TWI506671B - Mobile body driving method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern forming method and apparatus, and component manufacturing method - Google Patents

Mobile body driving method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern forming method and apparatus, and component manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
TWI506671B
TWI506671B TW097150794A TW97150794A TWI506671B TW I506671 B TWI506671 B TW I506671B TW 097150794 A TW097150794 A TW 097150794A TW 97150794 A TW97150794 A TW 97150794A TW I506671 B TWI506671 B TW I506671B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
measuring
moving body
exposure
measuring beam
measuring surface
Prior art date
Application number
TW097150794A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200943383A (en
Inventor
柴崎祐一
Original Assignee
尼康股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 尼康股份有限公司 filed Critical 尼康股份有限公司
Publication of TW200943383A publication Critical patent/TW200943383A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI506671B publication Critical patent/TWI506671B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

移動體驅動方法及裝置、曝光方法及裝置、圖案形成方法及裝置、以及元件製造方法
本發明，係關於移動體驅動方法及裝置、曝光方法及裝置、圖案形成方法及裝置、以及元件製造方法，詳言之，係關於沿既定平面驅動移動體之移動體驅動方法及移動體驅動裝置、利用前述移動體驅動方法之曝光方法及具備前述移動體驅動裝置之曝光裝置、利用前述移動體驅動方法之圖案形成方法及具備前述移動體驅動裝置之圖案形成裝置、以及利用前述圖案形成方法之元件製造方法。
以往，在製造半導體元件(積體電路等)、液晶顯示元件等之電子元件(微型元件)的微影製程中，主要係使用步進重複方式之縮小投影曝光裝置(所謂步進機)、步進掃描方式之縮小投影曝光裝置(所謂掃描步進機(亦稱掃描機))等。
此種曝光裝置，為了將標線片(或光罩)之圖案轉印至晶圓或玻璃板等基板(以下，統稱為「晶圓」)上之複數個照射區域，保持晶圓之晶圓載台係以例如線性馬達等加以驅動於二維方向。晶圓載台之位置，一般而言，係使用長期具有高安定性之有雷射干涉儀加以測量。
然而，近年來，隨著半導體元件高積體化之圖案微細化，重疊精度之要求日趨嚴格，因雷射干涉儀之光路上之環境氣氛之温度變化及温度梯度之影響所產生之空氣波動所引起之測量值短期變動在重疊(overlay)預算中占有相當大的重要性。
因此，發明人先前提出了一種曝光裝置，其採用具有與雷射干涉儀相同程度以上之測量分解能力，一般而言，較干涉儀不易受空氣波動影響之編碼器，來作為晶圓載台之位置測量裝置(例如，參照專利文獻1)。發明人等在進行各種實験等後之結果，最近發現了當對形成有繞射光柵之標尺持續照射一定時間以上之來自編碼器讀頭之測量光束時，標尺會因熱膨脹而微小變形，而此微小變形將成為無法忽視程度之測量誤差之主因。
[專利文獻1]國際公開第2007/097379號小冊子
本發明第1觀點之移動體驅動方法，係於既定平面內驅動移動體，其包含：使用位置測量系統測量該移動體之位置並根據該測量結果驅動該移動體之步驟，該位置測量系統，具備對設在該移動體與該移動體外部之一方之測量面照射測量光束之該移動體與該移動體外部之另一方設置的讀頭；以及調整該測量光束照射於該測量面上之照射量之步驟。
根據此方法，藉調整測量光束對測量面上之照射量，能調整對測量面之照射熱，而能抑制因照射熱所引起之測量面之變形。因此，能恆維持高位置測量精度，保障移動體之驅動精度。
本發明第2觀點之曝光方法，係藉由照射能量束於物體上之區劃區域形成圖案，其包含：為於該區劃區域形成圖案，使用本發明之移動體驅動方法，驅動保持該物體之移動體之步驟。
根據此方法，為於物體上之區劃區域形成圖案，使用本發明之移動體驅動方法，來驅動保持物體之移動體。據此，即能以良好精度於物體上之區劃區域形成圖案。
本發明第3觀點之圖案形成方法，係於物體上形成圖案，其包含：為於該物體上形成圖案，使用本發明之移動體驅動方法，驅動保持該物體之移動體之步驟。
根據此方法，為於物體上之形成圖案，使用本發明之移動體驅動方法，驅動保持該物體之移動體之步驟。據此，即能以良好精度於物體上形成圖案。
本發明第4觀點之元件製造方法，其包含：使用本發明之圖案形成方法於物體上形成圖案之步驟；以及對形成該圖案之該物體施以處理之步驟。
本發明第5觀點之曝光方法，係以能量束使物體曝光，其包含：使用在能保持該物體於既定平面內移動之移動體與其外部之一方設有測量面、且另一方設有讀頭之位置測量系統，測量該移動體之位置資訊，根據該位置資訊驅動該移動體之動作；以及阻止因該測量光束而在該測量面產生之包含熱應力、變形量之至少1物理量超過容許值之動作。
此處，所謂物理量，係指因測量光束之照射而在測量面產生之變形(含因熱應力引起之變形)相關連之物理量。
根據此方法，係使用位置測量系統測量移動體之位置資訊，根據該位置資訊驅動移動體。此外，亦阻止因測量光束而在測量面產生之包含熱應力、變形量之至少1物理量超過容許值。因此，能抑制因照射熱而產生之測量面之變形，據此，能恆維持高位置測量精度，保障移動體之驅動精度。
本發明第6觀點之元件製造方法，其包含：使用本發明之曝光方法使物體曝光之動作；以及使曝光後之前述物體顯影之動作。
本發明第7觀點之移動體驅動裝置，係於既定平面内驅動移動體，其具備：位置測量系統，係使用對設於該移動體上與該移動體外部之一方之測量面，照射測量光束之設於該移動體上與該移動體外部之另一方之讀頭，測量該移動體之位置；驅動裝置，係根據該位置測量系統之測量結果於該既定平面内驅動該移動體；以及調整裝置，係使用該驅動裝置驅動該移動體，據以調整該測量光束對該測量面上之照射量。
根據此裝置，係以調整裝置，使用驅動裝置驅動移動體，據以調整測量光束對測量面上之照射量。因此，能調整對測量面之照射熱，抑制因該熱所產生之測量面之變形。因此，據此，能恆維持高位置測量精度，保障移動體之驅動精度。
本發明第8觀點之曝光裝置，係藉由照射能量束於物體上之區劃區域形成圖案，其具備為於該區劃區域形成圖案，而於既定平面内驅動保持該物體之移動體之本發明之移動體驅動裝置。
根據此裝置，為於物體上之區劃區域形成圖案，藉由本發明之移動體驅動裝置於既定平面內驅動保持物體之移動體。如此，即能以良好精度於物體上之區劃區域形成圖案。
本發明第9觀點之圖案形成裝置，係於物體形成圖案，其具備：可保持物體移動之移動體；於該物體上形成圖案之圖案生成裝置；以及將該移動體於既定平面內加以驅動之本發明之移動體驅動裝置。
根據此裝置，在以圖案生成裝置於物體上形成圖案時，藉由本發明之移動體驅動裝置，於既定平面內驅動保持物體之移動體。如此，即能以良好精度於物體上形成圖案。
本發明第10觀點之曝光裝置，係以能量束使物體曝光，其具備：移動體，可保持該物體於既定平面內移動；位置測量系統，具有設於該移動體與該移動體外部之一方之讀頭，從該讀頭對設於該移動體與該移動體外部之另一方之測量面照射測量光束，並接收其反射光以測量該移動體之位置資訊；驅動系統，係根據該位置資訊驅動該移動體；以及控制裝置，係用以阻止因該測量光束使在該測量面之包含熱應力、變形量之至少1者之物理量超過容許值。
根據此裝置，以位置測量系統測量移動體之位置資訊，根據該位置資訊以驅動系統驅動移動體。又，藉由控制裝置阻止因測量光束使在測量面之包含熱應力、變形量之至少1者之物理量超過容許值。因此，能抑制因照射熱引起之測量面之變形，據此，據此，能恆維持高位置測量精度，保障移動體之驅動精度。
本發明第11觀點之元件製造方法，包含：使用本發明之曝光裝置使物體曝光之動作；以及使曝光後之前述物體顯影之動作。
以下，根據圖1～圖13說明本發明之一實施形態。
圖1中概略顯示了第1實施形態之曝光裝置100之構成。曝光裝置100，係步進掃描方式之掃描型曝光裝置、亦即係所謂之掃描機。如後述般，本實施形態中設有投影光學系統PL與一次對準系統AL1，以下，將與此投影光學系統PL之光軸AX平行之方向設為Z軸方向、將在與該Z軸方向正交之面內標線片R與晶圓W相對掃描的方向設為Y軸方向、將與Z軸及Y軸正交之方向設為X軸方向，且將繞X軸、Y軸、及Z軸之旋轉(傾斜)方向分別設為θx、θy及θz方向來進行說明。
曝光裝置100，具備：照明單元IOP、標線片載台RST、投影單元PU、具有晶圓載台WST之載台裝置50、及此等之控制系統等。圖1中，晶圓載台WST上裝載有晶圓W。
照明系統10，係例如美國專利申請公開第2003/0025890號說明書等所揭示，其包含光源、具有包含光學積分器等之照度均一化光學系統、標線片遮簾等(均未圖示)的照明光學系統。照明系統10，籍由照明光(曝光用光)IL以大致均一之照度來照明被標線片遮簾(遮罩系統)規定之標線片R上的狹縫狀照明區域IAR。，作為一例，係使用ArF準分子雷射光(波長193nm)來作為照明光IL。
於標線片載台RST上，例如籍由真空吸附固定有標線片R，該標線片R係於其圖案面(圖1之下面)形成有電路圖案等。標線片載台RST，能籍由包含例如線性馬達等之標線片載台驅動系統11(圖1中未圖示、參照圖7)而在XY平面內微寬度驅動，且能以所定之掃描速度驅動於既定掃描方向(圖1之紙面內左右方向的Y軸方向)。
標線片載台RST於XY平面(移動面)內之位置資訊(包含θz方向之旋轉資訊)，係藉由標線片雷射干涉儀(以下稱為「標線片干涉儀」)116，透過移動鏡15(實際上，係設有具有與Y軸方向正交之反射面的Y移動鏡(或復歸反射器)、以及具有與X軸方向正交之反射面的X移動鏡)例如以0.25nm左右之解析能力隨時檢測。標線片干涉儀116之測量資訊被傳送至主控制裝置20(圖1中未圖示，參照圖7)。
投影單元PU係配置在標線片載台RST之圖1中之下方，被支承於未圖示之主機架。投影單元PU包含鏡筒40、與被保持在鏡筒40內之投影光學系統PL。例如係使用沿與Z軸方向平行之光軸AX排列之複數個透鏡(透鏡元件)所構成的折射光學系統。投影光學系統PL，例如係兩側遠心且具有既定投影倍率(例如1/4倍、1/5倍或1/8倍)。因此，當以來自照明系統10之照明光IL照明標線片R上之照明區域IAR時，籍由通過投影光學系統PL之第1面(物體面)與圖案面大致配置成一致之標線片R的照明光IL，使該照明區域IAR內之標線片R的電路圖案縮小像(電路圖案之一部分縮小像)透過投影光學系統PL(投影單元PU)形成於區域(曝光區域)IA；該區域IA係與配置於其第2面(像面)側、表面塗布有光阻(感光劑)之晶圓W上的前述照明區域IAR共軛之區域(以下，亦稱曝光區域)。接著，藉由標線片載台RST與晶圓載台WST之同步驅動，使標線片相對照明區域IAR(照明光IL)移動於掃描方向(Y軸方向)，且使晶圓W相對曝光區域(照明用光IL)移動於掃描方向(Y軸方向)，藉此對晶圓W上之一個照射區域(區劃區域)進行掃描曝光，以將標線片R之圖案轉印於該照射區域。亦即，本實施形態中，係藉由照明系統10、及投影光學系統PL將標線片R之圖案生成於晶圓W上，藉由照明光IL對晶圓W上之感應層(光阻層)之曝光將該圖案形成於晶圓W上。
載台裝置50，如圖1所示，具備：配置在底盤12上之晶圓載台WST、測量晶圓載台WST之位置資訊之測量系統200(參照圖7)、以及驅動晶圓載台WST之載台驅動系統124(參照圖7)等。測量系統200，如圖7所示，包含干涉儀系統118、編碼器系統150及面位置測量系統180等。
晶圓載台WST，係藉由未圖示之非接觸軸受、例如空氣轴承等，隔著數μm程度之間隙被支承在底盤12上。晶圓載台WST，包含載台本體91、與搭載於該載台本體91之晶圓台WTB。晶圓台WTB及載台本體91，例如係以包含線性馬達等之載台驅動系統124加以驅動。據此，晶圓W能在底盤12上移動於6自由度方向(X、Y、Z、θx、θy、θz)。
於晶圓台WTB之上面中央，設有以真空吸附等方式保持晶圓W之晶圓保持具(未圖示)。
於晶圓台WTB上面之晶圓保持具之＋Y側配置有測量板片30。於測量板片30之中央配置有基準標記FM，於基準標記FM之X軸方向兩側配置有一對空間像測量狹縫圖案(狹縫狀之測量用圖案)SL。此外，對應各空間像測量狹縫圖案SL，於晶圓載台WST內部配置有光學系統及受光元件等。亦即，於晶圓台WTB上，設有包含空間像測量狹縫圖案SL之一對空間像測量器45A、45B(參照圖7)。又，亦可於晶圓載台WST內部僅配置光學系統之一部分，而將熱源之受光元件等配置在晶圓載台WST之外部。
又，晶圓台WTB上面形成有後述編碼器系統所使用之標尺。詳言之，於晶圓台WTB上面之X軸方向(圖2中之紙面內左右方向)之一側與另一側之區域，分別形成有Y標尺39Y1 、39Y2 。Y標尺39Y1 、39Y2 ，係以例如以X軸方向為長邊方向之光柵線38以既定間距排列於Y軸方向、以Y軸方向為週期方向之反射型光柵(例如繞射光柵)所構成。
同樣的，在晶圓台WTB上面之Y軸方向(圖2中紙面內上下方向)一側與另一側之區域，以被Y標尺39Y1 及39Y2 夾著之狀態分別形成有X標尺39X1 、39X2 。X標尺39X1 、39X2 ，例如係由以Y軸方向為長邊方向之光柵線37以既定間距排列於X軸方向、以X軸方向為週期方向之反射型光柵(例如繞射光柵)所構成。
又，光柵線37、38之間距被設定為例如1μm。圖2及其他圖中，為便於圖示，光柵之間距被顯示得較實際間距大。
此外，為保護各繞射光柵，將各標尺以低熱膨漲率之玻璃板加以覆蓋亦是有効的。此處，作為玻璃板可使用厚度與晶圓同程度、例如厚度1mm之物，並將其設置於晶圓台WST(各標尺)之上面使該玻璃板表面與晶圓面同高(同面高)。
又，於晶圓台WTB之-Y端面、-X端面，如圖2所示，形成有用於後述干涉儀系統之反射面17a、反射面17b。
又，於晶圓台WTB之＋Y端面，如圖2所示，於X軸方向延設有與國際公開第2007/097379號小冊子(對應美國專利申請公開第2008/0088843號說明書)所揭示之CD桿相同之基準桿(feducial bar，以下簡稱為「FD桿」)46。於FD桿46之長邊方向一側與另一側之端部附近，以就晶圓台WTB之中央線LL成對稱之配置，分別形成有以Y軸方向為週期方向之基準光柵(例如繞射光柵)52。此外，於FD桿46上面形成有複數個基準標記M。各基準標記M，係使用可以後述對準系統加以檢測之可能尺寸之2維標記。本實施形態中，各標尺之覆蓋玻璃板表面、晶圓台WTB之上面、測量板片30之表面、後述FD桿46表面、及晶圓表面為同一面高。此外，此等面之至少一部分可具有撥液性。
本實施形態之曝光裝置100，如圖4及圖5所示，設有一次(primary)對準系統ALI，此一次對準系統AL1在與通過投影光學系統PL之光軸AX之Y軸平行之直線(基準軸)LV上、於-Y側距光軸AX既定距離之位置具有檢測中心。一次對準系統AL1被固定在前述主機架下面。如圖5所示，隔著一次對準系統AL1於X軸方向之一側另一側，分別設有其檢測中心就基準軸LV呈大致對稱配置之二次對準系統AL21 、AL22 、AL23 、AL24 。二次對準系統AL21 ～AL24 係透過可動式支承構件固定在主機架(未圖示)下面，可藉由驅動機構601 ～604 (參照圖7)於X軸方向調整該等之檢測區域之相對位置。
本實施形態，各對準系統AL1、AL21 ～AL24 係使用例如影像處理方式之FIA(Field Image Alignment)系統。來自各對準系統AL1、AL21 ～AL24 之攝影訊號透過未圖示之訊號處理系統被供應至主控制裝置20。
本實施形態中，晶圓載台WST(晶圓台WTB)之XY平面內之位置資訊(含θz方向之旋轉資訊)，主要係使用後述編碼器系統150加以測量。干涉儀系統118，則係使用在晶圓載台WST位於編碼器系統150之測量區域外(例如，卸載位置UP(參照圖8)及裝載位置LP(參照圖9)附近)時。此外，亦在修正(校正)編碼器系統150之測量結果之長期變動(例如標尺之經時變形等造成)之場合等輔助性的加以使用。因此，為進行晶圓載台WST(晶圓台WTB)於XY平面內之位置資訊之測量，不一定須要設置干涉儀系統118。另一方面，亦可併用干涉儀系統118與編碼器系統150，來測量晶圓載台WST(晶圓台WTB)之位置資訊。
於本實施形態之曝光裝置100，與干涉儀系統118分開獨立的，為測量晶圓載台WST在XY平面內之位置(X、Y、θz)而設有構成編碼器系統150之複數個讀頭單元。
如圖4所示，於投影單元PU之＋X側、＋Y側、-X側及一次對準系統AL1之-Y側，分別配置有4個讀頭單元62A、62B、62C及62D。又，於對準系統AL1、AL21 ～AL24 之X軸方向兩外側分別配置有讀頭單元62E、62F。此等讀頭單元62A～62F係透過支承構件以懸吊狀態固定在前述主機架。
讀頭單元62A及62C，如圖5所示，分別具備複數個(此處為5個)Y讀頭651 ～655 及Y讀頭641 ～645 。此處，Y讀頭652 ～655 及Y讀頭641 ～644 係於基準軸LH上以間隔WD配置。Y讀頭651 及Y讀頭645 ，係配置在從基準軸LH於-Y方向相隔既定距離之投影單元PU之-Y側位置。Y讀頭651 ，652 間、及Y讀頭644 、645 間之X軸方向之間隔亦設定為WD。又，Y讀頭651 ～655 與Y讀頭645 ～641 ，被就基準軸LV配置成對稱。以下，視需要，亦將Y讀頭651 ～655 及Y讀頭641 ～645 分別記載為Y讀頭65及Y讀頭64。
讀頭單元62A，使用Y標尺39Y1 構成用以測量晶圓載台WST(晶圓台WTB)之Y軸方向位置(Y位置)之多眼(此處為5眼)Y線性編碼器70A(參照圖7)。同樣的，讀頭單元62C則使用Y標尺39Y2 構成用以測量晶圓載台WST(晶圓台WTB)之Y位置之多眼(此處為5眼)Y線性編碼器70C(參照圖7)。又，以下，亦將Y線性編碼器適當的簡稱為「Y編碼器」或「編碼器」。
此處，讀頭單元62A、62C分別具備之5個Y讀頭65、64(正確而言，Y讀頭65、64發出之測量光束於標尺上之照射點)於X軸方向之間隔WD，被設定為較Y標尺39Y1 、39Y2 之X軸方向寬度(正確而言，係光柵線38之長度)略窄。因此，在例如曝光時等，各5個Y讀頭65、64中，至少1個讀頭會恆對向於對應之Y標尺39Y1 、39Y2 (照射測量光束)。
讀頭單元62B，如圖5所示，具備於基準軸LV上以間隔WD配置之複數個(此處為4個)X讀頭665 ～668 。又，讀頭單元62D具備於基準軸LV上以間隔WD配置之複數個(此處為4個)X讀頭661 ～664 。以下，視需要，將X讀頭665 ～668 及X讀頭661 ～664 亦記載為X讀頭66。
讀頭單元62B，使用X標尺39X1 構成用以測量晶圓載台WST(晶圓台WTB)之X軸方向位置(X位置)之多眼(此處為4眼)X線性編碼器70B(參照圖7)。又，讀頭單元62D，使用X標尺39X2 構成測量晶圓載台WST(晶圓台WTB)之X位置之多眼(此處為4眼)X線性編碼器70D(參照圖7)。以下，適當的將X線性編碼器簡稱為「編碼器」。
此處，讀頭單元62B、62D分別具備之相鄰X讀頭66(正確而言，X讀頭66所發出之測量光束於標尺上之照射點)之Y軸方向間隔WD，被設定為較X標尺39X1 、39X2 之Y軸方向寬度(正確而言係光柵線37之長度)窄。因此，在例如曝光時或對準時等，讀頭單元62B、62D所具備之合計8個X讀頭66中之至少1個讀頭，會隨時對向於對應之X標尺39X1 、39X2 (照射測量光束)。
又，讀頭單元62B之最靠近-Y側之X讀頭665 與讀頭單元62D之最靠近＋Y側之X讀頭664 之間隔，被設定為較晶圓台WTB之Y軸方向寬度窄，以能藉由晶圓載台WST之Y軸方向移動而能在該2個X讀頭間進行切換(接合)。
讀頭單元62E，如圖5所示，具備複數個(此處為4個)Y讀頭671 ～674 。此處，3個Y讀頭671 ～673 係在二次對準系統AL21 之-X側、於基準軸LA上以和間隔WD大致相同之間隔配置。Y讀頭674 ，係配置在從基準軸LA於＋Y方向相隔既定距離之二次對準系統AL21 之＋Y側。又，Y讀頭673 、674 間之X軸方向間隔亦設定為WD。
讀頭單元62F具備複數個(此處為4個)Y讀頭681 ～684 。此等Y讀頭681 ～684 ，係就基準軸LV配置在與Y讀頭674 ～671 相對稱之位置。亦即，3個Y讀頭682 ～684 係在二次對準系統AL24 之＋X側、於基準軸LA上以和間隔WD大致相同之間隔配置。Y讀頭681 ，係配置在從基準軸LA於＋Y方向相隔既定距離之二次對準系統AL24 之＋Y側。又，Y讀頭681 、682 間之X軸方向間隔亦設定為WD。以下，視需要，亦將Y讀頭674 ～671 及Y讀頭681 ～684 分別記載為Y讀頭67及Y讀頭68。
於對準測量時，至少各1個Y讀頭67、68分別對向於Y標尺39Y2 、39Y1 。以此等Y讀頭67、68(亦即，由此等Y讀頭67、68構成之Y線性編碼器70E、70F)測量晶圓載台WST之Y位置(及θz旋轉)。
又，本實施形態，於二次對準系統之基準線測量時等，與二次對準系統AL21 、AL24 於X軸方向相鄰之Y讀頭673 、682 ，分別與FD桿46之一對基準光柵52對向，藉由與該一對基準光柵52對向之Y讀頭673 、682 ，分別以基準光柵52之位置測量FD桿46之Y位置。以下，將分別對向於一對基準光柵52之Y讀頭673 、682 所構成之編碼器稱為Y線性編碼器70E2 、70F2 (參照圖7)。又，為便於識別，將以對向於9Y2 、39Y1 之Y讀頭67、68所構成之Y編碼器稱為Y編碼器70E1 、70F1 。
上述線性編碼器70A～70F之測量值被供應至主控制裝置20，主控制裝置20根據線性編碼器70A～70D中之3個、或線性編碼器70E1 、70F1 、70B及70D中之3個測量值，控制晶圓載台WST之XY平面內之位置，並根據線性編碼器70E2 、70F2 之測量值，控制FD桿46(晶圓載台WST)之θz方向之旋轉。
又，作為各編碼器讀頭(Y讀頭、X讀頭)，可使用例如國際公開第2007/097379號小冊子所揭示之干涉型編碼器讀頭。此種編碼器讀頭，係將2個測量光照射於對應之標尺，將各自之返回光合成為1個干涉光並加以接收後，使用光檢測器測量該干涉光之強度。根據該干涉光之強度變化，測量標尺於測量方向(繞射光柵之週期方向)之位移。又，各編碼器讀頭(Y讀頭、X讀頭)並不限於上述繞射干涉方式，亦可使用例如所謂之拾取(pick up)方式等之各種方式。
干涉儀系統118，如圖3所示，具備對反射面17a或17b分別照射干涉儀光束(測長光束)、並接收其反射光以測量晶圓載台WST之XY平面內之位置資訊的Y干涉儀16及3個X干涉儀126、127、128。詳言之，Y干涉儀16，係將包含對基準軸LV成對稱之一對測長光束B41 、B42 之至少3個與Y軸平行之測長光束，照射於反射面17a、及後述移動鏡41。又，X干涉儀126，如圖3所示，將包含對與光軸AX與基準軸LV正交之X軸平行之直線(基準軸LH)成對稱之一對測長光束B51 、B52 之至少3個與X軸平行之測長光束，照射於反射面17b。又，X干涉儀127，將包含以在對準系統AL1之檢測中心與基準軸LV正交之X軸平行之直線(基準軸)LA為測長軸之測長光束B6的至少2個與Y軸平行之測長光束，照射於反射面17b。又，X干涉儀128，則將與Y軸平行之測長光束B7照射於反射面17b。
來自干涉儀系統118之上述各干涉儀之位置資訊被供應至主控制裝置20。主控制裝置20根據例如Y干涉儀16及X干涉儀126或127之測量結果，除晶圓台WTB(晶圓載台WST)之X、Y位置外，亦能算出θx方向之旋轉資訊(亦即俯仰、pitching)、θy方向之旋轉資訊(亦即橫搖、rolling)及θz方向之旋轉資訊(亦即偏搖、yawing)。
干涉儀系統118，如圖1及圖3所示，亦具備一對Z干涉儀43A、43B。Z干涉儀43A、43B，被配置成與固定在載台本體91之-Y側側面之具有凹狀反射面之移動鏡41對向。此處，移動鏡41，由圖2可知，被設計成X軸方向之長度較晶圓台WTB之反射面17a長。
Z干涉儀43A、43B，透過移動鏡41對例如固定於前述主機架之固定鏡47A、47B分別照射2條與Y軸平行之測長光束B1、B2，並接收各反射光以測量測長光束B1、B2之光路長。根據其測量結果，主控制裝置20算出晶圓載台WST之4自由度(Y、Z、θy、θz)方向之位置。
再者，本實施形態之曝光裝置100，如圖4及圖6所示，設有由照射系統90a及受光系統90b組成之多點焦點位置檢測系統(以下，簡稱為「多點AF系統」)。多點AF系統，係採用與例如美國專利第5,448,332號說明書等所揭示者相同構成之斜入射方式。本實施形態中，作為一例，係於前述讀頭單元62E之-X端部之＋Y側配置照射系統90a，並以與此對峙之狀態，於前述讀頭單元62F之＋X端部之＋Y側配置受光系統90b。又，多點AF系統(90a、90b)係固定在前述主機架下面。
多點AF系統(90a、90b)之複數個檢測點，係在被檢測面上沿X軸方向以既定間隔配置。本實施形態中，例如配置成一行M列(M為檢測點之總數)或兩行N列(N=M/2)之矩陣狀。圖4及圖6中，未個別圖示檢測光束分別照射之複數個檢測點，而係顯示在照射系統90a及受光系統90b之間延伸於X軸方向的細長檢測區域(光束區域)AF。此檢測區域AF，由於其X軸方向之長度係設定成與晶圓W之直徑相同，因此僅藉由沿Y軸方向掃描晶圓W一次，即能測量晶圓W之大致全面之Z軸方向位置資訊(面位置資訊)。
如圖6所示，於多點AF系統(90a、90b)之檢測區域AF之兩端部附近，以對基準軸LV呈對稱之配置，設有構成面位置測量系統180之一部分之各一對Z位置測量用之讀頭(以下，簡稱為「Z讀頭」)72a、72b、及72c、72d。此等Z讀頭72a～72d被固定在前述主機架下面。又，以下，亦將Z讀頭72a～72d記載為Z讀頭72。
作為Z讀頭72a～72d，例如，係使用與CD驅動裝置等所使用之光拾取讀頭相同之光學式位移測器讀頭。Z讀頭72a～72d從上方對晶圓台WTB照射測量光束，接收其反射光以測量於照射點之晶圓台WTB之面位置。又，本實施形態中，Z讀頭之測量光束，係採用以構成前述Y標尺39Y1 、39Y2 之反射型繞射光柵加以反射之構成。
再者，前述讀頭單元62A、62C，如圖6所示，在與分別具備之5個Y讀頭65j 、64i (i、j=1～5)相同X位置、但錯開Y位置處，分別具備5個Z讀頭76j 、74i (i、j=1～5)。此處，分別屬於各讀頭單元62A、62C之外側之3個Z讀頭763 ～765 、741 ～743 ，係從基準軸LH於＋Y方向相隔既定距離隔配置成與基準軸LH平行。又，分別屬於讀頭單元62A與62C之最內側之Z讀頭761 與745 係配置在投影單元PU之＋Y側、其餘之Z讀頭762 與744 則分配置在Y讀頭652 與644 之-Y側。此外，分別屬於讀頭單元62A、62C之5個Z讀頭76、74則配置成彼此對基準軸LV成呈對稱。又，各Z讀頭76、74係使用與前述Z讀頭72a～72d相同之光學式位移感測器之讀頭。
如前所述，由於讀頭單元62A、62C在與分別具備之5個Y讀頭65j 、64i 相同之X位置，分別具有5個Z讀頭76j 、74i ，因此在例如曝光時等，與Y讀頭65、64同樣的，各5個Z讀頭76、74中、至少1個讀頭會隨時對向於對應之Y標尺39Y1、39Y2。
上述Z讀頭72a～72d、741 ～745 、761 ～765 ，如圖7所示，係透過訊號處理選擇裝置170連接於主控制裝置20，主控制裝置20透過訊號處理選擇裝置170從Z讀頭72a～72d、741 ～745 、761 ～765 中選擇任意之Z讀頭使其成作動狀態，透過訊號處理選擇裝置170接收以該作動狀態中之Z讀頭檢測之面位置資訊。本實施形態中，包含Z讀頭72a～72d、741 ～745 、761 ～765 、與訊號處理選擇裝置170來構成用以測量晶圓載台WST之Z軸方向及相對於XY平面之傾斜方向(主要是θy方向)之位置資訊的面位置測量系統180。
圖7中顯示了曝光裝置100之控制系統之主要構成。此控制系統，係以統籌控制裝置全體之微電腦(或工作站)所組成之主控制裝置20為中心構成。
以上述方式構成之本實施形態之曝光裝置，依循例如國際公開第2007/097379號小冊子之實施形態中所揭示之程序相同之程序，由主控制裝置20實施使用晶圓載台WST之處理。
亦即，當晶圓載台WST位於圖8所示之卸載位置UP時即卸下晶圓W，移動至圖9所示之裝載位置LP時即將新的晶圓W裝載於晶圓台WTB上。在卸載位置UP、裝載位置LP附近，晶圓載台WST之6自由度位置係根據干涉儀系統118之測量值加以控制。又，在卸載位置UP、裝載位置LP及兩者間之移動路徑，所有之編碼器讀頭及Z讀頭皆不會與標尺39Y1 、39Y2 、39X1 、39X2 之任一者對向。亦即，在卸載位置UP、裝載位置LP及兩者間之移動路徑之區域，所有編碼器讀頭及Z讀頭之測量光束之照射點皆位在標尺外。
又，本實施形態之曝光裝置100，採用了編碼器讀頭及Z讀頭之測量光束不會對標尺之同一點照射既定時間以上(亦即，熱應力不致超過容許值之)程序，作為其一，係採用使晶圓載台WST退至「待機位置」之方法。因此，若有需要使晶圓載台WST停止既定時間以上之情形時，卸載位置UP、裝載位置LP等是非常適合作為該待機位置之位置。又，例如於裝載位置LP，雖有X讀頭661 ～664 之一部分會對向於曝光前之晶圓W周邊之一部分之情形，但來自讀頭之測量光束並無使晶圓W表面之光阻感光之虞，因此不致造成妨礙。
裝載結束後，移動晶圓載台WST，進行一次對準系統AL1檢測測量板片30之基準標記FM的一次對準系統AL1之基準線查驗之前半處理。與此接續的，進行編碼器系統及干涉儀系統原點之再設定(reset)。
之後，一邊使用編碼器系統及Z讀頭測量晶圓載台WST之6自由度方向位置、一邊使用對準系統AL1、AL21 ～AL24 實施檢測晶圓W上複數個取樣照射區域之對準標記之對準測量，且與此並行，使用多點AF系統(90a、90b)進行焦點映射(以Z讀頭72a～72d之測量值為基準之晶圓W之面位置(Z位置)資訊之測量)。在為進行此等對準測量及焦點映射之晶圓載台WST往＋Y方向之移動中，當測量板片30到達投影光學系統PL下方時，進行使用空間像測量器45A、45B以狹縫掃描方式測量標線片R上之一對對準標記的一次對準系統AL1之基準線查驗之後半處理。
之後，持續進行對準測量及焦點映射。
當對準測量及焦點映射結束時，根據從對準測量之結果所得之晶圓上各照射區域之位置資訊、與最新之對準系統之基準線，以步進掃描方式使晶圓W上之複數個照射區域曝光，以轉印標線片之圖案。曝光動作中，根據以焦點映射所得之資訊，進行晶圓W之焦點調平控制。又，曝光中之晶圓之Z、θy係以Z讀頭74、76之測量值加以控制，但θx則係根據Y干涉儀16之測量值加以控制。
又，二次對準系統AL21 ～AL24 之基準線測量，係以適當之時序，以和國際公開第2007/097379號小冊子所揭示之方法同樣的，根據前述編碼器70E2 、70F2 之測量值，在FD桿46(晶圓載台WST)之θz旋轉經調整之狀態下，使用4個二次對準系統AL21 ～AL24 ，同時測量位於各二次對準系統視野內之FD桿46上之基準標記M，據以進行。
以上述方式進行使用晶圓載台WST之一連串之處理，但有可能因某種原因，而發生必須暫時停止使用晶圓載台WST之一連串處理，使晶圓載台WST處於待機狀態(閒置(idel)狀態)之情形。
例如，於晶圓更換時，若新的晶圓不被以例如聯機(in line)於曝光裝置100之塗布/顯影系統送來之情形的話，主控制裝置20可使晶圓載台WST停止在前述待機位置之一之裝載位置LP使其待機。
另一方面，當發生在晶圓載台WST位於離開卸載位置UP及裝載位置LP等之位置時須使晶圓載台WST短時間待機之必要時等，主控制裝置20，藉由在既定範圍內持續移動晶圓載台WST，來防止產生來自編碼器讀頭及Z讀頭之測量光束持續照射於晶圓載台WST上各標尺之同一位置的不良情形。此場合，若附近有除了卸載位置UP及裝載位置LP以外之待機位置的話，主控制裝置20亦可使晶圓載台WST移動該處，以取代持續移動。
此種情形下，雖亦可考慮停止來自編碼器讀頭及Z讀頭之測量光束之射出、亦即將此等讀頭予以OFF，但若使此等讀頭OFF的話，當再度ON時測量光束之射出狀態達安定狀態為止需要長時間，因此不佳。
有鑒於上述情形，本實施形態，主控制裝置20以上述方式，藉使晶圓載台WST持續移動、或退至待機位置，來控制對各標尺之測量光束之照射量，據此，來避免因測量光束之照射熱所導致之標尺變形及伴隨之編碼器讀頭及Z讀頭之測量誤差之產生。主控制裝置20在使晶圓載台WST持續移動之情形時，除使晶圓載台WST連續移動外，亦可使用其步進移動。本說明書中，所謂「使其持續移動」之用語，即包含步進移動之概念。
例如，主控制裝置20，如圖10中以塗白之雙箭頭所示，對晶圓載台WST進行在既定範圍內之往復驅動。此場合，主控制裝置20，係視隨測量光束之照射所產生之熱量與擴散量，抑制測量光束之照射量至不致累積足以使標尺變形之熱應力之程度，據以決定晶圓載台WST之驅動範圍(往復移動距離)與驅動速度。又，圖10中，雖係例示晶圓載台WST之往復驅動方向為X軸方向之情形，但晶圓載台WST之往復驅動方向可任意設定。
又，主控制裝置20，亦可如圖11中以塗白雙箭頭所示，驅動晶圓載台WST在既定範圍內沿鋸齒形軌道來回移動，或如圖12中以塗白箭頭所示，驅動其在既定範圍內以停止位置為中心繞圈，亦或如圖13中以塗白箭頭所示，驅動其在既定範圍內繞行。此外，主控制裝置20亦可組合此等驅動方法。此等情形中，主控制裝置20，亦係視隨測量光束之照射所產生之熱量與擴散量，抑制測量光束之照射量至不致累積足以使標尺變形之熱應力之程度，據以決定晶圓載台WST之驅動範圍與驅動速度。只要不致累積足以使標尺變形至無法忽視程度之熱的話，則晶圓載台WST之驅動範圍、驅動路徑、驅動速度皆可任意設定。又，亦可作成可由操作員進行上述晶圓載台WST之驅動範圍、驅動路徑、驅動速度之設定。
又，使晶圓載台WST持續移動之方法，由於係抑制對標尺上相同位置之測量光束之照射量之手段，因此最好是僅適用在短時間之曝光裝置100之閒置中，而長時間之閒置中，則仍以使晶圓載台WST退避至前述待機位置之方式較佳。又，圖10～圖13之例中，除上述與對應標尺對向之編碼器讀頭及Z讀頭之外，亦有幾個與晶圓台WTB上面(晶圓W或其周圍部分)對向之讀頭。因此，主控制裝置20，亦可併用控制測量光束之照射之方法，停止未與對應標尺對向之讀頭之測量光束之照射，或進行間歇照射。或者，亦可降低來自該讀頭之測量光束之照射強度。
依上述方法避免標尺之熱變形，即能保障編碼器系統150(及面位置感測器系統180)之測量精度。
如以上之詳細說明，本實施形態之曝光裝置100，為測量晶圓載台WST之位置，設有編碼器讀頭64～68及Z讀頭72、74、76。從此等讀頭射出之測量光束，照射於設在晶圓載台WST上面之標尺39X1 、39X2 、39Y1 、39Y2 。因此，主控制裝置20，藉由使用載台驅動系統124驅動晶圓載台WST，調整從編碼器讀頭64～68及Z讀頭72、74、76射出之測量光束對標尺39X1 、39X2 、39Y1 、39Y2 上之照射量。例如，於曝光裝置100之閒置中，主控制裝置20，如前所述，使晶圓載台WST持續移動、或使晶圓載台WST退避至測量光束不致照射到標尺39X1 、39X2 、39Y1 、39Y2 上之區域，來避免測量光束對標尺39X1 、39X2 、39Y1 、39Y2 上之連續照射。如此，即能調整對標尺之照射熱，抑制因該熱所產生之應力(熱應力)及/或熱膨漲等造成之標尺變形。因此，恆能維持編碼器讀頭64～68(及Z讀頭72、74、76)之高位置測量精度，保障晶圓載台WST之驅動精度。
又，本實施形態，為調整編碼器讀頭(及Z讀頭)對標尺照射之測量光束之照射量，亦可採用下述a、b之手法。
a‧主控制裝置20，可根據編碼器讀頭之測量光束強度，決定晶圓載台WST在連續移動下之最低速度等、或步進移動下之最長滯留時間及/或步進距離，以避免上述熱應力、標尺之變形量(及變形)等超過容許值。當然，主控制裝置20，亦可在不考慮強度情形下，僅單純的移動晶圓載台WST。
b‧又，主控制裝置20，亦可以使用計時器之時間管理來開始上述順序(載台移動、至待機位置之退避等)。或者，主控制裝置20，亦可不進行時間管理，而在預先知道曝光順序之情形時自動開始上述順序、或僅在發生錯誤之情形時開始上述順序。
c‧又，本實施形態中，為調整編碼器讀頭(及Z讀頭)對標尺照射之測量光束之照射量，可藉由以下c1、c2般之手法，降低測量光束之強度、或遮蔽測量光束、或將此等手法和上述a及b之至少一方組合實施。
c1‧為降低測量光束之強度，例如，可控制編碼器之光源、或於送光系統挿入減光濾器。
c2‧又，為遮蔽測量光束，可於送光系統或讀頭射出部附近配置光閘、或將晶圓載台WST移動至設有覆蓋標尺之護蓋(簷部)之既定位置。若為後者時，該既定位置可以是至少1個測量光束照射於標尺之位置。此外，上述護蓋可以是不覆蓋標尺全面，而僅針對與標尺對向之讀頭遮蔽其測量光束。
又，上述實施形態，作為可使標尺變形之測量光束，主要是舉從編碼器讀頭與Z讀頭射出之測量光束。然而，同樣的，對準系統AL1、AL21 ～AL24 與多點AF系統(90a、90b)之測量光束亦有可能使標尺變形。因此，上述實施形態中，最好是能由主控制裝置20進行該等測量光束對標尺之照射量之調整，以抑制因其熱所產生之應力造成標尺之變形。此場合，亦可適用上述a、b或c(c1及c2)之照射調整手法。
又，上述實施形態中，主控制裝置20，係例如在發生新的晶圓不被送來等之錯誤時(異常時)，使晶圓載台WST退避至待機位置。然而，不僅是錯誤等之異常時，在一般曝光順序中(例如，在進行不使用晶圓載台WST之動作時、或該期間中等)亦可進行晶圓載台WST之退避或移動。
又，上述實施形態所說明之編碼器系統等之各測量裝置之構成僅為一例，本發明當然不限定於此。例如，上述實施形態中，係藉由編碼器系統之各讀頭來測量晶圓載台WST之X軸及Y軸方向之一方之位置，但不限於此，亦可使編碼器讀頭作為可測量X軸及Y軸方向之一方位置與Z軸方向位置之讀頭。
又，上述實施形態所說明之編碼器讀頭、Z讀頭之配置僅為一例，讀頭之配置並不限定於此。此外，上述實施形態中，載台裝置50雖具備編碼器系統150(編碼器讀頭)與面位置測量系統180(Z讀頭)，但亦可僅具備其中一方。
又，上述實施形態，雖係針對採用於晶圓台(晶圓載台)上設置光柵部(Y標尺、X標尺)、並與此對向將X讀頭、Y讀頭配置於晶圓載台外部之構成之編碼器系統的情形作了例示，但不限於此，亦可採用例如美國專利申請公開第2006/0227309號說明書等所揭示之於晶圓載台設置編碼器讀頭，並與此對向於晶圓載台外部配置光柵部(例如2維光柵或配置成2維之1維光柵部)之構成(以下，稱為台(table)讀頭方式)之編碼器系統。此場合，可將Z讀頭亦設於晶圓載台，將該光柵部之面作為Z讀頭之測量光束照射之反射面。
又，在採用台讀頭方式之編碼器系統之情形時，可令編碼器讀頭作為可測量X軸及Y軸方向之一方位置與Z軸方向位置之讀頭。
又，在採用台讀頭方式之編碼器系統之情形時，亦可包含a、b或c(c1及c2)之照射調整手法，而適用上述實施形態及其變形例。此外，在採用台讀頭方式之編碼器系統之情形時，可使晶圓載台停止在至少1個讀頭與晶圓載台外部之光柵部(頂部標尺)對向之位置，此場合，該位置係被決定成例如來自待機狀態之晶圓載台上讀頭之測量光束，會照射到即使晶圓載台在曝光程序之移動範圍內移動，來自讀頭之測量光束亦不會照射之頂部標尺之一部分。此外，該頂部標尺之一部分，係於曝光程序使用之區域，並相距使用區域一熱應力、變形不致影響到頂部標尺之使用區域之距離。
又，上述實施形態，雖係針對本發明適用於不透過液體(水)而進行晶圓W之曝光的乾式曝光裝置之情形做了說明，但不限於此，本發明亦能適用於例如國際公開第99/49504號小冊子、歐洲專利申請公開第1,420,298號說明書、國際公開第2004/055803號小冊子、特開2004-289126號公報(對應美國專利第6,952,253號說明書)等所揭示之在投影光學系統與板片之間形成包含照明光光路之液浸空間，透過投影光學系統及液浸空間之液體以照明光使板片曝光的曝光裝置。例如，上述實施形態之曝光裝置為液浸型之曝光裝置之場合，亦可在例如嘴部洗淨等時，使晶圓載台退避至前述待機位置。
又，上述各實施形態，雖係針對本發明適用於步進掃描方式等之掃描型曝光裝置之情形作了說明，但不限於此，亦能將本發明適用於步進機等之静止型曝光裝置。即使是步進機等，由於能與上述實施形態同樣的使用編碼器測量搭載曝光對象物體之載台之位置，因此能獲得同樣的效果。又，本發明亦能適用於將照射區域與照射區域加以合成之步進接合(step & stitch)方式之曝光裝置、近接方式之曝光裝置、或反射鏡投影對準機等。再者，本發明亦能適用於美國專利第6,590,634號、美國專利第5,969,441號、美國專利第6,208,407號說明書等所揭示之具備複數個晶圓載台之多載台型曝光裝置。
例如，具備2個晶圓載台之雙載台型之曝光裝置，具有進行晶圓曝光之曝光站與進行晶圓對準等之測量站，於曝光站可適用上述實施形態及其變形例，且於測量站亦能同樣適用。此場合，無論是在測量站進行以編碼器系統(上述實施形態之型式、或台讀頭方式之任一皆可)進行之位置測量之構成、或以編碼器系統以外進行位置測量之構成，皆能適用上述實施形態及其變形例。後者可適用之原因在於，因配置有對準系統及AF系統，如上所述，作為其對策亦非常有效之故。
又，本發明亦能適用於例如國際公開第2005/074014號小冊子(對應美國專利申請公開第2007/0127006號說明書)等所揭示之具備不同於晶圓載台、包含測量構件(例如基準標記及/或感測器等)之測量載台的曝光裝置。於測量載台設有編碼器系統之標尺、或讀頭之情形時，亦最好是能進行包含與上述實施形態及其變形例相同之照射調整的各種控制。
又，上述實施形態之曝光裝置中之投影光學系統並不僅可為縮小系統，亦可為等倍系統及放大系統之任一者，投影光學系統PL不僅可為折射系統，亦可係反射系統及反折射系統之任一者，其投影像亦可係倒立像與正立像之任一者。又，前述照明區域及曝光區域之形狀雖為矩形，但並不限於此，亦可係例如圓弧、梯形、或平行四邊形等。
又，上述實施形態之曝光裝置的光源，不限於ArF準分子雷射光源，亦能使用KrF準分子雷射光源(輸出波長248nm)、F2 雷射(輸出波長157nm)、Ar2 雷射(輸出波長126nm)、Kr2 雷射(輸出波長146nm)等脈衝雷射光源，或發出g線(波長436nm)、i線(波長365nm)等發射亮線之超高壓水銀燈等。又，亦可使用YAG雷射之諧波產生裝置等。另外，可使用例如美國專利第7,023,610號說明書所揭示之將作為真空紫外光從DFB半導體雷射或纖維雷射射出之紅外線區或可見區的單一波長雷射光，以摻雜有鉺(或鉺及鐿兩者)之光纖放大器加以放大，並使用非線形光學結晶予以波長轉換成紫外光的諧波。
又，上述實施形態中，作為曝光裝置之照明光IL並不限於波長100nm以上之光，當然亦可使用波長未滿100nm之光。例如，近年來，為了曝光70nm以下之圖案，正進行一種EUV曝光裝置之開發，其係以SOR或電漿雷射為光源來產生軟X線區域(例如5～15nm之波長帶)之EUV(Extreme Ultra Violet)光，且使用根據該曝光波長(例如13.5nm)所設計之全反射縮小光學系統及反射型光罩。此裝置由於係使用圓弧照明同步掃描光罩與晶圓來進行掃瞄曝光之構成，因此能將本發明非常合適地適用於上述裝置。此外，本發明亦適用於使用電子射線或離子束等之帶電粒子射線的曝光裝置。
又，上述實施形態中，雖使用於具光透射性之基板上形成既定遮光圖案(或相位圖案，減光圖案)的光透射性光罩(標線片)，但亦可使用例如美國專利第6,778,257號說明書所揭示之電子光罩來代替此光罩，該電子光罩(亦稱為可變成形光罩、主動光罩、或影像產生器，例如包含非發光型影像顯示元件(空間光調變器)之一種之DMD(Digital Micro-mirror Device)等)係根據欲曝光圖案之電子資料來形成透射圖案、反射圖案、或發光圖案。
又，本發明亦能適用於，藉由將干涉紋形成於晶圓上、而在晶圓上形成線與空間圖案之曝光裝置(微影系統)。
進一步的，例如亦能將本發明適用於例如美國專利第6,611,316號說明書所揭示之將兩個標線片圖案透過投影光學系統在晶圓上合成，藉由一次之掃描曝光來對晶圓上之一個照射區域大致同時進行雙重曝光的曝光裝置。
又，於物體上形成圖案之裝置並不限於前述曝光裝置(微影系統)，例如亦能將本發明適用於以噴墨方式將圖案形成於物體上的裝置。
此外，上述各實施形態中待形成圖案之物體(能量束所照射之曝光對象的物體)並不限於晶圓，亦可係玻璃板、陶瓷基板、薄膜構件或者光罩基板等其他物體
曝光裝置之用途並不限定於半導體製造用之曝光裝置，亦可廣泛適用於例如用來製造將液晶顯示元件圖案轉印於方型玻璃板之液晶用曝光裝置，或製造有機EL、薄膜磁頭、攝影元件(CCD等)、微型機器及DNA晶片等的曝光裝置。又，除了製造半導體元件等微型元件以外，亦能將本發明適用於為製造用於光曝光裝置、EUV曝光裝置、X射線曝光裝置及電子射線曝光裝置等的標線片或光罩，用以將電路圖案轉印至玻璃基板或矽晶圓等之曝光裝置。
此外，援用與說明所引用之曝光裝置等相關之所有公報、國際公開小冊子、美國專利申請公開說明書及美國專利說明書之揭示，來作為本說明書之記載的一部分。
半導體元件等之電子元件，係經由進行元件之功能、性能設計之步驟，根據此設計步驟製作標線片之步驟，從矽材料製作晶圓之步驟，使用前述實施形態之曝光裝置(圖案形成裝置)將形成於標線片(光罩)之圖案轉印至晶圓之微影步驟，使曝光後晶圓顯影之顯影步驟，將殘存光阻之部分以外部分之露出構件以蝕刻加以去除之蝕刻步驟，去除經蝕刻後不要之光阻之光阻除去步驟，元件組裝步驟(含切割步驟、接合步驟、封裝步驟)、及檢查步驟等加以製造。此場合，以微影步驟使用上述實施形態之曝光裝置實施前述曝光方法，於晶圓上形成元件圖案，因此能以良好生產性製造高積體度之元件。
本發明之移動體驅動方法及移動體驅動裝置適於驅動移動體。又，本發明之曝光方法及曝光裝置非常適合照射能量束於物體上形成圖案。此外，本發明之圖案形成方法及圖案形成裝置適合於物體上形成圖案。再者，本發明之元件製造方法非常適合製造半導體元件或液晶顯示元件等之電子元件。
10．．．照明系統
11．．．標線片載台驅動系統
12．．．底盤
15．．．移動鏡
16．．．Y干涉儀
17a,17b．．．反射面
20．．．主控制裝置
30．．．測量板片
37、38．．．光柵線
39X1 、39X2 ．．．X標尺
39Y1 、39Y2 ．．．Y標尺
40．．．鏡筒
41．．．移動鏡
43A、43B．．．Z干涉儀
45A、45B．．．空間像測量器
46．．．FD桿
47A、47B．．．固定鏡
50．．．載台裝置
52．．．基準光柵
601 ～604 ．．．驅動機構
62A～62F．．．讀頭單元
641 ～645 ．．．Y讀頭
651 ～655 ．．．Y讀頭
661 ～668 ．．．X讀頭
671 ～674 ．．．Y讀頭
681 ～684 ．．．Y讀頭
70A、70C、70E、70F．．．Y線性編碼器
70B、70D．．．X線性編碼器
70E1 、70F1 ．．．Y線性編碼器
70E2 、70F2 ．．．Y線性編碼器
72a～72D．．．Z讀頭
741 ～745 ．．．Z讀頭
761 ～765 ．．．Z讀頭
90a．．．照射系統
90b．．．受光系統
91．．．載台本體
100．．．曝光裝置
116．．．標線片雷射干涉儀
118．．．干涉儀系統
124．．．載台驅動系統
126、127、128．．．X干涉儀
150．．．編碼器系統
170．．．選擇裝置
180．．．面位置測量系統
200‧‧‧測量系統
AL1‧‧‧一次對準系統
AL21 ~AL24 ‧‧‧二次對準系統
AX‧‧‧光軸
B1~B7‧‧‧測長光束
FM‧‧‧基準標記
IA‧‧‧曝光區域
IAR‧‧‧照明區域
IL‧‧‧照明用光
LA、LH、LV‧‧‧基準軸
LP‧‧‧裝載位置
PL‧‧‧投影光學系統
PU‧‧‧投影單元
R‧‧‧標線片
RST‧‧‧標線片載台
SL‧‧‧空間像測量狹縫圖案
UP‧‧‧卸載位置
W‧‧‧晶圓
WTB‧‧‧晶圓台
WST‧‧‧晶圓載台
圖1係概略顯示一實施形態之曝光裝置之構成的圖。
圖2係顯示晶圓載台的俯視圖。
圖3係顯示圖1之曝光裝置所具備之載台裝置及干涉儀之配置的俯視圖。
圖4係顯示圖1之曝光裝置所具備之載台裝置及感測器單元之配置的俯視圖。
圖5係顯示編碼器讀頭(X讀頭、Y讀頭)與對準系統之配置的俯視圖。
圖6係顯示Z讀頭與多點AF系統之配置的俯視圖。
圖7係顯示一實施形態之曝光裝置之控制系統之主要構成的方塊圖。
圖8係顯示晶圓載台之第1待機位置(卸載位置)的圖。
圖9係顯示晶圓載台之第2待機位置(裝載位置)的圖。
圖10係用以說明為避免對標尺上之同一處連續照射來自編碼器讀頭及Z讀頭之測量光束之載台驅動方法之一例的圖。
圖11係用以說明為避免對標尺上之同一處連續照射來自編碼器讀頭及Z讀頭之測量光束之載台驅動方法之另一例的圖。
圖12係用以說明為避免對標尺上之同一處連續照射來自編碼器讀頭及Z讀頭之測量光束之載台驅動方法之又一例的圖。
圖13係用以說明為避免對標尺上之同一處連續照射來自編碼器讀頭及Z讀頭之測量光束之載台驅動方法之再一例的圖。
16．．．Y干涉儀
17a,17b．．．反射面
39X1 、39X2 ．．．X標尺
39Y1 、39Y2 ．．．Y標尺
41．．．移動鏡
43A、43B．．．Z干涉儀
47A．．．固定鏡
62A～62F．．．讀頭單元
643 、653 ．．．Y讀頭
665 ．．．X讀頭
90a．．．照射系統
90b．．．受光系統
126．．．X干涉儀
AL．．．對準系統
B1．．．測長光束
B41 、B42 、B51 、B52 ．．．測長光束
LA、LH、LV．．．基準軸
LP．．．裝載位置
PL(PU)．．．投影光學系統(投影單元)
UP．．．卸載位置
W．．．晶圓
WST(WTB)．．．晶圓載台(晶圓台)

Claims (38)

  1. 一種移動體驅動方法，係於既定平面內驅動移動體，其包含：使用位置測量系統測量該移動體之位置並根據該測量結果驅動該移動體之步驟，該位置測量系統，具備對設在該移動體與該移動體外部之一方之測量面照射測量光束之該移動體與該移動體外部之另一方設置的讀頭；以及使該移動體驅動並調整該測量光束照射於該測量面上之照射量之步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之移動體驅動方法，其中，該調整步驟，係將該移動體，在既定範圍內持續移動；或係以該測量面所吸收之該測量光束之量不超過一定量之速度驅動，或者，將該測量光束之照射點退避至該測量面外之方式移動。
  3. 如申請專利範圍第2項之移動體驅動方法，其中，該一定量，係以吸收該測量光束所產生之在該測量面之熱應力及變形量之至少一方所決定。
  4. 如申請專利範圍第1項之移動體驅動方法，其中，該調整步驟，係從對向於該測量面之讀頭間歇性的照射該測量光束，或者，從對向於該測量面之讀頭照射降低強度之該測量光束。
  5. 一種曝光方法，藉由能量束使物體曝光之曝光方法，其包含：使用申請專利範圍第1至4項中任一項之移動體驅動 方法，驅動保持該物體之移動體之步驟。
  6. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第5項之曝光方法使物體曝光之步驟。
  7. 一種曝光方法，係以能量束使物體曝光，其包含：使用在能保持該物體於既定平面內移動之移動體與其外部之一方設有測量面、且另一方設有讀頭之位置測量系統，測量該移動體之位置資訊，根據該位置資訊驅動該移動體之動作；以及阻止因該測量光束而在該測量面產生之包含熱應力、變形量之至少1物理量超過容許值之動作。
  8. 如申請專利範圍第7項之曝光方法，其中，該測量面與該既定平面實質平行且具有繞射光柵。
  9. 如申請專利範圍第8項之曝光方法，其中，為進行該阻止而在該既定平面內驅動該移動體，或者，使該測量面脫離該測量光束之照射位置。
  10. 如申請專利範圍第8項之曝光方法，其中，為進行該阻止而在該測量光束之光路配置遮光構件、或降低該測量光束之強度。
  11. 如申請專利範圍第8項之曝光方法，其中，該阻止係在該物體之曝光程序之異常時、及/或不使用該移動體之期間中進行。
  12. 一種透過光學系統以能量束使物體曝光之曝光方法，其包含： 於包含與於該光學系統之光軸垂直之既定平面內相互正交之第1、第2方向之6自由度方向地可動，且於使該物體能夠保持之移動體及其上方之一方，設置有具有反射型格子之測量面，且另一方設置有讀頭，使用透過該讀頭將測量光束照射於該測量面之位置測量系統，而測量該移動體之位置資訊；以及，為不使向該測量光束之該測量面之照射引起，所產生之該位置測量系統超過容許值之測量誤差發生，使該移動體驅動且與該第1、第2方向至少一方相關之該測量面及該讀頭之位置關係變化，藉此調整向該測量面上之該測量光束之照射量。
  13. 如申請專利範圍12之曝光方法，其中，為了該調整，使前述移動體以該測量面所吸收之該測量光束之量不超過一定量之速度移動。
  14. 如申請專利範圍13之曝光方法，其中，該移動體係以連續移動或者逐步移動。
  15. 如申請專利範圍14之曝光方法，其中，於該速度，或者該逐步移動之最長滯留時間及逐步距離之至少一方係，該測量光束之吸收所產生之以熱應力、變形量之至少1物理量不超過容許值之方式訂定。
  16. 如申請專利範圍14之曝光方法，其中，於該速度，或者該逐步移動之最長滯留時間及逐步距離之至少一方係，基於該測量光束之強度訂定。
  17. 如申請專利範圍12之曝光方法，其中，為了該阻 止或抑制，使該移動體以使該測量光束之照射點退避至該測量面外之方式移動，或使該測量光束之光路遮斷，或者，使該測量光束之照射中斷。
  18. 一種透過光學系統以能量束使物體曝光之曝光方法，其包含：於包含與於該光學系統之光軸垂直之既定平面內相互正交之第1、第2方向之6自由度方向地可動，且於使該物體能夠保持之移動體及其上方之一方，設置有具有反射型格子之測量面，且另一方設置有讀頭，使用透過該讀頭將測量光束照射於該測量面之位置測量系統，而測量該移動體之位置資訊；以及，為不使向該測量光束之該測量面之照射引起，所產生之該位置測量系統超過容許值之測量誤差發生，調整向該測量面之該測量光束之每單位時間之照射量。
  19. 如申請專利範圍18之曝光方法，其中，為了該調整，進行該測量光束之間歇照射，或者使該測量光束之強度降低。
  20. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第7至19項中任一項之曝光方法使物體曝光之動作；以及使曝光後之該物體顯影之動作。
  21. 一種移動體驅動裝置，係於既定平面內驅動移動體，其具備：位置測量系統，係使用對設於該移動體上與該移動體 外部之一方之測量面，照射測量光束之設於該移動體上與該移動體外部之另一方之讀頭，測量該移動體之位置；驅動裝置，係根據該位置測量系統之測量結果於該既定平面內驅動該移動體；以及調整裝置，係使用該驅動裝置驅動該移動體，據以調整該測量光束對該測量面上之照射量。
  22. 如申請專利範圍第21項之移動體驅動裝置，其中，該調整裝置係於既定範圍內持續移動該移動體；或係以該測量面所吸收之該測量光束之量不超過一定量之速度驅動，或者，將該測量光束之照射點退避至該測量面外之方式移動。。
  23. 如申請專利範圍第22項之移動體驅動裝置，其中，該一定量，係由吸收該測量光束而產生之於該測量面之熱應力及變形量之至少一方所決定。
  24. 一種曝光裝置，係以能量束使物體曝光，其具備為於該區劃區域形成圖案，而於既定平面內驅動保持該物體之移動體之申請專利範圍第21至23項中任一項之移動體驅動裝置。
  25. 一種曝光裝置，係以能量束使物體曝光，其具備：移動體，可保持該物體於既定平面內移動；位置測量系統，具有設於該移動體與該移動體外部之一方之讀頭，從該讀頭對設於該移動體與該移動體外部之另一方之測量面照射測量光束，並接收其反射光以測量該移動體之位置資訊； 驅動系統，係根據該位置資訊驅動該移動體；以及控制裝置，係用以阻止因該測量光束使在該測量面之包含熱應力、變形量之至少1者之物理量超過容許值。
  26. 如申請專利範圍第25項之曝光裝置，其中，該測量面與該既定平面實質上平行、且具有繞射光柵。
  27. 如申請專利範圍第26項之曝光裝置，其中，該控制裝置為進行該阻止，透過該驅動系統於該既定平面內驅動該移動體，或者，使該測量面脫離該測量光束之照射位置。
  28. 如申請專利範圍第26項之曝光裝置，其中，該控制系統為進行該阻止而於該測量光束之光路配置遮光構件、或降低該測量光束之強度。
  29. 如申請專利範圍第26項之曝光裝置，其中，該控制裝置係在該物體之曝光程序之異常時、及/或不使用該移動體之期間中進行該阻止。
  30. 一種透過光學系統以能量束使物體曝光之曝光裝置，其具備：移動體，於包含與於該光學系統之光軸垂直之既定平面內相互正交之第1、第2方向之6自由度方向地可動，且能夠將該物體保持；測量系統，於該移動體及該移動體之上方之一方，設置有具有反射型格子之測量面，且另一方設置有讀頭，透過該讀頭將測量光束照射於該測量面，而測量該移動體之位置資訊； 驅動系統，基於該位置情報使該移動體驅動；控制裝置，為不使向該測量光束之該測量面之照射引起，所產生之該位置測量系統超過容許值之測量誤差發生，藉由透過該驅動系統使該移動體驅動且與該第1、第2方向至少一方相關之該測量面及該讀頭之位置關係變化，或者藉由阻止或抑制該測量光束到達該側連面，調整向該測量面上之該測量光束之照射量。
  31. 如申請專利範圍第30項之曝光裝置，其中，該控制裝置為了該調整，使前述移動體以該測量面所吸收之該測量光束之量不超過一定量之速度移動。
  32. 如申請專利範圍第31項之曝光裝置，其中，該控制裝置係，透過該驅動系統使該移動體連續移動或者逐步移動。
  33. 如申請專利範圍第32項之曝光裝置，其中，於該速度，或者該逐步移動之最長滯留時間及逐步距離之至少一方係，該測量光束之吸收所產生之以熱應力、變形量之至少1物理量不超過容許值之方式訂定。
  34. 如申請專利範圍第32項之曝光裝置，其中，於該速度，或者該逐步移動之最長滯留時間及逐步距離之至少一方係，基於該測量光束之強度訂定。
  35. 如申請專利範圍第30項之曝光裝置，其中，為了該阻止或抑制，使該移動體以使該測量光束之照射點退避至該測量面外之方式移動，或使該測量光束之光路遮斷，或者，使該測量光束之照射中斷。
  36. 一種透過光學系統以能量束使物體曝光之曝光裝置，其具備：移動體，於包含與於該光學系統之光軸垂直之既定平面內相互正交之第1、第2方向之6自由度方向地可動，且能夠將該物體保持；測量系統，於該移動體及該移動體之上方之一方，設置有具有反射型格子之測量面，且另一方設置有讀頭，透過該讀頭將測量光束照射於該測量面，而測量該移動體之位置資訊；驅動系統，基於該位置情報使該移動體驅動；控制裝置，為不使向該測量光束之該測量面之照射引起，所產生之該位置測量系統超過容許值之測量誤差發生，調整向該測量面之該測量光束之每單位時間之照射量。
  37. 如申請專利範圍36之曝光方法，其中，該控制裝置係，為了該調整，進行該測量光束之間歇照射，或者使該測量光束之強度降低。
  38. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第25至37項中任一項之曝光裝置使物體曝光之動作；以及使曝光後之該物體顯影之動作。
TW097150794A 2007-12-28 2008-12-26 Mobile body driving method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern forming method and apparatus, and component manufacturing method TWI506671B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007340537 2007-12-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200943383A TW200943383A (en) 2009-10-16
TWI506671B true TWI506671B (zh) 2015-11-01

Family

ID=40823939

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097150794A TWI506671B (zh) 2007-12-28 2008-12-26 Mobile body driving method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern forming method and apparatus, and component manufacturing method

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8269945B2 (zh)
JP (3) JP5791230B2 (zh)
KR (1) KR101536014B1 (zh)
CN (1) CN101681810B (zh)
HK (1) HK1136912A1 (zh)
TW (1) TWI506671B (zh)
WO (1) WO2009084203A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI667449B (zh) * 2017-09-07 2019-08-01 台灣積體電路製造股份有限公司 光學測試方法及光學測試系統

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8514395B2 (en) * 2009-08-25 2013-08-20 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8488109B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5507392B2 (ja) * 2009-09-11 2014-05-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． シャッター部材、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US20120064460A1 (en) * 2010-09-07 2012-03-15 Nikon Corporation Movable body apparatus, object processing device, exposure apparatus, flat-panel display manufacturing method, and device manufacturing method
TWI638241B (zh) * 2012-03-26 2018-10-11 日商尼康股份有限公司 基板處理裝置、處理裝置及元件製造方法
KR102080875B1 (ko) 2013-01-23 2020-04-16 삼성디스플레이 주식회사 스테이지 이송 장치 및 이를 이용한 스테이지 위치 측정 방법
US9227439B1 (en) * 2014-06-18 2016-01-05 Eastman Kodak Company Printers having encoders for monitoring paper misalignments
CN113359395B (zh) * 2015-09-30 2024-07-09 株式会社尼康 曝光装置、平面显示器之制造方法、以及元件制造方法
CN112864071B (zh) * 2021-01-18 2022-04-01 长鑫存储技术有限公司 校正半导体制造机台中晶圆位置的工具和方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5610715A (en) * 1994-03-30 1997-03-11 Canon Kabushiki Kaisha Displacement detecting system, an expose apparatus, and a device manufacturing method employing a scale whose displacement is detected by a selected detection head
US20010015799A1 (en) * 2000-01-11 2001-08-23 Toshiya Asano Stage apparatus, exposure apparatus, and device production method
US20030090668A1 (en) * 2001-11-12 2003-05-15 Fuji Photo Film Co., Ltd. Measuring method and apparatus using attenuation in total internal reflection
US20060023178A1 (en) * 2004-07-27 2006-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for calibrating the same
US7161659B2 (en) * 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62141709U (zh) * 1986-03-03 1987-09-07
JPS63131008A (ja) 1986-11-20 1988-06-03 Fujitsu Ltd 光学的アライメント方法
US5198873A (en) 1988-10-19 1993-03-30 Canon Kabushiki Kaisha Encoder utilizing interference using multi-mode semiconductor laser
JP2547826B2 (ja) 1988-10-19 1996-10-23 キヤノン株式会社 マルチモード半導体レーザを使用する干渉計測装置
KR100300618B1 (ko) 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
JP3291882B2 (ja) * 1993-08-13 2002-06-17 ソニー株式会社 露光方法
US5602644A (en) 1994-10-27 1997-02-11 Nikon Corporation Alignment apparatus utilizing a plurality of wavelengths
JPH08124835A (ja) 1994-10-27 1996-05-17 Nikon Corp アライメント装置
IL130137A (en) 1996-11-28 2003-07-06 Nikon Corp Exposure apparatus and an exposure method
DE69735016T2 (de) 1996-12-24 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
JPH11195602A (ja) * 1997-10-07 1999-07-21 Nikon Corp 投影露光方法及び装置
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
EP1063742A4 (en) 1998-03-11 2005-04-20 Nikon Corp ULTRAVIOLET LASER DEVICE AND EXPOSURE APPARATUS COMPRISING SUCH A ULTRAVIOLET LASER DEVICE
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
SG124257A1 (en) 2000-02-25 2006-08-30 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution
JP3421299B2 (ja) * 2000-03-28 2003-06-30 科学技術振興事業団 輝度の視野角依存性ならびに場所依存性測定装置及びその測定方法
US7561270B2 (en) 2000-08-24 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
TW527526B (en) * 2000-08-24 2003-04-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US6611316B2 (en) 2001-02-27 2003-08-26 Asml Holding N.V. Method and system for dual reticle image exposure
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
JP3977324B2 (ja) 2002-11-12 2007-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
EP2495613B1 (en) 2002-11-12 2013-07-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
ATE424026T1 (de) 2002-12-13 2009-03-15 Koninkl Philips Electronics Nv Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20060139595A1 (en) 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness
US7515281B2 (en) 2005-04-08 2009-04-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7348574B2 (en) 2005-09-02 2008-03-25 Asml Netherlands, B.V. Position measurement system and lithographic apparatus
JP2007152859A (ja) 2005-12-07 2007-06-21 Konica Minolta Business Technologies Inc 画像形成装置及びデータバックアップ処理プログラム
CN101356623B (zh) 2006-01-19 2012-05-09 株式会社尼康 移动体驱动方法及移动体驱动系统、图案形成方法及图案形成装置、曝光方法及曝光装置、以及元件制造方法
US8054472B2 (en) 2006-02-21 2011-11-08 Nikon Corporation Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method
SG178816A1 (en) 2006-02-21 2012-03-29 Nikon Corp Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure appararus and method, and device manufacturing method
EP2003680B1 (en) 2006-02-21 2013-05-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US7602489B2 (en) 2006-02-22 2009-10-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7253875B1 (en) * 2006-03-03 2007-08-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7483120B2 (en) 2006-05-09 2009-01-27 Asml Netherlands B.V. Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method
JP4959225B2 (ja) * 2006-05-17 2012-06-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 光学式検査方法及び光学式検査装置
US20070281149A1 (en) * 2006-06-06 2007-12-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI425318B (zh) 2006-06-09 2014-02-01 尼康股份有限公司 移動體裝置、曝光裝置和曝光方法以及元件製造方法
SG10201407478PA (en) 2006-08-31 2015-01-29 Nikon Corp Movable body drive system and movable body drive method, pattern formation apparatus and method, exposure apparatus and method, device manufacturing method, and decision-making method
SG10201407395SA (en) 2006-08-31 2014-12-30 Nikon Corp Movable Body Drive Method And Movable Body Drive System, Pattern Formation Method And Apparatus, Exposure Method And Apparatus, And Device Manufacturing Method
KR101749442B1 (ko) 2006-08-31 2017-06-20 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
EP2993523B1 (en) 2006-09-01 2017-08-30 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
TWI434326B (zh) 2006-09-01 2014-04-11 尼康股份有限公司 Mobile body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, component manufacturing method, and correcting method
JP2007274881A (ja) 2006-12-01 2007-10-18 Nikon Corp 移動体装置、微動体及び露光装置
US8687166B2 (en) 2007-05-24 2014-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having an encoder position sensor system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5610715A (en) * 1994-03-30 1997-03-11 Canon Kabushiki Kaisha Displacement detecting system, an expose apparatus, and a device manufacturing method employing a scale whose displacement is detected by a selected detection head
US20010015799A1 (en) * 2000-01-11 2001-08-23 Toshiya Asano Stage apparatus, exposure apparatus, and device production method
US20030090668A1 (en) * 2001-11-12 2003-05-15 Fuji Photo Film Co., Ltd. Measuring method and apparatus using attenuation in total internal reflection
US20060023178A1 (en) * 2004-07-27 2006-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for calibrating the same
US7161659B2 (en) * 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI667449B (zh) * 2017-09-07 2019-08-01 台灣積體電路製造股份有限公司 光學測試方法及光學測試系統

Also Published As

Publication number Publication date
JP5791230B2 (ja) 2015-10-07
HK1136912A1 (en) 2010-07-09
JP5780495B2 (ja) 2015-09-16
CN101681810B (zh) 2012-06-06
KR20100103342A (ko) 2010-09-27
JP2013251567A (ja) 2013-12-12
JP2014140071A (ja) 2014-07-31
US8269945B2 (en) 2012-09-18
WO2009084203A1 (ja) 2009-07-09
KR101536014B1 (ko) 2015-07-10
TW200943383A (en) 2009-10-16
CN101681810A (zh) 2010-03-24
JP5686303B2 (ja) 2015-03-18
US20090190104A1 (en) 2009-07-30
JPWO2009084203A1 (ja) 2011-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI506671B (zh) Mobile body driving method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern forming method and apparatus, and component manufacturing method
TWI413870B (zh) Detection device, moving body device, pattern forming device and pattern forming method, exposure device and exposure method, and device manufacturing method
US9256140B2 (en) Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method with measurement device to measure movable body in Z direction
US20180004097A1 (en) Exposure apparatus, movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8665455B2 (en) Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US8422015B2 (en) Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9013681B2 (en) Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5234308B2 (ja) 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2009252994A (ja) 露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置
JP5630627B2 (ja) 検出方法、光学特性計測方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP5211690B2 (ja) 較正方法、移動体駆動方法及び装置、露光方法及び装置、パターン形成方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2003197505A (ja) 露光方法及び露光装置
JP2009252992A (ja) 移動体駆動方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置
JP2007194479A (ja) 光学特性計測装置及び方法、並びに露光装置及び方法
JP2009252993A (ja) 較正方法、移動体駆動方法及び装置、露光方法及び装置、パターン形成方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2010050291A (ja) 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2009252989A (ja) 移動体駆動方法及び装置、露光方法及び装置、パターン形成方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2013004553A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2011151161A (ja) 計測方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2010147249A (ja) 光学特性計測方法、露光条件決定方法、露光方法、及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees