JP7292402B2 - トランジスタデバイスおよび不揮発性メモリセルの製造方法 - Google Patents
トランジスタデバイスおよび不揮発性メモリセルの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7292402B2 JP7292402B2 JP2021554048A JP2021554048A JP7292402B2 JP 7292402 B2 JP7292402 B2 JP 7292402B2 JP 2021554048 A JP2021554048 A JP 2021554048A JP 2021554048 A JP2021554048 A JP 2021554048A JP 7292402 B2 JP7292402 B2 JP 7292402B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ferroelectric
- gate
- dielectric
- transistor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 69
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 489
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 159
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 98
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 82
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 71
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 claims description 71
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 68
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 67
- 229910052961 molybdenite Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 61
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 34
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical group [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 20
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 18
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 15
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 claims description 11
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 claims description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 7
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 48
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 38
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 32
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 30
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 26
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 24
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 17
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 15
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 11
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 10
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 9
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 8
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N tetrakis(dimethylamido)titanium Chemical compound CN(C)[Ti](N(C)C)(N(C)C)N(C)C MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 210000000225 synapse Anatomy 0.000 description 3
- 230000000946 synaptic effect Effects 0.000 description 3
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016001 MoSe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001166 Poly(vinylidene fluoride-co-trifluoroethylene) Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000002999 depolarising effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- DWCMDRNGBIZOQL-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C DWCMDRNGBIZOQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOFNXVVMRAGLZ-UHFFFAOYSA-N 1,1-difluoroethene;1,1,2-trifluoroethene Chemical group FC(F)=C.FC=C(F)F XLOFNXVVMRAGLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical group [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 1
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000000205 computational method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000013135 deep learning Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVOLZAKHRKGRRM-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4] GVOLZAKHRKGRRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 210000002569 neuron Anatomy 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920000131 polyvinylidene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000001845 vibrational spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/516—Insulating materials associated therewith with at least one ferroelectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B51/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory transistors
- H10B51/20—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory transistors characterised by the three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
- G06F12/023—Free address space management
- G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
- G11C11/225—Auxiliary circuits
- G11C11/2273—Reading or sensing circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
- G11C11/225—Auxiliary circuits
- G11C11/2275—Writing or programming circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
- G11C11/225—Auxiliary circuits
- G11C11/2297—Power supply circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C14/00—Digital stores characterised by arrangements of cells having volatile and non-volatile storage properties for back-up when the power is down
- G11C14/0009—Digital stores characterised by arrangements of cells having volatile and non-volatile storage properties for back-up when the power is down in which the volatile element is a DRAM cell
- G11C14/0045—Digital stores characterised by arrangements of cells having volatile and non-volatile storage properties for back-up when the power is down in which the volatile element is a DRAM cell and the nonvolatile element is a resistive RAM element, i.e. programmable resistors, e.g. formed of phase change or chalcogenide material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C14/00—Digital stores characterised by arrangements of cells having volatile and non-volatile storage properties for back-up when the power is down
- G11C14/0054—Digital stores characterised by arrangements of cells having volatile and non-volatile storage properties for back-up when the power is down in which the volatile element is a SRAM cell
- G11C14/009—Digital stores characterised by arrangements of cells having volatile and non-volatile storage properties for back-up when the power is down in which the volatile element is a SRAM cell and the nonvolatile element is a resistive RAM element, i.e. programmable resistors, e.g. formed of phase change or chalcogenide material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/401—Multistep manufacturing processes
- H01L29/4011—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes
- H01L29/40111—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes the electrodes comprising a layer which is used for its ferroelectric properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/78391—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate the gate comprising a layer which is used for its ferroelectric properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78603—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78681—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising AIIIBV or AIIBVI or AIVBVI semiconductor materials, or Se or Te
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B51/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
本発明は、概して、メモリデバイスを含むフレキシブルエレクトロニクスを、2次元材料層を用い強誘電体材料を組み込んで構築するための、デバイス構造および製造方法に関する。
現在の計算システムの需要に鑑みると、従来の計算システムの低消費電力化および高性能化は急務である。シリコンベースのデバイスの寸法の拡大縮小および従来のメモリセルサイズの縮小を含み得るいくつかの従来戦略は、多大なトンネリングによるリーク電流および大きな電力消散のような問題のために、何らかの技術の分岐点においてはもはや有効でない可能性がある。
いくつかの実施形態は、概して、メモリデバイスを含むフレキシブルエレクトロニクスを、2次元材料層を用い強誘電体材料を組み込んで構築するための、デバイス構造および製造方法に関する。
上記図面は、ここに開示されている実施形態を示しているが、本明細書に記載のようにその他の実施形態も意図されている。本開示は、説明のための実施形態を限定のためにではなく代表として示す。ここに開示されている実施形態の原理の範囲および精神に含まれる、その他多数の変形および実施形態を、当業者は考案することが可能である。
VHfZrOx=dUHfZrOx/dP
という関係に基づいて、さらに計算することができる。
d2UHfZrOx/dP2<0
である、上記2つの谷間の間の領域は、強誘電体に不安定な負の容量状態が存在し結果としてHfZrOx薄膜にヒステリシス特性が観測されることを、示唆している。実験およびシミュレーションの両方に基づく上記結果は、成長させたHfZrOxにおける良好な強誘電性を示し、強誘電体ベースのメモリデバイスの製造への適性を強化する。
本開示のある実施形態は、フレキシブルなメモリセルを含むトランジスタデバイスを含む。フレキシブルなメモリセルは、基板の上に設けられた側壁を有するゲートスタックを備える。ゲートスタックは、基板の上に設けられた金属ゲート層を含む。金属ゲート層の上にバッファ層が設けられる。バッファ層の上に強誘電体層が設けられる。強誘電体層の上に誘電体層が設けられる。さらに、誘電体層の上面の一部分の上に2次元(2D)材料層が設けられる。誘電体層の上面の別々の部分の上に設けられ、2D材料層が位置するキャビティを形成する、ソース領域およびドレイン領域がある。以下の態様は、上記実施形態の修正実施形態を構成する態様であることが意図されている。
本開示の局面に従い、かつ、実験に基づいて、以下の定義を確定しているが、当然、各表現または用語の完全な定義ではない。提供する定義は、実験から得た知識に基づいて一例として提供しているだけであって、その他の解釈、定義、およびその他の態様が適している可能性もある。しかしながら、少なくとも、示されている表現または用語の単なる基本的プレビューとして、このような定義を提供する。
直接接触している2つの層は、接触している2つの層の間に他の層が介在していない構成であると理解することができる。すなわち、2つの層は物理的に直接接触している。
2次元(2D)半導体層とは、2D材料層を含む半導体層である。このような材料は、異方性移動度という点において興味深い特性を有し、そのため、トランジスタ性能の将来のスケーリングを可能にする。たとえば、いくつかの実施形態において、2D材料層の、1方向における寸法は、直交するその他の方向における寸法よりも小さくすることができ、よって、上記1方向における少なくとも1つの物理的特性は、直交するその他の方向における物理的特性と異なり得る。たとえば、方向に依存する物理的特性は、バンドギャップ、電気伝導率および/または熱伝導率、状態の密度、キャリア移動度などを含む。たとえば、2D材料層がx方向とy方向とで形成される面内のシートとして形成され直交するz方向における寸法がx方向およびy方向の寸法よりも十分に小さい場合、2D材料層は、xおよび/またはy方向のバンドギャップとは異なる、たとえばそれよりも大きいバンドギャップを有することができる。加えて、いくつかの実施形態において、2D材料層は積層構造を有する材料であってもよく、この場合の2D材料層の原子は、x方向およびy方向においてあるタイプのボンディングを有しz方向において異なるタイプのボンディングを有していてもよい。たとえば、2D材料層の原子は、x方向およびy方向において共有結合しz方向においてたとえばファンデルワールス力によって弱く結合されていてもよい。
電気回路または電子回路の構成要素は直列接続することができ、直列接続された構成要素は単一経路に沿って接続されているので、すべての構成要素に同じ電流が流れる。
Claims (9)
- メモリセルを含むトランジスタデバイスであって、
前記メモリセルは、
支持基板の上に設けられた側壁を有するゲートスタックを備え、
前記ゲートスタックは、
前記支持基板の上に設けられた金属ゲート層と、
前記金属ゲート層の上に設けられたバッファ層と、
前記バッファ層の上に設けられた強誘電体層と、
前記強誘電体層の上に設けられた誘電体層とを含み、
前記メモリセルはさらに、
前記誘電体層の上面の一部分の上に設けられた2次元(2D)材料層と、
前記誘電体層の前記上面の別々の部分の上に設けられ、前記2D材料層がキャビティに位置する前記キャビティを形成する、ソース領域およびドレイン領域とを備え、
前記誘電体層は、前記2D材料層と前記強誘電体層との間に配置された誘電体酸化ハフニウム(IV)(HfO2)層であり、前記2D材料層は半導体MoS2チャネルであり、
前記半導体MoS2チャネルと、前記ゲートスタック内の前記強誘電体層との構造の構成は、前記トランジスタデバイスの強誘電性を安定化するパッシベーション層として機能し、
前記トランジスタデバイスの強誘電性の安定化は、HfO2層の追加により、電圧の関数として分極の強誘電ヒステリシスループを広げるだけでなく、ヒステリシスループの変動を低減する、トランジスタデバイス。 - メモリセルを含むトランジスタデバイスであって、
前記メモリセルは、
支持基板の上に設けられた側壁を有するゲートスタックを備え、
前記ゲートスタックは、
前記支持基板の上に設けられた金属ゲート層と、
前記金属ゲート層の上に設けられたバッファ層と、
前記バッファ層の上に設けられた強誘電体層と、
前記強誘電体層の上に設けられた誘電体層とを含み、
前記メモリセルはさらに、
前記誘電体層の上面の一部分の上に設けられた2次元(2D)材料層と、
前記誘電体層の前記上面の別々の部分の上に設けられ、前記2D材料層がキャビティに位置する前記キャビティを形成する、ソース領域およびドレイン領域とを備え、
前記トランジスタデバイスは、単一層MoS2強誘電体電界効果トランジスタ(FeFET)であり、前記ゲートスタックの構造の構成は、前記強誘電体層の上に前記誘電体層を配置することを含み、下にある前記金属ゲート層とともに、前記構造の構成は、前記構造の構成によって形成されたボトムゲートミラーのファブリペローキャビティ反射によって発生するMoS2フォトルミネセンス(PL)の増幅を有効に提供する、トランジスタデバイス。 - 前記誘電体層と前記強誘電体層との間の膜厚比率は、前記トランジスタデバイスの動作電圧の調整機能を、前記トランジスタデバイスの前記動作電圧を低減する機能とともに、有効に提供する、請求項1または請求項2に記載のトランジスタデバイス。
- 前記2D材料層の位置が前記ゲートスタックの最上部の上に配置されている構造の構成は、ゲート電極としての金属箔または導電箔を提供し、前記トランジスタデバイスは、伸長および屈曲を含む延性、柔軟性を含む弾性、および引張強度のうちの1つを含む材料特性を有する基板に置換される、請求項1または請求項2に記載のトランジスタデバイス。
- 前記金属ゲート層は、ゲート電極として機能するチタン(Ti)/金(Au)層であり、前記バッファ層は、窒化チタン(TiN)層であり、前記強誘電体層は、ジルコニウムドープ酸化ハフニウム(HfZrOx)層の無機強誘電体膜であり、前記誘電体層は、前記パッシベーション層として機能する誘電体酸化ハフニウム(IV)(HfO2)層である、請求項1に記載のトランジスタデバイス。
- 前記トランジスタデバイスは、単一層MoS2強誘電体電界効果トランジスタ(FeFET)であり、前記MoS2 FeFETの駆動電圧は±3Vである、請求項1または請求項2に記載のトランジスタデバイス。
- 前記誘電体層の前記上面の別々の部分の上に設けられた前記ソース領域と前記ドレイン領域とを合わせて、前記誘電体層の前記上面の表面全体のうちの、少なくとも15%、または45%未満を覆っている、請求項1または請求項2に記載のトランジスタデバイス。
- 前記2D材料層は、前記HfO2層の前記上面の表面全体の合計のうちの、少なくとも50%、または70%未満を覆っている、請求項1に記載のトランジスタデバイス。
- 不揮発性メモリセルの製造方法であって、前記方法は、
支持基板の上に側壁を有するゲートスタックを設けるステップを含み、前記ゲートスタックを設けるステップは、
前記支持基板の上に金属ゲート層を設けるステップと、
前記金属ゲート層の上にバッファ層を設けるステップと、
前記バッファ層の上に強誘電体層を設け、次に高速熱アニールを開始するステップと、
前記強誘電体層の上に誘電体層を設けるステップとを含み、前記方法はさらに、
前記誘電体層の上面の一部分の上に2次元(2D)材料層を設けるステップと、
前記誘電体層の前記上面の別々の部分の上にソース領域およびドレイン領域を設けてキャビティを形成するステップとを含み、
前記2D材料層は前記キャビティに位置し、
前記誘電体層は、前記2D材料層と前記強誘電体層との間に配置された誘電体酸化ハフニウム(IV)(HfO2)層であり、前記2D材料層は半導体MoS2チャネルであり、
前記半導体MoS2チャネルと、前記ゲートスタック内の前記強誘電体層との構造の構成は、トランジスタデバイスの強誘電性を安定化するパッシベーション層として機能し、
前記トランジスタデバイスの強誘電性の安定化は、HfO2層の追加により、電圧の関数として分極の強誘電ヒステリシスループを広げるだけでなく、ヒステリシスループの変動を低減する、不揮発性メモリセルの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/356,067 US10833102B2 (en) | 2019-03-18 | 2019-03-18 | Low power 2D memory transistor for flexible electronics and the fabrication methods thereof |
US16/356,067 | 2019-03-18 | ||
PCT/JP2019/051645 WO2020188951A1 (en) | 2019-03-18 | 2019-12-23 | Ferroelectric low power 2d memory transistor and fabrication method thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022514126A JP2022514126A (ja) | 2022-02-09 |
JP7292402B2 true JP7292402B2 (ja) | 2023-06-16 |
Family
ID=69326602
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021554048A Active JP7292402B2 (ja) | 2019-03-18 | 2019-12-23 | トランジスタデバイスおよび不揮発性メモリセルの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10833102B2 (ja) |
EP (1) | EP3759740B1 (ja) |
JP (1) | JP7292402B2 (ja) |
WO (1) | WO2020188951A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102138004B1 (ko) * | 2018-10-02 | 2020-07-27 | 연세대학교 산학협력단 | 능동형 유기 발광 소자 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 |
US10978125B1 (en) * | 2020-04-21 | 2021-04-13 | Namlab Ggmbh | Transistor with adjustable rectifying transfer characteristic |
KR20210138997A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-22 | 삼성전자주식회사 | 커패시터, 커패시터 제어 방법, 및 이를 포함하는 트랜지스터 |
US11935938B2 (en) * | 2020-05-13 | 2024-03-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Devices and methods for creating ohmic contacts using bismuth |
US20220109441A1 (en) * | 2020-10-01 | 2022-04-07 | Qualcomm Incorporated | High performance switches with non-volatile adjustable threshold voltage |
CN112349787A (zh) * | 2020-10-26 | 2021-02-09 | 复旦大学 | 一种光电双调制的二维柔性神经突触器件及其制备方法 |
CN112520716B (zh) * | 2020-11-27 | 2022-11-01 | 国家纳米科学中心 | 一种二维层状CuInP2S6半导体材料及其制备方法 |
CN112531112B (zh) * | 2020-12-03 | 2024-03-22 | 南京大学 | 一种超高增益有机薄膜晶体管及其制备方法 |
US11705516B2 (en) * | 2021-01-08 | 2023-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polarization enhancement structure for enlarging memory window |
US11955548B2 (en) | 2021-01-29 | 2024-04-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Two-dimensional (2D) material for oxide semiconductor (OS) ferroelectric field-effect transistor (FeFET) device |
US11574927B2 (en) * | 2021-04-16 | 2023-02-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor devices and method for manufacturing the same |
US11296224B1 (en) * | 2021-06-16 | 2022-04-05 | Purdue Research Foundation | Non-volatile polarization induced strain coupled 2D FET memory |
CN113471328B (zh) * | 2021-07-02 | 2023-10-31 | 中国科学院物理研究所 | 一种具有可拉伸场效应的晶体管器件及其制备方法和产品 |
AU2022328264A1 (en) * | 2021-08-12 | 2024-03-07 | Newsouth Innovations Pty Limited | An electronic device and method of forming an electronic device |
TWI775587B (zh) * | 2021-09-01 | 2022-08-21 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 場效應電晶體、其製備方法及積體電路 |
US11929404B2 (en) | 2021-09-01 | 2024-03-12 | International Business Machines Corporation | Transistor gates having embedded metal-insulator-metal capacitors |
KR102544741B1 (ko) * | 2021-10-14 | 2023-06-16 | 기초과학연구원 | 전도성 채널을 포함하는 복합 구조체, 이를 포함하는 반도체 소자 및 이의 제조방법 |
CN116685147A (zh) * | 2022-02-21 | 2023-09-01 | 华为技术有限公司 | 存储器及存储器的制备方法 |
CN114864582A (zh) * | 2022-04-20 | 2022-08-05 | 南方科技大学 | 存储单元及其数据读写方法、制备方法及存储器 |
CN115224191A (zh) * | 2022-07-01 | 2022-10-21 | 湘潭大学 | 一种铁电超晶格多值存储器件及其制作方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007115733A (ja) | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Fujitsu Ltd | 強誘電体キャパシタ、強誘電体メモリ、及びそれらの製造方法 |
JP2011049537A (ja) | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Korea Electronics Telecommun | 不揮発性メモリセル及びその製造方法 |
JP2016213280A (ja) | 2015-05-01 | 2016-12-15 | 国立大学法人金沢大学 | 電界効果トランジスタ |
WO2018074093A1 (ja) | 2016-10-20 | 2018-04-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体記憶素子、半導体記憶装置、および半導体システム |
JP2018098504A (ja) | 2016-12-07 | 2018-06-21 | ツィンファ ユニバーシティ | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5556122B2 (ja) * | 2009-10-27 | 2014-07-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器 |
US8729614B2 (en) * | 2010-06-29 | 2014-05-20 | Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration | Flexible ferroelectric memory device and manufacturing method for the same |
WO2012119125A2 (en) * | 2011-03-02 | 2012-09-07 | Xiangfeng Duan | High performance graphene transistors and fabrication processes thereof |
US10163932B1 (en) * | 2015-07-24 | 2018-12-25 | Nutech Ventures | Memory device based on heterostructures of ferroelectric and two-dimensional materials |
JP6462602B2 (ja) * | 2016-01-12 | 2019-01-30 | 信越化学工業株式会社 | 多層膜形成方法及びパターン形成方法 |
WO2018195004A1 (en) * | 2017-04-17 | 2018-10-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Chemical vapor transport growth of two-dimensional transition-metal dichalcogenides |
-
2019
- 2019-03-18 US US16/356,067 patent/US10833102B2/en active Active
- 2019-12-23 EP EP19842896.3A patent/EP3759740B1/en active Active
- 2019-12-23 WO PCT/JP2019/051645 patent/WO2020188951A1/en unknown
- 2019-12-23 JP JP2021554048A patent/JP7292402B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007115733A (ja) | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Fujitsu Ltd | 強誘電体キャパシタ、強誘電体メモリ、及びそれらの製造方法 |
JP2011049537A (ja) | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Korea Electronics Telecommun | 不揮発性メモリセル及びその製造方法 |
JP2016213280A (ja) | 2015-05-01 | 2016-12-15 | 国立大学法人金沢大学 | 電界効果トランジスタ |
WO2018074093A1 (ja) | 2016-10-20 | 2018-04-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体記憶素子、半導体記憶装置、および半導体システム |
JP2018098504A (ja) | 2016-12-07 | 2018-06-21 | ツィンファ ユニバーシティ | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
F. A. McGuire et al.,"Sustained Sub-60 mV/decade Switching via the Negative Capacitance Effect in Mos2 Transistors",NANO Letters,2017年,Vol. 17,4801 - 4806 |
X-W. Zhang et al.,"MoS2 Field-Effect Transistors With Lead Zirconate-Titanate Ferroelectric Gating",IEEE Electron Device Letters,2015年,Vol. 36, No. 8,784 - 786 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3759740B1 (en) | 2023-06-21 |
WO2020188951A1 (en) | 2020-09-24 |
EP3759740A1 (en) | 2021-01-06 |
US10833102B2 (en) | 2020-11-10 |
JP2022514126A (ja) | 2022-02-09 |
US20200303417A1 (en) | 2020-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7292402B2 (ja) | トランジスタデバイスおよび不揮発性メモリセルの製造方法 | |
Lipatov et al. | Optoelectrical Molybdenum Disulfide (MoS2) Ferroelectric Memories | |
Kwon et al. | In-plane ferroelectric tin monosulfide and its application in a ferroelectric analog synaptic device | |
Bertolazzi et al. | Nonvolatile memories based on graphene and related 2D materials | |
Bakaul et al. | Single crystal functional oxides on silicon | |
JP5572165B2 (ja) | グラフェンメモリセルおよびその製造方法 | |
Baek et al. | Ferroelectric field‐effect‐transistor integrated with ferroelectrics heterostructure | |
US20160308070A1 (en) | Semiconductor device | |
Shen et al. | Ferroelectric memory field-effect transistors using CVD monolayer MoS2 as resistive switching channel | |
Chou et al. | Junctionless Poly-GeSn ferroelectric thin-film transistors with improved reliability by interface engineering for neuromorphic computing | |
USRE49563E1 (en) | Negative capacitance fet device with reduced hysteresis window | |
Puebla et al. | Combining freestanding ferroelectric perovskite oxides with two-dimensional semiconductors for high performance transistors | |
Laurenti et al. | Evidence of negative capacitance in piezoelectric ZnO thin films sputtered on interdigital electrodes | |
Jiao et al. | Ferroelectric field effect transistors for electronics and optoelectronics | |
Liu et al. | Ultrafast flash memory with large self-rectifying ratio based on atomically thin MoS2-channel transistor | |
Dang et al. | Interface engineering and device applications of 2D ultrathin film/ferroelectric copolymer P (VDF‐TrFE) | |
Ma et al. | Detecting electric dipoles interaction at the interface of ferroelectric and electrolyte using graphene field effect transistors | |
Iqbal et al. | Recent Advances in Ferroelectric‐Enhanced Low‐Dimensional Optoelectronic Devices | |
Chen et al. | Polarized Tunneling Transistor for Ultrafast Memory | |
Liu et al. | Ferroelectric field-effect transistors for logic and in-situ memory applications | |
Yang et al. | Two-dimensional layered materials meet perovskite oxides: A combination for high-performance electronic devices | |
Fan et al. | Enhanced ferroelectric and piezoelectric properties in graphene-electroded Pb (Zr, Ti) O3 thin films | |
JP2010062221A (ja) | 強誘電体ゲート電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び強誘電体ゲート電界効果トランジスタの製造方法 | |
Yan et al. | Reliable Nonvolatile Memory Black Phosphorus Ferroelectric Field-Effect Transistors with van der Waals Buffer | |
JP6145756B2 (ja) | 不揮発性記憶素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210531 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220705 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220825 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230509 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230606 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7292402 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |