TWI396948B - Projection exposure system and optimal imaging plane position and projection magnification detection method - Google Patents

Description

投影曝光系統與最佳成像平面位置及投影倍率的檢測方法

本發明是有關於一種用於製造高密度內連線印刷電路板、平面顯示器，或積體電路之製程設備，特別是指一種用於微影製程之轉移光罩圖案至感光性基板的投影曝光系統。

投影曝光系統之圖案轉移品質與該裝置之投影鏡組所具有的光學參數密切相關。

然而，當投影鏡組所處環境變化時，其所呈現之光學參數也隨之改變。詳細來說，投影鏡組之光學透鏡與裝設光學透鏡之鏡座，會受到所處環境之氣溫、氣壓，及溼度等因素的影響，而導致投影鏡組之像平面位置以及倍率等光學參數產生變化。

另一方面，由於基板經過製程中的熱處理後，其尺寸可能受熱而產生不預期的變化。為了要能補償這些變化，使光罩圖案準確地對準於基板之預定曝光位置，投影曝光系統通常具備有可對投影鏡組之倍率進行調整的倍率調整機構。以印刷電路板採用之投影曝光系統為例，約需要具備有±1000ppm的倍率調整範圍。

總結上述來說，投影鏡組之倍率除了要能準確地保持在所要的設定值，更要能隨時因應實際變化所產生的需求，不斷地進行調整。

為了要減低上述環境因素對投影鏡組的影響，通常會 將投影曝光系統裝設於可控制溫溼度於一恆定值的特製腔體之中，並定期地對投影鏡組之像平面位置及倍率等光學參數進行量測及統計，以確實掌握並據以調整投影鏡組之光學參數。

然而，投影鏡組之像平面位置及倍率不僅會受到外界環境之影響，更會受到曝光光源之紫外光照射的影響。部分紫外光會被投影鏡組之透鏡及透鏡之間的氣體所吸收，導致透鏡之間的氣體發生物性及化性的改變，不僅造成溫溼度之變化，更易導致氧氣反應生成臭氧等光化學反應，因而造成氣體折射率改變，導致像平面位置偏移，以致圖案轉移之品質降低。

尤其，上述品質降低之情況在光路所經空氣長度大於透鏡長度的折反射式(catadioptric)投影曝光系統中顯得特別嚴重。在某些情況下，像平面位置的偏移程度甚至可能超過投影鏡組之聚焦深度(depth of sharpness)的數倍。

因此，單純對投影鏡組進行環境控制並不足以完全穩定其光學參數。並且，投影鏡組在曝光過程中吸收曝光能量後，會立即導致像平面位置的偏移。此外，由於在整個曝光製程中，也包含了基板傳送以及對準等不具有光線照射之動作，容許投影鏡組回復到原始狀態。因此，在整個曝光過程中，投影鏡組所承受的照度負載(luminous load)實際上是一個時間的非均勻性函數。

上述情況於圖案之最小特徵尺寸接近於投影鏡組之解析度，或採用較低感光度或較大厚度之光阻等需要較高曝 光量時尤其不利。

因此，不論是對任二基板進行曝光之間，或是對任二影像進行曝光之間，都可能需要對基板表面進行位置調整，以修正透鏡吸收紫外光線造成之像平面位置的偏移。

美國專利第5883704號及RE38320號案之投影曝光系統，其基板載台上設置有一個用以量測像平面位置、倍率，以及影像歪曲度(distortion)的光檢測器，當基板載台移動時，用以將光檢測器所測得的影像與光罩上的特殊記號進行比對並加以分析。之後，以改變投影鏡組中的氣壓或是移動透鏡位置的方式來補償光學參數的變化。並且，建議在投影鏡組之透鏡之間充入惰性氣體，藉惰性氣體較不易吸收紫外光能量的特性來減少紫外光對投影鏡組之光學參數的影響。此外，更建議採用石英或螢石等材質來製作透鏡以減低曝光對鏡組參數的影響。

然而，上述方法仍無法完全消除紫外光對投影鏡組之光學參數的影響，反而增加了上述裝置的製作及操作成本。並且，上述補償方法無法在曝光及對準途中進行像平面位置的量測，如美國專利第6501534號所述，像平面位置的偏移是以週期性方式來量測並計算的，一方面不但無法完全保證圖案轉移的品質，另一方面因需中斷曝光過程以即時進行光學參數的驗證，也導致投影曝光系統的產量降低。

