JP2002043094A - プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波電力を導入する誘電体窓に堆積した堆
積物を真空室を大気開放せずにクリーニングできるプラ
ズマ源及びそのクリーニング方法を提供する。 【解決手段】 真空室１１とプラズマ発生手段１３とプ
ラズマより出るイオンの速度を調整する複数枚のグリッ
ド電極１５を備え、真空室１１のプラズマ発生手段１３
と面する部分に誘電体窓１２を設けたプラズマ源３にお
いて、真空室１１内で、誘電体窓１２とグリッド電極１
５の間に遮蔽板１７を挿入したままでプラズマを発生さ
せ、誘電体窓１２に付着した堆積物をスパッタさせて除
去するようにした。
積物を真空室を大気開放せずにクリーニングできるプラ
ズマ源及びそのクリーニング方法を提供する。 【解決手段】 真空室１１とプラズマ発生手段１３とプ
ラズマより出るイオンの速度を調整する複数枚のグリッ
ド電極１５を備え、真空室１１のプラズマ発生手段１３
と面する部分に誘電体窓１２を設けたプラズマ源３にお
いて、真空室１１内で、誘電体窓１２とグリッド電極１
５の間に遮蔽板１７を挿入したままでプラズマを発生さ
せ、誘電体窓１２に付着した堆積物をスパッタさせて除
去するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ処理装置及
びそのクリーニング方法に関するものである。
びそのクリーニング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高周波やマイクロ波を印加することによ
りプラズマを発生させて処理を行うプラズマ処理装置は
様々な利用がなされている。イオンをターゲットに高エ
ネルギーで衝突させることでスパッタリング現象を生じ
させ、ターゲットに対向する面に置かれた基板に薄膜を
堆積させるスパッタリングや、イオンを基板に衝突させ
ることで基板表面を加工するドライエッチングやイオン
ミリングなどの例があげられる。
りプラズマを発生させて処理を行うプラズマ処理装置は
様々な利用がなされている。イオンをターゲットに高エ
ネルギーで衝突させることでスパッタリング現象を生じ
させ、ターゲットに対向する面に置かれた基板に薄膜を
堆積させるスパッタリングや、イオンを基板に衝突させ
ることで基板表面を加工するドライエッチングやイオン
ミリングなどの例があげられる。
【０００３】プラズマ処理装置におけるプラズマ発生部
をイオンビームソースに構成したイオンビームスパッタ
の従来例を、図１０、図１１を参照して説明する。
をイオンビームソースに構成したイオンビームスパッタ
の従来例を、図１０、図１１を参照して説明する。
【０００４】図１０において、２１は真空処理室、２２
はその排気口、２３はイオンビームソース、２４はター
ゲット、２５は処理すべき基板である。真空処理室２１
内でターゲット２４の表面と基板２５が対向するように
配設され、イオンビームソース２３より加速されて放出
されるＡｒイオン２６がターゲット２４の表面にぶつか
って、ターゲット２４の原子がスパッタされ、スパッタ
粒子２７が飛び出す。このスパッタ粒子２７が基板２５
上に付着し、薄膜が形成される。
はその排気口、２３はイオンビームソース、２４はター
ゲット、２５は処理すべき基板である。真空処理室２１
内でターゲット２４の表面と基板２５が対向するように
配設され、イオンビームソース２３より加速されて放出
されるＡｒイオン２６がターゲット２４の表面にぶつか
って、ターゲット２４の原子がスパッタされ、スパッタ
粒子２７が飛び出す。このスパッタ粒子２７が基板２５
上に付着し、薄膜が形成される。
【０００５】イオンビームソース２３は、図１１に示す
ように、真空室３１と、通常アルミナ等の誘電体から成
る誘電体窓３２と、ＲＦ印加アンテナ３３と、真空室３
１にＡｒガスを導入するガス導入口３４と、複数枚のグ
リッド電極３５にて構成されている。真空室３１と誘電
体窓３２とグリッド電極３５で囲まれた空間にガス導入
口３４よりマスフローコントローラで制御されたＡｒ等
のガスを導入し、誘電体窓３２の外側よりＲＦ印加アン
テナ３３を用いて高周波電力を投入することにより、真
空室３１と誘電体窓３２とグリッド電極３５で囲まれた
空間に高周波と誘導結合したプラズマ３６が生じる。そ
して、グリッド電極３５に印加する電圧をコントロール
することにより、プラズマ中からＡｒイオン２６を引き
出し、加速してイオンビームとして真空処理室２１に向
けて放出し、かつそのビーム径を調整することができ
る。
ように、真空室３１と、通常アルミナ等の誘電体から成
る誘電体窓３２と、ＲＦ印加アンテナ３３と、真空室３
１にＡｒガスを導入するガス導入口３４と、複数枚のグ
リッド電極３５にて構成されている。真空室３１と誘電
体窓３２とグリッド電極３５で囲まれた空間にガス導入
口３４よりマスフローコントローラで制御されたＡｒ等
のガスを導入し、誘電体窓３２の外側よりＲＦ印加アン
テナ３３を用いて高周波電力を投入することにより、真
空室３１と誘電体窓３２とグリッド電極３５で囲まれた
空間に高周波と誘導結合したプラズマ３６が生じる。そ
して、グリッド電極３５に印加する電圧をコントロール
することにより、プラズマ中からＡｒイオン２６を引き
出し、加速してイオンビームとして真空処理室２１に向
けて放出し、かつそのビーム径を調整することができ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、空室３
１の一部に設けた誘電体窓３２を通過させて真空室３１
内に高周波やマイクロ波を供給してプラズマ３６を発生
させるようにしたイオンビームソース２３などを用いた
プラズマ処理装置において、処理に伴って誘電体窓３２
に堆積物が堆積し、高周波やマイクロ波の供給を妨げる
場合がある。例えば、ＲＦ励起イオンビームソース２３
の場合、プラズマ３６中のイオンがグリッド電極３５で
