JP7321285B2 - セラミック構造体及びウェハ用システム - Google Patents

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Description

本開示は、セラミック構造体及び該セラミック構造体を含むウェハ用システムに関する。
上面にウェハが重ねられるセラミック構造体が知られている(例えば特許文献1又は2)。このようなセラミック構造体は、セラミックからなる板状の基体と、その内部に位置している内部導体とを有している。そして、セラミック構造体は、内部導体に電圧が印加されることによって、例えば、ウェハを加熱する機能、ウェハを吸着する機能若しくはウェハの周囲にプラズマを発生させる機能又はこれらの2以上の組み合わせを発揮する。このようなセラミック構造体は、例えば、半導体製造装置に用いられる。
特許文献1及び2には、セラミックからなる基体内に内部導体としての抵抗発熱体が設けられたセラミックヒータが開示されている。このセラミックヒータは、内部導体と電気的に接続され、基体の下面から露出する端子を有している。基体の下面は平面状であり、また、端子の下面は基体の下面と面一になっている。
特開2004-87392号公報 特開平5-101871号公報
本開示の一態様に係るセラミック構造体は、基体と、内部導体と、凸部と、端子部とを有している。基体は、セラミックからなり、ウェハが重ねられる上面及びその反対側の下面を有している板状である。内部導体は、基体内に位置する。凸部は、基体の下面に形成される。端子部は、内部導体に電気的に接続されており、少なくとも一部が基体内および凸部内に位置しており、凸部の外部へ露出している。凸部はセラミック部材からなり、セラミック部材に形成された貫通孔に端子部が貫通している。セラミック部材は基体の下面および端子部の少なくとも一方に接合される。
本開示の一態様に係るウェハ用システムは、上記のセラミック構造体と、端子部に電力を供給する電力供給部と、電力供給部を制御する制御部と、を有している。
図1は、実施形態に係るヒータの構成を示す模式的な分解斜視図である。 図2は、図1のII-II線における断面図である。 図3Aは、実施形態に係るヒータの領域IIIの拡大断面図である。 図3Bは、実施形態に係るヒータの領域IIIの拡大断面図である。 図4Aは、図2のA-A線における、凸部と端子部の断面の一例を示す図である。 図4Bは、図2のA-A線における、凸部と端子部の断面の一例を示す図である。 図4Cは、図2のA-A線における、凸部と端子部の断面の一例を示す図である。 図5Aは、他の実施形態に係るヒータの領域IIIの拡大断面図である。 図5Bは、他の実施形態に係るヒータの領域IIIの拡大断面図である。 図6Aは、他の実施形態に係るヒータの領域IIIの拡大断面図である。 図6Bは、図6Aの一部の拡大断面図である。 図6Cは、図6Aの一部の拡大断面図である。 図7は、他の実施形態に係るヒータの領域IIIの拡大断面図である。 図8は、他の実施形態に係るヒータの凸部と端子の拡大断面図である。 図9は、他の実施形態に係るヒータの領域IIIにおける拡大断面図である。 図10は、他の実施形態に係るヒータの領域IIIにおける拡大断面図である。 図11は、他の実施形態に係るヒータの領域IIIにおける拡大断面図である。 図12は、他の実施形態に係るヒータの領域IIIにおける拡大断面図である。 図13は、他の実施形態に係るヒータの領域IIIにおける拡大断面図である。 図14は、他の実施形態に係るヒータの領域IIIにおける拡大断面図である。 図15は、他の実施形態に係るヒータの領域IIIにおける拡大断面図である。 図16Aは、他の実施形態に係るヒータの領域IIIの頂面図である。 図16Bは、他の実施形態に係るヒータの領域IIIの側面図である。 図17は、他の実施形態に係るヒータの領域IIIにおける拡大断面図である。 図18は、他の実施形態に係るヒータの領域IIIにおける拡大断面図である。
以下、本開示のセラミック構造体及びウェハ用システムについて、セラミックヒータを例に取って説明する。以下で参照する各図は、説明の便宜上の模式的なものである。従って、細部は省略されていることがあり、また、寸法比率は必ずしも現実のものとは一致していない。また、ヒータは、各図に示されていない周知の構成要素をさらに備えていても構わない。
第2実施形態以降においては、基本的に、先に説明された実施形態との相違部分についてのみ説明する。特に言及がない事項については、先に説明された実施形態と同様とされてよい。また、説明の便宜上、複数の実施形態間で互いに対応する構成については、相違点があっても同じ符号を付すことがある。
1つの端子部及びその周辺の構成の縦断面図については、特に断りがない限り、上記1つの端子部回り(紙面上下に延びる中心線回り)のいずれの方角から見ても、同じ縦断面図が得られると捉えられてよい。
第1実施形態について説明する。
(ヒータシステム)
図1は、実施形態に係るヒータ1の構成を示す模式的な分解斜視図である。図2は、図1のヒータ1を含むヒータシステム101の構成を示す模式図である。図2において、ヒータ1については、図1のII-II線断面図が示されている。図1は、ヒータ1の構造を示すために便宜的にヒータ1を分解して示しており、実際の完成後のヒータ1は、図1の分解斜視図のように分解可能である必要はない。
図1及び図2の紙面上方は、例えば、鉛直上方である。ただし、ヒータ1は、必ずしも図1及び図2の紙面上方を鉛直上方として利用される必要はない。以下では、便宜上、図1及び図2の紙面上方を上方として、上面及び下面等の用語を用いることがある。特に断りがない限り、単に平面視という場合、図1及び図2の紙面上方から見ることを指すものとする。
ヒータシステム101は、ヒータ1と、ヒータ1に電力を供給する電力供給部3(図2)と、電力供給部3を制御する制御部5(図2)と、を有している。ヒータ1と電力供給部3とは配線部材7(図2)によって接続されている。なお、配線部材7は、ヒータ1の一部と捉えられても構わない。また、ヒータシステム101は、上記に挙げた構成の他、例えば、ヒータ1に気体及び/又は液体を供給する流体供給部を有していてもよい。
(ヒータ)
ヒータ1は、例えば、概略板状(図示の例では円盤状)のヒータプレート9と、ヒータプレート9から下方へ延びているパイプ11とを有している。
ヒータプレート9は、その上面13aに加熱対象物の一例としてのウェハWf(図2)が載置され(重ねられ)、ウェハの加熱に直接に寄与する。パイプ11は、例えば、ヒータプレート9の支持及び配線部材7の保護に寄与する。なお、ヒータプレート9のみがヒータと捉えられても構わない。
(ヒータプレート)
ヒータプレート9の上面13a及び下面13bは、例えば、概ね平面である。ヒータプレート9の平面形状及び各種の寸法は、加熱対象物の形状及び寸法等を考慮して適宜に設定されてよい。例えば、平面形状は、円形(図示の例)又は多角形(例えば矩形)である。寸法の一例を示すと、直径は20cm以上35cm以下、厚さは4mm以上30mm以下である。
ヒータプレート9は、例えば、絶縁性の基体13と、基体13に埋設されている抵抗発熱体15(内部導体の一例)と、抵抗発熱体15に電力を供給するための端子部17とを備えている。抵抗発熱体15に電流が流れることによって、ジュールの法則に従って熱が発生し、ひいては、基体13の上面13aに載置されているウェハが加熱される。
(基体)
基体13の外形は、ヒータプレート9の外形を構成している。従って、上述のヒータプレート9の形状及び寸法に係る説明は、そのまま基体13の外形及び寸法の説明と捉えられてよい。基体13の材料は、例えば、セラミックである。セラミックは、例えば、窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al、アルミナ)、炭化珪素(SiC)、及び窒化珪素(Si)等を主成分とする焼結体である。なお、主成分は、例えば、その材料の50質量%以上又は80質量%以上を占める材料である(以下、同様。)。
図1では、基体13は、第1絶縁層19A及び第2絶縁層19Bによって構成されている。なお、基体13は、第1絶縁層19A及び第2絶縁層19Bとなる材料(例えばセラミックグリーンシート)が積層されて作製されてもよい。また、基体13は、上記方法とは異なる方法によって作製され、完成後に抵抗発熱体15等の存在によって概念的に第1絶縁層19A及び第2絶縁層19Bによって構成されていると捉えることができるだけであってもよい。
これらの絶縁層の厚みは適宜に設定されてよく、各絶縁層が基体13の厚みに占める割合も適宜に設定されてよい。後述するように、本実施形態に係る技術は、基体13の下面13bから最下層の内部導体(抵抗発熱体15)までの厚さ(第2絶縁層19Bの厚さ)が比較的薄いヒータに適用可能である。このような比較的薄い第2絶縁層19Bの厚さの一例を挙げると、例えば、1mm以上3mm以下である。この場合、例えば、基体13の厚さは、4mm以上6mm以下とされてよい。
(抵抗発熱体)
抵抗発熱体15は、基体13の上面13a及び下面13bに沿って(例えば平行に)延びている。また、抵抗発熱体15は、平面視において、例えば、基体13の概ね全面に亘って延びている。図1では、抵抗発熱体15は、第1絶縁層19A及び第2絶縁層19Bとの間に位置している。
平面視における抵抗発熱体15の具体的なパターン(経路)は適宜なものとされてよい。例えば、抵抗発熱体15は、ヒータプレート9において1本のみ設けられており、その一端から他端まで自己に対して交差することなく延びている。また、図示の例では、抵抗発熱体15は、ヒータプレート9を2分割した各領域において、円周方向に往復するように(ミアンダ状に)延びている。この他、例えば、抵抗発熱体15は、渦巻状に延びていたり、一の半径方向において直線状に往復するように延びていたりしてよい。
抵抗発熱体15を局部的に見たときの形状も適宜なものとされてよい。例えば、抵抗発熱体15は、上面13a及び下面13bに平行な層状導体であってもよいし、上記の経路を軸として巻かれたコイル状(スプリング状)であってもよいし、メッシュ状に形成されているものであってもよい。各種の形状における寸法も適宜に設定されてよい。
抵抗発熱体15の材料は、電流が流れることによって熱を生じる導体(例えば金属)である。導体は、適宜に選択されてよく、例えば、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、プラチナ(Pt)若しくはインジウム(In)又はこれらを主成分とする合金である。また、抵抗発熱体15の材料は、前記のような金属を含む導電ペーストを焼成して得られるものであってもよい。すなわち、抵抗発熱体15の材料は、ガラス粉末及び/又はセラミック粉末等の添加剤(別の観点では無機絶縁物)を含むものであってもよい。
(凸部)
図3Aは、図2のヒータの領域IIIにおける拡大断面図である。ヒータ1は、基体13の下面13bに凸部21を有する。凸部21は基体13とは別部材であり、基体13の下面13bに接合されている。凸部21の頂面21a(紙面の下側の面)は、下面13bの一部から突出した面を構成している。凸部21の側面21bは基体13の下面13bと接している。
(端子部)
端子部17は、例えば、抵抗発熱体15の長さ方向両端に接続されているとともに、当該両端の位置にて、基体13のうちの下面13b側の一部(第2絶縁層19B)を貫通し、さらに凸部21を貫通し、凸部21の頂面21aへ露出している。これにより、ヒータプレート9の外部から抵抗発熱体15へ電力を供給可能になっている。1対の端子部17(抵抗発熱体15の両端)は、例えば、ヒータプレート9の中央側に位置している。なお、1つの抵抗発熱体15に電力を供給する3以上の端子部17が設けられてもよいし、2以上(例えば2層以上)の抵抗発熱体15に電力を供給する2組以上の端子部17が設けられてもよい。また、図2および図3A、図3Bに示すヒータのように、端子部17は凸部21を貫通し、さらに頂面21aから延出している構造であっても良い。
端子部17の材料としては、例えばW、Mo又はPtからなる金属を挙げることができる。
(パイプ)
パイプ11は、上下(軸方向両側)が開口している中空状である。別の観点では、パイプ11は、上下に貫通する空間11sを有している。凸部21は、パイプ11内に位置している。パイプ11の横断面(軸方向に直交する断面)及び縦断面(軸方向に平行な断面。図2に示す断面)の形状は適宜に設定されてよい。図示の例では、パイプ11は、軸方向の位置に対して径が一定の円筒形状である。もちろん、パイプ11は、高さ方向の位置によって径が異なっていてもよい。また、パイプ11の寸法の具体的な値は適宜に設定されてよい。特に図示しないが、パイプ11には、気体又は液体が流れる流路が形成されていてもよい。
パイプ11は、セラミック等の絶縁材料から構成されていてもよいし、金属(導電材料)から構成されていてもよい。セラミックの具体的な材料としては、例えば、基体13の説明で挙げたもの(AlN等)が利用されてよい。また、パイプ11の材料は、基体13の材料と同一であってもよいし、異なっていてもよい。
基体13とパイプ11との固定は、適宜な方法によってなされてよい。例えば、両者は、両者の間に介在する接着剤(不図示)によって固定されてもよいし、両者の間に接着剤を介在させずに、固相接合によって固定されてもよいし、ボルト及びナット(いずれも不図示)を利用して機械的に固定されてもよい。
接着剤は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよいし、導電材料であってもよいし、絶縁材料であってもよい。具体的には、接着剤としては、例えば、ガラス系のものが用いられてよい(ガラス接合が利用されてよい)。固相接合としては、例えば、拡散接合が利用されてよい。拡散接合では、基体13とパイプ11とが加熱加圧されることによって接合される。拡散接合は、基体13とパイプ11とを直接に当接させるものだけでなく、両者の間に接合を促進するための材料が配置されるものも含むものとする。当該材料は、接合の際、固相状態であってもよいし、液相状態であってもよい。
(配線部材)
配線部材7は、パイプ11の空間11s内に挿通されている。平面透視において、ヒータプレート9のうち空間11s内に露出する領域では、複数の端子部17が基体13の下面13bに形成された凸部21に露出している。そして、配線部材7は、その一端が複数の端子部17に接続されている。端子部17は凸部21を貫通し、さらに頂面21aから延出している構造の場合は、端子部17の延出した終端側に、配線部材7の一端が接続されている。
複数の配線部材7は、可撓性の電線であってもよいし、可撓性を有さないロッド状のものであってもよいし、これらの組み合わせであってもよい。また、複数の可撓性の電線は、纏められて1本のケーブルのようになっていてもよいし、纏められていなくてもよい。また、配線部材7と端子部17との接続も適宜なものとされてよい。例えば、両者は、導電性の接合材によって接合されてよい。また、例えば、両者は、一方に雄ねじが形成され、他方に雌ねじが形成されることにより、螺合されていてもよい。
(ヒータの製造方法)
ヒータ1の製造方法においては、例えば、ヒータプレート9、パイプ11及び配線部材7等が互いに別個に作製される。その後、これらの部材が互いに固定される。ただし、ヒータプレート9及びパイプ11は一部又は全部が共に作製されてもよい。パイプ11及び配線部材7の製造方法は、例えば、公知の種々の方法と同様とされてよい。
ヒータプレート9の製造方法は、凸部21の作製方法を除いては、公知の種々の方法と同様とされてよい。例えば、抵抗発熱体15となる導電ペーストが配置された、第1絶縁層19A及び第2絶縁層19Bとなるセラミックグリーンシートの積層体を焼成して基体13を作製してよい。また、抵抗発熱体15となるコイルと、基体13となるセラミック原料粉末とを型内に配置して加熱及び加圧を行い(すなわちホットプレス法により)、基体13を作製してよい。
つづいて、端子部17を挿入するための穴をたとえばドリル加工等によって形成した後、形成した穴に端子部17を挿入する。このとき、端子部17の先端に白金等の導電性材料のペーストを予め塗っておく。つづいて、端子部17が取り付けられた基体13を真空中で熱処理することによって導電性材料を焼結させる。このときの処理温度は、たとえば1250℃である。
つづいて、窒化アルミニウムを主成分とするセラミック部材23を端子部17に挿通させる。このとき、セラミック部材23の底面21cに接合材25のペーストを塗っておく。接合材25のペーストは、酸化アルミニウム(Al)粉末、炭酸カルシウム(CaCO)粉末、酸化イットリウム(Y)粉末の各粉末に、バインダー、溶媒を加えてペースト状にしたものである。接合材25に含まれる各粉末の組成は、Alの酸化アルミニウム(Al)換算での含有量が40質量%以上65質量%以下、Caの酸化カルシウム(CaO)換算での含有量が30質量%以上50質量%以下、Yの酸化イットリウム(Y)換算での含有量が5質量%以上15質量%以下であることが好ましい。接合材25に含まれる各粉末の組成は、たとえば、Alの酸化アルミニウム(Al)換算での含有量が50質量%、Caの酸化カルシウム(CaO)換算での含有量が40質量%、Yの酸化イットリウム(Y)換算での含有量が10質量%である。
つづいて、基体13およびセラミック部材23を真空中で熱処理する。このときの処理温度は、たとえば1550℃である。これにより、端子部17を挿入するための穴(貫通孔26等)と端子部17との隙間に接合材25が毛管現象によって入り込み、かかる隙間が接合材25(AlCaY)によって封止される。ここで、AlCaYは、例えばAl、Ca、Yのうち少なくとも1つと、O(酸素)と、を含む化合物(例えば、Y、Al12、CaAl1018、CaAl1219)である。
(凸部21と基体13との封止)
図3Aに示すように、凸部21は、基体13とは別部材であるセラミック部材23からなる。セラミック部材23は、端子部17が挿通される貫通孔26を有する。
基体13とセラミック部材23の材質はともにセラミックであるため、基体13とセラミック部材23との熱膨張係数差が小さく、セラミック部材23の熱伝導率を基体13と同等以下に抑制することができる。その結果、セラミック構造体としてのヒータ1は、基体13の上面13aをさらに効率的に加熱することができる。
セラミック部材23は、下面13bに接合材25によって接合(封止)されていてもよい。他の表現では、セラミック部材23は、下面13bと接合材25を介して接合されていてもよい。
ここでいう「接合」とは、凸部21と端子部17とが接合材によって接合された結果、凸部21と端子部17の間が封止され、気密性が保持されている状態である。接合材25による「接合」は、結果として「封止」という効果を生ずる。
接合材25の材料は、適宜なものとされてよく、例えば、一般的なガラス系封止材であってもよいし、CaO-Al-Y系の接合材が用いられてもよい。下面13bとセラミック部材23との間に接合材25を介在させることにより、接合材25が蓄熱してセラミック部材23内の下面13bに直交する方向に熱を伝えにくくすることができる。このため、セラミック構造体としてのヒータ1は、基体13の上面13aを効率的に加熱することができる。また、接合材25により、基体13とセラミック部材23との気密性を向上させることができる。
(凸部21と端子部17との封止)
図3Bに示すように、セラミック部材23と端子部17とは、接合材25によって接合されていてもよい。セラミック部材23と端子部17の間が封止されて気密性が保持できるため、例えば、端子部17が高温で酸化性のある気体(例えば酸素ガス)に曝されても、端子部17の周囲から酸素ガスが入り込まないため、抵抗発熱体15が酸化するおそれが無い。
なお、セラミック部材23は、基体13の下面13bおよび端子部17の少なくとも一方に接合されていればよい。たとえば、図3Aでは、セラミック部材23が基体13の下面13bにのみ接合される例を示し、図3Bでは、セラミック部材23が基体13の下面13bおよび端子部17の両方に接合される場合の例を示した。これに限らず、たとえば、セラミック部材23は、端子部17にのみ接合されてもよい。この点については後述する。
ヒータにおいては、効率的に加熱することができ、あわせて端子部の気密性を向上させることが望まれる場合がある。これに対し、本実施形態に係るセラミック構造体としてのヒータ1は、基体13と、内部導体(抵抗発熱体15)と、端子部17とを有している。基体13は、セラミックからなり、ウェハWfが重ねられる上面13a及びその反対側の下面13bを有している板状である。抵抗発熱体15は、基体13内に位置している。端子部17は、抵抗発熱体15に電気的に接続されており、少なくとも一部が基体13内および凸部21に位置しており、凸部21の外部へ露出している。凸部21はパイプ11の内部に収納されている。また、凸部21はセラミック部材23からなり、セラミック部材23に形成された貫通孔26に端子部17が貫通している。そして、セラミック部材23は、基体13の下面13bおよび端子部17の少なくとも一方に接合される。
従って、例えば、抵抗発熱体15で発生した熱が、凸部21の蓄熱効果によって下面13b側からパイプ11側へ伝わることが防止される。その結果、基体13の上面13aを効率的に加熱することができる。また、凸部21と端子部17とが接合(封止)される場合には、端子部17の周囲の気密性を向上させることができる。これにより、抵抗発熱体15の腐食が防止され、長期間にわたって基体13の上面13aが温度変化が少ないヒータ1を構成することができる。
第2実施形態について説明する。図4A~図4Cは、図2のA-A線における、凸部21と端子部17の断面の一例を示す図である。図4Aに示すように、凸部21は、下面13bに平行な面で断面視したときに、輪郭が直径Lの円であってもよい。ここでいう円の形状は、厳密に円である必要はなく、略円形状をしていればよい。さらに、ここでいう円には、円の輪郭の一部が部分的に欠損し、欠損した部分が直線などからなる形状も含まれる。
図4Bに示すように、凸部21は、下面13bに平行な面で断面視したときに、輪郭が四角形であってもよい。ここでいう四角形には、四角形の角部が曲線である形状、四角形の角部にC面が付いた形状も含まれる。さらに、図示しないが、凸部21は、下面13bに平行な面で断面視したときに、輪郭が四角形以外の多角形であっても良い。
図4Cに示すように、凸部21は、下面13bに平行な面で断面視したときに、輪郭が楕円であってもよい。ここでいう楕円には、曲率半径の異なる3以上の凸曲線をつないで得られる形状も含まれる。
凸部21の輪郭が円、楕円または多角形のいずれかからなることにより、抵抗発熱体15で発生し凸部21で蓄熱された熱が、凸部21から均等に下側へ伝わりやすくなる。その結果、基体13の上面13aをさらに効率的に加熱することができる。
さらに、図示しないが、下面13bに平行な面で凸部21断面視したときに、凸部21の輪郭が、円の輪郭の一部、多角形の角部を含む輪郭の一部および楕円の輪郭の一部のうち、いずれかの2つ以上の輪郭の一部の組み合わせからなる場合であっても、同様に基体13の上面13aをさらに効率的に加熱することができる。
第3実施形態について説明する。図3に示すように、凸部21の厚みは、一定の値Tであっても良い。別の見方では、凸部21の頂面21aは、下面13bと平行であっても良い。凸部21の厚みが一定である場合、抵抗発熱体15で発生した熱が凸部21で均一に蓄熱されやすくなる。その結果、セラミック構造体としてのヒータ1は、基体13の上面13aをさらに効率的に加熱することができる。
第4実施形態について説明する。図4A~4Cに示す断面の輪郭およびその内側に仮想直線からなる線分を引いたときに、凸部21は、厚みTよりも線分の長さの最大値Lが大きい。図4Aの場合、凸部21のA-A断面の輪郭は円であるため、線分長さLは仮想直線の位置によらず一定である。図4Bの場合は凸部21のA-A断面の輪郭は四角形であるため、線分長さLは、四角形の内側を通り対向する頂点同士の長さである。図4Cの場合の線分の長さLは、楕円の曲率半径が小さい部分同士をつなぐ線分の長さである。
凸部21の厚みTよりも、線分の長さの最大値Lが大きいことにより、抵抗発熱体15で発生した熱が凸部21へ伝わった後、頂面21a側全体で均一に蓄熱されやすい。このため、セラミック構造体としてのヒータ1は、基体13の上面13aをさらに効率的に加熱することができる。
L/Tの値は、2以上が好ましく、4以上であることがさらに好ましい。
第5実施形態について説明する。セラミック部材23におけるカルシウムの酸化カルシウム換算での含有量は、0.03質量%以下であってもよい。また、セラミック部材23におけるイットリウムの酸化イットリウム換算での含有量は、0.3質量%以下であってもよい。かかる構成とすることにより、セラミック部材23にクラックが生じることを抑制することができる。以下、この点について説明する。
セラミック部材23は、窒化アルミニウムを主成分とする。窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスには、焼結助剤として、たとえば酸化カルシウム(CaO)および酸化イットリウム(Y)が用いられる場合がある。すなわち、窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスには、カルシウムおよびイットリウムが含有される場合がある。
ここで、セラミック部材23の内部には、接合材25中のカルシウムが拡散するおそれがある。セラミック部材23の内部にカルシウムが拡散すると、カルシウムが拡散した部分においてセラミック部材23の熱膨張係数が大きくなる。この結果、セラミック部材23の熱膨張係数と、端子部17の熱膨張係数との差が大きくなる。セラミック部材23と端子部17とは接合材25を介して接合されているため、たとえば加熱および冷却が繰り返された場合に、端子部17とセラミック部材23との熱膨張差によりセラミック部材23に熱応力がかかってセラミック部材23にクラックが発生する可能性が高くなる。
これに対し、セラミック部材23に含有されるカルシウムの量を少なくすると、セラミック部材23の熱膨張係数と端子部17の熱膨張係数との差を小さくすることができる。したがって、仮に接合材25中のカルシウムがセラミック部材23の内部に拡散したとしても、セラミック部材23の熱膨張係数と端子部17の熱膨張係数との差が大きくなり過ぎないようにすることができる。
また、本願発明者は、セラミック部材23中のカルシウム含有量が少ないほど、接合材25からセラミック部材23へのカルシウムの拡散が抑制されることを確認している。具体的には、EPMA(電子線マイクロアナライザ)を用いて、酸化カルシウムを0.2質量%程度、酸化イットリウムを3質量%程度含有する焼結助剤を用いて製造したセラミック部材(焼結助剤ありセラミック部材)と、焼結助剤を用いずに製造したセラミック部材(焼結助剤なしセラミック部材)とで接合材25からのカルシウムの拡散の程度を比較した結果、焼結助剤なしセラミック部材の方が明らかにカルシウムの拡散が少ないことを確認している。すなわち、セラミック部材23に含有されるカルシウムの量を少なくすることで、接合材25中のカルシウムのセラミック部材23内部への拡散自体を抑制することができる。
このように、セラミック部材23に含有されるカルシウムの量を少なくすることで、セラミック部材23にクラックが発生することを抑制することができる。具体的には、セラミック部材23におけるカルシウムの酸化カルシウム換算での含有量を、0.03質量%以下とすることが好ましい。
第6実施形態について説明する。セラミック部材23は、基体13と同じ材質のセラミックからなっていてもよい。セラミック部材23と基体13とが同じ材質のセラミックからなる場合、基体13とセラミック部材23との熱膨張係数を一致または略一致させることができる。このため、セラミック構造体としてのヒータ1は、基体13の上面13aを効率的に加熱することができると共に、基体13とセラミック部材23の熱膨張差を緩和し、基体13またはセラミック部材23にクラックが生じることを抑制することができる。
第7実施形態について説明する。接合材25は、基体13の主成分を構成する金属元素Aと、基体13に含まれる焼結助剤を構成する金属元素Bとを含んでいてもよい。この場合、金属元素Aおよび金属元素Bの合計は、接合材25の主成分を構成する。
このような構成により、セラミック構造体としてのヒータ1は、基体13の上面13aを効率的に加熱することができると共に、基体13とセラミック部材23との接合強度を向上させることができる。
第8実施形態について説明する。金属元素AはAlであってもよい。また、金属元素BはY,Caであってもよい。これによって、セラミック構造体としてのヒータ1は、基体13の上面13aを効率的に加熱することができると共に、基体13およびセラミック部材23の耐食性を向上させることができる。
第9実施形態について説明する。金属元素Aがアルミニウム(Al)である場合、基体13およびセラミック部材23の主成分は、窒化アルミウム(AlN)からなっていてもよい。金属元素Bはイットリウム(Y)、カルシウム(Ca)からなっていてもよい。金属元素Aおよび金属元素Bをこれらの金属元素に設定することにより、基体13の上面13aを効率的に加熱することができると共に、基体13とセラミック部材23の接合強度を向上させることができる。
第10実施形態について説明する。図5Aは、図3Aの構造に対して、基体13のセラミック部材23と対向する表面部13cを追加したものである。表面部13cとは、セラミック部材23と対向する基体13の部分のうち、下面13bから深さ100μmまでの範囲をいう。基体13のセラミック部材23と対向する表面部13cの金属元素Bの含有量は、基体13の内部の前記金属元素Bの含有量よりも多い。これにより、セラミック構造体としてのヒータ1は、基体13の上面13aを効率的に加熱することができると共に、基体13とセラミック部材23との接合強度を向上させることができる。
第11実施形態について説明する。図5Bは、図3Aの構造に対して、基体13の端子部17と対向する表面部13dを追加したものである。表面部13dとは、端子部17と対向する基体13の部分のうち、端子部17から深さ100μmまでの範囲をいう。基体13の端子部17と対向する表面部13dの金属元素Bの含有量は、基体13の内部の前記金属元素Bの含有量よりも多い。これにより、セラミック構造体としてのヒータ1は、基体13の上面13aを効率的に加熱することができると共に、基体13とセラミック部材23との接合強度を向上させることができる。なお、表面部13cの一部と表面部13dの一部とは、重なり合う場合がある。
第12実施形態について説明する。図3B、図6A、図7に示されるように、接合材25は、セラミック部材23と端子部17との間にも形成されてもよい。これにより、セラミック構造体としてのヒータ1は、基体13の上面13aを効率的に加熱することができると共に、基体13とセラミック部材23の間の気密性を向上させることができる。
第13実施形態について説明する。図6Aに示されるように、接合材25は、セラミック部材23と基体13との接合部分の終端から延出した第1の延出部25aを有する。これにより、セラミック構造体としてのヒータ1は、基体13の上面13aを効率的に加熱することができると共に、基体13とセラミック部材23の間の気密性を向上させることができる。
図6Bは、図6Aの一部の拡大断面図である。第1の延出部25aの表面25asは凹形状である。第1の延出部25aの表面25asが凹形状であることによって、接合材25にクラックが入ることが抑制できる。
図6Cは、図6Aの一部の拡大断面図である。第2の延出部25bの表面25bsは凹形状である。を有する。第2の延出部25bの表面25bsが凹形状である場合には、端子部17の周囲の封止効果が向上する。
第14実施形態について説明する。図6Aに示したように、接合材25は、端子部17とセラミック部材23との接合部分の終端から延出した第2の延出部25bを有する。これにより、セラミック構造体としてのヒータ1は、基体13の上面13aを効率的に加熱することができると共に、基体13とセラミック部材23の間の気密性を向上させることができる。
第15実施形態について説明する。図7に示したように、セラミック構造体としてのヒータ1は、端子部17の基体13内に位置する部分の端部側において、基体13と端子部17との間に金属層27を有する。金属層27の材質は、W、Mo、Pt、Niのいずれかが好ましく、Ptが特に好ましい。このような構造によって、セラミック構造体としてのヒータ1は、基体13の上面13aを効率的に加熱することができると共に、基体13と端子部17との接合強度を向上させることができる。図7のように接合材25と金属層27が接していることによって、基体13と端子部17の間の気密性を向上させることができる。
なお、図示しないが、接合材25と金属層27が接している場合、接合材25と金属層27が混在する層があることが好ましい。これによって、接合材25と金属層27の熱膨張差が低減するため、基体13の上面13aを効率的に加熱することができると共に、基体13と端子部17の間の気密性を向上させることができる。
第16実施形態について説明する。セラミック構造体としてのヒータ1は、セラミック部材23を貫通する3以上の端子部17が形成されていてもよい。図8では、セラミック部材23を貫通する端子部17が4個図示されている。セラミック部材23を貫通する3以上の端子部17があることによって、セラミック構造体としてのヒータ1は、セラミック構造体としてのヒータ1の設計の自由度を向上させることができる。さらに、3以上の端子部17がセラミック部材23によって拘束された状態で、セラミック部材23が基体13に接合されるため、基体13の上面13aを効率的に加熱することができると共に、基体13とセラミック部材23の接合の信頼性を向上させることができる。
第17実施形態について説明する。図9に示すように、セラミック構造体としてのヒータ1は、基体13の下面13bに凹部29が形成されており、凹部29の底面29aに、セラミック部材23が接合されている。図9における凸部21は、セラミック部材23の一部によって構成されている。凸部21は、下面13bから頂面21aまでの間に突出しているセラミック部材23の部分で構成される。セラミック部材23の底面21cが基体13の凹部29の底面29aと接合していることによって、セラミック部材23および端子部17の変形が抑制される。さらに、凹部29の底面で端子部17の側面の一部が接合材25で接合されているため、端子部17の気密性を保持することができる。
これらの結果、セラミック構造体としてのヒータ1は、基体13の上面13aを効率的に加熱することができると共に、基体13とセラミック部材23の接合(封止)の信頼性をさらに向上させることができる。
第18実施形態について説明する。図9に示すように、セラミック構造体としてのヒータ1は、凹部29の底面29aおよび側面27bに、セラミック部材23が接合材25を介して接合されている。接合材25は、底面29aの全体または一部、側面27bの全体または一部に、それぞれ存在していればよい。このような構造によって、セラミック部材23の底面21cおよび側面21bが、接合材25を介して基体13の凹部29の底面29aおよび側面27bによって拘束されるので、セラミック部材23および端子部17の変形が抑制される。その結果、セラミック構造体としてのヒータ1は、基体13の上面13aを効率的に加熱することができると共に、基体13とセラミック部材23の接合(封止)の信頼性をさらに向上させることができる。
第19実施形態について説明する。図10は、他の実施形態に係るヒータの領域IIIにおける拡大断面図である。図10に示すように、セラミック部材23の断面形状は、基体13の下面13bに対向する底面21cから頂面21aに向かって漸次幅狭となる逆台形状であってもよい。言い換えれば、セラミック部材23は、基体13の下面13bに平行な方向の断面の面積が、凸部21の頂面21aの面積よりも広くてもよい。このような構成によれば、端子部17の開放端側へ放熱される熱量を抑制しつつ、放熱量が全体として均一になる。よって、基体13の上面13aをさらに効率的に加熱できる。
また、セラミック部材23の側面21bを基体13の下面13bに対して傾斜させることで、基体13にクラックを生じさせ難くすることができる。すなわち、たとえば製造工程において、基体13の下面13bにセラミック部材23を接合材25によって接合した後、これらを熱処理した際に、基体13におけるセラミック部材23との接合箇所にクラックが生じるおそれがある。具体的には、セラミック部材23の底面21cの周縁部との接合箇所13eにおいて基体13にクラックが生じ易い。この理由としては、はみ出した接合材25(第1の延出部25a)の影響により、接合箇所13eに応力が集中することが考えられる。
これに対し、セラミック部材23の側面21bを基体13の下面13bに対して傾斜させた場合、はみ出た接合材25(第1の延出部25a)が側面21bに沿って広がることで、側面21bを傾斜させない場合と比べて、接合箇所13eの近傍における接合材25の量が少なくなる。これにより、接合箇所13eにおける応力集中が抑制されることで、基体13にクラックが生じることが抑制される。
また、第1の延出部25aが凹面である場合、第1の延出部25aにかかる応力が小さくなるため、第1の延出部25aを起点として接合材25にクラックが生じることを抑制することができる。結果として、接合材25により、基体13とセラミック部材23との気密性を向上させることができる。
基体13の下面13bとセラミック部材23の側面21bとのなす角θは、たとえば、100°以上150°以下であってもよい。
なお、図10に示すセラミック部材23は、基体13の下面13bに平行な断面積が、セラミック部材23の厚み方向によって変化する。この場合であっても、セラミック部材23は、各断面において、断面の輪郭およびその内側に仮想直線からなる線分を引いたときに、厚みTよりも線分の長さの最大値が大きいことが好ましい。
第20実施形態について説明する。図11は、他の実施形態に係るヒータの領域IIIにおける拡大断面図である。図11に示すように、セラミック部材23の側面21bは、基体13の下面13bに近い第1端(底面21c側の端部)を含む一部の領域のみが傾斜していてもよい。ここでは、セラミック部材23の側面21bの一部(傾斜部)が、セラミック部材23の底面21cに向かって漸次幅狭となる場合の例を示している。すなわち、ここでは、基体13の下面13bとセラミック部材23の側面21bの傾斜部とのなす角θが鋭角である場合の例を示している。
この場合においても、はみ出た接合材25(第1の延出部25a)が側面21bに沿って広がることで、側面21bを傾斜させない場合と比べて、接合箇所13eの近傍における接合材25の量が少なくなる。これにより、接合箇所13eにおける応力集中が抑制されることで、基体13にクラックが生じることが抑制される。
このように、セラミック部材23の側面21bは、基体13の下面13bに近い第1端を含む少なくとも一部の領域において、基体13の下面13bに対して傾斜していてもよい。
第21実施形態について説明する。図12は、他の実施形態に係るヒータの領域IIIにおける拡大断面図である。図12に示すように、セラミック部材23は、頂面21aにおける各貫通孔26の周囲に凹部23aを有していてもよい。この場合、第2の延出部25bは、凹部23a内に位置していてもよい。
この構成によれば、第2の延出部25bにおけるセラミック部材23と端子部17との接合面積が増えるため、セラミック部材23と端子部17との気密性をさらに向上させることができる。ひいては、基体13とセラミック部材23との気密性をさらに向上させることができる。
第22実施形態について説明する。図13は、他の実施形態に係るヒータの領域IIIにおける拡大断面図である。図13に示すように、凹部23aは、複数の貫通孔26のうち少なくとも2つを囲んでもよい。図13では、セラミック部材23が2つの貫通孔26を有しており、凹部23aがこれら2つの貫通孔26を囲むように形成される場合の例を示している。この場合、第2の延出部25bは、凹部23a内に位置していてもよい。
このような構成によれば、第2の延出部25bにおけるセラミック部材23と端子部17との接合面積がさらに増えるため、セラミック部材23と端子部17との気密性をさらに向上させることができる。ひいては、基体13とセラミック部材23との気密性をさらに向上させることができる。
第23実施形態について説明する。図14は、他の実施形態に係るヒータの領域IIIにおける拡大断面図である。図14に示すように、端子部17は、凸部21の頂面21aから露出している部分の径(断面積)が、凸部21に埋設されている部分の径(断面積)より小さくてもよい。この場合、第2の延出部25bは、端子部17における大径部分および小径部分間の段差面とセラミック部材23の頂面21aとに跨がるように位置していてもよい。
このような構成によれば、第2の延出部25bにおけるセラミック部材23と端子部17との接合面積がさらに増えるため、セラミック部材23と端子部17との気密性をさらに向上させることができる。ひいては、基体13とセラミック部材23との気密性をさらに向上させることができる。
第24実施形態について説明する。図15は、他の実施形態に係るヒータの領域IIIにおける拡大断面図である。図15に示すように、端子部17における大径部分および小径部分間の段差面は、凸部21に埋設されていてもよい。言い換えれば、端子部17における大径部分および小径部分間の段差面は、貫通孔26の内部に位置していてもよい。この場合も同様に、セラミック部材23と端子部17との気密性をさらに向上させることができ、ひいては、基体13とセラミック部材23との気密性をさらに向上させることができる。
