JP2012038442A - 誘導加熱調理器 - Google Patents
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Abstract
【課題】トッププレート上の鍋の温度を精度良く検出することができるようにする。
【解決手段】本体の上部に設け鍋501を載置するトッププレート2と、トッププレート2の下方に設け鍋501から放射される赤外線を通す導光筒508を有して鍋501を加熱する加熱コイルユニットと、加熱コイルユニットの下方に設け導光筒508を通して鍋501の鍋底から放射する赤外線を受光する赤外線センサ12と、加熱コイルユニットの下方に設け導光筒508を通して鍋501の鍋底の反射率を測定する反射型フォトインタラプタ22と、を備えた誘導加熱調理器において、導光筒508は、トッププレート2側の上端に下端より広く開口する傾斜部508eを備えた。
【選択図】図5
【解決手段】本体の上部に設け鍋501を載置するトッププレート2と、トッププレート2の下方に設け鍋501から放射される赤外線を通す導光筒508を有して鍋501を加熱する加熱コイルユニットと、加熱コイルユニットの下方に設け導光筒508を通して鍋501の鍋底から放射する赤外線を受光する赤外線センサ12と、加熱コイルユニットの下方に設け導光筒508を通して鍋501の鍋底の反射率を測定する反射型フォトインタラプタ22と、を備えた誘導加熱調理器において、導光筒508は、トッププレート2側の上端に下端より広く開口する傾斜部508eを備えた。
【選択図】図5
Description
本発明は、トッププレート上の鍋の温度を精度良く検出することができる誘導加熱調理器に関するものである。
特許文献1の図3,図4に示すように、従来の誘導加熱調理器には、誘導加熱コイルの中央部に円筒状の空洞を設け、該円筒状の空洞の下部に、鍋温度検出装置と反射型フォトインタラプタを隣接して配置している。
そして、前記鍋温度検出装置のサーモパイルで鍋から放射する赤外線を受光し、前記反射型フォトインタラプタで検出した鍋の反射率から、鍋から放射される赤外線の放射率を算出し、前記鍋温度検出装置で検出した赤外線を前記放射率で補正して、鍋の正確な温度を算出する誘導加熱調理器がある。
上記した誘導加熱調理器(特許文献1)においては、輸送や設置時の強い衝撃によって、バネによってトッププレートに押さえつけている円筒状の空洞を備えたコイルベースの位置ズレを生じる課題がある。
円筒状の空洞の位置ズレによって反射型フォトインタラプタに内蔵された赤外線LEDから発光され鍋の鍋底に到達する赤外線量、鍋の鍋底で発射して前記反射型フォトインタラプタに内蔵された赤外線フォトトランジスタに受光する赤外線量に変化を生じ、反射率の測定に誤差を発生する課題がある。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、本体と、該本体の上部に設け鍋を載置するトッププレートと、該トッププレートの下方に設け前記鍋から放射される赤外線を通す導光筒を有して前記鍋を加熱する加熱コイルユニットと、該加熱コイルユニットの下方に設け前記導光筒を通して前記鍋の鍋底から放射する赤外線を受光する赤外線センサと、前記加熱コイルユニットの下方に設け前記導光筒を通して前記鍋の鍋底の反射率を測定する反射型フォトインタラプタと、を備えた誘導加熱調理器において、前記導光筒は、前記トッププレート側の上端に下端より広く開口する傾斜部を備えたものである。
本発明によれば、反射型フォトインタラプタで赤外線を発光して受光する過程において、導光筒内面の傾斜部で、反射率を測定するのに不要な赤外線を赤外線受光素子で受光しない方向に導反射するため、導光筒の位置が多少ずれても鍋底の反射率を正確に測定することができる。
本発明の一実施例を図面に基づいて詳細に説明する。図1は誘導加熱調理器の外観斜視図である。図1において、1は誘導加熱調理器の本体である。トッププレート2は耐熱性の高い結晶化ガラス製で、本体1の上面に水平に配置され、鉄等の磁性体又はアルミ等の非磁性体よりなる鍋501(図3)等の金属負荷を載置するものである。このトッププレート2は、4μm以下の波長の赤外線を透過し、それより長い波長の赤外線をカットする光学特性を有する。3a〜3cは本体1の上部に配置された3つの加熱部で、トッププレート2上に載置された鍋501を誘導加熱する加熱コイル209(図2)を各々の下方に有するものである。31a〜31cは赤外線透過領域で鍋底が放射した赤外線をトッププレート2の下方に透過する。尚、ここでは加熱部を3つとしたが、加熱部は1つまたは2つであっても良い。
吸気口4は、本体1の後部において上方に向けて開口しており、本体1内部の制御部(図示せず)に冷却風を取り入れるものである。排気口5は、本体1の後部において上方に向けて開口しており、本体1内部を冷却した排気を排出するものである。本実施例では、吸気口4を本体1後部の右側に、排気口5を左側に配置している。グリル加熱部6は本体1の前面左部に設けられている。
7a〜7cは操作部で、本体1の上面側に設けられた、加熱部3a〜3cの加熱の設定,操作を行うものである。8a〜8cは表示部で、トッププレート2の前面側上部に設けられ、出力制御基板(図示せず)と連動して加熱部3a〜3cの通電の状態を表示するものである。
図2は加熱部3aの下方にある加熱コイルユニット200の上面図である。加熱コイル209は、同心円状に同一平面上に設けられた内周側加熱コイル201と外周側加熱コイル202で構成されている。内周側加熱コイル201の外端と外周側加熱コイル202の内端が電気的に接続されており同方向の電流が両コイルに流れる。本実施例において、内周側加熱コイル201はコイル中心からの距離約30〜45mmに設けられているものとし、外周側加熱コイル202はコイル中心からの距離約55〜90mmに設けられているものとする。
コイルベース203は加熱コイル209を保持するものである。コイルベース203は導光筒508を一体成形で構成する。導光筒508は、コイル中心からの距離45〜55mmに設けられ、鍋501の底から放射される赤外線を、下方に設けた後記の赤外線センサモジュール407に導くものである。
205〜208はサーミスタ(接触式温度センサ)でトッププレート2の下面の温度を測定する。
図3は、鍋加熱制御システムを示す機能ブロック図である。図3において、501は被加熱物である鍋である。502は温度検出回路で、赤外線センサモジュール407とサーミスタ205〜208の出力に基づいて鍋501の温度を算出する。26は放射率算出回路で、赤外線センサモジュール407の出力に基づいて鍋501の放射率を算出する。503は制御回路で、温度検出回路502が算出した温度を放射率算出回路26の出力に基づいて補正し、補正した温度に応じて高周波電力供給回路405を制御し加熱コイル209に供給する電力を制御する。508は導光筒で、鍋501が放射する赤外線を下方の赤外線センサモジュール407に導くとともに、加熱コイル209から放射される赤外線が赤外線センサモジュール407に入射されるのを防ぐものである。
次に、図4を用いて、赤外線センサモジュール407と導光筒508の詳細を説明する。図4は、赤外線センサモジュール407近傍の断面図である。図4に示すように、赤外線センサモジュール407は以下の構成である。樹脂ケース16の上方には開口部14を設けている。樹脂ケース16の外郭は、開口部14を除いて防磁ケース13で覆っている。開口部14には窓材15が設けられている。樹脂ケース16の内部には、熱型赤外線検出回路131と、反射率検出回路132と、プリント配線板27を備えている。
樹脂ケース16の開口部14は窓材15によって封鎖されている。そのため、赤外線センサモジュール407内部の熱型赤外線検出回路131,反射率検出回路132には冷却風が直接当たることはない。すなわち、この構成により、冷却風が熱型赤外線検出回路131,反射率検出回路132に与える影響を低減している。
また、樹脂ケース16を熱伝導率の低い樹脂で構成することによって、赤外線センサモジュール407内部の温度が急激に変化するのを防止している。すなわち、この構成により、熱型赤外線検出回路131,反射率検出回路132の温度が伝熱によって急変化するのを防止している。樹脂ケース16の内側には、複数のリブ16aが設けられて、樹脂ケース16に落とし込んで配置するプリント配線板27を支えている。
さらに、窓材15には、高温となったトッププレート2と導光筒508,加熱コイル203などから発せられる昇温効果の高い波長の赤外線(4μm以上)をカットする光学特性を窓材15に持たせている。そのため、昇温効果の高い波長の赤外線が赤外線センサモジュール407内部に進入するのを防止している。すなわち、この構成により、熱型赤外線検出回路131,反射率検出回路132の温度が昇温効果の高い波長の赤外線によって急変化するのを防止している。なお、本実施例では、トッププレート2の赤外線透過特性と窓材15の赤外線透過特性を同一とした。
さらに、防磁ケース13を非磁性体のアルミ製にすることによって、赤外線センサモジュール407内部に侵入する電磁気的ノイズを低減し、防磁ケース13が受ける輻射熱を放熱しやすい構成とした。
このような構成を採ることにより、赤外線検出回路131,反射率検出回路132は、冷却風や周辺温度の急激な変化と、昇温効果の高い波長の赤外線の影響や電気的なノイズ
の悪影響を小さくすることができる。よって、調理温度150℃から300℃の広い温度範囲において、精度の高い信号を出力することができ、鍋501の温度を正確に測定することができる。
の悪影響を小さくすることができる。よって、調理温度150℃から300℃の広い温度範囲において、精度の高い信号を出力することができ、鍋501の温度を正確に測定することができる。
次に、赤外線センサモジュール407における信号検出を説明する。鍋501の底面から放射される赤外線は、トッププレート2,導光筒508,窓材15を介して、熱型赤外線検出回路131に届く。また、反射率検出回路132が発光する赤外線は、窓材15,導光筒508,トッププレート2を介して鍋501に届く。反射率検出回路132から発せられた赤外線は鍋501で反射し、再びトッププレート2,導光筒508,窓材15を介して反射率検出回路132に戻る。つまるところ、熱型赤外線検出回路131にも、反射率検出回路132にも、トッププレート2,窓材15の両方を経由した赤外線が届くことが分かる。
次に、本実施例で使用する結晶化ガラスから構成したトッププレート2と窓材15の赤外線透過特性について説明する。使用するトッププレート2と窓材15は、赤外線の波長が約0.5〜2.6μmの帯域で透過率が約80%を超える。また、波長が約0.42〜2.7μm及び約3.2〜4μmで透過率が約30%以上であり、波長が約0.42μm以下、約2.7〜3.2μm及び約4μm以上では透過率が約30%に満たない。そのため、100℃〜200℃の鍋501が放射するピーク波長の赤外線の大部分は結晶化ガラス製のトッププレート2及び窓材15を透過する。そして赤外線センサモジュール407内の赤外線センサ12(本実施例ではサーモパイルを使用)へ向かうことができる。一方で、鍋501が放射する赤外線のうち昇温効果の高い4μm以上の波長の大部分はトッププレート2でカット(遮断)される。そのため本体1内部が昇温効果の高い赤外線により温められるのを防止することができる。
次に、熱型赤外線検出回路131を詳細に説明する。熱型赤外線検出回路131は、鍋501の底面から放射される赤外線を検知する赤外線センサ12と、赤外線センサ12の出力を増幅するアンプ21で構成されている。本実施例では赤外線センサ12にサーモパイルを使用している。赤外線センサ12に届く赤外線エネルギは微弱である。そこで、赤外線センサ12とアンプ21を一体化することで、赤外線センサ12,アンプ21間での電磁気的ノイズ混入を低減できる。そして、ノイズの混入の少ない信号をアンプ21で5000〜10000倍に増幅した後に出力することで、S/N比の良い信号を熱型赤外線検出回路131から出力している。
ここで、本実施例に使用する赤外線センサ12(サーモパイル)の原理について説明する。赤外線センサ12(サーモパイル)は受光した熱等の赤外線エネルギに比例した電圧を出力するもので、熱電対を直列あるいは並列に接続したものである。このため、鍋の温度が上昇すると鍋底からの赤外線放射強度も強くなり、赤外線センサ12(サーモパイル)が受光する赤外線エネルギ量が増え、赤外線センサ12(サーモパイル)の出力信号電圧が高くなる。一般に、物体の放射する赤外線エネルギはその物体の絶対温度の4乗に比例するというステファン・ボルツマンの法則があり、温度が高くなればなるほど加速度的に大きな赤外線エネルギを放射する。すなわち、赤外線センサ12(サーモパイル)を用いて単位面積当たりの放射量Wを知ることができれば放射物体の絶対温度を算出できる。
次に、反射率検出回路132を詳細に説明する。反射率検出回路132は、反射型フォトインタラプタ22の赤外線発光素子20と赤外線受光素子19で構成されている。赤外線発光素子20の内部に納められた砲弾状の発光部20bが発光し、上部に配置された開口部20aから放たれた光は放射状に広がる。赤外線受光素子19にも上部に開口部19aを配置され、内部に奥まって砲弾状の受光部19bを配置し、横からの光を受光し難い構造にしている。光は面に対して入射角と反射角が等しく反射する。赤外線発光素子20は、例えば、発光波長930nmの赤外線LEDである。赤外線受光素子19は、例えば、ピーク感度波長が800nmであって、波長930nmにおける感度がピーク感度の80%のフォトトランジスタである。赤外線発光素子20が発光した赤外線は鍋501で反射し、赤外線受光素子20に戻る。赤外線受光素子20では、受光した赤外線量に比例した電圧が発生し、電圧値から受光した赤外線量を知ることができる。つまり、反射率検出回路132は、赤外線発光量と赤外線受光量の比から鍋501の反射率ρを検出することができる。なお、赤外線発光素子20の発光波長として930nmを採用したのは、トッププレート2、窓材15を透過する波長の赤外線であるとともに、鍋501が放射する赤外線にほとんど含まれない波長の赤外線だからである。従って、赤外線受光素子19が受ける930nmの赤外線は鍋501で反射した赤外線であると判断でき、この赤外線に基づいて鍋501の反射率を正確に検出することができる。
ここで、反射率検出回路132が求めた反射率に基づいて放射率算出回路26が放射率を算出する方法を説明する。温度Tの金属物質の表面から放射される赤外線エネルギ(E=εσT4)の放射率εと表面の反射率ρの間にはキルヒホフの法則により式(ε+ρ=1)が成立する(但し、透過率α=0とする)。すなわち、鍋501の反射率ρを知ることができれば、鍋501の放射率εを算出できることが分かる。
放射率εが異なる場合、同じ温度であっても、放射する赤外線エネルギが異なるので、熱型赤外線検出回路131内の赤外線センサ12が検出した赤外線エネルギからは鍋501の温度を一義的に求めることができないという問題がある。この問題を解消するため、制御回路503は、温度検出手段131により出力された電圧を温度検出回路502により鍋底の温度を算出するときに、放射率算出回路26が算出した放射率εを用いて補正する。よって、反射率ρが異なる鍋501を用いたときであっても、適切に鍋底温度を検出する。従って、制御回路503は、放射率εを用いて補正した鍋底温度に基づいて加熱コイル209に供給する電力を好適に制御することができる。
次に、導光筒508の構造について説明する。導光筒508は図2に示すように上面から見て略小判型の筒である。図4は図1のCC断面であるため、略小判型の導光筒508の長手方向の断面を示している。
前記したように導光筒508はコイルベース203と一体成形で構成している。導光筒508は、上端508cを加熱コイル209より上方に突き出した位置に設け、下端508aはコイルベース203より下方に固定している赤外線センサモジュール407に達し、下端508aと赤外線センサモジュール407との間に冷却風が流入するように隙間を設けている。また、導光筒508は、下端508aに比べ上端508cは広く開口した筒状の形状をしている。図ではコイル載置面203a付近から上端508cに向かって傾斜部508eを設けて広がり、コイル載置面203a付近より下端508aまでは略垂直の寸胴部508dとなっている。
次に、本実施例の動作を説明する。図5は反射型フォトインタラプタ22による発光と受光の説明図である。ここでは本実施例の動作を反射型フォトインタラプタ22と導光筒508の関係で説明する。反射型フォトインタラプタ22を含む反射率検出回路132の動作については、上記にあるので省略する。
ここで、発光した光を30a〜30dで表し、夫々の光の反射について以下説明する。 光30aは、赤外線発光素子20から発光される指向性の高い部分の光で、トッププレート2上の鍋501で反射して赤外線受光素子19で受光し、鍋501の反射率を測定するのに使用される光である。
