KR100506630B1 - 웨이퍼 에지 식각 장치 - Google Patents

웨이퍼 에지 식각 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100506630B1
KR100506630B1 KR10-2003-0084141A KR20030084141A KR100506630B1 KR 100506630 B1 KR100506630 B1 KR 100506630B1 KR 20030084141 A KR20030084141 A KR 20030084141A KR 100506630 B1 KR100506630 B1 KR 100506630B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
microwave plasma
atmospheric
atmospheric pressure
plasma torch
Prior art date
Application number
KR10-2003-0084141A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050050412A (ko
Inventor
김인준
조중근
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR10-2003-0084141A priority Critical patent/KR100506630B1/ko
Publication of KR20050050412A publication Critical patent/KR20050050412A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100506630B1 publication Critical patent/KR100506630B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32366—Localised processing
    • H01J37/32385—Treating the edge of the workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32825—Working under atmospheric pressure or higher
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼 에지상에 있는 파티클을 효과적으로 제거할 수 있는 웨이퍼 에지 식각 장치를 개시한다. 개시된 본 발명은, 웨이퍼 에지부를 식각하는 웨이퍼 에지 식각 장치에 있어서, 상기 식각은 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치를 사용하되, 상기 제1 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 웨이퍼 전면의 에지부를 식각하고, 상기 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 웨이퍼 배면의 에지부를 식각하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 고효율의 균일한 플라즈마를 웨이퍼 양면의 에지부에 분사함으로써 효과적인 파티클 제거를 이룰 수 있게 되어 반도체 소자의 수율이 향상되는 효과가 있다.

Description

웨이퍼 에지 식각 장치{WAFER EDGE ETCHER}
본 발명은 웨이퍼 에지 식각 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상압 마이크로웨이브 플라즈마를 이용한 웨이퍼 에지 식각 장치에 관한 것이다.
반도체 소자란 웨이퍼 표면에 수차례에 걸친 박막의 증착 및 패터닝 등의 공정을 통해 구현되는 고밀도의 집적회로로서 현재 각 산업분야에서 널리 활용되고 있다. 웨이퍼 표면에 회로패턴을 현상하고 식각하는 공정으로 제조되는 집적회로의 생산 단계에서 미세 먼지나 수분 등의 파티클은 회로패턴의 형성에 해를 주기 때문에 적극적으로 제거되어야 한다.
일반적으로, 외적 요인으로 발생되는 파티클은 클린 설비를 통한 공정 분위기의 청정화를 통해 사전에 방지할 수 있다. 그러나, 제조 과정에서 생기는 내적 요인의 파티클은 미연에 제거할 수 없기 때문에 웨이퍼는 공정간을 이동하는 과정에서 여러 단계의 세정을 거치고 있다.
웨이퍼 세정은 주지된 바와 같이 용제나 린스에 침적하여 웨이퍼 표면의 파티클이 제거되는 습식 세정과 플라즈마로 웨이퍼 표면을 식각하여 세정하는 건식 세정이 알려져 있다.
습식 세정은 웨이퍼 표면에의 파티클을 제거하는데 효과적으로 활용되고 있다. 그렇지만, 습식 세정에 있어서는 공정 관리가 어렵고 세정액에 소모되는 비용 등 운전비용이 높을 뿐만 아니라 런타임이 길어 생산성이 좋지 않다. 게다가, 산화막과 질화막이 적층된 다층 박막인 경우 습식 세정의 등방성 식각 특성에 의해 각 박막의 선택비 차이에 따른 슬로프 현상과 에지 측벽에의 파티클로 인해 소자의 수율이 떨어지는 단점이 있다. 이러한 점 때문에 플라즈마를 이용한 건식 세정이 널리 시행되는 것이 현재의 추세이다.
건식 세정은 웨이퍼 표면에 도포된 포토레지스트나 박막을 식각하여 제거하는 방식으로 공정이 간편하고 런타인이 짧다는 등의 습식 세정이 안고 있는 문제점을 해결하여 주는 장점이 있다. 그러나, 건식 세정은 웨이퍼의 중심축 상방에서 플라즈마를 주사시켜 웨이퍼 표면의 포토레지스트나 박막이 식각되게 하는 것이므로 웨이퍼 표면에서 식각된 파티클 일부가 웨이퍼 에지에 퇴적되는 경향이 있다. 결과적으로, 건식 세정도 역시 반도체 소자의 수율을 저하시키는 결점을 가지고 있다.
건식 세정시 사용되는 기존의 플라즈마 토치는 플라즈마 제트(plasma jet) 타입이다. 이 타입에서는 애노드(anode)와 캐소드(cathode) 전극 사이에 전장을 인가하여 두 전극 사이에 50 ~ 10,000 A 정도의 아크전류와 대기압 운전 조건에서 1,000 ~ 15,000℃와 500 ~ 2,000 m/s 의 제트 불꽃이 발생된다. 이러한 높은 플라즈마 온도는 전극에 영향을 미쳐 전극 오염에 의한 금속 이온이 발생하는데 이러한 이온이 웨이퍼를 오염시키는 문제점이 있다. 또한, 플라즈마 토치 끝부분의 온도는 약 4000K 정도이므로 이러한 고온은 웨이퍼에 직접적으로 영향을 미치게 된다. 이러한 점들 때문에 플라즈마 제트 방식은 웨이퍼 에지 식각에 적합하지 않다.
이에 본 발명은 상기한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 웨이퍼 에지부에 퇴적되는 파티클을 효과적으로 제거할 수 있는 웨이퍼 에지 식각 장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 식각 장치는, 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치를 이용하여 웨이퍼 에지부를 식각하는 것을 특징으로 한다.
상기 특징을 구현하기 위한 본 발명의 일 태양에 따른 웨이퍼 에지 식각 장치는, 웨이퍼 에지부를 식각하는 웨이퍼 에지 식각 장치에 있어서, 상기 식각은 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치를 사용하되, 상기 제1 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 웨이퍼 전면의 에지부를 식각하고, 상기 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 웨이퍼 배면의 에지부를 식각하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 웨이퍼 에지부에 플라즈마를 분사하도록 고정되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치 중 어느 하나는 웨이퍼 에지 측벽쪽으로 이동되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 웨이퍼 에지부에 플라즈마를 분사하도록 고정되고, 상기 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 웨이퍼 에지 측벽쪽으로 이동되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 경사져 있는 것을 특징으로 한다.
상기 특징을 구현하기 위한 본 발명의 다른 태양에 따른 웨이퍼 에지 식각 장치는, 웨이퍼가 장착되어 식각 공정이 진행되는 공정 챔버; 웨이퍼를 지지하며 회전되는 척; 웨이퍼 전면의 에지부에 플라즈마를 분사하는 제1 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치; 웨이퍼 배면의 에지부에 플라즈마를 분사하는 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치; 및 상기 척의 측면에 설비되어 상기 챔버내의 배기 가스를 외부로 배출하는 배기 라인을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치 중 어느 하나는 웨이퍼의 에지 측벽쪽으로 이동되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 웨이퍼 전면의 에지부에 플라즈마를 분사하도록 고정되고, 상기 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 웨이퍼 에지의 측벽쪽으로 이동되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 무빙 시스템에 연결되어 웨이퍼와의 이격 거리가 조정되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 경사져 있는 것을 특징으로 한다.
상기 척은 진공 흡착으로 웨이퍼를 지지하는 것을 특징으로 하며, 스핀 모터에 의해 회전되는 것을 특징으로 한다.
상기 챔버는 상기 챔버 내부로 질소 가스를 유입시키는 유입관을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치에서 분사되는 플라즈마의 온도는 150℃ ~ 300℃ 인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치에서 분사되는 고효율의 균일한 플라즈마로써 웨이퍼 양면의 에지부를 식각함으로써 효과적인 파티클 제거를 이룰 수 있게 된다.
이하, 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 식각 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명과 종래 기술과 비교한 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 식각 장치는 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 식각 장치는 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다. 도면에 있어서 동일한 참조부호는 다양한 도면을 통해서 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 식각 장치를 도시한 단면도이고, 도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 식각 장치에 있어서 고정된 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치에 의한 웨이퍼 에지 식각 공정을 설명하기 위한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 식각 장치에 있어서 경사진 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치에 의한 웨이퍼 에지 식각 공정을 설명하기 위한 사시도이고, 도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 식각 장치에 있어서 이동성 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치에 의한 웨이퍼 에지 식각 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 식각 장치에 있어서 상압 마이크로웨이브 플라즈마 시스템을 설명하기 위한 단면도이다.
(실시예)
도 1을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 식각 장치는, 공정 챔버(200)의 척(210)에 장착되는 웨이퍼(300) 전면과 배면의 에지부 각각을 제1 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치(410)와 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치(420)로부터 분사되는 고효율의 균일한 플라즈마로 식각하는 장치이다.
소정의 유입관(220)을 통해 질소 가스가 공급되는 공정 챔버(200)에서는 웨이퍼(300)가 장착되어 웨이퍼 에지부에 대한 식각 공정이 상압(760 Torr) 분위기에서 진행된다. 그러므로, 공정 챔버(200) 내부를 진공상태로 만들기 위한 진공펌프는 필요가 없다.
웨이퍼(300)는 척(210) 상에 놓이는데 척(210)은 진공 흡착으로 웨이퍼(300)를 고정 지지한다. 또한, 척(210)은 스핀 모터(230)에 연결되어 있어 스핀 모터(230)의 구동력을 전달받아 회전된다. 따라서, 식각 공정시 척(210) 상에 놓이는 웨이퍼(300)도 회전하게 된다. 척(210)의 직경은 웨이퍼(300)의 직경보다 작아서 웨이퍼(300)의 에지부, 특히 배면의 에지부가 충분히 드러날 수 있는 것이 바람직하다.
제1 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치(410)와 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치(420)는 에너지 전달 효율이 높고 고밀도의 균일한 플라즈마를 방출함으로써 웨이퍼(300)의 에지부를 식각한다. 여기서, 웨이퍼(300)의 전면 에지부는 제1 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치(410)로부터 분사되는 플라즈마에 의해 식각되고, 웨이퍼(300)의 배면 에지부는 제2 상압 마이크로 플라즈마 토치(420)로부터 분사되는 플라즈마에 의해 식각된다.
플라즈마(plasma)란 이온화된 가스 상태를 의미하는데, 이러한 플라즈마는 다음과 같은 구조로 된 상압 마이크로웨이브 플라즈마 시스템에서 생성된다. 다음의 구조는 상압 마이크로웨이브 플라즈마 시스템의 한 예이며 이와는 다른 구조도 가능하다.
도 5를 참조하여, 제1 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치(410)를 포함하는 상압 마이크로웨이브 플라즈마 시스템은 마이크로웨이브 공급원인 마그네트론(414;Magnetron)과, 마그네트론(414)에 요구되는 고전압을 발생시키는 전원부(102)와, 마그네트론(414)에 인가되는 전압의 크기를 조절하여 마그네트론(414)의 출력을 제어하는 제어기(106)와, 마이크로웨이브의 반사로부터 마그네트론(414)을 보호하는 분리기(108;Isolator)와, 입사방향과 반사방향의 출력을 감지하는 방향성 결합기(110;Directional coupler)와, 임피던스 정합(Impedence matching)을 위한 3중 막대 튜너(412;3-stub tuner)와, 플라즈마 방전영역이 포함된 도파관(116;Waveguide)과, 도판관(116)에 여기되는 전장의 세기를 증가시키는 테이퍼진 도판관(114;tapered waveguide) 및 점화전극(120)을 포함하여 구성된다. 여기서, 토치(410)에는 여러 종류의 반응가스(예;O2, N2, Ar, CF4, C2 F6 등)가 공급된다. 본 실시예의 토치(410)는 전극이 없고 플라즈마의 온도는 약 150 ~ 300℃ 정도이므로 전극 오염이 발생하지 않는 구조이다. 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치(420)의 경우도 이와 같다.
이상과 같이, 상압 마이크로웨이브 플라즈마 시스템은 760 Torr의 상압에서 기인한 높은 플라즈마 밀도(예;1012 ~ 1015 수/cm3)와, 파워 소스(power source)로서 사용되는 GHz 영역의 고주파(예;2.45 GHz) 마이크로웨이브(microwave)에 의한 상압 방전이 용이하여 고효율의 균일한 플라즈마를 형성시킬 수 있는 장점이 있다. 그리고, 상압 조건에서 플라즈마를 형성하므로 진공 장비가 필요없다.
도 1을 다시 참조하여, 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치 각각(410,420)은 소정의 무빙 시스템(416,426)에 연결되어 웨이퍼(300)와의 이격 거리가 임의대로 조정된다.
배기 펌프(242)가 구비된 배기관(240)은 척(210)의 측면에 설비되는 것이 웨이퍼(300)로부터 나오는 파티클을 신속하게 외부로 배출하는데 바람직하다.
웨이퍼(300) 에지부에 대한 식각은 다음과 같이 진행된다.
회전척(210)에 올려진 웨이퍼(300)는 진공흡착에 의해 회전척(210) 상에 고정 지지된다. 웨이퍼(300)가 장착되면 식각 공정을 위해 스핀 모터(230)에 의해 회전척(210)이 회전된다. 그리고, 제1 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치(410)는 웨이퍼(300) 전면의 에지부로 플라즈마를 분사하도록 고정되며, 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치(420)는 웨이퍼(300) 배면의 에지부로 플라즈마를 분사하도록 고정된다. 이에 따라, 도 2에 도시된 바와 같이, 회전되는 웨이퍼(300)의 전면 및 배면 에지부는 각각 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치 각각(410,420)으로부터 분사되는 플라즈마에 의해 식각된다.
한편, 플라즈마는 웨이퍼(300)의 표면에 대해 수직하는 방향으로 분사된다. 이에 따라, 웨이퍼(300)의 회전에 의해 플라즈마 흔들림 현상이 있을 수 있다. 따라서, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치 각각(410,420)이 경사져 있으면 플라즈마는 웨이퍼(300) 표면에 일정 각도로 경사져 분사되므로 플라즈마 흔들림 현상없이 식각 공정을 진행할 수 있는 장점이 있다. 각각의 토치(410,420)는 웨이퍼(300)의 회전방향을 고려하여 플라즈마 흔들림 현상이 생기지 않는 방향으로 경사져 있는 것이 바람직하다.
웨이퍼 에지부에 대한 식각 공정시 웨이퍼 에지 측벽상에 있는 파티클이 완전히 제거되지 아니하고 잔류할 수 있다. 이에 따라, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치(410,420) 중에서 어느 하나, 예를 들어, 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치(420)를 웨이퍼(300) 에지 측벽쪽으로 이동 가능하게 할 수 있다. 이렇게 함으로써 웨이퍼(300) 에지부 뿐만 아니라 에지부 측벽상에 잔류하는 파티클(310)을 용이하게 제거할 수 있다. 도 4의 (A)는 토치(420)가 경사져 있지 아니한 경우이고 도 4의 (B)는 경사져 있는 경우를 각각 나타낸다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 식각 장치에 따르면, 고효율의 균일한 플라즈마를 웨이퍼 양면의 에지부에 분사함으로써 효과적인 파티클 제거를 이룰 수 있게 되어 반도체 소자의 수율이 향상되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 식각 장치를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 식각 장치에 있어서 고정된 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치에 의한 웨이퍼 에지 식각 공정을 설명하기 위한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 식각 장치에 있어서 경사진 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치에 의한 웨이퍼 에지 식각 공정을 설명하기 위한 사시도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 식각 장치에 있어서 이동성 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치에 의한 웨이퍼 에지 식각 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지 식각 장치에 있어서 상압 마이크로웨이브 플라즈마 시스템을 설명하기 위한 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
200; 공정 챔버 210; 회전척
220; 유입관 230; 스핀 모터
240; 배기관 242; 배기 펌프
300; 웨이퍼 410; 제1 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치
420; 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치
412,422; 튜너 414,424; 마그네트론
416,426; 무빙 시스템

Claims (15)

  1. 웨이퍼 에지부를 식각하는 웨이퍼 에지 식각 장치에 있어서,
    상기 식각은 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치를 사용하되,
    상기 제1 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 웨이퍼 전면의 에지부를 식각하고, 상기 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 웨이퍼 배면의 에지부를 식각하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 웨이퍼 에지부에 플라즈마를 분사하도록 고정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치 중 어느 하나는 웨이퍼 에지 측벽쪽으로 이동되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 경사져 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 웨이퍼 에지부에 플라즈마를 분사하도록 고정되고, 상기 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 웨이퍼 에지 측벽쪽으로 이동되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 경사져 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.
  7. 웨이퍼가 장착되어 식각 공정이 진행되는 공정 챔버;
    웨이퍼를 지지하며 회전되는 척;
    웨이퍼 전면의 에지부에 플라즈마를 분사하는 제1 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치;
    웨이퍼 배면의 에지부에 플라즈마를 분사하는 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치; 및
    상기 척의 측면에 설비되어 상기 챔버내의 배기 가스를 외부로 배출하는 배기 라인;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치 중 어느 하나는 웨이퍼의 에지 측벽쪽으로 이동되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제1 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 웨이퍼 전면의 에지부에 플라즈마를 분사하도록 고정되고, 상기 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 웨이퍼 에지의 측벽쪽으로 이동되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.
  10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 무빙 시스템에 연결되어 웨이퍼와의 이격 거리가 조정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.
  11. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치는 경사져 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 척은 진공 흡착으로 웨이퍼를 지지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 척은 스핀 모터에 의해 회전되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.
  14. 제7항에 있어서,
    상기 챔버는 상기 챔버 내부로 질소 가스를 유입시키는 유입관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.
  15. 제7항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 상압 마이크로웨이브 플라즈마 토치에서 분사되는 플라즈마의 온도는 150℃ ~ 300℃ 인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.
KR10-2003-0084141A 2003-11-25 2003-11-25 웨이퍼 에지 식각 장치 KR100506630B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0084141A KR100506630B1 (ko) 2003-11-25 2003-11-25 웨이퍼 에지 식각 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0084141A KR100506630B1 (ko) 2003-11-25 2003-11-25 웨이퍼 에지 식각 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050050412A KR20050050412A (ko) 2005-05-31
KR100506630B1 true KR100506630B1 (ko) 2005-08-10

Family

ID=38665911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0084141A KR100506630B1 (ko) 2003-11-25 2003-11-25 웨이퍼 에지 식각 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100506630B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101121078B1 (ko) * 2009-02-25 2012-06-12 권오경 플라즈마를 이용한 어닐링 장치
KR102400863B1 (ko) * 2015-07-27 2022-05-24 삼성디스플레이 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용하여 기판을 플라즈마 처리하는 방법
KR102225958B1 (ko) * 2019-06-05 2021-03-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050050412A (ko) 2005-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101291347B1 (ko) 기판에서 불소계 폴리머를 제거하기 위한 장치 및 그를위한 방법
US7572737B1 (en) Apparatus and methods for adjusting an edge ring potential substrate processing
JP4152895B2 (ja) 半導体ウェーハ乾式蝕刻用電極
JP3647530B2 (ja) 平行電極エッチングの操作のための上段電極
WO2006031452A2 (en) Apparatus for the optimization of atmospheric plasma in a plasma processing system
US20120145186A1 (en) Plasma processing apparatus
JP2003234340A (ja) 高周波プラズマ処理方法及び高周波プラズマ処理装置
WO2007038054A2 (en) Apparatus for the removal of an edge polymer from a substrate and methods therefor
JP2005508078A (ja) 高アスペクト比形態のエッチング方法
WO2000013230A1 (en) Techniques for forming contact holes through to a silicon layer of a substrate
KR100986023B1 (ko) 바이어스 제어 장치
KR100506630B1 (ko) 웨이퍼 에지 식각 장치
JP4387801B2 (ja) 半導体ウェーハの乾式蝕刻方法
KR100384789B1 (ko) 반도체 제조용 플라즈마 식각장치
KR100603099B1 (ko) 플라즈마 처리 방법 및 장치
JP7296678B2 (ja) セラミック給気部に無線周波数を接続した洗浄装置
KR100706663B1 (ko) 플라즈마 처리장치
JP4231362B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2004111949A (ja) プラズマ処理方法及び装置
JP2004335789A (ja) 基板処理装置のクリーニング方法
JP2948053B2 (ja) プラズマ処理方法
JP2005064062A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR101002335B1 (ko) 상압 플라즈마 처리 장치
KR20010081035A (ko) 플라즈마 에칭 장치
US20020168814A1 (en) Plasma processing method and apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130724

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140717

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee