JP7239905B2 - 分析装置 - Google Patents

分析装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7239905B2
JP7239905B2 JP2021530485A JP2021530485A JP7239905B2 JP 7239905 B2 JP7239905 B2 JP 7239905B2 JP 2021530485 A JP2021530485 A JP 2021530485A JP 2021530485 A JP2021530485 A JP 2021530485A JP 7239905 B2 JP7239905 B2 JP 7239905B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
groove
piezoelectric substrate
electrode
protrusion
analyzer according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021530485A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2021005834A1 (ja
JPWO2021005834A5 (ja
Inventor
英太郎 亀田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of JPWO2021005834A1 publication Critical patent/JPWO2021005834A1/ja
Publication of JPWO2021005834A5 publication Critical patent/JPWO2021005834A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7239905B2 publication Critical patent/JP7239905B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01GWEIGHING
    • G01G9/00Methods of, or apparatus for, the determination of weight, not provided for in groups G01G1/00 - G01G7/00
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N5/00Analysing materials by weighing, e.g. weighing small particles separated from a gas or liquid
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/02Analysing fluids
    • G01N29/022Fluid sensors based on microsensors, e.g. quartz crystal-microbalance [QCM], surface acoustic wave [SAW] devices, tuning forks, cantilevers, flexural plate wave [FPW] devices
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/02Analysing fluids
    • G01N29/036Analysing fluids by measuring frequency or resonance of acoustic waves
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/22Details, e.g. general constructional or apparatus details
    • G01N29/222Constructional or flow details for analysing fluids
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N37/00Details not covered by any other group of this subclass
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N5/00Analysing materials by weighing, e.g. weighing small particles separated from a gas or liquid
    • G01N5/02Analysing materials by weighing, e.g. weighing small particles separated from a gas or liquid by absorbing or adsorbing components of a material and determining change of weight of the adsorbent, e.g. determining moisture content
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume, or surface-area of porous materials
    • G01N2015/0042Investigating dispersion of solids
    • G01N2015/0046Investigating dispersion of solids in gas, e.g. smoke
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume, or surface-area of porous materials
    • G01N2015/0042Investigating dispersion of solids
    • G01N2015/0053Investigating dispersion of solids in liquids, e.g. trouble
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/04Wave modes and trajectories
    • G01N2291/042Wave modes
    • G01N2291/0426Bulk waves, e.g. quartz crystal microbalance, torsional waves
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/08Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
    • H10N30/082Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by etching, e.g. lithography
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H10N30/204Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
    • H10N30/2047Membrane type

Description

本発明は、分析装置に関する。
従来、水晶振動子などの圧電振動子の共振現象を利用して、液体に含まれる対象物の質量を分析する、QCM(Quartz Crystal Microbalance)と呼ばれる方法が知られている。具体的には、圧電振動子の電極に物質が付着すると、付着した物質の質量に応じて振動子の共振周波数が変化する。QCMは、当該共振周波数の変化を検知することにより、液体に含まれる物質の質量を測定する技術である。例えば下記特許文献1には、一方の面に形成された溝形状の凸凹部の上部に検出用電極と吸着膜が設けられ、他方の面に対向電極が設けられた圧電基板が開示されている。
特開2007-57289号公報
上記特許文献1に開示された圧電基板では、検出用電極が凸凹部の上部のみに設けられているため、当該検出用電極の上に設けられる吸着膜の面積が限られる。これにより、測定対象となる物質の吸着量が不足し、信号変化量が小さくなり得る。
本開示はこのような事情に鑑みてなされたものであり、本開示の目的は、物質の分析精度が向上する分析装置を提供することである。
本開示の一側面に係る分析装置は、対向する一対の主面を有する圧電基板と、圧電基板の一方の主面側に設けられ、分析対象が流れる流路を構成する溝部と、溝部内の少なくとも一部に設けられた第1電極と、圧電基板の他方の主面に、圧電基板を挟んで第1電極と対向して設けられ、第1電極との間に圧電振動を生じさせる第2電極と、を備え、溝部内において、溝部の底面から突出した少なくとも一つの突出部が設けられ、溝部の底面から少なくとも一つの突出部の側面に至る領域において、第1電極及び吸着材の少なくとも一方が設けられる。
本開示によれば、物質の分析精度が向上する分析装置を提供することができる。
図1は、本開示の第1実施形態に係る分析装置の構成例を示す斜視図である。 図2は、図1に示される圧電基板の平面図である。 図3は、図1におけるIII-III線断面図である。 図4は、図2に示される吸着領域の構成例を示す平面図である。 図5は、図4におけるV-V線断面図である。 図6は、本開示の第1実施形態の第1変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す平面図である。 図7は、図6におけるVII-VII線断面図である。 図8は、本開示の第1実施形態の第2変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す平面図である。 図9は、図8におけるIX-IX線断面図である。 図10は、本開示の第1実施形態の第3変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す平面図である。 図11は、本開示の第1実施形態の第4変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す平面図である。 図12は、本開示の第1実施形態の第5変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す平面図である。 図13は、本開示の第1実施形態の第6変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す平面図である。 図14は、図13におけるXIV-XIV線断面図である。 図15は、本開示の第1実施形態の第7変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す平面図である。 図16は、図15におけるXVI-XVI線断面図である。 図17は、本開示の第1実施形態の第8変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す平面図である。 図18は、図17におけるXVIII-XVIII線断面図である。 図19は、本開示の第1実施形態の第9変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す平面図である。 図20は、本開示の第1実施形態の第10変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す平面図である。 図21は、本開示の第1実施形態の第11変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す断面図である。 図22は、本開示の第1実施形態の第12変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す断面図である。 図23は、本開示の第1実施形態の第13変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す断面図である。 図24は、本開示の第2実施形態に係る分析装置の構成例を示す平面図である。 図25は、本開示の第3実施形態に係る分析装置の構成例を示す平面図である。
以下に本開示の実施の形態を説明する。なお、以下の図面の記載において同一又は類似の構成要素は同一又は類似の符号で表している。図面は例示であり、各部の寸法や形状は模式的なものであり、本開示の技術的範囲を当該実施の形態に限定して解するべきではない。
図1から図3を参照して、本開示の第1実施形態に係る分析装置について説明する。図1は、本開示の第1実施形態に係る分析装置の構成例を示す斜視図である。図2は、図1に示される圧電基板の平面図である。図3は、図1におけるIII-III線断面図である。
本実施形態に係る分析装置100は、QCM(Quartz Crystal Microbalance)を利用したマイクロセンサのように、例えば液体に含まれる分析対象となる物質の質量を検出するセンサとしての機能を有する。なお、以下では分析装置100に液体が導入される場合を例として説明するが、分析装置100に導入される物質は液体に限られず、ガスやその他の流動性を有する流体であってもよい。
分析装置100は、例えば圧電基板10及び蓋部材20を備える。なお、以下では互いに直交するx軸、y軸、及びz軸の直交座標系を用いて説明するが、これらの座標系は後述する部材の結晶軸(Crystallographic Axes)とは無関係である。
圧電基板10及び蓋部材20は、それぞれ平板状をなし、x軸及びy軸により規定される平面(以下、「xy平面」とも呼ぶ。他の平面においても同様である。)に平行な矩形状の一対の主面と、z軸に平行な厚みとを有する。圧電基板10は、例えば水晶基板等の圧電部材により構成される。
以下では、圧電基板10の一例として、圧電基板10がATカットされた水晶基板により構成されるものとして説明する。ATカットとは、水晶の結晶軸であるX軸、Y軸、Z軸のうち、Y軸及びZ軸をX軸の周りにY軸からZ軸の方向に35度15分±1分30秒回転させた軸をそれぞれY´軸及びZ´軸とした場合、X軸及びZ´軸によって特定される面と平行な面を主面として人工水晶(Synthetic Quartz Crystal)から切り出されたものである。なお、水晶基板のカットはATカットに限られず、BTカット等の他のカットであってもよい。
図2及び図3に示されるように、蓋部材20と対向する側の圧電基板10の主面110aには、液体が導入される導入口11と、液体が排出される排出口12と、液体が流れる流路となる溝部13と、が形成されている。
導入口11は、圧電基板10の主面110aのx軸正方向かつy軸負方向側の角付近に設けられている。排出口12は、圧電基板10の主面110aのx軸負方向かつy軸正方向側の角付近に設けられている。すなわち、導入口11と排出口12とは圧電基板10の主面110aの対角線状に設けられている。
溝部13は、圧電基板10の主面110aの平面視において、導入口11から排出口12に向かって渦巻状に形成されている。導入口11から導入された液体は、排出口12に向かって溝部13内を流れる。なお、溝部13の経路の形状は渦巻状に限られず、例えば櫛型状であってもよい。液体が流れる流路の長さが長いほど液体に含まれる物質の分離幅を広くとることができるため、分析対象となる物質を分離させる上で好ましい。溝部13内において分析対象となる物質を吸着する領域である吸着領域14の構成については後述する。
蓋部材20には、厚み方向において圧電基板10の導入口11及び排出口12に重なる箇所にそれぞれ貫通孔21,22が設けられている。貫通孔21,22は、それぞれ蓋部材20を厚み方向に貫通し、圧電基板10に形成された導入口11及び排出口12に接続する。蓋部材20は、例えば圧電基板10と同様に水晶基板により構成され、圧電基板10に接合されてよい。これにより、圧電基板10と蓋部材20との間に密閉された流路が形成される。
次に、図4及び図5を参照して、吸着領域14の構成について詳細に説明する。
図4は、図2に示される吸着領域の構成例を示す平面図である。図5は、図4におけるV-V線断面図である。図4の平面図は、圧電基板10の主面110aの平面視と同方向の図である。
図4及び図5に示されるように、圧電基板10の吸着領域14には、突出部30と、接地電極31と、吸着材32と、一対の励振電極33,34と、が設けられている。
突出部30は、溝部13内において、溝部13の底面130から蓋部材20側に向かって突出している。本実施形態において突出部30は、液体の進行方向(すなわち、溝部13の長さ方向)に沿って延びる平板状をなし、液体の進行方向と直交する方向(すなわち、溝部13の幅方向)における中央付近に設けられている。突出部30のz軸方向の長さ(すなわち、高さ)は、例えば溝部13のz軸方向の長さ(すなわち、深さ)より短く、z軸方向において突出部30は溝部13から出ないように形成されている。突出部30は、例えば圧電基板10と同じ材料により構成され、圧電基板10とともに振動子として機能する基板突出部であってもよい。突出部30を圧電基板10と同じ材料により構成する場合、例えば圧電基板10の溝部13を形成する工程において、圧電基板10の一部の部材を残すようにエッチング加工を施すことにより、溝部13とともに形成することができる。なお、後述するように、突出部30は、圧電基板10と異なる材料により構成されていてもよい。
接地電極31(第1電極)は、接地電位が供給される電極である。接地電極31は、溝部13の幅方向に沿って、突出部30の表面を覆うように設けられている。本実施形態における接地電極31は、突出部30を隔てた溝部13の一方側の底面130から突出部30の一方側の側面、突出部30の上面、及び突出部30の他方側の側面を通り、溝部13の他方側の底面130にわたって設けられている。なお、接地電極31は、必ずしも突出部30の表面全体を覆う必要はなく、少なくとも溝部13の底面130から突出部30の側面に至る領域を覆うように設けられていればよい。
一対の励振電極33,34(第2電極)は、圧電基板10の他方の主面110bにおいて、圧電基板10を挟んで接地電極31と対向して設けられている。一対の励振電極33,34は、それぞれ突出部30に対して溝部13の幅方向の両側に設けられており、底面130の平面視において突出部30と重ならないように設けられている。一対の励振電極33,34のそれぞれに交流電圧が印加されることにより、接地電極31との間に所定の励振モードの圧電振動が生じる。
例えば圧電基板10において、水晶の結晶軸であるX軸が溝部13の長さ方向に沿い、Z´軸が溝部13の幅方向に沿う場合、圧電基板10に厚みすべり振動が生じ、溝部13が図4に示される黒色矢印及び白色矢印の方向に振動する。なお、図4に示される矢印の色の区別は、変位のタイミングの違いを示している。黒色矢印の移動と白色矢印の移動が交互に繰り返されることにより厚みすべり振動となる。このことは他の図面においても同様である。
吸着材32は、接地電極31の表面上の少なくとも一部を覆うように設けられている。本実施形態では、吸着材32は、接地電極31と同様に、溝部13の一方側の底面130から突出部30の一方側の側面、突出部30の上面、及び突出部30の他方側の側面を通り、溝部13の他方側の底面130にわたって設けられている。吸着材32は、例えば分析対象となる物質を選択的に吸着する吸着膜であってもよい。吸着材32が特定の物質を吸着すると、突出部30及びその周囲の溝部13の底面130の励振が変わり、圧電基板10の励振の共振周波数が変化する。この共振周波数の変化を検知することにより、吸着材32に付着した物質の質量を計測することができ、ひいては液体に含まれる物質の質量や濃度を測定することができる。
吸着領域14は、液体の流路となる溝部13のうち導入口11よりも排出口12の近くに設けられることが好ましい。例えば液体が複数の種類の物質を含み、分析装置100がクロマトグラフィーの原理を利用して特定の物質を分析する場合に、吸着材32が設けられる位置が導入口11から遠いほど、溝部13を流れる過程で液体の含有物の分離が進み、吸着材32が特定の物質を吸着しやすくなる。
上記構成によれば、圧電基板10の溝部13において、溝部13の底面130のみならず、突出部30の側面にも吸着材32が形成される。これにより、例えば溝部の底面のみに吸着材が形成される構成に比べて、吸着材の表面積が増え、溝部13を流れる液体と吸着材32の接触面積が増える。従って、物質が吸着材32に付着することによる圧電基板10の共振周波数の変化量が増大するため、より高い分解能で物質の質量や濃度を測定することができる。
上記構成によれば、突出部30の長辺が液体の流れる方向に平行となるように設けられているため、突出部30が液体の流れの抵抗となることが抑制される。また、突出部30は、厚みすべり振動による変位が比較的小さい領域である溝部13の幅方向における中央付近に設けられている。これらにより、突出部30が圧電基板10の厚みすべり振動に与える影響が抑制されるため、振動特性の劣化が抑制され、Q値を高く保つことができる。
上記構成によれば、溝部13の振動に伴って、突出部30が溝部13の底面130の平面視において回転するように振動する(図4破線矢印参照)。これにより、突出部30が振動しない構成に比べて、吸着材32が対象物質を吸着しやすくなり、対象物質の吸着量が増大し得る。
上記構成によれば、一対の励振電極33,34がいずれも溝部13の外側である圧電基板10の主面110bに形成される。従って、後述する変形例のように一対の励振電極が溝部13の内側と外側に分かれて形成される構成や、溝部の内側に形成される構成に比べて、交流電圧の印加のための配線が形成しやすい。
なお、突出部30の形状や大きさが溝部13内における液体の流れに影響を与えることにより、例えば液体の流速を制御してもよい。あるいは、液体の突出部30への衝突により生じる共振周波数の変化に基づいて、液体の流速を測定してもよい。
また、本実施形態においては、突出部30の形状が平板状であるが、当該突出部の形状は特に限定されない。また、後述するように、突出部30の配置の方向及び位置は特に限定されない。
また、圧電基板10を圧電振動させるための電極の構成は上記態様に限られない。例えば、溝部の内側に一対の励振電極が設けられ、当該一対の励振電極に対向するように溝部の外側(圧電基板10の主面110b)に接地電極が設けられる構成であってもよい。この場合、例えば一対の励振電極は、突出部の一方の側面側と他方の側面側にそれぞれ設けられ、これらの一対の励振電極の表面にそれぞれ吸着材が設けられてもよい。また、接地電極31は、接地電位が供給される代わりに浮き電極であってもよい。
図6は、本開示の第1実施形態の第1変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す平面図である。図7は、図6におけるVII-VII線断面図である。なお、図6は、図4に示される平面図と同様の方向を示す。後述する図8、図10から図13、図15、図17、図19及び図20についても同様である。以下の説明においては、上述の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態及び変形例毎には逐次言及しない。
図6及び図7に示されるように、第1変形例に係る圧電基板10Aは、上述の圧電基板10に比べて2つの凹部40a,40bがさらに設けられている点において相違する。2つの凹部40a,40bは、溝部13の底面130から圧電基板10Aの主面110b側に向かって窪む領域である。2つの凹部40a,40bは、それぞれ、突出部30に対して溝部13の幅方向における両側において、溝部13の長さ方向に沿って延びるように設けられている。
溝部13内に2つの凹部40a,40bが設けられることにより、突出部30を含む振動領域が溝部13の側面と隔てられ、溝部13の励振を吸着領域14に閉じ込めやすくなる。これにより、物質の分析精度が向上する。なお、凹部の数は2つに限られず、例えば突出部30の両側ではなく片側に1つの凹部が設けられる構成であってもよい。
図8は、本開示の第1実施形態の第2変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す平面図である。図9は、図8におけるIX-IX線断面図である。
図8及び図9に示されるように、第2変形例に係る圧電基板10Bは、上述の圧電基板10Aに比べて2つの凹部41a,41bが設けられる位置が異なる。第2変形例において、2つの凹部41a,41bは、それぞれ突出部30に対して溝部13の長さ方向における両側において、溝部13の幅方向に沿って延びるように設けられている。
このように、2つの凹部が設けられる位置は特に限定されず、圧電基板10Bの主面110aの平面視における突出部30の周囲であればよい。2つの凹部41a,41bが突出部30に対して溝部13の長さ方向の両側に設けられる場合であっても、圧電基板10Aと同様に励振が吸着領域14に閉じ込められやすくなるため、物質の分析精度が向上する。これらの凹部40a,40bと凹部41a,41bは組み合わせて設けられてもよく、例えば突出部30の全周を取り囲むように凹部が設けられていてもよい。
図10から図12は、それぞれ、本開示の第1実施形態の第3から第5変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す平面図である。なお、図10以降では、吸着材の図示が省略されている。
図10から図12に示されるように、第3から第5変形例は、図4に示される第1実施形態に比べて、突出部30Aの配置方向が異なっている。第3から第5変形例において、突出部30Aは平板状をなし、その長辺が溝部13の幅方向に沿うように配置されている。これに伴い、接地電極31Aは、溝部13の長さ方向に沿って、溝部13の底面130から突出部30Aの一方側の側面、上面、及び他方側の側面を通って他方側の底面130に至るように設けられている。吸着材(不図示)は、接地電極31Aの表面を覆うように設けられている。
図10に示されるように、第3変形例では、一対の励振電極33A,34Aは、図5に示される励振電極33,34と同様に、圧電基板10Cを挟んで接地電極31Aと対向する領域であって、突出部30Aを中心として対称となるように突出部30Aの両側に設けられている。
第3変形例では、一対の励振電極33A,34Aに交流電圧が印加されることにより、図10に示される黒色矢印及び白色矢印の方向の厚みすべり振動が生じる。本変形例では、変位が比較的小さい領域に突出部30Aが形成されるため、突出部30Aに起因する振動特性の劣化を抑制することができる。
図11に示されるように、第4変形例では、一対の励振電極33B,34Bは、圧電基板10Dを挟んで接地電極31Aと対向する領域であって、突出部30Aに対して非対称となるように設けられている。具体的に、一方の励振電極33Bは、底面130の平面視において、接地電極31Aの一端から突出部30Aを超える比較的広い領域にわたって設けられている。他方の励振電極34Bは、底面130の平面視において、接地電極31Aの他端から突出部30Aに至らない比較的狭い領域に設けられている。
第4変形例においても、一対の励振電極33B,34Bに交流電圧が印加されることにより、図11に示される黒色矢印及び白色矢印の方向の厚みすべり振動が生じる。第4変形例では、変位が比較的大きい領域に突出部30Aが形成されるため、突出部30A自体が振動することで対象物質の吸着量が増大し得る。このように、一対の励振電極33B,34Bは、必ずしも突出部30Aに対して対称に設けられていなくてもよい。
図12に示されるように、第5変形例では、一対の励振電極33C,34Cは、圧電基板10Eを挟んで接地電極31Aと対向する領域において、溝部13の長さ方向に沿って突出部30Aを跨いで設けられている。一対の励振電極33C,34Cは、溝部13の幅方向に沿って並んで設けられている。
第5変形例においても、一対の励振電極33C,34Cに交流電圧が印加されることにより、図12に示される黒色矢印及び白色矢印の方向の厚みすべり振動が生じる。第5変形例では、変位が比較的大きい領域に突出部30Aが形成されるため、突出部30A自体が振動することで対象物質の吸着量が増大し得る。
また、第3から第5変形例によると、上述の分析装置100に比べて突出部30Aが液体の流れの抵抗になりやすいため、液体の流速を落とすことができる。
図13は、本開示の第1実施形態の第6変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す平面図である。図14は、図13におけるXIV-XIV線断面図である。
図13及び図14に示される第6変形例は、図10に示される第3変形例に比べて電極の構成が異なっている。第6変形例では、接地電極31Aを備えず、溝部13の内側に一方の励振電極33D(第1電極)が設けられ、溝部13の外側であって圧電基板10Fの主面110bに他方の励振電極34D(第2電極)が設けられる。溝部13の内側の励振電極33Dは、上述の接地電極31Aと同様に、溝部13の長さ方向に沿って、溝部13の底面130から突出部30Aの一方側の側面、上面、及び他方側の側面を通って他方側の底面130に至るように設けられている。吸着材(不図示)は、溝部13の内側の励振電極33Dの表面を覆うように設けられている。励振電極34Dは、圧電基板10Fを挟んで励振電極33Dと対向するように設けられている。
このような構成であっても、対向する一対の励振電極33D,34Dに交流電圧が印加されることにより、図13及び図14に示される黒色矢印及び白色矢印の方向の厚みすべり振動が生じる。第6変形例は、接地電極を要しないため、上述の各変形例に比べて電極数を削減することができる。
図15は、本開示の第1実施形態の第7変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す平面図である。図16は、図15におけるXVI-XVI線断面図である。
図15及び図16に示される第7変形例は、図13及び図14に示される第6変形例に比べて、水晶の結晶軸の方向が異なる。第7変形例では、水晶の結晶軸であるX軸が溝部13の幅方向に沿い、Z´軸が溝部13の長さ方向に沿うように圧電基板10Gが配置される。この場合、一対の励振電極33D,34Dに交流電圧が印加されることにより、図15及び図16に示される黒色矢印及び白色矢印の方向(すなわち、結晶軸であるX軸に沿う方向)の厚みすべり振動が生じる。第7変形例では、液体が流れる方向と直交する方向に突出部30Aが振動するため、対象物質の吸着量が増大し得る。
図17は、本開示の第1実施形態の第8変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す平面図である。図18は、図17におけるXVIII-XVIII線断面図である。
図17及び図18に示される第8変形例は、図15及び図16に示される第7変形例に比べて、圧電基板10Hに2つの突出部30B,30Cが設けられている点が異なる。2つの突出部30B,30Cは、それぞれ平板状をなし、その長辺が溝部13の長さ方向に沿い、溝部13の幅方向に並んで配置されている。溝部13の内側の励振電極33Eは、2つの突出部30B,30Cの表面を覆うように設けられている。溝部13の外側の励振電極34Eは、圧電基板10Hを挟んで励振電極33Eと対向するように、圧電基板10Hの主面110bに設けられている。一対の励振電極33E,34Eに交流電圧が印加されることにより、図17及び図18に示される黒色矢印及び白色矢印の方向の厚みすべり振動が生じる。
このように、溝部13内に設けられる突出部の数は特に限られず、2つ以上であってもよい。第8変形例では、2つの突出部30B,30Cの長辺が液体の流れに沿い、かつ突出部30B,30Cが流体の流れとは直交する方向に振動する。従って、流体の流れに与える影響を抑制しつつ、対象物質の吸着量を増大させることができる。
図19は、本開示の第1実施形態の第9変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す平面図である。
図19に示される第9変形例は、図15に示される第7変形例に比べて、圧電基板10Iに設けられる励振電極の構成が異なる。具体的に、第9変形例では、溝部13の内側に1つの励振電極33Fが設けられ、溝部13の外側に4つの励振電極34Fa~34Fdが設けられている。4つの励振電極34Fa~34Fdは、それぞれ圧電基板10Iを挟んで励振電極33Fと対向し、かつ底面130の平面視において2×2の行列を成すように設けられている。
第9変形例では、1つの励振電極33Fと、4つの励振電極34Fa~34dとのそれぞれの間に交流電圧が印加されることにより、図19に示される黒色矢印及び白色矢印の方向の厚みすべり振動が生じる。これに伴い、突出部30Aは屈曲するように振動する(図19破線矢印参照)。突出部30A自体が振動することにより、対象物質の付着量が増大し得る。
このように、圧電基板に設けられる励振電極の数は特に限定されない。励振電極の数を増やすことにより、溝部13に生じる振動の態様を様々に変化させることができる。
図20は、本開示の第1実施形態の第10変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す平面図である。
図20に示される第10変形例では、圧電基板10Jに4つの突出部30D~30Gが設けられている。4つの突出部30D~30Gは、それぞれ平板状をなし、溝部13内において2×2の行列を成すように配置されている。一方の対角線状にある突出部30Dと突出部30Fは、その長辺が溝部13の幅方向に沿うように配置され、他方の対角線状にある突出部30Eと突出部30Gは、その長辺が溝部13の長さ方向に沿うように配置されている。各突出部30D~30Gに対して、溝部13の内側に1つの励振電極が設けられ、溝部13の外側に2つの励振電極が設けられている。これらの励振電極の配置は、上述のいずれかの変形例と同様であるため、詳細な説明を省略する。
4つの突出部30D~30Gによって囲まれた領域には、図20の矢印200が示すように渦が生じ、液体の流れに対流が生じる。これにより、溝部13を流れる液体が攪拌され、吸着材に物質が均等に吸着しやすくなる。
本変形例によると、液体の流れに対流が生じ、吸着材に物質が均等に吸着しやすくなるため、物質の分析精度が向上する。また、4つの突出部30D~30Gのそれぞれに励振電極が設けられるため、交流電圧の印加の際に同期をとったり、あるいは意図的にタイミングをずらしたりすることにより、流体の流れを効率よく制御することができる。加えて、4つの突出部30D~30Gの配置により、液体の流れを制御したり、流速を計測したりすることができる。
なお、図20に示される励振電極の配置は一例であり、これに替えて上述の様々な変形例における励振電極の配置が適用されてもよい。例えば、図17に示される第8変形例と同様に、4つの突出部30D~30Gの全てを1つの励振電極が覆う構成であってもよい。
図21は、本開示の第1実施形態の第11変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す断面図である。図22は、本開示の第1実施形態の第12変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す断面図である。なお、図21及び図22は、図5に示される断面図と同様の方向を示す。後述する図23についても同様である。
図21に示される第11変形例及び図22に示される第12変形例は、図5に示される圧電基板10に比べて、突出部30H,30Iを構成する材料がそれぞれ異なる。第11変形例に係る圧電基板10Kにおいては、溝部13の底面130Aは平坦であり、底面130A上に設けられた接地電極31Bが溝部13の底面130Aから突出して形成されて突出部30Hを構成する。接地電極31Bの表面上には吸着材32が設けられる。
第12変形例に係る圧電基板10Lでは、溝部13の底面130A及び当該底面130A上に設けられた接地電極31Cは平坦であり、当該接地電極31C上に設けられた吸着材32Aが溝部13の底面130Aから突出して形成されて突出部30Iを構成する。これらの変形例のように、溝部13の底面130Aから突出した突出部30H,30Iを構成する材料は圧電基板に限られず、電極や吸着材であってもよく、さらに異なる材料であってもよい。
このような構成であっても、少なくとも溝部13の底面130Aから突出部30H,30Iの側面に至る領域に吸着材32,32Aが形成されるため、上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。
図23は、本開示の第1実施形態の第13変形例に係る分析装置における吸着領域の構成例を示す断面図である。第13変形例に係る圧電基板10Mでは、図5に示される圧電基板10に比べて、接地電極31上に吸着材が設けられない点において相違する。本実施形態では、接地電極31が分析対象を吸着する機能を有する。このように、溝部13の底面130から突出部30の側面に至る領域には、接地電極31及び吸着材の少なくとも一方が設けられていればよい。
このような構成であっても、接地電極31が分析対象を吸着するため、上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。上述のいずれの実施形態及び変形例においても同様に、吸着材が形成されず、接地電極が分析対象を吸着する構成であってもよい。
なお、上述した各変形例における突出部の数及び配置、並びに励振電極の数及び配置は一具体例であり、これに限定されない。上述の各変形例は組み合わせて構成されてもよい。
図24は、本開示の第2実施形態に係る分析装置の構成例を示す平面図である。なお、本実施形態に係る分析装置の蓋部材は、上述の分析装置100における蓋部材20と同様とすることができるため図示を省略する。以下に示す第3実施形態においても同様である。
図24に示されるように、本実施形態に係る圧電基板10Nは、3つの吸着領域14A~14Cを備える。なお、吸着領域14A~14Cの数は一例であり、これに限定されない。3つの吸着領域14A~14Cは、溝部13内において、溝部13の長さ方向(すなわち、液体の進行方向)に沿って並べて配置されている。各吸着領域14A~14Cにおける突出部等の構成は、上述の吸着領域における構成のいずれかを用いることができるため、詳細な説明を省略する。各吸着領域14A~14Cの構成は、それぞれ互いに同じであってもよく、互いに異なる構成の組み合わせであってもよい。3つの吸着領域14A~14Cに設けられた各吸着材は、例えばそれぞれ互いに異なる物質を選択的に吸着するものとすることができる。これにより、3つの突出部は、それぞれ異なる共振周波数で振動し、それぞれの共振周波数を検出すれば、各物質の質量や濃度を測定することができる。
本実施形態によると、各吸着領域14A~14Cにおいて互いに異なる物質が吸着されるため、複数の種類の物質の質量や濃度を同時に測定することができる。
なお、各吸着領域14A~14Cにおいて、例えば図8及び図9に示される圧電基板10Bのように、各突出部30に対して溝部13の長さ方向の両側に一対の凹部41a,41bが設けられる構成が適用されることが好ましい。これにより、各突出部における励振が各吸着領域14A~14Cに閉じ込められる度合いが向上するため、各突出部の振動の相互の干渉を抑制することができる。従って、凹部が設けられない構成に比べて、各物質の分析精度を向上させることができる。
図25は、本開示の第3実施形態に係る分析装置の構成例を示す平面図である。
図25に示されるように、本実施形態に係る圧電基板10Oは、上述の第1実施形態に係る分析装置100に比べて光学分析窓50をさらに備える。
光学分析窓50は、液体の流路を構成する溝部13の途中に設けられている。本実施形態において、光学分析窓50は、溝部13のうち排出口12の付近に設けられている。光学分析窓50は、圧電基板10の厚み方向に光を透過させる分析窓であり、光学分析器が取り付け可能なように配置される。
流路の途中に光学分析窓50を設けることにより、分析装置100に光学分析機能が付加される。例えば光学分析窓50が水晶により構成されている場合、透過可能な波長領域が比較的広く、例えば152nm程度の深紫外線をも透過させることができるので、多くの物質を分析することができる。
以上、本発明の例示的な実施形態について説明した。なお、以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更又は改良され得るとともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素及びその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
10,10A~10O…圧電基板、11…導入口、12…排出口、13…溝部、14,14A~14C…吸着領域、20…蓋部材、21,22…貫通孔、30,30A~30I…突出部、31,31A~31C…接地電極、32,32A…吸着材、33,33A~33F,34,34A~34E,34Fa~34Fd…励振電極、40a,40b,41a,41b…凹部、50…光学分析窓、100…分析装置、110a,110b…主面、130,130A…底面

Claims (10)

  1. 対向する一対の主面を有する圧電基板と、
    前記圧電基板の一方の主面側に設けられ、分析対象が流れる流路を構成する溝部と、
    前記溝部内の少なくとも一部に設けられた第1電極と、
    前記圧電基板の他方の主面に、前記圧電基板を挟んで前記第1電極と対向して設けられ、前記第1電極との間に圧電振動を生じさせる第2電極と、
    を備え、
    前記溝部内において、前記溝部の底面から突出した少なくとも一つの突出部が設けられ、前記溝部の底面から前記少なくとも一つの突出部の側面に至る領域において、吸材が設けられた、分析装置。
  2. 前記少なくとも一つの突出部は、前記溝部における前記分析対象の導入口よりも排出口の近くに設けられた、
    請求項1に記載の分析装置。
  3. 前記少なくとも一つの突出部は、前記溝部内において、前記溝部の長さ方向に沿って配置された複数の突出部を含み、
    前記複数の突出部におけるいずれか一つの突出部は、他の突出部とは異なる物質を吸着する、
    請求項1又は2に記載の分析装置。
  4. 前記圧電基板は、前記溝部内における前記少なくとも一つの突出部の周囲において、前記溝部の底面より前記圧電基板の他方の主面側に窪んだ少なくとも一つの凹部をさらに備える、
    請求項1から3のいずれか一項に記載の分析装置。
  5. 前記少なくとも一つの凹部は、前記少なくとも一つの突出部に対して前記溝部の長さ方向における両側に設けられた、
    請求項4に記載の分析装置。
  6. 前記溝部は、前記圧電基板の前記一対の主面の平面視において渦巻状をなして形成された、
    請求項1から5のいずれか一項に記載の分析装置。
  7. 前記少なくとも一つの突出部は、前記圧電基板と同じ材料からなる前記溝部の底面から突出した基板突出部を含み、前記第1電極が前記溝部の底面から前記基板突出部の側面に至る領域に設けられた、
    請求項1から6のいずれか一項に記載の分析装置。
  8. 前記少なくとも一つの突出部は、前記第1電極が前記溝部の底面から突出して形成されることにより構成された、
    請求項1から6のいずれか一項に記載の分析装置。
  9. 前記吸着材が、前記第1電極の表面上の少なくとも一部に設けられた、
    請求項7又は8に記載の分析装置。
  10. 前記少なくとも一つの突出部は、前記吸着材が前記溝部の底面から突出して形成されることにより構成された、
    請求項1から6のいずれか一項に記載の分析装置。
JP2021530485A 2019-07-10 2020-03-12 分析装置 Active JP7239905B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019128182 2019-07-10
JP2019128182 2019-07-10
PCT/JP2020/010773 WO2021005834A1 (ja) 2019-07-10 2020-03-12 分析装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPWO2021005834A1 JPWO2021005834A1 (ja) 2021-01-14
JPWO2021005834A5 JPWO2021005834A5 (ja) 2022-03-17
JP7239905B2 true JP7239905B2 (ja) 2023-03-15

Family

ID=74114496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021530485A Active JP7239905B2 (ja) 2019-07-10 2020-03-12 分析装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220113236A1 (ja)
JP (1) JP7239905B2 (ja)
DE (1) DE112020003288T5 (ja)
WO (1) WO2021005834A1 (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000180250A (ja) 1998-10-09 2000-06-30 Ngk Insulators Ltd 質量センサ及び質量検出方法
JP2003287538A (ja) 2002-01-28 2003-10-10 Kinseki Ltd Dnaチップおよびdna検査方法
JP2007121246A (ja) 2005-10-31 2007-05-17 Kyocera Kinseki Corp マイクロ流路
JP2008151721A (ja) 2006-12-20 2008-07-03 Meidensha Corp フローセル型qcmセンサ
JP2009281939A (ja) 2008-05-23 2009-12-03 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電センサー及び感知装置
JP2016004009A (ja) 2014-06-19 2016-01-12 株式会社大真空 センサ
JP2019509488A (ja) 2016-03-11 2019-04-04 コーボ ユーエス,インコーポレイティド 増加した動的測定範囲を有するbawセンサー流体装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4213061B2 (ja) * 2003-03-28 2009-01-21 シチズンホールディングス株式会社 Qcmセンサーおよびqcmセンサー装置
EP1672316B1 (fr) * 2004-12-20 2008-04-16 ETA SA Manufacture Horlogère Suisse Transducteur de mesure d'une vitesse angulaire
JP4616123B2 (ja) 2005-08-23 2011-01-19 セイコーインスツル株式会社 分析用マイクロセンサ
JP5038452B2 (ja) * 2010-03-23 2012-10-03 京セラ株式会社 弾性表面波装置および通信装置
WO2013039487A1 (en) * 2011-09-13 2013-03-21 Empire Technology Development Llc Miniaturized gas chromatograph
CN205920087U (zh) * 2016-08-18 2017-02-01 中国工程物理研究院总体工程研究所 一种具有双工作模式的压电晶体气体传感器
US10500853B2 (en) * 2017-04-18 2019-12-10 Seiko Epson Corporation Piezoelectric device, liquid ejecting head, and liquid ejecting apparatus

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000180250A (ja) 1998-10-09 2000-06-30 Ngk Insulators Ltd 質量センサ及び質量検出方法
JP2003287538A (ja) 2002-01-28 2003-10-10 Kinseki Ltd Dnaチップおよびdna検査方法
JP2007121246A (ja) 2005-10-31 2007-05-17 Kyocera Kinseki Corp マイクロ流路
JP2008151721A (ja) 2006-12-20 2008-07-03 Meidensha Corp フローセル型qcmセンサ
JP2009281939A (ja) 2008-05-23 2009-12-03 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電センサー及び感知装置
JP2016004009A (ja) 2014-06-19 2016-01-12 株式会社大真空 センサ
JP2019509488A (ja) 2016-03-11 2019-04-04 コーボ ユーエス,インコーポレイティド 増加した動的測定範囲を有するbawセンサー流体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2021005834A1 (ja) 2021-01-14
WO2021005834A1 (ja) 2021-01-14
DE112020003288T5 (de) 2022-05-25
US20220113236A1 (en) 2022-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100476562B1 (ko) 수평형 및 튜닝 포크형 진동식 마이크로 자이로스코프
US10393704B2 (en) Multi-frequency BAW mixing and sensing system and method
US20170168026A1 (en) Temperature compensation and operational configuration for bulk acoustic wave resonator devices
US20070089519A1 (en) High-Q longitudinal block resonators with annexed platforms for mass sensing applications
JP2006297333A (ja) 成分分離デバイスおよびこれを用いた成分の分離方法
US10812045B2 (en) BAW sensor with enhanced surface area active region
WO2011019702A1 (en) Mems in-plane resonators
WO2011133682A1 (en) Microelectromechanical gyroscopes and related apparatus and methods
JP7239905B2 (ja) 分析装置
KR970028443A (ko) 기계적 공진기를 구비한 속도 자이로스코프
JP5062399B2 (ja) マイクロ流路およびマイクロリアクタ
JP4616123B2 (ja) 分析用マイクロセンサ
US20190341907A1 (en) Bulk acoustic wave sensor having an overmoded resonating structure
JP4981998B2 (ja) 検出素子
JP4223997B2 (ja) 分析用マイクロセンサ
JP2008102118A (ja) Qcm分析装置
JPH11132770A (ja) 振動式角速度検出器
RU2533692C1 (ru) Мультисенсорная акустическая решетка для аналитических приборов "электронный нос" и "электронный язык"
JP5195926B2 (ja) 弾性波センサー
RU2304273C1 (ru) Интегральный микромеханический гироскоп на основе углеродных нанотрубок
JP2003315235A (ja) 分析方法
RU2353903C1 (ru) Интегральный микромеханический гироскоп
JP2013152209A (ja) 弾性表面波センサおよびその製造方法
JP6001342B2 (ja) 振動検出素子およびそれを用いた検出素子
JP5193541B2 (ja) 角速度検出装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211223

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211223

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221114

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230113

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230201

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230214

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7239905

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150