JP5480601B2 - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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本発明は、露光装置及びデバイス製造方法に関する。
液晶ディスプレイ装置の薄膜トランジスタ用基板、カラーフィルタ用基板、有機エレクトロルミネッセンス等の表示パネル用基板は、露光装置を用いてフォトリソグラフィ技術によりガラスプレート等の基板上にパターンを形成して製造される。フォトリソグラフィ工程で使用される露光装置においては、マスク上のパターンを高い解像度で感光性のプレート上に露光する必要があるため、そのプレートの露光面を正確に投影光学系の像面に設定するためのオートフォーカス機構が設けられている。特許文献1には、プレートの露光面の高さを検出する焦点検出光学系と、マスクの物体面の高さを検出する焦点検出光学系とを備え、2つの焦点検出光学系の検出結果に基づいてプレート、マスクの光軸方向の位置を調整することが開示されている。特許文献2には、リレー光学系40を含む焦点検出光学系を備え、焦点検出光学系の検出結果に基づいてマスク、プレートの光軸方向の位置を調整することが開示されている。
最近は液晶表示用パネルの基板が益々大型化し、一括露光方式の露光装置で大型のマスクパターンを露光する場合がある。このようにマスクのサイズが大型化すると、露光装置の投影光学系も必然的に大きくなり、投影光学系の物体面(マスク面)と像面(プレート面)との間隔も長くなる。
最近は液晶表示用パネルの基板が益々大型化し、一括露光方式の露光装置で大型のマスクパターンを露光する場合がある。このようにマスクのサイズが大型化すると、露光装置の投影光学系も必然的に大きくなり、投影光学系の物体面(マスク面)と像面(プレート面)との間隔も長くなる。
そのため、特許文献2の露光装置では、リレー光学系40の距離が長くなり空気の揺らぎや温度変化に敏感になっている。また、高いスループットを得る為、露光装置の照明出力も大きくなり、発生した熱によってリレー光学系40の光学素子の位置が変わることによって焦点ずれが発生するという不都合があった。また、特許文献1に記載の露光装置でも、このような投影光学系ないしはその光路の変化に起因する焦点ずれが考慮されていない。
原版ステージに設けられたマークと投影光学系と基板ステージに設けられたマークとを通過する光の量を検出することによって投影光学系のフォーカス位置を計測する計測器を用いれば焦点ずれを防止できる。しかし、このような計測器を使用してフォーカス制御を行う間は、露光処理が中断されるので、前記計測器を頻繁に使用するとスループットを低下させる。
そこで、本発明は、スループットの低下を抑制しつつ焦点ずれの発生を低減することを目的とする。
原版ステージに設けられたマークと投影光学系と基板ステージに設けられたマークとを通過する光の量を検出することによって投影光学系のフォーカス位置を計測する計測器を用いれば焦点ずれを防止できる。しかし、このような計測器を使用してフォーカス制御を行う間は、露光処理が中断されるので、前記計測器を頻繁に使用するとスループットを低下させる。
そこで、本発明は、スループットの低下を抑制しつつ焦点ずれの発生を低減することを目的とする。
本発明は、基板を露光する露光装置であって、筐体に格納され原版のパターンを前記基板に投影する投影光学系と、前記筐体の一端面から間隔をおいて配置され、前記原版を保持する原版ステージと、前記筐体の他端面から間隔をおいて配置され、前記基板を保持する基板ステージと、前記筐体の前記一端面と前記原版ステージに設けられた第1基準面との間の距離を検出する第1検出器と、前記筐体の前記他端面と前記基板ステージに設けられた第2基準面との間の距離を検出する第2検出器と、前記筐体の前記一端面と前記他端面との間の距離と相関を有する情報を検出する第3検出器と、前記原版ステージに設けられたマークと前記投影光学系と前記基板ステージに設けられたマークとを通過する光を検出することによって前記投影光学系のフォーカス状態を計測する計測器と、制御器と、を備え、前記制御部は、前記第3検出器により検出された前記情報が許容範囲内でないと判断したならば、前記計測器による計測結果に基づいて前記投影光学系のフォーカス制御を行い、前記第3検出器により検出された前記情報が許容範囲内であると判断したならば、前記第1検出器の検出結果に基づいて前記原版の面が前記投影光学系の物体面に位置し、前記第2検出器の検出結果に基づいて前記基板の面が前記投影光学系の像面に位置するように前記投影光学系のフォーカス制御を行う、ことを特徴とする。
本発明によれば、スループットの低下を抑制しつつ焦点ずれの発生を低減することができる。
以下に、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
〔第1実施形態〕
図1は、第1実施形態の露光装置の概略構成を示す図である。第1実施形態は、反射型投影光学系を用いたプロジェクション方式の露光装置の例を示している。しかしながら、本発明は、プロジェクション方式以外の露光装置に対しても適用可能である。露光装置15は、マスク(原版)Mに形成されたパターン(例えば、薄膜トランジスタ用回路)を、感光剤が塗布されたプレート(基板)P上へ投影し、プレートPを露光する。露光装置15は、光源1、照明光学系2、アライメントスコープA、マスクステージ(原版ステージ)5、投影光学系U、基板ステージ7、基板ステージ定盤8を含みうる。ここで、投影光学系Uの光軸に平行にZ軸が、光軸に垂直な面内における図1の紙面に垂直にX軸が、光軸に垂直な面内において図1の紙面に平行にY軸が、それぞれ設定されているものとする。光源1は露光光Lを射出し、例えば超高圧水銀ランプ等で構成されている。照明光学系2は、光源1から射出された光LをマスクM上に集光する為の不図示の光学素子を有している。投影光学系Uは、筐体3に格納され、マスクMに形成されたパターンをプレートP上に投影するとともに、アライメントスコープAからのアライメントマークを照明する照明光もプレートPに結像させる。基板ステージ7は、プレートPを保持し、X、Y、Zの3次元方向へ移動自在とされている。そして、基板ステージ7の位置を不図示の検出系によって検出しつつ、基板ステージ7を介してプレートPをXY平面内で2次元的に移動させながら露光を順次行うことによって、プレートPの露光領域(ショット)を逐次露光することができる。
図1は、第1実施形態の露光装置の概略構成を示す図である。第1実施形態は、反射型投影光学系を用いたプロジェクション方式の露光装置の例を示している。しかしながら、本発明は、プロジェクション方式以外の露光装置に対しても適用可能である。露光装置15は、マスク(原版)Mに形成されたパターン(例えば、薄膜トランジスタ用回路)を、感光剤が塗布されたプレート(基板)P上へ投影し、プレートPを露光する。露光装置15は、光源1、照明光学系2、アライメントスコープA、マスクステージ(原版ステージ)5、投影光学系U、基板ステージ7、基板ステージ定盤8を含みうる。ここで、投影光学系Uの光軸に平行にZ軸が、光軸に垂直な面内における図1の紙面に垂直にX軸が、光軸に垂直な面内において図1の紙面に平行にY軸が、それぞれ設定されているものとする。光源1は露光光Lを射出し、例えば超高圧水銀ランプ等で構成されている。照明光学系2は、光源1から射出された光LをマスクM上に集光する為の不図示の光学素子を有している。投影光学系Uは、筐体3に格納され、マスクMに形成されたパターンをプレートP上に投影するとともに、アライメントスコープAからのアライメントマークを照明する照明光もプレートPに結像させる。基板ステージ7は、プレートPを保持し、X、Y、Zの3次元方向へ移動自在とされている。そして、基板ステージ7の位置を不図示の検出系によって検出しつつ、基板ステージ7を介してプレートPをXY平面内で2次元的に移動させながら露光を順次行うことによって、プレートPの露光領域(ショット)を逐次露光することができる。
第1検出器(マスクフォーカスセンサ)20は、筐体3の一端面に搭載され、一端面から間隔をおいて配置されたマスクステージ5に設けられた第1基準面と前記一端面との間の距離を検出している。第1基準面は、マスクMに形成されたパターンの面に対応する面である。第1実施形態では、マスクフォーカスセンサ20は少なくとも3個設置され、筐体3の一端面と第1基準面との間の距離に加えて、第1基準面のチルトを検出している。第2検出器(プレートフォーカスセンサ)23は、筐体3の他端面に搭載され、他端面から間隔をおいて配置された基板ステージ7に設けられた第2基準面と前記他端面との間の距離を検出している。第2基準面は、プレートPの面に対応する面である。プレートフォーカスセンサ23は少なくとも3個構成され、筐体3の他端面と第2基準面との間の距離に加えて、第2基準面のチルトを検出している。第3検出器18は、筐体3の一端面と他端面との間の距離と相関を有する情報を検出する。第1実施形態では、筐体3に設けられた第1部材18aと第2部材18bとの間の距離を検出している。
露光装置15は、さらに図3に示される計測器32を備える。計測器(光量センサ)32は、マスクステージ5に設けられたマーク(マスク基準マーク)30と投影光学系Uと基板ステージ7に設けられたマーク(プレート基準マーク)31とを通過する光を検出する。マスク基準マーク30はマスクMと同等のZ方向の位置に載置され、プレート基準マーク31はプレートPと同等のZ方向の位置に載置される。マスク基準マーク30には特定のパターンが描画されており、そのパターンは投影光学系Uを介してプレート基準マーク31上に結像される。プレート基準マーク31には前記結像されるパターンと同等のパターンが描画されており、光量センサ32はプレート基準マーク31に描画された前記パターンを透過した光線Lの光量を計測して投影光学系Uのフォーカス状態を計測する。マスク基準マーク30に光線Lを照射し、プレート基準マーク31に光学像を結像させた状態で基板ステージ7をZ方向に駆動して、光量センサ32の光量を計測する。この光量が最大となるところが、最良のフォーカス位置となる。
制御部Cは、第3検出器18により検出された筐体3の一端面と他端面との間の距離と相関を有する情報が許容範囲内でないと判断したならば、光量センサ32による計測結果に基づいてフォーカス制御を行う。制御部Cは、第3検出器18により検出された情報が許容範囲内であると判断したならば、マスクフォーカスセンサ20の検出結果に基づいてマスクMの面が投影光学系Uの物体面に位置するよう制御する。また、制御部Cは、第3検出器18により検出された情報が許容範囲内であると判断したならば、プレートフォーカスセンサ23の検出結果に基づいてプレートPの面が投影光学系Uの像面に位置するように制御する。図4は、このようなマスクフォーカスセンサ(第1検出器)20、プレートフォーカスセンサ(第2検出器)23及び第3検出器18の検出結果と光量センサ(計測器)32の計測結果との関係を示している。第1実施形態では、制御部Cは、第3検出器18により検出された情報が許容範囲内か否かを判断した後、基板ステージ7を駆動してフォーカス制御を行っている。しかし、制御部Cは、第3検出器18により検出された情報が許容範囲内か否かを判断した後、マスクステージ5と基板ステージ7との双方を駆動してフォーカス制御を行うこともできる。
第1実施形態において、第3検出器により検出される第1部材18aと第2部材18bとの間の領域は、空気のゆらぎによる検出誤差の発生を避けるために、真空状態に保持されうる。また、マスクフォーカスセンサ20による第1基準面の検出箇所とプレートフォーカスセンサ23による第2基準面の検出箇所とは、プレートPを露光する露光光が通過する領域内に位置させうる。
〔第2実施形態〕
図2は、第2実施形態の露光装置15の概略構成を示す図である。第1実施形態の露光装置と異なるのは第3検出器18である。第1実施形態の第3検出器18は、筐体3に設けられた第1部材18aと第2部材18bとの間の距離、すなわち、オフセットを含んだ筐体3の一端面と他端面との間の距離を検出した。これに対し、第2実施形態の第3検出器18は、第1部材18aと第2部材18bとの距離と第1部材18aと第3部材18cとの距離と第2部材18bと第4部材18dとの距離とを足し合わせた距離を検出する。すなわち、第2実施形態において、第3検出器18は、プレートPを露光する露光光の筐体内における光路の長さに関する情報を検出している。
以上の構成により、投影光学系Uの最適なフォーカス位置にマスクM、プレートPを保持することが可能となり、最良の結像性能が得られるようになるものである。
図2は、第2実施形態の露光装置15の概略構成を示す図である。第1実施形態の露光装置と異なるのは第3検出器18である。第1実施形態の第3検出器18は、筐体3に設けられた第1部材18aと第2部材18bとの間の距離、すなわち、オフセットを含んだ筐体3の一端面と他端面との間の距離を検出した。これに対し、第2実施形態の第3検出器18は、第1部材18aと第2部材18bとの距離と第1部材18aと第3部材18cとの距離と第2部材18bと第4部材18dとの距離とを足し合わせた距離を検出する。すなわち、第2実施形態において、第3検出器18は、プレートPを露光する露光光の筐体内における光路の長さに関する情報を検出している。
以上の構成により、投影光学系Uの最適なフォーカス位置にマスクM、プレートPを保持することが可能となり、最良の結像性能が得られるようになるものである。
[デバイス製造方法]
本発明の好適な実施形態のデバイスを製造する方法は、例えば、半導体デバイス、FPDのデバイスの製造に好適である。前記方法は、感光剤が塗布された基板を、上記の露光装置を用いて露光する工程と、前記露光された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、前記デバイス製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含みうる。
本発明の好適な実施形態のデバイスを製造する方法は、例えば、半導体デバイス、FPDのデバイスの製造に好適である。前記方法は、感光剤が塗布された基板を、上記の露光装置を用いて露光する工程と、前記露光された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、前記デバイス製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含みうる。
Claims (7)
- 基板を露光する露光装置であって、
筐体に格納され原版のパターンを前記基板に投影する投影光学系と、
前記筐体の一端面から間隔をおいて配置され、前記原版を保持する原版ステージと、
前記筐体の他端面から間隔をおいて配置され、前記基板を保持する基板ステージと、
前記筐体の前記一端面と前記原版ステージに設けられた第1基準面との間の距離を検出する第1検出器と、
前記筐体の前記他端面と前記基板ステージに設けられた第2基準面との間の距離を検出する第2検出器と、
前記筐体の前記一端面と前記他端面との間の距離と相関を有する情報を検出する第3検出器と、
前記原版ステージに設けられたマークと前記投影光学系と前記基板ステージに設けられたマークとを通過する光を検出することによって前記投影光学系のフォーカス状態を計測する計測器と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記第3検出器により検出された前記情報が許容範囲内でないと判断したならば、前記計測器による計測結果に基づいて前記投影光学系のフォーカス制御を行い、
前記第3検出器により検出された前記情報が許容範囲内であると判断したならば、前記第1検出器の検出結果に基づいて前記原版の面が前記投影光学系の物体面に位置し、前記第2検出器の検出結果に基づいて前記基板の面が前記投影光学系の像面に位置するように前記投影光学系のフォーカス制御を行う、ことを特徴とする露光装置。 - 前記第3検出器により前記情報が検出される領域が真空状態に保持されている、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記第1検出器は、前記筐体の前記一端面と前記第1基準面との間の距離に加えて前記第1基準面のチルトを検出し、前記第2検出器は、前記筐体の前記他端面と前記第2基準面との間の距離に加えて前記第2基準面のチルトを検出する、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の露光装置。
- 前記第1検出器により前記筐体の前記一端面との間の距離が検出される前記第1基準面の検出箇所と前記第2検出器により前記筐体の前記他端面との間の距離が検出される前記第2基準面の検出箇所とは、前記基板を露光する露光光が通過する領域内に位置する、ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記第3検出器により検出される前記情報は、前記筐体に設けられた第1部材と第2部材との間の距離である、ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記第3検出器により検出される前記情報は、前記基板を露光する露光光の前記筐体内における光路の長さに関する情報である、ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の露光装置。
- デバイスを製造する方法であって、
請求項1ないし6のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記露光された基板を現像する工程と、
を含む方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009263345A JP5480601B2 (ja) | 2009-11-18 | 2009-11-18 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
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JP2011107481A JP2011107481A (ja) | 2011-06-02 |
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