JP7296678B2 - セラミック給気部に無線周波数を接続した洗浄装置 - Google Patents
セラミック給気部に無線周波数を接続した洗浄装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7296678B2 JP7296678B2 JP2022510153A JP2022510153A JP7296678B2 JP 7296678 B2 JP7296678 B2 JP 7296678B2 JP 2022510153 A JP2022510153 A JP 2022510153A JP 2022510153 A JP2022510153 A JP 2022510153A JP 7296678 B2 JP7296678 B2 JP 7296678B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- air supply
- radio frequency
- central
- ceramic
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
前記電源制御装置は前記エッチングシステム及び前記洗浄システムに接続されており、電源を切り替えるためのものであり、
電力分配ボックスを含み、前記エッチングシステムは、チャンバ内でのウェーハのエッチングを実現するように、電力分配ボックスの2つのラインによって前記3次元コイルの2つのシングル3次元コイルにそれぞれ接続され、
前記洗浄システムは、無線周波数洗浄機構に無線周波数を接続することで、無線周波数洗浄機構に接続された頂部セラミック給気ノズルの下面に高負圧を生成させることにより、プラズマが頂部セラミック給気ノズルの下面に直接衝突することを特徴とする。
前記中央給気継手部、前記エッジ絶縁給気部及び前記中央無線周波数給気部の中央部には、連通するガス通路を備え、前記エッジ絶縁給気部の長さが5mm以上であり、
前記中央給気継手部は接地されており、クリーンガスを導入することができ、前記中央無線周波数給気部は無線周波数に接続され、
いくつかのキャピラリーといくつかの狭窄ガス通路を含み、前記いくつかのキャピラリーは、前記エッジ絶縁給気部の中央部のガス通路内に設置され、前記いくつかの狭窄ガス通路は、前記中央絶縁給気部のエッジに均一に分布し、前記中央無線周波数給気部の中部給気通路に連通し、いくつかのキャピラリーのそれぞれと前記狭窄ガス通路のそれぞれの断面積は、いずれも0.05mm2~3mm2であり、
前記中央絶縁給気部は、前記頂部セラミック給気部の内部に位置し、前記中央絶縁給気部の頂部は、前記中央無線周波数給気部の給気通路内まで延長し、延長長さが2mm以上である。
前記電源制御装置は前記エッチングシステム及び前記洗浄システムに接続されており、電源を切り替えるためのものであり、
前記エッチングシステムは、チャンバ1内でのウェーハ3のエッチングを実現するように、電力分配ボックス4の2つのラインによって前記3次元コイル80の2つのシングル3次元コイルにそれぞれ接続され、
前記洗浄システムは、無線周波数洗浄機構に無線周波数を接続することで、無線周波数洗浄機構に接続された頂部セラミック給気ノズル11の下面に高負圧を生成させることにより、プラズマが頂部セラミック給気ノズル11の下面に直接衝突する。本発明に係るプラズマ処理システム及び洗浄方法の具体的な実施形態は以下の通りである。
201 中央給気継手部
202 エッジ絶縁給気部
2021 キャピラリー
203 中央無線周波数給気部
204 中央絶縁給気部
2041 狭窄ガス通路
205 頂部セラミック給気部
206 調整部材
207 シールリング
3 ウェーハ
4 電力分配ボックス
501 第1のRFスイッチボックス
502 第2のRFスイッチボックス
601 第1の無線周波数電源
602 第2の無線周波数電源
603 コイル無線周波数電源
604 中央無線周波数電源
701 無線周波数整合器
702 第1のコイル無線周波数整合器
703 第2のコイル無線周波数整合器
704 中央無線周波数整合器
10 結合窓
11 頂部セラミック給気ノズル
80 3次元コイル。
Claims (10)
- チャンバ(1)の中央部に設けられるウェーハ(3)と、チャンバ(1)の頂部に設けられる結合窓(10)と、結合窓(10)の中央領域に位置する頂部セラミック給気ノズル(11)と、結合窓(10)の上部に配置される3次元コイル(80)とを含み、前記3次元コイル(80)は、中心とエッジの2つの互いに独立したシングル3次元コイルを含み、2つのシングル3次元コイルは、それぞれの一端が相互に接続されて無線周波数に接続され、それぞれの他端が相互に接続されて接地されるセラミック給気部に無線周波数を接続した洗浄装置であって、エッチングシステム、洗浄システム、電源制御装置及び無線周波数洗浄機構を含み、
前記電源制御装置は前記エッチングシステム及び前記洗浄システムに接続されており、電源を切り替えるためのものであり、
電力分配ボックス(4)を含み、前記エッチングシステムは、前記電力分配ボックス(4)の2つのラインによって前記3次元コイル(80)の2つのシングル3次元コイルにそれぞれ接続されることによって、チャンバ(1)内でのウェーハ(3)のエッチングを実現し、
前記洗浄システムは、無線周波数洗浄機構に無線周波数を接続することで、無線周波数洗浄機構に接続された頂部セラミック給気ノズル(11)の下面に高負圧を生成させるにより、プラズマが頂部セラミック給気ノズル(11)の下面に直接衝突し、
前記無線周波数洗浄機構は、順次接続された中央給気継手部(201)、エッジ絶縁給気部(202)、中央無線周波数給気部(203)、中央絶縁給気部(204)及び頂部セラミック給気部(205)を含み、
前記中央給気継手部(201)、前記エッジ絶縁給気部(202)及び前記中央無線周波数給気部(203)の中央部には、連通するガス通路を備え、
