JP2004111949A - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
プラズマ処理方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004111949A JP2004111949A JP2003303356A JP2003303356A JP2004111949A JP 2004111949 A JP2004111949 A JP 2004111949A JP 2003303356 A JP2003303356 A JP 2003303356A JP 2003303356 A JP2003303356 A JP 2003303356A JP 2004111949 A JP2004111949 A JP 2004111949A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- plate
- electrode
- discharge
- exhaust port
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】 所望の微細線状部分を精度良く加工するプラズマ処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】 板状電極と隣接する位置に板状絶縁物を配置させた状態で、板状電極の周囲に配置されかつ板状絶縁物で囲まれて形成されかつ板状電極との距離が異なる少なくとも2系統のガス排気口のうち、板状電極から近い距離にあるガス排気口より不活性ガスを含む放電用ガスを被処理物の近傍に供給し、他のガス排気口より被処理物の近傍に放電制御用ガスを供給しつつ、板状電極又は被処理物に電力を供給して被処理物のプラズマ処理を行う。
【選択図】図1
Description
0mm<k−m≦1mm
である状態で、プラズマで上記被処理物のプラズマ処理を行うようにした第10の態様に記載のプラズマ処理方法を提供する。
上記板状電極と隣接する位置であり、且つ上記板状電極の被処理物と対向する面の一部を覆わない位置に配置された板状絶縁物と、
上記板状電極又は上記被処理物に電力を供給する電力供給装置と、
上記板状電極の近傍に、上記板状電極との距離が異なる少なくとも2つのガス排気口のうち、上記板状電極から近い距離にあるガス排気口に、不活性ガスを含む放電用ガスを供給する放電用ガス供給装置と、
上記板状電極の近傍に、上記板状電極との距離が異なる上記少なくとも2つのガス排気口のうち、上記板状電極から遠い距離にあるガス排気口に、上記不活性ガスよりも放電開始電圧の大きい放電制御用ガスを供給する放電制御用ガス供給装置とを備えるプラズマ処理装置を提供する。
0mm<k−m≦1mm
である第16の態様に記載のプラズマ処理装置を提供する。
2 板状絶縁物
3 板状絶縁物
4 板状絶縁物
5 板状絶縁物
7 ガス排気口
9 ガス排気口
12 被処理物
13 高周波電源
Claims (17)
- 大気圧近傍の圧力において、被処理物に対向配置可能な板状電極と隣接する位置に板状絶縁物を配置させた状態で、上記板状電極の周囲に配置されかつ上記板状絶縁物で囲まれて形成されかつ上記板状電極との距離が異なる少なくとも2系統のガス排気口のうち、上記板状電極から近い距離にある上記ガス排気口より不活性ガスを含む放電用ガスを上記被処理物の近傍に供給するとともに、他の上記ガス排気口より上記被処理物の近傍に放電制御用ガスを供給しつつ、上記板状電極又は上記被処理物に電力を供給して上記被処理物のプラズマ処理を行うプラズマ処理方法。
- 上記少なくとも2系統のガス排気口の内、上記板状電極から遠い距離にある上記ガス排気口より供給される上記放電制御用ガスは、上記不活性ガスよりも放電開始電圧の大きいガスを含む請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 上記板状電極から近い距離にある上記放電用ガスの上記ガス排気口の線方向の開口長さが、上記板状電極から遠い距離にある上記放電制御用ガスの上記ガス排気口の線方向の開口長さよりも小さいことにより、上記放電用ガスの上記ガス排気口から排気される上記放電用ガスの周囲に、上記放電制御用ガスの上記ガス排気口から排気される上記放電制御用ガスを存在させながら上記被処理物の上記プラズマ処理を行う請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 上記不活性ガスは、He、Ar、Ne、Xeのいずれかである請求項1〜3のいずれか1つに記載のプラズマ処理方法。
- 上記不活性ガスよりも上記放電開始電圧の大きい上記放電制御用ガスは、反応性・エッチング性ガスとしてのSF6、CF4などのCxFy(x及びyは自然数)、NF3、O2、Cl2、HBr等のハロゲン含有ガスである請求項1〜3のいずれか1つに記載のプラズマ処理方法。
- 上記不活性ガスよりも上記放電開始電圧の大きい上記放電制御用ガスは、He濃度が50%未満のガスである状態で、プラズマで上記被処理物のプラズマ処理を行うようにした請求項1〜3のいずれか1つに記載のプラズマ処理方法。
- 上記不活性ガスよりも上記放電開始電圧の大きい上記放電制御用ガスは、上記板状電極から遠い距離にあるガス排気口の近傍における放電を抑制する性質を持つガスである状態で、プラズマで上記被処理物のプラズマ処理を行うようにした請求項1〜3のいずれか1つに記載のプラズマ処理方法。
- 上記不活性ガスよりも上記放電開始電圧の大きい上記放電制御用ガスは、そのガスを流さない場合と比べて、線状放電の幅が細くなる性質を持つガスである状態で、プラズマで上記被処理物のプラズマ処理を行うようにした請求項1〜3のいずれか1つに記載のプラズマ処理方法。
- 上記板状絶縁物の上記被処理物と対向する面の一部がテーパー部を有する状態で、プラズマで上記被処理物のプラズマ処理を行うようにした、請求項1〜8のいずれか1つに記載のプラズマ処理方法。
- 上記被処理物と上記板状電極から遠い距離にある上記放電制御用ガスの上記ガス排気口のなす距離が、上記被処理物と、上記板状電極から近い距離にある上記放電用ガスの上記ガス排気口とのなす距離よりも小さい状態で、プラズマで上記被処理物のプラズマ処理を行うようにした請求項1〜9のいずれか1つに記載のプラズマ処理方法。
- 上記被処理物と、上記板状電極から遠い距離にある上記放電制御用ガスの上記ガス排気口とのなす距離をm、上記被処理物と、上記板状電極から近い距離にある上記放電用ガスの上記ガス排気口とのなす距離をkとして、
0mm<k−m≦1mm
である状態で、プラズマで上記被処理物のプラズマ処理を行うようにした請求項10に記載のプラズマ処理方法。 - 板状電極と、
上記板状電極と隣接する位置であり、且つ上記板状電極の被処理物と対向する面の一部を覆わない位置に配置された板状絶縁物と、
上記板状電極又は上記被処理物に電力を供給する電力供給装置と、
上記板状電極の近傍に、上記板状電極との距離が異なる少なくとも2つのガス排気口のうち、上記板状電極から近い距離にあるガス排気口に、不活性ガスを含む放電用ガスを供給する放電用ガス供給装置と、
上記板状電極の近傍に、上記板状電極との距離が異なる上記少なくとも2つのガス排気口のうち、上記板状電極から遠い距離にあるガス排気口に、上記不活性ガスよりも放電開始電圧の大きい放電制御用ガスを供給する放電制御用ガス供給装置とを備えるプラズマ処理装置。 - 上記板状電極の少なくとも上記被処理物と対向する面が、テーパー部を備える請求項12に記載のプラズマ処理装置。
- 上記板状電極から近い距離にある上記放電用ガスの上記ガス排気口の線方向の開口長さが、上記板状電極から遠い距離にある上記放電制御用ガスの上記ガス排気口の線方向の開口長さよりも小さい請求項12又は13に記載のプラズマ処理装置。
- 上記板状絶縁物の上記被処理物と対向する面の一部がテーパー部を備える請求項12〜14のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。
- 上記被処理物と、上記板状電極から遠い距離にある上記放電制御用ガスの上記ガス排気口とのなす距離が、上記被処理物と、上記板状電極から近い距離にある上記放電用ガスの上記ガス排気口とのなす距離よりも小さい請求項12〜14のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。
- 上記被処理物と、上記板状電極から遠い距離にある上記放電制御用ガスの上記ガス排気口とのなす距離をm、上記被処理物と、上記板状電極から近い距離にある上記放電用ガスの上記ガス排気口とのなす距離をkとして、
0mm<k−m≦1mm
である請求項16に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003303356A JP4110062B2 (ja) | 2002-08-28 | 2003-08-27 | プラズマ処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002248246 | 2002-08-28 | ||
JP2003303356A JP4110062B2 (ja) | 2002-08-28 | 2003-08-27 | プラズマ処理方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004111949A true JP2004111949A (ja) | 2004-04-08 |
JP4110062B2 JP4110062B2 (ja) | 2008-07-02 |
Family
ID=32301232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003303356A Expired - Fee Related JP4110062B2 (ja) | 2002-08-28 | 2003-08-27 | プラズマ処理方法及び装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4110062B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005032797A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法および装置 |
JP2006179876A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置及び方法 |
JP2006186181A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エッチング装置およびエッチング方法 |
JP2009238837A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US7686971B2 (en) | 2004-11-24 | 2010-03-30 | Panasonic Corporation | Plasma processing apparatus and method |
JP2010153805A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-07-08 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜装置のクリーニング方法、プログラム、プログラムを記憶するコンピュータ可読記憶媒体 |
JP2013093266A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-16 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置及び方法 |
JP2014029998A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-02-13 | Kyocera Corp | 大気圧プラズマ発生用電極および大気圧プラズマ発生装置、ならびにそれを用いた大気圧プラズマ加工物の製造方法 |
-
2003
- 2003-08-27 JP JP2003303356A patent/JP4110062B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005032797A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法および装置 |
JP2006179876A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置及び方法 |
US7686971B2 (en) | 2004-11-24 | 2010-03-30 | Panasonic Corporation | Plasma processing apparatus and method |
JP2006186181A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エッチング装置およびエッチング方法 |
JP2009238837A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2010153805A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-07-08 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜装置のクリーニング方法、プログラム、プログラムを記憶するコンピュータ可読記憶媒体 |
JP2013093266A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-16 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置及び方法 |
JP2014029998A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-02-13 | Kyocera Corp | 大気圧プラズマ発生用電極および大気圧プラズマ発生装置、ならびにそれを用いた大気圧プラズマ加工物の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4110062B2 (ja) | 2008-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5330606A (en) | Plasma source for etching | |
JP4827081B2 (ja) | プラズマエッチング方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
US20210134604A1 (en) | Etching method | |
US20220051904A1 (en) | Etching method | |
KR101449081B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
TWI618145B (zh) | 電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置 | |
EP3086356B1 (en) | Method for etching organic film | |
US7604849B2 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
KR970005035B1 (ko) | 플라즈마발생방법 및 그 장치 | |
US11462412B2 (en) | Etching method | |
KR20090129417A (ko) | 유전체 커버를 갖는 에지 전극 | |
TWI722187B (zh) | 蝕刻方法 | |
US9330935B2 (en) | Plasma etching method and plasma etching apparatus | |
TWI690993B (zh) | 成膜裝置及成膜方法 | |
KR20160134537A (ko) | 에칭 방법 | |
JP2004111949A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
US7465407B2 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
JP4387801B2 (ja) | 半導体ウェーハの乾式蝕刻方法 | |
JP2023053351A (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20220139719A1 (en) | Etching method and plasma processing apparatus | |
JP2851765B2 (ja) | プラズマ発生方法およびその装置 | |
JP4865951B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
JPH0864585A (ja) | プラズマ発生加工方法およびその装置 | |
US11658040B2 (en) | Plasma processing method | |
JP3858804B2 (ja) | 加工方法及び装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060719 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061206 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070410 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071113 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080311 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080407 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120411 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130411 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130411 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140411 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |