JP7273985B2 - 光学異方性膜、偏光板、画像表示装置、組成物、化合物 - Google Patents
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Description
本発明は、光学異方性膜、偏光板、画像表示装置、組成物、および、化合物に関する。
屈折率異方性を持つ位相差膜（光学異方性膜）は、表示装置の反射防止膜、および、液晶表示装置の光学補償フィルムなど種々の用途に適用されている。
近年、逆波長分散性を示す光学異方性膜の検討がなされている（特許文献１）。なお、逆波長分散性とは、可視光線領域の少なくとも一部の波長領域において、測定波長が長いほど複屈折が大きくなる「負の分散」特性を意味する。
近年、逆波長分散性を示す光学異方性膜の検討がなされている（特許文献１）。なお、逆波長分散性とは、可視光線領域の少なくとも一部の波長領域において、測定波長が長いほど複屈折が大きくなる「負の分散」特性を意味する。
一方で、近年、光学異方性膜の面内方向での屈折率異方性（Δｎ）のより一層の向上が求められている。
光学異方性膜の屈折率異方性（特に、波長５５０ｎｍにおける屈折率異方性）が大きいと、所定の面内レタデーションを得ようとした際に、光学異方性膜をより薄くでき、近年の部材の小型化および薄膜化に対応できる。
光学異方性膜の屈折率異方性（特に、波長５５０ｎｍにおける屈折率異方性）が大きいと、所定の面内レタデーションを得ようとした際に、光学異方性膜をより薄くでき、近年の部材の小型化および薄膜化に対応できる。
本発明は、上記実情に鑑みて、屈折率異方性がより大きい、逆波長分散性を示す光学異方性膜を提供することを課題とする。
本発明は、偏光板、画像表示装置、組成物、および、化合物を提供することも課題とする。
本発明は、偏光板、画像表示装置、組成物、および、化合物を提供することも課題とする。
本発明者らは、従来技術の問題点について鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。
（１） 後述する式（１）で表される化合物を含む組成物を用いて形成された、逆波長分散性を示す光学異方性膜。
（２） Ｄが、後述する式（３－１）～式（３－４）のいずれかで表される骨格である、（１）に記載の光学異方性膜。
（３） 光学異方性膜の遅相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収が、光学異方性膜の進相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収よりも大きい、（１）または（２）に記載の光学異方性膜。
（４） 光学異方性膜の進相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収が、光学異方性膜の遅相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収よりも大きい、（１）～（３）のいずれかに記載の光学異方性膜。
（５） 液晶化合物またはポリマー、および
式（１）で表される化合物、を含む組成物を用いて形成された、（１）～（４）のいずれかに記載の光学異方性膜。
（６） 液晶化合物が、逆波長分散性液晶化合物である、（５）に記載の光学異方性膜。
（７） 延伸フィルムである、（１）～（４）のいずれかに記載の光学異方性膜。
（８） （１）～（７）のいずれかに記載の光学異方性膜と、偏光子とを有する、偏光板。
（９） （１）～（７）のいずれかに記載の光学異方性膜、または、（８）に記載の偏光板を有する、画像表示装置。
（１０） 液晶化合物および後述する式（１）で表される化合物を含む組成物。
（１１） Ｄが、後述する式（３－１）～式（３－４）のいずれかで表される骨格である、（１０）に記載の組成物。
（１２） 後述する式（１）で表される化合物。
（１３） Ｄが、後述する式（３－１）～式（３－４）のいずれかで表される骨格である、（１２）に記載の化合物。
（２） Ｄが、後述する式（３－１）～式（３－４）のいずれかで表される骨格である、（１）に記載の光学異方性膜。
（３） 光学異方性膜の遅相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収が、光学異方性膜の進相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収よりも大きい、（１）または（２）に記載の光学異方性膜。
（４） 光学異方性膜の進相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収が、光学異方性膜の遅相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収よりも大きい、（１）～（３）のいずれかに記載の光学異方性膜。
（５） 液晶化合物またはポリマー、および
式（１）で表される化合物、を含む組成物を用いて形成された、（１）～（４）のいずれかに記載の光学異方性膜。
（６） 液晶化合物が、逆波長分散性液晶化合物である、（５）に記載の光学異方性膜。
（７） 延伸フィルムである、（１）～（４）のいずれかに記載の光学異方性膜。
（８） （１）～（７）のいずれかに記載の光学異方性膜と、偏光子とを有する、偏光板。
（９） （１）～（７）のいずれかに記載の光学異方性膜、または、（８）に記載の偏光板を有する、画像表示装置。
（１０） 液晶化合物および後述する式（１）で表される化合物を含む組成物。
（１１） Ｄが、後述する式（３－１）～式（３－４）のいずれかで表される骨格である、（１０）に記載の組成物。
（１２） 後述する式（１）で表される化合物。
（１３） Ｄが、後述する式（３－１）～式（３－４）のいずれかで表される骨格である、（１２）に記載の化合物。
本発明によれば、屈折率異方性がより大きい、逆波長分散性を示す光学異方性膜を提供できる。
本発明によれば、偏光板、画像表示装置、組成物、および、化合物を提供できる。
本発明によれば、偏光板、画像表示装置、組成物、および、化合物を提供できる。
以下、本発明について詳細に説明する。
なお、本明細書において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
また、進相軸および遅相軸は、特別な断りがなければ、波長５５０ｎｍにおける定義である。つまり、特別な断りがない限り、例えば、進相軸方向という場合、波長５５０ｎｍにおける進相軸の方向を意味する。
なお、本明細書において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
また、進相軸および遅相軸は、特別な断りがなければ、波長５５０ｎｍにおける定義である。つまり、特別な断りがない限り、例えば、進相軸方向という場合、波長５５０ｎｍにおける進相軸の方向を意味する。
本発明において、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）は各々、波長λにおける面内のレタデーションおよび厚み方向のレタデーションを表す。特に記載がないときは、波長λは、５５０ｎｍとする。
本発明において、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）はＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ－１（オプトサイエンス社製）において、波長λで測定した値である。ＡｘｏＳｃａｎにて平均屈折率（（ｎｘ＋ｎｙ＋ｎｚ）／３）と膜厚（ｄ（μｍ））を入力することにより、
遅相軸方向（°）
Ｒｅ（λ）＝Ｒ０（λ）
Ｒｔｈ（λ）＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２－ｎｚ）×ｄ
が算出される。
なお、Ｒ０（λ）は、ＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ－１で算出される数値として表示されるものであるが、Ｒｅ（λ）を意味している。
本発明において、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）はＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ－１（オプトサイエンス社製）において、波長λで測定した値である。ＡｘｏＳｃａｎにて平均屈折率（（ｎｘ＋ｎｙ＋ｎｚ）／３）と膜厚（ｄ（μｍ））を入力することにより、
遅相軸方向（°）
Ｒｅ（λ）＝Ｒ０（λ）
Ｒｔｈ（λ）＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２－ｎｚ）×ｄ
が算出される。
なお、Ｒ０（λ）は、ＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ－１で算出される数値として表示されるものであるが、Ｒｅ（λ）を意味している。
本明細書において、屈折率ｎｘ、ｎｙ、および、ｎｚは、アッベ屈折計（ＮＡＲ－４Ｔ、アタゴ（株）製）を使用し、光源にナトリウムランプ（λ＝５８９ｎｍ）を用いて測定する。また、波長依存性を測定する場合は、多波長アッベ屈折計ＤＲ－Ｍ２（アタゴ（株）製）にて、干渉フィルタとの組み合わせで測定できる。
また、ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、および、各種光学フィルムのカタログの値を使用できる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、および、ポリスチレン（１．５９）。
また、ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、および、各種光学フィルムのカタログの値を使用できる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、および、ポリスチレン（１．５９）。
なお、本明細書では、「可視光線」とは、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ未満の光を意図する。また、「紫外線」とは、波長１０ｎｍ以上４００ｎｍ未満の光を意図する。
また、本明細書において、角度（例えば「９０°」などの角度）、およびその関係（例えば「直交」および「平行」など）については、本発明が属する技術分野において許容される誤差の範囲を含むものとする。例えば、厳密な角度±１０°の範囲内であることなどを意味し、厳密な角度との誤差は、５°以下であることが好ましく、３°以下であることがより好ましい。
また、本明細書において、角度（例えば「９０°」などの角度）、およびその関係（例えば「直交」および「平行」など）については、本発明が属する技術分野において許容される誤差の範囲を含むものとする。例えば、厳密な角度±１０°の範囲内であることなどを意味し、厳密な角度との誤差は、５°以下であることが好ましく、３°以下であることがより好ましい。
本明細書において表記される２価の基（例えば、－ＣＯ－Ｏ－（－ＣＯＯ－））の結合方向は特に制限されず、例えば、後述する式（Ｉ）中のＤ１が－ＣＯ－Ｏ－である場合、Ａｒ側に結合している位置を＊１、Ｇ１側に結合している位置を＊２とすると、Ｄ１は＊１－Ｏ－ＣＯ－＊２であってもよく、＊１－ＣＯ－Ｏ－＊２であってもよい。
本発明の光学異方性膜の特徴点の一つとしては、式（１）で表される化合物（以下、単に「特定化合物」ともいう。）を用いている点が挙げられる。
以下、本発明の特徴について詳述する。
まず、一般的な有機分子の屈折率波長分散特性について図１を参照しながら説明する。図１中、上側は波長に対する屈折率の挙動を示し、下側では波長に対する吸収特性の挙動（吸収スペクトル）を示す。
有機分子は、固有吸収波長から離れた領域（図１のａの領域）における屈折率ｎは波長が増すと共に単調に減少する。このような分散は「正常分散」と言われる。これに対して、固有吸収を含む波長域（図１のｂの領域）における屈折率ｎは、波長が増すと共に急激に増加する。このような分散は「異常分散」と言われる。
つまり、図１に示すように、吸収がある波長領域においては屈折率の増減が観察される。
以下、本発明の特徴について詳述する。
まず、一般的な有機分子の屈折率波長分散特性について図１を参照しながら説明する。図１中、上側は波長に対する屈折率の挙動を示し、下側では波長に対する吸収特性の挙動（吸収スペクトル）を示す。
有機分子は、固有吸収波長から離れた領域（図１のａの領域）における屈折率ｎは波長が増すと共に単調に減少する。このような分散は「正常分散」と言われる。これに対して、固有吸収を含む波長域（図１のｂの領域）における屈折率ｎは、波長が増すと共に急激に増加する。このような分散は「異常分散」と言われる。
つまり、図１に示すように、吸収がある波長領域においては屈折率の増減が観察される。
次に、図２において、一般的な逆波長分散性を示す光学異方性膜の異常光線屈折率ｎｅと常光線屈折率ｎｏとの波長分散の比較を示す。逆波長分散性を示す光学異方性膜においては、波長が大きくなるにつれて異常光線屈折率ｎｅと常光線屈折率ｎｏとの差が同等または大きくなる。
本発明の光学異方性膜においては、特定化合物の影響を受けて、異常光線屈折率ｎｅがより高い値を示し、常光線屈折率ｎｏがより低い値を示す。より具体的には、特定化合物が波長２８０～４００ｎｍに極大吸収波長を有する基を有すると、その吸収に由来する影響を受けて、上記極大吸収波長よりも少し長い波長の範囲の異常光線屈折率ｎｅの値（特に、波長２８０～５５０ｎｍの範囲の異常光線屈折率ｎｅの値）が増加する。特に、後述するように、式（２）で表される基を遅相軸方向と平行になるように配置することにより、上記特性がより向上する。また、特定化合物が波長７００～９００ｎｍに極大吸収波長を有する色素骨格を有すると、その吸収に由来する影響を受けて、上記極大吸収波長よりも少し短い波長の範囲の常光線屈折率ｎｏの値（特に、波長５５０～９００ｎｍの範囲の異常光線屈折率ｎｅの値）が低下する。特に、後述するように、色素骨格の吸光度の高い軸方向を進相軸方向と平行になるように配置することにより、上記特性がより向上する。
上記のように特定化合物を用いることにより、光学異方性膜の異常光線屈折率ｎｅおよび常光線屈折率ｎｏが影響を受けて、屈折率異方性がより大きくなる。
また、本発明においては特定化合物の使用量を抑えつつ、所望の光学異方性膜を形成できるため、特定化合物由来の着色などをより抑制できる。
また、本発明の光学異方性膜は屈折率異方性に優れるのみならず、より理想曲線に近い逆波長分散性を示す。
本発明の光学異方性膜においては、特定化合物の影響を受けて、異常光線屈折率ｎｅがより高い値を示し、常光線屈折率ｎｏがより低い値を示す。より具体的には、特定化合物が波長２８０～４００ｎｍに極大吸収波長を有する基を有すると、その吸収に由来する影響を受けて、上記極大吸収波長よりも少し長い波長の範囲の異常光線屈折率ｎｅの値（特に、波長２８０～５５０ｎｍの範囲の異常光線屈折率ｎｅの値）が増加する。特に、後述するように、式（２）で表される基を遅相軸方向と平行になるように配置することにより、上記特性がより向上する。また、特定化合物が波長７００～９００ｎｍに極大吸収波長を有する色素骨格を有すると、その吸収に由来する影響を受けて、上記極大吸収波長よりも少し短い波長の範囲の常光線屈折率ｎｏの値（特に、波長５５０～９００ｎｍの範囲の異常光線屈折率ｎｅの値）が低下する。特に、後述するように、色素骨格の吸光度の高い軸方向を進相軸方向と平行になるように配置することにより、上記特性がより向上する。
上記のように特定化合物を用いることにより、光学異方性膜の異常光線屈折率ｎｅおよび常光線屈折率ｎｏが影響を受けて、屈折率異方性がより大きくなる。
また、本発明においては特定化合物の使用量を抑えつつ、所望の光学異方性膜を形成できるため、特定化合物由来の着色などをより抑制できる。
また、本発明の光学異方性膜は屈折率異方性に優れるのみならず、より理想曲線に近い逆波長分散性を示す。
次に、光学異方性膜の構成について詳述する。
本発明の光学異方性膜は、特定化合物を含む組成物を用いて形成された、逆波長分散性を示す膜である。
以下では、まず、光学異方性膜を形成するための材料について詳述し、その後、その製造手順および光学異方性膜の特定について詳述する。
本発明の光学異方性膜は、特定化合物を含む組成物を用いて形成された、逆波長分散性を示す膜である。
以下では、まず、光学異方性膜を形成するための材料について詳述し、その後、その製造手順および光学異方性膜の特定について詳述する。
＜式（１）で表される化合物＞
組成物は、式（１）で表される化合物（特定化合物）を含む。
式（１） （Ｘ）ｐ－Ｄ
組成物は、式（１）で表される化合物（特定化合物）を含む。
式（１） （Ｘ）ｐ－Ｄ
式中、Ｄは、波長７００～９００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する色素骨格を表す。
上記色素骨格の極大吸収波長は、光学異方性膜の屈折率異方性がより大きい点（以下、単に「本発明の効果がより優れる点」ともいう。）で、７２０～９００ｎｍの範囲に位置することが好ましく、７５０～８５０ｎｍの範囲に位置することがより好ましい。
上記色素骨格の極大吸収波長としては、上記式（１）中のＸをＣＨ３基に置き換えた化合物を用いて測定される極大吸収波長を用いる。つまり、上記色素骨格の極大吸収波長を測定する際には、所定の式（１）で表される化合物に該当する化合物中の、式（１）中のＸに対応する基をＣＨ３基に置き換えた化合物を測定試料として、この測定試料の吸収スペクトルを測定して、極大吸収波長の位置を特定する。より具体的には、以下の色素Ｄ－１中の色素骨格の極大吸収波長は、測定試料Ｍ－１を用いて測定される極大吸収波長に対応する。以下式中、ＭｅはＣＨ３基を表す。
なお、色素骨格の極大吸収波長を測定する方法としては、測定試料（１ｍｇ）をクロロホルム（１００ｍｌ）に溶解させて測定液を調製し、赤外線用偏光子を備えた分光光度計（ＭＰＣ－３１００（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製））を用いて得られた測定液を測定する方法が挙げられる。
上記色素骨格の極大吸収波長は、光学異方性膜の屈折率異方性がより大きい点（以下、単に「本発明の効果がより優れる点」ともいう。）で、７２０～９００ｎｍの範囲に位置することが好ましく、７５０～８５０ｎｍの範囲に位置することがより好ましい。
上記色素骨格の極大吸収波長としては、上記式（１）中のＸをＣＨ３基に置き換えた化合物を用いて測定される極大吸収波長を用いる。つまり、上記色素骨格の極大吸収波長を測定する際には、所定の式（１）で表される化合物に該当する化合物中の、式（１）中のＸに対応する基をＣＨ３基に置き換えた化合物を測定試料として、この測定試料の吸収スペクトルを測定して、極大吸収波長の位置を特定する。より具体的には、以下の色素Ｄ－１中の色素骨格の極大吸収波長は、測定試料Ｍ－１を用いて測定される極大吸収波長に対応する。以下式中、ＭｅはＣＨ３基を表す。
なお、色素骨格の極大吸収波長を測定する方法としては、測定試料（１ｍｇ）をクロロホルム（１００ｍｌ）に溶解させて測定液を調製し、赤外線用偏光子を備えた分光光度計（ＭＰＣ－３１００（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製））を用いて得られた測定液を測定する方法が挙げられる。
Ｄで表される色素骨格は、ｐ価の色素骨格に該当する。
Ｄで表される色素骨格としては、上述した特性を満たせば特にその構造は限定されず、例えば、ジケトピロロピロール系色素、ジインモニウム系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、アゾ系色素、ポリメチン系色素、アントラキノン系色素、ピリリウム系色素、スクアリリウム系色素、トリフェニルメタン系色素、シアニン系色素、および、アミニウム系色素からなる群から選択される色素由来の骨格が挙げられる。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、Ｄとしては、式（３－１）～式（３－４）のいずれかで表される骨格が好ましい。なお、式（３－１）～式（３－４）のいずれかで表される骨格は、２価の骨格に該当する。
Ｄで表される色素骨格としては、上述した特性を満たせば特にその構造は限定されず、例えば、ジケトピロロピロール系色素、ジインモニウム系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、アゾ系色素、ポリメチン系色素、アントラキノン系色素、ピリリウム系色素、スクアリリウム系色素、トリフェニルメタン系色素、シアニン系色素、および、アミニウム系色素からなる群から選択される色素由来の骨格が挙げられる。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、Ｄとしては、式（３－１）～式（３－４）のいずれかで表される骨格が好ましい。なお、式（３－１）～式（３－４）のいずれかで表される骨格は、２価の骨格に該当する。
式（３－１）～（３－４）中、＊は、式（１）中のＸとの結合位置を表す。
Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、少なくとも一方は電子吸引性基を表す。Ｒ１１およびＲ１２は、互いに結合して環を形成してもよい。
置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、芳香族ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、芳香族ヘテロ環チオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（例えば、ヘテロアリール基）、シリル基、および、これらを組み合わせた基などが挙げられる。なお、上記置換基は、さらに置換基で置換されていてもよい。
Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、少なくとも一方は電子吸引性基を表す。Ｒ１１およびＲ１２は、互いに結合して環を形成してもよい。
置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、芳香族ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、芳香族ヘテロ環チオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（例えば、ヘテロアリール基）、シリル基、および、これらを組み合わせた基などが挙げられる。なお、上記置換基は、さらに置換基で置換されていてもよい。
電子吸引性基としては、Ｈａｍｍｅｔｔのσｐ値（シグマパラ値）が正の置換基を表し、例えば、シアノ基、アシル基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、スルフィニル基、および、ヘテロ環基が挙げられる。
これら電子吸引性基はさらに置換されていてもよい。
ハメットの置換基定数σ値について説明する。ハメット則は、ベンゼン誘導体の反応または平衡に及ぼす置換基の影響を定量的に論ずるために１９３５年Ｌ．Ｐ．Ｈａｍｍｅｔｔにより提唱された経験則であるが、これは今日広く妥当性が認められている。ハメット則に求められた置換基定数にはσｐ値とσｍ値があり、これらの値は多くの一般的な成書に見出すことができるが、本発明においては、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１９９１年，９１巻，１６５～１９５ページに記載された値を採用する。なお、上記文献に記載されていない置換基については、文献「The Effect of Structure upon the Reactions of Organic Compounds. Benzene Derivatives」（J.Am.Chem.Soc.1937, 59, 1, 96-103）に記載された計算方法に従って算出された値を採用する。
本発明において電子吸引性基としては、ハメットの置換基定数σｐ値が０．２０以上の置換基が好ましい。σｐ値としては、０．２５以上が好ましく、０．３０以上がより好ましく、０．３５以上がさらに好ましい。上限は特に制限はないが、０．８０以下が好ましい。
具体例としては、シアノ基（０．６６）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ：０．４５）、アルコキシカルボニル基（－ＣＯＯＭｅ：０．４５）、アリールオキシカルボニル基（－ＣＯＯＰｈ：０．４４）、カルバモイル基（－ＣＯＮＨ２：０．３６）、アルキルカルボニル基（－ＣＯＭｅ：０．５０）、アリールカルボニル基（－ＣＯＰｈ：０．４３）、アルキルスルホニル基（－ＳＯ２Ｍｅ：０．７２）、および、アリールスルホニル基（－ＳＯ２Ｐｈ：０．６８）が挙げられる。
本明細書において、Ｍｅはメチル基を、Ｐｈはフェニル基を表す。なお、括弧内の値は代表的な置換基のσｐ値をＣｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１９９１年，９１巻，１６５～１９５ページから抜粋したものである。
これら電子吸引性基はさらに置換されていてもよい。
ハメットの置換基定数σ値について説明する。ハメット則は、ベンゼン誘導体の反応または平衡に及ぼす置換基の影響を定量的に論ずるために１９３５年Ｌ．Ｐ．Ｈａｍｍｅｔｔにより提唱された経験則であるが、これは今日広く妥当性が認められている。ハメット則に求められた置換基定数にはσｐ値とσｍ値があり、これらの値は多くの一般的な成書に見出すことができるが、本発明においては、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１９９１年，９１巻，１６５～１９５ページに記載された値を採用する。なお、上記文献に記載されていない置換基については、文献「The Effect of Structure upon the Reactions of Organic Compounds. Benzene Derivatives」（J.Am.Chem.Soc.1937, 59, 1, 96-103）に記載された計算方法に従って算出された値を採用する。
本発明において電子吸引性基としては、ハメットの置換基定数σｐ値が０．２０以上の置換基が好ましい。σｐ値としては、０．２５以上が好ましく、０．３０以上がより好ましく、０．３５以上がさらに好ましい。上限は特に制限はないが、０．８０以下が好ましい。
具体例としては、シアノ基（０．６６）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ：０．４５）、アルコキシカルボニル基（－ＣＯＯＭｅ：０．４５）、アリールオキシカルボニル基（－ＣＯＯＰｈ：０．４４）、カルバモイル基（－ＣＯＮＨ２：０．３６）、アルキルカルボニル基（－ＣＯＭｅ：０．５０）、アリールカルボニル基（－ＣＯＰｈ：０．４３）、アルキルスルホニル基（－ＳＯ２Ｍｅ：０．７２）、および、アリールスルホニル基（－ＳＯ２Ｐｈ：０．６８）が挙げられる。
本明細書において、Ｍｅはメチル基を、Ｐｈはフェニル基を表す。なお、括弧内の値は代表的な置換基のσｐ値をＣｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１９９１年，９１巻，１６５～１９５ページから抜粋したものである。
Ｒ１１およびＲ１２が互いに結合して環を形成する場合は、５～７員環（好ましくは５～６員環）の環を形成し、形成される環としては通常メロシアニン色素で酸性核として用いられるものが好ましい。
Ｒ１１およびＲ１２が互いに結合して形成される環としては、１，３－ジカルボニル核、ピラゾリノン核、２，４，６－トリケトヘキサヒドロピリミジン核（チオケトン体も含む）、２－チオ－２，４－チアゾリジンジオン核、２－チオ－２，４－オキサゾリジンジオン核、２－チオ－２，５－チアゾリジンジオン核、２，４－チアゾリジンジオン核、２，４－イミダゾリジンジオン核、２－チオ－２，４－イミダゾリジンジオン核、２－イミダゾリン－５－オン核、３，５－ピラゾリジンジオン核、ベンゾチオフェン－３－オン核、またはインダノン核が好ましい。
Ｒ１１およびＲ１２が互いに結合して形成される環としては、１，３－ジカルボニル核、ピラゾリノン核、２，４，６－トリケトヘキサヒドロピリミジン核（チオケトン体も含む）、２－チオ－２，４－チアゾリジンジオン核、２－チオ－２，４－オキサゾリジンジオン核、２－チオ－２，５－チアゾリジンジオン核、２，４－チアゾリジンジオン核、２，４－イミダゾリジンジオン核、２－チオ－２，４－イミダゾリジンジオン核、２－イミダゾリン－５－オン核、３，５－ピラゾリジンジオン核、ベンゾチオフェン－３－オン核、またはインダノン核が好ましい。
Ｒ１１は、ヘテロ環基であることが好ましく、芳香族ヘテロ環基であることがより好ましい。ヘテロ環基は、単環であっても、多環であってもよい。ヘテロ環基としては、ピラゾール環基、チアゾール環基、オキサゾール環基、イミダゾール環基、オキサジアゾール環基、チアジアゾール環基、トリアゾール環基、ピリジン環基、ピリダジン環基、ピリミジン環基、ピラジン環基、これらのベンゾ縮環基（例えば、ベンゾチアゾール環基、ベンゾピラジン環基）もしくはナフト縮環基、または、これら縮環の複合体が好ましい。
上記ヘテロ環基には、置換基が置換していてもよい。置換基としては、Ｒ１１およびＲ１２で表される置換基で例示した基が挙げられる。
上記ヘテロ環基には、置換基が置換していてもよい。置換基としては、Ｒ１１およびＲ１２で表される置換基で例示した基が挙げられる。
Ｒ１３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、置換ホウ素（－Ｂ（Ｒａ）２、Ｒａは置換基を表す。）または金属原子を表し、Ｒ１１と共有結合または配位結合していてもよい。
Ｒ１３で表される置換ホウ素の置換基は、Ｒ１１およびＲ１２について上述した置換基と同義であり、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましい。置換ホウ素の置換基（例えば、上述した、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、または、ヘテロアリール基）は、さらに置換基で置換されていてもよい。置換基としては、Ｒ１１およびＲ１２で表される置換基で例示した基が挙げられる。
また、Ｒ１３で表される金属原子は、遷移金属原子、マグネシウム原子、アルミニウム原子、カルシウム原子、バリウム原子、亜鉛原子、または、スズ原子が好ましく、アルミニウム原子、亜鉛原子、スズ原子、バナジウム原子、鉄原子、コバルト原子、ニッケル原子、銅原子、パラジウム原子、イリジウム原子、または、白金原子がより好ましい。
Ｒ１３で表される置換ホウ素の置換基は、Ｒ１１およびＲ１２について上述した置換基と同義であり、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましい。置換ホウ素の置換基（例えば、上述した、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、または、ヘテロアリール基）は、さらに置換基で置換されていてもよい。置換基としては、Ｒ１１およびＲ１２で表される置換基で例示した基が挙げられる。
また、Ｒ１３で表される金属原子は、遷移金属原子、マグネシウム原子、アルミニウム原子、カルシウム原子、バリウム原子、亜鉛原子、または、スズ原子が好ましく、アルミニウム原子、亜鉛原子、スズ原子、バナジウム原子、鉄原子、コバルト原子、ニッケル原子、銅原子、パラジウム原子、イリジウム原子、または、白金原子がより好ましい。
式（３－１）で表される骨格としては、本発明の効果がより優れる点で、式（３－１Ａ）で表される骨格が好ましい。
式（３－１Ａ）中、＊は、式（１）中のＸとの結合位置を表す。
Ｒａ１は、それぞれ独立に、シアノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、または、含窒素ヘテロアリール基を表す。
Ｒａ２およびＲａ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表し、Ｒａ２およびＲａ３は互いに結合して環を形成してよい。形成される環としては、炭素数５～１０の脂環、炭素数６～１０の芳香族炭化水素環、または、炭素数３～１０の芳香族複素環が挙げられる。Ｒａ２およびＲａ３が結合して形成される環には、さらに置換基が置換していてもよい。置換基としては、Ｒ１１およびＲ１２で表される置換基の説明で例示した基が挙げられる。
Ｒａ４およびＲａ５は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。Ｒａ４およびＲａ５で表される基には、さらに置換基が置換してもよい。置換基としては、Ｒ１１およびＲ１２で表される置換基の説明で例示した基が挙げられる。
Ｘは、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、－ＮＲ－、－ＣＲＲ’－、－ＣＨ＝ＣＨ－、または、－Ｎ＝ＣＨ－を表し、ＲおよびＲ’は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、または、アリール基を表す。
Ｒａ１は、それぞれ独立に、シアノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、または、含窒素ヘテロアリール基を表す。
Ｒａ２およびＲａ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表し、Ｒａ２およびＲａ３は互いに結合して環を形成してよい。形成される環としては、炭素数５～１０の脂環、炭素数６～１０の芳香族炭化水素環、または、炭素数３～１０の芳香族複素環が挙げられる。Ｒａ２およびＲａ３が結合して形成される環には、さらに置換基が置換していてもよい。置換基としては、Ｒ１１およびＲ１２で表される置換基の説明で例示した基が挙げられる。
Ｒａ４およびＲａ５は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。Ｒａ４およびＲａ５で表される基には、さらに置換基が置換してもよい。置換基としては、Ｒ１１およびＲ１２で表される置換基の説明で例示した基が挙げられる。
Ｘは、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、－ＮＲ－、－ＣＲＲ’－、－ＣＨ＝ＣＨ－、または、－Ｎ＝ＣＨ－を表し、ＲおよびＲ’は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、または、アリール基を表す。
Ｒ１４～Ｒ１７は、それぞれ独立に、水素原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、ニトロ基、または、ハロゲン原子を表し、Ｒ１４とＲ１５、および、Ｒ１６とＲ１７は互いに結合して環を形成してもよい。
形成される環としては、例えば、非芳香族炭化水素環（例えば、炭素数５～１０の非芳香族炭化水素環）、非芳香族複素環、芳香族炭化水素環（例えば、炭素数６～１０の芳香族炭化水素環）、または、芳香族複素環（例えば、炭素数３～１０の芳香族複素環）が挙げられる。
形成される環としては、例えば、非芳香族炭化水素環（例えば、炭素数５～１０の非芳香族炭化水素環）、非芳香族複素環、芳香族炭化水素環（例えば、炭素数６～１０の芳香族炭化水素環）、または、芳香族複素環（例えば、炭素数３～１０の芳香族複素環）が挙げられる。
Ｒ１８およびＲ１９は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。
Ｒ２０～Ｒ２４は、それぞれ独立に、水素原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、ニトロ基、または、ハロゲン原子を表す。
Ａは、それぞれ独立に、ＣＲ３１（＞ＣＲ３１－）または３価の原子を表し、Ｒ３１は水素原子または置換基を表す。置換基としては、Ｒ１１およびＲ１２で表される置換基の説明で例示した基が挙げられる。
３価の原子としては、例えば、周期表第１３族の原子が挙げられ、ホウ素原子またはアルミニウム原子が好ましい。
Ｒ２０～Ｒ２４は、それぞれ独立に、水素原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、ニトロ基、または、ハロゲン原子を表す。
Ａは、それぞれ独立に、ＣＲ３１（＞ＣＲ３１－）または３価の原子を表し、Ｒ３１は水素原子または置換基を表す。置換基としては、Ｒ１１およびＲ１２で表される置換基の説明で例示した基が挙げられる。
３価の原子としては、例えば、周期表第１３族の原子が挙げられ、ホウ素原子またはアルミニウム原子が好ましい。
Ｒ２５～Ｒ２７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。
Ｒ２８～Ｒ３０は、それぞれ独立に、水素原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、ニトロ基、または、ハロゲン原子を表す。
Ｒ２８～Ｒ３０は、それぞれ独立に、水素原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、ニトロ基、または、ハロゲン原子を表す。
Ｘは、波長２８０～４００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する、式（２）で表される基を表す。なお、式（２）中、（Ａ－Ｚ）ｎで表される基は、いわゆるメソゲン基として機能する。メソゲン基とは、剛直かつ配向性を有する官能基である。そのため、例えば、特定化合物と液晶化合物とを併用すると、液晶化合物の配向方向に、式（２）で表される基が配向して、特定化合物が所定の方向に配向しやすい。この場合、結果として、光学異方性膜中の遅相軸方向に沿って式（２）で表される基が配向するため、遅相軸方向における波長２８０～４００ｎｍにおける吸収が、進相軸方向における波長２８０～４００ｎｍにおける吸収よりも大きくなりやすい。
式（２） Ｙ－ＳＰ－（Ａ－Ｚ）ｎ－＊
上記式（２）で表される基の極大吸収波長は、本発明の効果がより優れる点で、３００～３８０ｎｍの範囲に位置することが好ましく、３１０～３５０ｎｍの範囲に位置することがより好ましい。
上記式（２）で表される基の極大吸収波長としては、上記式（１）中のＤをＣＨ３基に置き換えた化合物を用いて測定される極大吸収波長を用いる。つまり、上記式（２）で表される基の極大吸収波長を測定する際には、所定の式（１）で表される化合物に該当する化合物中の、式（１）中のＤに対応する色素骨格をＣＨ３基に置き換えた化合物を測定試料として、この測定試料の吸収スペクトルを測定して、極大吸収波長の位置を特定する。より具体的には、以下の色素Ｄ－１中の式（２）で表される基の極大吸収波長は、測定試料Ｍ－２を用いて測定される極大吸収波長に対応する。以下式中、ＭｅはＣＨ３基を表す。
なお、式（２）で表される基の極大吸収波長を測定する方法としては、測定試料（１ｍｇ）をクロロホルム（１００ｍｌ）に溶解させて測定液を調製し、分光光度計（ＭＰＣ－３１００（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製））を用いて得られた測定液を測定する方法が挙げられる。
式（２） Ｙ－ＳＰ－（Ａ－Ｚ）ｎ－＊
上記式（２）で表される基の極大吸収波長は、本発明の効果がより優れる点で、３００～３８０ｎｍの範囲に位置することが好ましく、３１０～３５０ｎｍの範囲に位置することがより好ましい。
上記式（２）で表される基の極大吸収波長としては、上記式（１）中のＤをＣＨ３基に置き換えた化合物を用いて測定される極大吸収波長を用いる。つまり、上記式（２）で表される基の極大吸収波長を測定する際には、所定の式（１）で表される化合物に該当する化合物中の、式（１）中のＤに対応する色素骨格をＣＨ３基に置き換えた化合物を測定試料として、この測定試料の吸収スペクトルを測定して、極大吸収波長の位置を特定する。より具体的には、以下の色素Ｄ－１中の式（２）で表される基の極大吸収波長は、測定試料Ｍ－２を用いて測定される極大吸収波長に対応する。以下式中、ＭｅはＣＨ３基を表す。
なお、式（２）で表される基の極大吸収波長を測定する方法としては、測定試料（１ｍｇ）をクロロホルム（１００ｍｌ）に溶解させて測定液を調製し、分光光度計（ＭＰＣ－３１００（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製））を用いて得られた測定液を測定する方法が挙げられる。
Ｙは、水素原子または重合性基を表す。
重合性基の種類は特に制限されず、ラジカル重合またはカチオン重合が可能な重合性基が好ましい。
ラジカル重合性基としては、公知のラジカル重合性基を用いることができ、アクリロイル基またはメタアクリロイル基が好ましい。
カチオン重合性基としては、公知のカチオン重合性基を用いることができ、具体的には、脂環式エーテル基、環状アセタール基、環状ラクトン基、環状チオエーテル基、スピロオルソエステル基、および、ビニルオキシ基が挙げられる。なかでも、脂環式エーテル基またはビニルオキシ基が好ましく、エポキシ基、オキセタニル基、または、ビニルオキシ基がより好ましい。
特に、好ましい重合性基の例としては下記が挙げられる。
重合性基の種類は特に制限されず、ラジカル重合またはカチオン重合が可能な重合性基が好ましい。
ラジカル重合性基としては、公知のラジカル重合性基を用いることができ、アクリロイル基またはメタアクリロイル基が好ましい。
カチオン重合性基としては、公知のカチオン重合性基を用いることができ、具体的には、脂環式エーテル基、環状アセタール基、環状ラクトン基、環状チオエーテル基、スピロオルソエステル基、および、ビニルオキシ基が挙げられる。なかでも、脂環式エーテル基またはビニルオキシ基が好ましく、エポキシ基、オキセタニル基、または、ビニルオキシ基がより好ましい。
特に、好ましい重合性基の例としては下記が挙げられる。
Ａは、置換基を有していてもよい２価の芳香族環基、または、置換基を有していてもよい２価の非芳香族環基を表す。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、置換基を有していてもよい２価の芳香族環基が好ましい。
置換基を有していてもよい２価の芳香族環基としては、置換基を有していてもよいアリーレン基、および、置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基が挙げられる。アリーレン基としては、フェニレン基が挙げられる。ヘテロアリーレン基としては、ピラゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、トリアゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、これらのベンゾ縮環（例えば、ベンゾチアゾール環、ベンゾピラジン環）もしくはナフト縮環、または、これら縮環の複合体から任意の２つの水素原子を除いた２価の基が挙げられる。上記アリーレン基および上記ヘテロアリーレン基が置換基を有する場合、置換基としては、Ｒ１１およびＲ１２で表される置換基で例示した基が挙げられる。
置換基を有していてもよい２価の非芳香族環基としては、置換基を有していてもよい非芳香族炭化水素環基（例えば、シクロアルキレン基）、および、置換基を有していてもよい非芳香族複素環基が挙げられる。
ｎが２以上の場合、複数のＡは同一でも、異なっていてもよい。
置換基を有していてもよい２価の芳香族環基としては、置換基を有していてもよいアリーレン基、および、置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基が挙げられる。アリーレン基としては、フェニレン基が挙げられる。ヘテロアリーレン基としては、ピラゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、トリアゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、これらのベンゾ縮環（例えば、ベンゾチアゾール環、ベンゾピラジン環）もしくはナフト縮環、または、これら縮環の複合体から任意の２つの水素原子を除いた２価の基が挙げられる。上記アリーレン基および上記ヘテロアリーレン基が置換基を有する場合、置換基としては、Ｒ１１およびＲ１２で表される置換基で例示した基が挙げられる。
置換基を有していてもよい２価の非芳香族環基としては、置換基を有していてもよい非芳香族炭化水素環基（例えば、シクロアルキレン基）、および、置換基を有していてもよい非芳香族複素環基が挙げられる。
ｎが２以上の場合、複数のＡは同一でも、異なっていてもよい。
Ｚは、単結合、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２Ｏ－、－ＣＨ２ＮＲ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＨ＝Ｎ－、－Ｎ＝Ｎ－、－Ｃ≡Ｃ－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＲ－、－ＣＯＯＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＯＮＲＣＨ２ＣＨ２－、－ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ－、および、－Ｃ≡Ｃ－Ｃ≡Ｃ－からなる群から選択される連結基を示す。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＲ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＨ＝Ｎ－、－Ｎ＝Ｎ－、－Ｃ≡Ｃ－、－ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ－、または、－Ｃ≡Ｃ－Ｃ≡Ｃ－が好ましい。
また、Ｚが複数ある場合、本発明の効果がより優れる点で、複数のＺのうち少なくとも１つは、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＨ＝Ｎ－、－Ｎ＝Ｎ－、－Ｃ≡Ｃ－、または、－Ｃ≡Ｃ－Ｃ≡Ｃ－であることが好ましい。
また、Ｚ中の水素原子のうち少なくとも１つ以上がフッ素原子で置き換わっていてもよい。
Ｒは、水素原子または炭素数１～６のアルキル基を表す。
ｎが２以上の場合、複数のＺは同一でも、異なっていてもよい。
ｎは、1～１０の整数を表す。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、２～８が好ましく、３～６がより好ましい。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＲ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＨ＝Ｎ－、－Ｎ＝Ｎ－、－Ｃ≡Ｃ－、－ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ－、または、－Ｃ≡Ｃ－Ｃ≡Ｃ－が好ましい。
また、Ｚが複数ある場合、本発明の効果がより優れる点で、複数のＺのうち少なくとも１つは、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＨ＝Ｎ－、－Ｎ＝Ｎ－、－Ｃ≡Ｃ－、または、－Ｃ≡Ｃ－Ｃ≡Ｃ－であることが好ましい。
また、Ｚ中の水素原子のうち少なくとも１つ以上がフッ素原子で置き換わっていてもよい。
Ｒは、水素原子または炭素数１～６のアルキル基を表す。
ｎが２以上の場合、複数のＺは同一でも、異なっていてもよい。
ｎは、1～１０の整数を表す。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、２～８が好ましく、３～６がより好ましい。
ＳＰは、炭素数１～２０の直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基を示し、脂肪族炭化水素基を構成する－ＣＨ２－が－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＨ－、－Ｎ（ＣＨ３）－、または、－ＣＯＯ－で置き換わっていてもよい。
上記脂肪族炭化水素基の炭素数は、本発明の効果がより優れる点で、２～１０が好ましい。
式（２）中、＊は結合位置を表す。
上記脂肪族炭化水素基の炭素数は、本発明の効果がより優れる点で、２～１０が好ましい。
式（２）中、＊は結合位置を表す。
ｐは、１以上の整数を表す。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、２～５が好ましく、２～３がより好ましく、２がさらに好ましい。
特定化合物は、公知の方法により合成できる。
特定化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
特定化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
組成物中における特定化合物の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、組成物の全固形分に対して、１質量％以上が好ましく、３質量％以上がより好ましく、５質量％以上がさらに好ましく、８質量％以上が特に好ましく、７０質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましく、２０質量％以下がさらに好ましい。
なお、組成物中の全固形分には、溶媒は含まれない。つまり、固形分とは、組成物から溶媒を除いた成分を意味する。
なお、組成物中の全固形分には、溶媒は含まれない。つまり、固形分とは、組成物から溶媒を除いた成分を意味する。
組成物は、特定化合物以外の他の成分を含んでいてもよい。
組成物は、液晶化合物またはポリマーを含んでいてもよい。
組成物は、液晶化合物またはポリマーを含んでいてもよい。
＜液晶化合物＞
液晶化合物の種類は特に制限されないが、その形状から、棒状タイプ（棒状液晶化合物）と円盤状タイプ（円盤状液晶化合物。ディスコティック液晶化合物）とに分類できる。さらにそれぞれ低分子タイプと高分子タイプとがある。高分子とは一般に重合度が１００以上のものを指す（高分子物理・相転移ダイナミクス，土井 正男 著，２頁，岩波書店，１９９２）。なお、２種以上の棒状液晶化合物、２種以上の円盤状液晶化合物、または、棒状液晶化合物と円盤状液晶化合物との混合物を用いてもよい。
液晶化合物の種類は特に制限されないが、その形状から、棒状タイプ（棒状液晶化合物）と円盤状タイプ（円盤状液晶化合物。ディスコティック液晶化合物）とに分類できる。さらにそれぞれ低分子タイプと高分子タイプとがある。高分子とは一般に重合度が１００以上のものを指す（高分子物理・相転移ダイナミクス，土井 正男 著，２頁，岩波書店，１９９２）。なお、２種以上の棒状液晶化合物、２種以上の円盤状液晶化合物、または、棒状液晶化合物と円盤状液晶化合物との混合物を用いてもよい。
液晶化合物は、逆波長分散性液晶化合物であることが好ましい。逆波長分散性液晶化合物とは、その化合物を用いて形成される光学異方性膜が逆波長分散性を示す化合物を意味する。つまり、逆波長分散性液晶化合物とは、この化合物を用いて作製された光学異方性膜の特定波長（可視光範囲）における面内レタデーション（Ｒｅ）値を測定した際に、測定波長が大きくなるにつれてＲｅ値が同等または高くなるものをいう。
光学特性の温度変化および湿度変化を小さくできることから、液晶化合物としては、重合性基を有する液晶化合物（以下、「重合性液晶化合物」ともいう。）が好ましい。液晶化合物は２種類以上の混合物でもよく、その場合、少なくとも１つが２以上の重合性基を有していることが好ましい。
つまり、光学異方性膜は、重合性液晶化合物を含む組成物が重合などによって固定されて形成された層であることが好ましく、この場合、層となった後はもはや液晶性を示す必要はない。
上記重合性基の種類は特に制限されない。
重合性基の定義は、上述したＹで表される重合性基の定義と同じである。
つまり、光学異方性膜は、重合性液晶化合物を含む組成物が重合などによって固定されて形成された層であることが好ましく、この場合、層となった後はもはや液晶性を示す必要はない。
上記重合性基の種類は特に制限されない。
重合性基の定義は、上述したＹで表される重合性基の定義と同じである。
なかでも、液晶化合物としては、式（Ｉ）で表される化合物が好ましい。
式（Ｉ） Ｌ１－Ｇ１－Ｄ１－Ａｒ－Ｄ２－Ｇ２－Ｌ２
上記式（Ｉ）中、Ｄ１およびＤ２は、それぞれ独立に、単結合、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯ－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｓ）Ｏ－、－ＣＲ１Ｒ２－、－ＣＲ１Ｒ２－ＣＲ３Ｒ４－、－Ｏ－ＣＲ１Ｒ２－、－ＣＲ１Ｒ２－Ｏ－ＣＲ３Ｒ４－、－ＣＯ－Ｏ－ＣＲ１Ｒ２－、－Ｏ－ＣＯ－ＣＲ１Ｒ２－、－ＣＲ１Ｒ２－ＣＲ３Ｒ４－Ｏ－ＣＯ－、－ＣＲ１Ｒ２－Ｏ－ＣＯ－ＣＲ３Ｒ４－、－ＣＲ１Ｒ２－ＣＯ－Ｏ－ＣＲ３Ｒ４－、－ＮＲ１－ＣＲ２Ｒ３－、または、－ＣＯ－ＮＲ１－を表す。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子または炭素数１～４のアルキル基を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のそれぞれが複数存在する場合には、複数のＲ１、複数のＲ２、複数のＲ３および複数のＲ４はそれぞれ、互いに同一でも異なっていてもよい。
式（Ｉ） Ｌ１－Ｇ１－Ｄ１－Ａｒ－Ｄ２－Ｇ２－Ｌ２
上記式（Ｉ）中、Ｄ１およびＤ２は、それぞれ独立に、単結合、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯ－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｓ）Ｏ－、－ＣＲ１Ｒ２－、－ＣＲ１Ｒ２－ＣＲ３Ｒ４－、－Ｏ－ＣＲ１Ｒ２－、－ＣＲ１Ｒ２－Ｏ－ＣＲ３Ｒ４－、－ＣＯ－Ｏ－ＣＲ１Ｒ２－、－Ｏ－ＣＯ－ＣＲ１Ｒ２－、－ＣＲ１Ｒ２－ＣＲ３Ｒ４－Ｏ－ＣＯ－、－ＣＲ１Ｒ２－Ｏ－ＣＯ－ＣＲ３Ｒ４－、－ＣＲ１Ｒ２－ＣＯ－Ｏ－ＣＲ３Ｒ４－、－ＮＲ１－ＣＲ２Ｒ３－、または、－ＣＯ－ＮＲ１－を表す。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子または炭素数１～４のアルキル基を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のそれぞれが複数存在する場合には、複数のＲ１、複数のＲ２、複数のＲ３および複数のＲ４はそれぞれ、互いに同一でも異なっていてもよい。
また、上記式（Ｉ）中、Ｇ１およびＧ２は、それぞれ独立に、炭素数５～８の２価の脂環式炭化水素基、または、芳香族炭化水素基を表し、上記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、－Ｏ－、－Ｓ－、または－ＮＨ－で置換されていてもよい。
Ｌ１およびＬ２は、それぞれ独立に、１価の有機基を表し、Ｌ１およびＬ２からなる群から選ばれる少なくとも１種が、重合性基を有する１価の基を表す。
特に、Ｌ１およびＬ２で示される有機基としては、それぞれ、－Ｄ３－Ｇ３－Ｓｐ－Ｐ３で表される基であることが好ましい。
Ｄ３は、Ｄ１と同義である。
Ｇ３は、単結合、炭素数６～１２の２価の芳香環基もしくは複素環基、または、炭素数５～８の２価の脂環式炭化水素基を表し、上記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、－Ｏ－、－Ｓ－または－ＮＲ７－で置換されていてもよく、ここでＲ７は水素原子または炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｓｐは、単結合、－（ＣＨ２）ｎ－、－（ＣＨ２）ｎ－Ｏ－、－（ＣＨ２－Ｏ－）ｎ－、－（ＣＨ２ＣＨ２－Ｏ－）ｍ－、－Ｏ－（ＣＨ２）ｎ－、－Ｏ－（ＣＨ２）ｎ－Ｏ－、－Ｏ－（ＣＨ２－Ｏ－）ｎ－、－Ｏ－（ＣＨ２ＣＨ２－Ｏ－）ｍ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－（ＣＨ２）ｎ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－（ＣＨ２）ｎ－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－（ＣＨ２－Ｏ－）ｎ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－（ＣＨ２ＣＨ２－Ｏ－）ｍ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（Ｒ８）－（ＣＨ２）ｎ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（Ｒ８）－（ＣＨ２）ｎ－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（Ｒ８）－（ＣＨ２－Ｏ－）ｎ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（Ｒ８）－（ＣＨ２ＣＨ２－Ｏ－）ｍ－、または、－（ＣＨ２）ｎ－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－（ＣＨ２）ｎ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－（ＣＨ２）ｎ－で表されるスペーサー基を表す。ここで、ｎは２～１２の整数を表し、ｍは２～６の整数を表し、Ｒ８は水素原子または炭素数１～６のアルキル基を表す。また、上記各基における－ＣＨ２－の水素原子は、メチル基で置換されていてもよい。
Ｐ３は重合性基を示す。重合性基の定義は、上述したＹで表される重合性基の定義と同じである。
特に、Ｌ１およびＬ２で示される有機基としては、それぞれ、－Ｄ３－Ｇ３－Ｓｐ－Ｐ３で表される基であることが好ましい。
Ｄ３は、Ｄ１と同義である。
Ｇ３は、単結合、炭素数６～１２の２価の芳香環基もしくは複素環基、または、炭素数５～８の２価の脂環式炭化水素基を表し、上記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、－Ｏ－、－Ｓ－または－ＮＲ７－で置換されていてもよく、ここでＲ７は水素原子または炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｓｐは、単結合、－（ＣＨ２）ｎ－、－（ＣＨ２）ｎ－Ｏ－、－（ＣＨ２－Ｏ－）ｎ－、－（ＣＨ２ＣＨ２－Ｏ－）ｍ－、－Ｏ－（ＣＨ２）ｎ－、－Ｏ－（ＣＨ２）ｎ－Ｏ－、－Ｏ－（ＣＨ２－Ｏ－）ｎ－、－Ｏ－（ＣＨ２ＣＨ２－Ｏ－）ｍ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－（ＣＨ２）ｎ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－（ＣＨ２）ｎ－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－（ＣＨ２－Ｏ－）ｎ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－（ＣＨ２ＣＨ２－Ｏ－）ｍ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（Ｒ８）－（ＣＨ２）ｎ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（Ｒ８）－（ＣＨ２）ｎ－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（Ｒ８）－（ＣＨ２－Ｏ－）ｎ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（Ｒ８）－（ＣＨ２ＣＨ２－Ｏ－）ｍ－、または、－（ＣＨ２）ｎ－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－（ＣＨ２）ｎ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－（ＣＨ２）ｎ－で表されるスペーサー基を表す。ここで、ｎは２～１２の整数を表し、ｍは２～６の整数を表し、Ｒ８は水素原子または炭素数１～６のアルキル基を表す。また、上記各基における－ＣＨ２－の水素原子は、メチル基で置換されていてもよい。
Ｐ３は重合性基を示す。重合性基の定義は、上述したＹで表される重合性基の定義と同じである。
Ａｒは、式（Ａｒ－１）～（Ａｒ－７）で表される基からなる群から選択されるいずれかの芳香環を表す。
上記式（Ａｒ－１）中、Ｑ１は、ＮまたはＣＨを表し、Ｑ２は、－Ｓ－、－Ｏ－、または、－Ｎ（Ｒ７）－を表し、Ｒ７は、水素原子または炭素数１～６のアルキル基を表し、Ｙ１は、置換基を有してもよい、炭素数６～１２の芳香族炭化水素基、または、炭素数３～１２の芳香族複素環基を表す。
Ｒ７が示す炭素数１～６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、および、ｎ－ヘキシル基が挙げられる。
Ｙ１が示す炭素数６～１２の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、２，６－ジエチルフェニル基、および、ナフチル基などのアリール基が挙げられる。
Ｙ１が示す炭素数３～１２の芳香族複素環基としては、例えば、チエニル基、チアゾリル基、フリル基、および、ピリジル基などのヘテロアリール基が挙げられる。
また、Ｙ１が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、および、ハロゲン原子が挙げられる。
アルキル基としては、炭素数１～１８のアルキル基が好ましく、炭素数１～８のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基、および、シクロヘキシル基）がより好ましく、炭素数１～４のアルキル基がさらに好ましく、メチル基またはエチル基が特に好ましい。アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、および、環状のいずれであってもよい。
アルコキシ基としては、例えば、炭素数１～１８のアルコキシ基が好ましく、炭素数１～８のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－ブトキシ基、および、メトキシエトキシ基）がより好ましく、炭素数１～４のアルコキシ基がさらに好ましく、メトキシ基またはエトキシ基が特に好ましい。
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、および、ヨウ素原子が挙げられ、中でも、フッ素原子または塩素原子が好ましい。
Ｒ７が示す炭素数１～６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、および、ｎ－ヘキシル基が挙げられる。
Ｙ１が示す炭素数６～１２の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、２，６－ジエチルフェニル基、および、ナフチル基などのアリール基が挙げられる。
Ｙ１が示す炭素数３～１２の芳香族複素環基としては、例えば、チエニル基、チアゾリル基、フリル基、および、ピリジル基などのヘテロアリール基が挙げられる。
また、Ｙ１が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、および、ハロゲン原子が挙げられる。
アルキル基としては、炭素数１～１８のアルキル基が好ましく、炭素数１～８のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基、および、シクロヘキシル基）がより好ましく、炭素数１～４のアルキル基がさらに好ましく、メチル基またはエチル基が特に好ましい。アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、および、環状のいずれであってもよい。
アルコキシ基としては、例えば、炭素数１～１８のアルコキシ基が好ましく、炭素数１～８のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－ブトキシ基、および、メトキシエトキシ基）がより好ましく、炭素数１～４のアルコキシ基がさらに好ましく、メトキシ基またはエトキシ基が特に好ましい。
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、および、ヨウ素原子が挙げられ、中でも、フッ素原子または塩素原子が好ましい。
また、上記式（Ａｒ－１）～（Ａｒ－７）中、Ｚ１、Ｚ２およびＺ３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２０の１価の脂肪族炭化水素基、炭素数３～２０の１価の脂環式炭化水素基、炭素数６～２０の１価の芳香族炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、－ＯＲ８、－ＮＲ９Ｒ１０、または、－ＳＲ１１を表し、Ｒ８～Ｒ１１は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１～６のアルキル基を表し、Ｚ１およびＺ２は、互いに結合して芳香環を形成してもよい。
炭素数１～２０の１価の脂肪族炭化水素基としては、炭素数１～１５のアルキル基が好ましく、炭素数１～８のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基（１，１－ジメチルプロピル基）、ｔｅｒｔ－ブチル基、または、１，１－ジメチル－３，３－ジメチル－ブチル基がさらに好ましく、メチル基、エチル基、または、ｔｅｒｔ－ブチル基が特に好ましい。
炭素数３～２０の１価の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、メチルシクロヘキシル基、および、エチルシクロヘキシル基などの単環式飽和炭化水素基；シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプテニル基、シクロオクテニル基、シクロデセニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキサジエニル基、シクロオクタジエニル基、および、シクロデカジエンなどの単環式不飽和炭化水素基；ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基、ビシクロ［２．２．２］オクチル基、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デシル基、トリシクロ［３．３．１．１３，７］デシル基、テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデシル基、および、アダマンチル基などの多環式飽和炭化水素基；などが挙げられる。
炭素数６～２０の１価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、２，６－ジエチルフェニル基、ナフチル基、および、ビフェニル基が挙げられ、炭素数６～１２のアリール基（特にフェニル基）が好ましい。
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、および、ヨウ素原子が挙げられ、中でも、フッ素原子、塩素原子、または、臭素原子が好ましい。
Ｒ８～Ｒ１１が示す炭素数１～６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、および、ｎ－ヘキシル基が挙げられる。
炭素数１～２０の１価の脂肪族炭化水素基としては、炭素数１～１５のアルキル基が好ましく、炭素数１～８のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基（１，１－ジメチルプロピル基）、ｔｅｒｔ－ブチル基、または、１，１－ジメチル－３，３－ジメチル－ブチル基がさらに好ましく、メチル基、エチル基、または、ｔｅｒｔ－ブチル基が特に好ましい。
炭素数３～２０の１価の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、メチルシクロヘキシル基、および、エチルシクロヘキシル基などの単環式飽和炭化水素基；シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプテニル基、シクロオクテニル基、シクロデセニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキサジエニル基、シクロオクタジエニル基、および、シクロデカジエンなどの単環式不飽和炭化水素基；ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基、ビシクロ［２．２．２］オクチル基、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デシル基、トリシクロ［３．３．１．１３，７］デシル基、テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデシル基、および、アダマンチル基などの多環式飽和炭化水素基；などが挙げられる。
炭素数６～２０の１価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、２，６－ジエチルフェニル基、ナフチル基、および、ビフェニル基が挙げられ、炭素数６～１２のアリール基（特にフェニル基）が好ましい。
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、および、ヨウ素原子が挙げられ、中でも、フッ素原子、塩素原子、または、臭素原子が好ましい。
Ｒ８～Ｒ１１が示す炭素数１～６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、および、ｎ－ヘキシル基が挙げられる。
また、上記式（Ａｒ－２）および（Ａｒ－３）中、Ａ１およびＡ２は、それぞれ独立に、－Ｏ－、－Ｎ（Ｒ１２）－、－Ｓ－、および、－ＣＯ－からなる群から選択される基を表し、Ｒ１２は、水素原子または置換基を表す。
Ｒ１２が示す置換基としては、上記式（Ａｒ－１）中のＹ１が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。
Ｒ１２が示す置換基としては、上記式（Ａｒ－１）中のＹ１が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。
また、上記式（Ａｒ－２）中、Ｘは、第１４～１６族の非金属原子を表す。なお、上記非金属原子には、水素原子または置換基が結合していてもよい。
また、Ｘが示す第１４～１６族の非金属原子としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、置換基を有する窒素原子、および、置換基を有する炭素原子（＊＝Ｃ－（Ｒ）２。＊は結合位置を表す。Ｒは、置換基を表す。）が挙げられ、置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アルコキシ基、環状アルキル基、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基など）、シアノ基、アミノ基、ニトロ基、アルキルカルボニル基、スルホ基、および、水酸基が挙げられる。
また、Ｘが示す第１４～１６族の非金属原子としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、置換基を有する窒素原子、および、置換基を有する炭素原子（＊＝Ｃ－（Ｒ）２。＊は結合位置を表す。Ｒは、置換基を表す。）が挙げられ、置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アルコキシ基、環状アルキル基、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基など）、シアノ基、アミノ基、ニトロ基、アルキルカルボニル基、スルホ基、および、水酸基が挙げられる。
また、上記式（Ａｒ－３）中、Ｄ４およびＤ５は、それぞれ独立に、単結合、または、－ＣＯ－、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｓ）－、－ＣＲ１ａＲ２ａ－、－ＣＲ３ａ＝ＣＲ４ａ－、－ＮＲ５ａ－、もしくは、これらの２つ以上の組み合わせからなる２価の連結基を表し、Ｒ１ａ～Ｒ５ａは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、または、炭素数１～４のアルキル基を表す。
ここで、２価の連結基としては、例えば、－ＣＯ－、－Ｏ－、－ＣＯ－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｓ）Ｏ－、－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－、－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－、－Ｏ－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－、－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－Ｏ－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－、－ＣＯ－Ｏ－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－、－Ｏ－ＣＯ－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－、－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－Ｏ－ＣＯ－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－、－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－ＣＯ－Ｏ－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－、－ＮＲ３ｂ－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－、および、－ＣＯ－ＮＲ３ｂ－が挙げられる。Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂおよびＲ３ｂは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、または、炭素数１～４のアルキル基を表す。
ここで、２価の連結基としては、例えば、－ＣＯ－、－Ｏ－、－ＣＯ－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｓ）Ｏ－、－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－、－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－、－Ｏ－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－、－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－Ｏ－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－、－ＣＯ－Ｏ－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－、－Ｏ－ＣＯ－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－、－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－Ｏ－ＣＯ－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－、－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－ＣＯ－Ｏ－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－、－ＮＲ３ｂ－ＣＲ１ｂＲ２ｂ－、および、－ＣＯ－ＮＲ３ｂ－が挙げられる。Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂおよびＲ３ｂは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、または、炭素数１～４のアルキル基を表す。
また、上記式（Ａｒ－３）中、ＳＰ１およびＳＰ２は、それぞれ独立に、単結合、炭素数１～１２の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、または、炭素数１～１２の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基を構成する－ＣＨ２－の１個以上が－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＨ－、－Ｎ（Ｑ）－、もしくは、－ＣＯ－に置換された２価の連結基を表し、Ｑは、置換基を表す。置換基としては、上記式（Ａｒ－１）中のＹ１が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。
ここで、炭素数１～１２の直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、メチルヘキシレン基、および、へプチレン基が好ましい。
ここで、炭素数１～１２の直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、メチルヘキシレン基、および、へプチレン基が好ましい。
また、上記式（Ａｒ－３）中、Ｌ３およびＬ４は、それぞれ独立に、１価の有機基を表す。
１価の有機基としては、例えば、アルキル基、アリール基、および、ヘテロアリール基が挙げられる。アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、または、環状であってもよいが、直鎖状が好ましい。アルキル基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、１～１０がさらに好ましい。また、アリール基は、単環であっても多環であってもよいが単環が好ましい。アリール基の炭素数は、６～２５が好ましく、６～１０がより好ましい。また、ヘテロアリール基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子の数は１～３が好ましい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子は、窒素原子、硫黄原子、または、酸素原子が好ましい。ヘテロアリール基の炭素数は６～１８が好ましく、６～１２がより好ましい。また、アルキル基、アリール基およびヘテロアリール基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上記式（Ａｒ－１）中のＹ１が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。
１価の有機基としては、例えば、アルキル基、アリール基、および、ヘテロアリール基が挙げられる。アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、または、環状であってもよいが、直鎖状が好ましい。アルキル基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、１～１０がさらに好ましい。また、アリール基は、単環であっても多環であってもよいが単環が好ましい。アリール基の炭素数は、６～２５が好ましく、６～１０がより好ましい。また、ヘテロアリール基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子の数は１～３が好ましい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子は、窒素原子、硫黄原子、または、酸素原子が好ましい。ヘテロアリール基の炭素数は６～１８が好ましく、６～１２がより好ましい。また、アルキル基、アリール基およびヘテロアリール基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上記式（Ａｒ－１）中のＹ１が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。
また、上記式（Ａｒ－４）～（Ａｒ－７）中、Ａｘは、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも１つの芳香環を有する、炭素数２～３０の有機基を表す。
また、上記式（Ａｒ－４）～（Ａｒ－７）中、Ａｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１～１２のアルキル基、または、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群から選択される少なくとも１つの芳香環を有する、炭素数２～３０の有機基を表す。
ここで、ＡｘおよびＡｙにおける芳香環は、置換基を有していてもよく、ＡｘとＡｙとが結合して環を形成していてもよい。
また、Ｑ３は、水素原子、または、置換基を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
ＡｘおよびＡｙとしては、特許文献２（国際公開第２０１４／０１０３２５号）の段落００３９～００９５に記載されたものが挙げられる。
また、Ｑ３が示す炭素数１～６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、および、ｎ－ヘキシル基が挙げられ、置換基としては、上記式（Ａｒ－１）中のＹ１が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。
また、上記式（Ａｒ－４）～（Ａｒ－７）中、Ａｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１～１２のアルキル基、または、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群から選択される少なくとも１つの芳香環を有する、炭素数２～３０の有機基を表す。
ここで、ＡｘおよびＡｙにおける芳香環は、置換基を有していてもよく、ＡｘとＡｙとが結合して環を形成していてもよい。
また、Ｑ３は、水素原子、または、置換基を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
ＡｘおよびＡｙとしては、特許文献２（国際公開第２０１４／０１０３２５号）の段落００３９～００９５に記載されたものが挙げられる。
また、Ｑ３が示す炭素数１～６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、および、ｎ－ヘキシル基が挙げられ、置換基としては、上記式（Ａｒ－１）中のＹ１が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。
組成物中における液晶化合物の含有量は特に制限されないが、組成物中の全固形分に対して、５０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、９５質量％以下の場合が多い。
なお、組成物は、さらに順波長分散性液晶化合物を含んでいてもよい。順波長分散性液晶化合物とは、その化合物を用いて形成される光学異方性膜が順波長分散性を示す化合物を意味する。つまり、順波長分散性液晶化合物とは、その化合物を用いて形成される光学異方性膜の面内レタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて小さくなるような化合物を意味する。
順波長分散性液晶化合物を加えることで、組成物の波長分散を調節し、より理想波長分散に近い波長分散性を付与することが可能となる。
順波長分散性液晶化合物を加えることで、組成物の波長分散を調節し、より理想波長分散に近い波長分散性を付与することが可能となる。
＜ポリマー＞
ポリマーの種類は特に制限されないが、逆波長分散性ポリマーであることが好ましい。逆波長分散性ポリマーとは、そのポリマーを用いて形成される光学異方性膜が逆波長分散性を示すポリマーを意味する。
ポリマーの好適態様の１つとしては、式（４）で表される繰り返し単位および式（５）で表される繰り返し単位からなる群から選択される１種以上の繰り返し単位を含むポリマーが挙げられる。
ポリマーの種類は特に制限されないが、逆波長分散性ポリマーであることが好ましい。逆波長分散性ポリマーとは、そのポリマーを用いて形成される光学異方性膜が逆波長分散性を示すポリマーを意味する。
ポリマーの好適態様の１つとしては、式（４）で表される繰り返し単位および式（５）で表される繰り返し単位からなる群から選択される１種以上の繰り返し単位を含むポリマーが挙げられる。
式（４）および式（５）中、Ｒ３１～Ｒ３３は、それぞれ独立に、単結合、または、置換基を有していてもよい炭素数１～４のアルキレン基を表す。
Ｒ３４～Ｒ３９は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数４～１０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数４～１０のヘテロアリール基、置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアシル基、置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアリールオキシ基、置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアシルオキシ基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよい炭素数１～１０のビニル基、置換基を有していてもよい炭素数１～１０のエチニル基、置換基を有する硫黄原子、置換基を有するケイ素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、または、シアノ基を表す。但し、Ｒ３４～Ｒ３９のうち隣接する少なくとも２つの基が互いに結合して環を形成していてもよい。
また、式（４）に含まれる２つのＲ３４、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ３７、Ｒ３８およびＲ３９は、互いに同一であっても、異なっていてもよい。同様に、式（５）に含まれる２つのＲ３４、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ３７、Ｒ３８およびＲ３９は、互いに同一であっても、異なっていてもよい。
Ｒ３４～Ｒ３９は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数４～１０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数４～１０のヘテロアリール基、置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアシル基、置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアリールオキシ基、置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアシルオキシ基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよい炭素数１～１０のビニル基、置換基を有していてもよい炭素数１～１０のエチニル基、置換基を有する硫黄原子、置換基を有するケイ素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、または、シアノ基を表す。但し、Ｒ３４～Ｒ３９のうち隣接する少なくとも２つの基が互いに結合して環を形成していてもよい。
また、式（４）に含まれる２つのＲ３４、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ３７、Ｒ３８およびＲ３９は、互いに同一であっても、異なっていてもよい。同様に、式（５）に含まれる２つのＲ３４、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ３７、Ｒ３８およびＲ３９は、互いに同一であっても、異なっていてもよい。
ポリマーの他の好適態様としては、式（６）で表される繰り返し単位および式（７）で表される繰り返し単位を含むポリマーが挙げられる。
式（６）中、Ｒ４１～Ｒ４８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、または、炭素数１～６の炭化水素基を表す。
Ｘは、式（８）で表される基を表す。式（８）中、＊は結合位置を表す。
Ｘは、式（８）で表される基を表す。式（８）中、＊は結合位置を表す。
式（７）中、Ｒ５１～Ｒ５８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、または、炭素数１～２２の炭化水素基を表す。
Ｙは、－Ｃ（Ｒ６１）（Ｒ６２）－、式（９）で表される基、－Ｓｉ（Ｒ６７）（Ｒ６８）－、－ＳＯ２－、－Ｓ－、２価の脂肪族炭化水素基、－Ｃ（ＣＨ３）２－フェニレン基－Ｃ（ＣＨ３）２－、または、－ＣＯ－Ｏ－Ｌ－Ｏ－ＣＯ－を表す。
式（９）中、＊は結合位置を表す。
Ｙは、－Ｃ（Ｒ６１）（Ｒ６２）－、式（９）で表される基、－Ｓｉ（Ｒ６７）（Ｒ６８）－、－ＳＯ２－、－Ｓ－、２価の脂肪族炭化水素基、－Ｃ（ＣＨ３）２－フェニレン基－Ｃ（ＣＨ３）２－、または、－ＣＯ－Ｏ－Ｌ－Ｏ－ＣＯ－を表す。
式（９）中、＊は結合位置を表す。
Ｒ６１、Ｒ６２、Ｒ６７およびＲ６８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、または、炭素数１～２２の炭化水素基（例えば、炭素数６～１０のアリール基）を表す。
Ｒ６３～Ｒ６６は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。
Ｌは、２価の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｒ６３～Ｒ６６は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。
Ｌは、２価の脂肪族炭化水素基を表す。
ポリマー中における式（６）で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、全繰り返し単位に対して、３０～９０モル％が好ましい。
ポリマー中における式（７）で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、全繰り返し単位に対して、１０～７０モル％が好ましい。
ポリマー中における式（７）で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、全繰り返し単位に対して、１０～７０モル％が好ましい。
ポリマーの他の好適態様としては、セルロースアシレートが挙げられる。
セルロースアシレートとしては、セルロースの低級脂肪酸エステルが好ましい。低級脂肪酸とは、炭素数が６以下の脂肪酸を意味する。脂肪酸の炭素数は、２（セルロースアセテート）、３（セルロースプロピオネート）、または、４（セルロースブチレート）であることが好ましい。なお、セルロースアセテートプロピオネートおよびセルロースアセテートブチレートのような混合脂肪酸エステルを用いてもよい。
セルロースアセテートの酢化度は、５５．０～６２．５％が好ましく、５７．０～６２．０％がより好ましく、５８．５～６１．５％がさらに好ましい。
酢化度は、セルロース単位質量当たりの結合酢酸量を意味する。酢化度は、ＡＳＴＭ：Ｄ－８１７－９１（セルロースアセテートなどの試験法）におけるアセチル化度の測定および計算に従う。
セルロースアシレートとしては、セルロースの低級脂肪酸エステルが好ましい。低級脂肪酸とは、炭素数が６以下の脂肪酸を意味する。脂肪酸の炭素数は、２（セルロースアセテート）、３（セルロースプロピオネート）、または、４（セルロースブチレート）であることが好ましい。なお、セルロースアセテートプロピオネートおよびセルロースアセテートブチレートのような混合脂肪酸エステルを用いてもよい。
セルロースアセテートの酢化度は、５５．０～６２．５％が好ましく、５７．０～６２．０％がより好ましく、５８．５～６１．５％がさらに好ましい。
酢化度は、セルロース単位質量当たりの結合酢酸量を意味する。酢化度は、ＡＳＴＭ：Ｄ－８１７－９１（セルロースアセテートなどの試験法）におけるアセチル化度の測定および計算に従う。
なお、ポリマーとしてセルロースアシレートを用いる場合、可塑剤、劣化防止剤、レタデーション上昇剤、および、紫外線吸収剤などの添加剤を合わせて用いてもよい。
上記添加剤に関しては、特開２００４－０５０５１６号公報に例示される添加剤が挙げられる。
上記添加剤に関しては、特開２００４－０５０５１６号公報に例示される添加剤が挙げられる。
組成物中におけるポリマーの含有量は特に制限されないが、組成物中の全固形分に対して、５０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、９５質量％以下の場合が多い。
＜他の成分＞
上記組成物は、上述した特定化合物、液晶化合物、および、ポリマー以外の成分を含んでいてもよい。
組成物は、重合開始剤を含んでいてもよい。使用される重合開始剤は、重合反応の形式に応じて選択され、例えば、熱重合開始剤、および、光重合開始剤が挙げられる。例えば、光重合開始剤としては、α－カルボニル化合物、アシロインエーテル、α－炭化水素置換芳香族アシロイン化合物、多核キノン化合物、および、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ－アミノフェニルケトンとの組み合わせなどが挙げられる。
組成物中における重合開始剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．０１～２０質量％が好ましく、０．３～１０質量％がより好ましい。
上記組成物は、上述した特定化合物、液晶化合物、および、ポリマー以外の成分を含んでいてもよい。
組成物は、重合開始剤を含んでいてもよい。使用される重合開始剤は、重合反応の形式に応じて選択され、例えば、熱重合開始剤、および、光重合開始剤が挙げられる。例えば、光重合開始剤としては、α－カルボニル化合物、アシロインエーテル、α－炭化水素置換芳香族アシロイン化合物、多核キノン化合物、および、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ－アミノフェニルケトンとの組み合わせなどが挙げられる。
組成物中における重合開始剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．０１～２０質量％が好ましく、０．３～１０質量％がより好ましい。
また、組成物は、重合性モノマーを含んでいてもよい。
重合性モノマーとしては、ラジカル重合性またはカチオン重合性の化合物が挙げられる。なかでも、多官能性ラジカル重合性モノマーが好ましい。また、重合性モノマーとしては、上記の重合性基を有する液晶化合物と共重合性のモノマーが好ましい。例えば、特開２００２－２９６４２３号公報中の段落００１８～００２０に記載の重合性モノマーが挙げられる。
組成物中における重合性モノマーの含有量は、液晶化合物の全質量に対して、１～５０質量％が好ましく、２～３０質量％がより好ましい。
重合性モノマーとしては、ラジカル重合性またはカチオン重合性の化合物が挙げられる。なかでも、多官能性ラジカル重合性モノマーが好ましい。また、重合性モノマーとしては、上記の重合性基を有する液晶化合物と共重合性のモノマーが好ましい。例えば、特開２００２－２９６４２３号公報中の段落００１８～００２０に記載の重合性モノマーが挙げられる。
組成物中における重合性モノマーの含有量は、液晶化合物の全質量に対して、１～５０質量％が好ましく、２～３０質量％がより好ましい。
また、組成物は、界面活性剤を含んでいてもよい。
界面活性剤としては、従来公知の化合物が挙げられるが、フッ素系化合物が好ましい。例えば、特開２００１－３３０７２５号公報中の段落００２８～００５６に記載の化合物、および、特願２００３－２９５２１２号明細書中の段落００６９～０１２６に記載の化合物が挙げられる。
界面活性剤としては、従来公知の化合物が挙げられるが、フッ素系化合物が好ましい。例えば、特開２００１－３３０７２５号公報中の段落００２８～００５６に記載の化合物、および、特願２００３－２９５２１２号明細書中の段落００６９～０１２６に記載の化合物が挙げられる。
また、組成物は、溶媒を含んでいてもよい。溶媒としては、有機溶媒が好ましい。有機溶媒としては、アミド（例：Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド）、スルホキシド（例：ジメチルスルホキシド）、ヘテロ環化合物（例：ピリジン）、炭化水素（例：ベンゼン、ヘキサン）、アルキルハライド（例：クロロホルム、ジクロロメタン）、エステル（例：酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル）、ケトン（例：アセトン、メチルエチルケトン）、および、エーテル（例：テトラヒドロフラン、１，２－ジメトキシエタン）が挙げられる。なお、２種類以上の有機溶媒を併用してもよい。
また、組成物は、垂直配向剤、および、水平配向剤などの各種配向制御剤を含んでいてもよい。これらの配向制御剤は、界面側において液晶化合物を水平または垂直に配向制御可能な化合物である。
さらに、組成物は、上記成分以外に、密着改良剤、および、可塑剤を含んでいてもよい。
さらに、組成物は、上記成分以外に、密着改良剤、および、可塑剤を含んでいてもよい。
＜製造方法＞
本発明の光学異方性膜の製造方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。
なかでも、面内レタデーションの制御がしやすい点から、特定化合物および重合性液晶化合物を含む組成物を塗布して塗膜を形成し、塗膜に配向処理を施して重合性液晶化合物を配向させ、得られた塗膜に対して硬化処理（紫外線の照射（光照射処理）または加熱処理）を施して、光学異方性膜を形成する方法が好ましい。
以下、上記方法の手順について詳述する。
本発明の光学異方性膜の製造方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。
なかでも、面内レタデーションの制御がしやすい点から、特定化合物および重合性液晶化合物を含む組成物を塗布して塗膜を形成し、塗膜に配向処理を施して重合性液晶化合物を配向させ、得られた塗膜に対して硬化処理（紫外線の照射（光照射処理）または加熱処理）を施して、光学異方性膜を形成する方法が好ましい。
以下、上記方法の手順について詳述する。
まず、支持体上に、組成物を塗布して塗膜を形成し、塗膜に配向処理を施して重合性液晶化合物を配向させる。
使用される支持体は、組成物を塗布するための基材として機能を有する部材である。支持体は、組成物を塗布および硬化させた後に剥離される仮支持体であってもよい。
支持体（仮支持体）としては、プラスチックフィルムの他、ガラス基板を用いてもよい。プラスチックフィルムを構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、（メタ）アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、セルロース樹脂、シリコーン樹脂、および、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）が挙げられる。
支持体の厚みは、５～１０００μｍ程度であればよく、１０～２５０μｍが好ましく、１５～９０μｍがより好ましい。
使用される支持体は、組成物を塗布するための基材として機能を有する部材である。支持体は、組成物を塗布および硬化させた後に剥離される仮支持体であってもよい。
支持体（仮支持体）としては、プラスチックフィルムの他、ガラス基板を用いてもよい。プラスチックフィルムを構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、（メタ）アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、セルロース樹脂、シリコーン樹脂、および、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）が挙げられる。
支持体の厚みは、５～１０００μｍ程度であればよく、１０～２５０μｍが好ましく、１５～９０μｍがより好ましい。
なお、必要に応じて、支持体上には、配向層を配置してもよい。
配向層は、一般的には、ポリマーを主成分とする。配向層用ポリマーとしては、多数の文献に記載があり、多数の市販品を入手できる。配向層用ポリマーとしては、ポリビニルアルコール、ポリイミド、または、その誘導体が好ましい。
なお、配向層には、公知のラビング処理が施されることが好ましい。
配向層の厚みは、０．０１～１０μｍが好ましく、０．０１～１μｍがより好ましい。
配向層は、一般的には、ポリマーを主成分とする。配向層用ポリマーとしては、多数の文献に記載があり、多数の市販品を入手できる。配向層用ポリマーとしては、ポリビニルアルコール、ポリイミド、または、その誘導体が好ましい。
なお、配向層には、公知のラビング処理が施されることが好ましい。
配向層の厚みは、０．０１～１０μｍが好ましく、０．０１～１μｍがより好ましい。
組成物の塗布方法としては、カーテンコーティング法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、印刷コーティング法、スプレーコーティング法、スロットコーティング法、ロールコーティング法、スライドコーティング法、ブレードコーティング法、グラビアコーティング法、および、ワイヤーバー法が挙げられる。いずれの方法で塗布する場合においても、単層塗布が好ましい。
支持体上に形成された塗膜に、配向処理を施して、塗膜中の重合性液晶化合物を配向させる。
配向処理は、室温により塗膜を乾燥させる、または、塗膜を加熱することにより行うことができる。配向処理で形成される液晶相は、サーモトロピック性液晶化合物の場合、一般に温度または圧力の変化により転移させることができる。リオトロピック性液晶化合物の場合には、溶媒量などの組成比によっても転移させることができる。
なお、塗膜を加熱する場合の条件は特に制限されないが、加熱温度としては５０～２５０℃が好ましく、１５０～２３０℃がより好ましく、加熱時間としては１０秒間～１０分間が好ましい。
また、塗膜を加熱した後、後述する硬化処理（光照射処理）の前に、必要に応じて、塗膜を冷却してもよい。冷却温度としては２０～２００℃が好ましく、３０～１５０℃がより好ましい。
配向処理は、室温により塗膜を乾燥させる、または、塗膜を加熱することにより行うことができる。配向処理で形成される液晶相は、サーモトロピック性液晶化合物の場合、一般に温度または圧力の変化により転移させることができる。リオトロピック性液晶化合物の場合には、溶媒量などの組成比によっても転移させることができる。
なお、塗膜を加熱する場合の条件は特に制限されないが、加熱温度としては５０～２５０℃が好ましく、１５０～２３０℃がより好ましく、加熱時間としては１０秒間～１０分間が好ましい。
また、塗膜を加熱した後、後述する硬化処理（光照射処理）の前に、必要に応じて、塗膜を冷却してもよい。冷却温度としては２０～２００℃が好ましく、３０～１５０℃がより好ましい。
次に、重合性液晶化合物が配向された塗膜に対して硬化処理を施す。
重合性液晶化合物が配向された塗膜に対して実施される硬化処理の方法は特に制限されず、例えば、光照射処理および加熱処理が挙げられる。なかでも、製造適性の点から、光照射処理が好ましく、紫外線照射処理がより好ましい。
光照射処理の照射条件は特に制限されないが、５０～１０００ｍＪ／ｃｍ２の照射量が好ましい。
重合性液晶化合物が配向された塗膜に対して実施される硬化処理の方法は特に制限されず、例えば、光照射処理および加熱処理が挙げられる。なかでも、製造適性の点から、光照射処理が好ましく、紫外線照射処理がより好ましい。
光照射処理の照射条件は特に制限されないが、５０～１０００ｍＪ／ｃｍ２の照射量が好ましい。
本発明の光学異方性膜の製造方法の他の態様としては、特定化合物およびポリマーを含む組成物を用いて未延伸フィルムを形成し、得られた未延伸フィルムを延伸配向させて、延伸フィルムである光学異方性膜を形成する方法が挙げられる。
未延伸フィルムを形成する方法としては、特定化合物、ポリマーおよび溶媒を含む組成物を塗布して、その後溶媒を除去して、未延伸フィルムを形成する方法、および、溶媒を用いずに特定化合物およびポリマーを含む固形分を溶融させて製膜する方法が挙げられる。
延伸方法としては、縦一軸延伸、横一軸延伸、または、それらを組み合わせた同時二軸延伸もしくは逐次二軸延伸などの公知の方法が挙げられる。
未延伸フィルムを形成する方法としては、特定化合物、ポリマーおよび溶媒を含む組成物を塗布して、その後溶媒を除去して、未延伸フィルムを形成する方法、および、溶媒を用いずに特定化合物およびポリマーを含む固形分を溶融させて製膜する方法が挙げられる。
延伸方法としては、縦一軸延伸、横一軸延伸、または、それらを組み合わせた同時二軸延伸もしくは逐次二軸延伸などの公知の方法が挙げられる。
＜光学異方性膜＞
光学異方性膜は、上述した特定化合物を含む組成物を用いて形成される膜である。
光学異方性膜においては、本発明の効果がより優れる点で、光学異方性膜の進相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収（以下、「吸収Ｆ１」ともいう）が、光学異方性膜の遅相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収（以下、「吸収Ｓ１」ともいう）よりも大きいことが好ましい。
上記「吸収Ｆ１が吸収Ｓ１よりも大きい」とは、光学異方性膜の進相軸に平行な偏光を光学異方性膜に照射した際に得られる吸収スペクトルの波長７００～９００ｎｍにおける最大吸光度が、光学異方性膜の遅相軸に平行な偏光を光学異方性膜に照射した際に得られる吸収スペクトルの波長７００～９００ｎｍにおける最大吸光度よりも大きいことを意図する。
なお、上記測定は、赤外線用偏光子を備えた分光光度計（ＭＰＣ－３１００（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製））を用いて実施できる。
光学異方性膜は、上述した特定化合物を含む組成物を用いて形成される膜である。
光学異方性膜においては、本発明の効果がより優れる点で、光学異方性膜の進相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収（以下、「吸収Ｆ１」ともいう）が、光学異方性膜の遅相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収（以下、「吸収Ｓ１」ともいう）よりも大きいことが好ましい。
上記「吸収Ｆ１が吸収Ｓ１よりも大きい」とは、光学異方性膜の進相軸に平行な偏光を光学異方性膜に照射した際に得られる吸収スペクトルの波長７００～９００ｎｍにおける最大吸光度が、光学異方性膜の遅相軸に平行な偏光を光学異方性膜に照射した際に得られる吸収スペクトルの波長７００～９００ｎｍにおける最大吸光度よりも大きいことを意図する。
なお、上記測定は、赤外線用偏光子を備えた分光光度計（ＭＰＣ－３１００（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製））を用いて実施できる。
なお、上記のような吸収の異方性は、上述した式（１）で表される化合物を用いることにより実現できる。特に、二色性の式（１）で表される化合物を用いて、この式（１）で表される化合物の波長７００～９００ｎｍにおける吸光度のより高い軸方向を光学異方性膜の進相軸方向と平行とすることにより、吸収Ｆ１を吸収Ｓ１よりも大きくできる。より具体的には、式（３－１）～（３－４）のいずれかで表される骨格を有する式（１）で表される化合物においては、式（２）で表される基がのびる方向と直交する方向に波長７００～９００ｎｍにおける吸光度がより高い軸が配置されやすいため、上記のような吸収Ｆ１が吸収Ｓ１よりも大きくなりやすい。
光学異方性膜においては、本発明の効果がより優れる点で、光学異方性膜の遅相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収（以下、「吸収Ｓ２」ともいう）が、光学異方性膜の進相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収（以下、「吸収Ｆ２」ともいう）よりも大きいことが好ましい。
上記「吸収Ｓ２が吸収Ｆ２よりも大きい」とは、光学異方性膜の遅相軸に平行な偏光を光学異方性膜に照射した際に得られる吸収スペクトルの波長２８０～４００ｎｍにおける最大吸光度が、光学異方性膜の進相軸に平行な偏光を光学異方性膜に照射した際に得られる吸収スペクトルの波長２８０～４００ｎｍにおける最大吸光度よりも大きいことを意図する。
なお、上記測定は、赤外線用偏光子を備えた分光光度計（ＭＰＣ－３１００（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製））を用いて実施できる。
上記「吸収Ｓ２が吸収Ｆ２よりも大きい」とは、光学異方性膜の遅相軸に平行な偏光を光学異方性膜に照射した際に得られる吸収スペクトルの波長２８０～４００ｎｍにおける最大吸光度が、光学異方性膜の進相軸に平行な偏光を光学異方性膜に照射した際に得られる吸収スペクトルの波長２８０～４００ｎｍにおける最大吸光度よりも大きいことを意図する。
なお、上記測定は、赤外線用偏光子を備えた分光光度計（ＭＰＣ－３１００（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製））を用いて実施できる。
なお、上記のような吸収の異方性は、上述した式（１）で表される化合物を用いることにより実現できる。つまり、この式（１）で表される化合物の波長２８０～４００ｎｍにおける吸光度のより高い軸方向を光学異方性膜の遅相軸方向と平行とすることにより、吸収Ｓ２を吸収Ｆ２よりも大きくできる。特に、遅相軸方向に式（２）で表される基を配向させることにより、上記のような吸収Ｓ２が吸収Ｆ２よりも大きくなりやすい。
光学異方性膜は、逆波長分散性を示す。逆波長分散性とは、上述したように、光学異方性膜の特定波長（可視光範囲）における面内レタデーション（Ｒｅ）値を測定した際に、測定波長が大きくなるにつれてＲｅ値が同等または高くなるものをいう。
本明細書においては、式（Ａ）および（Ｂ）の関係を満たすことを、逆波長分散性を満たすとする。
光学異方性膜は、式（Ａ）の関係を満たす。
式（Ａ） Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜１．００
Ｒｅ（４５０）は波長４５０ｎｍにおける光学異方性膜の面内レタデーションを表し、Ｒｅ（５５０）は波長５５０ｎｍにおける光学異方性膜の面内レタデーションを表す。
なかでも、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）は、０．９７以下が好ましく、０．９２以下がより好ましく、０．８７以下がさらに好ましい。下限は特に制限されないが、０．７５以上の場合が多く、０．７８以上が好ましい。
本明細書においては、式（Ａ）および（Ｂ）の関係を満たすことを、逆波長分散性を満たすとする。
光学異方性膜は、式（Ａ）の関係を満たす。
式（Ａ） Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜１．００
Ｒｅ（４５０）は波長４５０ｎｍにおける光学異方性膜の面内レタデーションを表し、Ｒｅ（５５０）は波長５５０ｎｍにおける光学異方性膜の面内レタデーションを表す。
なかでも、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）は、０．９７以下が好ましく、０．９２以下がより好ましく、０．８７以下がさらに好ましい。下限は特に制限されないが、０．７５以上の場合が多く、０．７８以上が好ましい。
光学異方性膜は、式（Ｂ）の関係を満たす。
式（Ｂ） Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）＞１．００
Ｒｅ（６５０）は波長６５０ｎｍにおける光学異方性膜の面内レタデーションを表す。
なかでも、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）は、１．０５以上が好ましく、１．０８以上がより好ましく、１．１０以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、１．２５以下が好ましく、１．２０以下がより好ましい。
式（Ｂ） Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）＞１．００
Ｒｅ（６５０）は波長６５０ｎｍにおける光学異方性膜の面内レタデーションを表す。
なかでも、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）は、１．０５以上が好ましく、１．０８以上がより好ましく、１．１０以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、１．２５以下が好ましく、１．２０以下がより好ましい。
光学異方性膜のＲｅ（５５０）は特に制限されないが、λ／４板として有用である点で、１１０～１６０ｎｍが好ましく、１２０～１５０ｎｍがより好ましい。
光学異方性膜の波長５５０ｎｍにおける屈折率異方性（Δｎ）は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、０．０５５以上が好ましく、０．０６０以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、０．１００以下の場合が多い。
光学異方性膜の波長７００～９００ｎｍにおける極大吸収波長における光学異方性膜の配向秩序度Ｓ０は特に制限されず、－０．５０超－０．１０以下の場合が多い。配向秩序度Ｓ０が大きいと、特定化合物の使用量を減らしても、光学異方性膜の逆波長分散性を向上させることができ、－０．５０超－０．１５未満が好ましく、－０．４０～－０．２０がより好ましい。
本明細書において、波長λｎｍにおける光学異方性膜の配向秩序度Ｓ０（λ）は、式（Ｃ）で表される値である。
式（Ｃ） Ｓ０（λ）＝（Ａｐ－Ａｖ）／（Ａｐ＋２Ａｖ）
式（Ｃ）中、Ａｐは、光学異方性膜の遅相軸方向に対して平行方向に偏光した光に対する吸光度を表す。Ａｖは、光学異方性膜の遅相軸方向に対して直交方向に偏光した光に対する吸光度を示す。
光学異方性膜の配向秩序度Ｓ０（λ）は、光学異方性膜の偏光吸収測定により求めることができる。なお、上記測定は、赤外線用偏光子を備えた分光光度計（ＭＰＣ－３１００（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製））を用いて実施できる。λは、光学異方性膜の吸収測定で得られた波長７００～９００ｎｍにおける吸収スペクトルの極大吸収波長である。
本明細書において、波長λｎｍにおける光学異方性膜の配向秩序度Ｓ０（λ）は、式（Ｃ）で表される値である。
式（Ｃ） Ｓ０（λ）＝（Ａｐ－Ａｖ）／（Ａｐ＋２Ａｖ）
式（Ｃ）中、Ａｐは、光学異方性膜の遅相軸方向に対して平行方向に偏光した光に対する吸光度を表す。Ａｖは、光学異方性膜の遅相軸方向に対して直交方向に偏光した光に対する吸光度を示す。
光学異方性膜の配向秩序度Ｓ０（λ）は、光学異方性膜の偏光吸収測定により求めることができる。なお、上記測定は、赤外線用偏光子を備えた分光光度計（ＭＰＣ－３１００（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製））を用いて実施できる。λは、光学異方性膜の吸収測定で得られた波長７００～９００ｎｍにおける吸収スペクトルの極大吸収波長である。
光学異方性膜の厚みは特に制限されず、薄型化の点から、１０μｍ以下が好ましく、０．５～８．０μｍがより好ましく、０．５～６．０μｍがさらに好ましい。
なお、本明細書において、光学異方性膜の厚みとは、光学異方性膜の平均厚みを意図する。上記平均厚みは、光学異方性膜の任意の５箇所以上の厚みを測定して、それらを算術平均して求める。
なお、本明細書において、光学異方性膜の厚みとは、光学異方性膜の平均厚みを意図する。上記平均厚みは、光学異方性膜の任意の５箇所以上の厚みを測定して、それらを算術平均して求める。
＜用途＞
上述した光学異方性膜は、種々の用途に適用でき、例えば、光学異方性膜の面内レタデーションを調整して、いわゆるλ／４板またはλ／２板として用いることもできる。
なお、λ／４板とは、ある特定の波長の直線偏光を円偏光に（または、円偏光を直線偏光に）変換する機能を有する板である。より具体的には、所定の波長λｎｍにおける面内レタデーションＲｅがλ／４（または、この奇数倍）を示す板である。
λ／４板の波長５５０ｎｍでの面内レタデーション（Ｒｅ（５５０））は、理想値（１３７．５ｎｍ）を中心として、２５ｎｍ程度の誤差があってもよく、例えば、１１０～１６０ｎｍであることが好ましく、１２０～１５０ｎｍであることがより好ましい。
また、λ／２板とは、特定の波長λｎｍにおける面内レタデーションＲｅ（λ）がＲｅ（λ）≒λ／２を満たす光学異方性膜のことをいう。この式は、可視光線領域のいずれかの波長（例えば、５５０ｎｍ）において達成されていればよい。なかでも、波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションＲｅ（５５０）が、以下の関係を満たすことが好ましい。
２１０ｎｍ≦Ｒｅ（５５０）≦３００ｎｍ
上述した光学異方性膜は、種々の用途に適用でき、例えば、光学異方性膜の面内レタデーションを調整して、いわゆるλ／４板またはλ／２板として用いることもできる。
なお、λ／４板とは、ある特定の波長の直線偏光を円偏光に（または、円偏光を直線偏光に）変換する機能を有する板である。より具体的には、所定の波長λｎｍにおける面内レタデーションＲｅがλ／４（または、この奇数倍）を示す板である。
λ／４板の波長５５０ｎｍでの面内レタデーション（Ｒｅ（５５０））は、理想値（１３７．５ｎｍ）を中心として、２５ｎｍ程度の誤差があってもよく、例えば、１１０～１６０ｎｍであることが好ましく、１２０～１５０ｎｍであることがより好ましい。
また、λ／２板とは、特定の波長λｎｍにおける面内レタデーションＲｅ（λ）がＲｅ（λ）≒λ／２を満たす光学異方性膜のことをいう。この式は、可視光線領域のいずれかの波長（例えば、５５０ｎｍ）において達成されていればよい。なかでも、波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションＲｅ（５５０）が、以下の関係を満たすことが好ましい。
２１０ｎｍ≦Ｒｅ（５５０）≦３００ｎｍ
光学異方性膜は、他の層と組み合わせて、光学フィルムとして用いてもよい。つまり、本発明の光学フィルムは、上述した光学異方性膜と、他の層とを含む。
他の層は特に制限されないが、例えば、ガスバリア層、および、上述した支持体が挙げられる。
ガスバリア層が配置されることにより、光学異方性膜の耐光性が向上する。ガスバリア層は、ガスを通しにくい層を意図し、酸素バリア層が好ましい。なお、酸素バリアとは、酸素透過度が、１０ｍＬ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下である層を意図し、１ｍＬ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下が好ましい。下限は特に制限されないが、１０－６ｍＬ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以上の場合が多い。
ガスバリア層としては、ポリビニルアルコール層（ポリビニルアルコールから構成される層）、エチレン－ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）層（ＥＶＯＨから構成される層）、および、無機蒸着層が挙げられる。
他の層は特に制限されないが、例えば、ガスバリア層、および、上述した支持体が挙げられる。
ガスバリア層が配置されることにより、光学異方性膜の耐光性が向上する。ガスバリア層は、ガスを通しにくい層を意図し、酸素バリア層が好ましい。なお、酸素バリアとは、酸素透過度が、１０ｍＬ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下である層を意図し、１ｍＬ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下が好ましい。下限は特に制限されないが、１０－６ｍＬ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以上の場合が多い。
ガスバリア層としては、ポリビニルアルコール層（ポリビニルアルコールから構成される層）、エチレン－ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）層（ＥＶＯＨから構成される層）、および、無機蒸着層が挙げられる。
光学異方性膜を含む光学フィルムとしては、偏光子と光学異方性膜とを含む偏光板（好ましくは、円偏光板）が挙げられる。
偏光子は、光を特定の直線偏光に変換する機能を有する部材（直線偏光子）であればよく、主に、吸収型偏光子を利用できる。
吸収型偏光子としては、ヨウ素系偏光子、二色性染料を利用した染料系偏光子、およびポリエン系偏光子などが挙げられる。ヨウ素系偏光子および染料系偏光子には、塗布型偏光子と延伸型偏光子とがあり、いずれも適用できるが、ポリビニルアルコールにヨウ素または二色性染料を吸着させ、延伸して作製される偏光子が好ましい。
偏光子の吸収軸と光学異方性膜の遅相軸との関係は特に制限されないが、光学異方性膜がλ／４板であり、光学フィルムが円偏光フィルムとして用いられる場合は、偏光子の吸収軸と光学異方性膜の遅相軸とのなす角は、４５°±１０°の範囲（３５～５５°）が好ましい。
偏光子は、光を特定の直線偏光に変換する機能を有する部材（直線偏光子）であればよく、主に、吸収型偏光子を利用できる。
吸収型偏光子としては、ヨウ素系偏光子、二色性染料を利用した染料系偏光子、およびポリエン系偏光子などが挙げられる。ヨウ素系偏光子および染料系偏光子には、塗布型偏光子と延伸型偏光子とがあり、いずれも適用できるが、ポリビニルアルコールにヨウ素または二色性染料を吸着させ、延伸して作製される偏光子が好ましい。
偏光子の吸収軸と光学異方性膜の遅相軸との関係は特に制限されないが、光学異方性膜がλ／４板であり、光学フィルムが円偏光フィルムとして用いられる場合は、偏光子の吸収軸と光学異方性膜の遅相軸とのなす角は、４５°±１０°の範囲（３５～５５°）が好ましい。
光学異方性膜、および、偏光板は、表示装置中に含まれていてもよい。つまり、光学異方性膜のより具体的な用途としては、例えば、液晶セルを光学補償するための光学補償フィルム、および、有機エレクトロルミネッセンス表示装置などの表示装置に用いられる反射防止膜が挙げられる。
なかでも、好ましい態様として、光学異方性膜と偏光子とを含む円偏光板が挙げられる。この円偏光板は、上記反射防止膜として好適に使用できる。つまり、表示素子（例えば、有機エレクトロルミネッセンス表示素子）と、表示素子上に配置された円偏光板とを有する表示装置においては、反射色味がより抑制できる。
また、本発明の光学異方性膜は、ＩＰＳ（In Plane Switching）型液晶表示装置の光学補償フィルムに好適に用いられ、斜め方向から視認した時の色味変化および黒表示時の光漏れを改善できる。
なかでも、好ましい態様として、光学異方性膜と偏光子とを含む円偏光板が挙げられる。この円偏光板は、上記反射防止膜として好適に使用できる。つまり、表示素子（例えば、有機エレクトロルミネッセンス表示素子）と、表示素子上に配置された円偏光板とを有する表示装置においては、反射色味がより抑制できる。
また、本発明の光学異方性膜は、ＩＰＳ（In Plane Switching）型液晶表示装置の光学補償フィルムに好適に用いられ、斜め方向から視認した時の色味変化および黒表示時の光漏れを改善できる。
以下に、実施例および比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順などは、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更できる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
＜色素Ｄ－１の合成＞
色素Ｄ－１を下記スキームに従って合成した。
色素Ｄ－１を下記スキームに従って合成した。
（化合物ａ－１の合成）
４－ヨード安息香酸（１０．０ｇ、４０．３ｍｍｏｌ）、４－ヒドロキシベンズアルデヒド（５．４２ｇ、４４．４ｍｍｏｌ）、１－エチル－３－（３－ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（１５．５ｇ、８０．９ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノピリジン（１．００ｇ、８．１９ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（４０ｍｌ）、および、テトラヒドロフラン（１００ｍｌ）を室温にて混合し、得られた混合物を室温にて、２時間撹拌した。得られた反応液に、酢酸エチル（１００ｍｌ）、および、１Ｎ塩酸水（１００ｍｌ）を加え分液処理して、有機相を抽出した。有機相を飽和食塩水（１００ｍｌ）で２回洗い、得られた有機相を硫酸マグネシウムにて乾燥後、ろ過を行って、ろ液を回収して、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた粗生成物にメタノール（１００ｍｌ）を滴下し、析出した結晶をろ過により回収して、白色固体の化合物ａ－１（９．７２ｇ、２７．６ｍｍｏｌ）を得た（収率：６８％）。
４－ヨード安息香酸（１０．０ｇ、４０．３ｍｍｏｌ）、４－ヒドロキシベンズアルデヒド（５．４２ｇ、４４．４ｍｍｏｌ）、１－エチル－３－（３－ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（１５．５ｇ、８０．９ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノピリジン（１．００ｇ、８．１９ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（４０ｍｌ）、および、テトラヒドロフラン（１００ｍｌ）を室温にて混合し、得られた混合物を室温にて、２時間撹拌した。得られた反応液に、酢酸エチル（１００ｍｌ）、および、１Ｎ塩酸水（１００ｍｌ）を加え分液処理して、有機相を抽出した。有機相を飽和食塩水（１００ｍｌ）で２回洗い、得られた有機相を硫酸マグネシウムにて乾燥後、ろ過を行って、ろ液を回収して、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた粗生成物にメタノール（１００ｍｌ）を滴下し、析出した結晶をろ過により回収して、白色固体の化合物ａ－１（９．７２ｇ、２７．６ｍｍｏｌ）を得た（収率：６８％）。
（化合物ａ－２の合成）
４－ブロモフェノール（５４．６ｇ、３１６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（５５．１ｇ、３９９ｍｍｏｌ）、ヨウ化カリウム（６．６０ｇ、３９．８ｍｍｏｌ）、および、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（２３０ｍｌ）を室温にて混合した。得られた混合物を７０℃に昇温し、酢酸４－クロロブチル（５０．０ｇ、３３２ｍｍｏｌ）を滴下した。得られた混合物を９０℃に昇温し、３時間撹拌した後、室温に降温した。得られた反応液に、酢酸エチル（６００ｍｌ）、１Ｎ塩酸水（１１０ｍｌ）、および、蒸留水（１０００ｍｌ）を加えて分液処理を行い、有機相を抽出した。有機相を蒸留水（３００ｍｌ）で１回、飽和食塩水（３００ｍｌ）で２回洗い、得られた有機相を硫酸マグネシウムにて乾燥後、ろ過を行って、ろ液を回収して、ろ液から溶媒を減圧留去した。酢酸エチル－ヘキサンを溶媒に用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィにより、得られた粗生成物を精製し、オイル状の化合物ａ－２（８１．２ｇ、２８３ｍｍｏｌ）を得た（収率：８９％）。
４－ブロモフェノール（５４．６ｇ、３１６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（５５．１ｇ、３９９ｍｍｏｌ）、ヨウ化カリウム（６．６０ｇ、３９．８ｍｍｏｌ）、および、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（２３０ｍｌ）を室温にて混合した。得られた混合物を７０℃に昇温し、酢酸４－クロロブチル（５０．０ｇ、３３２ｍｍｏｌ）を滴下した。得られた混合物を９０℃に昇温し、３時間撹拌した後、室温に降温した。得られた反応液に、酢酸エチル（６００ｍｌ）、１Ｎ塩酸水（１１０ｍｌ）、および、蒸留水（１０００ｍｌ）を加えて分液処理を行い、有機相を抽出した。有機相を蒸留水（３００ｍｌ）で１回、飽和食塩水（３００ｍｌ）で２回洗い、得られた有機相を硫酸マグネシウムにて乾燥後、ろ過を行って、ろ液を回収して、ろ液から溶媒を減圧留去した。酢酸エチル－ヘキサンを溶媒に用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィにより、得られた粗生成物を精製し、オイル状の化合物ａ－２（８１．２ｇ、２８３ｍｍｏｌ）を得た（収率：８９％）。
（化合物ａ－３の合成）
窒素雰囲気下にて、化合物ａ－２（８１．２ｇ、２８３ｍｍｏｌ）および３－メチル－１－ブチン－３－オール（３５．７ｇ、４２４ｍｍｏｌ）、および、トリエチルアミン（２４４ｍｌ）を室温にて混合した。得られた混合液の窒素バブリングを３０分間行った後、トリフェニルホスフィン（２．２３ｇ、８．５０ｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（１．１９ｇ、１．７０ｍｍｏｌ）、および、ヨウ化銅（Ｉ）（０．５４ｇ、２．８３ｍｍｏｌ）を混合液に加えて、得られた溶液を１００℃で５時間撹拌した。得られた溶液を室温に冷却後、溶液から不溶物をろ過により除いた。得られた溶液を蒸留水（３００ｍｌ）で２回、飽和食塩水（３００ｍｌ）で１回洗い、硫酸マグネシウムにて乾燥後、ろ過を行って、ろ液を回収して、ろ液から溶媒を減圧留去した。酢酸エチル－ヘキサンを溶媒に用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィにより、得られた粗生成物を精製し、オイル状の化合物ａ－３（７２．１ｇ、２４８ｍｍｏｌ）を得た（収率：８８％）。
窒素雰囲気下にて、化合物ａ－２（８１．２ｇ、２８３ｍｍｏｌ）および３－メチル－１－ブチン－３－オール（３５．７ｇ、４２４ｍｍｏｌ）、および、トリエチルアミン（２４４ｍｌ）を室温にて混合した。得られた混合液の窒素バブリングを３０分間行った後、トリフェニルホスフィン（２．２３ｇ、８．５０ｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（１．１９ｇ、１．７０ｍｍｏｌ）、および、ヨウ化銅（Ｉ）（０．５４ｇ、２．８３ｍｍｏｌ）を混合液に加えて、得られた溶液を１００℃で５時間撹拌した。得られた溶液を室温に冷却後、溶液から不溶物をろ過により除いた。得られた溶液を蒸留水（３００ｍｌ）で２回、飽和食塩水（３００ｍｌ）で１回洗い、硫酸マグネシウムにて乾燥後、ろ過を行って、ろ液を回収して、ろ液から溶媒を減圧留去した。酢酸エチル－ヘキサンを溶媒に用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィにより、得られた粗生成物を精製し、オイル状の化合物ａ－３（７２．１ｇ、２４８ｍｍｏｌ）を得た（収率：８８％）。
（化合物ａ－４の合成）
化合物ａ－４（７２．１ｇ、２４８ｍｍｏｌ）、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（９７．４ｇ、８６８ｍｍｏｌ）、および、２－プロパノール（４５０ｍｌ）を室温にて混合した。得られた混合物を１００℃に昇温し、２時間撹拌した後、室温に降温した。得られた反応液に酢酸エチル（７００ｍｌ）、および、１Ｎ塩酸水（１０００ｍｌ）を加えて分液処理を行い、有機相を抽出した。有機相を蒸留水（３００ｍｌ）で２回、飽和食塩水（３００ｍｌ）で１回洗い、得られた有機相を硫酸マグネシウムにて乾燥後、ろ過を行って、ろ液を回収して、ろ液から溶媒を減圧留去した。酢酸エチル－ヘキサンを溶媒に用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィにより、得られた粗生成物を精製し、茶褐色固体の化合物ａ－４（３３．０ｇ、１７４ｍｍｏｌ）を得た（収率：７０％）。
化合物ａ－４（７２．１ｇ、２４８ｍｍｏｌ）、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（９７．４ｇ、８６８ｍｍｏｌ）、および、２－プロパノール（４５０ｍｌ）を室温にて混合した。得られた混合物を１００℃に昇温し、２時間撹拌した後、室温に降温した。得られた反応液に酢酸エチル（７００ｍｌ）、および、１Ｎ塩酸水（１０００ｍｌ）を加えて分液処理を行い、有機相を抽出した。有機相を蒸留水（３００ｍｌ）で２回、飽和食塩水（３００ｍｌ）で１回洗い、得られた有機相を硫酸マグネシウムにて乾燥後、ろ過を行って、ろ液を回収して、ろ液から溶媒を減圧留去した。酢酸エチル－ヘキサンを溶媒に用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィにより、得られた粗生成物を精製し、茶褐色固体の化合物ａ－４（３３．０ｇ、１７４ｍｍｏｌ）を得た（収率：７０％）。
（化合物ａ－５の合成）
化合物ａ－２の代わりに化合物ａ－１を、３－メチル－１－ブチン－３－オールの代わりに化合物ａ－４を用い、上記化合物ａ－３の合成法と同様の方法で化合物ａ－５を合成した。
化合物ａ－２の代わりに化合物ａ－１を、３－メチル－１－ブチン－３－オールの代わりに化合物ａ－４を用い、上記化合物ａ－３の合成法と同様の方法で化合物ａ－５を合成した。
（化合物ａ－６の合成）
化合物ａ－５（１．０１ｇ、２．４４ｍｍｏｌ）、塩化アクリル（５５０ｍｇ、６．０７ｍｍｏｌ）、ジブチルヒドロキシトルエン（１０．０ｍｇ、０．０４５３ｍｍｏｌ）、および、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（１０ｍｌ）を室温にて混合した。得られた混合物を０℃に冷却し、トリエチルアミン（６５０ｍｇ、６．４２ｍｍｏｌ）を滴下した後、得られた反応液を室温に昇温し、１時間撹拌した。この反応液にメタノールを加えた後、酢酸エチル、蒸留水を加えて分液処理を行い、有機相を抽出した。得られた有機相を１Ｎ塩酸水で１回、飽和重曹水で１回、飽和食塩水で１回洗い、得られた有機相を硫酸マグネシウムにて乾燥後、ろ過を行って、ろ液を回収して、ろ液から溶媒を減圧留去した。酢酸エチル－ヘキサンを溶媒に用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィにより、得られた粗生成物を精製し、オイル状の化合物ａ－６（８９２ｍｇ、１．９０ｍｍｏｌ）を得た（収率：７８％）。
化合物ａ－５（１．０１ｇ、２．４４ｍｍｏｌ）、塩化アクリル（５５０ｍｇ、６．０７ｍｍｏｌ）、ジブチルヒドロキシトルエン（１０．０ｍｇ、０．０４５３ｍｍｏｌ）、および、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（１０ｍｌ）を室温にて混合した。得られた混合物を０℃に冷却し、トリエチルアミン（６５０ｍｇ、６．４２ｍｍｏｌ）を滴下した後、得られた反応液を室温に昇温し、１時間撹拌した。この反応液にメタノールを加えた後、酢酸エチル、蒸留水を加えて分液処理を行い、有機相を抽出した。得られた有機相を１Ｎ塩酸水で１回、飽和重曹水で１回、飽和食塩水で１回洗い、得られた有機相を硫酸マグネシウムにて乾燥後、ろ過を行って、ろ液を回収して、ろ液から溶媒を減圧留去した。酢酸エチル－ヘキサンを溶媒に用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィにより、得られた粗生成物を精製し、オイル状の化合物ａ－６（８９２ｍｇ、１．９０ｍｍｏｌ）を得た（収率：７８％）。
（化合物ａ－７の合成）
化合物ａ－６（８９２ｍｇ、１．９０ｍｍｏｌ）、リン酸二水素ナトリウム二水和物（５９．４ｍｇ、０．３８１ｍｍｏｌ）と蒸留水（１ｍｌ）の混合物、硫酸水素テトラブチルアンモニウム（６．４６ｍｇ、０．０１９０ｍｍｏｌ）、過酸化水素水（０．２６０ｍｌ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（１０ｍｌ）、および、アセトニトリル（２０ｍｌ）を室温にて混合した。得られた混合物を４０℃に昇温し、亜塩素酸ナトリウム（２０７ｍｇ、２．２８ｍｍｏｌ）と蒸留水（３ｍｌ）との混合物を滴下し、５時間撹拌した後、室温に降温した。得られた反応液に、蒸留水（１００ｍｌ）を滴下し、析出した結晶をろ過により回収した。得られた粗生成物をアセトニトリルで再結晶することで、白色固体の化合物ａ－７（１９１ｍｇ、０．３９４ｍｍｏｌ）を得た（収率：２１％）。
化合物ａ－６（８９２ｍｇ、１．９０ｍｍｏｌ）、リン酸二水素ナトリウム二水和物（５９．４ｍｇ、０．３８１ｍｍｏｌ）と蒸留水（１ｍｌ）の混合物、硫酸水素テトラブチルアンモニウム（６．４６ｍｇ、０．０１９０ｍｍｏｌ）、過酸化水素水（０．２６０ｍｌ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（１０ｍｌ）、および、アセトニトリル（２０ｍｌ）を室温にて混合した。得られた混合物を４０℃に昇温し、亜塩素酸ナトリウム（２０７ｍｇ、２．２８ｍｍｏｌ）と蒸留水（３ｍｌ）との混合物を滴下し、５時間撹拌した後、室温に降温した。得られた反応液に、蒸留水（１００ｍｌ）を滴下し、析出した結晶をろ過により回収した。得られた粗生成物をアセトニトリルで再結晶することで、白色固体の化合物ａ－７（１９１ｍｇ、０．３９４ｍｍｏｌ）を得た（収率：２１％）。
（化合物ａ－８の合成）
４－ブロモフェノール（５０.０ｇ、２５９ｍｍｏｌ）、１－ブロモ－２－エチルヘキサン（５８．２ｇ、３３７ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（９３．３ｇ、６７３ｍｍｏｌ）、および、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（２５０ｍｌ）を室温にて混合した。得られた混合物を１０５℃に昇温し、５時間撹拌した後、室温に降温し、無機塩をろ過により除去し、ろ液を回収した。得られたろ液に、酢酸エチル、１Ｎ塩酸水を加えて分液処理を行い、有機相を抽出した。得られた有機相を蒸留水、飽和重曹水で洗い、得られた有機相を硫酸マグネシウムにて乾燥後、ろ過を行って、ろ液を回収して、ろ液から溶媒を減圧留去した。酢酸エチル－ヘキサンを溶媒に用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィにより、得られた粗生成物を精製し、オイル状の化合物ａ－８（７０．３ｇ、２４６ｍｍｏｌ）を得た（収率：９５％）
４－ブロモフェノール（５０.０ｇ、２５９ｍｍｏｌ）、１－ブロモ－２－エチルヘキサン（５８．２ｇ、３３７ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（９３．３ｇ、６７３ｍｍｏｌ）、および、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（２５０ｍｌ）を室温にて混合した。得られた混合物を１０５℃に昇温し、５時間撹拌した後、室温に降温し、無機塩をろ過により除去し、ろ液を回収した。得られたろ液に、酢酸エチル、１Ｎ塩酸水を加えて分液処理を行い、有機相を抽出した。得られた有機相を蒸留水、飽和重曹水で洗い、得られた有機相を硫酸マグネシウムにて乾燥後、ろ過を行って、ろ液を回収して、ろ液から溶媒を減圧留去した。酢酸エチル－ヘキサンを溶媒に用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィにより、得られた粗生成物を精製し、オイル状の化合物ａ－８（７０．３ｇ、２４６ｍｍｏｌ）を得た（収率：９５％）
（化合物ａ－９の合成）
乾燥窒素雰囲気下、マグネシウム（３．６４ｇ、３５．１ｍｍｏｌ）、塩化リチウム（１．６４ｇ、３８．６ｍｍｏｌ）、および、テトラヒドロフラン（８０ｍｌ）を室温にて混合した。得られた混合物を６３℃に昇温し、化合物ａ－８（２０．０ｇ、７０．１ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（２０ｍｌ）との混合物を滴下した。得られた混合物を室温に降温した後、トリメトキシボラン（３．６４ｇ、３５．１ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１０ｍｌ）との混合物を滴下した。得られた混合物を５０℃に昇温し、２時間攪拌した後、室温に降温した。得られた反応液に蒸留水（１０ｍｌ）を加えた後、酢酸エチル（１００ｍｌ）、１Ｎ塩酸水（１００ｍｌ）を加えて分液処理を行い、有機相を抽出した。有機相を飽和食塩水（１００ｍｌ）で２回洗い、得られた有機相を硫酸マグネシウムにて乾燥後、ろ過を行って、ろ液を回収して、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた粗生成物を酢酸エチル－ヘキサンを溶媒に用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィにより、精製を行った。得られた粗生成物にトルエン（１００ｍｌ）およびエタノールアミン（６．４２ｇ、１０５ｍｍｏｌ）を加え、室温にて１０分間攪拌した。溶媒および過剰なエタノールアミンを減圧留去し、オイル状の化合物ａ－９（１０．１ｇ、２１．０ｍｍｏｌ）を得た（収率：６０％）。
乾燥窒素雰囲気下、マグネシウム（３．６４ｇ、３５．１ｍｍｏｌ）、塩化リチウム（１．６４ｇ、３８．６ｍｍｏｌ）、および、テトラヒドロフラン（８０ｍｌ）を室温にて混合した。得られた混合物を６３℃に昇温し、化合物ａ－８（２０．０ｇ、７０．１ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（２０ｍｌ）との混合物を滴下した。得られた混合物を室温に降温した後、トリメトキシボラン（３．６４ｇ、３５．１ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１０ｍｌ）との混合物を滴下した。得られた混合物を５０℃に昇温し、２時間攪拌した後、室温に降温した。得られた反応液に蒸留水（１０ｍｌ）を加えた後、酢酸エチル（１００ｍｌ）、１Ｎ塩酸水（１００ｍｌ）を加えて分液処理を行い、有機相を抽出した。有機相を飽和食塩水（１００ｍｌ）で２回洗い、得られた有機相を硫酸マグネシウムにて乾燥後、ろ過を行って、ろ液を回収して、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた粗生成物を酢酸エチル－ヘキサンを溶媒に用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィにより、精製を行った。得られた粗生成物にトルエン（１００ｍｌ）およびエタノールアミン（６．４２ｇ、１０５ｍｍｏｌ）を加え、室温にて１０分間攪拌した。溶媒および過剰なエタノールアミンを減圧留去し、オイル状の化合物ａ－９（１０．１ｇ、２１．０ｍｍｏｌ）を得た（収率：６０％）。
（化合物ａ－１０の合成）
化合物ａ－１０は、ＷＯ２０１７－１４６０９２号の段落０２７１～０２７２に記載の化合物Ａ－１５－ｃの合成法に従って合成した。
化合物ａ－１０は、ＷＯ２０１７－１４６０９２号の段落０２７１～０２７２に記載の化合物Ａ－１５－ｃの合成法に従って合成した。
（化合物ａ－１１の合成）
化合物ａ－１１は、ＷＯ２０１７－１４６０９２号の段落０２７１～０２７２に記載の化合物Ａ－１５の合成法に従って合成した。Ａ－１５の合成法におけるジフェニルボリン酸２－アミノエチルエステルに代えて、上記化合物ａ－９を用いた。
化合物ａ－１１は、ＷＯ２０１７－１４６０９２号の段落０２７１～０２７２に記載の化合物Ａ－１５の合成法に従って合成した。Ａ－１５の合成法におけるジフェニルボリン酸２－アミノエチルエステルに代えて、上記化合物ａ－９を用いた。
（色素Ｄ－１の合成）
化合物ａ－１１（１９５ｍｇ、０．１２９ｍｍｏｌ）、化合物ａ－７（１９１ｍｇ、０．３９４ｍｍｏｌ）、１－エチル－３－（３－ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（１４６ｍｇ、０．０．７６３ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノピリジン（３．００ｍｇ、０．０２４５ｍｍｏｌ）、ジブチルヒドロキシトルエン（３．００ｍｇ、０．０１３６ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（５ｍｌ）、および、テトラヒドロフラン（５ｍｌ）を室温にて混合した。得られた混合物を７０℃に昇温し、５時間撹拌した後、室温まで降温した。この反応液にメタノールを滴下し、析出した結晶をろ過により回収した。酢酸エチル－クロロホルムを溶媒に用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィにより、得られた粗生成物を精製し、緑色固体の色素Ｄ－１（０．２１２ｍｇ、０．０８５９ｍｍｏｌ）を得た（収率：６７％）。
色素Ｄ－１の１Ｈ－ＮＭＲ（nuclear magnetic resonance）測定の結果を以下に示す。
1Ｈ－ＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣl３）δ（ｐｐｍ）：０．８８－０．９３（ｍ，２４Ｈ），１．３１－１．４９（ｍ，３２Ｈ），１．６５－１．７６（ｍ，４Ｈ），１．８９－１．９８（ｍ，８Ｈ），３．３５（ｓ，６Ｈ），３．７９－３．８８（ｍ，８Ｈ），４．０２－４．０９（ｍ，４Ｈ），４．２３－４．２８（ｍ，４Ｈ），５．８４（ｄｄ，２Ｈ），６．１２（ｄｄ，２Ｈ），６．４０（ｄｄ，２Ｈ），６．６８－６．９２（ｍ，２４Ｈ），７．１９－７．２２（ｍ，８Ｈ），７．３３－７．６８（ｍ，１４Ｈ），８．１９－８．２１（ｍ，４Ｈ），８．３２－８．３５（ｍ，４Ｈ）
化合物ａ－１１（１９５ｍｇ、０．１２９ｍｍｏｌ）、化合物ａ－７（１９１ｍｇ、０．３９４ｍｍｏｌ）、１－エチル－３－（３－ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（１４６ｍｇ、０．０．７６３ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノピリジン（３．００ｍｇ、０．０２４５ｍｍｏｌ）、ジブチルヒドロキシトルエン（３．００ｍｇ、０．０１３６ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（５ｍｌ）、および、テトラヒドロフラン（５ｍｌ）を室温にて混合した。得られた混合物を７０℃に昇温し、５時間撹拌した後、室温まで降温した。この反応液にメタノールを滴下し、析出した結晶をろ過により回収した。酢酸エチル－クロロホルムを溶媒に用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィにより、得られた粗生成物を精製し、緑色固体の色素Ｄ－１（０．２１２ｍｇ、０．０８５９ｍｍｏｌ）を得た（収率：６７％）。
色素Ｄ－１の１Ｈ－ＮＭＲ（nuclear magnetic resonance）測定の結果を以下に示す。
1Ｈ－ＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣl３）δ（ｐｐｍ）：０．８８－０．９３（ｍ，２４Ｈ），１．３１－１．４９（ｍ，３２Ｈ），１．６５－１．７６（ｍ，４Ｈ），１．８９－１．９８（ｍ，８Ｈ），３．３５（ｓ，６Ｈ），３．７９－３．８８（ｍ，８Ｈ），４．０２－４．０９（ｍ，４Ｈ），４．２３－４．２８（ｍ，４Ｈ），５．８４（ｄｄ，２Ｈ），６．１２（ｄｄ，２Ｈ），６．４０（ｄｄ，２Ｈ），６．６８－６．９２（ｍ，２４Ｈ），７．１９－７．２２（ｍ，８Ｈ），７．３３－７．６８（ｍ，１４Ｈ），８．１９－８．２１（ｍ，４Ｈ），８．３２－８．３５（ｍ，４Ｈ）
＜色素Ｄ－２の合成＞
化合物ａ－７の代わりに、特開２０１３－０６７６０３号公報の段落００８１～００８２に記載の化合物Ｄ－１を用い、上記色素Ｄ－１の合成法と同様の方法で色素Ｄ－２を合成した（収率：６６％）。
色素Ｄ－２の１Ｈ－ＮＭＲ測定の結果を以下に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：０．８８－０．９３（ｍ，２４Ｈ），１．３１－１．５１（ｍ，３２Ｈ），１．６５－１．７６（ｍ，４Ｈ），１．８９－１．９５（ｍ，８Ｈ），３．３５（ｓ，６Ｈ），３．７９－３．８８（ｍ，８Ｈ），４．１０－４．１５（ｍ，４Ｈ），４．２７－４．３２（ｍ，４Ｈ），５．８５（ｄｄ，２Ｈ），６．１２（ｄｄ，２Ｈ），６．４３（ｄｄ，２Ｈ），６．６８－６．９２（ｍ，２４Ｈ），７．１９－７．２２（ｍ，８Ｈ），７．３３－７．６８（ｍ，１４Ｈ），８．１９－８．２１（ｍ，４Ｈ），８．３２－８．３５（ｍ，４Ｈ）
化合物ａ－７の代わりに、特開２０１３－０６７６０３号公報の段落００８１～００８２に記載の化合物Ｄ－１を用い、上記色素Ｄ－１の合成法と同様の方法で色素Ｄ－２を合成した（収率：６６％）。
色素Ｄ－２の１Ｈ－ＮＭＲ測定の結果を以下に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：０．８８－０．９３（ｍ，２４Ｈ），１．３１－１．５１（ｍ，３２Ｈ），１．６５－１．７６（ｍ，４Ｈ），１．８９－１．９５（ｍ，８Ｈ），３．３５（ｓ，６Ｈ），３．７９－３．８８（ｍ，８Ｈ），４．１０－４．１５（ｍ，４Ｈ），４．２７－４．３２（ｍ，４Ｈ），５．８５（ｄｄ，２Ｈ），６．１２（ｄｄ，２Ｈ），６．４３（ｄｄ，２Ｈ），６．６８－６．９２（ｍ，２４Ｈ），７．１９－７．２２（ｍ，８Ｈ），７．３３－７．６８（ｍ，１４Ｈ），８．１９－８．２１（ｍ，４Ｈ），８．３２－８．３５（ｍ，４Ｈ）
（色素Ｄ－３の合成）
化合物ａ－７の代わりに、ＷＯ２０１９－０４４８５９号の段落００８７～００８９に記載のカルボン酸を用い、上記色素Ｄ－１の合成法と同様の方法で色素Ｄ－３を合成した（収率：１６％）。
色素Ｄ－３の１Ｈ－ＮＭＲ測定の結果を以下に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：０．８９－０．９６（ｍ，２４Ｈ），１．３３－１．８０（ｍ，４４Ｈ），２．２２－２．４０（ｍ，８Ｈ），２．５５－２．６７（ｍ，４Ｈ），３．０５（ｔ，４Ｈ），３．３３（ｓ，６Ｈ），３．７０－３．９１（ｍ，２４Ｈ），４．１８－４．２１（ｍ，４Ｈ），４．３２－４．３５（ｍ，４Ｈ），４．５０（ｔ，４Ｈ），５．８２（ｄｄ，２Ｈ），６．１５（ｄｄ，２Ｈ），６．４２（ｄｄ，２Ｈ），６．６４－６．７５（ｍ，２０Ｈ），６．９２－６．９４（ｍ，４Ｈ），７．０３－７．０６（ｍ，４Ｈ），７．１４－７．１７（ｍ，８Ｈ），７．２６－７．３５（ｍ，６Ｈ），７．９４－７．９８（ｍ，４Ｈ）
化合物ａ－７の代わりに、ＷＯ２０１９－０４４８５９号の段落００８７～００８９に記載のカルボン酸を用い、上記色素Ｄ－１の合成法と同様の方法で色素Ｄ－３を合成した（収率：１６％）。
色素Ｄ－３の１Ｈ－ＮＭＲ測定の結果を以下に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：０．８９－０．９６（ｍ，２４Ｈ），１．３３－１．８０（ｍ，４４Ｈ），２．２２－２．４０（ｍ，８Ｈ），２．５５－２．６７（ｍ，４Ｈ），３．０５（ｔ，４Ｈ），３．３３（ｓ，６Ｈ），３．７０－３．９１（ｍ，２４Ｈ），４．１８－４．２１（ｍ，４Ｈ），４．３２－４．３５（ｍ，４Ｈ），４．５０（ｔ，４Ｈ），５．８２（ｄｄ，２Ｈ），６．１５（ｄｄ，２Ｈ），６．４２（ｄｄ，２Ｈ），６．６４－６．７５（ｍ，２０Ｈ），６．９２－６．９４（ｍ，４Ｈ），７．０３－７．０６（ｍ，４Ｈ），７．１４－７．１７（ｍ，８Ｈ），７．２６－７．３５（ｍ，６Ｈ），７．９４－７．９８（ｍ，４Ｈ）
＜実施例１＞
下記の光学異方性膜形成用組成物を調製した。
下記液晶性化合物Ｌ－１ ５０質量部
下記液晶性化合物Ｌ－２ ５０質量部
上記色素Ｄ－１ １０質量部
下記光重合開始剤ＰＩ－１ ０．５０質量部
下記含フッ素化合物Ｆ－１ ０．２０質量部
クロロホルム ５６０質量部
下記の光学異方性膜形成用組成物を調製した。
下記液晶性化合物Ｌ－１ ５０質量部
下記液晶性化合物Ｌ－２ ５０質量部
上記色素Ｄ－１ １０質量部
下記光重合開始剤ＰＩ－１ ０．５０質量部
下記含フッ素化合物Ｆ－１ ０．２０質量部
クロロホルム ５６０質量部
ラビング処理が施されたポリイミド配向層（ＳＥ－１３０、日産化学社製）付ガラス基板のポリイミド配向層上に、上記光学異方性膜形成用組成物をスピンコート塗布して塗膜を形成し、２１０℃で１分間加熱したのちに、６０℃まで徐冷した。その後に、酸素濃度が１．０体積％以下の雰囲気になるように窒素パージし、高圧水銀ランプを用い照射量３００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を塗膜に照射し、光学異方性膜１を作製した。
得られた光学異方性膜１の光学特性を測定したところ、Ｒｅ（５５０）が１４２ｎｍ、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８３、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）が１．１５、膜厚が２３２８ｎｍ、Δｎ（５５０）が０．０６１であった。ここで、Δｎ（５５０）は、下記式（Ａ）から算出した。
式（Ａ） Δｎ（５５０）＝Ｒｅ（５５０）（ｎｍ）／膜厚（ｎｍ）
また、赤外線用偏光子を備えた分光光度計（ＭＰＣ－３１００（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製））を用いて、赤外線領域での吸収を確認したところ、λｍａｘ８０５ｎｍにピークを発現することを確認した。
また、色素Ｄ－１の極大吸収波長（８００ｎｍ）における光学異方性膜１の配向秩序度Ｓ０は、－０．３０であった。
また、光学異方性膜１の進相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収が、光学異方性膜１の遅相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収よりも大きかった。
また、光学異方性膜１の遅相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収が、光学異方性膜１の進相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収よりも大きかった。
得られた光学異方性膜１の光学特性を測定したところ、Ｒｅ（５５０）が１４２ｎｍ、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８３、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）が１．１５、膜厚が２３２８ｎｍ、Δｎ（５５０）が０．０６１であった。ここで、Δｎ（５５０）は、下記式（Ａ）から算出した。
式（Ａ） Δｎ（５５０）＝Ｒｅ（５５０）（ｎｍ）／膜厚（ｎｍ）
また、赤外線用偏光子を備えた分光光度計（ＭＰＣ－３１００（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製））を用いて、赤外線領域での吸収を確認したところ、λｍａｘ８０５ｎｍにピークを発現することを確認した。
また、色素Ｄ－１の極大吸収波長（８００ｎｍ）における光学異方性膜１の配向秩序度Ｓ０は、－０．３０であった。
また、光学異方性膜１の進相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収が、光学異方性膜１の遅相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収よりも大きかった。
また、光学異方性膜１の遅相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収が、光学異方性膜１の進相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収よりも大きかった。
＜実施例２＞
色素Ｄ－１の使用量を１０質量部から７質量部に変えた以外は、実施例１と同様の手順に従って、光学異方性膜２を作製した。
得られた光学異方性膜２の光学特性を測定したところ、Ｒｅ（５５０）が１４０ｎｍ、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８０、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）が１．１４、膜厚が２４１２ｎｍ、Δｎ（５５０）が０．０５８であった。
また、赤外線用偏光子を備えた分光光度計（ＭＰＣ－３１００（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製））を用いて、赤外線領域での吸収を確認したところ、波長８０５ｎｍにピーク（λｍａｘ）を発現することを確認した。
また、色素Ｄ－１の極大吸収波長（８００ｎｍ）における光学異方性膜２の配向秩序度Ｓ０は、－０．３０であった。
また、光学異方性膜２の進相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収が、光学異方性膜２の遅相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収よりも大きかった。
また、光学異方性膜２の遅相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収が、光学異方性膜２の進相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収よりも大きかった。
色素Ｄ－１の使用量を１０質量部から７質量部に変えた以外は、実施例１と同様の手順に従って、光学異方性膜２を作製した。
得られた光学異方性膜２の光学特性を測定したところ、Ｒｅ（５５０）が１４０ｎｍ、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８０、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）が１．１４、膜厚が２４１２ｎｍ、Δｎ（５５０）が０．０５８であった。
また、赤外線用偏光子を備えた分光光度計（ＭＰＣ－３１００（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製））を用いて、赤外線領域での吸収を確認したところ、波長８０５ｎｍにピーク（λｍａｘ）を発現することを確認した。
また、色素Ｄ－１の極大吸収波長（８００ｎｍ）における光学異方性膜２の配向秩序度Ｓ０は、－０．３０であった。
また、光学異方性膜２の進相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収が、光学異方性膜２の遅相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収よりも大きかった。
また、光学異方性膜２の遅相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収が、光学異方性膜２の進相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収よりも大きかった。
＜比較例１＞
下記の光学異方性膜形成用組成物を調製した。
上記液晶性化合物Ｌ－１ ５０質量部
上記液晶性化合物Ｌ－２ ５０質量部
上記光重合開始剤ＰＩ－１ ０．５０質量部
上記含フッ素化合物Ｆ－１ ０．２０質量部
クロロホルム ５６０質量部
下記の光学異方性膜形成用組成物を調製した。
上記液晶性化合物Ｌ－１ ５０質量部
上記液晶性化合物Ｌ－２ ５０質量部
上記光重合開始剤ＰＩ－１ ０．５０質量部
上記含フッ素化合物Ｆ－１ ０．２０質量部
クロロホルム ５６０質量部
実施例１と同じ方法で塗膜を形成し、塗膜を１２０℃で１分間加熱したのちに、６０℃まで徐冷した。その後に、酸素濃度が１．０体積％以下の雰囲気になるように窒素パージし、高圧水銀ランプを用い照射量３００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を塗膜に照射し、光学異方性膜Ｃ１を作製した。
得られた光学異方性膜Ｃ１の光学特性を測定したところ、Ｒｅ（５５０）が１４０ｎｍ、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．６９、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）が１．０９、膜厚が３３３３ｎｍ、Δｎ（５５０）が０．０４２であった。
また、光学異方性膜Ｃ１の進相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収と、光学異方性膜Ｃ１の遅相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収とで差がなかった。
また、光学異方性膜Ｃ１の遅相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収と、光学異方性膜Ｃ１の進相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収とで差がなかった。
得られた光学異方性膜Ｃ１の光学特性を測定したところ、Ｒｅ（５５０）が１４０ｎｍ、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．６９、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）が１．０９、膜厚が３３３３ｎｍ、Δｎ（５５０）が０．０４２であった。
また、光学異方性膜Ｃ１の進相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収と、光学異方性膜Ｃ１の遅相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収とで差がなかった。
また、光学異方性膜Ｃ１の遅相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収と、光学異方性膜Ｃ１の進相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収とで差がなかった。
＜比較例２＞
下記の光学異方性膜形成用組成物を調製した。
上記液晶性化合物Ｌ－１ ５０質量部
上記液晶性化合物Ｌ－２ ５０質量部
上記色素Ｄ－２ １０質量部
上記光重合開始剤ＰＩ－１ ０．５０質量部
上記含フッ素化合物Ｆ－１ ０．２０質量部
クロロホルム ５６０質量部
下記の光学異方性膜形成用組成物を調製した。
上記液晶性化合物Ｌ－１ ５０質量部
上記液晶性化合物Ｌ－２ ５０質量部
上記色素Ｄ－２ １０質量部
上記光重合開始剤ＰＩ－１ ０．５０質量部
上記含フッ素化合物Ｆ－１ ０．２０質量部
クロロホルム ５６０質量部
実施例１と同じ方法で塗膜を形成し、塗膜を２１０℃で１分間加熱したのちに、６０℃まで徐冷した。その後に、酸素濃度が１．０体積％以下の雰囲気になるように窒素パージし、高圧水銀ランプを用い照射量３００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を塗膜に照射し、光学異方性膜Ｃ２を作製した。
得られた光学異方性膜Ｃ２の光学特性をＡ測定したところ、Ｒｅ（５５０）が１４１ｎｍ、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．７６、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）が１．１５、膜厚が２６６０ｎｍ、Δｎ（５５０）が０．０５３であった。
また、赤外線用偏光子を備えた分光光度計（ＭＰＣ－３１００（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製））を用いて、赤外線領域での吸収を確認したところ、波長８０８ｎｍにピーク（λｍａｘ）を発現することを確認した。
また、色素Ｄ－２の極大吸収波長（８００ｎｍ）における光学異方性膜Ｃ３の配向秩序度Ｓ０は、－０.３１であった。
また、光学異方性膜Ｃ２の進相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収が、光学異方性膜Ｃ２の遅相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収よりも大きかった。
また、光学異方性膜Ｃ２の遅相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収と、光学異方性膜Ｃ２の進相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収とで差がなかった。
得られた光学異方性膜Ｃ２の光学特性をＡ測定したところ、Ｒｅ（５５０）が１４１ｎｍ、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．７６、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）が１．１５、膜厚が２６６０ｎｍ、Δｎ（５５０）が０．０５３であった。
また、赤外線用偏光子を備えた分光光度計（ＭＰＣ－３１００（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製））を用いて、赤外線領域での吸収を確認したところ、波長８０８ｎｍにピーク（λｍａｘ）を発現することを確認した。
また、色素Ｄ－２の極大吸収波長（８００ｎｍ）における光学異方性膜Ｃ３の配向秩序度Ｓ０は、－０.３１であった。
また、光学異方性膜Ｃ２の進相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収が、光学異方性膜Ｃ２の遅相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収よりも大きかった。
また、光学異方性膜Ｃ２の遅相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収と、光学異方性膜Ｃ２の進相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収とで差がなかった。
＜比較例３＞
下記の光学異方性膜形成用組成物を調製した。
上記液晶性化合物Ｌ－１ ５０質量部
上記液晶性化合物Ｌ－２ ５０質量部
上記色素Ｄ－３ １０質量部
上記光重合開始剤ＰＩ－１ ０．５０質量部
上記含フッ素化合物Ｆ－１ ０．２０質量部
クロロホルム ５６０質量部
下記の光学異方性膜形成用組成物を調製した。
上記液晶性化合物Ｌ－１ ５０質量部
上記液晶性化合物Ｌ－２ ５０質量部
上記色素Ｄ－３ １０質量部
上記光重合開始剤ＰＩ－１ ０．５０質量部
上記含フッ素化合物Ｆ－１ ０．２０質量部
クロロホルム ５６０質量部
実施例１と同じ方法で塗膜を形成し、塗膜を１２０℃で１分間加熱したのちに、６０℃まで徐冷した。その後に、酸素濃度が１．０体積％以下の雰囲気になるように窒素パージし、高圧水銀ランプを用い照射量３００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を塗膜に照射し、光学異方性膜Ｃ３を作製した。
得られた光学異方性膜Ｃ３の光学特性を測定したところ、Ｒｅ（５５０）が１４１ｎｍ、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．７４、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）が１．１９、膜厚が２７６５ｎｍ、Δｎ（５５０）が０．０５１であった。
また、赤外線用偏光子を備えた分光光度計（ＭＰＣ－３１００（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製））を用いて、赤外線領域での吸収を確認したところ、波長８０７ｎｍにピーク（λｍａｘ）を発現することを確認した。
また、色素Ｄ－３の極大吸収波長（８００ｎｍ）における光学異方性膜Ｃ３の配向秩序度Ｓ０は、－０.３０であった。
また、光学異方性膜Ｃ３の進相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収が、光学異方性膜Ｃ３の遅相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収よりも大きかった。
また、光学異方性膜Ｃ３の遅相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収と、光学異方性膜Ｃ３の進相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収とで差がなかった。
得られた光学異方性膜Ｃ３の光学特性を測定したところ、Ｒｅ（５５０）が１４１ｎｍ、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．７４、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）が１．１９、膜厚が２７６５ｎｍ、Δｎ（５５０）が０．０５１であった。
また、赤外線用偏光子を備えた分光光度計（ＭＰＣ－３１００（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製））を用いて、赤外線領域での吸収を確認したところ、波長８０７ｎｍにピーク（λｍａｘ）を発現することを確認した。
また、色素Ｄ－３の極大吸収波長（８００ｎｍ）における光学異方性膜Ｃ３の配向秩序度Ｓ０は、－０.３０であった。
また、光学異方性膜Ｃ３の進相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収が、光学異方性膜Ｃ３の遅相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収よりも大きかった。
また、光学異方性膜Ｃ３の遅相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収と、光学異方性膜Ｃ３の進相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収とで差がなかった。
上述した方法により、色素Ｄ－１～色素Ｄ－３中の式（１）のＤに該当する色素骨格およびＸに該当する式（２）で表される基の極大吸収波長を測定した。色素骨格の極大吸収波長を「Ｄのλmax（ｎｍ）」欄に、式（２）で表される基の極大吸収波長を「Ｘのλmax（ｎｍ）」欄に示す。
上記表１に示すように、本発明の光学異方性膜であれば、所望の効果が得られることが確認された。
Claims (7)
- 式（１）で表される化合物を含む組成物を用いて形成された、逆波長分散性を示す光学異方性膜であって、
前記光学異方性膜の遅相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収が、前記光学異方性膜の進相軸の方向での波長２８０～４００ｎｍにおける吸収よりも大きく、
前記光学異方性膜の進相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収が、前記光学異方性膜の遅相軸の方向での波長７００～９００ｎｍにおける吸収よりも大きい、光学異方性膜。
式（１） （Ｘ）ｐ－Ｄ
Ｄは、波長７００～９００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する色素骨格を表す。Ｘは、波長２８０～４００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する、式（２）で表される基を表す。ｐは、１以上の整数を表す。
式（２） Ｙ－ＳＰ－（Ａ－Ｚ）ｎ－＊
Ｙは、水素原子または重合性基を表す。Ａは、置換基を有していてもよい２価の芳香族環基、または、置換基を有していてもよい２価の非芳香族環基を表す。Ｚは、単結合、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２Ｏ－、－ＣＨ２ＮＲ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＨ＝Ｎ－、－Ｎ＝Ｎ－、－Ｃ≡Ｃ－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＲ－、－ＣＯＯＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＯＮＲＣＨ２ＣＨ２－、－ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ－、および、－Ｃ≡Ｃ－Ｃ≡Ｃ－からなる群から選択される連結基を示す。また、Ｚ中の水素原子のうち少なくとも１つ以上がフッ素原子で置き換わっていてもよい。Ｒは、水素原子または炭素数１～６のアルキル基を表す。ｎは、1～１０の整数を表す。ＳＰは、炭素数１～２０の直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基を示し、前記脂肪族炭化水素基を構成する－ＣＨ２－が－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＨ－、－Ｎ（ＣＨ３）－、または、－ＣＯＯ－で置き換わっていてもよい。式（２）中、＊は結合位置を表す。
前記色素骨格の極大吸収波長としては、前記式（１）中のＸをＣＨ３基に置き換えた化合物を用いて測定される極大吸収波長を用いる。前記式（２）で表される基の極大吸収波長としては、前記式（１）中のＤをＣＨ３基に置き換えた化合物を用いて測定される極大吸収波長を用いる。 - Ｄが、式（３－１）～式（３－４）のいずれかで表される骨格である、請求項１に記載の光学異方性膜。
Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、少なくとも一方は電子吸引性基を表す。Ｒ１１およびＲ１２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ１３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、置換ホウ素または金属原子を表し、Ｒ１１と共有結合または配位結合していてもよい。
Ｒ１４～Ｒ１７は、それぞれ独立に、水素原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、ニトロ基、または、ハロゲン原子を表し、Ｒ１４とＲ１５、および、Ｒ１６とＲ１７は互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ１８およびＲ１９は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。Ｒ２０～Ｒ２４は、それぞれ独立に、水素原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、ニトロ基、または、ハロゲン原子を表す。Ａは、それぞれ独立に、ＣＲ３１または３価の原子を表し、Ｒ３１は水素原子または置換基を表す。
Ｒ２５～Ｒ２７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。Ｒ２８～Ｒ３０は、それぞれ独立に、水素原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、ニトロ基、または、ハロゲン原子を表す。 - 液晶化合物またはポリマー、および、
前記式（１）で表される化合物、を含む組成物を用いて形成された、請求項１または２に記載の光学異方性膜。 - 前記液晶化合物が、逆波長分散性液晶化合物である、請求項３に記載の光学異方性膜。
- 延伸フィルムである、請求項１または２に記載の光学異方性膜。
- 請求項１～５のいずれか１項に記載の光学異方性膜と、偏光子とを有する、偏光板。
- 請求項１～５のいずれか１項に記載の光学異方性膜、または、請求項６に記載の偏光板を有する、画像表示装置。
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