JP7316830B2 - 誘導加熱調理器 - Google Patents

Description

本発明は、赤外線センサを備える誘導加熱調理器に関するものである。

従来、トッププレート上の調理容器の載置の有無または温度などの状態を検出するセンサを備える誘導加熱調理器が知られている。例えば、調理容器の温度を検出する方法として、接触式の温度センサであるサーミスタを用いたサーミスタ方式と、非接触式の温度センサである赤外線センサを用いた赤外線センサ方式と、が知られている。サーミスタ方式では、調理容器との間で熱伝達が生じるトッププレートにサーミスタを接触させ、トッププレートを介して調理容器の温度を検出する。赤外線センサ方式では、トッププレートの下方に配置した赤外線センサによって、トッププレート上に載置された調理容器から放射される赤外線放射エネルギーを検出し、検出した赤外線エネルギー量から調理容器の温度を算出する。

ここで、赤外線センサは、調理容器から放射される赤外線だけではなく、調理容器の加熱に伴い加熱されるトッププレートなどから放射される赤外線も検出してしまう。その結果、赤外線センサにより検出される温度は、測定対象物の温度に加え、赤外線センサの周囲の環境温度も含んだものとなってしまう。そこで、赤外線センサの出力をセンサ周囲の環境温度に応じて補正することで、測定対象物の温度を算出する方法が提案されている。

例えば、特許文献１には、赤外線センサに加え、赤外線センサが実装される基板上の雰囲気温度を検出する第１の温度センサと、該基板の裏面の雰囲気温度を検出する第２の温度センサとを備えることが提案されている。特許文献１では、第１の温度センサと第２の温度センサとの温度差から補正値を求め、該補正値を用いて赤外線センサの出力を補正することで、測定対象物の温度の検出精度を向上させている。

特開２０１５－３５３３３号公報

ここで、特許文献１のように、赤外線センサの周囲の環境温度を検出するための温度センサを基板の裏面に設けた場合、いくつかの問題がある。まず、基板の温度は、基板の熱容量で変わるため、基板の種類によって検出される温度にばらつきが生じる。また、赤外線センサの周囲には、加熱コイルなどを冷却する冷却風が流れているが、基板によって冷却風が遮られるため、基板の上下で冷却風のあたり方が異なり、冷却風による赤外線センサの検出温度への影響を正確に検出することができない。また、基板によって上方からの熱が断熱されるため、赤外線センサの出力に影響を与える環境温度を正確に検出できない。

さらに、基板を有しない場合であっても、赤外線センサの周囲の環境温度を検出するための温度センサを赤外線センサの下方に配置することで、熱源からの距離が遠くなり、赤外線センサに対する熱源からの影響を捉えにくくなる。その結果、赤外線センサの出力の補正精度が低下し、測定対象物温度の検出精度の向上を実現できなくなってしまう。

本発明は、上記のような課題を解決するためのものであり、赤外線センサの出力の補正精度を向上させ、測定対象物温度の検出精度の向上を実現することができる誘導加熱調理器を提供することを目的とする。

本発明に係る誘導加熱調理器は、調理容器が載置されるトッププレートと、調理容器を加熱する加熱コイルと、赤外線を検出する赤外線検出素子と、赤外線検出素子が収容されるセンサ筐体と、センサ筐体の上面に配置され、赤外線を赤外線検出素子に集光する集光部と、を有し、トッププレートの下方に配置される赤外線センサと、トッププレートと赤外線検出素子の配置面との間に配置される複数の環境温度センサと、複数の環境温度センサの温度差を用いて赤外線センサの出力を補正する制御部と、を備える。

本発明における誘導加熱調理器によれば、トッププレートと赤外線検出素子の配置面との間に配置される複数の環境温度センサの温度差を用いて赤外線センサの出力を補正することで、赤外線センサの出力の補正精度を向上させることができる。その結果、測定対象物温度の検出精度の向上を実現することができる。

実施の形態１における誘導加熱調理器の概略斜視図である。 実施の形態１における誘導加熱調理器の主要部の概略構成図である。 実施の形態１における誘導加熱調理器の加熱コイルとコイルベースの上面図である。 実施の形態１における赤外線センサユニットの概略構成図である。 従来技術における赤外線センサの上下方向における温度差の時間変化例を示すグラフである。 実施の形態１における加熱調理動作の流れを示すフローチャートである。 変形例１－１における赤外線センサユニットの概略構成図である。 変形例１－２における赤外線センサユニットの概略構成図である。 実施の形態２における赤外線センサユニットの概略構成図である。 変形例２－１における赤外線センサユニットの概略構成図である。 実施の形態３の赤外線センサユニットの概略構成図である。 実施の形態３の赤外線センサユニットの斜視図である。 変形例３－１における赤外線センサユニットの概略構成図である。 変形例３－２における赤外線センサユニットの概略構成図である。 変形例３－２における赤外線センサユニットの斜視図である。 変形例３－３における赤外線センサユニットの概略構成図である。 変形例３－３における赤外線センサユニットの斜視図である。 実施の形態４の赤外線センサユニットの概略構成図である。 変形例４－１における赤外線センサユニットの概略構成図である。 変形例４－２における赤外線センサユニットの概略構成図である。 実施の形態５の赤外線センサユニットの概略構成図である。 実施の形態５における加熱調理動作の流れを示すフローチャートである。 実施の形態６の赤外線センサユニットの概略構成図である。 実施の形態７の赤外線センサユニットの概略構成図である。 実施の形態８の赤外線センサユニットの概略構成図である。 実施の形態８における温度差補正値を求めるための関数の表を説明する図である。 実施の形態９における加熱調理動作の流れを示すフローチャートである。

以下、家庭用ＩＨ（Induction Heating）式誘導加熱調理器の場合の実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、以下の図面では各構成部材の大きさの関係が実際のものとは異なる場合がある。また、図１を含め、以下の図面において、同一の符号を付したものは、同一またはこれに相当するものであり、このことは明細書の全文において共通することとする。また、以下の説明において、図中におけるＸ方向を左右方向、Ｙ方向を上下方向、およびＺ方向を奥行方向と称し、Ｘ－Ｚ平面を水平と称するが、これらは説明のためのものであって、本発明を限定するものではない。

実施の形態１．
（誘導加熱調理器の構成）
図１は、実施の形態１における誘導加熱調理器１００の概略斜視図である。図１に示すように、誘導加熱調理器１００は、本体１と、本体１の上面に配置されたトッププレート２とを備えている。本体１の前面には、前面操作部３が設けられている。前面操作部３は、誘導加熱調理器１００の電源をＯＮ／ＯＦＦするための電源スイッチ、および火力を調節するための複数の操作ダイヤルなどを含む。

トッププレート２は、例えば、耐熱性のガラス板と、ガラス板の周囲に取り付けられた金属の枠体とにより構成される。トッププレート２の上面には、加熱領域である加熱口４が印刷等により設けられている。図１に示すように、本実施の形態では３つの加熱口４が設けられている。加熱口４は、鍋またはフライパンなどの調理容器が載置される領域を示すものである。加熱口４の下方の本体１の内部には、加熱源である加熱コイル５が設けられている。加熱口４は、加熱源である加熱コイル５の外形と同じ形状か、または、加熱コイル５の外形よりも若干大きい形状に形成される。本実施の形態では、加熱口４は上面視で円形状に形成されている。また、トッププレート２の加熱口４内には、透過窓４０が設けられている。透過窓４０は、赤外線センサ２１（図２）によって、トッププレート２を透過する調理容器３００（図２）の赤外線を検出するために設けられたものである。なお、加熱口４および加熱コイル５の数および形状は、図１に示す例に限定されるものではない。

トッププレート２の手前側には、操作表示部６が設けられている。本実施の形態の操作表示部６は、例えば複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）を有する表示画面と、静電容量式のタッチセンサとを備える。タッチセンサは、各加熱口４に対応した加熱コイル５の火力、温度、および調理モードなどの使用者の操作入力を、トッププレート２を介して受け付ける。表示画面は、前面操作部３またはタッチセンサにより設定された火力の大きさを表す火力表示、または誘導加熱調理器１００の設定状態および動作状態に関する情報などを表示する。ここで、誘導加熱調理器１００の動作状態に関する情報とは、選択された調理モード、自動調理の進行状況、加熱口４に載置された調理容器の温度および警告情報の表示等が含まれる。

図２は、実施の形態１における誘導加熱調理器１００の主要部の概略構成図である。図２は、トッププレート２に載置された調理容器３００とともに誘導加熱調理器１００の断面模式図と機能構成とを併せて示している。図２では、一つの加熱コイル５についてのみ図示しているが、他の加熱コイル５に関連する構造も図２と同様である。図２に示すように、誘導加熱調理器１００の本体１の内部であって、トッププレート２の下方には加熱コイル５と、赤外線センサユニット２０と、接触式温度センサ３０ａと、制御部１１と、インバータ１３とが設けられている。

加熱コイル５は、コイルベース５１に保持され、トッププレート２に設けられた加熱口４の下方に配置される。加熱コイル５は、例えば銅線またはアルミ線などの導線が巻回してなる円形のコイルであり、高周波電流が供給されることで高周波磁界を発生する。図２に示すように、加熱コイル５は、第１コイル５ａと第２コイル５ｂとに分割された、二重環状のコイルである。また、第１コイル５ａおよび第２コイル５ｂは、電気的に接続され、同一のインバータ１３によって駆動される。なお、加熱コイル５の形状および駆動回路の構成は、これに限定されるものではない。例えば、加熱コイル５の形状は楕円でもよい。また、コイルの構成は、三重環状以上の環状であってもよく、または、複数のコイルが組み合わされて構成されてもよい。また、分割されるコイルは、電気的に接続されていなくてもよく、複数のインバータ１３によってそれぞれ独立して駆動されてもよい。

赤外線センサユニット２０は、トッププレート２の透過窓４０の下方において、第１コイル５ａと第２コイル５ｂとの間に配置される。赤外線センサユニット２０は、赤外線センサ２１と、赤外線センサ２１の周囲の環境温度を検出する複数の環境温度センサを備える。本実施の形態の赤外線センサユニット２０は、第１環境温度センサ２２ａと第２環境温度センサ２２ｂの２つの環境温度センサを備える。赤外線センサユニット２０の詳細については、後ほど詳述する。

接触式温度センサ３０ａは、例えば熱電対またはサーミスタである。なお、図２には図示されていないが、本実施の形態では、３つの接触式温度センサ３０ａ、３０ｂ、３０ｃを備える（図３）。接触式温度センサ３０ａ、３０ｂおよび３０ｃは、例えば熱電対またはサーミスタである。接触式温度センサ３０ａ、３０ｂおよび３０ｃは、それぞれ図示しない保持部によって、トッププレート２の裏面、すなわち加熱コイル５と対向する面に接触するようにそれぞれ配置される。接触式温度センサ３０ａ、３０ｂおよび３０ｃは、トッププレート２の上に載置される調理容器３００の温度を、トッププレート２を介して検出する。

制御部１１は、専用のハードウェア、またはメモリに格納されるプログラムを実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）、プロセッサまたはマイクロコンピュータなどで構成される。制御部１１は、プログラムを実行することによって実現される機能部として、温度検出部１１１と、加熱制御部１１２と、を有する。制御部１１は、さらにＲＡＭ、ＲＯＭまたはフラッシュメモリなどの不揮発性または揮発性のメモリからなる記憶部１１３を有する。

温度検出部１１１は、赤外線センサ２１、第１環境温度センサ２２ａ、第２環境温度センサ２２ｂおよび接触式温度センサ３０ａ、３０ｂ、３０ｃの出力を受信し、受信した出力に基づいて調理容器３００の温度を求める。温度検出部１１１で求めた温度は、加熱制御部１１２へ送信される。

加熱制御部１１２は、前面操作部３または操作表示部６に入力された設定内容に基づいて、誘導加熱調理器１００の動作を制御する。また、加熱制御部１１２は、使用者によって設定された調理温度と、温度検出部１１１によって算出された調理容器３００の温度とに基づいてインバータ１３を制御し、加熱制御を行う。

記憶部１１３は、制御部１１により実行されるプログラム、および誘導加熱調理器１００の動作を制御するために用いられる様々なデータを記憶する。

インバータ１３は、商用電源４００の交流電源を高周波電流に変換して、加熱コイル５へ供給する駆動回路である。なお、誘導加熱調理器１００は、図２に示す以外の構成を含んでもよく、例えば、外部機器との通信を行う通信部などを備えてもよい。

図３は、実施の形態１における誘導加熱調理器１００の加熱コイル５とコイルベース５１の上面図である。コイルベース５１は、例えば耐熱性能の高いポリブチレンテレフタレート樹脂（ＰＢＴ）、またはポリフェニレンサルファイド樹脂（ＰＰＳ）等の合成樹脂、もしくは金属などで構成される。図３に示すように、コイルベース５１は、概ね円形で第１コイル５ａの巻き線の中央に嵌合する中央部５１ａと、中央部５１ａと同心上に設けられ第２コイル５ｂの外周を囲む外周部５１ｂとを有する。また、コイルベース５１は、中央部５１ａと外周部５１ｂとを径方向に繋ぐ複数の梁部５１ｃとを有する。本実施の形態では、８本の梁部５１ｃが放射状に設けられている。

梁部５１ｃの下方には、フェライトコア７が配置される。フェライトコア７は、非導電性で高透磁率を有する強磁性材料からなる部材である。フェライトコア７を設けることで、加熱コイル５の下方向への漏れ磁束が抑制され、加熱効率の向上および調理容器３００の均熱化を図ることができる。フェライトコア７の形状および構成は本発明を限定しない。

また、コイルベース５１は、２つの梁部５１ｃの間にセンサ配置部５１ｄを有する。センサ配置部５１ｄは、複数の梁部５１ｃのうち、隣り合う２つの梁部５１ｃを接続するよう水平に延びる平面である。梁部５１ｃとセンサ配置部５１ｄは、コイルベース５１に一体に形成される。なお、本明細書において「一体に形成される」とは、同一材料で射出成形等により一体成形されること、もしくは同一材料で接着または機械的接合を用いずにプレス加工等により成形されることをいう。センサ配置部５１ｄの下方には、赤外線センサユニット２０が配置される。センサ配置部５１ｄは、赤外線センサユニット２０に不要な光が入ることを防ぐ遮光部として機能する。また、センサ配置部５１ｄは、赤外線センサユニット２０が備える赤外線センサ２１の視野よりも大きい開口５５を有する。開口５５は、トッププレート２に形成される透過窓４０の下に位置するよう形成される。

図３に示すように、複数の接触式温度センサ３０ａ、３０ｂおよび３０ｃは、第１コイル５ａと第２コイル５ｂの間であって、２つの梁部５１ｃの間に配置される。接触式温度センサ３０ａは、センサ配置部５１ｄに隣り合う梁部５１ｃの近傍に配置される。すなわち、接触式温度センサ３０ａは、赤外線センサユニット２０の近傍に配置される。また、接触式温度センサ３０ｂおよび３０ｃは、径方向において、接触式温度センサ３０ａと加熱コイル５の中心との同心円上であって、周方向において、赤外線センサユニット２０が配置される領域とは異なる領域に配置される。

なお、接触式温度センサの数および配置は限定されるものではない。例えば、本実施の形態では、３個の接触式温度センサを備える構成としているが、接触式温度センサの数を２個以下または４個以上としてもよい。また、接触式温度センサ３０ａを、赤外線センサユニット２０が配置される領域、すなわちセンサ配置部５１ｄに配置してもよい。この場合、赤外線センサユニット２０と同一の環境下でトッププレート２の温度を検出することができ、調理容器３００の温度検知精度が向上する。また、接触式温度センサ３０ａ、３０ｂおよび３０ｃの何れかを、加熱コイル５が最も高温になる箇所の近傍に配置することで、より精度よく過昇防止制御が可能になる。また、接触式温度センサ３０ａ、３０ｂおよび３０ｃの何れかを加熱コイル５の外周に配置することで、より精度よく鍋ずれの検知が可能になる。

（赤外線センサユニットの構成）
続いて、本実施の形態における赤外線センサユニット２０について説明する。図４は、実施の形態１における赤外線センサユニット２０の概略構成図である。図４では、赤外線センサユニット２０を縦に切断した断面を模式的に示している。赤外線センサユニット２０は、赤外線センサ２１と、第１環境温度センサ２２ａと、第２環境温度センサ２２ｂと、センサケース２３とを備える。

赤外線センサ２１は、赤外線検出素子２０１と、赤外線検出素子２０１を収容するセンサ筐体２０２と、センサ筐体２０２の上面に設けられ、赤外線を赤外線検出素子２０１に集光する集光部２０３と、赤外線検出素子２０１が実装される基板２０４とを有する。また、赤外線センサ２１は、基板２０４に接続されるコネクタ２０５と、コネクタ２０５と制御部１１を接続する配線２０６と、を備える。

図４に示すように、赤外線検出素子２０１は、加熱コイル５上に載置された調理容器３００の底部などから放射される赤外線エネルギーを検出するフォトダイオードまたはサーモパイルである。赤外線検出素子２０１は、基板２０４上に配置される。赤外線検出素子２０１の出力は、図示しない配線によって、コネクタ２０５に送信され、配線２０６を介して、制御部１１の温度検出部１１１に送信される。

赤外線センサ２１は、周囲の雰囲気温度が一様となるように、センサケース２３内において空間距離を保ちながら保持されている。センサケース２３は、樹脂または金属により構成され、基板２０４が配置される下ケース２３ａと、赤外線を透過するための開口を有する上ケース２３ｂとからなる。センサケース２３は、コイルベース５１のセンサ配置部５１ｄにタッピングネジなどの固定手段で固定され、トッププレート２と赤外線センサ２１との間の距離が一定に保たれる。

第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂは、例えば、熱電対、サーミスタまたは温度に応じて抵抗が変化する銅または銀などの導電材料で形成された薄膜、などで構成される。第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂは、トッププレート２と赤外線センサ２１の赤外線検出素子２０１が配置される配置面との間に配置される。赤外線検出素子２０１が配置される配置面は、基板２０４の上面である。

図４に示すように、第１環境温度センサ２２ａは、赤外線検出素子２０１の配置面と同一の平面上、すなわち基板２０４上に配置される。また、第２環境温度センサ２２ｂは、第１環境温度センサ２２ａの上方であって、センサ筐体２０２の上部に配置される。すなわち、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂは、トッププレート２の下面から赤外線検出素子２０１の配置面までの間で、トッププレート２から異なる距離に配置される。これにより、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂは、トッププレート２から異なる距離における複数の環境温度を検出することができる。また、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂは、センサ筐体２０２の外側の側面に接触して配置される。具体的には、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂは、例えば接着剤などによりセンサ筐体２０２の外側の側面に直接取り付けられる。

第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂの出力は、図示しない配線を介して制御部１１の温度検出部１１１に送信される。なお、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂは、配線を含むプリント基板に実装されてもよい。

誘導加熱調理器１００において加熱が開始されると、加熱コイル５の発熱により発生した熱、または調理容器３００が加熱されることよって発生した熱が、加熱コイル５の下方に配置された赤外線センサ２１に伝わることで、センサケース２３の内部が加熱される。このとき、赤外線検出素子２０１は、トッププレート２の透過窓４０を介して、調理容器３００、トッププレート２、集光部２０３、およびセンサ筐体２０２が発する赤外線を受光する。そのため、調理容器３００の温度を検知するためには、赤外線検出素子２０１が検出した赤外線量から、トッププレート２、集光部２０３、およびセンサ筐体２０２が発する赤外線を差し引く必要がある。

一般的な赤外線センサにおいては、センサ筐体の内部に自己温度を環境温度として検出する自己温度センサを備え、自己温度で検出された温度にて赤外線検出素子の出力が補正され、赤外線センサの出力とされる。しかしながら、自己温度センサは、センサ筐体内部において、赤外線検出素子と同一基板上に配置される。そのため、赤外線センサが、加熱コイル５またはトッププレート２に近接して配置されていた場合には、赤外線センサの上方のみが加熱されることで、赤外線センサの上下方向に温度差が生じる。また、赤外線センサが制御部の回路基板に配置される発熱素子（例えば、ＩＧＢＴ）に近接して配置されていた場合、赤外線センサの一方向の側面のみが加熱される。または、発熱素子を冷却するための冷却風が赤外線センサの一部にあたる構成であった場合は、赤外線センサの一部のみが冷却される。これらの場合は、赤外線センサの左右方向に温度差が生じる。このように、赤外線センサの上下方向または左右方向に温度差が生じる場合、自己温度センサだけでは補正しきれない状態が発生する。

図５は、従来技術における赤外線センサの上下方向における温度差の時間変化例を示すものである。図５は、赤外線センサの上部と下部との温度差Ｔｇａｐと、従来技術における赤外線センサの出力Ｔｐと、測定対象物の温度Ｔｃとを示す。温度差Ｔｇａｐは、従来の赤外線センサのセンサ筐体の上下に配置された環境温度センサにより検出される温度の差である。

図５に示すように、加熱調理器の加熱が開始される前は、赤外線センサの上下方向の温度差Ｔｇａｐは略０である。加熱が開始されるとセンサ筐体の上部のみが加熱され、赤外線センサの出力Ｔｐが増加する一方、温度差Ｔｇａｐが上限値Ｔａｈを超えて拡大する。自己温度センサでは、赤外線センサ上部の温度変動に追従できないため、上部の温度変化を自己温度センサにて補正しきれず、赤外線センサの出力Ｔｐが測定対象物の温度Ｔｃよりも高くなる。その後、時間経過とともに、温度が均一化され、温度差Ｔｇａｐが縮小すると、赤外線センサの出力Ｔｐも安定する。しかしながら、次に加熱調理器の火力が高火力に変更されると、再度温度差Ｔｇａｐが拡大し、赤外線センサの出力Ｔｐが測定対象物の温度Ｔｃよりも高くなる。このように、赤外線センサの上下に温度差があることで、自己温度センサのみでの補正では、安定した出力を得られない。

そこで、本実施の形態では、赤外線センサ２１の上部と下部とに第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂを備え、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂの温度差を用いて赤外線センサ２１の出力を補正する。これにより、自己温度センサで補正しきれない赤外線センサ２１の周囲環境についても補正することができ、より精度よく調理容器３００の温度を求めることができる。

（赤外線センサの出力補正）
次に、本実施の形態の制御部１１による赤外線センサ２１の出力補正および加熱制御について説明する。図６は、実施の形態１における加熱調理動作の流れを示すフローチャートである。まず、使用者により前面操作部３の電源スイッチが投入されると、制御部１１が起動され、各種データの初期化が行われ（Ｓ１０１）、使用者による加熱開始の指示待ちの状態となる（Ｓ１０２）。そして、使用者によって、操作表示部６などを用いて調理温度が設定され、加熱開始が指示されると（Ｓ１０２：ＹＥＳ）、加熱制御部１１２によって、加熱コイル５が駆動される（Ｓ１０３）。詳しくは、使用者によって設定された温度に基づいて加熱コイル５を駆動するように、加熱制御部１１２によってインバータ１３が制御され、インバータ１３から加熱コイル５に所定の周波数の電力が供給される。

これにより、加熱コイル５から磁束が発生し、この磁束によって調理容器３００に渦電流が発生して調理容器３００が加熱される。そして、調理容器３００から放射される赤外線が赤外線センサ２１によって受光され、受光量に応じた出力値Ｔｉｒａが検出され、温度検出部１１１に出力される（Ｓ１０４）。

（環境温度補正）
続いて、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂにより検出された温度を用いて、赤外線センサ２１の出力値Ｔｉｒａの環境温度補正を行う。まず、第１環境温度センサ２２ａにより、赤外線センサ２１の下部温度Ｔａｍｂ＿ｂが検出され（Ｓ１０５）、第２環境温度センサ２２ｂにより、赤外線センサ２１の上部温度Ｔａｍｂ＿ｔが検出される（Ｓ１０６）。検出された下部温度Ｔａｍｂ＿ｂおよび上部温度Ｔａｍｂ＿ｔは、温度検出部１１１に送信される。そして、温度検出部１１１によって、センサ筐体２０２の上下方向の温度差Ｔｇａｐが算出される（Ｓ１０７）。温度差Ｔｇａｐは、例えば、下記の式（１）で示すように、赤外線センサ２１の下部温度Ｔａｍｂ＿ｂと上部温度Ｔａｍｂ＿ｔとの差分の絶対値である。
Ｔｇａｐ＝｜Ｔａｍｂ＿ｔ―Ｔａｍｂ＿ｂ｜・・・（１）

次に、予め導出された温度差Ｔｇａｐの関数（ｆ０）から、温度差補正値Ｔａｍｂ＿ｏｆｆｓｅｔが算出される（Ｓ１０８）。関数（ｆ０）は、実際の測定対象物（調理容器３００）の温度と、赤外線センサ２１の出力と、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂの温度差と、から導出される二次関数である。関数（ｆ０）は、実験またはシミュレーションにより求められ、制御部１１の記憶部１１３に記憶される。なお、記憶部１１３に複数の関数（ｆｎ）を記憶し、温度差Ｔｇａｐに応じて、何れかの関数（ｆｎ）を選択する構成としてもよい。

次に、下部温度Ｔａｍｂ＿ｂが算出された温度差補正値Ｔａｍｂ＿ｏｆｆｓｅｔで補正され、環境温度Ｔａｍｂが算出される（Ｓ１０９）。ここでは、下記の式（２）で示すように、赤外線センサ２１の下部温度Ｔａｍｂ＿ｂに温度差補正値Ｔａｍｂ＿ｏｆｆｓｅｔを加算することで、環境温度Ｔａｍｂが求められる。
Ｔａｍｂ＝Ｔａｍｂ＿ｔ＋Ｔａｍｂ＿ｏｆｆｓｅｔ・・・（２）

なお、環境温度Ｔａｍｂを、下部温度Ｔａｍｂ＿ｂと温度差Ｔｇａｐの関数から求めてもよい。この場合は、ステップＳ１０８とＳ１０９とが統合されることになる。

次に、赤外線センサ２１の出力値Ｔｉｒａを環境温度Ｔａｍｂで補正することで、環境温度補正後の赤外線センサ２１の出力値Ｔｉｒが算出される（Ｓ１１０）。この場合は、例えば下記の式（３）で示すように、赤外線センサ２１の出力値Ｔｉｒａから環境温度Ｔａｍｂを減算することで、補正後の出力値Ｔｉｒが求められる。
Ｔｉｒ＝Ｔｉｒａ－Ｔａｍｂ・・・（３）

なお、補正後の出力値Ｔｉｒは、上記式（３）により求められるものに限定されるものではなく、予め導出された関数（ｆ１）に基づいて求められてもよい。

（トッププレート温度補正）
続いて、接触式温度センサ３０ａ、３０ｂおよび３０ｃにより検出された温度を用いて、赤外線センサ２１の補正後の出力値Ｔｉｒのトッププレート温度補正を行う。調理容器３００が加熱されることによって発生した熱量は、トッププレート２に熱伝導し、トッププレート２を加熱する。そして、トッププレート２の下方に配置された接触式温度センサ３０ａ、３０ｂおよび３０ｃによって、トッププレート温度Ｔｐａ、Ｔｐｂ、Ｔｐｃがそれぞれ検出され、温度検出部１１１に出力される（Ｓ１１１）。

温度検出部１１１により、接触式温度センサ３０ａ、３０ｂおよび３０ｃによって検出されたトッププレート温度Ｔｐａ、ＴｐｂおよびＴｐｃから、最も高い温度がＴｐｍａｘとして抽出される。そして、補正後の出力値ＴｉｒがＴｐｍａｘで補正され、調理容器３００の最高温度Ｔｃｍａｘが算出される。また、温度検出部１１１により、補正後の出力値Ｔｉｒが、接触式温度センサ３０ａが検出したトッププレート温度Ｔｐａで補正され、調理容器３００の調理制御用温度Ｔｃｏｏｋが算出される（Ｓ１１２）。接触式温度センサ３０ａは、赤外線センサ２１の近傍に配置されるものである。補正後の出力値Ｔｉｒの補正は、例えば、出力値Ｔｉｒに対応する温度からＴｐｍａｘまたはＴｐａを減算することで行われる。これにより、赤外線センサ２１の出力値Ｔｉｒａから、周囲の環境温度およびトッププレート２の温度の影響が差し引かれ、調理容器３００の温度が精度よく検出される。

（加熱制御）
次に、算出された調理容器３００の最高温度Ｔｃｍａｘと、２段階の制限値である第１制限値Ｔｌｉｍ１および第２制限値Ｔｌｉｍ２とが比較される。第１制限値Ｔｌｉｍ１は、第２制限値Ｔｌｉｍ２よりも小さな値である。第１制限値Ｔｌｉｍ１および第２制限値Ｔｌｉｍ２は、調理モードなどに応じ予め設定されるか、または使用者によって任意に設定されてもよい。そして、最高温度Ｔｃｍａｘが第２制限値Ｔｌｉｍ２よりも大きい場合（Ｓ１１３：ＹＥＳ）は、調理容器３００の温度が高くなりすぎたと判断され、加熱制御部１１２によって加熱コイル５の駆動が停止される（Ｓ１１８）。また、このとき、操作表示部６または図示しない報知部から、加熱を停止した旨を視覚または音声によって使用者に報知してもよい。

一方、最高温度Ｔｃｍａｘが第２制限値Ｔｌｉｍ２以下の場合（Ｓ１１３：ＮＯ）であって、最高温度Ｔｃｍａｘが第１制限値Ｔｌｉｍ１より大きい場合（Ｓ１１４：ＹＥＳ）は、調理容器３００の温度が高温に近づいていると判断される。そのため、この場合は、加熱コイル５への供給電力が低減される（Ｓ１１５）。また、このとき、操作表示部６または図示しない報知部から、加熱を低減した旨を視覚または音声によって使用者に報知してもよい。

一方、最高温度Ｔｃｍａｘが第１制限値Ｔｌｉｍ１以下の場合（Ｓ１１４：ＮＯ）は、調理容器３００の温度が適切と判断される。そして、温度検出部１１１により算出された調理制御用温度Ｔｃｏｏｋと設定された温度とに基づいて、調理用の温度制御が行われる（Ｓ１１６）。

調理用の温度制御においては、設定温度になるようにフィードバック制御が行われる（Ｓ１１６）。詳しくは、加熱制御部１１２によって、調理制御用温度Ｔｃｏｏｋと設定温度とが比較される。そして、調理制御用温度Ｔｃｏｏｋが設定温度より低い場合、加熱コイル５へ電力が供給される。そして、調理制御用温度Ｔｃｏｏｋが設定温度に近づいた場合には、供給電力の周波数を上げて加熱コイル５への供給電力を低減する。また、調理制御用温度Ｔｃｏｏｋが設定温度を超えた場合、加熱制御部１１２によって、インバータ１３が停止され、加熱コイル５への電力供給が停止される。以上の動作を加熱調理終了まで繰り返すことで、調理制御用温度Ｔｃｏｏｋを設定温度に維持する。

そして、加熱調理が終了した場合（Ｓ１１７：ＹＥＳ）、加熱制御部１１２によってインバータ１３が停止され、加熱コイル５への電力供給が遮断される（Ｓ１１８）。

以上のように、本実施の形態では、第１環境温度センサ２２ａと第２環境温度センサ２２ｂにより、赤外線センサ２１の上部および下部の環境温度を検出する。そして、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂにより検出される温度の差分を用いて環境温度を算出し、当該環境温度を用いて赤外線センサ２１の出力を補正する。これにより、調理容器３００、加熱コイル５または回路基板などの発熱量が急激に変化し、赤外線センサ２１の上下に温度差が生じた場合でも、赤外線センサ２１の出力を精度よく補正できる。その結果、調理容器３００の温度を高精度に検出することが可能になる。

また、誘導加熱調理器１００の火力が変更されることにより、急激な冷却風量または風温度の変動が生じることがある。もしくは本体１の薄型化のために、冷却風路途中の部品点数が増加した場合、部品それぞれの取り付け形態の変化または取り付けばらつきが生じることがある。本実施の形態では、これらの要因により、赤外線センサ２１周辺の風量、風速または風向きが変化した場合でも、赤外線センサ２１の周囲の環境温度の差分を用いることで赤外線センサ２１の出力を精度よく補正することができる。

また、調理容器３００の急激な温度変化を精度よく検出できることで、細かな温度管理が可能になり、調理の仕上がりが向上する。また、調理容器３００の温度を精度よく検出できることで、余分な調理時間および火力投入を削減でき、消費電力の削減を実現できる。

なお、実施の形態１における赤外線センサユニット２０は、上記構成に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂの位置は、上記に限定されるものではなく、任意に変更できる。本実施の形態における変形例について以下に説明する。

（変形例１－１）
実施の形態１の変形例１－１における赤外線センサユニット２０Ａについて説明する。図７は、変形例１－１における赤外線センサユニット２０Ａの概略構成図である。図７では、赤外線センサユニット２０Ａを縦に切断した断面を模式的に示している。図７に示すように、赤外線センサ２１の上部温度を検出する第２環境温度センサ２２ｂを、センサ筐体２０２の上面に接触して配置してもよい。本変形例のような構成とすることで第２環境温度センサ２２ｂにより、集光部２０３と同等の輻射熱影響を受けているセンサ筐体２０２の上面温度を検出することができる。これにより、赤外線センサ２１の出力をより精度よく補正することができる。

（変形例１－２）
実施の形態１の変形例１－２における赤外線センサユニット２０Ｂについて説明する。図８は、変形例１－２における赤外線センサユニット２０Ｂの概略構成図である。図８では、赤外線センサユニット２０Ｂを縦に切断した断面を模式的に示している。図８に示すように、第１環境温度センサ２２ａと第２環境温度センサ２２ｂとを、センサ筐体２０２の内部に設けてもよい。第１環境温度センサ２２ａは、赤外線検出素子２０１の配置面と同一の平面上、すなわち基板２０４上において、センサ筐体２０２の側面の内側に接触して配置される。また、第２環境温度センサ２２ｂは、センサ筐体２０２の上面の内側に接触して配置される。この場合、第２環境温度センサ２２ｂは、赤外線センサ２１の集光部２０３と同一平面上に配置される。なお、本明細書において「同一平面上に配置」と称する場合は、厳密に同一の平面上に配置される場合だけでなく、上下方向において同等の位置に配置されることも含むものとする。

本変形例のような構成とすることで、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂにより、センサ筐体２０２の内部の上下方向の温度差が検出できる。これにより、赤外線検出素子２０１と同等の環境下での温度を検出可能となり、環境温度の検出精度が向上する。また、この場合は、温度検出部１１１における環境温度補正（図６のステップＳ１０５～Ｓ１１０）を赤外線センサ２１の内部回路で処理してもよい。これにより、誘導加熱調理器１００の小型化を実現できる。

実施の形態２．
次に、本発明の実施の形態２について説明する。実施の形態２では、赤外線センサ２１の自己温度センサ２０７を第１環境温度センサ２２ａとして用いる点において、実施の形態１と相違する。誘導加熱調理器１００のその他の構成および制御については、実施の形態１と同様である。

図９は、実施の形態２における赤外線センサユニット２０Ｃの概略構成図である。図９では、赤外線センサユニット２０Ｃを縦に切断した断面を模式的に示している。図９に示すように、本実施の形態の赤外線センサ２１は、赤外線検出素子２０１の周囲の環境温度を検出する自己温度センサ２０７を有する。自己温度センサ２０７は、例えば、熱電対、サーミスタまたは温度に応じて抵抗が変化する導電材料(銅、銀、等)で形成された薄膜、などで構成される。自己温度センサ２０７は、赤外線検出素子２０１の近傍において、基板２０４上に配置される。自己温度センサ２０７の出力は、図示しない配線によって、コネクタ２０５に送信され、配線２０６を介して、制御部１１の温度検出部１１１に送信される。また、赤外線センサ２１が自己温度センサ２０７を有する場合、赤外線センサ２１の出力値Ｔｉｒａは、赤外線検出素子２０１の出力を自己温度センサ２０７により検出される温度によって補正した後の出力値となる。

本実施の形態では、自己温度センサ２０７を第１環境温度センサ２２ａとして用いる。すなわち、温度検出部１１１は、自己温度センサ２０７により検出される温度を下部温度Ｔａｍｂ＿ｂとする。そして、温度検出部１１１は、下部温度Ｔａｍｂ＿ｂと第２環境温度センサ２２ｂにより検出される上部温度Ｔａｍｂ＿ｔとの差分を温度差Ｔｇａｐとして、図６のステップＳ１０８～Ｓ１１０の処理を実行し、赤外線センサ２１の出力値Ｔｉｒａを補正する。

本実施の形態のような構成とすることで、実施の形態１と同様の効果を実現できるとともに、第１環境温度センサ２２ａを省略することができる。これにより、部材費用および組み立て工数を削減することができる。なお、第２環境温度センサ２２ｂの位置は、上記に限定されるものではなく、任意に変更できる。本実施の形態における変形例について以下に説明する。

（変形例２－１）
実施の形態２の変形例２－１における赤外線センサユニット２０Ｄについて説明する。図１０は、変形例２－１における赤外線センサユニット２０Ｄの概略構成図である。図１０では、赤外線センサユニット２０Ｄを縦に切断した断面を模式的に示している。図１０に示すように、赤外線センサ２１の上部温度を検出する第２環境温度センサ２２ｂを、センサ筐体２０２の内側であって、センサ筐体２０２の上面に接触して配置してもよい。本変形例のような構成とすることで第２環境温度センサ２２ｂにより、集光部２０３と同等の輻射熱影響を受けているセンサ筐体２０２の上面温度を検出することができる。これにより、赤外線センサ２１の出力をより精度よく補正することができる。

実施の形態３．
次に、本発明の実施の形態３について説明する。実施の形態３では、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂの少なくとも何れか一方を保持するセンサ保持部２４を備える点において、実施の形態１と相違する。誘導加熱調理器１００のその他の構成および制御については、実施の形態１と同様である。

図１１は、実施の形態３の赤外線センサユニット２０Ｅの概略構成図であり、図１２は、実施の形態３の赤外線センサユニット２０Ｅの斜視図である。図１１では、赤外線センサユニット２０Ｅを縦に切断した断面を模式的に示している。また、図１２では、センサケース２３の内部を説明するため、センサケース２３を取り外した状態を示している。図１１および図１２に示すように、本実施の形態では、赤外線センサ２１の下部温度を検出する第１環境温度センサ２２ａは、センサ筐体２０２の外側において、基板２０４上に配置される。また、赤外線センサ２１の上部温度を検出する第２環境温度センサ２２ｂは、基板２０４に配置されるセンサ保持部２４の上端部に配置される。また、第１環境温度センサ２２ａは、センサ筐体２０２の近傍に配置され、第２環境温度センサ２２ｂは、第１環境温度センサ２２ａの近傍に配置される。また第２環境温度センサ２２ｂは、センサ筐体２０２からの距離が、第１環境温度センサ２２ａとセンサ筐体２０２との距離と同等となるよう配置されることが望ましい。

センサ保持部２４は、耐熱性能の高いポリブチレンテレフタレート樹脂（ＰＢＴ）、またはポリフェニレンサルファイド樹脂（ＰＰＳ）等の樹脂または金属で構成される。センサ保持部２４は、センサ筐体２０２と接触しないように、センサ筐体２０２および第１環境温度センサ２２ａの近傍に配置される。センサ保持部２４は、赤外線検出素子２０１の配置面である基板２０４の上面から赤外線センサ２１の集光部２０３までの距離と同等の高さを有する棒状の部材である。第２環境温度センサ２２ｂは、赤外線センサ２１の集光部２０３と同一平面上に配置されるように、センサ保持部２４に接着剤などにより取り付けられる。なお、センサ保持部２４を中空構造とし、第２環境温度センサ２２ｂの配線をセンサ保持部２４の内部に通してもよい。

また、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂは、上面視でセンサケース２３の開口内に配置されることが望ましい。センサケース２３の開口内に配置されることで、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂと、赤外線センサ２１とが受ける上部からの輻射熱の影響をほぼ同等とできる。なお、センサケース２３の開口が小さい場合などには、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂを、上面視でセンサケース２３の開口外側、すなわち上ケース２３ｂの上面の下方に配置してもよい。ただし、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂの両方を上面視でセンサケース２３の開口内に配置するか、または両方を上面視でセンサケース２３の開口外側に配置するものとする。すなわち、本実施の形態のように第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂが、センサ筐体２０２の周辺の雰囲気温度を検出する場合は、上部からの輻射熱の影響がほぼ同等となるよう、同一環境に配置する。

本実施の形態のような構成とすることで、実施の形態１と同様の効果を実現できる。また、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂをセンサ筐体２０２に直接取り付ける必要がない。これにより、赤外線センサユニット２０Ｅの製造性が向上するとともに、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂの取り付けによる赤外線センサ２１の出力への影響を低減し、赤外線センサ２１の破損を抑制できる。なお、センサ保持部２４は、上記に限定されるものではなく任意に変更できる。本実施の形態における変形例について以下に説明する。

（変形例３－１）
実施の形態３の変形例３－１における赤外線センサユニット２０Ｆについて説明する。図１３は、変形例３－１における赤外線センサユニット２０Ｆの概略構成図である。図１３では、赤外線センサユニット２０Ｆを縦に切断した断面を模式的に示している。本変形例では、センサ保持部２４をセンサ筐体２０２と同一の材料で構成する。そして、第１環境温度センサ２２ａは、赤外線検出素子２０１の配置面と同一平面において、センサ保持部２４の下部に取り付けられる。これにより、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂは、センサ保持部２４の上部と下部の温度を検出する。センサ保持部２４をセンサ筐体２０２と同一の材料で構成することで、センサ保持部２４の上部と下部の温度は、赤外線センサ２１の上部と下部の温度により近くなる。これにより、実施の形態３の効果を実現できるとともに、赤外線センサ２１の補正精度を向上させることができる。

（変形例３－２）
実施の形態３の変形例３－２における赤外線センサユニット２０Ｇについて説明する。図１４は、変形例３－２における赤外線センサユニット２０Ｇの概略構成図であり、図１５は、変形例３－２における赤外線センサユニット２０Ｇの斜視図である。図１４では、赤外線センサユニット２０Ｇを縦に切断した断面を模式的に示している。また、図１５では、センサケース２３の内部を説明するため、下ケース２３ａの一部以外を省略した状態を示している。図１４および図１５に示すように、本変形例のセンサ保持部２４は、センサケース２３と一体に形成される。

センサ保持部２４は、下ケース２３ａの底面から赤外線センサ２１の集光部２０３までの距離と同等の高さを有する。第２環境温度センサ２２ｂは、赤外線センサ２１の集光部２０３と同一平面に配置されるように、センサ保持部２４に接着剤などにより取り付けられる。本変形例のような構成とすることで、センサ保持部２４の取り付け誤差および取り付け工数を削減できるとともに、センサ保持部２４の耐久性を向上させることができる。

（変形例３－３）
実施の形態３の変形例３－３における赤外線センサユニット２０Ｈについて説明する。図１６は、変形例３－３における赤外線センサユニット２０Ｈの概略構成図であり、図１７は、変形例３－３における赤外線センサユニット２０Ｈの斜視図である。図１６では、赤外線センサユニット２０Ｈを縦に切断した断面を模式的に示している。また、図１７では、センサケース２３の内部を説明するため、下ケース２３ａの一部以外を省略した状態を示している。図１６および図１７に示すように、本変形例のセンサ保持部２４は、赤外線センサ２１を保持するための台座２４１を有する。

本変形例では、第１環境温度センサ２２ａは、赤外線検出素子２０１の配置面と同一平面上に配置されるように、センサ保持部２４に取り付けられる。第２環境温度センサ２２ｂは、センサ保持部２４の上端部に配置される。

基板２０４には、センサ筐体２０２近傍に開口２０４ａが設けられる。開口２０４ａは、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂが取り付けられたセンサ保持部２４を通すことができる大きさを有する。

センサ保持部２４は、基板２０４の開口２０４ａを貫通して配置される。センサ保持部２４には、基板２０４の開口２０４ａより大きい台座２４１を有し、台座２４１に基板２０４が載置されることで、赤外線センサ２１がセンサケース２３内で保持される。

本変形例により、センサ保持部２４をセンサ筐体２０２の近傍に配置でき、センサケース２３を小型化できる。また、センサ保持部２４が赤外線センサ２１の保持部を兼ねることで、赤外線センサ２１の位置決めが容易になり、組み立て誤差が低減される。

なお、変形例３－２および変形例３－３において、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂを、上面視でセンサケース２３の開口内に配置してもよい。この場合も、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂの両方を上面視でセンサケース２３の開口内に配置するか、または両方を上面視でセンサケース２３の開口外側に配置するものとする。

実施の形態４．
次に、本発明の実施の形態４について説明する。実施の形態４では、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂの少なくとも何れか一方をセンサケース２３０に配置する点において、実施の形態１と相違する。誘導加熱調理器１００のその他の構成および制御については、実施の形態１と同様である。

図１８は、実施の形態４の赤外線センサユニット２０Ｊの概略構成図である。図１８では、赤外線センサユニット２０Ｊを縦に切断した断面を模式的に示している。本実施の形態のセンサケース２３０は、基板２０４が配置される下ケース２３０ａと、赤外線を透過するための開口を有する上ケース２３０ｂとからなる。なお、本実施の形態では、コネクタ２０５および配線２０６は、奥行方向に配置されるものとし、図示を省略している。

図１８に示すように、赤外線センサ２１の下部温度を検出する第１環境温度センサ２２ａは、基板２０４の上方に配置されるように、下ケース２３０ａの内側側面に接着剤等により取り付けられる。また、赤外線センサ２１の上部温度を検出する第２環境温度センサ２２ｂは、赤外線センサ２１の集光部２０３と同一平面上に配置されるように、上ケース２３０ｂの内側側面に接着剤等により取り付けられる。