第25実施形態について説明する。図16Aは、他の実施形態に係るヒータの領域IIIの頂面図である。また、図16Bは、他の実施形態に係るヒータの領域IIIの側面図である。なお、図16Aおよび図16Bでは、接合材25等を省略して示している。
図16Aおよび図16Bに示すように、セラミック部材23の頂面21aに形成される凹部23aは、両端がセラミック部材23の外縁に位置する溝形状を有していてもよい。ここでは、凹部23aが、第1端部から第2端部にかけて直線状に延びる溝形状を有する場合の例を示している。
第26実施形態について説明する。図17は、他の実施形態に係るヒータの領域IIIにおける拡大断面図である。図17に示すように、凸部21は、接合材25を介することなく基体13と接合されてもよい。この場合、凸部21は、たとえば、固相接合によって基体13と接合されてもよい。また、凸部21は、拡散接合によって基体13と接合されてもよい。
第27実施形態について説明する。図18は、他の実施形態に係るヒータの領域IIIにおける拡大断面図である。図18に示すように、凸部21は、基体13と一体的に形成されてもよい。この場合、セラミック部材23と端子部17とは、接合材25によって接合されていてもよい。セラミック部材23と端子部17の間が封止されて気密性が保持できるため、例えば、端子部17が高温で酸化性のある気体(例えば酸素ガス)に曝されても、端子部17の周囲から酸素ガスが入り込まないため、抵抗発熱体15が酸化するおそれが無い。
第2実施形態から第25実施形態までのセラミック構造体としてのヒータの製造方法は、基本的には、第1実施形態のヒータの製造方法と同様とされてよい。
第26実施形態に係るヒータは、凸部21が基体13と接合材25を介することなく接合される点で、第1実施形態に係るヒータの製造方法と異なる。第26実施形態に係るヒータを製造するためには、貫通孔26を有するセラミック部材23を作製し、作成したセラミック部材23を基体13の下面13bに接合し、セラミック部材23の貫通孔26に端子部17を貫通させればよい。凸部21と下面13bとを接合材25を介さずに接合する手法としては、例えば固相接合または拡散接合を用いればよい。
第27実施形態に係るヒータは、凸部21が基体13と一体的に形成される点で、第1実施形態に係るヒータの製造方法と異なる。第27実施形態に係るヒータを製造するためには、第2絶縁層19B(図1参照)を作製するときに、第2絶縁層19Bと一体的に凸部21を形成すれば良い。また、貫通孔26に端子部17を貫通させる際、貫通孔26に接合材25のペーストを塗布しておく。これにより、端子部17を貫通孔26に挿通させた後、真空中で熱処理することにより、接合材25と端子部17との隙間が接合材25により封止される。
第2実施形態から第5実施形態までのセラミック構造体としてのヒータの製造方法は凸部の形状を実施形態に合わせて製造すれば良いので、説明は省略する。第6実施形態から第18実施形態までのセラミック構造体としてのヒータの製造方法を以下に説明する。
ただし、第1実施形態のセラミック構造体の製造方法などと重複する内容については説明を省略することがある。また、後に記載した実施形態に係るヒータの製造方法のうち、先に記載した実施形態に係るヒータの製造方法と重複する内容は、特に記載した場合を除き省略する。
第6実施形態に係るヒータを製造するためには、基体13とセラミック部材23の材質を同じにして製造すればよい。
第7実施形態に係るヒータを製造するためには、接合材25が、基体13の主成分を構成する金属元素Aと、基体13に含まれる焼結助剤を構成する金属元素Bとを含み、前記金属元素Aおよび前記金属元素Bの合計が接合材25の主成分を構成するように製造すればよい。
第8実施形態に係るヒータを製造するためには、基体13の主成分を構成する金属元素AがAlであり、基体13に含まれる焼結助剤を構成する金属元素BがY,Caである基体を用いて製造すればよい。
第9実施形態に係るヒータを製造するためには、基体13とセラミック部材23の主成分を窒化アルミウム(AlN)とし、基体13(AlN)の焼結助剤を構成する金属元素Bをイットリウム(Y)、カルシウム(Ca)にして製造すればよい。
第10実施形態に係るヒータを製造するためには、表面部13cを構成する部分の金属元素Bの含有量が基体13の内部の前記金属元素Bの含有量よりも多い基体13を用いて製造する。具体的には、複数の未焼成のセラミック生シートを積層するときに、焼成後に表面部13cを構成する部分の金属元素Bの含有量が基体13の内部の前記金属元素Bの含有量よりも多くなるように積層して一体化した後、焼成すればよい。
第11実施形態に係るヒータを製造するためには、基体13の端子部17と対向する表面部13dの金属元素Bの含有量を、基体13の内部の前記金属元素Bの含有量よりも多くして製造すればよい。具体的には、複数の未焼成のセラミック生シートを積層するときに、焼成後に表面部13dを構成する部分の金属元素Bの含有量が基体13の内部の前記金属元素Bの含有量よりも多くなるように積層して一体化した後、焼成すればよい。
第12実施形態に係るヒータを製造するためには、端子部17とセラミック部材23の間に接合材25を塗布などにより形成し、加熱して端子部17とセラミック部材23接合して製造すればよい。
第13実施形態に係るヒータを製造するためには、接合材25を塗布するときに、あわせて第1の延出部25aにも接合材を形成するようにすればよい。
第14実施形態に係るヒータを製造するためには、あわせて第2の延出部25bにも接合材を形成するようにすればよい。
第15実施形態に係るヒータを製造するためには、端子部17の基体13内に位置する部分の端部側に、金属層27を形成することとなるペーストを塗布などにより形成した後、金属層27のペーストを抵抗発熱体15に接触させた状態で加熱して金属層27を溶融し、基体13と端子部17との間に金属層27を形成すればよい。
第16実施形態に係るヒータを製造するためには、セラミック部材23に貫通孔を2つ以上あけ、これらの各貫通孔に端子部17を挿入して製造すればよい。
第17実施形態に係るヒータの製造方法は次の通りである。基体13の凹部29の深さよりも厚く、かつ凹部29に挿入できる形状からなるセラミック部材23を準備する。基体13の下面13bに凹部29を切削加工などにより形成する。凹部29の底面29aに接するように、凹部29内にセラミック部材23を挿入する。その後、ホットプレスにより、セラミック部材23を凹部29の底面29aに対して加圧される状態で加熱し、拡散接合する。
第18実施形態に係るヒータの製造方法は次の通りである。凹部29の底面29aおよび側面27bに接合材25を塗布などにより形成し、凹部29内にセラミック部材23を挿入する。その後、加熱して、凹部29とセラミック部材23と接合材25を介して接合する。
第19~第22実施形態、第24実施形態および第25実施形態に係るヒータの製造方法は、凸部21の形状を実施形態に合わせて製造すれば良い。たとえば、第19実施形態および第20実施形態に係る凸部21は、側面21bの形状が第1実施形態に係る凸部21と異なる。この形状は、たとえばセラミックグリーンシートの積層体を焼成した後、焼成体の側面を切削加工することで得ることができる。また、第21実施形態、第22実施形態および第25実施形態に係る凸部21は、凸部21の頂面21aに凹部23aを有する点が第1実施形態に係る凸部21と異なる。この形状は、たとえばセラミックグリーンシートの積層体を焼成した後、焼成体の頂面を切削加工することで得ることができる。
第23実施形態に係るヒータを製造するためには、大径部分と小径部分とを有する端子部17を用意し、大径部分と小径部分との段差面が下面21aと面一に位置するまで端子部17を貫通孔26に挿通させればよい。また、第24実施形態に係るヒータを製造するためには、大径部分と小径部分とを有する端子部17を用意し、大径部分と小径部分との段差面が貫通孔26の内部に位置するまで端子部17を貫通孔26に挿通させればよい。
また、第19~第24実施形態に係るヒータを製造するためには、接合材25を塗布するときに、延出部(第1の延出部25a、第2の延出部25b)にも接合材を形成するようにすればよい。
本開示に係るヒータは、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。実施形態では、セラミック構造体として、加熱機能を有するセラミックヒータを例に取った。ただし、セラミック構造体は、他の機能を有するものであってもよい。例えば、セラミック構造体は、静電チャック、又はプラズマ発生用の構造体であってもよいし、これら及びヒータの2つ以上の組み合わせとして機能するものであってもよい。
換言すれば、内部導体は、実施形態では加熱用の抵抗発熱体であったが、他の用途の導体であってよく、例えば、静電チャック用の電極、又はプラズマ発生用の電極であってもよい。セラミック構造体は、これらの電極及び抵抗発熱体の1つ、又は2以上の組み合わせを有していてもよい。内部導体は、例えば、全体として、基体の上面に沿って広がっている(上方に面している)といえる形状を有している導体である。また、例えば、平面視において内部導体全体を囲む最小の凸曲線を仮定したときに、当該凸曲線により囲まれた領域は、基体の上面の6割以上又は8割以上を占める。
1:ヒータ(セラミック構造体)
3:電力供給部
5:制御部
7:配線部材
9:ヒータプレート
11:パイプ
11s:空間
13:基体、13a:上面、13b:下面
13c、13d:金属元素Bの含有量が多い領域
15:抵抗発熱体(内部導体)
17:端子部
19A:第1絶縁層
19B:第2絶縁層
21:凸部
21a:頂面
21b:側面
21c:底面
23:セラミック部材
25:接合材
25a、25b:延出部
27:凹部
27a:底面
27b:側面
101:ヒータシステム
T:厚み
L:線分

Claims (20)

  1. セラミックからなり、ウェハが重ねられる上面及びその反対側の下面を有している板状の基体と、
    前記基体内に位置する内部導体と、
    前記基体の前記下面に位置し、貫通孔を有するセラミック部材と、
    前記貫通孔内を通り前記内部導体に電気的に接続されてる端子部と、
    前記下面から延びるパイプと、
    を有しており、
    前記セラミック部材は、頂面と、該頂面とつながる側面とを有する凸部を有し、
    前記セラミック部材は前記下面および前記端子部の少なくとも一方に接合され、前記パイプの内に位置している、セラミック構造体。
  2. 前記凸部は、前記下面に平行な断面における輪郭が円、楕円または多角形のいずれかからなる、請求項1に記載のセラミック構造体。
  3. 前記輪郭およびその内側に仮想直線からなる線分を引いたときに、前記線分の長さの最大値は、前記凸部の厚みよりも大きい、請求項2に記載のセラミック構造体。
  4. 前記凸部の前記下面に平行な方向の断面の面積は、前記凸部の頂面の面積よりも広い、請求項1~3のいずれか一つに記載のセラミック構造体。
  5. 前記セラミック部材の側面は、前記下面に近い第1端を含む少なくとも一部の領域において、前記下面に対して傾斜している、請求項3または4に記載のセラミック構造体。
  6. 前記セラミック部材は、前記凸部の頂面における前記貫通孔の周囲に凹部を有する、請求項3~5のいずれか一つに記載のセラミック構造体。
  7. 複数の前記端子部を有し、
    前記セラミック部材は、複数の前記貫通孔を有し、
    前記凹部は、複数の前記貫通孔のうち少なくとも2つを囲む、請求項6に記載のセラミック構造体。
  8. 前記凹部は、両端が前記セラミック部材の外縁に位置する溝形状を有する、請求項6または7に記載のセラミック構造体。
  9. 前記セラミック部材は、前記下面および前端子部の少なくとも一方に対して接合材を介して接合される、請求項1~8のいずれか一つに記載のセラミック構造体。
  10. 前記接合材は、前記基体の主成分を構成する金属元素Aと、前記基体に含まれる焼結助剤を構成する金属元素Bとを含み、前記金属元素Aおよび前記金属元素Bの合計は前記接合材の主成分を構成する、請求項9に記載のセラミック構造体。
  11. 前記金属元素AはAlであり、前記金属元素BはYおよびCaである、請求項10に記載のセラミック構造体。
  12. 前記基体の主成分がAlNからなる、請求項11に記載のセラミック構造体。
  13. 前記基体の前記セラミック部材と対向する表面部の金属元素Bの含有量は、前記基体の内部の金属元素Bの含有量よりも多い、請求項10~12のいずれか一つに記載のセラミック構造体。
  14. 前記基体と、前記基体内に位置する前記端子部との間に接合材が形成されており、前記基体の前記端子部と対向する表面部の金属元素Bの含有量は、前記基体の内部の金属元素Bの含有量よりも多い、請求項13に記載のセラミック構造体。
  15. 前記接合材は、前記セラミック部材と前記端子部との間に形成されている、請求項13または請求項14に記載のセラミック構造体。
  16. 前記接合材は、前記セラミック部材と前記基体との接合部分の終端から延出した第1の延出部を有する、請求項9~15のいずれか一つに記載のセラミック構造体。
  17. 前記接合材は、前記端子部と前記セラミック部材との接合部分の終端から延出した第2の延出部を有する、請求項9~16のいずれか一つに記載のセラミック構造体。
  18. 前記セラミック部材は、前記基体と同じ材質のセラミックからなる、請求項1~17のいずれか一つに記載のセラミック構造体。
  19. 前記内部導体を発熱させて物体を加熱する加熱装置に用いられる、請求項1~18のいずれか一つに記載のセラミック構造体。
  20. 請求項1~19のいずれか一つに記載のセラミック構造体と、
    前記端子部に電力を供給する電力供給部と、
    前記電力供給部を制御する制御部と、
    を有しているウェハ用システム。
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