光30b〜30dは、赤外線発光素子20から発光される指向性の高い部分の周りから発光される光で、この部分の光は鍋501の反射率の測定に使用しない光である。
図に示すように、反射率を測定するのに使用される光30aは、導光筒508の形状や位置ズレに関係なく確実に反射率を測定可能である。
その他の光30bは、赤外線発光素子20からトッププレート2上の鍋501で反射して、導光筒508の寸胴部508dで反射して赤外線受光素子19で受光されない光である。光30cは、赤外線発光素子20からトッププレート2上の鍋501で反射して、導光筒508の傾斜部508eで反射して赤外線受光素子19で受光されない光である。光30dは、赤外線発光素子20から寸胴部508dで反射してトッププレート2上の鍋501で反射して、傾斜部508eで反射して、赤外線受光素子19で受光されない光である。
鍋501の温度は、前記したように、反射率検出回路132によって鍋501の放射率を算出して赤外線センサ12による検出した赤外線を補正して温度を求めている。そのため、赤外線発光素子20から赤外線受光素子19へ直接入射して受光する光30aが最も好ましい。その点、上部の傾斜部508eはトッププレート2の近傍で傾斜がついているので、トッププレート2の多方向から入射する光を横方向に反射して、赤外線受光素子19に入射させない働きをしている。
上記した本実施例によれば、反射型フォトインタラプタ22で赤外線を発光して受光する過程において、導光筒508内面の傾斜部508eで、反射率を測定するのに不要な赤外線を赤外線受光素子19で受光しない方向に導反射するため、導光筒508の位置が多少ずれても鍋底の反射率を正確に測定することができる。
1 本体
2 トッププレート
12 赤外線センサ
19 赤外線受光素子
20 赤外線発光素子
22 反射型フォトインタラプタ
200 加熱コイルユニット
407 赤外線センサモジュール
501 鍋
508 導光筒
508a 下端
508c 上端
508e 傾斜部
2 トッププレート
12 赤外線センサ
19 赤外線受光素子
20 赤外線発光素子
22 反射型フォトインタラプタ
200 加熱コイルユニット
407 赤外線センサモジュール
501 鍋
508 導光筒
508a 下端
508c 上端
508e 傾斜部
Claims (1)
- 本体と、該本体の上部に設け鍋を載置するトッププレートと、該トッププレートの下方に設け前記鍋から放射される赤外線を通す導光筒を有して前記鍋を加熱する加熱コイルユニットと、該加熱コイルユニットの下方に設け前記導光筒を通して前記鍋の鍋底から放射する赤外線を受光する赤外線センサと、前記加熱コイルユニットの下方に設け前記導光筒を通して前記鍋の鍋底の反射率を測定する反射型フォトインタラプタと、を備えた誘導加熱調理器において、前記導光筒は、前記トッププレート側の上端に下端より広く開口する傾斜部を備えたことを特徴とする誘導加熱調理器。
Priority Applications (1)
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015210876A (ja) * | 2014-04-24 | 2015-11-24 | 三菱電機株式会社 | センサケース構造、及びそのセンサケース構造を備えた加熱調理器 |
JP2017084833A (ja) * | 2017-02-16 | 2017-05-18 | 三菱電機株式会社 | センサケース構造、及びそのセンサケース構造を備えた加熱調理器 |
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2010
- 2010-08-04 JP JP2010174985A patent/JP2012038442A/ja not_active Withdrawn
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JP2017084833A (ja) * | 2017-02-16 | 2017-05-18 | 三菱電機株式会社 | センサケース構造、及びそのセンサケース構造を備えた加熱調理器 |
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