CN113471328B - 一种具有可拉伸场效应的晶体管器件及其制备方法和产品 - Google Patents
一种具有可拉伸场效应的晶体管器件及其制备方法和产品 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113471328B CN113471328B CN202110749551.8A CN202110749551A CN113471328B CN 113471328 B CN113471328 B CN 113471328B CN 202110749551 A CN202110749551 A CN 202110749551A CN 113471328 B CN113471328 B CN 113471328B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- stretchable
- field effect
- transistor device
- gate electrode
- gold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 45
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 16
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 11
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 claims description 10
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 10
- ZNKMCMOJCDFGFT-UHFFFAOYSA-N gold titanium Chemical compound [Ti].[Au] ZNKMCMOJCDFGFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 10
- 229910001258 titanium gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- JUWSSMXCCAMYGX-UHFFFAOYSA-N gold platinum Chemical compound [Pt].[Au] JUWSSMXCCAMYGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000000233 ultraviolet lithography Methods 0.000 claims description 7
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920001935 styrene-ethylene-butadiene-styrene Polymers 0.000 claims description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 4
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- ROUIDRHELGULJS-UHFFFAOYSA-N bis(selanylidene)tungsten Chemical compound [Se]=[W]=[Se] ROUIDRHELGULJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- MHWZQNGIEIYAQJ-UHFFFAOYSA-N molybdenum diselenide Chemical compound [Se]=[Mo]=[Se] MHWZQNGIEIYAQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001537 neural effect Effects 0.000 claims description 3
- ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N tungsten disulfide Chemical compound S=[W]=S ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims description 2
- QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N copper gold Chemical compound [Cu].[Au] QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- -1 transition metal chalcogenide Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 8
- 210000000225 synapse Anatomy 0.000 abstract description 4
- 210000005036 nerve Anatomy 0.000 abstract description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 3
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 3
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZFMITUMMTDLWHR-UHFFFAOYSA-N Minoxidil Chemical compound NC1=[N+]([O-])C(N)=CC(N2CCCCC2)=N1 ZFMITUMMTDLWHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000004298 light response Effects 0.000 description 1
- 229960003632 minoxidil Drugs 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 229920000428 triblock copolymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
- H01L31/113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
- H01L31/1136—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor the device being a metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03926—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1892—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates
- H01L31/1896—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates for thin-film semiconductors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明提供了一种具有可拉伸场效应的晶体管器件，所述器件包括：可拉伸的柔性衬底；经沉积的金属栅电极；二维绝缘材料和/或柔性介电层；生长于所述柔性衬底上的二维半导体材料；和源漏金属电极。还提供了该器件的制备方法和应用。本发明对器件的制作方法进行了改进，先将要制作器件的柔性衬底进行预拉伸固定，然后直接在拉伸后的衬底上转移二维半导体材料进行器件制备。二维半导体材料如二硫化钼作为器件的沟道材料，二维绝缘材料如氮化硼作为器件的介电层。在器件制作完成后释放衬底，让衬底上的材料收缩，形成褶皱结构的可拉伸器件。成功制备出了稳定的场效应晶体管三端器件，可以应用于逻辑电路，光电探测，神经突触形态器件。有效解决了二维半导体材料柔性器件不能承受较大应变，在应变条件下不能稳定工作的问题。
Description
技术领域
本发明总体上涉及微纳加工和半导体制造领域，具体涉及一种具有可拉伸场效应的晶体管器件及其制备方法和产品。
背景技术
柔性器件是下一代新型器件的发展趋势，因其柔软灵活的特点可以被应用于各种传感器、可穿戴器件等，为电子器件在生物医学、人工智能方面开辟了新的研究方向。
目前的柔性器件大多采用有机材料，制备过程毒性较大，并且器件性能不高。二维半导体材料的出现为柔性器件制备提供了一个新的思路，采用二维半导体材料不仅仅能够制备简单的两端器件，还可以制备三端场效应晶体管器件，以及基于晶体管器件制备的逻辑器件等。制作的器件能得到较高的载流子迁移率，开关电流比，并且二维半导体材料器件可加工的尺寸很小，有利于器件的集成。
但二维半导体材料相比有机材料在形变较大的时候更容易出现碎裂，现有的技术方法大多只能保证器件在弯曲条件下能够工作，弯曲施加的应变范围很小，使柔性器件的应用范围受限。
因此，需要一种新型的器件制备方法去加工二维半导体材料，使其能够在拉伸的过程中不会出现损坏的情况，进而保证器件在较大应变下的稳定工作，制备出高性能的二维半导体材料可拉伸器件。
发明内容
因此，本发明的目的在于克服现有技术中的缺陷，提供一种具有可拉伸场效应的晶体管器件及其制备方法和应用，使二维半导体材料在拉伸的过程中不会出现损坏，进而保证器件在较大应变下的稳定工作。
在阐述本发明内容之前，定义本文中所使用的术语如下：
术语“PDMS”是指：聚二甲基硅氧烷。
术语“PMMA”是指：聚甲基丙烯酸甲酯。
术语“SEBS”是指：是以聚苯乙烯为末端段，以聚丁二烯加氢得到的乙烯-丁烯共聚物为中间弹性嵌段的线性三嵌共聚物。
术语“PVA”是指：聚乙烯醇。
术语“PET”是指：俗称涤纶树脂，是对苯二甲酸与乙二醇的缩聚物。
为实现上述目的，本发明的第一方面提供了一种具有可拉伸场效应的晶体管器件，其特征在于，所述器件依次包括：
可拉伸的柔性衬底；
经沉积的金属栅电极；
转移或涂覆于所述金属栅电极上的二维绝缘材料层/或柔性介电层；
位于所述二维绝缘材料层/或柔性介电层上形成沟道的二维半导体材料；和
源漏金属电极。
根据本发明第一方面的具有可拉伸场效应的晶体管器件，
所述可拉伸的柔性衬底材料为：PDMS或SEBS；
所述经沉积的金属栅电极选自以下一种或多种：钛金、金、铂金、钯金、铜金、镍金；优选为钛金、金、铂金、钯金，更优选为钛金、金、铂金，最优选为钛金和/或金；
所述二维绝缘材料为六方氮化硼；
所述柔性介电层材料为：PVA或SEBS；
所述二维半导体材料为金属硫族化合物或黑磷，优选为二维过渡金属硫族化合物，更优选自以下一种或多种：二硫化钼、二硫化钨、二硒化钼、二硒化钨；和/或
所述源漏金属电极的材料选自以下一种或多种：钛金、金、钯金、铂金、镍金。
根据本发明第一方面的具有可拉伸场效应的晶体管器件，
所述可拉伸的柔性衬底拉伸量为2-20％，优选为5-15％，进一步优选为5-10％，最优选为7％；
所述的金属栅电极厚度为3-50纳米，优选为5-40纳米，更优选为5-30纳米，进一步优选为5-20纳米，最优选为10纳米；
所述柔性介电层厚度为5-80纳米，优选为5-60纳米，更优选为10-50纳米，进一步优选为20-40纳米，最优选为30纳米；和/或
所述源漏金属电极厚度为10-80纳米，优选为20-70纳米，更优选为20-60纳米，进一步优选为20-50纳米，最优选为30纳米。
根据本发明第一方面的具有可拉伸场效应的晶体管器件，所述的晶体管器件选自以下一种或多种：场效应晶体管器件、反相器、与门逻辑器件、或门逻辑器件。
本发明的第二方面提供了制备第一方面所述的晶体管器件的方法，所述方法依次包括以下步骤：
(1)预拉伸柔性衬底；
(2)在步骤(1)的衬底上沉积金属栅电极；
(3)在步骤(2)的栅电极上转移或涂覆二维绝缘材料和/或柔性介电层；
(4)将二维半导体材料转移至步骤(3)的二维绝缘材料和/或介电层上，以形成沟道；和
(5)转移源漏金属电极，即得所述的晶体管器件。
根据本发明第二方面的方法，所述的制备方法在步骤(5)后还包括：(6)解除柔性衬底固定。
根据本发明第二方面的方法，在步骤(2)中，所述沉积金属栅电极的方法为蒸镀，
优选地，所述蒸镀包括以下步骤：
(1)在通过步骤(1)拉伸好的柔性衬底上贴上掩膜；
(2)通过掩膜法沉积金属电极作为金属栅电极；
更优选地，所述的掩膜法沉积在电子束蒸发设备中进行；
进一步优选地，所述的掩膜选自以下一种或多种：PET、PDMS、硅、铝、不锈钢；和/或
更进一步优选地，掩膜的制备方法为：紫外光刻和/或感应耦合等离子刻蚀。
根据本发明第二方面的方法，在步骤(4)中，
所述生长得到二维半导体材料的方法为：机械剥离法或化学气相沉积法；
所述形成沟道的方法选自以下一种或多种：紫外光刻、电子束曝光、反应离子刻蚀、感应耦合等离子刻蚀。
根据本发明第二方面的方法，在步骤(5)中，所述的源漏金属电极用电子束蒸发。
本发明的第三方面提供了一种光探测器件、光存储器件和/或对于光照响应敏感的神经突触形态器件，所述的光探测器件、光存储器件和/或对于光照响应敏感的神经突触形态器件包括如第一方面所述的具有可拉伸场效应的晶体管器件或按照第二方面所述方法制备的可拉伸场效应的晶体管器件。
根据本发明一个具体的实施方案，本发明提供了一种采用二维半导体材料可拉伸器件及其制备方法，将柔性衬底进行预拉伸，之后在预拉伸的衬底上直接制作器件，在释放衬底之后，二维半导体材料能够在衬底上形成褶皱结构，保持材料的完好，避免在拉伸应变过程中出现碎裂。
本发明提供的一种采用二维半导体材料可拉伸器件的制备方法，包括以下步骤：
(1)将柔性衬底进行预拉伸之后再进行器件的制备。
(2)在电子束蒸发设备中采用掩膜的方法沉积金属电极，并可以进行金属电极的转移。
(3)将机械剥离或者化学气相沉积方法生长的一种或多种二维半导体材料转移至预拉伸的衬底作为器件的沟道材料。
(4)采用紫外光刻设备和反应离子刻蚀设备对材料进行加工，并用半导体分析仪对器件进行电学测量。
根据本发明另一个具体的实施方案，本发明提供了一种在拉伸的柔性衬底上直接采用二维半导体材料制作可拉伸器件的方法，包括以下步骤：
(1)先将柔性衬底进行预拉伸，在电子束蒸发设备中采用掩膜的方法沉积金属栅电极。
(2)在栅电极上转移二维绝缘材料或旋涂柔性介电层。
(3)采用机械剥离或者化学气相沉积法生长得到二维半导体材料，转移至介电层上作为器件的沟道材料。
(4)加工沟道形状后转移源漏金属电极，释放衬底预应变，得到可拉伸器件。
在步骤(1)中，所述柔性衬底为PDMS或SEBS。
在步骤(2)中，所述介电层为六方氮化硼、PVA或SEBS。
在步骤(3)中，所述二维半导体材料为二硫化钼、二硫化钨、二硒化钼或二硒化钨。
在步骤(4)中，所述的的可拉伸器件选自以下一种或多种：场效应晶体管器件、反相器、与门和或门逻辑器件。
制备的可拉伸器件可以用作光探测器件，光存储器件，以及对于光照响应敏感的神经突触形态器件。
本发明提供了一种基于二维半导体材料的可拉伸场效应晶体管器件及其制备方法。采用二维半导体材料如二硫化钼制作的柔性电子器件通常不能在很大的拉伸应变下工作，因为应变会使材料断裂从而使器件性能显著下降甚至损坏。本发明对器件的制作方法进行了改进，先将要制作器件的柔性衬底进行预拉伸固定，然后直接在拉伸后的衬底上转移二维半导体材料进行器件制备。二维半导体材料如二硫化钼作为器件的沟道材料，二维绝缘材料如氮化硼作为器件的介电层。在器件制作完成后释放衬底，让衬底上的材料收缩，形成褶皱结构的可拉伸器件。成功制备出了稳定的场效应晶体管三端器件，可以应用于逻辑电路，光电探测，神经突触形态器件。有效解决了二维半导体材料柔性器件不能承受较大应变，在应变条件下不能稳定工作的问题。
本发明的具有可拉伸场效应的晶体管器件及其制备方法及应用可以具有但不限于以下有益效果：
(1)利用本发明的制备方法可以对衬底拉伸的时候实现二维半导体材料及金属电极完好，不会出现碎裂的效果。
(2)制备的器件能够在应变大于10％的条件下重复稳定地工作。
(3)制备的器件具有良好的开关性能，开关比可达108，迁移率可达28厘米2伏-1秒-1。
(4)制备的器件可以实现单轴和双轴不同方向拉伸。
(5)制备的器件具有良好的光响应，在施加光照脉冲的时候电流增加且有记忆效果，能够实现神经突触形态器件的性质。
(6)利用这种方法可以制备简单两端器件、场效应晶体管器件、逻辑器件等多种不同功能器件。
以上这些特点使得这种将柔性衬底结构和二维半导体材料相结合的可拉伸器件的制备方法具备很大的应用潜力和推广价值。
附图说明
以下，结合附图来详细说明本发明的实施方案，其中：
图1示出了具有可拉伸场效应的晶体管器件的制备方法工艺流程示意图。
图2示出了采用本发明的方法制作的可拉伸二硫化钼场效应晶体管器件的光学显微镜照片。图2A示出了所述器件在拉伸之后的光学显微镜照片，图2B示出了所述器件在拉伸状态下无损坏的光学显微镜照片。
图3示出了对制作完成的可拉伸二硫化钼场效应晶体管器件进行电学测量的结果，图3A示出了拉伸前的转移曲线，图3B示出了拉伸后的转移曲线。
图4示出了对制作完成的可拉伸二硫化钼场效应晶体管器件在栅极电压-1V下施加蓝光光照脉冲时进行电学测量的结果，器件电流在光照时增加且有记忆效应。
具体实施方式
下面通过具体的实施例进一步说明本发明，但是，应当理解为，这些实施例仅仅是用于更详细具体地说明之用，而不应理解为用于以任何形式限制本发明。
本部分对本发明试验中所使用到的材料以及试验方法进行一般性的描述。虽然为实现本发明目的所使用的许多材料和操作方法是本领域公知的，但是本发明仍然在此作尽可能详细描述。本领域技术人员清楚，在上下文中，如果未特别说明，本发明所用材料和操作方法是本领域公知的。
以下实施例中使用的材料、试剂和仪器如下：
材料：
钛金、金，均购自中诺新材(北京)科技有限公司。
试剂：
氮化硼，购自hq graphene公司；PMMA购自MICROCHEM公司，PDMS购自道康宁公司；KOH，购自西陇科学股份有限公司；光刻胶，购自Allresist公司；二硫化钼通过在化学气相沉积系统中放入硫粉(Alfa Aesar)和三氧化钼粉(Alfa Aesar)加热反应得到。
仪器：
化学气相沉积系统(购自东莞市卓聚科技有限公司，型号PECVD-ZJ407a)；
紫外光刻机(购自德国Suss MicroTec Gmbh，型号MA6)；
电子束蒸发系统(购自中国台湾聚昌科技有限公司，型号Peva-600E)；
反应离子刻蚀系统(购自英国Oxford Instruments Plasma Technology，型号Plasmalab 80plus)；
原子层沉积系统(购自美国Cambridge NanoTech Inc.，型号Savannah-100)；
光学显微镜(购自日本Nikon，型号MM-400)；
半导体分析仪(美国Agilent公司，型号B1500A)。
实施例1
作为示例，本实施例用于说明本发明具有可拉伸场效应的晶体管器件的制备。
图1是本发明具有可拉伸场效应的晶体管器件的制备流程示意图。如图所示，本发明的制备方法依次包括以下步骤：
(1)将柔性衬底进行预拉伸，所用柔性衬底为PDMS。拉伸量5％。
(2)在拉伸的衬底上贴上PET掩膜，掩膜用紫外光刻和感应耦合等离子刻蚀制备。用电子束蒸发沉积2纳米钛和10纳米金作为栅电极。
(3)在栅电极上转移氮化硼，厚度40纳米。
(4)化学气相沉积方法在蓝宝石衬底上生长的二硫化钼薄膜，表面旋涂PMMA，用KOH溶液刻蚀衬底，转移到氮化硼层上。用紫外光刻和反应离子刻蚀方法保留定义形状沟道。
(5)转移源漏电极，金电极用电子束蒸发，厚度30纳米。
(6)使衬底解除固定。
经上述步骤制作完成后的器件，在光学显微镜下，可以看出，图2A示出了器件在拉伸之后的光学显微镜照片，图2B示出了器件在拉伸状态下无损坏的照片。
由该实施例可以看出，本发明的制备方法可以对衬底拉伸的时候实现二维半导体材料及金属电极完好，不会出现碎裂的效果。有效解决了二维半导体材料柔性器件不能承受较大应变，在应变条件下不能稳定工作的问题。
试验例1
本实验例用来说明实施例1制备的具有可拉伸场效应的晶体管器件的电学特性。
实验步骤：具体步骤如下：
(1)将器件放入探针台中，使用探针接触栅极和源漏电极施加电压；
(2)使用半导体分析仪测量得到器件拉伸前的电流曲线；
(3)将器件拉伸后接入探针，施加栅极和源漏电极电压；
(4)使用半导体分析仪测量得到器件拉伸后的电流曲线。
结果:通过对实施例1中制备的具有可拉伸场效应的晶体管器件进行电学测量，得到器件在拉伸前后的转移曲线如图3所示。图3A示出了拉伸前的转移曲线，图3B示出了拉伸后的转移曲线。器件的电学特性基本保持不变。
表明在PDMS衬底上采用预拉伸方法制备的二硫化钼场效应晶体管器件能够在应变大于10％的条件下重复稳定地工作。
试验例2
本实验例用来说明实施例1制备的具有可拉伸场效应的晶体管器件在施加光照脉冲后的电流特性。
实验步骤：具体步骤如下：
(1)将器件放入探针台中，使用探针接触栅极和源漏电极施加电压；
(2)使用半导体分析仪对小灯泡施加电压脉冲，使光脉冲信号照射到器件上；
(3)使用半导体分析仪测量得到器件在施加光照脉冲后的电流曲线。
结果:通过对实施例1中制备的具有可拉伸场效应的晶体管器件施加光照脉冲之后，器件电流变化曲线如图4所示。器件电流在光照时增加且有记忆效应。在不同的拉伸量下，器件在光照脉冲下的电流基本不变。
表明制备的器件具有良好的光响应。
试验例3
本实验例用来说明实施例1制备的晶体管器件具有良好的开关性能。
通过转移特性电流曲线图3可以看出，预拉伸方法制备的可拉伸二硫化钼晶体管器件开关比可达108，迁移率可达28厘米2伏-1秒-1。
表明制备的器件具有良好的开关性能。
尽管本发明已进行了一定程度的描述，明显地，在不脱离本发明的精神和范围的条件下，可进行各个条件的适当变化。可以理解，本发明不限于所述实施方案，而归于权利要求的范围，其包括所述每个因素的等同替换。
Claims (20)
1.一种具有可拉伸场效应的晶体管器件，其特征在于，所述器件依次包括：
可拉伸的柔性衬底；
经沉积的金属栅电极；
转移或涂覆于所述金属栅电极上的二维绝缘材料层；
位于所述二维绝缘材料层上形成沟道的二维半导体材料；和
源漏金属电极；其中：
所述二维绝缘材料为六方氮化硼；
所述二维半导体材料为金属硫族化合物或黑磷；
并且，所述晶体管器件的制备方法依次包括以下步骤：
(1)预拉伸柔性衬底；
(2)在步骤(1)的衬底上沉积金属栅电极；
(3)在步骤(2)的栅电极上转移或涂覆二维绝缘材料；
(4)将二维半导体材料转移至步骤(3)的二维绝缘材料上，以形成沟道；
(5)转移源漏金属电极，即得所述的晶体管器件；和
(6)解除柔性衬底固定。
2.根据权利要求1所述的具有可拉伸场效应的晶体管器件，其特征在于，
所述可拉伸的柔性衬底材料为：PDMS或SEBS；
所述经沉积的金属栅电极选自以下一种或多种：钛金、金、铂金、钯金、铜金、镍金；
所述二维半导体材料为二维过渡金属硫族化合物；和/或
所述源漏金属电极的材料选自以下一种或多种：钛金、金、钯金、铂金、镍金。
3.根据权利要求2所述的具有可拉伸场效应的晶体管器件，其特征在于，
所述经沉积的金属栅电极选自以下一种或多种：钛金、金、铂金、钯金；和/或
所述二维半导体材料选自以下一种或多种：二硫化钼、二硫化钨、二硒化钼、二硒化钨。
4.根据权利要求3所述的具有可拉伸场效应的晶体管器件，其特征在于，所述经沉积的金属栅电极选自以下一种或多种：钛金、金、铂金。
5.根据权利要求4所述的具有可拉伸场效应的晶体管器件，其特征在于，所述经沉积的金属栅电极为钛金和/或金。
6.根据权利要求1所述的具有可拉伸场效应的晶体管器件，其特征在于，
所述可拉伸的柔性衬底拉伸量为2-20％；
所述的金属栅电极厚度为3-50纳米；和/或
所述源漏金属电极厚度为10-80纳米。
7.根据权利要求6所述的具有可拉伸场效应的晶体管器件，其特征在于，
所述可拉伸的柔性衬底拉伸量为5-15％；
所述的金属栅电极厚度为5-40纳米；和/或
所述源漏金属电极厚度为20-70纳米。
8.根据权利要求7所述的具有可拉伸场效应的晶体管器件，其特征在于，
所述可拉伸的柔性衬底拉伸量为5-10％；
所述的金属栅电极厚度为5-30纳米；和/或
所述源漏金属电极厚度为20-60纳米。
9.根据权利要求8所述的具有可拉伸场效应的晶体管器件，其特征在于，
所述可拉伸的柔性衬底拉伸量为7％；
所述的金属栅电极厚度为5-20纳米；和/或
所述源漏金属电极厚度为20-50纳米。
10.根据权利要求9所述的具有可拉伸场效应的晶体管器件，其特征在于，
所述的金属栅电极厚度为10纳米；和/或
所述源漏金属电极厚度为30纳米。
11.权利要求1至10中任一项所述的具有可拉伸场效应的晶体管器件在制备场效应晶体管器件、反相器、与门逻辑器件和/或或门逻辑器件中的应用。
12.一种制备如权利要求1至10中任一项所述的具有可拉伸场效应的晶体管器件的方法，其特征在于，所述方法依次包括以下步骤：
(1)预拉伸柔性衬底；
(2)在步骤(1)的衬底上沉积金属栅电极；
(3)在步骤(2)的栅电极上转移或涂覆二维绝缘材料；
(4)将二维半导体材料转移至步骤(3)的二维绝缘材料上，以形成沟道；和
(5)转移源漏金属电极，即得所述的晶体管器件。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述的制备方法在步骤(5)后还包括：(6)解除柔性衬底固定。
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述沉积金属栅电极的方法为蒸镀。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述蒸镀包括以下步骤：
(A)在通过步骤(1)拉伸好的柔性衬底上贴上掩膜；
(B)通过掩膜法沉积金属电极作为金属栅电极。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，在步骤(B)中，所述的掩膜法沉积在电子束蒸发设备中进行。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于：
所述的掩膜选自以下一种或多种：PET、PDMS、硅、铝、不锈钢；和/或
所述的掩膜的制备方法为：紫外光刻和/或感应耦合等离子刻蚀。
18.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在步骤(4)中，
所述二维半导体材料的生长方法为：机械剥离法或化学气相沉积法；
所述形成沟道的方法选自以下一种或多种：紫外光刻、电子束曝光、反应离子刻蚀、感应耦合等离子刻蚀。
19.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在步骤(5)中，所述的源漏金属电极用电子束蒸发。
20.一种光探测器件、光存储器件或对于光照响应敏感的神经突触形态器件，其特征在于，所述的光探测器件、光存储器件或对于光照响应敏感的神经突触形态器件包括如权利要求1至10中任一项所述的具有可拉伸场效应的晶体管器件或按照权利要求12至19中任一项所述方法制备的可拉伸场效应的晶体管器件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110749551.8A CN113471328B (zh) | 2021-07-02 | 2021-07-02 | 一种具有可拉伸场效应的晶体管器件及其制备方法和产品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110749551.8A CN113471328B (zh) | 2021-07-02 | 2021-07-02 | 一种具有可拉伸场效应的晶体管器件及其制备方法和产品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113471328A CN113471328A (zh) | 2021-10-01 |
| CN113471328B true CN113471328B (zh) | 2023-10-31 |
Family
ID=77877571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110749551.8A Active CN113471328B (zh) | 2021-07-02 | 2021-07-02 | 一种具有可拉伸场效应的晶体管器件及其制备方法和产品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113471328B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114203541A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-03-18 | 华中科技大学 | 一种将金属电极转移至二维材料上的方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2975652A1 (en) * | 2014-07-15 | 2016-01-20 | Fundació Institut de Ciències Fotòniques | Optoelectronic apparatus and fabrication method of the same |
| CN105702776A (zh) * | 2016-02-03 | 2016-06-22 | 北京科技大学 | 一种自驱动光探测器及其制作方法 |
| CN107068745A (zh) * | 2017-03-31 | 2017-08-18 | 北京交通大学 | 一种场效应晶体管及其制备方法 |
| CN107655397A (zh) * | 2017-08-22 | 2018-02-02 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种兼备高电阻应变灵敏系数与高形变能力的多功能石墨烯柔性传感器及其制备方法 |
| CN109037064A (zh) * | 2018-07-28 | 2018-12-18 | 张玉英 | 一种用于柔性显示器的黑磷烯波形薄膜晶体管及制备方法 |
| CN109411544A (zh) * | 2018-09-26 | 2019-03-01 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种过渡金属硫化物晶体管及其制备方法 |
| CN110224022A (zh) * | 2019-06-12 | 2019-09-10 | 南京邮电大学 | 一种基于非对称范德华异质结构的场效应管及其制备方法 |
| WO2020188951A1 (en) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Ferroelectric low power 2d memory transistor and fabrication method thereof |
| CN111987153A (zh) * | 2020-09-15 | 2020-11-24 | 电子科技大学 | 一种具有超低功耗的场效应晶体管及其制备方法 |
| CN111987173A (zh) * | 2020-09-15 | 2020-11-24 | 电子科技大学 | 一种可集成的二维光电突触器件阵列及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101532310B1 (ko) * | 2013-02-18 | 2015-06-29 | 삼성전자주식회사 | 2차원 소재 적층 플렉서블 광센서 |
| US8987707B2 (en) * | 2013-08-20 | 2015-03-24 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Stretchable transistors with buckled carbon nanotube films as conducting channels |
| KR20200073688A (ko) * | 2018-12-14 | 2020-06-24 | 한국과학기술원 | 이차원 반도체 소재를 이용한 유연 박막 트랜지스터 |
-
2021
- 2021-07-02 CN CN202110749551.8A patent/CN113471328B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2975652A1 (en) * | 2014-07-15 | 2016-01-20 | Fundació Institut de Ciències Fotòniques | Optoelectronic apparatus and fabrication method of the same |
| CN105702776A (zh) * | 2016-02-03 | 2016-06-22 | 北京科技大学 | 一种自驱动光探测器及其制作方法 |
| CN107068745A (zh) * | 2017-03-31 | 2017-08-18 | 北京交通大学 | 一种场效应晶体管及其制备方法 |
| CN107655397A (zh) * | 2017-08-22 | 2018-02-02 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种兼备高电阻应变灵敏系数与高形变能力的多功能石墨烯柔性传感器及其制备方法 |
| CN109037064A (zh) * | 2018-07-28 | 2018-12-18 | 张玉英 | 一种用于柔性显示器的黑磷烯波形薄膜晶体管及制备方法 |
| CN109411544A (zh) * | 2018-09-26 | 2019-03-01 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种过渡金属硫化物晶体管及其制备方法 |
| WO2020188951A1 (en) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Ferroelectric low power 2d memory transistor and fabrication method thereof |
| CN110224022A (zh) * | 2019-06-12 | 2019-09-10 | 南京邮电大学 | 一种基于非对称范德华异质结构的场效应管及其制备方法 |
| CN111987153A (zh) * | 2020-09-15 | 2020-11-24 | 电子科技大学 | 一种具有超低功耗的场效应晶体管及其制备方法 |
| CN111987173A (zh) * | 2020-09-15 | 2020-11-24 | 电子科技大学 | 一种可集成的二维光电突触器件阵列及其制备方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Flexible and Transparent Thin-Film Transistors Based on TwoDimensional Materials for Active-Matrix Display.;Hamin Park;《ACS Appl. Mater. Interfaces》;20200103;第4749-4754页 * |
| High-Performance, Highly Bendable MoS2 Transistors with High‑K Dielectrics for Flexible Low-Power Systems.;Hsiao-Yu Chang等;《ACS nano》;20130513;第7卷(第6期);第5446-5452页 * |
| Hsiao-Yu Chang等.High-Performance, Highly Bendable MoS2 Transistors with High‑K Dielectrics for Flexible Low-Power Systems..《ACS nano》.2013,第7卷(第6期),第5446–5452. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113471328A (zh) | 2021-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107833940B (zh) | 一种基于二维二硫化钼-二硫化铼异质结的光电子器件、制备方法及应用 | |
| KR101089066B1 (ko) | 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 | |
| TWI544645B (zh) | 薄膜電晶體及其製備方法 | |
| CN109801739B (zh) | 一种高精度图案化可拉伸电极及其制备方法 | |
| CN107068745A (zh) | 一种场效应晶体管及其制备方法 | |
| CN113471328B (zh) | 一种具有可拉伸场效应的晶体管器件及其制备方法和产品 | |
| CN108091699B (zh) | 基于柔性衬底底栅结构的MoS2TFT器件及制备方法 | |
| CN107230615B (zh) | 一种石墨烯电极的制备方法 | |
| Rahman et al. | Oxygen-deficient strontium titanate based stretchable resistive memories | |
| CN111987173B (zh) | 一种可集成的二维光电突触器件阵列及其制备方法 | |
| CN110676384A (zh) | 一种氮化硼封装的二维有机-无机异质结及其制备方法 | |
| CN105244438B (zh) | 一种可编织线状有机单晶场效应晶体管及其制备方法与应用 | |
| Florica et al. | Field effect transistor with electrodeposited ZnO nanowire channel | |
| CN111916524B (zh) | 一种仿视网膜成像的硫化钼光探测器及其制备方法 | |
| CN110634958B (zh) | 一种不稳定的二维材料的半导体薄膜场效应管及其制备方法 | |
| CN108735820B (zh) | 以光刻胶为栅绝缘层的碳纳米管薄膜晶体管及制作和应用 | |
| CN113053756A (zh) | 一种基于二维材料的可人工设计边界的阵列化神经网络及其制备方法与应用 | |
| CN110042365B (zh) | 一种在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法 | |
| CN106744669A (zh) | 一种基于波导器件的单根纳米线的转移方法 | |
| CN111276613B (zh) | 可编织纤维状有机光电场效应晶体管及其制备方法和应用 | |
| LU500578B1 (en) | Field Effect Transistor and Preparation Method Thereof | |
| KR102460130B1 (ko) | 스트레처블 전자 소자를 위한 무기 반도체를 포함하는 연성 반도체 박막의 제조 방법 | |
| US11011628B2 (en) | Method for making thin film transistor with nanowires as masks | |
| CN114695124B (zh) | 一种独立式离子胶薄膜门控石墨烯场效应晶体管制备方法 | |
| CN111509123A (zh) | 一种有机单晶微型器件制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |