JP4110062B2 - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
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Description
0mm<k−m≦1mm
である状態で、プラズマで上記被処理物のプラズマ処理を行うようにした第5の態様に記載のプラズマ処理方法を提供する。
上記板状電極と隣接する位置でかつ上記板状電極の外側に配置されるとともに、且つ上記板状電極の被処理物と対向する面の一部を覆わない位置に配置された第1板状絶縁物と、
上記第1板状絶縁物の外側に配置された矩形枠体である第2板状絶縁物と、
上記板状電極又は上記被処理物に電力を供給する電力供給装置と、
上記板状電極の外側に上記第1板状絶縁物が配置され、さらに上記第1板状絶縁物の外側に矩形枠体である上記第2板状絶縁物が配置されることにより形成された、少なくとも2つのガス排気口のうち、上記板状電極の外側に配置された上記板状絶縁物と上記板状電極との間に形成されて上記板状電極から近い距離にあるガス排気口に、不活性ガスを含む放電用ガスを供給する放電用ガス供給装置と、
上記少なくとも2つのガス排気口のうち、上記板状電極の外側に配置された上記板状絶縁物と上記矩形枠体の板状絶縁物との間に形成されて上記板状電極から遠い距離にある上記ガス排気口に、SF 6 、CF 4 、NF 3 、O 2 、Cl 2 、HBrのいずれかである放電制御用ガスを供給する放電制御用ガス供給装置とを備えるプラズマ処理装置を提供する。
0mm<k−m≦1mm
である第10の態様に記載のプラズマ処理装置を提供する。
2 板状絶縁物
3 板状絶縁物
4 板状絶縁物
5 板状絶縁物
7 ガス排気口
9 ガス排気口
12 被処理物
13 高周波電源
Claims (11)
- 大気圧近傍の圧力において、被処理物に対向配置可能な板状電極と隣接する位置でかつ上記板状電極の外側に板状絶縁物を配置し、さらに上記板状絶縁物の外側に矩形枠体である板状絶縁物を配置させることにより形成された少なくとも2系統のガス排気口のうち、上記板状電極の外側に配置された上記板状絶縁物と上記板状電極との間に形成されて上記板状電極から近い距離にある上記ガス排気口より不活性ガスを含む放電用ガスを上記被処理物の近傍に供給するとともに、上記板状電極の外側に配置された上記板状絶縁物と上記矩形枠体の板状絶縁物との間に形成されて上記板状電極から遠い距離にある上記ガス排気口より上記被処理物の近傍に、SF 6 、CF 4 、NF 3 、O 2 、Cl 2 、HBrのいずれかである放電制御用ガスを供給しつつ、上記板状電極又は上記被処理物に電力を供給して上記被処理物のプラズマ処理を行うプラズマ処理方法。
- 上記板状電極から近い距離にある上記放電用ガスの上記ガス排気口の線方向の開口長さが、上記板状電極から遠い距離にある上記放電制御用ガスの上記ガス排気口の線方向の開口長さよりも小さいことにより、上記放電用ガスの上記ガス排気口から排気される上記放電用ガスの周囲に、上記放電制御用ガスの上記ガス排気口から排気される上記放電制御用ガスを存在させながら上記被処理物の上記プラズマ処理を行う請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 上記不活性ガスは、He、Ar、Ne、Xeのいずれかである請求項1又は2に記載のプラズマ処理方法。
- 上記放電制御用ガスは、He濃度が50%未満のガスである状態で、プラズマで上記被処理物のプラズマ処理を行うようにした請求項1又は2に記載のプラズマ処理方法。
- 上記被処理物と上記板状電極から遠い距離にある上記放電制御用ガスの上記ガス排気口のなす距離が、上記被処理物と、上記板状電極から近い距離にある上記放電用ガスの上記ガス排気口とのなす距離よりも小さい状態で、プラズマで上記被処理物のプラズマ処理を行うようにした請求項1〜4のいずれか1つに記載のプラズマ処理方法。
- 上記被処理物と、上記板状電極から遠い距離にある上記放電制御用ガスの上記ガス排気口とのなす距離をm、上記被処理物と、上記板状電極から近い距離にある上記放電用ガスの上記ガス排気口とのなす距離をkとして、
0mm<k−m≦1mm
である状態で、プラズマで上記被処理物のプラズマ処理を行うようにした請求項5に記載のプラズマ処理方法。 - 板状電極と、
上記板状電極と隣接する位置でかつ上記板状電極の外側に配置されるとともに、且つ上記板状電極の被処理物と対向する面の一部を覆わない位置に配置された第1板状絶縁物と、
上記第1板状絶縁物の外側に配置された矩形枠体である第2板状絶縁物と、
上記板状電極又は上記被処理物に電力を供給する電力供給装置と、
上記板状電極の外側に上記第1板状絶縁物が配置され、さらに上記第1板状絶縁物の外側に矩形枠体である上記第2板状絶縁物が配置されることにより形成された、少なくとも2つのガス排気口のうち、上記板状電極の外側に配置された上記板状絶縁物と上記板状電極との間に形成されて上記板状電極から近い距離にあるガス排気口に、不活性ガスを含む放電用ガスを供給する放電用ガス供給装置と、
上記少なくとも2つのガス排気口のうち、上記板状電極の外側に配置された上記板状絶縁物と上記矩形枠体の板状絶縁物との間に形成されて上記板状電極から遠い距離にある上記ガス排気口に、SF 6 、CF 4 、NF 3 、O 2 、Cl 2 、HBrのいずれかである放電制御用ガスを供給する放電制御用ガス供給装置とを備えるプラズマ処理装置。 - 上記板状電極の少なくとも上記被処理物と対向する面が、テーパー部を備える請求項7に記載のプラズマ処理装置。
- 上記板状電極から近い距離にある上記放電用ガスの上記ガス排気口の線方向の開口長さが、上記板状電極から遠い距離にある上記放電制御用ガスの上記ガス排気口の線方向の開口長さよりも小さい請求項7又は8に記載のプラズマ処理装置。
- 上記被処理物と、上記板状電極から遠い距離にある上記放電制御用ガスの上記ガス排気口とのなす距離が、上記被処理物と、上記板状電極から近い距離にある上記放電用ガスの上記ガス排気口とのなす距離よりも小さい請求項7〜9のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。
- 上記被処理物と、上記板状電極から遠い距離にある上記放電制御用ガスの上記ガス排気口とのなす距離をm、上記被処理物と、上記板状電極から近い距離にある上記放電用ガスの上記ガス排気口とのなす距離をkとして、
0mm<k−m≦1mm
である請求項10に記載のプラズマ処理装置。
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