前記中央給気継手部(201)は接地されており、クリーンガスを導入することができ、前記中央無線周波数給気部(203)は無線周波数に接続され、
いくつかのキャピラリー(2021)といくつかの狭窄ガス通路(2041)を含み、前記いくつかのキャピラリー(2021)は、前記エッジ絶縁給気部(202)の中央部のガス通路内に設置され、前記いくつかの狭窄ガス通路(2041)は、前記中央絶縁給気部(204)のエッジに均一に分布し、前記中央無線周波数給気部(203)の中部給気通路に連通し、
前記中央絶縁給気部(204)は、前記頂部セラミック給気部(205)の内部に位置し、
前記中央絶縁給気部(204)の頂部は、前記中央無線周波数給気部(203)の給気通路内まで延長することを特徴とするセラミック給気部に無線周波数を接続した洗浄装置。 - 前記電源制御装置は、順次接続された無線周波数電源(601)、無線周波数整合器(701)及びRFスイッチボックス(501)を含み、RFスイッチボックス(501)により、前記エッチングシステムと前記洗浄システムとの間で切り替えることを特徴とする請求項1に記載のセラミック給気部に無線周波数を接続した洗浄装置。
- 前記電源制御装置は、無線周波数電源(602)、RFスイッチボックス(502)、エッチングシステムに接続されたコイル無線周波数整合器(702)、洗浄システムに接続された中央無線周波数整合器(704)を含み、前記無線周波数電源(602)の出力端は、前記RFスイッチボックス(502)に接続され、RFスイッチボックス(502)により、コイル無線周波数整合器(702)と中央無線周波数整合器(704)との間で切り替えることを特徴とする請求項1に記載のセラミック給気部に無線周波数を接続した洗浄装置。
- 前記電源制御装置は、コイル無線周波数電源(603)、中央無線周波数電源(604)、コイル無線周波数整合器(703)、中央無線周波数整合器(705)を含み、前記コイル無線周波数電源(603)の出力端は前記コイル無線周波数整合器(703)に接続され、前記コイル無線周波数整合器(703)の出力端は前記エッチングシステムに接続され、前記中央無線周波数電源(604)の出力端は前記中央無線周波数整合器(705)に接続され、前記中央無線周波数整合器(705)の出力端は前記洗浄システムに接続されることを特徴とする請求項1に記載のセラミック給気部に無線周波数を接続した洗浄装置。
- 前記エッジ絶縁給気部(202)の長さが5mm以上であり、
いくつかのキャピラリー(2021)のそれぞれと前記狭窄ガス通路(2041)のそれぞれの断面積は、いずれも0.05mm2~5mm2であり、
前記中央絶縁給気部(204)の頂部が前記中央無線周波数給気部(203)の給気通路内まで延長する延長長さは、2mm以上であることを特徴とする請求項1に記載のセラミック給気部に無線周波数を接続した洗浄装置。 - 前記中央給気継手部(201)は前記エッジ絶縁給気部(202)と同軸であり、前記中央無線周波数給気部(203)、前記中央絶縁給気部(204)及び前記頂部セラミック給気部(205)は同軸であり、前記エッジ絶縁給気部(202)は前記中央無線周波数給気部(203)に対して垂直であることを特徴とする請求項5に記載のセラミック給気部に無線周波数を接続した洗浄装置。
- 調整部材(206)を更に含み、前記調整部材(206)は、リング構造であり、前記中央絶縁給気部(204)と前記頂部セラミック給気部(205)との間に設置され、前記中央絶縁給気部(204)は、その頂端が前記中央無線周波数給気部(203)の給気通路に延長した部分の径方向幅が前記中央無線周波数給気部(203)の給気通路の直径よりも小さいことを特徴とする請求項6に記載のセラミック給気部に無線周波数を接続した洗浄装置。
- 前記中央給気継手部(201)は前記エッジ絶縁給気部(202)に対して垂直であり、前記エッジ絶縁給気部(202)、前記中央無線周波数給気部(203)、前記中央絶縁給気部(204)及び前記頂部セラミック給気部(205)は同軸であることを特徴とする請求項5に記載のセラミック給気部に無線周波数を接続した洗浄装置。
- 前記エッジ絶縁給気部(202)の中部給気通路に設置されたいくつかのキャピラリー(2021)は、前記中央無線周波数給気部(203)の底部まで延長し、前記中央給気継手部(201)、前記エッジ絶縁給気部(202)、前記中央無線周波数給気部(203)、前記中央絶縁給気部(204)及び前記頂部セラミック給気部(205)は同軸であることを特徴とする請求項5に記載のセラミック給気部に無線周波数を接続した洗浄装置。
- シールリング(207)を更に含み、前記中央給気継手部(201)と前記エッジ絶縁給気部(202)との間、前記中央無線周波数給気部(203)と前記頂部セラミック給気部(205)との間、及び前記頂部セラミック給気部(205)の下端近くには、いずれもシールリング(207)が設けられていることを特徴とする請求項6~9のいずれか1項に記載のセラミック給気部に無線周波数を接続した洗浄装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911421168.9A CN113130285B (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | 一种陶瓷进气接射频清洗装置 |
CN201911421168.9 | 2019-12-31 | ||
PCT/CN2020/077313 WO2021134891A1 (zh) | 2019-12-31 | 2020-02-29 | 一种陶瓷进气接射频清洗装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022544421A JP2022544421A (ja) | 2022-10-18 |
JP7296678B2 true JP7296678B2 (ja) | 2023-06-23 |
Family
ID=76685842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022510153A Active JP7296678B2 (ja) | 2019-12-31 | 2020-02-29 | セラミック給気部に無線周波数を接続した洗浄装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220254605A1 (ja) |
JP (1) | JP7296678B2 (ja) |
CN (1) | CN113130285B (ja) |
TW (1) | TWI734436B (ja) |
WO (1) | WO2021134891A1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001523887A (ja) | 1997-11-14 | 2001-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システム並びにプラズマ処理システムをクリーニングする方法 |
CN110223904A (zh) | 2019-07-19 | 2019-09-10 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种具有法拉第屏蔽装置的等离子体处理系统 |
CN110491760A (zh) | 2019-08-23 | 2019-11-22 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种法拉第清洗装置及等离子体处理系统 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5477975A (en) * | 1993-10-15 | 1995-12-26 | Applied Materials Inc | Plasma etch apparatus with heated scavenging surfaces |
KR100255703B1 (ko) * | 1991-06-27 | 2000-05-01 | 조셉 제이. 스위니 | 전자기 rf연결부를 사용하는 플라즈마 처리기 및 방법 |
US5614055A (en) * | 1993-08-27 | 1997-03-25 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD and etching reactor |
JP3676912B2 (ja) * | 1997-08-07 | 2005-07-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体製造装置およびその異物除去方法 |
JP4730572B2 (ja) * | 2000-08-21 | 2011-07-20 | 株式会社アルバック | プラズマ成膜装置及びそのクリーニング方法 |
JP2003213420A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-07-30 | Shimadzu Corp | 液体材料気化装置 |
WO2004044971A1 (en) * | 2002-11-09 | 2004-05-27 | Worldex Int | Method and device for polishing plasma chamber cathode holes |
US7651587B2 (en) * | 2005-08-11 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Two-piece dome with separate RF coils for inductively coupled plasma reactors |
CN101996840B (zh) * | 2009-08-10 | 2013-02-06 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种等离子体处理设备、方法及腔室清洗方法 |
CN106935467B (zh) * | 2015-12-31 | 2018-11-06 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种电感耦合等离子处理器 |
CN108831817A (zh) * | 2018-06-27 | 2018-11-16 | 南通沃特光电科技有限公司 | 一种等离子处理装置,处理方法 |
CN110416053B (zh) * | 2019-07-30 | 2021-03-16 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种电感耦合等离子体处理系统 |
CN110491759A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-11-22 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种等离子体刻蚀系统 |
-
2019
- 2019-12-31 CN CN201911421168.9A patent/CN113130285B/zh active Active
-
2020
- 2020-02-29 US US17/629,362 patent/US20220254605A1/en active Pending
- 2020-02-29 JP JP2022510153A patent/JP7296678B2/ja active Active
- 2020-02-29 WO PCT/CN2020/077313 patent/WO2021134891A1/zh active Application Filing
- 2020-04-07 TW TW109111618A patent/TWI734436B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001523887A (ja) | 1997-11-14 | 2001-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システム並びにプラズマ処理システムをクリーニングする方法 |
CN110223904A (zh) | 2019-07-19 | 2019-09-10 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种具有法拉第屏蔽装置的等离子体处理系统 |
CN110491760A (zh) | 2019-08-23 | 2019-11-22 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种法拉第清洗装置及等离子体处理系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113130285B (zh) | 2022-04-15 |
WO2021134891A1 (zh) | 2021-07-08 |
JP2022544421A (ja) | 2022-10-18 |
TW202127535A (zh) | 2021-07-16 |
KR20220041893A (ko) | 2022-04-01 |
TWI734436B (zh) | 2021-07-21 |
CN113130285A (zh) | 2021-07-16 |
US20220254605A1 (en) | 2022-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5554705B2 (ja) | 基材処理のための方法および装置 | |
US5942075A (en) | Plasma processing apparatus | |
KR101475546B1 (ko) | 플라즈마 에칭 방법, 플라즈마 에칭 장치 및 기억 매체 | |
US20150170879A1 (en) | Semiconductor system assemblies and methods of operation | |
TWI502619B (zh) | 用於電漿處理設備之電極、電漿處理設備、以及使用電漿處理設備產生電漿的方法 | |
KR101839414B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 제어 방법 | |
JP6982560B2 (ja) | プラズマフィルタリングのためのシステム及び処理 | |
JP4472789B2 (ja) | プラズマ処理チャンバの内面上への堆積物の堆積を制御する方法及び装置 | |
US20070023398A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
TWI633573B (zh) | Plasma processing device and method | |
WO2004059716A1 (en) | A system and method for controlling plasma with an adjustable coupling to ground circuit | |
KR102659362B1 (ko) | 플라즈마 에칭 시스템 | |
KR100782621B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
KR100626905B1 (ko) | 이온 에너지 감쇄 | |
JP2007266296A (ja) | 基板処理装置及び側壁部品 | |
JP7296678B2 (ja) | セラミック給気部に無線周波数を接続した洗浄装置 | |
KR20180124773A (ko) | 플라즈마 처리 장치의 세정 방법 | |
TW202232567A (zh) | 蝕刻方法及電漿處理裝置 | |
US20160071700A1 (en) | Plasma processing apparatus and cleaning method | |
JP2002043094A (ja) | プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法 | |
KR100506630B1 (ko) | 웨이퍼 에지 식각 장치 | |
JP2006019626A (ja) | プラズマ処理装置及びその洗浄方法 | |
KR102667901B1 (ko) | 세라믹 공기 유입부 무선 주파수 연결형 세척 장치 | |
KR20230164656A (ko) | 내벽 부재의 재생 방법 | |
TW202141620A (zh) | 清洗方法及半導體裝置之製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220216 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230530 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230606 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7296678 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |