JP7291481B2 - 改善された触覚表面を有する外囲器 - Google Patents

Description

優先権

本出願は、その各々の内容が依拠され、ここに全て引用される、２０１６年９月６日に出願された米国仮特許出願第６２／３８３８８８号、および２０１６年１月１８日に出願された米国仮特許出願第６２／２７９８９３号の米国法典第３５編第１１９条の下での優先権の恩恵を主張するものである。

本開示は、電子機器の外囲器に関し、より詳しくは、そこを通じて無線データ伝送またはワイヤレス充電の透過を可能にする改善された触覚表面を含む外囲器に関する。

ラップトップコンピュータ、タブレット、メディア・プレーヤー、および携帯電話などの携帯型電子機器が、より小さく、より軽量で、よりパワフルになるにつれて、携帯型コンピュータ・デバイスのいくつかの構成部材および外囲器の設計を改良しなければならない。そのような外囲器のこの設計は、より軽量かつ薄いが、強力で剛性であるべきである。典型的に薄いプラスチック構造および少ない留め具を使用する、より軽量の外囲器は、典型的に、より厚く、重量があるより厚いプラスチック構造およびより多い留め具を使用するより強力でより剛性の外囲器とは対称的に、より柔軟性である傾向にあり、引っ掻き傷を受けやすく、曲がったり撓んだりする傾向が大きい。より強力でより剛性の構造の増加した重量は、ユーザに不満をもたらすことがあり、より軽量の構造の撓み／曲がりにより、携帯型電子機器の内部部品が損傷を受けることがある。

美的観点から、改善された触覚表面または手触りを示し、指紋の転写または汚れに耐性もある表面が、外囲器において望ましい。電子機器に関連する用途について、そのような表面にとっての一般的な要件に、高い透過率、制御されたヘイズ、指紋転写に対する抵抗、および取扱いに対する頑健性がある。耐指紋性表面は、ユーザの指または皮膚が触れたときに、水と油両方の転写に対して耐性でなければならない。

既存の外囲器の先の問題に鑑みて、携帯型電子機器用の改善された外囲器が必要とされている。特に、現行の外囲器の設計よりも、より費用効率の高い、より小さく、より軽量であり、より強力であり、芸術的に美しい外囲器が必要とされている。

本開示の第１の態様は、外囲器と；その外囲器の少なくとも部分的に内部に配置された電気部品であって、少なくとも、制御装置、メモリ、およびディスプレイを含む電子部品とを備えた電子機器に関する。１つ以上の実施の形態において、その外囲器は、可視スペクトルに亘り約８０％以上の平均透過率を示す基板を含む。ある場合には、その基板は、ここに記載されたように、ＣＯＦ試験法を使用して測定した場合、約０．３未満の動摩擦係数（ＣＯＦ）を示す。ある場合には、その基板は、ＣＯＦ試験法を使用して測定した場合、約０．３未満の静摩擦係数（ＣＯＦ）を示す。ある場合には、その基板は、約５００ｎｍ以上または約９００ｎｍ以上の表面粗さＲａを有する表面を含む。１つ以上の実施の形態において、その基板は、約６０％超の透過ヘイズと、６０％超の、反射面から２度または反射面から５度いずれかでの反射ヘイズとの一方または両方を示す。透過ヘイズおよび／または反射ヘイズは、約９０％以上であることがある。

いくつかの実施の形態において、その基板は、ガラス系と記載されることがある。いくつかの実施の形態において、その基板は、非晶質基板または結晶質基板を含む。非晶質基板を含む実施の形態は、ソーダ石灰ガラス、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス、アルカリ含有ホウケイ酸ガラスおよびアルカリアルミノホウケイ酸塩ガラスのいずれか１つを含むことがある。いくつかの実施の形態の非晶質基板は、強化されていることがあり、２０μｍ以上の圧縮層の深さ（ＤＯＣ）を有する圧縮表面層、４００ＭＰａ超の圧縮応力、および２０ＭＰａ超の中央張力のいずれか１つ以上を含むことがある。いくつかの実施の形態において、その基板は、強化ガラスセラミック基板、非強化ガラスセラミック基板、または単結晶基板を含む結晶質基板である。

前記基板は、その基板の主面に配置された、インク層、疎水性材料、疎油性材料または疎水性と疎油性の両方を示す材料を含むことがある。ある選択肢では、その基板は着色ガラスを含むことがある。

いくつかの実施の形態において、その基板は、約１０マイクロメートルから約１００マイクロメートル（または約１０マイクロメートルから約５０マイクロメートル）の範囲にある最長断面寸法を有する複数の表面特徴を含むことがある。いくつかの実施の形態において、その複数の特徴は、最長断面寸法の約２倍以下の平均最長断面寸法を有する。

１つ以上の実施の形態による電子機器の正面図 図１の電子機器の斜視図 １つ以上の実施の形態による外囲器の側面図 実施例１および２に基づく、片面または互いに反対の表面にある触覚表面を含む物品の透過ヘイズの相関関係を示すグラフ ＣＯＦ試験法の説明図 実施例１Ｋの光学顕微鏡画像 実施例２Ａのヘイズおよび粗さレベルについて、ＣＯＦに対する洗浄し易い（ＥＴＣ）コーティングの影響を示すグラフ 実施例２Ｂのヘイズおよび粗さレベルについて、ＣＯＦに対する洗浄し易い（ＥＴＣ）コーティングの影響を示すグラフ 実施例２Ｃのヘイズおよび粗さレベルについて、ＣＯＦに対する洗浄し易い（ＥＴＣ）コーティングの影響を示すグラフ 実施例２Ｄのヘイズおよび粗さレベルについて、ＣＯＦに対する洗浄し易い（ＥＴＣ）コーティングの影響を示すグラフ 実施例２Ｅのヘイズおよび粗さレベルについて、ＣＯＦに対する洗浄し易い（ＥＴＣ）コーティングの影響を示すグラフ 透過ヘイズの関数としての実施例２Ｂ～２Ｅの静ＣＯＦを示すグラフ

下記に記載されるように、携帯型電子機器用の、より費用効率の高い、より小さい、より軽量であり、より強力であり、芸術的により美しい外囲器が必要とされている。そのような機器としては、携帯電話、メディア（音楽を含む）・プレーヤー、ラップトップまたはノート型コンピュータ、タブレット、ゲーム機、電子ブックリーダーおよび他の機器が挙げられるであろう。本開示の実施の形態は、より軽量および／または耐衝撃損傷（例えば、凹み）性を示し、改善された触覚表面を含む、そのような外囲器に適した材料に関する。外囲器、特に金属製外囲器に使用されている公知の材料の多くとは異なり、ここに記載された材料は、無線通信と干渉しない。例えば、その外囲器は、無線周波数、マイクロ波、磁場、誘導場、無線データ伝送、ワイヤレス充電、またはその組合せの透過を可能にできる。本開示のいくつかの実施の形態は、ここに記載された外囲器を備えた電子機器に関する。

本開示の第１の態様は、ここに記載された外囲器の実施の形態を備えた電子機器に関し、図１～２に示されている。電子機器１０００は、前面１０４０、背面１０６０、および側面１０８０を有する外囲器１０２０と、その外囲の少なくとも部分的にまたは完全に中にある電気部品（図示せず）とを備える。その電気部品は、少なくとも、制御装置、メモリ、およびその外囲器の前面にまたはそれに隣接してあることがあるディスプレイ１１２０を含む。ディスプレイ１１２０は、側面１０８０および／または背面１０６０に存在してもよい。図１および２に示された実施の形態において、カバーガラス１００がディスプレイ１１２０上に配置されている。１つ以上の実施の形態において、その外囲器は、ここに記載されるような、触覚表面を含む基板を含む。ここに用いたように、「外囲器」という用語は、「筐体」または「保護カバー」と交換可能に使用されることがある。

図３に示されるように、外囲器１００は基板１０１を含むことがあり、これが外囲器の全てを形成する。いくつかの実施の形態において、その基板は、外囲器の一部を形成することがある。図３に示されるように、その基板は、互いに反対の主面１１０、１２０、および互いに反対の微小面１３０、１４０を含むが、他の形態も可能である。いくつかの実施の形態において、その外囲器は、電子機器の非ディスプレイ区域または構成部材を覆う。そのような外囲器は、電子機器の背面および／またはその電子機器のエッジのいずれかを形成することができる。１つ以上の実施の形態において、その基板の一方の主面１２０が外囲器の外面を形成することがあり、他方の主面１１０が、外囲器の内面を形成することがあり、電子機器の内部構成部材に隣接している。内面を形成する主面１１０は、装飾特徴を形成するコーティングを含むことがあり、そのコーティングは、色、図形、金属化面などを与えるコーティングを含むことがある。いくつかの実施の形態において、それらの主面の一方のみまたは両方が、ここに記載された触覚表面を含んでもよい。いくつかの実施の形態において、それらの面（１１０、１２０、１３０、１４０）の全てが、ここに記載された触覚表面を含んでもよい。いくつかの実施の形態において、触覚表面は、外囲器の外面を形成する主面上のみに存在することがある。

ここに用いたように、「防指紋」という用語は、一般に、表面上の指紋の視認性の低下に関する。そのような低下は、表面に疎水性（すなわち、９０°超の水の接触角）を、表面に親油性（すなわち、９０°未満の油の接触角）を、表面に指紋に見られる粒状物質または液体物質の付着に対する抵抗を、またはその組合せを与えることによって、達成されることがある。１つ以上の実施の形態において、その低下は、表面のＣＯＦを減少させることによって、達成されることがある。いくつかの実施の形態において、これらの性質は、様々な表面改質、コーティング、またはその組合せによって、表面に与えられることがある。

基板
基板は、シート状の形態にあっても、２．５次元（図３に示されるような）または３次元形状を有するように成形されてもよい。１つ以上の実施の形態において、その基板は、非晶質基板、結晶質基板、またはその組合せを含むことがある。いくつかの実施の形態において、その基板は、無機として、またはより具体的に、ガラス系と特徴付けられることがある。１つ以上の実施の形態において、その非晶質基板はガラス基板を含むことがあり、その基板は、強化されていてもされていなくてもよい。適切なガラス基板の例としては、ソーダ石灰ガラス基板、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス基板、アルカリ含有ホウケイ酸ガラス基板、およびアルカリアルミノホウケイ酸塩ガラス基板が挙げられる。ある変更例では、そのガラス基板はリチアを含まないことがある。１つ以上の代わりの実施の形態において、基板１１０は、ガラスセラミック基板（強化されていてもいなくてもよい）などの結晶質基板を含むことがある、またはサファイアなどの単結晶構造を含むことがある。１つ以上の具体的な実施の形態において、その基板は、非晶質基部（例えば、ガラス）および結晶質クラッド（例えば、サファイア層、多結晶アルミナ層、および／またはスピネル（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）層）を含む。

いくつかの実施の形態において、基板１１０は、有機であることがあり、詳しくは、高分子であることがある。適切な高分子の例としては、制限なく、ポリスチレン（ＰＳ）（スチレン共重合体およびブレンドを含む）、ポリカーボネート（ＰＣ）（共重合体およびブレンドを含む）、ポリエステル（ポリエチレンテレフタレートおよびポリエチレンテレフタレート共重合体を含む、共重合体およびブレンドを含む）、ポリオレフィン（ＰＯ）および環状ポリオレフィン（環状－ＰＯ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）を含むアクリル高分子（共重合体およびブレンドを含む）、熱可塑性ウレタン（ＴＰＵ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）および互いとのこれらの高分子のブレンドを含む熱可塑性物質が挙げられる。他の例示の高分子としては、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、およびシリコーン樹脂が挙げられる。

その基板は実質的に平面であることがあるが、他の実施の形態は、湾曲した、または他に成形された、または造形された基板（例えば、２．５次元または３次元形状を有する）を利用してもよい。その基板は、実質的に光学的に透明であり、透き通っており、光の散乱がないことがある。その基板は、約１．４５から約１．５５の範囲の屈折率を有することがある。ここに用いたように、屈折率の値は５５０ｎｍの波長に関する。その基板は、そのような基板の１つ以上の互いに反対の主面に測定して、高い平均曲げ強度（ここに記載されたように、強化されていな基板と比べた場合）または高い破壊表面歪み（ここに記載されたように、強化されていな基板と比べた場合）を有すると特徴付けられることがある。

１つ以上の実施の形態において、その基板は、色を示すことがある、または着色基板（すなわち、色または色合いを有するように見える基板）であることがある。ガラス系基板が使用される場合、そのガラス系基板は、コバルト、バナジウム、銅、鉄、マンガン等の酸化物などの着色剤を有する組成物を含むことがある。

それに加え、またはそれに代えて、その基板の厚さは、美的および／または機能的理由のために、その寸法の１つ以上に沿って変動することがある。例えば、基板のエッジは、その基板のより中央の領域と比べて、より厚いことがある。その基板の長さ、幅および厚さの寸法も、外囲器の用途または使用にしたがって、変動してよい。

前記基板は、多種多様な異なる過程を使用して提供できる。例えば、その基板がガラス基板を含む場合、例示のガラス基板形成方法には、フロートガラス法、並びにフュージョンドロー法およびスロットドロー法などのダウンドロー法がある。

フロートガラス法により調製されたガラス基板は、滑らかな表面により特徴付けられることがあり、均一な厚さは、溶融金属、典型的にスズの床上に溶融ガラスを浮かすことによって作られる。例示の過程において、溶融スズ床の表面上に供給される溶融ガラスが、浮遊するガラスリボンを形成する。そのガラスリボンがスズ浴に沿って流れるにつれて、ガラスリボンが、スズからローラに持ち上げられる固体のガラス基板に固化するまで、温度が徐々に低下する。ガラス基板は、浴から一旦離れると、さらに冷却され、徐冷されて、内部応力を減少させることができる。

ダウンドロー法により、比較的無垢な表面を持つ、均一な厚さを有するガラス基板が製造される。そのガラス基板の平均曲げ強度は、表面傷の量およびサイズにより制御されるので、接触が最小であった無垢な表面は、より高い初期強度を有する。この高強度のガラス基板を次にさらに強化（例えば、化学的に）する場合、得られる強度は、ラップ仕上げされ、研磨された表面を有するガラス基板の強度よりも高くあり得る。ダウンドローされたガラス基板は、約２ｍｍ未満の厚さまで延伸されるであろう。その上、ダウンドローされたガラス基板は、費用のかかる研削および研磨を行わずに最終用途に使用できる非常に平らで滑らかな表面を有する。

フュージョンドロー法は、例えば、溶融したガラス原材料を受け入れるための通路を有する延伸槽を使用する。その通路は、通路の両側に通路の長手方向に沿って上部が開いた堰を有する。その通路が溶融材料で満たされると、溶融ガラスは堰を越えて溢れる。その溶融ガラスは、重力のために、延伸槽の外面を２つの流れるガラス膜として流下する。延伸槽のこれらの外面は、それらが延伸槽の下のエッジで接合するように下方かつ内側に延在する。その２つの流れるガラス膜はこのエッジで接合して融合し、１つの流動するガラス基板を形成する。このフュージョンドロー法は、通路を越えて流れる２つのガラス膜が互いに融合するので、得られるガラス基板の外面のいずれも、その装置のどの部分とも接触しないという利点を与える。それゆえ、フュージョンドロー法により形成されたガラス基板の表面特性は、そのような接触の影響を受けない。

スロットドロー法はフュージョンドロー法とは異なる。スロットドロー法において、溶融原材料ガラスが延伸槽に提供される。この延伸槽の底部には開いたスロットがあり、このスロットは、その長さに亘り延在するノズルを有する。溶融ガラスは、スロット／ノズルを通って流動し、連続基板として徐冷領域へと下方に延伸される。

いくつかの実施の形態において、そのガラス基板に使用される組成に、Ｎａ_２ＳＯ_４、ＮａＣｌ、ＮａＦ、ＮａＢｒ、Ｋ_２ＳＯ_４、ＫＣｌ、ＫＦ、ＫＢｒ、およびＳｎＯ_２を含む群より選択される少なくとも１種類の清澄剤が０～２モル％でバッチ配合されることがある。

ガラス基板は、一旦形成されたら、ここに記載されたように、強化して、強化ガラス基板を形成してよい。ガラスセラミック基板も、ガラス基板と同じ様式で強化してもよいことを留意のこと。ここに用いたように、「強化基板」という用語は、例えば、ガラスまたはガラスセラミック基板の表面にあるより小さいイオンのより大きいイオンによるイオン交換によって、化学強化されたガラス基板またはガラスセラミック基盤を称することがある。しかしながら、熱的テンパリングなどの当該技術分野で公知の他の強化方法を利用して、強化ガラス基板を形成してもよい。

ここに記載された強化基板は、イオン交換過程により化学強化されてもよい。イオン交換過程において、典型的に、所定の期間に亘り溶融塩浴中にガラスまたはガラスセラミック基板を浸漬することによって、そのガラスまたはガラスセラミック基板の表面のまたはその近くのイオンが、塩浴からのより大きい金属イオンと交換される。１つの実施の形態において、溶融塩浴の温度は約４００～４３０℃であり、所定の期間は約４から約８時間である。ガラスまたはガラスセラミック基板中により大きいイオンが含まれると、その基板の表面近くの領域または表面とそれに隣接する領域に圧縮応力が生じることによって、その基板が強化される。その圧縮応力を釣り合わせるために、基板の中央領域内、またはその表面からある距離にある領域内に、対応する引張応力が誘発される。この強化過程を利用したガラスまたはガラスセラミック基板は、化学強化またはイオン交換されたガラスまたはガラスセラミック基板としてより詳しく記載されることがある。

一例において、強化されたガラスまたはガラスセラミック基板内のナトリウムイオンが、硝酸カリウム塩浴などの溶融浴からのカリウムイオンにより交換されているが、ルビジウムまたはセシウムなどのより大きい原子半径を有する他のアルカリ金属イオンで、ガラス中のより小さいアルカリ金属イオンを置き換えることもできる。特別な実施の形態によれば、ガラスまたはガラスセラミック中のより小さいアルカリ金属イオンをＡｇ^＋イオンにより置換することができる。同様に、以下に限られないが、硫酸塩、リン酸塩、ハロゲン化物などの他のアルカリ金属塩を、イオン交換過程に使用してもよい。

ガラスの網目構造が緩和できる温度より低い温度でより大きいイオンによってより小さいイオンが置換されると、強化基板の表面に亘りイオンの分布が生じ、これにより応力プロファイルが生じる。入ってくるイオンのより大きい体積によって、強化基板の表面に圧縮応力（ＣＳ）が、強化基板の中央に張力（中央張力、またはＣＴ）が生じる。交換の深さは、イオン交換過程により促進されるイオン交換が行われる、強化ガラスまたはガラスセラミック基板内の深さ（すなわち、ガラスまたはガラスセラミック基板の表面から、ガラスまたはガラスセラミック基板の中央領域内までの距離）と記載してもよい。最大ＣＴ値は、当該技術分野で公知のような散乱光偏光計（ＳＣＡＬＰ）技術を使用して測定される。

圧縮応力（表面ＣＳを含む）は、有限会社折原製作所（日本国）により製造されているＦＳＭ－６０００などの市販の計器を使用した表面応力計（ＦＳＭ）により測定される。表面応力の測定は、応力光学係数（ＳＯＣ）の精密測定に依存し、これは、ガラスの複屈折に関連する。ＳＯＣは、次いで、その内容がここに全て引用される、「Standard Test Method for Measurement of Glass Stress-Optical Coefficient」と題するＡＳＴＭ標準Ｃ７７０－１６に記載されているＰｒｏｃｅｄｕｒｅ Ｃ（ガラスディスク法）にしたがって測定される。

ここに用いたように、ＤＯＣは、ここに記載された化学強化されたアルカリアルミノホウケイ酸塩ガラス物品における応力が圧縮から引張に変化する深さを意味する。ＤＯＣは、イオン交換処理に依存するＦＳＭまたはＳＣＡＬＰにより測定することができる。ガラス物品中の応力が、ガラス物品中にカリウムイオンを交換することにより生じている場合、ＤＯＣを測定するためにＦＳＭが使用される。その応力が、ガラス物品中にナトリウムイオンを交換することにより生じている場合、ＤＯＣを測定するために、ＳＣＡＬＰが使用される。ガラス物品中の応力が、ガラス中にカリウムイオンとナトリウムイオンの両方を交換することにより生じている場合、ＤＯＣはＳＣＡＬＰにより測定される。何故ならば、ナトリウムの交換深さがＤＯＣを表し、カリウムイオンの交換深さが、圧縮応力の大きさの変化（しかし、圧縮から引張への応力の変化ではない）を示すと考えられるからである：そのようなガラス物品中のカリウムイオンの交換深さは、ＦＳＭにより測定される。

１つの実施の形態において、強化されたガラスまたはガラスセラミック基板は、３００ＭＰａ以上、例えば、４００ＭＰａ以上、４５０ＭＰａ以上、５００ＭＰａ以上、５５０ＭＰａ以上、６００ＭＰａ以上、６５０ＭＰａ以上、７００ＭＰａ以上、７５０ＭＰａ以上、または８００ＭＰａ以上の表面圧縮応力を有し得る。その強化されたガラスまたはガラスセラミック基板は、１５μｍ以上、２０μｍ以上（例えば、２５μｍ、３０μｍ、３５μｍ、４０μｍ、４５μｍ、５０μｍ以上）の圧縮層の深さおよび／または１０ＭＰａ以上、２０ＭＰａ以上、３０ＭＰａ以上、４０ＭＰａ以上（例えば、４２ＭＰａ、４５ＭＰａ、または５０ＭＰａ以上）であるが、１００ＭＰａ未満（例えば、９５、９０、８５、８０、７５、７０、６５、６０、５５ＭＰａ以下）の中央張力を有することがある。１つ以上の具体的な実施の形態において、その強化されたガラスまたはガラスセラミック基板は、以下の内の１つ以上を有する：５００ＭＰａ超の表面圧縮応力、１５μｍ超の圧縮層の深さ、および１８ＭＰａ超の中央張力。

理論で束縛するものではないが、５００ＭＰａ超の表面圧縮応力および約１５μｍ超の圧縮層の深さを有する強化されたガラスまたはガラスセラミック基板は、典型的に、強化されていないガラスまたはガラスセラミック基板（または言い換えれば、イオン交換されていない、または他に強化されていないガラス基板）よりも、大きい破壊歪みを有すると考えられる。

その基板に使用できるガラスの例としては、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス組成物またはアルカリアルミノホウケイ酸塩ガラス組成物が挙げられるが、他のガラス組成物も考えられる。そのようなガラス組成物は、イオン交換可能であると特徴付けられることがある。ここに用いたように、「イオン交換可能」とは、その組成物から作られた基板が、その基板の表面に、またはその近くに位置する陽イオンを、サイズがそれより大きいか小さいいずれかの同じ価数の陽イオンと交換できることを意味する。一例のガラス組成物は、ＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、およびＮａ_２Ｏを含み、ここで、（ＳｉＯ_２＋Ｂ_２Ｏ_３）≧６６モル％、およびＮａ_２Ｏ≧９モル％である。ある実施の形態において、そのガラス組成物は少なくとも約６質量％の酸化アルミニウムを含む。さらなる実施の形態において、その基板は、アルカリ土類酸化物の含有量が少なくとも５質量％であるように、１種類以上のアルカリ土類酸化物を有するガラス組成物を含む。適切なガラス組成物は、いくつかの実施の形態において、Ｋ_２Ｏ、ＭｇＯ、およびＣａＯの内の少なくとも１つをさらに含む。特別な実施の形態において、前記基板に使用されるガラス組成物は、６１～７５モル％のＳｉＯ_２、７～１５モル％のＡｌ_２Ｏ_３、０～１２モル％のＢ_２Ｏ_３、９～２１モル％のＮａ_２Ｏ、０～４モル％のＫ_２Ｏ、０～７モル％のＭｇＯ、および０～３モル％のＣａＯを含み得る。

前記基板に適したさらなる例示のガラス組成物は、６０～７０モル％のＳｉＯ_２、６～１４モル％のＡｌ_２Ｏ_３、０～１５モル％のＢ_２Ｏ_３、０～１５モル％のＬｉ_２Ｏ、０～２０モル％のＮａ_２Ｏ、０～１０モル％のＫ_２Ｏ、０～８モル％のＭｇＯ、０～１０モル％のＣａＯ、０～５モル％のＺｒＯ_２、０～１モル％のＳｎＯ_２、０～１モル％のＣｅＯ_２、５０ｐｐｍ未満のＡｓ_２Ｏ_３、および５０ｐｐｍ未満のＳｂ_２Ｏ_３を含み、１２モル％≦（Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ）≦２０モル％、および０モル％≦（ＭｇＯ＋ＣａＯ）≦１０モル％。

前記基板に適したさらに別の例示のガラス組成物は、６３．５～６６．５モル％のＳｉＯ_２、８～１２モル％のＡｌ_２Ｏ_３、０～３モル％のＢ_２Ｏ_３、０～５モル％のＬｉ_２Ｏ、８～１８モル％のＮａ_２Ｏ、０～５モル％のＫ_２Ｏ、１～７モル％のＭｇＯ、０～２．５モル％のＣａＯ、０～３モル％のＺｒＯ_２、０．０５～０．２５モル％のＳｎＯ_２、０．０５～０．５モル％のＣｅＯ_２、５０ｐｐｍ未満のＡｓ_２Ｏ_３、および５０ｐｐｍ未満のＳｂ_２Ｏ_３を含み、１４モル％≦（Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ）≦１８モル％、および２モル％≦（ＭｇＯ＋ＣａＯ）≦７モル％。

特別な実施の形態において、前記基板に適したアルカリアルミノケイ酸塩ガラス組成物は、アルミナ、少なくとも１種類のアルカリ金属、およびいくつかの実施の形態において、５０モル％超のＳｉＯ_２、他の実施の形態において、少なくとも５８モル％のＳｉＯ_２、さらに他の実施の形態において、少なくとも６０モル％のＳｉＯ_２を含み、比（Ａｌ_２Ｏ_３＋Ｂ_２Ｏ_３）／Σ改質剤（すなわち、改質剤の合計）は１より大きく、ここで、この比において、成分はモル％で表され、改質剤はアルカリ金属酸化物である。このガラス組成物は、特別な実施の形態において、５８～７２モル％のＳｉＯ_２、９～１７モル％のＡｌ_２Ｏ_３、２～１２モル％のＢ_２Ｏ_３、８～１６モル％のＮａ_２Ｏ、および０～４モル％のＫ_２Ｏを含み、比（Ａｌ_２Ｏ_３＋Ｂ_２Ｏ_３）／Σ改質剤（すなわち、改質剤の合計）は１より大きい。

さらに別の実施の形態において、前記基板は、６４～６８モル％のＳｉＯ_２、１２～１６モル％のＮａ_２Ｏ、８～１２モル％のＡｌ_２Ｏ_３、０～３モル％のＢ_２Ｏ_３、２～５モル％のＫ_２Ｏ、４～６モル％のＭｇＯ、および０～５モル％のＣａＯを含み、６６モル％≦ＳｉＯ_２＋Ｂ_２Ｏ_３＋ＣａＯ≦６９モル％、Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ＋Ｂ_２Ｏ_３＋ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＞１０モル％、５モル％≦ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ≦８モル％、（Ｎａ_２Ｏ＋Ｂ_２Ｏ_３）－Ａｌ_２Ｏ_３≦２モル％、２モル％≦Ｎａ_２Ｏ－Ａｌ_２Ｏ_３≦６モル％、および４モル％≦（Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ）－Ａｌ_２Ｏ_３≦１０モル％である、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス組成物を含むことがある。

代わりの実施の形態において、前記基板は、２モル％以上のＡｌ_２Ｏ_３および／またはＺｒＯ_２、または４モル％以上のＡｌ_２Ｏ_３および／またはＺｒＯ_２を含むアルカリアルミノケイ酸塩ガラス組成物を含むことがある。

前記基板が結晶質基板を含む場合、その基板は単結晶を含むことがあり、それはＡｌ_２Ｏ_３を含むことがある。そのような単結晶基体はサファイアと称される。結晶質基板の他の適切な材料としては、多結晶アルミナ層および／またはスピネル（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）が挙げられる。

必要に応じて、その結晶質基板はガラスセラミック基板を含むことがあり、その基板は強化されていてもいなくてもよい。適切なガラスセラミックの例としては、Ｌｉ_２Ｏ・Ａｌ_２Ｏ_３・ＳｉＯ_２系（すなわち、ＬＡＳ系）ガラスセラミック、ＭｇＯ・Ａｌ_２Ｏ_３・ＳｉＯ_２系（すなわち、ＭＡＳ系）ガラスセラミック、および／またはβ－石英固溶体、β－スポジュメン固溶体、コージエライト、および二ケイ酸リチウムを含む主結晶相を含むガラスセラミックが挙げられるであろう。そのガラスセラミック基板は、ここに開示されたガラス基板強化過程を使用して強化されることがある。１つ以上の実施の形態において、ＭＡＳ系ガラスセラミック基板は、Ｌｉ_２ＳＯ_４溶融塩中で強化されることがあり、それによって、Ｍｇ^２＋の２Ｌｉ^＋による交換が行われ得る。

１つ以上の実施の形態による基板は、約１００μｍから約５ｍｍの範囲の厚さを有し得る。基板の厚さの例は、約１００μｍから約５００μｍに及ぶ（例えば、１００、２００、３００、４００または５００μｍ）。基板の厚さのさらなる例は、約５００μｍから約１０００μｍに及ぶ（例えば、５００、６００、７００、８００、９００または１０００μｍ）。その基板の厚さは、約１ｍｍ超（例えば、約２、３、４、または５ｍｍ）であることがある。１つ以上の具体的な実施の形態において、その基板の厚さは、２ｍｍ以下、または１ｍｍ未満であることがある。その基板は、表面傷の影響をなくすかまたは低下させるために、酸研磨または他に処理されることがある。

触覚表面
１つ以上の実施の形態において、基板１０１は触覚表面を備える。いくつかの実施の形態において、その触覚表面は、基板１０１の一方または両方の主面１１０、１２０の少なくとも一部、もしくはその基板の１つ以上の微小面１３０、１４０を含むことがある。いくつかの実施の形態において、その触覚表面は、その基板の表面の内の１つ、２つ、３つまたは全ての少なくとも一部の上に形成されることがある。ある場合には、触覚表面は、基板１０１の１つ以上の表面の全てに形成されることがある。図３において、触覚表面１５０は主面１２０上に形成されている。いくつかの実施の形態において、触覚表面は、所定のデザインで形成されることがある。例えば、前記外囲器は表面の一部を占めるデザインを含むことがあり、触覚表面は、そのデザインを覆うか、またはそれに隣接して配置されるように、その表面上に形成されることがある。外囲器上のデザインは、基板の１つの主面上に配置されたフイルムにより与えられることがあり、そのデザインと同じ形状を有する触覚表面が、反対の主面上に形成されることがある。

触覚表面は、ざらざらした表面（またはざらざらした質感を含むように改質された表面）、コーティング、またはその組合せ（すなわち、被覆されたざらざらした表面）を含むことがある。基板は、触覚表面上で測定して、特定の性質を示すことがある。例えば、１つ以上の実施の形態において、基板は、触覚表面で測定して、約６０％から約１２０％、約６５％から約１２０％、約７０％から約１２０％、約７５％から約１２０％、約８０％から約１２０％、約９０％から約１２０％、約１００％から約１２０％、約１００％から約１１０％、約６０％から約１１０％、約６０％から約１００％、約６０％から約９０％、約６０％から約８０％、または約６０％から約７０％の範囲のヘイズを示すことがある。基板は、触覚表面を通して測定して、約６０％以上、約７０％以上、約８０％以上、約９０％以上、または約９５％以上の透過ヘイズを示すことがある。その透過ヘイズは約１００％までであってよい。１つ以上の実施の形態において、基板は、触覚表面を通して測定して、約６０％から約１００％、約６５％から約１００％、約７０％から約１００％、約７５％から約１００％、約８０％から約１００％、約９０％から約１００％、約９２％から約１００％、約９３％から約９４％、約９５％から約１００％、約９６％から約１００％、約９７％から約１００％、約９８％から約１００％、約９９％から約１００％、約６０％から約９８％、約６０％から約９６％、約６０％から約９５％、約６０％から約９４％、約６０％から約９２％、約６０％から約９０％、約６０％から約８５％、または約６０％から約８０％の範囲の透過ヘイズを示すことがある。１つ以上の実施の形態において、基板は、（触覚表面上で測定して）約６０％以上、約７０％以上、約８０％以上または、約９０％以上の反射ヘイズを示すことがある。ある場合には、反射ヘイズは約１００％までであってよい。１つ以上の実施の形態において、基板は、触覚表面上で測定して、約６０％から約１００％、約６５％から約１００％、約７０％から約１００％、約７５％から約１００％、約８０％から約１００％、約９０％から約１００％、約９２％から約１００％、約９３％から約９４％、約９５％から約１００％、約９６％から約１００％、約９７％から約１００％、約９８％から約１００％、約９９％から約１００％、約６０％から約９８％、約６０％から約９６％、約６０％から約９５％、約６０％から約９４％、約６０％から約９２％、約６０％から約９０％、約６０％から約８５％、または約６０％から約８０％の範囲の反射ヘイズを示すことがある。反射ヘイズは、反射面から２度または反射面から５度で測定されることがある。いくつかの実施の形態において、ヘイズは、独国、ゲーレッツリート所在のＢＹＫ－Ｇａｒｄｎｅｒ ＧｍｂＨにより供給されているＨａｚｅ－Ｇａｒｄ計などの透明度計を使用して、ＡＳＴＭ Ｅ４３０にしたがって測定することができる。ここに記載された透過ヘイズは、そのざらざらした触覚表面が、１つの主面または両方の主面に存在するか否かにより影響を受けるであろう。図４は、実施例１および２に基づいて、触覚表面を片方の表面（典型的に、１つの主面）のみに、または互いに反対の表面（典型的に、互いに反対の主面）に含む基板の透過ヘイズの相関関係を示している。

基板は、約９０以下（例えば、約８５以下、約８０以下、約６０以下、または約４０以下）の２０°の像の鮮明度（ＤＯＩ）（触覚表面上で測定して）を示すことがある。ここに用いたように、「像の鮮明度」という用語は、その内容がここに全て引用される、「Standard Test Methods for Instrumental Measurements of Distinctness-of-Image Gloss of Coating Surfaces」と題するＡＳＴＭ手順Ｄ５７６７（ＡＳＴＭ ５７６７）の方法Ａにより定義されている。ＡＳＴＭ ５７６７の方法Ａによれば、基板の反射係数測定は、反射視角および反射視角からわずかにずれた角度で防眩表面上において行われる。これらの測定から得られた値を組み合わせて、ＤＯＩ値を提供する。具体的には、ＤＯＩは、式

にしたがって計算され、式中、Ｒｏｓは正反射方向から０．２°と０．４°の間の相対反射強度平均であり、Ｒｓは正反射方向（正反射方向を中心とした、＋０．０５°と－０．０５°の間）の相対反射強度平均である。入射光源角度が試料の表面法線から＋２０°であり（この開示の全体に亘るように）、試料に対する表面法線を０°とすると、ひいては、正反射光Ｒｓの測定は、約－１９．９５°から－２０．０５°の範囲の平均と解釈され、Ｒｏｓは、約－２０．２°から－２０．４°（または－１９．４°から－１９．８°、もしくはこれら２つの範囲の両方の平均）の範囲の平均反射強度と解釈される。ここに用いたように、ＤＯＩ値は、ここに定義されるようにＲｏｓ／Ｒｓの目標比を指定するものとして直接的に解釈されるべきである。いくつかの実施の形態において、防眩表面は、反射光強度の９５％超が±１０°の円錐内に含まれるような反射散乱プロファイルを有し、その円錐は、どの入射角にも正反射方向を中心としている。

１つ以上の実施の形態において、前記基板は、触覚表面上で測定して、７０％以下（例えば、６５％以下、５０％以下、４０％以下、３０％以下、または２０％以下）の６０°での光沢を示すことがある。

特に明記のない限り、ＤＯＩおよび光沢は、反射モード（すなわち、基板の他の表面を考慮しない）で触覚表面において測定される。透過ヘイズ性能は、これらの値が透過モードで測定されるので、基板全体に関する。

触覚表面を形成するためにざらざらした表面を利用する実施の形態において、そのざらざらした表面は、光散乱性である、粗さを作り出す、またはその組合せである複数の特徴が表面に配置されて含まれることがある。その特徴は、無作為または非無作為な様式で表面上に直接的に、または表面上に間接的に配置されることがある。無作為に配置された特徴は、表面が指または皮膚と接触するか、それによりスワイプされたときに、滑らかな触感を与えるであろう。詳しくは、ある程度の粗さを与える特徴は、指または物体のざらざらした表面との接触区域を制限することによって、表面上の指または他の物体の滑走を促進する滑らかな触感を作り出すことができる。

いくつかの実施の形態において、その複数の特徴は、約５マイクロメートルから約１００マイクロメートルの範囲の最長断面寸法を示すことがある（すなわち、最大の特徴が、最長断面寸法を有するであろう）。そのような寸法は、約１０から約１０００の範囲の多数の典型的な表面特徴を含む代表的な平均を捕らえるために、約０．５ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有する標本表面区域に見られるであろう。例えば、特徴は、約５マイクロメートルから約９０マイクロメートル、約５マイクロメートルから約８０マイクロメートル、約５マイクロメートルから約７０マイクロメートル、約５マイクロメートルから約６０マイクロメートル、約５マイクロメートルから約５０マイクロメートル、約５マイクロメートルから約４０マイクロメートル、約５マイクロメートルから約３０マイクロメートル、約１０マイクロメートルから約１００マイクロメートル、約１５マイクロメートルから約１００マイクロメートル、約２０マイクロメートルから約１００マイクロメートル、約３０マイクロメートルから約１００マイクロメートル、または約１０マイクロメートルから約５０マイクロメートルの範囲の最長断面寸法を有することがある。その特徴は、いずれか１つの特徴の最長断面寸法の約２倍以上の平均最長断面寸法を含むことがある。その特徴は、いずれか１つの特徴の最長断面寸法の約２倍以下の平均最長断面寸法を含むことがある。その特徴の最長断面寸法は、２００倍の倍率で光学顕微鏡により評価することができる。特徴の平均最長断面寸法を決定するために、最大の特徴の内の１０個を、約０．５ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有する標本表面区域で選択し、光学顕微鏡により測定する。平均測定値は、選択された特徴の平均最長断面寸法として報告される。

１つ以上の実施の形態において、ざらざらした表面は、約０．０２マイクロメートルから約１０マイクロメートル、約０．０２マイクロメートルから約８マイクロメートル、約０．０２マイクロメートルから約６マイクロメートル、約０．０２マイクロメートルから約４マイクロメートル、約０．０５マイクロメートルから約２マイクロメートル、約０．０５マイクロメートルから約１マイクロメートル、または約０．１マイクロメートルから約０．８マイクロメートルの範囲のＲＭＳ粗さ高さ（すなわち、ｚ方向）を示すことがある。このＲＭＳ粗さ高さは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、触針接触形状測定、および光学干渉形状測定などの当該技術分野で公知の方法を使用して測定される。ここに記載されるようなＲＭＳ粗さは、０．５ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有する標本表面区域に亘り測定される。

いくつかの実施の形態において、ざらざらした表面は、約５００ｎｍ以上の範囲の特徴の鉛直高さ（例えば、Ｚｙｇｏ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手できる３Ｄ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒなどの光学表面プロファイラによってｚ方向に測定されるような）を測定する表面粗さＲａを示すことがある。ある場合には、表面粗さＲａは、約５００ｎｍから約２０００ｎｍ、約５００ｎｍから約１８００ｎｍ、約５００ｎｍから約１６００ｎｍ、約５００ｎｍから約１５００ｎｍ、約５００ｎｍから約１４００ｎｍ、約５００ｎｍから約１２００ｎｍ、約５００ｎｍから約１０００ｎｍ、約６００ｎｍから約２０００ｎｍ、約８００ｎｍから約２０００ｎｍ、約９００ｎｍから約２０００ｎｍ、約１０００ｎｍから約２０００ｎｍ、約１１００ｎｍから約２０００ｎｍ、約１２００ｎｍから約２０００ｎｍ、または約９００ｎｍから約１３００ｎｍの範囲にあることがある。ここに記載されたような表面粗さＲａは、０．５ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有する標本表面区域に亘り測定される。

いくつかの実施の形態において、ざらざらした表面は、ザラザラした構造の特徴の間（すなわち、特徴の間に形成される谷）に指紋の油が集まるようにする、低頻度の特徴、大型の特徴、またはその組合せを含むことがある。特徴の間の油の収集は、油滴で覆われた表面の割合を低下させ、それゆえ、指紋の油による光散乱を低下させる。そのような実施の形態において、ざらざらした表面は、０．５ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有する標本サイズに亘り約０．０５マイクロメートルから約１マイクロメートルの範囲のＲＭＳ粗さ高さを有することがある。

いくつかの実施の形態において、ざらざらした表面は、構造の谷中への指紋の油の移動を著しく低下させるのに十分に大きいＲＭＳ粗さ高さを有することがあり、それゆえ、油滴で覆われる表面の割合を制限することによって、光散乱も低下させる。そのようなざらざらした表面は、０．５ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有する標本サイズに亘り約１マイクロメートルから約１０マイクロメートルの範囲のＲＭＳ粗さ高さを有することがある。

いくつかの実施の形態において、ざらざらした表面は、約０．１マイクロメートルから約５００マイクロメートル、約０．１マイクロメートルから約４００マイクロメートル、約０．１マイクロメートルから約３００マイクロメートル、約０．１マイクロメートルから約２００マイクロメートル、約０．１マイクロメートルから約１００マイクロメートル、約０．１マイクロメートルから約５０マイクロメートル、約０．１マイクロメートルから約１０マイクロメートル、約０．５マイクロメートルから約５００マイクロメートル、約１マイクロメートルから約５００マイクロメートル、約１０マイクロメートルから約５００マイクロメートル、約５０マイクロメートルから約５００マイクロメートル、約１００マイクロメートルから約５００マイクロメートル、約１マイクロメートルから約１００マイクロメートル、または約１０マイクロメートルから約１０マイクロメートルの範囲の水平空間的周期（すなわち、ｘ－ｙ面内方向）を有する。そのような水平空間的周期の範囲は、約１ｍｍ×１ｍｍの寸法を有する標本サイズに亘り測定される。

これらの粗さパラメータおよび表面プロファイルは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、触針接触表面形状測定、および光学干渉形状測定などの公知の技術を使用して測定することができる。

ざらざらした表面は、ウェットエッチング、ドライエッチング、マスキングとエッチング、フォトリソグラフィーなどの様々な方法により形成してよい。いくつかの実施の形態において、ざらざらした表面は、基板の少なくとも１つの表面を化学エッチングすることによって形成されることがある。化学エッチングは、表面の選択された部分にマスクを施す工程、およびエッチング、サンドブラストまたは研削によって、表面の露出された部分を除去する工程を含むことがある。いくつかの実施の形態において、そのマスクは、表面上に沈殿物を形成することによって、形成されることがある。他の実施の形態において、マスキングは、高分子マスキング、高分子粒子マスキング、またはマスクのインクジェット印刷により行われることがあり、またはフォトリソグラフィーまたはナノインプリントリソグラフィーにより形成されたマスク、相分離高分子マスク、不溶性高分子マスク中に埋め込まれた可溶性（有機または無機）相、その中に埋め込まれた粒子を含む不溶性高分子マスク、またはその組合せを利用することがある。エッチングを使用する場合、エッチング液は、フッ化水素酸もしくはＫＯＨまたはＮａＯＨなどの水酸化物材料に加え、キレート剤を含むことがある。沈殿物の形成を最小にすることが望ましい場合、および／または得られる表面組成を変えずに基板の表面をエッチングすることが望ましい場合、フッ化水素酸を、塩化水素酸、硫酸、酢酸、または硝酸などの他の酸と組み合わせてもよい。いくつかの実施の形態において、ざらざらした表面を有する外囲器は、研磨または加熱成形により異なる形状に形成してもよく、それは、ざらざらにする過程の前または後のいずれで行ってもよい。他の実施の形態において、ざらざらした表面を有する外囲器は、ざらざらした表面が形成された後、（後に記載されるように）ざらざらした表面を有する外囲器が形成される。

１つ以上の実施の形態において、ざらざらした表面は、基板（特に有機基板の場合）の表面に特徴を追加することによって形成されることがある。その特徴としては、表面に付着または結合した粒子が挙げられるであろう。いくつかの実施の形態において、粒子を表面に結合させるために、接着剤が利用されることがある。他の実施の形態において、粒子が表面に直接結合されることがある。その粒子の平均主要寸法は、５マイクロメートルから約１００マイクロメートルの範囲にあることがある。その粒子は、基板と同じ材料から、または異なる材料から形成されてもよい。

１つ以上の実施の形態において、ざらざらした表面は、そのざらざらした表面上に配置された１つまたは複数のコーティングを含んで、被覆されたざらざらした表面を形成することがある。そのコーティングは、様々な機能性を与えるめたにざらざらした表面の上面に配置されることがある。そのコーティングとしては、インクコーティング、硬質コーティング、耐引掻性コーティング、低摩擦コーティング、高摩擦コーティング、疎油性コーティング、親油性コーティング、疎水性コーティング、親水性コーティング、疎水性と疎油性を示すコーティング、反射または反射防止コーティング、もしくはこれらの機能の組合せを示す洗浄し易いコーティングが挙げられるであろう。コーティングの特定の選択は、電子機器の所望の用途、並びにデザインの検討事項に依存する。ある場合には、コーティングは、比較的厚い（例えば、耐引掻性コーティングの場合、約１マイクロメートルから約３マイクロメートルの範囲）ことがあり、または比較的薄い（例えば、疎水性かつ疎油性のコーティング、疎油性コーティングまたは親油性コーティングの場合、約０．５ナノメートルから約５０ナノメートルの範囲）ことがある。

１つ以上の実施の形態において、ざらざらした表面は、基板の表面に親油性または疎水性と疎油性を与え（その上にコーティングなく）、それゆえ耐指紋特性または性能を示す触覚表面を形成する。１つ以上の実施の形態において、ざらざらした表面は、ガラス基板およびいくつかのガラスセラミック基板などの特定の基板の親油性または疎水性と疎油性を向上させるまたは促進させる。理論で束縛するものではないが、この向上した親油性または疎水性と疎油性は、表面上の指紋の視認性が光散乱によりほんど決定され、次に、この光散乱は指紋により後に残された散乱油滴のサイズに大きく依存するので、耐指紋機能性を与えると考えられる。ざらざらしていないディスプレイ用カバー基板に一般に使用されるものなどの、疎油性表面または疎水性かつ疎油性表面は、指紋の液滴を測定するための光学的または他の公知の手段で測定して、２マイクロメートル以下の平均最長断面寸法を有する多数の指紋の液滴を作り出す傾向にある。そのような液滴は、高光散乱性の液滴であり、それゆえ、指紋の視認性を増す。対照的に、親水性表面は、サイズが５マイクロメートルより大きい油性の汚れまたは非常に幅広い液滴を作り出す傾向にあり、特に正反射角から約５度超離れた散乱角で、光散乱がずっと減少している。したがって、親油性を示すざらざらした表面は、改善された耐指紋性能を与えると考えられる。

いくつかの実施の形態において、ざらざらした表面はコーティングを備える。１つ以上の実施の形態において、そのコーティングは、低摩擦コーティングまたはざらざらした表面のＣＯＦを低下させるコーティングである。１つ以上の実施の形態において、そのコーティングは、親油性の被覆されたざらざらした表面、または疎水性かつ疎油性の被覆されたざらざらした表面を形成するために、少なくともある程度親油性でもある。そのような被覆されたざらざらした表面は、指にとって滑らかな滑走表面を与えることができる。１つ以上の実施の形態において、そのような被覆されたざらざらした表面は、光散乱をさらに最小にするために、油滴をある程度拡大させることができる。ある例では、低摩擦コーティングを備えた被覆されたざらざらした表面は、ＣＯＦ試験法（ここに記載された）によって測定したときに、０．３未満の動摩擦係数（ＣＯＦ）を示す。ある例では、低摩擦コーティングを備えた被覆されたざらざらした表面は、ＣＯＦ試験法によって測定して、０．３未満の静ＣＯＦを示す。低摩擦コーティングの例としては、ガラス表面反応性である多孔質アルキルシロキサン（例えば、メチルシロキサン、エチルシロキサン、プロピルシロキサンなど）、多孔質フェニルシロキサン、多孔質アルキルシラン、無機コーティング（アルミナ、チタニア、ジルコニア、窒化アルミニウムチタンなど）、またはそれらの組合せが挙げられるであろう。１つ以上の代わりの実施の形態において、ざらざらした表面は高摩擦コーティングを備えて、被覆されたざらざらした表面を形成することがある。そのような高摩擦コーティングの例としては、アルキルシロキサン（例えば、メチルシロキサン、エチルシロキサン、プロピルシロキサンなど）、フェニルシロキサン、アルキルシラン、および他の同様の材料が挙げられる。

ここに用いたように、データ管理ソフトウェアと接続された、オハイオ州、フェアフィールド所在のＣｈｅｍＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃ．により供給される摩擦係数計器（ＣＯＦ－１０００）を使用して、静および動ＣＯＦを測定するために、ＣＯＦ試験法が使用される。１２インチ（約３０ｃｍ）／分で印加された２００ｇまたは５００ｇの荷重を使用して、測定値を得た。特に明記のない限り、測定した試料は、６５ｍｍ×１３５ｍｍの寸法を有し、移動する基板にクリップで取り付けられた。試験材料は、商標名３８２ＺＺでミシガン州、トラバースシティー所在のＰｈｏｔｏｄｏｎ，ＬＬＣにより供給され、７インチ×６インチ（約１７．５ｃｍ×１５ｃｍ）の寸法でジグザグのエッジを有するマイクロファイバの布を含んだ。その布は、８０％がポリエステルで２０％がナイロンであり、２６０ｇ／ｍ^２の密度を有する。布を２インチ×２インチ（約５ｃｍ×５ｃｍ）の寸法を有する正方形に切断し、両面テープで試験ガラス基板に貼り付けた。試験装置が図５に示されており、これは、移動する基板２１０に貼り付けられた、試験すべき基板２１２（触覚表面を有する）を示している。布２２２が、試験ガラス基板２２０に貼り付けられているのが示されている。布２２２および試験ガラス基板２２０が摩擦係数計器３００に連結されている。触覚表面が、表面のＣＯＦを測定できるように、布２２２に面している。

１つ以上の実施の形態において、触覚表面は、コーティングを実質的に含まず（例えば、親油性コーティングを含まない）、５００ｇの荷重を使用してＣＯＦ試験法で測定したときに、０．５未満の静または動ＣＯＦを示すことがある。いくつかの実施の形態において、触覚表面は、コーティングを実質的に含まず（例えば、親油性コーティングを含まない）、約０．０５から約０．４、０．０５から約０．３、０．０５から約０．２、０．１から０．５未満、０．１５から０．５未満、または０．２から０．５未満の範囲の静または動ＣＯＦを示すことがある。１つ以上の実施の形態において、触覚表面は、低摩擦コーティングを備えることがあり、ここに開示された静または動ＣＯＦを示す。

ある場合には、裸の触覚表面（どのようなコーティングも含まない）は、ざらざらした表面上に油、汚れおよび指紋が蓄積するので、使用により低下する親油性を示す。いくつかの実施の形態において、ざらざらした表面は、ある程度の親油性を維持するコーティングを備える。そのようなコーティングはＴｉＯ_２を含むことができ、これは、紫外線への暴露後に「自浄性」材料であると考えられる。詳しくは、ＴｉＯ_２コーティングは、光触媒作用により、紫外線またさらには日光に暴露された後に、吸着した油と汚れを化学的に分解することができる。

１つ以上の実施の形態による外囲器は、ざらざらした表面を含まないが、耐指紋性表面を形成するコーティングを含むことがある。そのようなコーティングは、その表面に親油性または疎水性と疎油性を与える。

１つ以上の実施の形態において、触覚表面は、指もしくは、油またはオレイン酸を収容する他のアプリケータのワイプ後に、その表面が、約２マイクロメートル超、約５マイクロメートル超、または約１０マイクロメートル超の平均主要寸法を有する液滴を含むように、耐指紋機能性を示す。

輝度に基づく視認性は、以下の式により計算できる、式中、下付文字１は、指紋を含む区域を表し、下付文字２は指紋を含まない区域を表す：合計（輝度_１＋輝度_２）で割った差（輝度_１－輝度_２）の絶対値。いくつかの実施の形態において、ざらざらした表面は、特定の選択された角度で、約０．９９未満、約０．９５未満、約０．８未満、約０．７未満、約０．６未満、０．５未満、０．２５未満、０．２未満、０．１未満、０．０５未満の視認性を示す。

外囲器
１つ以上の実施の形態において、外囲器は、透明、半透明、または不透明であることがある。透明な外囲器の実施の形態において、そのような外囲器は、可視スペクトルに亘り、約８０％以上、８５％以上、９０％以上、または９５％以上の平均全透過率（外囲器の内面と外面の両方を考慮する）を示すことがある。ある場合には、その外囲器は、可視スペクトルに亘り、約８０％から約９６％、約８０％から約９４％、または約８０％から約９２％の範囲の平均全透過率を示すことがある。ここに用いたように、「透過率」という用語は、材料（例えば、外囲器またはその部分）を透過した所定の波長範囲内の入射光強度の百分率と定義される。透過率は特定の線幅を使用して測定される。１つ以上の実施の形態において、透過率を特徴付けるスペクトル分解能は、５ｎｍまたは０．０２ｅＶ未満である。ここに用いたように、「可視スペクトル」は、約４２０ｎｍから約７００ｎｍの波長範囲を含む。

１つ以上の実施の形態において、外囲器は、４点曲げ強度、剛性またはヤング率、硬度、亀裂発生閾値、熱伝導率、および強度（圧縮層の深さ（ＤＯＣ）、表面圧縮応力および中央張力に関する）も示す。

１つ以上の実施の形態において、外囲器は、ここに記載された基板を含むことがある。その基板は、外囲器の全体または外囲器の一部を形成することがある。

１つ以上の実施の形態において、外囲器は、無線データ伝送またはワイヤレス充電の透過を可能にする。いくつかの実施の形態において、その外囲器は、１５ＭＨｚから３．０ＧＨｚの周波数範囲で、０．０３未満の損失正接により定義される、無線およびマイクロ波周波数の透過性の両方を示す。別の例示の実施の形態において、物品、特に、電子機器の外囲器は、５００ＭＨｚから３．０ＧＨｚの周波数範囲に亘り、０．０１５未満の損失正接により定義して、無線およびマイクロ波周波数の透過性を示す。この無線およびマイクロ波周波数の透過性の特徴は、外囲器の内部にアンテナを備えたワイヤレス携帯機器にとって特に重要である。この無線およびマイクロ波周波数の透過性により、無線信号が外囲器を通過することができ、ある場合には、これのら伝送を向上させる。さらに、電子機器間の無線光通信を、特に、約７５０から約２０００ｎｍの範囲の波長で８０％超の赤外線透過性を可能にするために、赤外線において透過性であることも望ましいであろう。他の実施の形態において、外囲器は、磁場および／または誘電場の透過を可能にする。

外囲器は、携帯型電子機器に使用するための様々な機械的属性も示すことがある。例えば、その外囲器のいくつかの実施の形態は、０．６ＭＰａ・ｍ^１／２超の破壊靭性、３５０ＭＰａ超の４点曲げ強度、少なくとも６００ｋｇｆ／ｍｍ^２（約５８８０Ｎ／ｍｍ^２）のビッカース硬度、少なくとも５ｋｇｆ（約４９Ｎ）のビッカース中央／放射状亀裂発生閾値、約５０Ｇｐａから約１００ＧＰａの範囲のヤング率、および２．０Ｗ／ｍ℃未満の熱伝導率：のいずれか１つ以上を示す。いくつかの実施の形態において、その外囲器は、０．６ＭＰａ・ｍ^１／２超の破壊靭性、上述したビッカース硬度／押込み閾値、および４点曲げ強度の組合せを示す。１つ以上の実施の形態において、その外囲器は、０．７０ＭＰａ・ｍ^１／２超の破壊靭性、４７５ＭＰａ超または５２５ＭＰａ超の４点曲げ強度、および約５０ＧＰａから約７５ＧＰａの範囲のヤング率を示す。

ここに記載された外囲器は、剪断断層によるよりも、主に緻密化によって押込みの際に変形するであろう。いくつかの実施の形態において、その外囲器は、変形の際に、表面下の断層および放射状亀裂がない。使用される基板が強化されている場合などのいくつかの実施の形態において、得られた外囲器は、剪断断層による亀裂発生に対してより耐性である。１つの実施の形態において、その外囲器は、強化基板から作られ、少なくとも５キログラム重（ｋｇｆ）（約４９Ｎ）のビッカース中央／放射状亀裂発生閾値を示す。第２の実施の形態において、その外囲器は、少なくとも約１０ｋｇｆ（約９８Ｎ）または少なくとも約３０ｋｇｆ（約２９４Ｎ）のビッカース中央／放射状亀裂発生閾値を有する。

１つ以上の実施の形態において、その外囲器は、２Ｗ／ｍ℃未満の熱伝導率を示し、それゆえ、高い動作温度（例えば、１００℃に到達する温度）においてさえ接触に対して冷たいままである。いくつかの実施の形態において、その外囲器は、１．５Ｗ／ｍ℃未満の熱伝導率を示す。比較のために、アルミナなどのセラミックは、２９Ｗ／ｍ℃ほど高い熱伝導率を示すことがある。

以下の実施例によって、様々な実施の形態がさらに明白になるであろう。

実施例１
５７．５モル％のＳｉＯ_２、１６．５モル％のＡｌ_２Ｏ_３、１６モル％のＮａ_２Ｏ、２．８モル％のＭｇＯおよび６．５モル％のＰ_２Ｏ_５の公称組成、並びに０．７ｍｍの厚さを有するアルカリアルミノホウケイ酸塩ガラス基板（シート形態を有し、強化されていない）を、洗浄液中に浸漬し、その洗浄液に超音波撹拌を施すことによって、洗浄した。次に、洗浄した基板を洗浄液から取り出し、次いで、８分間に亘り６質量％のフッ化水素酸（ＨＦ）および１５質量％のＮＨ_４Ｆを含有するエッチング液に施すことによって、静的にエッチングした（工程Ａ）。次に、エッチング済み基板を脱イオン水で完全に濯いだ。次に、エッチング済み基板を、表１に示された期間に亘り、５質量％のＨＦの溶液中に浸漬して、所望のヘイズレベルを達成した（工程Ｂ）。第２のエッチング工程後、そのガラス基板を脱イオン水で洗浄して、酸残留物およびどのようなエッチング副生成物も除去した。得られた基板（実施例１Ａ～１Ｋ）は、両方の主面と両方の微小面にざらざらした表面を含んだ。１つのガラス基板には、どのようなエッチング工程も施さなかった（比較例１Ｌ）。得られた実施例１Ａ～１Ｋおよび比較例１Ｌの主面について、透過ヘイズ、透過率、最終的な基板の厚さ、最大特徴の最長断面寸法、および表面粗さ（Ｒａ）を測定した。

図６は、２００倍の倍率で撮影した実施例１Ｋの光学顕微鏡画像を示している。最大の水平特徴は、約４４．４５２マイクロメートルおよび４７．３３０マイクロメートルの最長断面寸法を有した（参考のために、５０マイクロメートルの目盛りが含まれている）。

実施例２
実施例１と同じ公称組成および同一の厚さを有するアルカリアルミノホウケイ酸塩ガラス基板（シート形態を有し、強化されていない）を、洗浄液中に浸漬し、その洗浄液に超音波撹拌を施すことによって、洗浄した。次に、洗浄した基板を洗浄液から取り出した。片方の主面を耐エッチング膜で被覆し、次いで、８分間に亘り２質量％または６質量％のフッ化水素酸（ＨＦ）および１５質量％または３０質量％のＮＨ_４Ｆを含有するエッチング液に施すことによって、静的にエッチングした（工程Ｃ）。次に、エッチング済み基板を脱イオン水で完全に濯いだ。次に、エッチング済み基板を、表２に示された期間に亘り、５質量％のＨＦの溶液中に浸漬して、所望のヘイズレベルを達成した（工程Ｄ）。第２のエッチング工程後、そのガラス基板を脱イオン水で洗浄し、耐酸性膜を除去した。得られた実施例２Ａ～２Ｅは、片方の主面と両方の微小面にざらざらした表面を含んだ。反対の主面には、ざらざらした表面がなかった。得られた実施例２Ａ～２Ｅのざらざらした主面について、透過ヘイズ、ＤＯＩ、６０°での光沢、表面粗さ（Ｒａ）、および特徴の平均最長断面寸法を測定した。

実施例２Ａ～２Ｅの静ＣＯＦを、表３に示されるように、洗浄し易いコーティングによる被覆の前後で測定した（ここに記載されたように）。その洗浄し易いコーティング（表面に疎水性と疎油性を与える）は、商標名Ｄｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ ２６３４でミシガン州、ミッドライド所在のＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎにより供給されるアルコキシシラン官能性ペルフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）、および商標名３Ｍ（商標）Ｎｏｖｅｃ（商標）７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｅｄ Ｆｌｕｉｄでミネソタ州、ミネアポリス所在のＴｈｅ ３Ｍ Ｃｏｍｐａｎｙにより供給されるヒドロフルオロエーテル溶媒を含んだ。その洗浄し易いコーティングは、４．２ｍＬのアルコキシシラン官能性ペルフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）ハイブリッドポリマーおよび１Ｌのヒドロフルオロエーテル溶媒を混ぜ合わせることによって調製され、商標名ＭＭ７８１－ＳＹＳ ＭｉｃｒｏＭａｒｋで、ロードアイランド州、イーストプロビデンス所在のＮｏｒｄｓｏｎ ＥＦＤにより供給されるバルブを用いて、商標名ＳＣ－３００ Ｓｗｉｒｌ Ｃｏａｔ（登録商標）でカリフォルニア州、カールズバッド所在のＮｏｒｄｓｏｎ ＡＳＹＭＴＥＫにより供給される噴霧塗布器を使用して、吹き付けられた。そのコーティングを、５０℃およぴ５０％の相対湿度の環境において、２時間に亘り、２．５ｍＬ／分の流量、３０ｐｓｉ（約２０７ｋＰａ）の気圧、２０インチ／分（約５０ｃｍ／分）の速度を使用して施した。次に、イソプロピルアルコールの雑巾を使用して、どのような過剰に施された洗浄し易いコーティングも拭い去った。

図７Ａ～７Ｅは、実施例２Ａ～２Ｅの異なるヘイズおよび粗さレベルに関する摩擦係数（ＣＯＦ）に対する洗浄し易い（ＥＴＣ）コーティングの影響を示す。そのＣＯＦは、５００ｇの荷重を使用して、同じ実施例に５回測定した。図７Ａ～７Ｅに示されるように、ＥＴＣコーティングは、表面粗さ（およびヘイズ）が低い場合、ＣＯＦを減少させるのにより効果的であり、表面粗さ（およびヘイズ）が増加するにつれて、効果的ではなくなった。

図８は、透過ヘイズの関数としての実施例２Ｂ～２Ｅの静ＣＯＦを示す。その結果は、ＥＴＣコーティングの塗布は、表面粗さ（およびヘイズ）が低い場合、ＣＯＦを減少させるのにより効果的であり、表面粗さ（およびヘイズ）が増加するにつれて、効果的ではなくなったことを示した。

実施例３
実施例１と同じ公称組成および同一の形状と厚さを有するガラス基板をＳｉＣ粒子により２０ｐｓｉ（１３８ｋＰａ）の圧力でサンドブラストして、高い透過ヘイズおよび粗さを示すざらざらした表面を作り出した。次に、その基板を脱イオン水で濯いで、サンドブラストによるどの破片も除去した。次に、基板を、様々な時間に亘り（表４に示されるような）５質量％のＨＦ溶液を使用して化学研磨し、次いで、再び脱イオン水で濯いだ。得られた実施例３Ａ～３Ｄは、片方の主面上にざらざらした表面を含んだ。反対の主面にはざらざらした表面がなかった。得られた実施例３Ａ～３Ｄのざらざらした表面について、透過ヘイズ、および表面粗さ（Ｒａ）を測定した。

ここに記載された材料、方法、および物品に、様々な改変および変更を行うことができる。ここに記載された材料、方法、および物品の他の態様は、本明細書の検討、並びにここに開示された材料、方法、および物品の実施から明白になるであろう。明細書および実施例は、例示と考えることが意図されている。例示の実施の形態には以下がある。

実施の形態１．外囲器と；その外囲器の少なくとも部分的に内部に配置された電気部品であって、制御装置、メモリ、およびディスプレイを含む電子部品とを備えた電子機器において、その外囲器が基板から作られ、該基板が、
可視スペクトルに亘る約８０％以上の平均透過率、
約０．３未満の静摩擦係数、
約５００ｎｍ以上の表面粗さＲａ、および
約６０％超の透過ヘイズと、
６０％超の、反射面から２度または反射面から５度いずれかでの反射ヘイズと、
のいずれか一方または両方、
を有する、電子機器。

実施の形態２．その基板が非晶質基板または結晶質基板からなる、実施の形態１の電子機器。

実施の形態３．その基板が非晶質であり、ソーダ石灰ガラス、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス、アルカリ含有ホウケイ酸ガラスおよびアルカリアルミノホウケイ酸塩ガラスのいずれか１つから作られている、実施の形態２の電子機器。

実施の形態４．その基板が非晶質であり、強化されている、実施の形態２または実施の形態３の電子機器。

実施の形態５．その基板が非晶質であり、
２０μｍ以上の層の深さ（ＤＯＣ）を有する圧縮表面層、
４００ＭＰａ超の表面圧縮応力、および
２０ＭＰａ超の中央張力、
のいずれか１つ以上をさらに含む、実施の形態２～４のいずれか１つの電子機器。

実施の形態６．その基板が結晶質であり、強化されたガラスセラミック基板、非強化ガラスセラミック基板、または単結晶基板からなる、実施の形態２の電子機器。

実施の形態７．その基板が、該基板の主面上に配置されたインク層を含む、実施の形態１から６いずれか１つの電子機器。

実施の形態８．その基板が着色ガラスを含む、実施の形態１から７のいずれか１つの電子機器。

実施の形態９．その透過ヘイズが約９０％超である、実施の形態１から８のいずれか１つの電子機器。

実施の形態１０．反射面から２度または反射面から５度いずれかでの反射ヘイズが、ＡＳＴＭ Ｅ４３０により測定して、約９０％超である、実施の形態１から９のいずれか１つの電子機器。

実施の形態１１．疎水性材料、疎油性材料、または疎水性かつ疎油性の材料の層をさらに含む、実施の形態１から１０のいずれか１つの電子機器。

実施の形態１２．その表面粗さＲａが約７００ｎｍ以上である、実施の形態１から１１のいずれか１つの電子機器。

実施の形態１３．その基板が触覚表面をさらに含み、その触覚表面が、約１０マイクロメートルから約５０マイクロメートルの範囲の最長断面寸法を有する複数の特徴を備える、実施の形態１から１２のいずれか１つの電子機器。

実施の形態１４．その複数の特徴が、最長断面寸法の約２倍以上である平均最大断面寸法を有する、実施の形態１３の電子機器。

実施の形態１５．その複数の特徴が、最長断面寸法の約２倍以下である平均最大断面寸法を有する、実施の形態１３の電子機器。

実施の形態１６．携帯電話、タブレット、ラップトップ型コンピュータ、およびメディア・プレーヤーから選択される電子機器をさらに含む、実施の形態１から１５のいずれか１つの電子機器。

実施の形態１７．基板において、
第１と第２の互いに反対の主面、
第１と第２の互いの反対の微小面、および
前記第１の主面上に配置された触覚表面であって、約１０マイクロメートルから約５０マイクロメートルの範囲の最長断面寸法を有する複数の特徴を備える触覚表面、
を含み、
該基板が、
可視スペクトルに亘る約８０％以上の平均透過率、
約０．３未満の静摩擦係数、
約５００ｎｍ以上の表面粗さＲａ、および
約６０％超の透過ヘイズと、
６０％超の、反射面から２度または反射面から５度いずれかでの反射ヘイズと、
のいずれか一方または両方、
を有する、基板。

実施の形態１８．その複数の特徴が、最長断面寸法の約２倍以上である平均最大断面寸法を有する、実施の形態１７の基板。

実施の形態１９．その複数の特徴が、最長断面寸法の約２倍以下である平均最大断面寸法を有する、実施の形態１７の基板。

実施の形態２０．その基板が非晶質基板または結晶質基板からなる、実施の形態１７～１９のいずれか１つの基板。

以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。

実施形態１
外囲器と；該外囲器の少なくとも部分的に内部に配置された電気部品であって、制御装置、メモリ、およびディスプレイを含む電子部品とを備えた電子機器において、
前記外囲器が基板から作られ、該基板が、
可視スペクトルに亘る約８０％以上の平均透過率、
約０．３未満の静摩擦係数、
約５００ｎｍ以上の表面粗さＲａ、および
約６０％超の透過ヘイズと、
６０％超の、反射面から２度または反射面から５度いずれかでの反射ヘイズと、
のいずれか一方または両方、
を有する、電子機器。

実施形態２
前記基板が非晶質基板または結晶質基板からなる、実施形態１に記載の電子機器。

実施形態３
前記基板が非晶質であり、ソーダ石灰ガラス、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス、アルカリ含有ホウケイ酸ガラスおよびアルカリアルミノホウケイ酸塩ガラスのいずれか１つから作られている、実施形態２に記載の電子機器。

実施形態４
前記基板が非晶質であり、強化されている、実施形態２または３に記載の電子機器。

実施形態５
前記基板が非晶質であり、
２０μｍ以上の層の深さ（ＤＯＣ）を有する圧縮表面層、
４００ＭＰａ超の表面圧縮応力、および
２０ＭＰａ超の中央張力、
のいずれか１つ以上をさらに含む、実施形態２から４のいずれか１つに記載の電子機器。

実施形態６
前記基板が結晶質であり、強化されたガラスセラミック基板、非強化ガラスセラミック基板、または単結晶基板からなる、実施形態２に記載の電子機器。

実施形態７
前記基板が、該基板の主面上に配置されたインク層を含む、実施形態１から６いずれか１つに記載の電子機器。

実施形態８
前記基板が着色ガラスを含む、実施形態１から７のいずれか１つに記載の電子機器。

実施形態９
前記透過ヘイズが約９０％超である、実施形態１から８のいずれか１つに記載の電子機器。

実施形態１０
反射面から２度または反射面から５度いずれかでの前記反射ヘイズが、ＡＳＴＭ Ｅ４３０により測定して、約９０％超である、実施形態１から９のいずれか１つに記載の電子機器。

実施形態１１
疎水性材料、疎油性材料、または疎水性かつ疎油性の材料の層をさらに含む、実施形態１から１０のいずれか１つに記載の電子機器。

実施形態１２
前記表面粗さＲａが約７００ｎｍ以上である、実施形態１から１１のいずれか１つに記載の電子機器。

実施形態１３
前記基板が触覚表面をさらに含み、該触覚表面が、約１０マイクロメートルから約５０マイクロメートルの範囲の最長断面寸法を有する複数の特徴を備える、実施形態１から１２のいずれか１つに記載の電子機器。

実施形態１４
前記複数の特徴が、最長断面寸法の約２倍以上である平均最大断面寸法を有する、実施形態１３に記載の電子機器。

実施形態１５
前記複数の特徴が、最長断面寸法の約２倍以下である平均最大断面寸法を有する、実施の形態１３に記載の電子機器。

実施形態１６
携帯電話、タブレット、ラップトップ型コンピュータ、およびメディア・プレーヤーから選択される電子機器をさらに含む、実施形態１から１５のいずれか１つに記載の電子機器。

実施形態１７
基板において、
第１と第２の互いに反対の主面、
第１と第２の互いの反対の微小面、および
前記第１の主面上に配置された触覚表面であって、約１０マイクロメートルから約５０マイクロメートルの範囲の最長断面寸法を有する複数の特徴を備える触覚表面、
を含み、
該基板が、
可視スペクトルに亘る約８０％以上の平均透過率、
約０．３未満の静摩擦係数、
約５００ｎｍ以上の表面粗さＲａ、および
約６０％超の透過ヘイズと、
６０％超の、反射面から２度または反射面から５度いずれかでの反射ヘイズと、
のいずれか一方または両方、
を有する、基板。

実施形態１８
前記複数の特徴が、最長断面寸法の約２倍以上である平均最大断面寸法を有する、実施形態１７に記載の基板。

実施形態１９
前記複数の特徴が、最長断面寸法の約２倍以下である平均最大断面寸法を有する、実施形態１７に記載の基板。

実施形態２０
前記基板が非晶質基板または結晶質基板からなる、実施形態１７から１９のいずれか１つに記載の基板。

１００ ガラスカバー
１０１ 基板
１１０、１２０ 主面
１３０、１４０ 微小面
１５０ 触覚表面
１０００ 電子機器
１０２０ 外囲器
１０４０ 前面
１０６０ 背面
１０８０ 側面
１１２０ ディスプレイ

Claims (10)

1. 外囲器と；該外囲器の少なくとも部分的に内部に配置された電気部品であって、制御装置、メモリ、およびディスプレイを含む電気部品とを備えた電子機器において、
   前記外囲器が基板から作られ、該基板が、
   ソーダ石灰ガラス、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス、アルカリ含有ホウケイ酸ガラスまたはアルカリアルミノホウケイ酸塩ガラスを含む非晶質基板、または
   強化されたガラスセラミック基板、非強化ガラスセラミック基板、または単結晶サファイヤ基板を含む結晶質基板のいずれか１つであり、
   ４２０ｎｍから７００ｎｍの波長範囲である可視スペクトルに亘る８０％以上の平均透過率、
   ０．３未満の静摩擦係数、
   ５００ｎｍ以上の表面粗さＲａ、および
   ６０％超の透過ヘイズ、または
   ６０％超の、正反射から２度または正反射から５度いずれかでの反射ヘイズ、
   のいずれか一方または両方、
   を有する、電子機器。
2. 前記基板が前記非晶質基板であり、強化されている、請求項１記載の電子機器。
3. 前記基板が前記非晶質基板であり、
   ２０μｍ以上の層の深さ（ＤＯＣ）を有する圧縮表面層、
   ４００ＭＰａ超の表面圧縮応力、および
   ２０ＭＰａ超の中央張力、
   のいずれか１つ以上をさらに含む、請求項２記載の電子機器。
4. 前記基板が前記結晶質基板であり、前記強化されたガラスセラミック基板、前記非強化ガラスセラミック基板、または前記単結晶サファイヤ基板からなる、請求項１記載の電子機器。
5. 前記基板が、該基板の主面上に配置されたインク層をさらに含む、請求項１から４いずれか１項記載の電子機器。
6. （ｉ）前記透過ヘイズが９０％超である、または
   （ｉｉ）正反射から２度または正反射から５度いずれかでの前記反射ヘイズが、ＡＳＴＭ Ｅ４３０により測定して、９０％超である、
   の少なくとも一方を特徴とする、請求項１から５いずれか１項記載の電子機器。
7. 疎水性材料、疎油性材料、または疎水性かつ疎油性の材料の層をさらに含む、請求項１から６いずれか１項記載の電子機器。
8. 前記表面粗さＲａが７００ｎｍ以上である、請求項１から７いずれか１項記載の電子機器。
9. 前記基板が触覚表面をさらに含み、該触覚表面が、１０マイクロメートルから５０マイクロメートルの範囲の最長断面寸法を有する複数の特徴を備える、請求項１から８いずれか１項記載の電子機器。
10. 基板において、
    第１と第２の互いに反対の主面、および
    第１と第２の互いの反対の微小面、
    を含み、
    該基板が、
    ソーダ石灰ガラス、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス、アルカリ含有ホウケイ酸ガラスまたはアルカリアルミノホウケイ酸塩ガラスを含む非晶質基板、または
    強化されたガラスセラミック基板、非強化ガラスセラミック基板、または単結晶サファイヤ基板を含む結晶質基板のいずれか１つであり、
    ４２０ｎｍから７００ｎｍの波長範囲である可視スペクトルに亘る８０％以上の平均透過率、
    ０．３未満の静摩擦係数、
    ５００ｎｍ以上の表面粗さＲａ、および
    ６０％超の透過ヘイズと、
    ６０％超の、正反射から２度または正反射から５度いずれかでの反射ヘイズと、
    のいずれか一方または両方、
    を有する、基板。

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