本実施の形態のような構成とすることで、実施の形態１と同様の効果を実現できる。また、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂをセンサ筐体２０２に直接取り付ける必要がないため、赤外線センサ２１への影響を低減することができる。さらに、実施の形態３のようにセンサ保持部２４を別途設ける必要がないため、赤外線センサユニット２０Ｊを簡素化できる。なお、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂの位置は、上記に限定されるものではなく、任意に変更できる。本実施の形態における変形例について以下に説明する。

（変形例４－１）
実施の形態４の変形例４－１における赤外線センサユニット２０Ｋについて説明する。図１９は、変形例４－１における赤外線センサユニット２０Ｋの概略構成図である。図１９では、赤外線センサユニット２０Ｋを縦に切断した断面を模式的に示している。図１９に示すように、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂをセンサ筐体２０２の近傍に配置してもよい。詳しくは、第１環境温度センサ２２ａを、センサ筐体２０２の近傍の基板２０４上に配置し、第２環境温度センサ２２ｂを上ケース２３０ｂの上面の内側であって、上ケース２３０ｂの開口近傍に配置してもよい。

本変形例のような構成とすることで、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂにてセンサ筐体２０２の近傍の温度を検出することができ、赤外線センサ２１の出力の補正精度が向上する。

（変形例４－２）
実施の形態４の変形例４－２における赤外線センサユニット２０Ｌについて説明する。図２０は、変形例４－２における赤外線センサユニット２０Ｌの概略構成図である。図２０では、赤外線センサユニット２０Ｌを縦に切断した断面を模式的に示している。図２０に示すように、上ケース２３０ｂの上面の内側であって、上ケース２３０ｂの開口近傍に、下向きに突出するリブ２３１を設けてもよい。そして、第２環境温度センサ２２ｂをリブ２３１の下面に配置してもよい。このとき、基板２０４の上面からリブ２３１の下面までの距離は、基板２０４の上面から集光部２０３までの距離と同等とする。

本変形例のような構成とすることで、第２環境温度センサ２２ｂをセンサ筐体２０２の上面近傍に配置できる。これにより、赤外線センサ２１の上部温度の検出精度が向上し、赤外線センサ２１の出力の補正精度が向上する。

実施の形態５．
次に、本発明の実施の形態５について説明する。実施の形態５では、３つの環境温度センサを備える点において、実施の形態１と相違する。誘導加熱調理器１００のその他の構成および制御については、実施の形態１と同様である。

図２１は、実施の形態５の赤外線センサユニット２０Ｍの概略構成図である。図２１では、赤外線センサユニット２０Ｍを縦に切断した断面を模式的に示している。図２１に示すように、本実施の形態の赤外線センサ２１Ｍは、集光部２０３と赤外線検出素子２０１との間に特定の波長帯の赤外線の透過率を高めるバンドパスフィルタ２０８を備える。また、センサ筐体２０２の、バンドパスフィルタ２０８が配置される箇所には、段差部２１２が形成される。段差部２１２は、センサ筐体２０２の上面と高低差を有し、センサ筐体２０２の上面よりも外側において、センサ筐体２０２の上面と平行に延びる面である。本実施の形態では、段差部２１２はセンサケース２３の上面に形成される開口内に配置されるものとする。

本実施の形態の赤外線センサ２１Ｍでは、赤外線検出素子２０１は、バンドパスフィルタ２０８を透過する赤外線を検出する一方、赤外線検出素子２０１の上方に配置される段差部２１２の発する赤外線の影響を受けやすくなる。段差部２１２は、センサ筐体２０２の上面よりも外側に配置され、集光部２０３と同様に上部からの輻射熱を直接受けるため、温度上昇しやすい。そのため、本実施の形態では、段差部２１２と同一平面上に第３環境温度センサ２２ｃを配置し、段差部２１２における温度を検出する。

第３環境温度センサ２２ｃは、例えば、熱電対、サーミスタまたは温度に応じて抵抗が変化する導電材料(銅、銀、等)で形成された薄膜、などで構成される。第３環境温度センサ２２ｃの検出結果は、図示しない配線を介して、制御部１１の温度検出部１１１に出力される。

本実施の形態では、実施の形態３の変形例３－１と同じセンサ保持部２４に、第１環境温度センサ２２ａと、第２環境温度センサ２２ｂと、第３環境温度センサ２２ｃとが取り付けられる。第１環境温度センサ２２ａは、基板２０４上に配置され、赤外線センサ２１の下部温度を検出する。第２環境温度センサ２２ｂは、集光部２０３と同一平面上に配置され、赤外線センサ２１の上部温度を検出する。第３環境温度センサ２２ｃは、第１環境温度センサ２２ａと第２環境温度センサ２２ｂの間に配置され、赤外線センサ２１の段差部２１２の温度を検出する。

本実施の形態における赤外線センサ２１Ａの出力補正について説明する。図２２は、実施の形態５における加熱調理動作の流れを示すフローチャートである。ステップＳ１０１～Ｓ１０６までの処理は、実施の形態１と同じである。続くステップＳ２０１において、第３環境温度センサ２２ｃにより、センサ筐体２０２の段差部２１２の温度Ｔａｍｂ＿ｃが検出される（Ｓ２０１）。そして、上部温度Ｔａｍｂ＿ｔが、段差温度Ｔａｍｂ＿ｃ以上であるか否かが判断される（Ｓ２０２）。

上部温度Ｔａｍｂ＿ｔが、段差温度Ｔａｍｂ＿ｃ以上である場合（Ｓ２０２：ＹＥＳ）、温度差Ｔｇａｐは、実施の形態１と同様の式（１）から算出される（Ｓ２０３）。具体的には、温度差Ｔｇａｐは、下部温度Ｔａｍｂ＿ｂと上部温度Ｔａｍｂ＿ｔとの差分の絶対値とされる。

一方、上部温度Ｔａｍｂ＿ｔが、段差温度Ｔａｍｂ＿ｃより小さい場合（Ｓ２０２：ＮＯ）、下記の式（４）から温度差Ｔｇａｐが算出される（Ｓ２０４）。具体的には、温度差Ｔｇａｐは、下部温度Ｔａｍｂ＿ｂと段差温度Ｔａｍｂ＿ｃとの差分の絶対値である。その後は、実施の形態１と同じステップＳ１０８以降の処理が実行され、赤外線センサ２１Ａの出力値Ｔｉｒａが補正される。
Ｔｇａｐ＝｜Ｔａｍｂ＿ｃ―Ｔａｍｂ＿ｂ｜・・・（４）

本実施の形態のような構成とすることで、実施の形態１と同様の効果を実現できる。また、段差部２１２の温度を用いて赤外線センサ２１の出力値を補正することで、赤外線センサ２１の出力の補正精度をより向上させることができる。

実施の形態６．
次に、本発明の実施の形態６について説明する。実施の形態６では、４つの環境温度センサを備える点において、実施の形態１と相違する。誘導加熱調理器１００のその他の構成および制御については、実施の形態１と同様である。

図２３は、実施の形態６の赤外線センサユニット２０Ｎの概略構成図である。図２３では、赤外線センサユニット２０Ｎを縦に切断した断面を模式的に示している。図２３に示すように、本実施の形態の赤外線センサユニット２０Ｎは、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂに加え、第４環境温度センサ２２ｄおよび第５環境温度センサ２２ｅを備える。第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂの構成および配置は、実施の形態１と同じである。

第４環境温度センサ２２ｄおよび第５環境温度センサ２２ｅは、例えば、熱電対、サーミスタまたは温度に応じて抵抗が変化する導電材料(銅、銀、等)で形成された薄膜、などで構成される。第４環境温度センサ２２ｄは、第１環境温度センサ２２ａと同一平面上に配置される。具体的には、第４環境温度センサ２２ｄは、赤外線検出素子２０１の設置面と同一の平面上、すなわち基板２０４上に配置される。また、第５環境温度センサ２２ｅは、第２環境温度センサ２２ｂと同一平面上に配置される。具体的には、第５環境温度センサ２２ｅは、第４環境温度センサ２２ｄの上方であって、センサ筐体２０２の上部に配置される。また、第４環境温度センサ２２ｄおよび第５環境温度センサ２２ｅは、センサ筐体２０２の外側の側面に接触して配置される。具体的には、第４環境温度センサ２２ｄおよび第５環境温度センサ２２ｅは、例えば接着剤などによりセンサ筐体２０２の外側の側面に直接取り付けられる。第４環境温度センサ２２ｄおよび第５環境温度センサ２２ｅの検出結果は、図示しない配線を介して、制御部１１の温度検出部１１１に送信される。

また、第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂの配置は、図２３において矢印で示す方向に冷却風が吹く場合、赤外線センサ２１に対し、冷却風の風上側に配置される。第４環境温度センサ２２ｄおよび第５環境温度センサ２２ｅは、図２３において矢印で示す方向に冷却風が吹く場合、赤外線センサ２１に対し、冷却風の風下側に配置される。

図２３に示すように、一方向から冷却風が赤外線センサ２１に吹きつけた場合、センサケース２３の内部では、風上側のセンサ筐体２０２の温度が低く、風下側のセンサ筐体２０２温度が高くなる。そのため、風上側と風下側に環境温度センサを設けることで、冷却風による温度分布についても補正することができる。

本実施の形態の温度検出部１１１は、第１環境温度センサ２２ａにより検出される温度と、第４環境温度センサ２２ｄにより検出される温度との平均を下部温度Ｔａｍｂ＿ｂとする。また、温度検出部１１１は、第２環境温度センサ２２ｂにより検出される温度と第５環境温度センサ２２ｅにより検出される温度との平均を上部温度Ｔａｍｂ＿ｔとする。そして、温度検出部１１１は、下部温度Ｔａｍｂ＿ｂおよび上部温度Ｔａｍｂ＿ｔとの差分を用いて赤外線センサ２１の出力値Ｔｉｒａを補正する。

本実施の形態のような構成とすることで、実施の形態１と同様の効果を実現できるとともに、赤外線センサ２１の左右方向の温度が一様でない場合でも、赤外線センサ２１の出力を精度よく補正できる。

実施の形態７．
次に、本発明の実施の形態７について説明する。実施の形態７では、６つの環境温度センサを備える点において、実施の形態１と相違する。誘導加熱調理器１００のその他の構成および制御については、実施の形態１と同様である。

図２４は、実施の形態７の赤外線センサユニット２０Ｐの概略構成図である。図２４では、赤外線センサユニット２０Ｐを縦に切断した断面を模式的に示している。図２４に示すように、本実施の形態の赤外線センサユニット２０Ｐのセンサケース２３０の側面には、冷却風を通過させるための開口２３２が形成される。センサケース２３０に開口２３２を設けることで、センサケース２３０内の温度の均一化を図ることができる。

また、赤外線センサユニット２０Ｐは、第１環境温度センサ２２ａと、第２環境温度センサ２２ｂと、第３環境温度センサ２２ｃと、第４環境温度センサ２２ｄと、第５環境温度センサ２２ｅと、第６環境温度センサ２２ｆとを備える。第１環境温度センサ２２ａと、第２環境温度センサ２２ｂと、第４環境温度センサ２２ｄと、第５環境温度センサ２２ｅとの構成および配置は、実施の形態７と同じである。

第３環境温度センサ２２ｃの構成は、実施の形態６と同じである。第６環境温度センサ２２ｆは、例えば、熱電対、サーミスタまたは温度に応じて抵抗が変化する導電材料(銅、銀、等)で形成された薄膜、などで構成される。第６環境温度センサ２２ｆの出力値は、図示しない配線を介して、制御部１１の温度検出部１１１に送信される。第３環境温度センサ２２ｃは、第１環境温度センサ２２ａと第２環境温度センサ２２ｂとの間であって、センサケース２３０の開口２３２に対向する位置に配置される。第６環境温度センサ２２ｆは、第３環境温度センサ２２ｃと同一平面上に配置される。詳しくは、第６環境温度センサ２２ｆは、第４環境温度センサ２２ｄと第５環境温度センサ２２ｅとの間であって、センサケース２３０の開口２３２に対向する位置に配置される。

本実施の形態の温度検出部１１１は、第１環境温度センサ２２ａにより検出される温度と第４環境温度センサ２２ｄにより検出される温度の平均を下部温度Ｔａｍｂ＿ｂとする。また、温度検出部１１１は、第２環境温度センサ２２ｂにより検出される温度と第５環境温度センサ２２ｅにより検出される温度との平均を上部温度Ｔａｍｂ＿ｔとする。また、温度検出部１１１は、第３環境温度センサ２２ｃにより検出される温度と第６環境温度センサ２２ｆにより検出される温度との平均を開口温度Ｔａｍｂ＿ｃとする。そして、温度検出部１１１は、上部温度Ｔａｍｂ＿ｔと開口温度Ｔａｍｂ＿ｃとの平均を最終的な上部温度Ｔａｍｂ＿ｔとして、下部温度Ｔａｍｂ＿ｂとの差分を温度差Ｔｇａｐとする。

本実施の形態のような構成とすることで、実施の形態１と同様の効果を実現できるとともに、赤外線センサ２１の左右方向および上下方向の温度が一様でない場合でも、赤外線センサ２１の出力を精度よく補正できる。

実施の形態８．
次に、本発明の実施の形態８について説明する。実施の形態８では、第１環境温度センサ２２ａと、第２環境温度センサ２２ｂに加え、自己温度センサ２０７を備える点において、実施の形態１と相違する。誘導加熱調理器１００のその他の構成および制御については、実施の形態１と同様である。

図２５は、実施の形態８の赤外線センサユニット２０Ｑの概略構成図である。図２５では、赤外線センサユニット２０Ｑを縦に切断した断面を模式的に示している。図２５に示すように、本実施の形態の赤外線センサユニット２０Ｑは、第１環境温度センサ２２ａと、第２環境温度センサ２２ｂに加え、自己温度センサ２０７を備える。第１環境温度センサ２２ａおよび第２環境温度センサ２２ｂの構成および配置は、実施の形態１と同じである。自己温度センサ２０７の構成および配置は、実施の形態２と同じである。

この場合、第１環境温度センサ２２ａにより検出される温度と自己温度センサ２０７により検出される温度との差分は、左右方向の温度差を示す。また、第２環境温度センサ２２ｂにより検出される温度と自己温度センサ２０７により検出される温度との差分は、上下方向の温度差を示す。温度検出部１１１は、左右方向の温度差および上下方向の温度差から、温度差補正値Ｔａｍｂ＿ｏｆｆｓｅｔを求めるための関数（ｆｎ）を選択する。

図２６は、実施の形態８における温度差補正値を求めるための関数の表を説明する図である。図２６に示すように、左右方向の温度差と上下方向の温度差とをそれぞれ軸とした複数の関数（ｆｎ）がマッピングされ、記憶部１１３に記憶される。関数（ｆｎ）は、実験またはシミュレーションにより予め導出される。温度検出部１１１は、第１環境温度センサ２２ａ、第２環境温度センサ２２ｂおよび自己温度センサ２０７により検出された温度から、左右方向の温度差および上下方向の温度差を求め、図２６の表から関数（ｆｎ）を選択する。

本実施の形態のような構成とすることで、実施の形態１と同様の効果を実現できる。また、赤外線センサ２１が備える自己温度センサ２０７を基準に、赤外線センサ２１の左右方向および上下方向の温度分布を踏まえて赤外線センサ２１の出力値を補正できるため、補正精度がさらに向上する。

実施の形態９．
次に、本発明の実施の形態９について説明する。実施の形態９では、制御部１１により実施される環境温度補正の方法が実施の形態１と相違する。誘導加熱調理器１００のその他の構成および制御については、実施の形態１と同様である。

図２７は、実施の形態９における加熱調理動作の流れを示すフローチャートである。ステップＳ１０１～Ｓ１０６までの処理は、実施の形態１と同じである。続くステップＳ３０１において、温度差Ｔｇａｐが下記の式（５）から算出される。具体的には、温度差Ｔｇａｐは、下部温度Ｔａｍｂ＿ｂと上部温度Ｔａｍｂ＿ｔとの差分として算出される。
Ｔｇａｐ＝Ｔａｍｂ＿ｔ－Ｔａｍｂ＿ｂ・・・（５）

次に、温度差Ｔｇａｐと、予め設定した下限値Ｔａｌおよび上限値Ｔａｈとが比較される（Ｓ３０２）。ここで、下限値Ｔａｌは、０より小さい値（Ｔａｌ＜０）であり、例えば－３℃である。上限値Ｔａｈは０より大きい値（Ｔａｈ＞０）であり、例えば＋３℃である。

ここで、温度差Ｔｇａｐが、下限値Ｔａｌ以上であり、上限値Ｔａｈ以下の場合は（Ｓ３０２：Ｔａｈ≧Ｔｇａｐ≧Ｔａｌ）、赤外線センサ２１において、上下方向の温度差の影響がほぼ無いと判断し、温度差補正値Ｔａｍｂ＿ｏｆｆｓｅｔ＝０とする。そして、環境温度Ｔａｍｂは、下部温度Ｔａｍｂ＿ｂと等しいものとする(Ｓ３０３)。

一方、温度差Ｔｇａｐが上限値Ｔａｈより大きい場合は（Ｓ３０２：Ｔｇａｐ＞Ｔａｈ）、赤外線センサ２１の上部温度が下部温度より高いことを示している。これは、赤外線センサ２１の上部の温度上昇に赤外線センサ２１の下部の温度変化が追従できていない場合、または冷却風が赤外線センサ２１の下部にのみあたっている場合等が考えられる。そこで、この場合は、予め導出されたＴｇａｐに依存した関数（ｆ２）から温度差補正値Ｔａｍｂ＿ｏｆｆｓｅｔを求め（Ｓ３０４）、下部温度Ｔａｍｂ＿ｂに温度差補正値Ｔａｍｂ＿ｏｆｆｓｅｔを加算して環境温度Ｔａｍｂとする（Ｓ３０５）。

また、温度差Ｔｇａｐが下限値Ｔａｌより小さい場合は（Ｓ３０２：Ｔｇａｐ＜Ｔａｌ）、赤外線センサ２１の下部温度が上部温度より高いことを示している。これは、赤外線センサ２１の下部のみが、発熱素子等の影響で温度上昇している場合、または赤外線センサ２１の上部のみに冷却風があたっている場合等が考えられる。そこで、この場合は、予め導出されたＴｇａｐに依存した関数（ｆ３）から温度差補正値Ｔａｍｂ＿ｏｆｆｓｅｔを求め（Ｓ３０６）、下部温度Ｔａｍｂ＿ｂに温度差補正値Ｔａｍｂ＿ｏｆｆｓｅｔを加算して環境温度Ｔａｍｂとする（Ｓ３０７）。なお、環境温度Ｔａｍｂは、下部温度Ｔａｍｂ＿ｂと温度差Ｔｇａｐとの関数から求めてもよい。

その後、赤外線センサ２１の出力値Ｔｉｒａを環境温度Ｔａｍｂで補正することで、環境温度補正後の赤外線センサ２１の出力値Ｔｉｒが算出される（Ｓ３０８）。その後は、実施の形態１と同じステップＳ１１１へ移行する。

本実施の形態によると、温度差補正値Ｔａｍｂ＿ｏｆｆｓｅｔを赤外線センサ２１の上部温度が高い場合と、下部温度が高い場合とで、別々の関数を用いて算出することができる。これにより、赤外線センサ２１の出力をより精度よく補正することができる。

以上が本発明の実施の形態の説明であるが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。例えば、上記実施の形態では、誘導加熱調理器１００が、１つの赤外線センサユニット２０を備える構成としたが、複数の赤外線センサユニット２０を備える構成としてもよい。また、センサケース２３およびセンサ筐体２０２の形状は、実施の形態１の構成に限定されるものではなく、任意に変更可能である。

また、図６、図２２および図２７に示すフローチャートにおける「トッププレート温度補正」に関するステップＳ１１１およびＳ１１２は、省略してもよい。また、温度差補正値Ｔａｍｂ＿ｏｆｆｓｅｔは、関数により求められるものに限定されるものではなく、固定された値を加算して求めてもよい。また、第１～第６環境温度センサ２２ａ～２２ｆを用いた赤外線センサ２１の出力値Ｔｉｒａの補正方法は、上記実施の形態に限定されるものではなく、その他の方法で環境温度補正を行ってもよい。

また、実施の形態１～９およびこれらの変形例の何れかを任意に組み合わせることが可能である。例えば、実施の形態１、３～８において、実施の形態２の自己温度センサ２０７を備える構成としてもよい。また、実施の形態６～８において、実施の形態３のセンサ保持部２４を備える構成としてもよい。さらに、第１～第６環境温度センサ２２ａ～２２ｆの配置は、上記実施の形態および変形例に限定されるものではない。例えば、実施の形態１では、第２環境温度センサ２２ｂを第１環境温度センサ２２ａの真上に配置する構成としたが、第１環境温度センサ２２ａの上方において、真上以外に配置してもよい。第１～第６環境温度センサ２２ａ～２２ｆは、冷却風の向きまたは発熱源の位置などに応じて、センサ筐体２０２の周囲の任意の位置に配置することができる。

また、第１～第６環境温度センサ２２ａ～２２ｆは、上面視でセンサケース２３の開口内または開口外側の何れに配置されてもよい。ただし、第１～第６環境温度センサ２２ａ～２２ｆがセンサ筐体２０２の外側であって、センサ筐体２０２に接触せずに配置される場合は、第１～第６環境温度センサ２２ａ～２２ｆのうち、少なくとも上下方向の温度差を検出する環境温度センサ（例えば第１環境温度センサ２２ａと第２環境温度センサ２２ｂ、または第４環境温度センサ２２ｄと第５環境温度センサ２２ｅなど）は、同一環境に配置されるものとする。

１ 本体、２ トッププレート、３ 前面操作部、４ 加熱口、５ 加熱コイル、５ａ 第１コイル、５ｂ 第２コイル、６ 操作表示部、７ フェライトコア、１１ 制御部、１３ インバータ、２０、２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ、２０Ｅ、２０Ｆ、２０Ｇ、２０Ｈ、２０Ｊ、２０Ｋ、２０Ｌ、２０Ｍ、２０Ｎ、２０Ｐ、２０Ｑ 赤外線センサユニット、２１、２１Ａ 赤外線センサ、２２ａ 第１環境温度センサ、２２ｂ 第２環境温度センサ、２２ｃ 第３環境温度センサ、２２ｄ 第４環境温度センサ、２２ｅ 第５環境温度センサ、２２ｆ 第６環境温度センサ、２３、２３０ センサケース、２３ａ、２３０ａ 下ケース、２３ｂ、２３０ｂ 上ケース、２４ センサ保持部、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ 接触式温度センサ、４０ 透過窓、５１ コイルベース、５１ａ 中央部、５１ｂ 外周部、５１ｃ 梁部、５１ｄ センサ配置部、５５ 開口、１００ 誘導加熱調理器、１１１ 温度検出部、１１２ 加熱制御部、１１３ 記憶部、２０１ 赤外線検出素子、２０２ センサ筐体、２０３ 集光部、２０４ 基板、２０４ａ 開口、２０５ コネクタ、２０６ 配線、２０７ 自己温度センサ、２０８ バンドパスフィルタ、２１２ 段差部、２３１ リブ、２３２ 開口、２４１ 台座、３００ 調理容器、４００ 商用電源。

Claims (17)

1. 調理容器が載置されるトッププレートと、
   前記調理容器を加熱する加熱コイルと、
   赤外線を検出する赤外線検出素子と、前記赤外線検出素子が収容されるセンサ筐体と、前記センサ筐体の上面に配置され、前記赤外線を前記赤外線検出素子に集光する集光部と、を有し、前記トッププレートの下方に配置される赤外線センサと、
   前記トッププレートと前記赤外線検出素子の配置面との間に配置される複数の環境温度センサと、
   前記複数の環境温度センサの温度差を用いて前記赤外線センサの出力を補正する制御部と、を備える誘導加熱調理器。
2. 前記複数の環境温度センサは、
   前記赤外線検出素子の前記配置面と同一平面上に配置される第１環境温度センサと、
   前記第１環境温度センサの上方に配置される第２環境温度センサと、を含む請求項１に記載の誘導加熱調理器。
3. 前記第２環境温度センサは、前記集光部と同一平面上に配置される請求項２に記載の誘導加熱調理器。
4. 前記第１環境温度センサおよび前記第２環境温度センサは、前記センサ筐体の外側または内側において、前記センサ筐体に接触して配置される請求項２または３に記載の誘導加熱調理器。
5. 前記第１環境温度センサおよび前記第２環境温度センサの少なくとも何れか一方が取り付けられるセンサ保持部をさらに備える請求項２または３に記載の誘導加熱調理器。
6. 前記センサ保持部は、前記センサ筐体と同じ材質で形成される請求項５に記載の誘導加熱調理器。
7. 前記赤外線センサと、前記複数の環境温度センサと、が収容されるセンサケースをさらに備え、
   前記センサ保持部は、前記センサケースと一体に形成される請求項５に記載の誘導加熱調理器。
8. 前記センサ保持部は、前記赤外線センサを保持する台座を有する請求項７に記載の誘導加熱調理器。
9. 前記赤外線センサと、前記複数の環境温度センサと、が収容されるセンサケースをさらに備え、
   前記第１環境温度センサおよび前記第２環境温度センサの少なくとも何れか一方は、前記センサケースの内側に接触して配置される請求項２または３に記載の誘導加熱調理器。
10. 前記複数の環境温度センサは、
    前記第１環境温度センサと前記第２環境温度センサとの間に配置される第３環境温度センサを含む請求項２または３に記載の誘導加熱調理器。
11. 前記センサ筐体は、段差部を有し、
    前記第３環境温度センサは、前記段差部と同一平面上に配置される請求項１０に記載の誘導加熱調理器。
12. 前記赤外線センサと、前記複数の環境温度センサと、を収容するセンサケースをさらに備え、
    前記センサケースは、側面に開口を有し、
    前記第３環境温度センサは、前記開口に対向して配置される請求項１０に記載の誘導加熱調理器。
13. 前記制御部は、
    前記第２環境温度センサにより検出される温度または前記第３環境温度センサにより検出される温度の高い方、もしくは前記第２環境温度センサにより検出される温度または前記第３環境温度センサにより検出される温度の平均と、前記第１環境温度センサにより検出される温度との差分を用いて前記赤外線センサの前記出力を補正する請求項１０～１２の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
14. 前記複数の環境温度センサは、
    前記センサ筐体を介して前記第１環境温度センサの風下に配置される第４環境温度センサと、
    前記センサ筐体を介して前記第２環境温度センサの風下に配置される第５環境温度センサと、を含む請求項２～１３の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
15. 前記制御部は、
    前記第１環境温度センサにより検出される温度と、前記第４環境温度センサにより検出される温度との平均と、
    前記第２環境温度センサにより検出される温度と、前記第５環境温度センサにより検出される温度との平均と、の差分を用いて前記赤外線センサの前記出力を補正する請求項１４に記載の誘導加熱調理器。
16. 前記複数の環境温度センサは、
    前記センサ筐体の内側において、前記赤外線検出素子の前記配置面と同一平面に配置される自己温度センサを含む請求項１～１５の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。
17. 前記制御部は、
    前記複数の環境温度センサの前記温度差に応じて異なる関数を用いて環境温度を求め、
    前記環境温度を用いて、前記赤外線センサの前記出力を補正する請求項１～１６の何れか一項に記載の誘導加熱調理器。

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