、充電の都度接続され、それ以外は電気的に切り離されている。但し、コンデンサC11~C1jの各々が個別に直流電源を有する場合には、常時接続されていてもよい。
上記のように、パルス電源P1は、1つのスイッチング素子と1つのコンデンサとが直列に接続された直列回路を複数有し、且つ、複数の直列回路が互いに並列に接続されて直並列回路を構成する。この構成により、スイッチング素子S11~S1jの少なくとも1つをオンすることで、オンに制御されたスイッチング素子に接続されるコンデンサの電荷が放出される。これにより、直並列回路の両端から片極性のパルス電圧が出力され、トランスTr1の1次巻線La1に印加される。なお、パルス電源P2~Pnもパルス電源P1と同様に構成される。内容が重複するので、詳細な説明は割愛する。
スイッチング素子S11~S1jは、所望のパルス幅のパルス電圧が得られるように、高速且つ高耐圧のものを選定することが好ましい。また、スイッチング素子S11~S1jに耐圧を超える電圧が印加されないように、パルス電源P1~Pnにおける直流電源DC1の電圧値が選定される。
パルス電源装置100では、n個のパルス電源P1~Pnが出力したパルス電圧がn個のトランスTr1~Trnにおいて誘導重畳される。これにより、トランスTr1~Trnの2次側において高電圧のパルス出力が得られる。例えば、パルス電源P1~Pnの充電電圧が1[kV]であれば、誘導重畳される電圧は、1×n[kV]となる。以下、誘導重畳される電圧を「誘導重畳電圧」と呼ぶ。
図3は、実施の形態1に係るパルス電源装置の動作説明に使用する構成例を示す図である。図3は、図1の構成におけるトランス数が2である場合の構成例であり、トランス数に合わせて2つのパルス電源P1,P2が示されている。
図4は、図3に示すパルス電源装置において生成される誘導重畳電圧の第1の例を示す図である。図5は、図3に示すパルス電源装置において生成される誘導重畳電圧の第2の例を示す図である。図4及び図5において、左側の上部にはトランスTr1の2次巻線T1から出力されるT1出力電圧が示され、左側の下部にはトランスTr2の2次巻線T2から出力されるT2出力電圧が示されている。また、図4及び図5の右側には、2次巻線T1,T2で誘導重畳される誘導重畳電圧が示されている。各図の横軸は、時間を表している。
図4のように、2次巻線T1,T2から出力されるパルス電圧の振幅値及びパルス幅が同じであれば、出力電圧として2倍のパルス電圧が得られる。一方、2次巻線T1,T2から出力されるパルス電圧の振幅値が同じであっても、図5のように、パルス電圧のパルス幅が異なると、出力電圧として階段状のパルス電圧が得られる。なお、図4及び図5は、パルス幅のみを変更することで、パルス電圧の波形を変更する例を示したものであるが、動作させるトランスの数、パルス電圧出力のタイミングなどを変更してもよい。このようにすれば、多彩なパルス電圧波形の成形が可能となる。
図6は、実施の形態1に係る磁気リセット回路の構成例を示す図である。磁気リセット回路4は、片極性パルスの出力によりトランスTr1~Trnの磁性体コア3eが磁気飽和しないようにするための回路部である。磁気リセット回路4は、磁気リセット電源E1を有している。前述したように、3次巻線T1s~Tnsと磁気リセット回路4とによって第2の閉回路6が構成されている。このため、磁気リセット電源E1によってトランスTr1~Trnの3次巻線T1s~Tnsに逆励磁電流を流すことで、磁性体コア3eの磁気リセットを行うことができる。この制御を行うことで、次回の動作時までに磁気飽和を低減でき、トランスTr1~Trnの繰り返し動作を可能としている。なお、磁気リセットにおける電圧時間積を大きくすれば、トランスTr1~Trnをより小型化することができる。
なお、図6では、磁気リセット電源E1が直流電源である場合を例示しているが、これに限定されない。磁気リセット電源E1は、パルス電源であってもよい。特に、単位時間当たりの磁気リセットの回数を増やしたい場合には、磁気リセット電源E1は、パルス電源としたほうが好ましい。
また、磁気リセット回路4は、インピーダンス変更回路U1を有している。インピーダンス変更回路U1は、図6に示されるように、磁気リセット電源E1と3次巻線T1s~Tnsとの間に直列に挿入されている。
インピーダンス変更回路U1は、各々が互いに並列に接続される複数の抑制コイルUL1~ULkと、各々が抑制コイルUL1~ULkの各々に直列に接続される複数のスイッチング素子H1~Hkとを有する。kは2以上の整数を表す。これにより、1つの抑制コイルと1つのスイッチング素子とが直列に接続された直列回路部によって1つの切り替え可能抑制コイルが構成される。また、k個の切り替え可能抑制コイルが互いに並列に接続される構成となる。
抑制コイルUL1~ULkは、インダクタンス値を有する回路素子である。抑制コイルUL1~ULkは、3次巻線T1s~Tnsに誘起される誘起電圧によって流れ得る誘導電流を制限して、磁気リセット電源E1を保護する。磁気リセット回路4において、抑制コイルUL1~ULkは、3次巻線T1s~Tnsの誘起電圧に起因する過大電流が磁気リセット電源E1に流れないように適切なものが選定される。
抑制コイルUL1~ULkのインダクタンス値は、全てが同じでもよいが、異なるインダクタンス値のもので構成してもよい。異なるインダクタンス値のもので構成すれば、第2の閉回路6に挿入するインダクタンス値を任意に設定することが可能となる。
パルス電源装置100の出力電圧が大きい場合、磁気リセット電源E1に過大電流を流さないためには、第2の閉回路6に挿入するインダクタンス値を大きくする必要がある。即ち、第2の閉回路6に挿入するインダクタンス値は、出力電圧の大きさに正比例する関係となっている。一方、第2の閉回路6に挿入するインダクタンス値が大きいと、磁気リセット回路4と磁気的に結合しているパルス電源P1~Pnの出力インピーダンスに影響を及ぼす。この場合、パルス電源装置100において、所望のパルス幅、特に100[ns]以下の短いパルス幅の出力電圧を得ることが困難になる。
図7は、実施の形態1に係るインピーダンス変更回路のインダクタンス値がパルス電源装置における電源部の出力インピーダンスに及ぼす影響の説明に使用する図である。
図7において、横軸は時間を表し、縦軸は誘導重畳電圧を表している。破線は、第2の閉回路6に挿入するインダクタンス値がL1の場合の誘導重畳電圧の波形例である。実線は、第2の閉回路6に挿入するインダクタンス値がL2の場合の誘導重畳電圧の波形例である。インダクタンス値L1,L2には、L1>L2の関係がある。
図7に示されるように、第2の閉回路6に挿入するインダクタンス値が大きいほど立ち上り及び立ち下りの傾きが小さくなっている。そこで、実施の形態1に係るパルス電源装置100では、出力インピーダンスの影響を小さくするために、出力電圧、即ち駆動させるトランス数に応じて、スイッチング素子H1~Hkを切り替えるように動作させる。スイッチング素子H1~Hkの切り替えは、制御部1が実施する。制御部1は、抑制コイルUL1~ULkのインダクタンス値の組み合わせの中で、磁気リセット電源E1に過大な電流が流れない範囲のものを選択する。その結果、パルス電源装置100における電源部2から見たインピーダンス、即ちパルス電源装置100の出力インピーダンスが、必要以上に大きくなるのを抑止することができる。
トランスTr1~Trnの磁性体コア3eに対して磁気リセットを実施する際には、インピーダンス変更回路U1のインダクタンス値を相対的に大きくし、トランスTr1~Trnからパルス電圧を出力するときは、インピーダンス変更回路U1のインダクタンス値を相対的に小さくする。これにより、磁性体コア3eの磁気リセットを適切に実施しつつ、所望のパルス幅の出力電圧を得ることができる。また、従来のパルス電源装置よりも短いパルス幅の出力電圧を容易に得ることができる。また、トランスTr1~Trnの仕様、出力電圧の大きさなどが変更されても、これらに柔軟に対応することができる。
次に、制御部1について説明する。図8は、実施の形態1に係る制御部の構成例を示す図である。実施の形態1に係る制御部1は、図8に示すように、動作条件生成部11と、指令信号生成部12と、指令信号データセット13と、指令信号データセット生成部14とを備える。動作条件生成部11には、外部から指令電圧が入力される。指令信号生成部12は、指令信号Sigpqを生成してパルス電源P1~Pnの各駆動回路7に出力する。なお、pは1~nまでの任意の整数であり、qは1~jまでの任意の整数である。
動作条件生成部11、指令信号生成部12、指令信号データセット13及び指令信号データセット生成部14は、互いに連係して動作する。これらの連係動作については、図9及び図10を参照して説明する。図9は、実施の形態1に係る制御部の動作説明に使用するフローチャートである。図10は、実施の形態1に係るパルス電源装置を動作させるときの動作条件の例を示す図である。
図10には、制御部1に入力される指令電圧に対応して、パルス電圧、パルス幅及びトランス数の組が動作条件(A)として示されている。パルス電圧は、出力端子3a,3bから出力される出力電圧の振幅値である。パルス幅は、出力端子3a,3bから出力される出力電圧のパルス幅である。トランス数は、出力電圧を出力するときに同時に動作させるトランスTr1~Trnの個数である。
指令信号データセット生成部14は、数値範囲ごとに区分された複数の動作条件範囲と、それぞれの動作条件範囲に対応する指令信号Sigpq(p=1~n、q=1~j、以下同じ)との組を、指令信号データセット13として生成する(ステップS101)。
より詳細に説明すると、指令信号データセット生成部14は、図10に示される動作条件(A)を達成するのに必要なトランス数を決定する。そして、動作条件(A)に対して指令信号Sigpqを定める。指令信号データセット生成部14は、動作条件(A)に基づいて、パルス電源P1~Pnの各スイッチング素子S11~Snjの動作条件、及び抑制コイルUL1~ULkを選択する際に動作させるスイッチング素子H1~Hkの動作条件を生成する。なお、スイッチング素子S11~Snjの動作条件については、当該動作条件に基づく動作がパルス電圧、パルス幅及びトランス数の組が基準範囲内の動作となるか否かを判定基準として指令信号Sigpqを定めることができる。また、スイッチング素子H1~Hkの動作条件については、当該動作条件に基づく動作が磁気リセット電源E1に許容される電流の範囲内であるか否かを判定基準として定めることができる。
なお、図10では、指令信号データセット生成部14を制御部1の構成要素として示しているが、これに限定されない。指令信号データセット生成部14は、制御部1の外部の構成要素としてもよい。また、制御部1は、指令信号データセット生成部14に代えて入力部を備えていてもよい。制御部1は、作業者が作成した指令信号データセット13を、入力部を介して入力するように構成されていてもよい。
また、指令信号データセット13は、制御部1の内部に設けてもよく、外部に設けてもよい。また、指令信号データセット13は、スイッチング素子S11~Snjの仕様、負荷8の仕様、試験結果、計算結果等に基づいて生成されるものであってもよい。
図9のフローチャートに戻り、動作条件生成部11は、指令電圧、過去のパルス動作の計測結果又はこれらの組み合わせに基づいて、発生させるパルス電圧の動作条件を生成する(ステップS102)。
次に、指令信号生成部12は、ステップS101で生成した指令信号データセット13を参照する。そして、ステップS102で生成したパルス電圧発生の動作条件が含まれる動作条件範囲に対応する指令信号Sigpqを駆動回路7へ出力する(ステップS103)。
なお、ステップS101の処理と、ステップS102の処理とは、任意に入れ替えて実施することができる。パルス電源装置100がパルス電圧を発生する動作を完了する前に、ステップS101の処理を完了しておけば、ステップS102によって動作条件が生成された直後にステップS103を実施することができる。これにより、処理に要する時間の短縮化を図ることができる。また、指令信号データセット生成部14を制御部1の外部に設けた場合、図9のステップS101の処理を省くことができるので、制御部1の計算に要する負担を軽減することができる。
また、ステップS102の後にステップS101を行う処理手順とした場合、動作条件が生成されてから、生成された動作条件に対して指令信号データセット13を作成することができる。これにより、より多様な動作条件に対して指令信号データセット13を作成できるという利点がある。また、指令信号データセット13を格納しておく記憶装置を省くことができる。
また、両者を組み合わせた処理手順としてもよい。例えば、使用頻度の高い指令信号データについては、ステップS102の前にステップS101の処理を実施して指令信号データセット13に格納しておく。そして、使用頻度の少ない指令信号データは、ステップS102の処理の実行後にステップS101の処理を再度実行し、必要な指令信号データのみを生成するようにしてもよい。
なお、制御部1は、図11のように構成されていてもよい。図11は、実施の形態1の変形例に係る制御部の構成例を示す図である。実施の形態1の変形例に係る制御部1aは、図11に示すように、動作条件生成部11と、指令信号候補生成部15と、判定部16と、指令信号出力部17とを備える。動作条件生成部11には、外部から指令電圧が入力される。指令信号出力部17は、指令信号Sigpqを生成してパルス電源P1~Pnの各駆動回路7に出力する。
動作条件生成部11、指令信号候補生成部15、判定部16及び指令信号出力部17は、互いに連係して動作する。これらの連係動作については、図12を参照して説明する。図12は、実施の形態1の変形例に係る制御部の動作説明に使用するフローチャートである。なお、図12において、図9と同一又は同等の処理については、同一の符号を付して示している。
まず、動作条件生成部11は、指令電圧、過去のパルス動作の計測結果又はこれらの組み合わせに基づいて、発生させるパルス電圧の動作条件を生成する(ステップS102)。
次に、指令信号候補生成部15は、ステップS102で生成された動作条件に基づいて、指令信号Sigpqの候補を生成する(ステップS104)。ここで、生成される候補の数は1つでもよく、複数でもよい。なお、「候補」という文言は、出力する指令信号Sigpqとして確定してないことを意味しており、生成手法自体は、制御部1の手法を用いることができる。
次に、判定部16は、指令信号候補生成部15で生成された指令信号Sigpqの候補が、予め定めた基準の範囲内であるか否か、即ち予め定めた基準を満たすか否かを判定する(ステップS105)。指令信号Sigpqの候補が、予め定めた基準を満たす場合(ステップS105,Yes)、ステップS106に移行する。一方、指令信号Sigpqの候補が、予め定めた基準を満たさない場合(ステップS105,No)、ステップS104に移行して、指令信号Sigpqの候補が見つかるまで、ステップS104,S105の処理を繰り返す。
次に、指令信号出力部17は、基準の範囲内とされた指令信号Sigpqの候補を指令信号Sigpqとして駆動回路7へ出力する(ステップS106)。
なお、ステップS105の判定処理は、どのような基準を用いて判定してもよい。一例を挙げると、ステップS102で生成された動作条件を満たすことは無論のこと、過去のパルス動作の計測結果、省エネルギー条件、パルス電源P1~Pnの使用頻度などに基づいて、判定処理を行うことができる。
次に、上述した制御部1,1aの機能を実現するための制御部1,1aのハードウェア構成について説明する。上述した制御部1,1aにおける動作条件生成部11、指令信号生成部12、及び指令信号データセット生成部14、並びに指令信号候補生成部15、判定部16及び指令信号出力部17の機能は、プロセッサ又は処理回路を用いて実現することができる。また、指令信号データセット13は、記憶装置を用いて実現することができる。なお、制御部1,1aの機能をプロセッサ及び処理回路の双方を用いて実現してもよい。
また、制御部1,1aにおける一部又は全部の構成要素が、パルス電源装置100の外部に設けられていてもよい。例えば、制御部1,1aは、電源装置とネットワークで接続されたプロセッサ及び記憶装置を含むコンピュータであってもよい。
そして、上記の機能は、プロセッサ又は処理回路によってソフトウェア、ファームウェア又はこれらの組合せを動作させることにより実現することができる。ソフトウェア又はファームウェアは、プログラムとして記述して記憶装置に記憶し、プロセッサ又は処理回路で読み出して実行してもよい。これらのプログラムは、上記の動作、即ち、実行の手順及び方法をコンピュータに実行させるものであるとも言える。
記憶装置として用いる半導体メモリの例としては、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、フラッシュメモリ等を挙げることができる。更に、EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)、EEPROM(登録商標)(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)等を挙げることができる。
半導体メモリは不揮発性メモリでもよく揮発性メモリでもよい。また記憶装置は、半導体メモリ以外の、磁気ディスク、フレキシブルディスク、光ディスク、コンパクトディスク、ミニディスク又はDVD(Digital Versatile Disc)を用いてもよい。
図9のステップS101で生成された指令信号データセット13は、ルックアップテーブル(Lookup table)として記憶装置に格納しておく。この場合、ステップS103では、ルックアップテーブルを参照することで、動作条件範囲に対応する指令信号Sigpqを出力することができる。
また、制御部1,1aの機能を1つの専用処理回路で実現してもよい。また、制御部1,1aにおける図9及び図12の各処理に対し、専用処理回路を1つずつ設け、各処理を各々の専用処理回路に実施させてもよい。
専用処理回路の例としては、単一回路、複合回路、プログラム化したプロセッサ、並列プログラム化したプロセッサ、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、FPGA(Field Programmable Gate Array)を挙げることができる。また、これらを組み合わせたものを例として挙げることができる。
以上説明したように、実施の形態1に係るパルス電源装置は、各々が片極性のパルス電圧を出力する複数のパルス電源と、複数のトランスとを備える。複数のトランスは、各々が1次巻線、2次巻線及び3次巻線を有する。直列に接続された複数の2次巻線の両端は出力端子を構成し、出力端子には負荷が接続される。直列に接続された複数の3次巻線の両端は電圧印加端子を構成し、電圧印加端子には磁気リセット回路が接続される。磁気リセット回路は、3次巻線にリセット電流を流すための電源である磁気リセット電源と、インピーダンス変更回路とを備える。インピーダンス変更回路は、3次巻線に誘起される電圧によって第2の閉回路に流れ得る誘導電流を制限するためのインダクタンス値を変更可能に構成される。この構成により、複数のトランスにおける磁性体コアの磁気リセットを適切に実施しつつ、パルス電源装置の出力インピーダンスが必要以上に大きくなるのを抑止することができる。これにより、パルス電源装置の出力インピーダンスの影響を抑制して、所望のパルス幅の出力電圧を得ることが可能となる。
実施の形態2.
実施の形態1では、磁気リセット回路4のインピーダンス変更回路U1はインダクタス値を変更するように構成されているが、容量値を変更するように構成されていてもよい。図13は、実施の形態2に係る磁気リセット回路の構成例を示す図である。
実施の形態1では、磁気リセット回路4のインピーダンス変更回路U1はインダクタス値を変更するように構成されているが、容量値を変更するように構成されていてもよい。図13は、実施の形態2に係る磁気リセット回路の構成例を示す図である。
図13に示す磁気リセット回路4Aでは、図6に示す磁気リセット回路4に対し、インピーダンス変更回路U1がインピーダンス変更回路U1Aに置き替えられている。その他の構成は、図6と同一又は同等であり、同一又は同等の構成部には同一の符号を付して示し、重複する説明は割愛する。
インピーダンス変更回路U1Aは、図13に示されるように、磁気リセット電源E1と3次巻線T1s~Tnsとの間に直列に挿入されている。インピーダンス変更回路U1Aは、抑制コイルULaと、抑制コイルULaに直列に接続されるスイッチング素子H1と、スイッチング素子H1に並列に接続される容量可変コンデンサであるコンデンサUCaとを有する。
インピーダンス変更回路U1Aにおいて、抑制コイルULaのインダクタンス値は、3次巻線T1s~Tnsの誘起電圧に起因する過大電流が磁気リセット電源E1に流れない値に設定されている。磁気リセットの実施時には、スイッチング素子H1をオンに制御し、コンデンサUCaの両端を短絡し、磁気リセット電源E1により3次巻線T1s~Tnsにリセット電流を流す。
過電流抑制時には、抑制コイルULaとコンデンサUCaとのLC直列回路とみなすことができ、抑制コイルULaのインダクタンス値及びコンデンサUCaの容量値で決まる合成インピーダンスによって、電源部2の出力インピーダンスが決定される。コンデンサUCaの容量値をパルス電源装置100の出力に応じて変更することにより、出力インピーダンスを適切に設定することができる。これにより、磁性体コア3eの磁気リセットを適切に実施しつつ、所望のパルス幅の出力電圧を得ることができる。また、従来のパルス電源装置よりも短いパルス幅の出力電圧を容易に得ることができる。また、トランスTr1~Trnの仕様、出力電圧の大きさなどが変更されても、これらに柔軟に対応することができる。
なお、図13では、コンデンサUCaを容量可変コンデンサで構成しているが、これに限定されない。複数のコンデンサを用意し、それらの一部又は全部を組み合わせて容量値を変更するようにしてもよい。
以上説明したように、実施の形態2に係るパルス電源装置に具備される磁気リセット回路は、容量値を変更可能に構成される。この構成により、実施の形態1と同様に、複数のトランスにおける磁性体コアの磁気リセットを適切に実施しつつ、パルス電源装置の出力インピーダンスが必要以上に大きくなるのを抑止することができる。これにより、パルス電源装置の出力インピーダンスの影響を抑制して、所望のパルス幅の出力電圧を得ることが可能となる。
実施の形態3.
実施の形態1では、磁気リセット回路4のインピーダンス変更回路U1はインダクタンス値を変更するように構成されているが、トランスを介してインピーダンスを変更するように構成されていてもよい。図14は、実施の形態3に係る磁気リセット回路の構成例を示す図である。
実施の形態1では、磁気リセット回路4のインピーダンス変更回路U1はインダクタンス値を変更するように構成されているが、トランスを介してインピーダンスを変更するように構成されていてもよい。図14は、実施の形態3に係る磁気リセット回路の構成例を示す図である。
図14に示す磁気リセット回路4Bでは、図6に示す磁気リセット回路4に対し、インピーダンス変更回路U1がインピーダンス変更回路U1Bに置き替えられている。その他の構成は、図6と同一又は同等であり、同一又は同等の構成部には同一の符号を付して示し、重複する説明は割愛する。
インピーダンス変更回路U1Bは、図14に示されるように、磁気リセット電源E1と3次巻線T1s~Tnsとの間に直列に挿入されている。インピーダンス変更回路U1Bは、抑制コイルULbと、スイッチング素子H1と、容量可変コンデンサであるコンデンサUCbと、インピーダンス変換トランスTrbとを有する。スイッチング素子H1は、抑制コイルULbに直列に接続される。コンデンサUCbは、抑制コイルULb及びスイッチング素子H1に直列に接続される。インピーダンス変換トランスTrbは、1次巻線Trb1及び2次巻線Trb2を有する。1次巻線Trb1は、第2の閉回路6に挿入される。2次巻線Trb2は、抑制コイルULb、スイッチング素子H1及びコンデンサUCbに直列に接続されて閉回路を構成する。
実施の形態3に係るインピーダンス変更回路U1Bは、1次巻線Trb1の巻数と2次巻線Trb2の巻数との比であるトランス比によってインピーダンス変更回路U1Bの両端電圧を変更、即ち昇圧又は降圧することができる。電圧の昇降圧にリアクトル及びコンデンサを必要としないので、大型化することなく耐圧を高くすることが可能である。実施の形態2と同様にコンデンサUCbの容量値を電圧パルスごとに変更することで、出力インピーダンスを適切に設定することができる。これにより、磁性体コア3eの磁気リセットを適切に実施しつつ、所望のパルス幅の出力電圧を得ることができる。また、従来のパルス電源装置よりも短いパルス幅の出力電圧を容易に得ることができる。また、トランスTr1~Trnの仕様、出力電圧の大きさなどが変更されても、これらに柔軟に対応することができる。
なお、図14では、コンデンサUCbを容量可変コンデンサで構成しているが、これに限定されない。複数のコンデンサを用意し、それらの一部又は全部を組み合わせて容量値を変更するようにしてもよい。また、この構成に代え、もしくはこの構成に加え、複数の抑制コイルを用意し、それらの一部又は全部を組み合わせてインダクタンス値を変更するようにしてもよい。
以上説明したように、実施の形態3に係るパルス電源装置に具備される磁気リセット回路は、インピーダンス変換トランスを有してインピーダンスを変更可能に構成される。この構成により、実施の形態1と同様に、複数のトランスにおける磁性体コアの磁気リセットを適切に実施しつつ、パルス電源装置の出力インピーダンスが必要以上に大きくなるのを抑止することができる。これにより、パルス電源装置の出力インピーダンスの影響を抑制して、所望のパルス幅の出力電圧を得ることが可能となる。
以上の実施の形態に示した構成は、一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、実施の形態同士を組み合わせることも可能であるし、要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略、変更することも可能である。
1,1a 制御部、2 電源部、3 トランス群、3a,3b 出力端子、3c,3d 電圧印加端子、3e 磁性体コア、4,4A,4B 磁気リセット回路、5 第1の閉回路、6 第2の閉回路、7 駆動回路、8 負荷、11 動作条件生成部、12 指令信号生成部、13 指令信号データセット、14 指令信号データセット生成部、15 指令信号候補生成部、16 判定部、17 指令信号出力部、100 パルス電源装置、C11~C1j,UCa,UCb コンデンサ、DC1 直流電源、E1 磁気リセット電源、H1~Hk,S11~S1j スイッチング素子、L1,L2 インダクタンス値、La1~Lan,Trb1 1次巻線、P1~Pn パルス電源、T1~Tn,Trb2 2次巻線、T1s~Tns 3次巻線、Tr1~Trn トランス、Trb インピーダンス変換トランス、U1,U1A,U1B インピーダンス変更回路、UL1~ULk,ULa,ULb 抑制コイル。
Claims (5)
- 各々が片極性のパルス電圧を出力する複数のパルス電源と、
各々が1次巻線、2次巻線及び3次巻線を有し、1つの前記パルス電源が1つの前記1次巻線に1つずつ接続される複数のトランスと、
を備え、
複数の前記2次巻線は順次直列に接続され、直列に接続された複数の前記2次巻線の両端は出力端子を構成し、前記出力端子には負荷が接続されて第1の閉回路を構成し、
複数の前記3次巻線は順次直列に接続され、直列に接続された複数の前記3次巻線の両端は電圧印加端子を構成し、前記電圧印加端子には磁気リセット回路が接続され、複数の前記3次巻線と前記磁気リセット回路とで第2の閉回路を構成し、
前記磁気リセット回路は、
前記3次巻線にリセット電流を流すための電源である磁気リセット電源と、
前記3次巻線に誘起される電圧によって前記第2の閉回路に流れ得る誘導電流を制限するためのインピーダンスを変更可能に構成されるインピーダンス変更回路と、
を備えたことを特徴とするパルス電源装置。 - 各々の前記パルス電源は、
複数のスイッチング素子と、
各々が前記スイッチング素子の各々に直列に接続され、且つ互いに並列に接続される複数のコンデンサと、
前記コンデンサの各両端に直流電圧を印加する直流電源と、
を備え、
1つの前記スイッチング素子と1つの前記コンデンサとが直列に接続された直列回路を複数有し、且つ、複数の前記直列回路が互いに並列に接続されて直並列回路を構成し、前記直並列回路の両端から前記パルス電圧を出力する
ことを特徴とする請求項1に記載のパルス電源装置。 - 前記インピーダンス変更回路は、
各々が互いに並列に接続される複数の抑制コイルと、
各々が前記抑制コイルの各々に直列に接続される複数のスイッチング素子と、
を備え、
複数の前記抑制コイルのうちの少なくとも1つを選択して前記第2の閉回路に挿入することを特徴とする請求項1又は2に記載のパルス電源装置。 - 前記インピーダンス変更回路は、
抑制コイルと、
前記抑制コイルに直列に接続されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に並列に接続される容量可変コンデンサと、
を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載のパルス電源装置。 - 前記インピーダンス変更回路は、
抑制コイルと、
前記抑制コイルに直列に接続されるスイッチング素子と、
前記抑制コイル及び前記スイッチング素子に直列に接続される容量可変コンデンサと、
1次巻線及び2次巻線を有するインピーダンス変換トランスと、
を備え、
前記1次巻線は、前記第2の閉回路に挿入され、
前記2次巻線は、前記抑制コイル、前記スイッチング素子及び前記容量可変コンデンサに直列に接続されて閉回路を構成する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のパルス電源装置。
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