加速されて真空処理室２１内に供給されるのであるが、
イオンの一部はグリッド電極３５に高エネルギーで衝突
し、このときのスパッタリング現象により、グリッド電
極材料自身が真空室３１内に飛散する。
１の一部に設けた誘電体窓３２を通過させて真空室３１
内に高周波やマイクロ波を供給してプラズマ３６を発生
させるようにしたイオンビームソース２３などを用いた
プラズマ処理装置において、処理に伴って誘電体窓３２
に堆積物が堆積し、高周波やマイクロ波の供給を妨げる
場合がある。例えば、ＲＦ励起イオンビームソース２３
の場合、プラズマ３６中のイオンがグリッド電極３５で
加速されて真空処理室２１内に供給されるのであるが、
イオンの一部はグリッド電極３５に高エネルギーで衝突
し、このときのスパッタリング現象により、グリッド電
極材料自身が真空室３１内に飛散する。
【０００７】グリッド電極材料は通常モリブデン等の金
属材料が用いられるが、この飛散した金属は真空室３１
の壁面に付着する。特にグリッド電極３５に対向した誘
電体窓３２壁面に多く付着する。誘電体窓３２に金属膜
が付着すると、遮蔽効果により真空室３１内部への高周
波導入が困難となる。誘電体窓３２への金属膜の付着量
は連続的に増加し、それに伴い真空室３１内部のプラズ
マと高周波印加用アンテナ３３の結合状態も変化する。
これはプロセスの不安定要因となるばかりでなく、付着
量が多くなると、真空室３１内部に高周波電力を供給で
きなくなってしまう。また、真空室３１の壁面全面にも
同様にグリッド電極材料が堆積するため、真空室３１の
どの部分から高周波を導入しても同様の問題が生じる。
属材料が用いられるが、この飛散した金属は真空室３１
の壁面に付着する。特にグリッド電極３５に対向した誘
電体窓３２壁面に多く付着する。誘電体窓３２に金属膜
が付着すると、遮蔽効果により真空室３１内部への高周
波導入が困難となる。誘電体窓３２への金属膜の付着量
は連続的に増加し、それに伴い真空室３１内部のプラズ
マと高周波印加用アンテナ３３の結合状態も変化する。
これはプロセスの不安定要因となるばかりでなく、付着
量が多くなると、真空室３１内部に高周波電力を供給で
きなくなってしまう。また、真空室３１の壁面全面にも
同様にグリッド電極材料が堆積するため、真空室３１の
どの部分から高周波を導入しても同様の問題が生じる。
【０００８】このように誘電体窓３２にグリッド電極材
料が堆積すると、真空室３１内部を大気圧に戻して誘電
体窓３２を取外し、ブラスト処理等によって堆積膜を除
去するというメンテナンスを実行する必要があり、装置
の稼働率低下の原因となっていた。また、上記イオンビ
ームソース２３を用いたスパッタリングの場合だけでな
く、金属膜をドライエッチングする場合においても同様
の問題が生じる。
料が堆積すると、真空室３１内部を大気圧に戻して誘電
体窓３２を取外し、ブラスト処理等によって堆積膜を除
去するというメンテナンスを実行する必要があり、装置
の稼働率低下の原因となっていた。また、上記イオンビ
ームソース２３を用いたスパッタリングの場合だけでな
く、金属膜をドライエッチングする場合においても同様
の問題が生じる。
【０００９】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、高周
波電力を導入する誘電体窓に堆積した堆積物を真空室を
大気開放せずにクリーニングできるプラズマ処理装置及
びそのクリーニング方法を提供することを目的としてい
る。
波電力を導入する誘電体窓に堆積した堆積物を真空室を
大気開放せずにクリーニングできるプラズマ処理装置及
びそのクリーニング方法を提供することを目的としてい
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１のプラ
ズマ処理装置は、真空室とプラズマ発生手段を備え、真
空室のプラズマ発生手段と面する部分に誘電体窓を設け
たプラズマ処理装置において、真空室内で、誘電体窓と
処理対象の基板との間に遮蔽物を挿入可能に構成したも
のである。
ズマ処理装置は、真空室とプラズマ発生手段を備え、真
空室のプラズマ発生手段と面する部分に誘電体窓を設け
たプラズマ処理装置において、真空室内で、誘電体窓と
処理対象の基板との間に遮蔽物を挿入可能に構成したも
のである。
【００１１】例えば、プラズマ発生手段としてＲＦアン
テナを用いた場合、ＲＦが導入される誘電体窓は、イオ
ンと電子の移動度の違いにより負の電圧が生じる。その
結果プラズマガス種が通常用いられるＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅ
であれば、それらの陽イオンがＲＦアンテナの方向に加
速されることになり、むしろ誘電体窓をエッチングする
傾向となるが、実際には誘電体窓上におけるグリッド材
料などの堆積レートがエッチングレートより大きいこと
によりグリッド材料などが堆積することになる。そこ
で、誘電体窓と基板との間に遮蔽物を挿入して真空室内
でプラズマを発生することにより、誘電体窓に堆積した
堆積物をスパッタして除去することができ、真空室の大
気開放を伴うメンテナンスの周期を長くすることがで
き、装置稼働率を向上することができる。
テナを用いた場合、ＲＦが導入される誘電体窓は、イオ
ンと電子の移動度の違いにより負の電圧が生じる。その
結果プラズマガス種が通常用いられるＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅ
であれば、それらの陽イオンがＲＦアンテナの方向に加
速されることになり、むしろ誘電体窓をエッチングする
傾向となるが、実際には誘電体窓上におけるグリッド材
料などの堆積レートがエッチングレートより大きいこと
によりグリッド材料などが堆積することになる。そこ
で、誘電体窓と基板との間に遮蔽物を挿入して真空室内
でプラズマを発生することにより、誘電体窓に堆積した
堆積物をスパッタして除去することができ、真空室の大
気開放を伴うメンテナンスの周期を長くすることがで
き、装置稼働率を向上することができる。
【００１２】また、請求項２のプラズマ処理装置は、真
空室とプラズマ発生手段を備え、真空室のプラズマ発生
手段と面する部分に誘電体窓を設けたプラズマ処理装置
において、誘電体窓とプラズマ発生手段との間の距離を
可変する手段を設けたものである。
空室とプラズマ発生手段を備え、真空室のプラズマ発生
手段と面する部分に誘電体窓を設けたプラズマ処理装置
において、誘電体窓とプラズマ発生手段との間の距離を
可変する手段を設けたものである。
【００１３】プラズマ発生手段としてＲＦアンテナを用
いた場合、ＲＦアンテナより発生する電磁場は誘導結合
的な成分と容量結合的な成分の強度比が、ＲＦアンテナ
からの距離によって変化することが知られている。アン
テナからの距離をｒとすると、誘導結合的な成分はｒに
反比例し、容量結合的な成分はｒの２乗に反比例する。
一方、容量結合成分の強度を強めることで誘電体窓をス
パッタする効果は強まる。よって、誘電体窓とプラズマ
発生手段の間の距離を変化させることにより、プラズマ
発生時に誘電体窓に生じる負の電圧を調整することがで
き、誘電体窓上における堆積物の堆積レートとエッチン
グレートを概ね同じに調整し、又は一定時間使用するご
とに誘電体窓上における堆積物のエッチングレートが堆
積レートより大きくなる状態に調整して堆積物をスパッ
タして除去することができる。
いた場合、ＲＦアンテナより発生する電磁場は誘導結合
的な成分と容量結合的な成分の強度比が、ＲＦアンテナ
からの距離によって変化することが知られている。アン
テナからの距離をｒとすると、誘導結合的な成分はｒに
反比例し、容量結合的な成分はｒの２乗に反比例する。
一方、容量結合成分の強度を強めることで誘電体窓をス
パッタする効果は強まる。よって、誘電体窓とプラズマ
発生手段の間の距離を変化させることにより、プラズマ
発生時に誘電体窓に生じる負の電圧を調整することがで
き、誘電体窓上における堆積物の堆積レートとエッチン
グレートを概ね同じに調整し、又は一定時間使用するご
とに誘電体窓上における堆積物のエッチングレートが堆
積レートより大きくなる状態に調整して堆積物をスパッ
タして除去することができる。
【００１４】また、請求項３のプラズマ処理装置は、真
空室とプラズマ発生手段を備え、真空室のプラズマ発生
手段と面する部分に誘電体窓を設けたプラズマ処理装置
において、誘電体窓の表面に凹凸を設けたものであり、
誘電体窓の表面積が増加し、堆積物の堆積膜厚を減少さ
せ、メンテナンスの周期を長くすることができる。
空室とプラズマ発生手段を備え、真空室のプラズマ発生
手段と面する部分に誘電体窓を設けたプラズマ処理装置
において、誘電体窓の表面に凹凸を設けたものであり、
誘電体窓の表面積が増加し、堆積物の堆積膜厚を減少さ
せ、メンテナンスの周期を長くすることができる。
【００１５】また、請求項４のプラズマ処理装置は、真
空室とプラズマ発生手段を備え、真空室のプラズマ発生
手段と面する部分に誘電体窓を設けたプラズマ処理装置
において、誘電体窓を、少なくとも２枚以上の誘電体板
を重ねて構成し、誘電体板の内少なくとも１枚に穴を設
け、それぞれの相対位置を移動可能に構成したものであ
り、誘電体窓の表面積が増加し、堆積物の堆積膜厚を減
少させ、メンテナンスの周期を長くすることができる。
空室とプラズマ発生手段を備え、真空室のプラズマ発生
手段と面する部分に誘電体窓を設けたプラズマ処理装置
において、誘電体窓を、少なくとも２枚以上の誘電体板
を重ねて構成し、誘電体板の内少なくとも１枚に穴を設
け、それぞれの相対位置を移動可能に構成したものであ
り、誘電体窓の表面積が増加し、堆積物の堆積膜厚を減
少させ、メンテナンスの周期を長くすることができる。
【００１６】また、請求項５のプラズマ処理装置は、真
空室とプラズマ発生手段とプラズマより出るイオンの速
度を調整する複数枚のグリッド電極を備え、真空室のプ
ラズマ発生手段と面する部分に誘電体窓を設けたプラズ
マ処理装置において、真空室内で、誘電体窓とグリッド
電極の間に遮蔽物を挿入可能に構成したものであり、誘
電体窓とグリッド電極の間に遮蔽物を挿入してプラズマ
を発生することにより、誘電体窓に堆積した堆積物をス
パッタして除去することができる。
空室とプラズマ発生手段とプラズマより出るイオンの速
度を調整する複数枚のグリッド電極を備え、真空室のプ
ラズマ発生手段と面する部分に誘電体窓を設けたプラズ
マ処理装置において、真空室内で、誘電体窓とグリッド
電極の間に遮蔽物を挿入可能に構成したものであり、誘
電体窓とグリッド電極の間に遮蔽物を挿入してプラズマ
を発生することにより、誘電体窓に堆積した堆積物をス
パッタして除去することができる。
【００１７】また、請求項６のプラズマ処理装置は、真
空室とプラズマ発生手段とプラズマより出るイオンの速
度を調整する複数枚のグリッド電極を備えたプラズマ処
理装置において、グリッド電極の内、少なくともプラズ
マに接する側の１枚、あるいは全てのグリッド電極の表
面の一部又は全面に、誘電体の表面コーティングを施し
たものであり、グリッド電極がスパッタされることを防
ぐことができて、誘電体窓に堆積物の堆積が生じるのを
抑制することができる。
空室とプラズマ発生手段とプラズマより出るイオンの速
度を調整する複数枚のグリッド電極を備えたプラズマ処
理装置において、グリッド電極の内、少なくともプラズ
マに接する側の１枚、あるいは全てのグリッド電極の表
面の一部又は全面に、誘電体の表面コーティングを施し
たものであり、グリッド電極がスパッタされることを防
ぐことができて、誘電体窓に堆積物の堆積が生じるのを
抑制することができる。
【００１８】また、請求項７のプラズマ処理装置のクリ
ーニング方法は、真空室とプラズマ発生手段を備え、真
空室のプラズマ発生手段と面する部分に誘電体窓を設け
たプラズマ処理装置において、発生したプラズマにて処
理する基板に０又は正の電圧をかけながら、プラズマを
発生させることで誘電体窓の表面を清浄化するものであ
り、基板をスパッタさせることなく、誘電体窓に堆積し
た堆積物をスパッタさせて除去することができる。
ーニング方法は、真空室とプラズマ発生手段を備え、真
空室のプラズマ発生手段と面する部分に誘電体窓を設け
たプラズマ処理装置において、発生したプラズマにて処
理する基板に０又は正の電圧をかけながら、プラズマを
発生させることで誘電体窓の表面を清浄化するものであ
り、基板をスパッタさせることなく、誘電体窓に堆積し
た堆積物をスパッタさせて除去することができる。
【００１９】また、請求項８のプラズマ処理装置のクリ
ーニング方法は、真空室とプラズマ発生手段とプラズマ
より出るイオンの速度を調整する複数枚のグリッド電極
を備え、真空室のプラズマ発生手段と面する部分に誘電
体窓を設けたプラズマ処理装置において、少なくとも１
枚以上のグリッド電極に０又は正の電圧をかけながら、
プラズマを発生させることで誘電体窓の表面を清浄化す
るものであり、グリッド電極をスパッタさせることな
く、誘電体窓に付着した堆積物をスパッタさせて除去す
ることができる。
ーニング方法は、真空室とプラズマ発生手段とプラズマ
より出るイオンの速度を調整する複数枚のグリッド電極
を備え、真空室のプラズマ発生手段と面する部分に誘電
体窓を設けたプラズマ処理装置において、少なくとも１
枚以上のグリッド電極に０又は正の電圧をかけながら、
プラズマを発生させることで誘電体窓の表面を清浄化す
るものであり、グリッド電極をスパッタさせることな
く、誘電体窓に付着した堆積物をスパッタさせて除去す
ることができる。
【００２０】また、請求項９のプラズマ処理装置のクリ
ーニング方法は、真空室とプラズマ発生手段を備え、真
空室のプラズマ発生手段と面する部分に誘電体窓を設け
たプラズマ処理装置において、真空室内で、誘電体窓と
処理対象の基板との間に遮蔽物を挿入したままでプラズ
マを発生させ、誘電体窓の表面を清浄化するものであ
り、基板をスパッタさせることなく、誘電体窓に付着し
た堆積物をスパッタさせて除去することができる。
ーニング方法は、真空室とプラズマ発生手段を備え、真
空室のプラズマ発生手段と面する部分に誘電体窓を設け
たプラズマ処理装置において、真空室内で、誘電体窓と
処理対象の基板との間に遮蔽物を挿入したままでプラズ
マを発生させ、誘電体窓の表面を清浄化するものであ
り、基板をスパッタさせることなく、誘電体窓に付着し
た堆積物をスパッタさせて除去することができる。
【００２１】また、請求項１０のプラズマ処理装置のク
リーニング方法は、真空室とプラズマ発生手段を備え、
真空室のプラズマ発生手段と面する部分に誘電体窓を設
け、誘電体窓とプラズマ発生手段との間の距離を可変す
る手段を設けたプラズマ処理装置において、誘電体窓と
プラズマ発生手段の間の距離を通常プロセスより近づけ
ることにより誘電体窓の表面を清浄にするものであり、
誘電体窓に付着した堆積物をスパッタさせて除去するこ
とができる。
リーニング方法は、真空室とプラズマ発生手段を備え、
真空室のプラズマ発生手段と面する部分に誘電体窓を設
け、誘電体窓とプラズマ発生手段との間の距離を可変す
る手段を設けたプラズマ処理装置において、誘電体窓と
プラズマ発生手段の間の距離を通常プロセスより近づけ
ることにより誘電体窓の表面を清浄にするものであり、
誘電体窓に付着した堆積物をスパッタさせて除去するこ
とができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明のプラズマ処理装置
をイオンビームソースを用いたスパッタ装置に適用した
一実施形態について、図１〜図７を参照して説明する。
をイオンビームソースを用いたスパッタ装置に適用した
一実施形態について、図１〜図７を参照して説明する。
【００２３】図１において、１は真空処理室、２はその
排気口、３はイオンビームソース、４はターゲット、５
は処理すべき基板である。
排気口、３はイオンビームソース、４はターゲット、５
は処理すべき基板である。
【００２４】イオンビームソース３は、図２に示すよう
に、真空室１１、誘電体窓１２、ＲＦ印加アンテナ１
３、真空室１１にＡｒガスを導入するガス導入口１４、
グリッド電極１５、副真空室１６、遮蔽板１７にて構成
されている。誘電体窓１２は、例えばアルミナ、石英な
どの誘電体を用いれば良いが、なかでもアルミナを用い
るのが好ましい。ＲＦ印加アンテナ１３は外径１００ｍ
ｍで、マッチング回路を介して高周波電源（図示せず）
に接続されている。
に、真空室１１、誘電体窓１２、ＲＦ印加アンテナ１
３、真空室１１にＡｒガスを導入するガス導入口１４、
グリッド電極１５、副真空室１６、遮蔽板１７にて構成
されている。誘電体窓１２は、例えばアルミナ、石英な
どの誘電体を用いれば良いが、なかでもアルミナを用い
るのが好ましい。ＲＦ印加アンテナ１３は外径１００ｍ
ｍで、マッチング回路を介して高周波電源（図示せず）
に接続されている。
【００２５】ＲＦ印加アンテナ１３は真空室１１の端面
に対向するように配設したものに限らず、図３、図４に
示すように、真空室１１のどの面に対向させて配設して
も良い。ただし、ＲＦ印加アンテナ１３から真空室１１
内に高周波電力を導入するために、真空室１１の壁面の
内、少なくともＲＦ印加アンテナ１３に面する部分は誘
電体とする必要がある。また、グリッド電極１５より飛
び出す金属粒子が付着し難くするためには、図３、図４
の配置の如く、グリッド電極１５面と対向しない位置に
誘電体窓１２及びアンテナ１３を配置する方が好まし
い。
に対向するように配設したものに限らず、図３、図４に
示すように、真空室１１のどの面に対向させて配設して
も良い。ただし、ＲＦ印加アンテナ１３から真空室１１
内に高周波電力を導入するために、真空室１１の壁面の
内、少なくともＲＦ印加アンテナ１３に面する部分は誘
電体とする必要がある。また、グリッド電極１５より飛
び出す金属粒子が付着し難くするためには、図３、図４
の配置の如く、グリッド電極１５面と対向しない位置に
誘電体窓１２及びアンテナ１３を配置する方が好まし
い。
【００２６】グリッド電極１５は、３枚あるいは４枚の
直径１５０ｍｍの電極から構成されており、直径５ｍｍ
の穴が千鳥状の配列で形成されている。発生したプラズ
マ中のＡｒイオンはこの穴を通過して真空処理室１に導
入される。グリッド電極１５の材料はモリブデン等が用
いられる。また、プロセス中のグリッド電極１５と誘電
体窓１２の表面の距離は８０ｍｍ程度の距離で使用され
る。
直径１５０ｍｍの電極から構成されており、直径５ｍｍ
の穴が千鳥状の配列で形成されている。発生したプラズ
マ中のＡｒイオンはこの穴を通過して真空処理室１に導
入される。グリッド電極１５の材料はモリブデン等が用
いられる。また、プロセス中のグリッド電極１５と誘電
体窓１２の表面の距離は８０ｍｍ程度の距離で使用され
る。
【００２７】副真空室１６は、真空室１１の壁面に設け
られ、遮蔽板１７が真空室１１を横断してグリッド電極
１５を遮蔽した位置とこの副真空室１６内で待機した位
置との間で出退可能に収容配置されている。遮蔽板１７
の材質は金属であっても誘電体であってもよいが、アル
ミナや石英等の誘電体の方が好ましく、より好ましくは
誘電体窓１２と同じ材料を用いると良い。遮蔽板１７を
出退させる機構は、例えばエアシリンダやモータ等を使
用することで実現できる。出退時の遮蔽板１７の移動軌
跡は曲線でも円弧でもよいが、直線である方が単純でよ
り好ましい。
られ、遮蔽板１７が真空室１１を横断してグリッド電極
１５を遮蔽した位置とこの副真空室１６内で待機した位
置との間で出退可能に収容配置されている。遮蔽板１７
の材質は金属であっても誘電体であってもよいが、アル
ミナや石英等の誘電体の方が好ましく、より好ましくは
誘電体窓１２と同じ材料を用いると良い。遮蔽板１７を
出退させる機構は、例えばエアシリンダやモータ等を使
用することで実現できる。出退時の遮蔽板１７の移動軌
跡は曲線でも円弧でもよいが、直線である方が単純でよ
り好ましい。
【００２８】このイオンビームソース３から供給される
Ａｒイオンビームによりスパッタターゲット４をスパッ
タし、基板５にターゲット材料の膜を堆積するプロセス
の例について説明すると、イオンビームソース３の真空
室１１内にガス導入口１４からＡｒガスを１５sccm導入
し、ＲＦ印加アンテナ１３からの投入電力を１５０Ｗに
すると、ビーム電流が２００ｍＡ程度流れる。
Ａｒイオンビームによりスパッタターゲット４をスパッ
タし、基板５にターゲット材料の膜を堆積するプロセス
の例について説明すると、イオンビームソース３の真空
室１１内にガス導入口１４からＡｒガスを１５sccm導入
し、ＲＦ印加アンテナ１３からの投入電力を１５０Ｗに
すると、ビーム電流が２００ｍＡ程度流れる。
【００２９】この状態の積算使用時間が１００時間程度
になると、ビーム電流を２００ｍＡとするためにはＲＦ
投入電力を１８０Ｗにする必要がある。さらに、積算使
用時間が１５０時間程度になると、誘電体窓１２にグリ
ッド電極１５の材料であるモリブデンが堆積し、ビーム
電流を２００ｍＡとするためのＲＦ投入電力は２００Ｗ
を越えてしまう。また、この状態では、誘電体窓１２に
付着したモリブデン膜に流れる渦電流が誘電体窓１２を
加熱して破壊してしまう危険が大きくなる。
になると、ビーム電流を２００ｍＡとするためにはＲＦ
投入電力を１８０Ｗにする必要がある。さらに、積算使
用時間が１５０時間程度になると、誘電体窓１２にグリ
ッド電極１５の材料であるモリブデンが堆積し、ビーム
電流を２００ｍＡとするためのＲＦ投入電力は２００Ｗ
を越えてしまう。また、この状態では、誘電体窓１２に
付着したモリブデン膜に流れる渦電流が誘電体窓１２を
加熱して破壊してしまう危険が大きくなる。
【００３０】そこで、遮蔽板１７を真空室１１とグリッ
ド電極１５の間を遮断するように挿入し、プラズマを発
生させる。これにより、グリッド電極１５はスパッタさ
れることなく、誘電体窓１２がエッチングされ、誘電体
窓１２の表面のモリブデン膜を除去することができる。
この作用により、大気開放を伴うメンテナンスを行う回
数を減少させることができる。
ド電極１５の間を遮断するように挿入し、プラズマを発
生させる。これにより、グリッド電極１５はスパッタさ
れることなく、誘電体窓１２がエッチングされ、誘電体
窓１２の表面のモリブデン膜を除去することができる。
この作用により、大気開放を伴うメンテナンスを行う回
数を減少させることができる。
【００３１】誘電体窓１２の表面形状は平面でも良い
が、例えば図５に示すように、凹凸を形成して立体形状
にすると、表面積を増やすことができるため、メンテナ
ンスまでの寿命を長くとることができる。
が、例えば図５に示すように、凹凸を形成して立体形状
にすると、表面積を増やすことができるため、メンテナ
ンスまでの寿命を長くとることができる。
【００３２】また、図６、図７に示すように少なくとも
２枚以上の誘電体窓１２を重ねて配設し、その内の少な
くとも１枚に穴をあけて、それぞれの誘電体窓１２の相
対位置を移動可能に構成すると、誘電体窓１２にグリッ
ド材料が堆積した場合でも、複数の誘電体窓１２の相対
位置を変化させることにより、メンテナンスまでの寿命
を長くとることができる。
２枚以上の誘電体窓１２を重ねて配設し、その内の少な
くとも１枚に穴をあけて、それぞれの誘電体窓１２の相
対位置を移動可能に構成すると、誘電体窓１２にグリッ
ド材料が堆積した場合でも、複数の誘電体窓１２の相対
位置を変化させることにより、メンテナンスまでの寿命
を長くとることができる。
【００３３】また、グリッド電極１５の内、少なくとも
プラズマに接する側の１枚、あるいは全てのグリッド電
極１５の表面の一部又は全面に、誘電体の表面コーティ
ングを施すのが好ましい。このように、グリッド電極１
５の表面に誘電体のコーティングを施すことにより、グ
リッド電極１５がスパッタされることを防ぐことがで
き、誘電体窓１２に堆積物の堆積が生じるのを抑制する
ことができる。
プラズマに接する側の１枚、あるいは全てのグリッド電
極１５の表面の一部又は全面に、誘電体の表面コーティ
ングを施すのが好ましい。このように、グリッド電極１
５の表面に誘電体のコーティングを施すことにより、グ
リッド電極１５がスパッタされることを防ぐことがで
き、誘電体窓１２に堆積物の堆積が生じるのを抑制する
ことができる。
【００３４】上記実施形態では、誘電体窓１２とグリッ
ド電極１５の間に遮蔽板１７を挿入した状態でプラズマ
を発生させて誘電体窓１２をクリーニングする例を示し
たが、図８に示すように、ＲＦ印加アンテナ１３を移動
手段１８にて誘電体窓１２に対して遠近方向に移動可能
に構成し、誘電体窓１２との間の距離を可変できるよう
に構成してもよい。この場合、誘電体窓１２とＲＦ印加
アンテナ１３の間の距離を通常プロセスより近づけるこ
とにより誘電体窓１２に付着した堆積物をスパッタして
除去し、誘電体窓１２の表面を清浄にすることができ
る。
ド電極１５の間に遮蔽板１７を挿入した状態でプラズマ
を発生させて誘電体窓１２をクリーニングする例を示し
たが、図８に示すように、ＲＦ印加アンテナ１３を移動
手段１８にて誘電体窓１２に対して遠近方向に移動可能
に構成し、誘電体窓１２との間の距離を可変できるよう
に構成してもよい。この場合、誘電体窓１２とＲＦ印加
アンテナ１３の間の距離を通常プロセスより近づけるこ
とにより誘電体窓１２に付着した堆積物をスパッタして
除去し、誘電体窓１２の表面を清浄にすることができ
る。
【００３５】すなわち、ＲＦ印加アンテナ１３と誘電体
窓１２との間の距離を変化させることでプラズマ発生時
に誘電体窓１２に生じる負の電圧を調整することがで
き、それにより、一定時間使用するごとに誘電体窓１２
上における堆積物のエッチングレートが堆積レートより
大きくなるように調整することで、誘電体窓１２上の堆
積物をスパッタしてクリーニングすることができる。ま
た、誘電体窓１２上における堆積物の堆積レートとエッ
チングレートを概ね同じに調整してもよい。
窓１２との間の距離を変化させることでプラズマ発生時
に誘電体窓１２に生じる負の電圧を調整することがで
き、それにより、一定時間使用するごとに誘電体窓１２
上における堆積物のエッチングレートが堆積レートより
大きくなるように調整することで、誘電体窓１２上の堆
積物をスパッタしてクリーニングすることができる。ま
た、誘電体窓１２上における堆積物の堆積レートとエッ
チングレートを概ね同じに調整してもよい。
【００３６】移動手段１８は、図示例では、ＲＦ印加ア
ンテナ１３を取付けた台座と固定したラック１８ａとこ
れに噛合する歯車列１８ｂとモータ１８ｃにて構成した
ものを示したが、歯車列１８ｂに代えてベルト駆動にし
たり、ラック・歯車機構に代えて送りねじ機構を用いた
り、シリンダ機構を用いたりしても良いことは言うまで
もない。また、図示例のように遮蔽板１７と併用して
も、遮蔽板１７を設けなくもよい。
ンテナ１３を取付けた台座と固定したラック１８ａとこ
れに噛合する歯車列１８ｂとモータ１８ｃにて構成した
ものを示したが、歯車列１８ｂに代えてベルト駆動にし
たり、ラック・歯車機構に代えて送りねじ機構を用いた
り、シリンダ機構を用いたりしても良いことは言うまで
もない。また、図示例のように遮蔽板１７と併用して
も、遮蔽板１７を設けなくもよい。
【００３７】さらに、少なくとも１枚以上のグリッド電
極１５に０又は正の電圧をかけながら、プラズマを発生
させても、グリッド電極１５をスパッタさせることな
く、誘電体窓１２に付着した堆積物をスパッタさせて除
去することができ、誘電体窓１２の表面を清浄化するこ
とができる。
極１５に０又は正の電圧をかけながら、プラズマを発生
させても、グリッド電極１５をスパッタさせることな
く、誘電体窓１２に付着した堆積物をスパッタさせて除
去することができ、誘電体窓１２の表面を清浄化するこ
とができる。
【００３８】また、上記実施形態では、イオンビームソ
ース３を用いたスパッタ装置の例を示したが、図９に示
すように、ドライエッチング装置に対しても同様に適用
することによって同様の作用効果を得ることができる。
図９の例では、真空処理室１に誘電体窓１２が臨み、そ
の外側に対向してＲＦ印加アンテナ１３が配設され、真
空処理室１内に誘電体窓１２と対向して基板５が配設さ
れ、基板５と誘電体窓１２との間に遮蔽板１６が挿入可
能に構成されている。
ース３を用いたスパッタ装置の例を示したが、図９に示
すように、ドライエッチング装置に対しても同様に適用
することによって同様の作用効果を得ることができる。
図９の例では、真空処理室１に誘電体窓１２が臨み、そ
の外側に対向してＲＦ印加アンテナ１３が配設され、真
空処理室１内に誘電体窓１２と対向して基板５が配設さ
れ、基板５と誘電体窓１２との間に遮蔽板１６が挿入可
能に構成されている。
【００３９】また、このようなドライエッチング装置に
おいても、ＲＦ導入部の誘電体窓１２の形状を、図５〜
図７に示したように立体形状にすることで同様の効果を
得ることができる。また、誘電体窓１２とＲＦ印加アン
テナ１３の距離を調整してプラズマを発生させたり、基
板５側に０又は正の電圧を印加してプラズマを発生させ
たりすることによっても、誘電体窓１２に付着した金属
膜を除去することができる。
おいても、ＲＦ導入部の誘電体窓１２の形状を、図５〜
図７に示したように立体形状にすることで同様の効果を
得ることができる。また、誘電体窓１２とＲＦ印加アン
テナ１３の距離を調整してプラズマを発生させたり、基
板５側に０又は正の電圧を印加してプラズマを発生させ
たりすることによっても、誘電体窓１２に付着した金属
膜を除去することができる。
【００４０】
【発明の効果】本発明のプラズマ処理装置及びそのクリ
ーニング方法によれば、以上のように高周波電力を導入
する誘電体窓に堆積した堆積物を真空室を大気開放せず
にクリーニングでき、また誘電体窓の表面積を増加さ
せ、堆積物の堆積膜厚を減少することができ、大気開放
を伴うメンテナンスの回数を減少できて装置の稼働率を
向上できる。
ーニング方法によれば、以上のように高周波電力を導入
する誘電体窓に堆積した堆積物を真空室を大気開放せず
にクリーニングでき、また誘電体窓の表面積を増加さ
せ、堆積物の堆積膜厚を減少することができ、大気開放
を伴うメンテナンスの回数を減少できて装置の稼働率を
向上できる。
【図１】本発明の一実施形態のスパッタ装置の概略構成
図である。
図である。
【図２】同実施形態におけるイオンビームソースの概略
構成図である。
構成図である。
【図３】同実施形態のプラズマ源におけるＲＦアンテナ
の他の配置例を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図
である。
の他の配置例を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図
である。
【図４】同実施形態のプラズマ源におけるＲＦアンテナ
の別の配置例を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図
である。
の別の配置例を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図
である。
【図５】同実施形態における誘電体窓の他の構成例を示
し、（ａ）は縦断正面図、（ｂ）は側面図である。
し、（ａ）は縦断正面図、（ｂ）は側面図である。
【図６】同実施形態における誘電体窓の別の構成例を示
し、（ａ）は縦断正面図、（ｂ）は側面図である。
し、（ａ）は縦断正面図、（ｂ）は側面図である。
【図７】同実施形態における誘電体窓のさらに別の構成
例を示し、（ａ）は縦断正面図、（ｂ）は側面図であ
る。
例を示し、（ａ）は縦断正面図、（ｂ）は側面図であ
る。
【図８】本発明の他の実施形態におけるイオンビームソ
ースの概略構成図である。
ースの概略構成図である。
【図９】本発明の別の実施形態のドライエッング装置の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図１０】従来例のスパッタ装置の概略構成図である。
【図１１】同従来例におけるプラズマ源の概略構成図で
ある。
ある。
１ 真空処理室 ３ プラズマ源 ５ 基板 １１ 真空室 １２ 誘電体窓 １３ ＲＦ印加アンテナ（プラズマ発生手段） １５ グリッド電極 １７ 遮蔽板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 27/16 Ｈ０１Ｊ 27/16 ５Ｆ００４ 37/30 37/30 Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ａ (72)発明者 村岸 勇夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 BC02 BC06 BC10 CA47 DA02 EB41 EC09 EC21 FC15 4K029 CA05 DC37 EA06 FA09 4K057 DA01 DD02 DM28 DM40 5C030 DD02 DE10 5C034 AA01 5F004 AA03 AA13 BA03 BA20 BB13 BB14 BC08 CA05 CA06 DA23 DB08 EB08
Claims (10)
- 【請求項１】 真空室とプラズマ発生手段を備え、真空
室のプラズマ発生手段と面する部分に誘電体窓を設けた
プラズマ処理装置において、真空室内で、誘電体窓と処
理対象の基板との間に遮蔽物を挿入可能に構成したこと
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 真空室とプラズマ発生手段を備え、真空
室のプラズマ発生手段と面する部分に誘電体窓を設けた
プラズマ処理装置において、誘電体窓とプラズマ発生手
段との間の距離を可変する手段を設けたことを特徴とす
るプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 真空室とプラズマ発生手段を備え、真空
室のプラズマ発生手段と面する部分に誘電体窓を設けた
プラズマ処理装置において、誘電体窓の表面に凹凸を設
けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 真空室とプラズマ発生手段を備え、真空
室のプラズマ発生手段と面する部分に誘電体窓を設けた
プラズマ処理装置において、誘電体窓を、少なくとも２
枚以上の誘電体板を重ねて構成し、誘電体板の内少なく
とも１枚に穴を設け、それぞれの相対位置を移動可能に
構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項５】 真空室とプラズマ発生手段とプラズマよ
り出るイオンの速度を調整する複数枚のグリッド電極を
備え、真空室のプラズマ発生手段と面する部分に誘電体
窓を設けたプラズマ処理装置において、真空室内で、誘
電体窓とグリッド電極の間に遮蔽物を挿入可能に構成し
たことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項６】 真空室とプラズマ発生手段とプラズマよ
り出るイオンの速度を調整する複数枚のグリッド電極を
備えたプラズマ処理装置において、グリッド電極の内、
少なくともプラズマに接する側の１枚、あるいは全ての
グリッド電極の表面の一部又は全面に、誘電体の表面コ
ーティングを施したことを特徴とするプラズマ処理装
置。 - 【請求項７】 真空室とプラズマ発生手段を備え、真空
室のプラズマ発生手段と面する部分に誘電体窓を設けた
プラズマ処理装置において、発生したプラズマにて処理
する基板に０又は正の電圧をかけながら、プラズマを発
生させることで誘電体窓の表面を清浄化することを特徴
とするプラズマ処理装置のクリーニング方法。 - 【請求項８】 真空室とプラズマ発生手段とプラズマよ
り出るイオンの速度を調整する複数枚のグリッド電極を
備え、真空室のプラズマ発生手段と面する部分に誘電体
窓を設けたプラズマ処理装置において、少なくとも１枚
以上のグリッド電極に０又は正の電圧をかけながら、プ
ラズマを発生させることで誘電体窓の表面を清浄化する
ことを特徴とするプラズマ処理装置のクリーニング方
法。 - 【請求項９】 真空室とプラズマ発生手段を備え、真空
室のプラズマ発生手段と面する部分に誘電体窓を設けた
プラズマ処理装置において、真空室内で、誘電体窓と処
理対象の基板との間に遮蔽物を挿入したままでプラズマ
を発生させ、誘電体窓の表面を清浄化することを特徴と
するプラズマ処理装置のクリーニング方法。 - 【請求項１０】 真空室とプラズマ発生手段を備え、真
空室のプラズマ発生手段と面する部分に誘電体窓を設
け、誘電体窓とプラズマ発生手段との間の距離を可変す
る手段を設けたプラズマ処理装置において、誘電体窓と
プラズマ発生手段の間の距離を通常プロセスより近づけ
ることにより誘電体窓の表面を清浄にすることを特徴と
するプラズマ処理装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000222505A JP3727518B2 (ja) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | プラズマ処理装置及びプラズマクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000222505A JP3727518B2 (ja) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | プラズマ処理装置及びプラズマクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002043094A true JP2002043094A (ja) | 2002-02-08 |
| JP3727518B2 JP3727518B2 (ja) | 2005-12-14 |
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ID=18716737
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000222505A Expired - Fee Related JP3727518B2 (ja) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | プラズマ処理装置及びプラズマクリーニング方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3727518B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004019741A1 (de) * | 2004-04-20 | 2005-11-17 | Centrotherm Photovoltaics Gmbh + Co. Kg | Plasmareaktor zu Oberflächenmodifikation von Gegenständen |
| JP2007294190A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Vacuum Products Kk | 真空処理装置 |
| JP2011129522A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-30 | Spp Process Technology Systems Uk Ltd | イオンビーム源 |
| JP2013102075A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Fujitsu Semiconductor Ltd | エッチング装置 |
| JP2014170631A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン源および当該イオン源を備えたイオンビーム照射装置 |
| KR101647480B1 (ko) * | 2015-10-26 | 2016-08-10 | 국방과학연구소 | 고농도 과산화수소 증기 제거용 대기압 플라즈마 장치 |
-
2000
- 2000-07-24 JP JP2000222505A patent/JP3727518B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004019741A1 (de) * | 2004-04-20 | 2005-11-17 | Centrotherm Photovoltaics Gmbh + Co. Kg | Plasmareaktor zu Oberflächenmodifikation von Gegenständen |
| DE102004019741B4 (de) * | 2004-04-20 | 2006-04-27 | Centrotherm Photovoltaics Gmbh + Co. Kg | Plasmareaktor zur Oberflächenmodifikation von Gegenständen |
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