JP2016213280A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
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Abstract
Description
例えば、非特許文献1にMoS2(二硫化モリブデン)をチャネルとしたFET構造が開示されている。
ここで二次元物質とは、いわゆる層状構造からなる物質をいい、層を形成する面内方向(二次元方向)は共有結合等の強い結合構造であり、層間はファンデルワールス力等の相対的に弱い結合からなる物質をいう。
カルコゲン化合物半導体は、Mo,Hf,W等の金属とカルコゲン元素(S,Se,Te)との化合物をいう。
例えば、MoS2(二硫化モリブデン)が例として挙げられる。
本発明において強誘電体とは、外部に電場がなくても電気双極子が整列しており、且つ、双極子の方向が電場によって変化できる物質をいう。
有機系の薄膜からなる強誘電体には、フッ化ビニリデン(VDF)等のフッ素系の有機薄膜が例として挙げられ、特にフッ化ビニリデンと三フッ化エチレン(TrFE)との共重合体薄膜が好ましい。
また、無機系のものとしては、BiFeO3,Pb(Zr,Ti)O3,BaTiO3等が例として挙げられる。
また、ゲートにSiO2を用いた場合に比較し、実効移動度や高密度キャリア変調等の半導体特性が向上する。
トランジスタ10は、シリコン等の基板11の上にPtの電極12を形成し、その上に75/25mol%のVDF/TrFE(フッ化ビニリデン−三フッ化エチレン共重合体)をスピンコート法により塗布後に120℃にて乾燥させ、膜厚150nmの強誘電体13の薄膜を形成した。
二次元物質14としてMoS2(二硫化モリブデン)を薄片化し、これをテープを用いて図2(b)に示すように強誘電体13の上に転写した。
その後に図2(c)に示すように、フォトリソグラフィにより部分的にAuからなるドレイン(Drain)電極15とソース(Source)電極16を形成した。
これにより得られたサンプルは、図3に示すようにMoS2層の厚み6.9nm,VDF/TrFEの表面ラフネスRq(RMS)=4.2nmであった。
表面観察には、AFM(原子間力顕微鏡)を用いた。
また、MoS2層のチャネル長さはL=5.34μm,チャネル幅は3μmであった。
以下、上記サンプルをVDF/TrFEゲート型と称する。
なお、比較評価のためにVDF/TrFE膜の替わりに熱酸化法により膜厚260nmのSiO2膜を形成し、その上に上記と同様にMoS2層を形成したものを製作した。
SiO2ゲート型は、MoS2層の厚み3.67nm,MoS2の表面ラフネスは、0.55nm,チャネル長さ9.8μm,チャネル幅7.4μmであった。
分極量は、Pr=9μC/cm2,抗電圧は約14Vであった。
次に、製作したVDF/TrFEゲート型のコンデンサのIds−Vgs特性を図5に示す。
測定には、pAmeter YHP4140B,半導体パラメーターアナライザーHP4156を用いた。
ゲート電圧を−30Vから+30Vへ掃引していくと、12V付近でドレイン電流が大きく立ち上がり、on状態を示した。
その後に+30Vから−30Vへ掃引していくと、ドレイン電流はマイナス側に大きくシフトし、−5V付近でoff状態になった。
これにより、反時計回りの強誘電性ヒステリシスが確認でき、MoS2内部のキャリア制御が可能であった。
比較のために製作したSiO2ゲート型は、4.8cm2/Vsであったことから、VDF/TrFEゲート型はSiO2ゲート型に比べ、約28倍であったことになる。
また、ゲート電圧に対するドレイン電流の変化を比較したグラフを図7に示す。
これにより、VDF/TrFEゲート型は、SiO2ゲート型に比べ、ドレイン電流が約1100倍の値を示したことになる。
この結果、残留分極によって誘起されたキャリアにより、MoS2の抵抗値が変化することも確認できた。
11 基板
12 電極
13 強誘電体
14 二次元物質
15 ドレイン
16 ソース
Claims (4)
- 二次元物質からなるチャネルに、強誘電体からなるゲートを組み合せたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
- 前記二次元物質はカルコゲン化合物半導体であることを特徴とする請求項1記載の電界効果トランジスタ。
- 前記強誘電体は有機系の薄膜又は無機系の薄膜であることを特徴とする請求項1又は2記載の電界効果トランジスタ。
- 基板の上に電極を介してゲートとなる強誘電体薄膜を積層し、
前記強誘電体薄膜の上に二次元物質薄膜をチャネルとして積層し、
前記二次元物質薄膜にドレイン及びソース電極を形成したことを特徴とする電界効果トランジスタ。
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