JP7292842B2 - 異物検査装置、露光装置、および物品製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、異物検査装置、露光装置、および物品製造方法に関する。

近年、露光装置に用いられるマスクの大型化によりマスクが自重で撓み、像性能が悪化することが懸念されている。そこで、マスクの上側を平面ガラスで塞いで密閉室を構成し、マスク下面の撓みを検出し、その検出結果に基づいて密閉室の圧力を調整することによってマスクの撓みを補正する露光装置が知られている。

また、物体の被検面上の異物を検査する異物検査装置が知られている（例えば、特許文献１）。上記のような構成を有する露光装置に関して異物検査を行う場合、マスクのみならず上記の平面ガラスも検査の対象となりうる。

特開２０１２－０３２２５２号公報

しかし、この平面ガラスはマスクよりも薄く形成されるのが一般的であり、そうすると平面ガラスの撓み量はマスクのそれよりも大きいことが想定される。そのような検査対象物の大きな撓みは、異物の有無の判定の精度に影響を与える。

本発明は、例えば、検査対象物の平坦度の低下に対してロバストな異物検査装置を提供することを目的とする。

本発明の一側面によれば、露光装置用のマスクの上方に配置された物体の被検面上の異物を検査する異物検査装置であって、前記被検面の上方に配置され、前記被検面に検査光を投光する投光部と、前記被検面の上方に配置され、前記投光部により前記検査光が投光されることによって生じる前記異物からの散乱光を受光する受光部と、前記検査光の一部を遮光する遮光部材と、を有し、前記投光部は、前記被検面において、前記投光部の光軸上で最大の光強度となり前記投光部の光軸から離れるに従い光強度が小さくなる光強度分布を形成し、前記投光部の光軸と前記受光部の光軸とが交わる点が、前記被検面のとりうる高さ範囲からずれた位置になるように、前記投光部と前記受光部が配置され、前記遮光部材は、前記検査光が前記マスクのパターンに到達しないように配置されていることを特徴とする異物検査装置が提供される。

本発明によれば、例えば、検査対象物の平坦度の低下に対してロバストな異物検査装置を提供することができる。

実施形態に係る露光装置の構成例を示す図。 露光装置内に設けられる異物検査装置の構成例を示す図。 露光装置の外部に設けられる異物検査装置の構成例を示す図。 図３の異物検査装置の動作例を示す図。 被検面の撓みがない場合の異物検査の例を説明する図。 被検面の撓みがない場合の異物に対する信号強度のばらつきを説明する図。 被検面に撓みがある場合に照明領域がずれる現象を説明する図。 被検面の撓みがある場合の異物に対する信号強度のばらつきを説明する図。 実施形態における投光部と受光部の配置の例を説明する図。 図１０の投光部と受光部の配置における、異物に対する信号強度のばらつきを説明する図。 投光部と受光部との相対位置の調整する例を説明する図。 投光部と受光部との相対位置の調整する例を説明する図。 平行平板ガラスを調整する例を説明する図。 遮光部材の配置例を示す図。 遮光部材の配置例を示す図。 遮光部材の配置例を示す図。 遮光部材の配置例を示す図。

以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の実施形態は本発明の実施の具体例を示すにすぎないものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。

［露光装置］
図１に、実施形態に係る露光装置の構成を示す。露光装置は、マスクのパターンを基板上に投影して基板を露光する装置である。マスク５は、パターン面を下にしてマスクホルダ６によって真空吸着により保持されている。マスク５の上方には露光光を射出する光源１が設けられ、光源１とマスク５との間には、照明光学系２が設けられる。マスク５の露光光が透過した側には投影光学系１１を挟んで露光の対象である基板１２が配置されている。光源１から射出された露光光は、照明光学系２によってマスク５に照射される。マスク５に形成されたパターンの像は、露光光により投影光学系１１を通じて基板１２上に投影される。マスクホルダ６の下側にはマスク５の撓みを検出する検出系２１が設けられる。

検出系２１は、斜入射タイプのフォーカスセンサの構成、機能を備えている。発光ダイオードなどの光源１０から投影レンズ（不図示）を介してマスク５のパターン面に対して斜めから検出光が投光される。その反射光を受光レンズ（不図示）を介してフォトダイオードなどのディテクタ９で検出することにより、マスク５の撓みを検出する。

ディテクタ９の検出信号出力側は、演算部８に接続されている。演算部８の出力側には気圧制御部７が接続されており、この気圧制御部７はパイプ４を介してマスク５の撓みを補正する気密室１３に接続されている。気密室１３は、下面側がマスク５で、上面側が平面ガラス３（ガラス板）で塞がれた密閉箱状となっている。平面ガラス３はマスク５の上にマスク５と離間して配置され、マスク５の撓みを補正するための空間である気密室１３を規定するために使用される。平面ガラス３は、平面板であるため露光光に影響を与えない。平面ガラス３とマスク５とで挟まれた空間は気密室１３とされ、この気密室内の圧力を気圧制御部７で制御することでマスク５の撓みを制御する。気圧制御部７は、演算部８から入力される気圧制御量に基づいて、気密室１３の気圧を制御する。このように、検出系２１によりマスク５の撓みが検出され、演算部８により撓み量とこの撓み量を補正する気圧制御量の算出が行われ、気圧制御部７により気密室１３の気圧が制御される。このため、マスク５の自重によって発生する撓みに起因するパターンの横ずれや像面の湾曲、マスク５の熱的変形に起因するディストーションや像面湾曲などが軽減されて、良好にマスク５のパターンの投影を行うことが可能となる。

［異物検査装置］
平面ガラス３の上下面（特に上面）、マスク５の上面（非パターン面）、マスク５のパターンを保護するペリクル２７に異物が付着すると、露光時の像性能が低下する可能性がある。そのため、異物検査装置を用いてこれらの箇所から異物を検出し、異物が検出された場合にはそれを除去する必要がある。

本実施形態において、異物検査装置は、露光装置内に設けられてもよいし、露光装置の外部装置として設けられていてもよい。例えば、図２に示すように、平面ガラス３の異物検査は、露光装置内の異物検査装置５０によって行うことができる。異物検査装置５０は、露光装置内に配置された光透過性の板状部材の表面に付着した異物を検査する。光透過性の板状部材とは、例えば平面ガラス３である。平面ガラス３上の異物検査は、露光用のマスクステージ１４上にマスク５と平面ガラス３が図２のように配置されている状態において実施される。

異物検査装置５０は、物体の被検面に検査光（照明光）を投光する投光部２５と、投光部により検査光が投光されることによって生じる異物からの散乱光を受光する受光部２６とを含む。投光部２５は、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの光源１６と、光源１６から出射される出射光が通過する照明レンズ１７と、照明レンズ１７を経て被検面へ至る出射光の光路を変更する光路変更部材である平行平板ガラス２４とを含みうる。光源１６は、例えば、露光装置の光源１（図１）の光と同じ波長の光を発するＬＥＤでありうる。近年、マスクの大型化が進んでおり、それに対処するため、光源１６は、異物検査においても検査駆動方向（図２中のＹ方向）と直交する方向（Ｘ方向）にＬＥＤが多列配置されたラインＬＥＤであってもよい。また、投光部２５は、投光部２５のＹ方向の位置を調整する機構である調整部５１を含みうる。

受光部２６は、受光レンズ１８と、受光レンズ１８を通過した光を電気信号に変換するセンサ部１９とを含みうる。受光レンズ１８は、投光部２５の光源１６にラインＬＥＤが用いられる場合、それに応じてＸ方向に伸びるアレイレンズでありうる。また、受光部２６は、受光部２６のＹ方向の位置を調整する機構である調整部５２を含みうる。

投光部２５は、物体の被検面である平面ガラス３上に斜めから検査光を投光する。受光部２６は、検査光が投光されることによって生じる異物からの散乱光を受光する。実施形態において、光源１６からの検査光の入射角度は、被検面の法線に対して斜めに設定される。また、受光部２６の光軸（被検面被検面→受光レンズ１８→センサ部１９）は、被検面の法線に対して斜めに設定される。

このように異物検査装置５０は、平面ガラス３の上側に配置され、平面ガラス３の上面の異物を検査する。上記したように、マスク５と平面ガラス３による密閉空間となっており、平面ガラス３の下面に異物の付着する確率は低いため、平面ガラス３の下面は検査対象から除外されうる。異物検査装置５０は、平面ガラス３の検査の対象とする領域全てにおいて異物検査を実施するため、マスクステージ１４をＹ方向に駆動させながら検査を行うことができる。

図３は、露光装置の外部に設けられる異物検査装置５０１の構成例を示す図である。図３の例においては、マスク５はマスクホルダ２８（検査ステージ）によって保持され、マスク５の上の平面ガラス３が被検面とされている。第１検査部７０は、図２の異物検査装置５０と同様の構成を有している。また、第１検査部７０は、第１検査部７０のＺ方向の位置を調整する機構である調整部５３を含みうる。平面ガラス３ではなくマスク５の表面を被検面とする場合には、マスク５の上から平面ガラス３（および密閉空間を形成する他の部材）を退避させ、調整部５３により第１検査部７０のＺ方向の位置を調整することにより、検査を行うことができる。

また、異物検査装置５０１は、光透過性の板状部材としてのペリクル２７に対する異物検査を行うための第２検査部８０を有する。第２検査部８０は、投光部５６と受光部５７を含む。投光部５６および受光部５７はそれぞれ、図２に示した異物検査装置５０における投光部２５および受光部２６と同様の構成でありうる。なお、投光部５６は、投光部５６のＹ方向の位置を調整する機構である調整部５８を含み、受光部５７は、受光部５７のＹ方向の位置を調整する機構である調整部５９を含む。また、第２検査部８０は、第２検査部８０のＺ方向の位置を調整する機構である調整部６０を含みうる。制御部Ｃは、第１検査部７０および第２検査部８０に設けられているそれぞれの調整部を制御する。また、制御部Ｃは、例えばＣＰＵおよびメモリを含むプロセッサを有し、受光部２６，受光部５７の受光結果を処理して異物の有無の判定を行う処理部としても機能する（なお、図２においてもこのような制御部を有するが、図２ではそれらの図示を省略している。）。

このような露光装置の外部に設けられる異物検査装置５０１によれば、平面ガラス３、マスク５の上面（非パターン面）、ペリクル２７のいずれに対しても異物検査を行うことができる。図４において、左上の図は、第１検査部７０がマスク５の上面に対して異物検査を実施する場面を示している。右上の図は、第１検査部７０が平面ガラス３の上面に対して異物検査を実施する場面を示している。このように、制御部Ｃは、第１検査部７０の調整部５３を制御して、第１検査部７０のＺ方向の位置をΔＺで示される量だけ調整し、異物からの散乱光を正しく検知できるようにする。また、マスクホルダ２８は、不図示の駆動機構によりＹ方向に移動可能に構成されている。したがって、異物検査装置５０１は、検査の対象とする領域全てにおいて異物検査を実施するため、マスクホルダ２８をＹ方向に駆動させながら検査を行うことができる。

［投光部と受光部の配置について］
以下では、図２または図３の投光部２５と受光部２６との関係について説明する。図３の投光部５６と受光部５７との関係についても同様の議論ができる。

上記したように、実施形態において、光源１６からの検査光の入射角度は、被検面の法線に対して斜めに設定される。また、受光部２６の光軸（被検面被検面→受光レンズ１８→センサ部１９）は、被検面の法線に対して斜めに設定される。投光部２５と受光部の配置については、（１）被検面から検査光の正反射光がセンサ部１９に入射しないこと、（２）フレアなどの迷光がセンサ部１９に入射しないこと、（３）異物の検出精度を満足すること、等の検査仕様に沿って決定される。

しかし、ＬＥＤの発光光は指向性がなく配光角度分布を有する。そのため、仮にＬＥＤ発光面～被検面の間にコリメータレンズを適切に配置しても、被検面上では照明領域が広がり、その領域内において強度分布（ＬＥＤ発光素子が多列配置された方向と直交方向の強度分布）が生じる。例えば、図５に示されるように、光源から被検面へ斜入射された検査光の強度分布Ｉは、入射光軸上で最大となり、軸外方向に小さくなる傾向をもつ。

これは、被検面の形状が異なることにより、被検面上の受光部の光軸と、強度分布をもつ照明領域との相対位置関係が検査領域内で変化し、結果として、同じ大きさの異物の検査結果にばらつきが発生することを意味する。以下では、このような検査結果のばらつきを抑制する構成を提案する。

通常、マスクよりも平面ガラス３の方が厚さが小さい。理由は、少しでも重量に関わる用力やコストを抑えるためである。また、厚さが小さくなることによる撓みの増加が露光性能に及ぼす悪影響が、マスクと比べて小さいためである。図４の左下にマスク５の撓みの例を、右下に平面ガラス３の撓みの例を示した。撓みが破線で示されている。このように、マスクの撓みは平面ガラス３のそれよりも小さいため、検査対象の物体がマスクの場合には、検査光の強度変化の影響を受けにくい。図５の例において、Ｙ方向の位置Ａ，Ｂ，Ｃにおいて、被検面の高さ（Ｚ方向の位置）はほぼ同じである。この場合、Ｙ方向の位置Ａ，Ｂ，Ｃではそれぞれ、受光部２６の光軸は被検面上の光強度分布のピーク位置付近にあり、図６（Ａ）に示されるように、位置Ａ，Ｂ，Ｃの間では光強度変化が小さい。そのため、図６（Ｂ）に示されるように、同じ大きさの異物に対しては受ける光信号強度のばらつきは小さい。よって、被検面上で投光部の光軸と受光部の光軸が交わるように投光部と受光部を配置すればよく、この場合には、検査光の強度や異物からの光も大きくなりセンサ上の信号出力を高く維持することができる。

これに対し、平面ガラス３の場合、撓みが比較的大きいため、検査光の強度変化の影響を受けやすい。図７に示されるように、位置Ａでは、位置Ｂを基準として被検面の高さ（Ｚ方向の位置）が、Ｚ１変化したとき、照明領域が被検面と平行にａだけずれる。同様に、位置Ｃでは、位置Ｂを基準として被検面の高さ（Ｚ方向の位置）が、Ｚ２変化したとき、照明領域が被検面と平行にｂだけずれる。

検査対象が平面ガラス３の場合に、被検面上で投光部の光軸と受光部の光軸とが交わるように配置を調整すると、同じ大きさの異物に対する信号強度のばらつきが大きくなる。これは、投光部の光軸付近の強度変化が大きいため、被検面の高さ変化に対して敏感であるためである。被検面上の撓み（Ｚ１，Ｚ２）に応じて照明領域が被検面と平行方向（ａ，ｂ）にずれてしまうことにより、図８（Ａ）に示されるように、Ｙ方向の位置Ａ，Ｂ，Ｃの間では被検面上の受光部の光軸上にある照明強度が敏感に変化する。そのため、図８（Ｂ）に示されるように、同じ大きさの異物に対する信号強度のばらつきが大きくなる。

そこで、実施形態では、投光部２５の光軸と受光部２６の光軸とが交わる点が、被検面のとりうる高さ範囲内からずれた位置になるように、投光部２５と受光部２６が配置される。例えば、図９に示されるように、被検面上の投光部２５の光軸から外れた領域で、被検面に平行な方向（Ｙ方向）に、光強度の変化が緩やかな領域に受光部２６の光軸が位置するように、投光部２５と受光部２６が配置される。そうすると、図１０（Ａ）に示されるように、被検面上の撓み（Ｚ１，Ｚ２）に応じて照明領域が被検面と平行方向（ａ，ｂ）にずれてしまっても、Ｙ方向の位置Ａ，Ｂ，Ｃの間で被検面上の受光部の光軸上にある光強度は鈍感に（緩やかに）変化する。そのため、図１０（Ｂ）に示されるように、同じ大きさの異物に対する信号強度のばらつきも小さい。このとき、照明光の強度や異物からの光も小さくなりセンサ上の信号出力は低くなるが、異物の有無の判別に影響がない信号強度が確保されていればよい。照明領域に対する受光部の相対位置を調整する際に発生した、センサ部で検出された異物からの光量の変化は、光源の出力を調整することが可能である。

なお、マスク５の場合、平面ガラス３のときのような照明領域に受光部の光軸が来るように調整すると、マスク下面のパターンに照明されたときに発生する回折光が受光部で誤検知される可能性がある。これの対策については後述する。

投光部２５と受光部２６との相対位置の調整は、投光部２５の調整部５１もしくは受光部２６の調整部５２、またはその両方を用いて行うことができる。図１１は、投光部２５の調整部５１を用いて、投光部２５を検査駆動方向（Ｙ方向）に調整する例を示している。制御部Ｃは、投光部２５の光軸と受光部２６の光軸とが交わる点が、被検面のとりうる高さ範囲からずれた位置になるように、調整部５１を制御することができる。図１２は、受光部２６の調整部５２を用いて、受光部２６を検査駆動方向（Ｙ方向）に調整する例を示している。制御部Ｃは、投光部２５の光軸と受光部２６の光軸とが交わる点が、被検面のとりうる高さ範囲からずれた位置になるように、調整部５２を制御することができる。図１３は、投光部２５の平行平板ガラス２４を用いて、投光部２５の光軸の位置を調整する例を示している。ここで、投光部２５は、図１３に示されるように、光路変更部材である平行平板ガラス２４の回転角度を調整することにより、被検面へ至る出射光の光路の変更量を調整する調整部２４ａを含む。制御部Ｃは、投光部２５の光軸と受光部２６の光軸とが交わる点が、被検面のとりうる高さ範囲からずれた位置になるように、調整部２４ａを制御することができる。

実施形態において、制御部Ｃは、被検面の平坦度（撓み、凹凸形状を含む）に応じて、これらの調整部を制御する。例えば、事前に検査対象の物体の物性値から算出される被検面の平坦度と、被検面上の光強度分布と、必要な調整量の関係を記録しておき、その関係に基づいて、調整量を決定してもよい。ここで、被検面の平坦度は、被検面がとりうる高さ範囲を示す値であればよい。また、異物検査前に、予め算出もしくは実測した被検面の平坦度と、サンプル異物に対して検出される信号強度の変化とに基づいて、調整量を決定してもよい。このように、制御部Ｃは、被検面の平坦度と調整部による調整量との間の予め得られた関係に基づいて、調整量を決定することができる。

上記のような調整は、被検面上の検査領域内で、被検面がとりうる高さ範囲（撓み、形状を含む）において、その検査領域内にある同じ大きさの異物の出力変化が異物検査の検出再現性レベルになるよう行われる。すなわち、制御部Ｃは、被検面に、想定される平坦度に従う変形があっても、異物有無の判定の所定の精度が確保されるように、調整部による調整量を決定する。

次に、マスクパターンからの回折光の誤検出の対策について説明する。

露光装置用のマスクには、露光されるべきプロセスパターンが形成されている。そのため、異物検査装置による検査対象の物体がマスクである場合、投光部により検査光が投光されることによってマスクのパターン部で回折光が発生する。このような回折光は異物の有無の判別に悪影響を及ぼす可能性がある。パターンの種類は任意であるため、受光部で誤検知を防ぐためには、パターンへ入射する検査光を遮断することが必要となる。

そこで実施形態では、図１４に示されるように、検査光の一部を遮光する遮光部材３５を被検面付近に配置する。第１検査部７０によってマスク５の上面を検査する際には、図１５に示されるように、検査光がマスク５の上面に入射し、屈折を経てパターン部Ｐへ入射し、そこからの回折光が受光部２６へ入射しうる。よって、実施形態では、検査光がパターンの位置に到達（入射）しないように遮光部材３５が配置される。

第２検査部８０によってペリクル２７を検査する際には、図１６に示されるように、検査光がペリクル面に入射し、屈折を経て、パターン部Ｐへ入射し、そこからの回折光が受光部５６へ入射しうる。よって、実施形態では、検査光がパターンの位置に到達（入射）しないように遮光部材３５が配置される。

また、第１検査部７０によって平面ガラス３の上面を検査する際には、図１７に示されるように、検査光が平面ガラス３の上面に入射し、屈折を経て出射し、マスク５の上面に入射し、屈折を経てパターン部Ｐへ入射する。そのため、パターン部Ｐからの回折光が受光部２６へ入射しうる。よって、実施形態では、検査光がパターンの位置に到達（入射）しないように遮光部材３５が配置される。

以上の図１５～図１７の例において、異物検査装置は遮光部材３５の位置を調整する遮光調整部３５ａを有する。制御部Ｃは、検査光がパターン部Ｐの位置に到達しないように遮光調整部３５ａを制御することができる。このとき、制御部Ｃは、被検面の変化（平坦度、姿勢、形状、たわみ、厚さ）が生じても、被検面上の異物への検査光を遮光したり、逆にパターン部に検査光が到達することがないように遮光調整部３５ａを制御する。また、制御部Ｃは、調整部により投光部と受光部との相対位置を調整したことに応じて遮光調整部３５ａによる調整を実施する。これにより、投光部と受光部との相対位置が調整される都度、遮光部材３５が適切な位置に配置される。

＜物品製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態に係る物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイス、微細構造を有する素子、フラットディスプレイ等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

３：平面ガラス、５：マスク、２５：投光部、２６：受光部、２７：ペリクル、５０：異物検査装置

Claims (11)

1. 露光装置用のマスクの上方に配置された物体の被検面上の異物を検査する異物検査装置であって、
   前記被検面の上方に配置され、前記被検面に検査光を投光する投光部と、
   前記被検面の上方に配置され、前記投光部により前記検査光が投光されることによって生じる前記異物からの散乱光を受光する受光部と、
   前記検査光の一部を遮光する遮光部材と、
   を有し、
   前記投光部は、前記被検面において、前記投光部の光軸上で最大の光強度となり前記投光部の光軸から離れるに従い光強度が小さくなる光強度分布を形成し、
   前記投光部の光軸と前記受光部の光軸とが交わる点が、前記被検面のとりうる高さ範囲からずれた位置になるように、前記投光部と前記受光部が配置され、
   前記遮光部材は、前記検査光が前記マスクのパターンに到達しないように配置されていることを特徴とする異物検査装置。
2. 前記投光部と前記受光部との相対位置を調整する調整部と、
   前記投光部の光軸と前記受光部の光軸とが交わる点が前記高さ範囲からずれた位置になるように前記調整部を制御する制御部と、
   を有することを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
3. 前記投光部は、光源と、前記光源から出射される出射光が通過するレンズと、前記レンズを経て前記被検面へ至る前記出射光の光路を変更する光路変更部材とを含み、
   前記光路変更部材の回転角度を調整することにより前記光路の変更量を調整する調整部と、
   前記投光部の光軸と前記受光部の光軸とが交わる点が前記高さ範囲からずれた位置になるように前記調整部を制御する制御部と、
   を有することを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
4. 前記制御部は、前記被検面の平坦度に応じて前記調整部を制御することを特徴とする請求項２または３に記載の異物検査装置。
5. 前記受光部の受光結果を処理して前記異物の有無の判定を行う処理部を更に有し、
   前記制御部は、前記被検面に前記平坦度に従う変形があっても前記判定の所定の精度が確保されるように前記調整部による調整量を決定することを特徴とする請求項４に記載の異物検査装置。
6. 前記制御部は、前記被検面の平坦度と前記調整部による調整量との間の予め得られた関係に基づいて、前記調整量を決定することを特徴とする請求項５に記載の異物検査装置。
7. 前記遮光部材の位置を調整する遮光調整部を更に有し、
   前記制御部は、更に、前記検査光が前記パターンの位置に到達しないように前記遮光調整部を制御することを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の異物検査装置。
8. 前記制御部は、前記調整部を制御したことに応じて、前記遮光調整部を制御することを特徴とする請求項７に記載の異物検査装置。
9. マスクのパターンを基板上に投影して前記基板を露光する露光装置であって、
   前記露光装置内に配置された光透過性の板状部材の表面に付着した異物を検査する請求項１乃至８のいずれか１項に記載の異物検査装置を含むことを特徴とする露光装置。
10. 前記板状部材は、前記マスクの上に前記マスクと離間して配置され、前記マスクの撓みを補正するためのガラス板を含むことを特徴とする請求項９に記載の露光装置。
11. 請求項９または１０に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
    前記工程で前記露光された基板を現像する工程と、
    を含み、前記現像された基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。

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