此外，美國專利第4506977號及第5581324號提供之像平面位置的量測方法，是在投影鏡組光軸的多個位置處 ，將光罩上的測試圖案成像於覆有感光層之基板上，或是利用裝設於基板載台上之光檢測器來量測光罩特殊標記之影像的光強度分布。

藉著投影鏡組將光罩標記曝光成像於基板表面上。沿光軸連續地移動光罩或基板至多個位置處以量測影像之光強度分布，藉以判斷出最佳之像平面位置。然而，此投影曝光系統之缺點亦是需要中斷曝光過程來進行像平面位置的量測，因而導致整體產量降低。

美國專利第5489966號之原型的缺點則是在對投影鏡組之像平面位置進行量測時的那一段時間內，所造成之影像轉移品質的降低，以及需要週期性地中斷曝光過程來進行投影鏡組之像平面位置量測，以致於產量的低落。

因此，本發明之一目的，在於提供一種可提高對準精度及影像轉移品質之投影曝光系統。

於是，本發明投影曝光系統，適用於將一光罩之圖案成像轉移至一基板上，該投影曝光系統包含：一曝光光源、一光罩載台、一基板載台、一投影鏡頭、一成像檢測裝置、一對焦感測器及一光檢測器。該光罩載台設於該曝光光源下方，用以固定該光罩。該基板載台設於該光罩載台下方，用以承載移動該基板。該投影鏡頭設於該光罩載台與該基板載台之間，具有一光罩投影工作區域。該成像檢測裝置包括一設於該光罩載台與該投影鏡頭之間的像產生單元，及一設於該投影鏡頭與該基板載台之間的像檢測單 元，該像產生單元通過該投影鏡頭的該光罩投影工作區域之外的區域成像於該像檢測單元。該對焦感測器用以感測該基板表面與該投影鏡頭的距離。該光檢測器設於該基板載台上，並具有一狹縫。

本發明之另一目的，即在提供一種可於曝光過程中校正像平面位置及投影倍率之最佳成像平面位置及投影倍率的檢測方法。

本發明最佳成像平面位置及投影倍率的檢測方法，適用於一投影曝光系統，該投影曝光系統係將一光罩之圖案經由一投影鏡頭成像轉移至一基板上，該方法包含以下步驟：以一具有可透光標記的測試光罩類比該光罩，及一影像擷取元件類比該基板，並於進行該光罩成像之步驟時，使該標記經由該投影鏡頭的光罩投影工作區域之外的區域成像於該影像擷取元件；及由該影像擷取元件測得之像計算得出該投影鏡頭之最佳成像平面位置或其投影倍率。

有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之一個較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。

投影曝光系統

參閱圖1與圖2，為本發明投影曝光系統之一較佳實施例，適用於將一光罩91之圖案成像轉移至一基板92上。 投影曝光系統1包含：一曝光光源2、一光罩載台(圖未示)、一基板載台3、一投影鏡頭4、一成像檢測裝置5、一對焦感測器6、一具有一狹縫(圖未標號)之光檢測器7及一控制前述構件的控制模組8。

光罩載台設於曝光光源2下方，用以固定光罩91。基板載台3設於光罩載台下方，用以承載移動基板92。基板載台3包括一承載座31、一固定座32及三個驅動器33。該等驅動器33用以驅動固定座32沿投影鏡頭4的光軸方向移動，並由固定座32連動承載座31以移動基板92。

投影鏡頭4設於光罩載台與基板載台3之間，如圖3所示，一般投影鏡頭4大多呈圓形，於投影方向可形成圓形的工作區域41。但是由於晶圓製程限制，光罩91上的圖案以及曝光光源之照明範圍的外廓通常是呈現矩形，而在投影鏡頭4的投影方向形成內接於投影鏡頭4之工作區域41的矩形區域，使投影鏡頭4具有一光罩投影工作區域42，及光罩投影工作區42之外的區域43。再參閱圖1與圖2，光罩91相對於投影鏡頭4形成有一物面44，且物面44經由投影鏡頭4成像於一基準像面45處，在以下說明中，基準像面45是指投影鏡頭4在自然狀態，亦即未受環境影響時，其成像的最佳成像平面位置。

成像檢測裝置5包括一設於光罩載台與投影鏡頭4之間的像產生單元51，及一設於投影鏡頭4與基板載台3之間的像檢測單元52，在本實施例中成像檢測裝置5與投影鏡頭4設於同一殼體(housing，圖未示)內。該像產生單 元51具有一成像光源511、一聚光元件512、一第一反射鏡513及一測試光罩514。第一反射鏡513形成一位於垂直物面44方向的共軛物面44’，且共軛物面44’通過第一反射鏡513到達投影鏡頭4的光路距離可等於部分物面44到投影鏡頭4的光路距離。而測試光罩514設於共軛物面44’處以類比光罩91。像檢測單元52具有一第二反射鏡521及一影像擷取元件522。第二反射鏡521形成一位於垂直基準像面45方向的共軛像面45’，且共軛像面45’通過第二反射鏡521到達投影鏡頭4的光路距離可等於部分基準像面45到投影鏡頭4的光路距離。而影像擷取元件522設於共軛像面45’處以類比基板92。成像光源511可產生與曝光光源2相同波長的光，以減少在投影鏡頭4中產生色像差而導致檢測誤差。成像光源511發出的光可依序通過聚光元件512、測試光罩514、第一反射鏡513、投影鏡頭4、第二反射鏡521到達影像擷取元件522。

像產生單元51及像檢測單元52於投影鏡頭4佔用的工作區域分別示意如圖3所示之區域46及區域47。如圖3所示，成像檢測裝置5可利用像產生單元51通過投影鏡頭4的光罩投影工作區域42之外的區域43成像於像檢測單元52。藉此，成像檢測裝置5工作時不會對光罩91的曝光製程產生干擾，而能在光罩91曝光製程進行中執行檢測工作。

在本實施例中，成像光源511是採用發光二極體。聚光元件512為一凸透鏡，用以將成像光源511發出的光匯聚至 測試光罩514。如圖4所示，測試光罩514是在玻璃平板上塗佈鋁或鉻等反光(或吸光)材料，再加以蝕刻形成複數條寬度相同的可透光條紋515，以作為成像的標記。或者，如圖5所示，測試光罩514’中央位置還具有十字形的標記516。在本實施例中，影像擷取元件522是一攝影機(TV camera)，用以擷取測試光罩514經過投影鏡頭4產生之像，藉由影像擷取元件522測得測試光罩514的標記產生之像，能夠計算出影像偏移值。依據影像擷取元件522所得到之資訊來決定影像偏移值的方法，可以運用任何習知相關的影像處理演算法進行，例如可依據理想影像、量測對比或邊緣傾斜率，或是量測半高寬等。依據測得的影像偏移值可計算投影鏡頭4即時的最佳成像平面位置及投影倍率，其檢測方法將於後文中舉一具體例詳加說明。

再參閱圖1，對焦感測器6包括兩個部件61、62，用以感測基板92表面與投影鏡頭4在投影鏡頭4的光軸方向的距離。當成像檢測裝置5測得之最佳成像平面位置已偏離基準像面45時，可利用基板載台3移動基板92，並利用對焦感測器6偵測基板92是否已移動到即時的最佳成像平面位置。此外，光檢測器7設於基板載台3上，用以在曝光步驟進行前，預先校正最佳成像平面位置，其功能可參考美國專利第5883704號及RE38320號案所揭露者，在此不再詳述。

以下將對成像檢測裝置5計算投影鏡頭4的最佳成像平面位置及投影倍率的檢測方法舉例說明。

最佳成像平面位置的檢測方法

在本實施例中，測試光罩514具有如圖4所示平行排列的可透光條紋515，各條紋515的寬度接近或等於投影鏡頭4之解析度，而在不同製程用途的曝光系統的應用上，可斟酌投影鏡頭4之倍率及影像擷取元件522的像素大小等因素，調整條紋515寬度。再參閱圖2，測試光罩514設於共軛物面44’處，以類比光罩91，而且測試光罩514與共軛物面44’具有一α角度的交角，使測試光罩514上的條紋515之一端與投影鏡頭4的光路距離可較共軛物面44’短，而使條紋515之另一端與投影鏡頭4的光路距離可較共軛物面44’長。因此，可透光條紋515位在共軛物面44’上之對應影像會位在投影鏡頭4之最佳成像平面上，而可透光條紋515兩端的影像，則至少會落在影像擷取元件522之景深內。

在影像擷取元件522之景深內，各條紋影像515’沿其長度方向會產生如圖6所示之扭曲，各條紋影像515’之兩端會放大且變得較為模糊。各條紋影像515’中央處是位於對應最佳成像平面位置，其寬度會呈現相對最窄，且各條紋影像515’中央處的寬度在乘上投影鏡頭4之倍率後會與測試光罩514上的各條紋515寬度一致。

參閱圖7(a)、(b)、(c)是在特定投影鏡頭4之下，所測得之測試光罩514的可透光條紋515的影像光強度分布。其中，投影鏡頭4之倍率為1、數值孔徑為0.045，條紋515之寬度為40μm，成像光源511所發光線的波長範圍介 於365至436nm。圖7(a)是條紋515在最佳成像平面位置的影像光強度分布，圖7(b)是條紋515在距離最佳成像平面位置的上方或下方250μm處的影像光強度分布，圖7(c)是條紋515在距離最佳成像平面位置的上方或下方500μm處的影像光強度分布。

在投影曝光系統1之操作過程中，當投影鏡頭4之最佳成像平面位置沿投影鏡頭4之光軸偏離基準像面45時，測試光罩514的條紋影像515’也等比例地在影像擷取元件522的景深中偏移。

如圖8所示，以影像擷取元件522測得該等可透光條紋影像515’之偏移值後，可利用以下公式計算出投影鏡頭的最佳成像平面位置偏離基準像面45的偏移值：Ash=F/tanα；其中，Ash為影像擷取元件522所量測到該等影像515’的偏移值；F為投影鏡頭4的最佳成像平面位置的實質偏移值；α為測試光罩514相對於共軛物面44’的傾斜角。

藉由影像擷取元件522測得測試光罩514之可透光條紋515的條紋影像515’之偏移值，即可計算出投影鏡頭4之最佳成像平面位置。

此外，如圖9與圖10所示，亦可使測試光罩514未傾斜地設於共軛物面44’處，而將影像擷取元件522傾斜一角度，使影像擷取元件522與共軛像面45’具有一β角度的交角。以影像擷取元件522測得該等可透光條紋影像515’之 偏移值後，可利用以下公式計算出投影鏡頭的最佳成像平面位置偏離基準像面45的偏移值：Ash=F/sinβ；其中，Ash為該影像擷取元件所量測到的該等可透光條紋影像之偏移值；F為該投影鏡頭的最佳成像平面位置的實質偏移值；β為該影像擷取元件相對於該共軛像面的傾斜角。

透鏡鏡頭倍率的檢測方法

由於一般投影系統中，當投影鏡頭之倍率發生變化時，其物面上未在投影鏡頭光軸上任一點的影像會在其像平面上以某種程度相對於光軸位移，且其影像位移程度會正比於物面上該點相對於投影鏡頭光軸之距離。

因此，如圖5所示，測試光罩514’的中央位置具有一個十字形標記516，且如同上述置於共軛物面44’處以類比光罩91。此標記516之影像在遇到投影鏡頭4之倍率變化時，會在影像擷取元件522之景深中位移。

藉由影像擷取元件522測得十字形標記516之影像，並配合光檢測器7之校正，可計算出投影鏡頭之即時倍率。

投影曝光系統之操作步驟

將光罩91載入於光罩載台上，以及將基板92載入基板載台3上。利用光罩91及基板92的對準記號，將基板92移動至第一個曝光圖案的曝光位置，對準過程非本發明的重點，於此不再贅述。進行曝光過程中，以成像檢測裝 置5量測投影鏡頭4之倍率，藉以判斷是否進行投影鏡頭4之倍率調整。此外，利用成像檢測裝置5量測投影鏡頭4的最佳成像平面位置，以作為對焦感測器6之參考值。而對焦感測器6量測基板92表面與投影鏡頭4在光軸方向之相對位置，然後依據成像檢測裝置5所提供的最佳成像平面位置，使驅動器33驅使固定座32沿光軸方向移動，使基板92表面可位於投影鏡頭4之最佳成像平面位置。藉著開啟曝光光源2之快門，便完成第一個曝光圖案的曝光。接著，基板載台3移動基板92至下一個曝光圖案並重複進行上述步驟。在所有曝光圖案進行曝光完成後，卸載基板92並裝載下一個基板。

歸納上述，本發明投影曝光系統藉由成像檢測裝置可即時追蹤投影鏡頭之最佳成像平面位置，以提高投影曝光系統的影像轉移的品質，並可即時追蹤投影鏡頭之倍率以提高投影曝光系統之對準誤差。再者，成像檢測裝置執行工作時，不會干擾光罩的曝光成像動作，而不需週期性地強制中斷曝光過程以進行最佳成像平面以及倍率的量測，故能提高投影曝光系統之產量。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

1‧‧‧投影曝光系統

2‧‧‧曝光光源

3‧‧‧基板載台

31‧‧‧承載座

32‧‧‧固定座

33‧‧‧驅動器

4‧‧‧投影鏡頭

41‧‧‧工作區域

42‧‧‧光罩投影工作區域

43‧‧‧區域

44‧‧‧物面

44’‧‧‧共軛物面

45‧‧‧基準像面

45’‧‧‧共軛像面

46‧‧‧區域

47‧‧‧區域

5‧‧‧成像檢測裝置

51‧‧‧像產生單元

511‧‧‧成像光源

512‧‧‧聚光元件

513‧‧‧第一反射鏡

514‧‧‧測試光罩

514’‧‧‧測試光罩

515‧‧‧條紋

515’‧‧‧條紋影像

516‧‧‧標記

52‧‧‧像檢測單元

521‧‧‧第二反射鏡

522‧‧‧影像擷取元件

6‧‧‧對焦感測器

61‧‧‧部件

62‧‧‧部件

7‧‧‧光檢測器

8‧‧‧控制模組

91‧‧‧光罩

92‧‧‧基板

α‧‧‧交角

β‧‧‧交角

圖1是一說明本發明投影曝光系統之一較佳實施例之 示意圖；圖2是一說明該較佳實施例之一成像檢測裝置之示意圖；圖3是一說明該較佳實施例之一投影鏡頭的工作區域之示意圖；圖4是一說明該較佳實施例之一測試光罩的可透光條紋之示意圖；圖5是一說明該較佳實施例之一測試光罩的十字形標記之示意圖；圖6是一說明該等可透光條紋之影像之示意圖；圖7(a)是一影像光強度分布圖；圖7(b)是另一影像光強度分布圖；圖7(c)是另一影像光強度分布圖；圖8是一說明該較佳實施例之一計算投影鏡頭之最佳成像平面位置的方法之示意圖；及圖9與圖10是說明該較佳實施例之另一計算投影鏡頭之最佳成像平面位置的方法之示意圖。

4‧‧‧投影鏡頭

44‧‧‧物面

44’‧‧‧共軛物面

45‧‧‧基準像面

45’‧‧‧共軛像面

5‧‧‧成像檢測裝置

51‧‧‧像產生單元

511‧‧‧成像光源

512‧‧‧聚光元件

513‧‧‧第一反射鏡

514‧‧‧測試光罩

52‧‧‧像檢測單元

521‧‧‧第二反射鏡

522‧‧‧影像擷取元件

Claims (19)

1. 一種投影曝光系統，適用於將一光罩之圖案成像轉移至一基板上，該投影曝光系統包含：一曝光光源；一光罩載台，設於該曝光光源下方，用以固定該光罩；一基板載台，設於該光罩載台下方，用以承載移動該基板；一投影鏡頭，設於該光罩載台與該基板載台之間，具有一光罩投影工作區域；一成像檢測裝置，包括一設於該光罩載台與該投影鏡頭之間的像產生單元，及一設於該投影鏡頭與該基板載台之間的像檢測單元，該像產生單元通過該投影鏡頭的該光罩投影工作區域之外的區域成像於該像檢測單元；一對焦感測器，用以感測該基板表面與該投影鏡頭的距離；及一光檢測器，設於該基板載台上，並具有一狹縫。
2. 依據申請專利範圍第1項所述之投影曝光系統，其中，該像產生單元具有一第一反射鏡及一測試光罩，該第一反射鏡形成一共軛物面，且該共軛物面通過該第一反射鏡到達該投影鏡頭的光路距離等於該光罩之部分物面到該投影鏡頭的光路距離，且該測試光罩設於該共軛物面處。
3. 依據申請專利範圍第2項所述之投影曝光系統，其中，該光罩之圖案可經由該投影鏡頭成像於一基準像面；該像檢測單元具有一第二反射鏡及一影像擷取元件，該第二反射鏡形成一共軛像面，且該共軛像面通過該第二反射鏡到達該投影鏡頭的光路距離等於部分該基準像面到該投影鏡頭的光路距離，且該影像擷取元件設於該共軛像面處。
4. 依據申請專利範圍第3項所述之投影曝光系統，其中，該測試光罩與該共軛物面形成一交角。
5. 依據申請專利範圍第4項所述之投影曝光系統，其中，該測試光罩具有複數條寬度相同的可透光條紋。
6. 依據申請專利範圍第5項所述之投影曝光系統，其中，該測試光罩還具有一位於中心位置的可透光標記。
7. 依據申請專利範圍第3項所述之投影曝光系統，其中，該影像擷取元件為一攝影機。
8. 依據申請專利範圍第7項所述之投影曝光系統，其中，該影像擷取元件與該共軛像面形成一交角。
9. 依據申請專利範圍第1項所述之投影曝光系統，其中，該成像檢測裝置與該投影鏡頭設於同一殼體內。
10. 依據申請專利範圍第2~9項之任一項所述之投影曝光系統，其中，該像產生單元還具有一成像光源及一聚光元件，且該成像光源發出的光可依序通過該聚光元件、該測試光罩、該第一反射鏡、該投影鏡頭、該第二反射鏡到達該影像擷取元件。
11. 依據申請專利範圍第10項所述之投影曝光系統，其中，該成像光源產生的光與該曝光光源產生的光具有相同波長。
12. 一種最佳成像平面位置及投影倍率的檢測方法，適用於一投影曝光系統，該投影曝光系統係將一光罩之圖案經由一投影鏡頭成像轉移至一基板上，該方法包含以下步驟：以一具有可透光標記的測試光罩類比該光罩，及一影像擷取元件類比該基板，並於進行該光罩成像之步驟時，使該標記經由該投影鏡頭的光罩投影工作區域之外的區域成像於該影像擷取元件；及由該影像擷取元件測得之像計算得出該投影鏡頭之最佳成像平面位置或其投影倍率。
13. 依據申請專利範圍第12項所述之最佳成像平面位置及投影倍率的檢測方法，其中，該測試光罩是位於一垂直該光罩物面方向的共軛物面處，該共軛物面是利用一第一反射鏡所形成，可使該共軛物面通過該第一反射鏡到達該投影鏡頭的光路距離等於該光罩之部分物面到達該投影鏡頭的距離。
14. 依據申請專利範圍第13項所述之最佳成像平面位置及投影倍率的檢測方法，其中，該測試光罩之可透光標記為複數條平行排列且寬度相同的可透光條紋。
15. 依據申請專利範圍第14項所述之最佳成像平面位置及投影倍率的檢測方法，其中，該測試光罩傾斜設置並與該 共軛物面具有一α角度的交角，使該等可透光條紋之一端與投影鏡頭的光路距離可較共軛物面短，而另一端與投影鏡頭的光路距離可較共軛物面長；以影像擷取元件測得該等可透光條紋影像之偏移值後，可利用以下公式計算出最佳成像平面位置：Ash=F/tanα；其中，Ash為該影像擷取元件所量測到的該等可透光條紋影像之偏移值；F為該投影鏡頭的最佳成像平面位置的實質偏移值；α為該測試光罩相對於該共軛物面的傾斜角。
16. 依據申請專利範圍第12、13或14項所述之最佳成像平面位置及投影倍率的檢測方法，其中，該影像擷取元件設於一位於垂直該投影鏡頭之基準像面方向的共軛像面處，該共軛像面是利用一第二反射鏡所形成，可使該共軛像面通過該第二反射鏡到達該投影鏡頭的光路距離等於部分該基準像面到該投影鏡頭的光路距離。
17. 依據申請專利範圍第16項所述之最佳成像平面位置及投影倍率的檢測方法，其中，該影像擷取元件傾斜設置並與該共軛像面具有一β角度的交角；以影像擷取元件測得該等可透光條紋影像之偏移值後，可利用以下公式計算出最佳成像平面位置：Ash=F/sinβ；其中，Ash為該影像擷取元件所量測到的該等可透 光條紋影像之偏移值；F為該投影鏡頭的最佳成像平面位置的實質偏移值；β為該影像擷取元件相對於該共軛像面的傾斜角。
18. 依據申請專利範圍第12或13項所述之最佳成像平面位置及投影倍率的檢測方法，其中，藉由該影像擷取元件測得之像計算出該投影鏡頭之投影倍率變化值，藉以調整該投影鏡頭之倍率。
19. 依據申請專利範圍第18項所述之最佳成像平面位置及投影倍率的檢測方法，其中，該可透光標記呈十字形且位於該測試光罩之中心。