JP7228494B2 - 半導体集積回路、半導体集積回路装置およびモータ駆動制御システム - Google Patents

半導体集積回路、半導体集積回路装置およびモータ駆動制御システム Download PDF

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Description

本実施形態は、半導体集積回路、半導体集積回路装置およびモータ駆動制御システムに関する。
従来、モータの励磁コイルに対する電流のチャージ、ディスチャージ、及び低速ディスチャージを行うＨスイッチを有する半導体集積回路が開示されている。チャージ、ディスチャージ、及び低速ディスチャージは、Ｈスイッチを構成するスイッチング素子のオン／オフにより制御される。オン状態となったスイッチング素子は、そのオン抵抗に流れる電流によって発熱する。スイッチング素子の機能は、発熱によって劣化する。更に、スイッチング素子の寿命は、熱に晒される時間が長い程短くなる。従って、発熱を効率的に分散することが出来る半導体集積回路、半導体集積回路装置およびモータ駆動制御システムが望まれる。
特許第３６６５５６５号公報
一つの実施形態は、発熱を効率的に分散することが出来る半導体集積回路、半導体集積回路装置およびモータ駆動制御システムを提供することを目的とする。
一つの実施形態によれば、半導体集積回路は、モータの第１の励磁コイルに励磁電流を供給する第１の出力端と電源端子の間に主電流路が接続される第１のスイッチング素子と、前記第１の出力端と第１の接地端子の間に主電流路が接続される第２のスイッチング素子と、前記モータの前記第１の励磁コイルに励磁電流を供給する第２の出力端と前記電源端子との間に主電流路が接続される第３のスイッチング素子と、前記第２の出力端と前記第１の接地端子の間に主電流路が接続される第４のスイッチング素子と、前記第１から第４のスイッチング素子の駆動モードを設定するモード設定回路と、前記駆動モードに応じて、前記第１から第４のスイッチング素子のオン／オフを制御する駆動信号を生成して前記第１から第４のスイッチング素子に供給する制御回路と、を備え、前記駆動モードは、前記第１のスイッチング素子と前記第３のスイッチング素子をオンさせ前記第２のスイッチング素子と前記第４のスイッチング素子をオフさせる第１の放電モードと、前記第２のスイッチング素子と前記第４のスイッチング素子をオンさせ前記第１のスイッチング素子と前記第３のスイッチング素子をオフさせる第２の放電モードを有し、前記モータの第２の励磁コイルに励磁電流を供給する第３の出力端と前記電源端子の間に主電流路が接続される第５のスイッチング素子と、前記第３の出力端と第２の接地端子の間に主電流路が接続される第６のスイッチング素子と、前記第２の励磁コイルに励磁電流を供給する第４の出力端と前記電源端子との間に主電流路が接続される第７のスイッチング素子と、前記第４の出力端と前記第２の接地端子の間に主電流路が接続される第８のスイッチング素子と、をさらに備え、前記モード設定回路は前記第５から第８のスイッチング素子の駆動モードを設定し、前記制御回路は、前記駆動モードに応じて前記第５から第８のスイッチング素子のオン／オフを制御する駆動信号を生成して前記第５から第８のスイッチング素子に供給し、前記駆動モードは、前記第５のスイッチング素子と前記第７のスイッチング素子をオンさせ前記第６のスイッチング素子と前記第８のスイッチング素子をオフさせる第３の放電モードと、前記第６のスイッチング素子と前記第８のスイッチング素子をオンさせ前記第５のスイッチング素子と前記第７のスイッチング素子をオフさせる第４の放電モードを有し、前記モータの前記第１の励磁コイルに接続される第１のパッドと、前記モータの前記第１の励磁コイルに接続される第２のパッドと、前記モータの前記第２の励磁コイルに接続される第３のパッドと、前記モータの前記第２の励磁コイルに接続される第４のパッドと、前記第１から第４の出力端と前記第１から第４のパッドとの間の接続を切換える機能変更回路とをさらに備える。
第１の実施形態の半導体集積回路を説明する為の図。 第１の実施形態の半導体集積回路が集積された半導体集積回路装置の構成を概略的に示す図。 第１の実施形態の半導体集積回路の駆動モードを説明する為の図。 第１の実施形態の半導体集積回路の効果を説明する為の図。 第２の実施形態の半導体集積回路装置の構成を概略的に示す側面図。 第２の実施形態の半導体集積回路装置の第１の半導体チップの構成を概略的に示す図。 第２の実施形態の半導体集積回路装置の第２の半導体チップの構成を概略的に示す図。 機能変更回路の構成を概略的に示す図。 第２の実施形態の半導体集積回路装置の構成を概略的に示す平面図。 第２の実施形態の半導体集積回路装置の効果を説明する為の図。
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体集積、半導体集積回路装置およびモータ駆動制御システムを詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態の半導体集積回路を説明する為の図である。本実施形態の半導体集積回路は、Ａ相（第１相）側のＨスイッチ、Ｂ相（第２相）側のＨスイッチを含み、モータの駆動を制御する。モータは、励磁コイル１０、励磁コイル２０、ロータ１００を含む。励磁コイル１０と励磁コイル２０が発生する磁界によって、ロータ１００が制御される。
Ａ相側Ｈスイッチは、４個のＮＭＯＳトランジスタ１１～１４を含む。トランジスタ１１とトランジスタ１３のドレインは、パッドＰ３に接続される。パッドＰ３には、電圧ＶＭを供給する電圧源６００が接続される。ＮＭＯＳトランジスタ１１～１４のソース・ドレイン路は主電流路を形成する。トランジスタ１１のソースとトランジスタ１２のドレインは出力端１０－１に接続される。トランジスタ１２とトランジスタ１４のソースはパッドＰ２１に接続される。パッドＰ２１は、接地される。すなわち、トランジスタ１３のソースとトランジスタ１４のドレインは出力端１０－２に接続される。出力端１０－１はパッドＰ１０に接続され、出力端１０－２はパッドＰ１１に接続される。パッドＰ１０とパッドＰ１１間に励磁コイル１０が接続される。出力端１０－１と１０－２は、励磁コイル１０に供給される励磁電流を出力する。
Ｂ相側Ｈスイッチは、４個のＮＭＯＳトランジスタ２１～２４を含む。トランジスタ２１とトランジスタ２３のドレインは、パッドＰ３に接続される。トランジスタ２２とトランジスタ２４のソースはパッドＰ２２に接続される。パッドＰ２２は接地される。トランジスタ２１のソースとトランジスタ２２のドレインは出力端２０－１に接続される。トランジスタ２３のソースとトランジスタ２４のドレインは出力端２０－２に接続される。出力端２０－１はパッドＰ１２に接続され、出力端２０－２はパッドＰ１３に接続される。パッドＰ１２とパッドＰ１３間に励磁コイル２０が接続される。出力端２０－１と２０－２は、励磁コイル２０に供給される励磁電流を出力する。
夫々のＨスイッチを構成するトランジスタ１１～１４のゲート、及びトランジスタ２１～２４のゲートには、ＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）制御回路４０からＰＷＭ信号が供給される。ＰＷＭ制御回路４０から供給されるＰＷＭ信号によって各トランジスタ１１～１４及び２１～２４のオン／オフが制御される。各トランジスタのオン／オフによって励磁コイル１０と励磁コイル２０に流れる励磁電流が制御される。例えば、擬似正弦波形の励磁波形パターンに応じてＤｕｔｙが制御されたＰＷＭ信号が、各トランジスタ１１～１４及び２１～２４に供給され、ステッピングモータが構成される。
モード設定回路５０は、トランジスタ１１～１４、２１～２４の駆動モードを設定する。駆動モードは、励磁コイル１０、２０をチャージするチャージモード、励磁コイル１０、２０を高速にディスチャージする高速ディスチャージモード、励磁コイル１０、２０を低速でディスチャージする低速ディスチャージモードを含む。
本実施形態のモード設定回路５０は、電圧源６００側のトランジスタ１１と１３、及び２１と２３をオンさせて励磁コイル１０、２０のチャージを低速でディスチャージするモード（以下、Ｕモードという）と、接地側のトランジスタ１２と１４、及び２２と２４をオンさせて励磁コイル１０、２０のチャージを低速でディスチャージするモード（以下、Ｄモードという）を設定する。低速ディスチャージにおいて、ＵモードとＤモードを交互に行うことにより、トランジスタ１１～１４、及び２１～２４のオンの回数が均一化する。これにより、トランジスタ１１～１４、２１～２４がオンすることにより生じる熱の発生を均一化して分散することが出来る為、発熱に伴うトランジスタ１１～１４、２１～２４の機能低下を抑制して半導体集積回路の寿命を延ばすことが出来る。
図２は、第１の実施形態の半導体集積回路が集積された半導体チップ１の構成を概略的に示す図である。既述した構成に対応する構成には、同一符号を付し、重複した記載は必要な場合にのみ行う。以降、同様である。半導体チップ１は、パワー部領域３と制御部領域２を有する。
パワー部領域３は、各トランジスタ１１～１４が形成された領域Ａ１１～Ａ１４、及び、各トランジスタ２１～２４が形成された領域Ｂ２１～Ｂ２４を有する。すなわち、トランジスタ１１は領域Ａ１１に形成され、トランジスタ２１は領域Ｂ２１に形成される。電圧源６００にドレインが接続されるトランジスタ１１、１３、２１、及び２３が形成される領域Ａ１１、Ａ１３、Ｂ２１、及びＢ２３は、パワー部領域３の上部側、すなわち、電圧源６００に接続されるパッドＰ３が形成された領域側に一列に配置される。ソースが接地されるトランジスタ１２、１４、２２、及び２４が形成される領域Ａ１２、Ａ１４、Ｂ２２、及びＢ２４は、パワー部領域３の下部側に一列に配置される。
出力端１０－１は、領域Ａ１１と領域Ａ１２の接合部に形成される。同様に、出力端１０－２、２０－１、２０―２は、夫々対応する領域Ａ１３とＡ１４、領域Ｂ２１とＢ２２、及びＢ２３とＢ２４の接合部に設けられる。
パッドＰ１０～Ｐ１３、及びパッドＰ３は、半導体チップ１の上部の一辺側に一列に設けられる。出力端１０－１、１０－２、及び２０－１、２０－２は、対応するパッドＰ１０、Ｐ１１、Ｐ１２及びＰ１３に、所定の配線（図示せず）により接続される。
制御部領域２は、ＰＷＭ制御回路４０とモード設定回路５０を有する。制御部領域２は、パッドＰ１を介して外部から供給される制御信号ＣＴＬが印加される入力端ＣＴ、及び、パッドＰ２を介して外部から供給されるクロック信号ＣＬＫが印加される入力端ＣＬを有する。入力端ＣＴと制御端ＣＴは、パッドＰ１とＰ２に所定の配線（図示せず）により接続される。制御信号ＣＴＬは、例えば、モード設定回路５０とＰＷＭ制御回路４０に供給され、励磁電流の値を制御する制御信号として用いられる。クロック信号ＣＬＫは、例えば、ＰＷＭ制御回路４０が生成するＰＷＭ信号のタイミングを制御する同期信号として用いられる。
本実施形態によれば、Ｈスイッチを構成するトランジスタ１１～１４、２１～２４はパワー部領域３に集積される。すなわち、トランジスタが形成された領域を囲む４辺の内の少なくとも１辺は、他のトランジスタが形成された領域と接する。この為、トランジスタ１１～１４、２１～２４がオンするタイミングを制御することにより、トランジスタがオン状態の領域で発生した熱をトランジスタがオフ状態の領域を介して放熱することが可能となる。
図３は、モード設定回路５０が設定する駆動モードの例を示す図である。第１の実施形態の半導体集積回路はＡ相側とＢ相側を有するが、Ａ相側とＢ相側は同様の駆動モードにより制御される為、Ａ相側を例にして説明する。図３（Ａ）～（Ｆ）は、各トランジスタ１１～１４のオン／オフ状態と、電流の流れを示す。
（Ａ）は、トランジスタ１１と１４がオン状態の場合を示す。この状態は、電圧ＶＭを供給する電圧源６００側から励磁コイル１０に電流が流れ込むチャージモードを示す。（Ｂ）は、トランジスタ１２と１４がオン状態の場合を示す。この状態は、接地電位を基準にして励磁コイル１０のチャージが低速で放電されるＤモードを示す。（Ｃ）は、トランジスタ１２と１３がオン状態の場合を示す。この状態は、接地側から電圧源６００へ向かって励磁コイル１０から電流が流れ、励磁コイル１０のチャージが高速で放出される高速ディスチャージモードを示す。（Ｄ）は、（Ａ）と同じ、チャージモードを示す。（Ｅ）は、トランジスタ１１と１３がオン状態の場合を示す。この状態は、電源電圧ＶＭを基準にして励磁コイル１０のチャージが低速で放電されるＵモードを示す。（Ｆ）は、（Ｃ）と同じ、高速ディスチャージモードを示す。
励磁コイル１０は、図３（Ａ）～（Ｆ）の一連の駆動モードの繰り返しにより励磁され、ロータ１００を駆動する。
図４は、第１の実施形態の半導体集積回路装置の効果を説明する為の図である。図４（Ａ）は、図３で説明した一連の駆動モードＡ～Ｆにおいてオン状態となるトランジスタを示す。トランジスタがオン状態の領域に接する少なくとも一つの領域は、トランジスタがオフ状態である。従って、オン状態のトランジスタで生じた熱を、オフ状態のトランジスタの領域を介して放熱することが出来る。これにより、発生した熱を効率的に放熱することが出来る。
図４（Ｂ）は、駆動モードＡ～Ｆまでの一連の制御によって各トランジスタ１１～１４、２１～２４がオンした回数の集計結果を示す。トランジスタ１１～１４、２１～２４がオンする回数は、いずれも３回で平均化している。従って、オン状態により生じる発熱は平均化する。すなわち、一連の制御にＵモードとＤモードを含むことにより、トランジスタ１１～１４、２１～２４のオンの回数を平均化することが出来る。これにより、トランジスタ１１～１４、２１～２４による発熱が平均化する為、熱の集中が抑制され、発熱によるトランジスタ１１～１４、２１～２４の機能低下を抑制して半導体集積回路装置の寿命を延ばすことが出来る。ＵモードとＤモードは、例えば一連の制御において、交互に実行される。
（第２の実施形態）
図５は、第２の実施形態の半導体集積回路装置の構成を概略的に示す側面図である。本実施形態の半導体集積回路装置は、金属製のダイパッド７０の上面７０Ａ側に載置された半導体チップ１Ａと、上面７０Ａに対向する下面７０Ｂ側に載置された半導体チップ１Ｂを有する。半導体チップ１Ｂをダイパッド７０の下面７０Ｂ側に載置し、半導体チップ１Ａと並列動作をさせることにより、駆動能力の高い半導体集積回路装置を提供することが出来る。半導体チップ１Ａと１Ｂで発生した熱は、ダイパッド７０によって効果的に放熱される。尚、半導体集積回路装置の半導体チップ１Ａ、１Ｂ、ボンディングワイヤ７３、７４、リード７１、７２のインナー部を封じる樹脂を備えるが、省略している。
半導体チップ１Ａは、接着剤８０Ａによって、ダイパッド７０の上面７０Ａの載置部７０－１Ａに載置される。半導体チップ１Ａに形成されたパッド（図示せず）は、ボンディングワイヤ７３、７４によってリード７１、７２の上面側の接続部７１Ａ、７２Ａに接続される。
半導体チップ１Ｂは、接着剤８０Ｂによって、ダイパッド７０の下面７０Ｂの載置部７０－１Ｂに載置される。半導体チップ１Ｂに形成されたパッド（図示せず）は、ボンディングワイヤ７５、７６によってリード７１、７２の下面側の接続部７１Ｂ、７２Ｂに接続される。
図６は、半導体チップ１Ａの構成を概略的に示す図である。半導体チップ１Ａは、第１の実施形態の半導体チップ１と同様の構成を有する。対応する構成要素には、符号Ａを付して示す。半導体チップ１Ａはさらに、機能変更回路６０Ａを有する。機能変更回路６０Ａは、入力端ＣＬ－Ａ、ＣＴ－ＡとパッドＰ１Ａ、Ｐ２Ａとの接続、及び、出力端１０－１Ａ、１０－２Ａ、２０－１Ａ及び２０－２ＡとパッドＰ１０Ａ、Ｐ１１Ａ、Ｐ１２Ａ及びＰ１３Ａとの接続を切換える機能を有する。
図７は、半導体チップ１Ｂの構成を概略的に示す図である。半導体チップ１Ｂは、半導体チップ１Ａと同様に、第１の実施形態の半導体チップ１と同様の構成を有する。対応する構成要素には、符号Ｂを付している。半導体チップ１Ｂはさらに、機能変更回路６０Ｂを有する。機能変更回路６０Ｂは、入力端ＣＬ－Ｂ、ＣＴ－ＢとパッドＰ１Ｂ、Ｐ２Ｂとの接続、及び、出力端１０－１Ｂ、１０－２Ｂ、２０－１Ｂ及び２０－２ＢとパッドＰ１０Ｂ、Ｐ１１Ｂ、Ｐ１２Ｂ及びＰ１３Ｂとの接続を切換える機能を有する。
図８は、機能変更回路６０Ａ、６０Ｂによる配線の接続関係を概略的に示す図である。実線は接続状態を示し、破線は遮断状態を示す。機能変更回路６０Ａと６０Ｂにおけるそれぞれの配線の接続関係は、相対する関係にある。図８（Ａ）は、機能変更回路６０Ａの接続関係の例を示す。機能変更回路６０Ａは、接続経路ＰＬ－１Ａ～ＰＬ－６Ａ、ＰＣ－１Ａ～ＰＣ－６Ａを有する。機能変更回路６０Ａは、接続経路ＰＬ－１Ａ～ＰＬ－６Ａ、ＰＣ－１Ａ～ＰＣ－６Ａを接続状態にするか遮断状態にするかにより、半導体チップ１Ａの機能変更を行う。
パッドＰ１Ａは入力端ＣＴ－Ａに接続され、パッドＰ２Ａは入力端ＣＬ－Ａに接続される。出力端１０－１ＡとパッドＰ１０Ａ、出力端１０－２ＡとパッドＰ１１Ａ、出力端２０－１ＡとパッドＰ１２Ａ、出力端２０－２ＡとパッドＰ１３Ａが接続される。接続経路ＰＣ－１Ａ～ＰＣ－６Ａは、遮断されている。なお、パッドＰ３Ａ、パッドＰ２１Ａ、Ｐ２２Ａは省略している。
図８（Ｂ）は、機能変更回路６０Ｂの接続関係の例を示す。機能変更回路６０Ｂは、接続経路ＰＬ－１Ｂ～ＰＬ－６Ｂ、ＰＣ－１Ｂ～ＰＣ－６Ｂを有する。機能変更回路６０Ｂは、接続経路ＰＬ－１Ｂ～ＰＬ－６Ｂ、ＰＣ－１Ｂ～ＰＣ－６Ｂを接続状態にするか遮断状態にするかにより、半導体チップ１Ｂの機能変更を行う。
パッドＰ１Ｂは入力端ＣＬ－Ｂに接続され、パッドＰ２Ｂは入力端ＣＴ－Ｂに接続される。出力端１０－１ＢとパッドＰ１３Ｂ、出力端１０－２ＢとパッドＰ１２Ｂ、出力端２０－１ＢとパッドＰ１１Ｂ、及び出力端２０－２ＢとパッドＰ１０Ｂが接続されている。接続経路ＰＬ－１Ｂ～ＰＬ－６Ｂは、遮断されている。すなわち、機能変更回路６０Ａにおける接続関係と、機能変更回路６０Ｂにおける接続関係は、パッドＰ３Ａ、Ｐ３Ｂを中心に左右で入れ替わる様に変更される。電源電圧ＶＭが供給されるパッドＰ３Ｂ、及び、接地されるパッドＰ２１Ｂ、Ｐ２２Ｂは省略している。
図９は、半導体チップ１Ａと１Ｂをダイパッド７０の両面に装着した構成を説明する為の概略的な平面図である。ダイパッド７０の載置部７０－１の上面側に装着された半導体チップ１Ａと下面側に装着された半導体チップ１Ｂを平面的に示す為、便宜的に、半導体チップ１Ａ、１Ｂをダイパッド７０から離して表示している。また、半導体チップ１Ｂは、ダイパッド７０の下側面に装着される為、便宜的に破線で示す。
半導体チップ１Ａと１Ｂに対し共通のリード７２－１からクロック信号ＣＬＫを供給し、リード７２－２から制御信号ＣＴＬを供給して、半導体チップ１Ａと１Ｂに集積されたＰＷＭ制御回路４０Ａ、４０Ｂ、モード設定回路５０Ａ，５０Ｂの動作の同期、及び制御を共通に行うことが出来る。これにより、半導体チップ１Ａと１Ｂの並列動作が可能となり、半導体集積回路装置の駆動能力を増加させることが出来る。
機能変更回路６０Ａは、図８（Ａ）の接続関係で構成されており、機能変更回路６０Ｂは、図８（Ｂ）の接続関係で構成されている。半導体チップ１Ｂは、その裏面側がダイパッド７０に接する様に反転して装着される。この為、半導体チップ１Ｂに形成される各パッドの位置が、半導体チップ１Ａに形成されるパッドの位置に対して、左右が入れ替わった状態で装着される。すなわち、上面側から透視した場合、半導体チップ１ＡのパッドＰ１０Ａが左側に位置するのに対し、半導体チップ１ＢのパッドＰ１０Ｂは右側に位置する。言い換えると、ダイパッド７０を挟んで、半導体チップ１ＡのパッドＰ１０Ａに相対する位置には、半導体チップ１ＢのパッドＰ１３Ｂがある。
パッドＰ１０Ａは、ワイヤ７３－１によってリード７１－１に接続され、パッドＰ１３Ｂは、ワイヤ７５－１によってリード７１－１に接続される。パッドＰ１３Ｂは、機能変更回路６０Ｂによって本来のパッドＰ１０Ｂに対応する機能に変更されている為、出力端１０－１Ｂの出力を供給する。すなわち、パッドＰ１３Ｂは、半導体チップ１Ａの出力端１０－１Ａの出力に対応した出力を供給する。従って、パッドＰ１０ＡとパッドＰ１３Ｂをリード７１－１に接続することにより、半導体チップ１Ａと半導体チップ１Ｂの出力を合算し、駆動能力を高める構成とすることが出来る。他のパッドＰ１０Ｂ～Ｐ１２Ｂについても同様である。
また、パッドＰ１３Ｂは、パッドＰ１０Ａに対応する位置に配置される。従って、リード７１－１は、パッドＰ１０Ａ、Ｐ１３Ｂに近接する為、ワイヤ７３－１と７５－１の長さを節約することが出来る。他のワイヤ７３－２～７３－５、７５－２～７５－５、及び、７４－１、７４－２、７６－１、７６－２についても同様で有る。
機能変更回路６０Ａ、６０ＢによりパッドＰ１Ａ、Ｐ２Ａ、Ｐ１０Ａ～Ｐ１３Ａ、Ｐ２１Ａ、Ｐ２２Ａ、Ｐ１Ｂ、Ｐ２Ｂ、Ｐ１０Ｂ～Ｐ１３Ｂ、Ｐ２１Ｂ、Ｐ２２Ｂと端子ＣＴ－Ｂ、ＣＬ－Ｂ、１０－１Ｂ、１０－２Ｂ、２０－１Ｂ、２０－２Ｂ間の接続関係を切換えて機能変更を行う構成とすることで、同一構成の半導体チップ１Ａ、１Ｂを共通のダイパッド７０の両面に載置して並列運転を行うことができる。すなわち、駆動能力を高めた半導体集積回路装置を提供することが出来る。同一構成の半導体チップを半導体チップ１Ａ、１Ｂとして用意し、機能変更回路６０Ａ、６０Ｂにおける接続関係を変更するだけでダイパッド７０の上下面に載置して並列動作が可能な半導体集積回路装置を提供することが出来る為、設計及び製造のコストを軽減することが出来る。
機能変更回路６０Ａ、６０Ｂは、必要に応じて接続経路を接続するか、遮断するかによって接続関係を変更した構成とすることが出来る。例えば、機能変更回路６０Ａ、６０Ｂは、電気的にプログラム可能な－フューズ（ｅＦｕｓｅ）等のプログラマブル素子によって構成することが出来る。同一構成の半導体チップを、ダイパッド７０の上面側、下面側のいずれに載置するかに応じて、プログラミングにより機能変更回路６０Ａ、６０Ｂの構成を容易に変更することが出来る。あるいは、機能変更回路６０Ａ、６０Ｂは、半導体チップ１Ａ、１Ｂ上に形成された配線（図示せず）を、切断するか、切断しないかのトリミングによって接続関係を変更した構成とすることも出来る。
図１０は、第２の実施形態の半導体集積回路装置の効果を説明する為の図である。図１０（Ａ）は、半導体チップ１Ａにおける駆動モードと、各駆動モードに応じてオンするトランジスタを示す。同図（Ｂ）は、半導体チップ１Ｂにおける駆動モードと、各駆動モードに応じてオンするトランジスタを示す。
同図（Ｃ）は、駆動モードＡ～Ｆまでの一連の制御によって各トランジスタ１１～１４、２１～２４がオンした回数の集計結果を示す。同図（Ｃ）に示す様に、駆動モードＡ～Ｆまでの一連の制御において、半導体チップ１Ａと１Ｂのトランジスタ１１～１４、２１～２４がオンする回数は、いずれも３回で平均化している。従って、オンによって生じる発熱が平均化し、分散される。すなわち、一連の制御にＵモードとＤモードを含むことによりトランジスタ１１～１４、２１～２４のオンの回数を均等化することが出来る。これにより、発熱を分散してトランジスタ１１～１４、２１～２４の機能低下を抑制し、半導体集積回路装置の寿命を延ばすことが出来る。ＵモードとＤモードは、例えば一連の制御において、交互に実行される。
また、半導体チップ１Ａにおいては、駆動モードＡ～Ｆまでの一連の駆動モードを有するのに対し、半導体チップ１Ｂについては、駆動モードＢの代わりに駆動モードＥを有する。すなわち、半導体チップ１Ａと半導体チップ１Ｂで、ＵモードとＤモードを入れ替えている。これにより、ダイパッド７０の上面側の半導体チップ１ＡがＵモードの時には、半導体チップ１ＢはＤモードで動作する為、発熱する領域が異なる。この制御により、熱の分散を更に効果的に行うことが出来る。
半導体チップ１Ａ、１Ｂは、ダイパッド７０の上下で反転して装着される。従って、半導体チップ１Ａの各領域Ａ１１Ａ～Ａ１４Ａ、Ｂ２１Ａ～Ｂ２４Ａと下面７０Ｂ側に載置される半導体チップ１Ｂの各領域Ａ１１Ｂ～Ａ１４Ｂ、Ｂ２１Ｂ～Ｂ２４Ｂは、半導体チップ１Ａ、１Ｂの中心軸に対して線対称の関係となる。従って、例えば、半導体チップ１Ａと１Ｂが同じ駆動モードＡで動作している時には、半導体チップ１Ａと１Ｂにおいてオンしているトランジスタの領域の位置が異なる。すなわち、半導体チップ１Ａにおいてオンしているトランジスタ１１の領域Ａ１１Ａのダイパッド７０の下面７０Ｂ側には、オフ状態のトランジスタ２３の領域Ｂ２３Ｂが位置する。この為、発熱している領域が分散され、熱の集中を回避することができる。
駆動トランジスタは、トランジスタとしたが、これに限らない。例えば、電源端子側に配置されるトランジスタ１１、１３、及び、２１、２３をＰＭＯＳトランジスタで構成しても良い。また、高耐圧の機能を有するＧａＮトランジスタ、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のパワー素子をスイッチング素子として構成しても良い。
なお、以下の付記に記載されているような半導体集積回路装置が考えられる。
（付記１）
前記第１乃至第４のパッドは、前記第１の半導体チップの一辺側に一列に配置されることを特徴とする請求項４または５に記載の半導体集積回路装置。
（付記２）
前記第１の半導体チップは、第１のパワー領域を備え、
前記第１、第３、第５、第７のスイッチング素子は前記第１のパワー領域に一列に配置され、
前記第２、第４、第６、第８のスイッチング素子は前記第１のパワー領域に一列に配置される
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体集積回路装置。
（付記３）
前記第１の半導体チップは、
第１のタイミングで前記第１、第３、第５、及び第７のスイッチング素子を同時にオンさせ、
前記第２の半導体チップは、
前記第１のタイミングで前記第２、第４、第６、及び第８のスイッチング素子を同時にオンさせる
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体集積回路装置。
（付記４）
前記第１の半導体チップは、
制御信号が供給される第１の制御信号端と、
同期信号が供給される第１の同期信号端と
前記制御信号が外部から供給される第１の制御信号パッドと、
前記同期信号が外部から供給される第１の同期信号パッドと、
を備え、
前記第１の半導体チップの機能変更回路は、
前記第１の制御信号端と前記第１の制御信号パッドを接続し、
前記第１の同期信号端と前記第１の同期信号パッドを接続し、
前記第２の半導体チップは、
制御信号が外部から供給される第２の制御信号パッドと、
同期信号が外部から供給される第２の同期信号パッドと
を備え、
前記第２の半導体チップの機能変更回路は、
前記第２の制御信号端と前記第２の同期信号パッドを接続し、
前記第２の同期信号端と前記第２の制御信号パッドを接続する
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体集積回路装置。
（付記５）
前記第１の半導体チップの第１のパッドが接続される第１のリードと、
前記第１の半導体チップの第２のパッドが接続される第２のリードと、
前記第１の半導体チップの第３のパッドが接続される第３のリードと、
前記第１の半導体チップの第４のパッドが接続される第４のリードを備え、
前記第２の半導体チップの第１のパッドが前記第４のリードに接続され、
前記第２の半導体チップの第２のパッドが前記第３のリードに接続され、
前記第２の半導体チップの第３のパッドが前記第２のリードに接続され、
前記第２の半導体チップの第４のパッドが前記第１のリードに接続される
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体集積回路装置。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１ 半導体チップ、２ 制御部領域、３ パワー部領域、１０と２０ 励磁コイル、４０ ＰＷＭ制御回路、５０ モード設定回路、６０Ａ，６０Ｂ 機能変更回路、７０ ダイパッド、１００ ロータ。

Claims (4)

  1. モータの第１の励磁コイルに励磁電流を供給する第１の出力端と電源端子の間に主電流路が接続される第１のスイッチング素子と、
    前記第１の出力端と第１の接地端子の間に主電流路が接続される第２のスイッチング素子と、
    前記モータの前記第１の励磁コイルに励磁電流を供給する第２の出力端と前記電源端子との間に主電流路が接続される第３のスイッチング素子と、
    前記第２の出力端と前記第１の接地端子の間に主電流路が接続される第４のスイッチング素子と、
    前記第１から第４のスイッチング素子の駆動モードを設定するモード設定回路と、
    前記駆動モードに応じて、前記第１から第４のスイッチング素子のオン／オフを制御する駆動信号を生成して前記第１から第４のスイッチング素子に供給する制御回路と、
    を備え、
    前記駆動モードは、
    前記第１のスイッチング素子と前記第３のスイッチング素子をオンさせ前記第２のスイッチング素子と前記第４のスイッチング素子をオフさせる第１の放電モードと、前記第２のスイッチング素子と前記第４のスイッチング素子をオンさせ前記第１のスイッチング素子と前記第３のスイッチング素子をオフさせる第２の放電モードを有し、
    前記モータの第２の励磁コイルに励磁電流を供給する第３の出力端と前記電源端子の間に主電流路が接続される第５のスイッチング素子と、
    前記第３の出力端と第２の接地端子の間に主電流路が接続される第６のスイッチング素子と、
    前記第２の励磁コイルに励磁電流を供給する第４の出力端と前記電源端子との間に主電流路が接続される第７のスイッチング素子と、
    前記第４の出力端と前記第２の接地端子の間に主電流路が接続される第８のスイッチング素子と、
    をさらに備え、
    前記モード設定回路は前記第５から第８のスイッチング素子の駆動モードを設定し、
    前記制御回路は、前記駆動モードに応じて前記第５から第８のスイッチング素子のオン／オフを制御する駆動信号を生成して前記第５から第８のスイッチング素子に供給し、
    前記駆動モードは、
    前記第５のスイッチング素子と前記第７のスイッチング素子をオンさせ前記第６のスイッチング素子と前記第８のスイッチング素子をオフさせる第３の放電モードと、前記第６のスイッチング素子と前記第８のスイッチング素子をオンさせ前記第５のスイッチング素子と前記第７のスイッチング素子をオフさせる第４の放電モードを有し、
    前記モータの前記第１の励磁コイルに接続される第１のパッドと、
    前記モータの前記第１の励磁コイルに接続される第２のパッドと、
    前記モータの前記第２の励磁コイルに接続される第３のパッドと、
    前記モータの前記第２の励磁コイルに接続される第４のパッドと、
    前記第１から第４の出力端と前記第１から第４のパッドとの間の接続を切換える機能変更回路と
    をさらに備えることを特徴とする半導体集積回路。
  2. 前記モード設定回路は、前記第１から第４のスイッチング素子の駆動モードを前記第１の放電モードに設定する期間と同じ期間に前記第５から第８のスイッチング素子の駆動モードを前記第３の放電モードに設定し、前記第１から第４のスイッチング素子の駆動モードを前記第２の放電モードに設定する期間と同じ期間に前記第５から第８のスイッチング素子の駆動モードを前記第４の放電モードに設定する、
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
  3. 請求項１または請求項２に記載の半導体集積回路が集積され、ダイパッドの第１の主面に載置された第１の半導体チップと、
    請求項１または請求項２に記載の半導体集積回路が集積され、前記ダイパッドの前記第１の主面に対向する第２の主面に載置された第２の半導体チップと、
    を備えることを特徴とする半導体集積回路装置。
  4. 励磁電流によって磁界を発生する第１の励磁コイルおよび第２の励磁コイルを有するモータと、
    前記励磁電流を制御する半導体集積回路装置を備え、
    前記半導体集積回路装置は、
    前記モータの前記第１の励磁コイルに励磁電流を供給する第１の出力端と電源端子の間に主電流路が接続される第１のスイッチング素子と、
    前記第１の出力端と第１の接地端子の間に主電流路が接続される第２のスイッチング素子と、
    前記モータの励磁コイルに励磁電流を供給する第２の出力端と前記電源端子との間に主電流路が接続される第３のスイッチング素子と、
    前記第２の出力端と前記第１の接地端子の間に主電流路が接続される第４のスイッチング素子と、
    前記第１から第４のスイッチング素子の駆動モードを設定するモード設定回路と、
    前記駆動モードに応じて、前記第１から第４のスイッチング素子のオン／オフを制御する駆動信号を生成して前記第１から第４のスイッチング素子に供給する制御回路と、
    を備え、
    前記駆動モードは、
    前記第１のスイッチング素子と前記第３のスイッチング素子をオンさせ前記第２のスイッチング素子と前記第４のスイッチング素子をオフさせる第１の放電モードと、前記第２のスイッチング素子と前記第４のスイッチング素子をオンさせ前記第１のスイッチング素子と前記第３のスイッチング素子をオフさせる第２の放電モードを有し、
    前記半導体集積回路装置は、
    前記モータの前記第２の励磁コイルに励磁電流を供給する第３の出力端と前記電源端子の間に主電流路が接続される第５のスイッチング素子と、
    前記第３の出力端と第２の接地端子の間に主電流路が接続される第６のスイッチング素子と、
    前記第２の励磁コイルに励磁電流を供給する第４の出力端と前記電源端子との間に主電流路が接続される第７のスイッチング素子と、
    前記第４の出力端と前記第２の接地端子の間に主電流路が接続される第８のスイッチング素子と、
    をさらに備え、
    前記モード設定回路は前記第５から第８のスイッチング素子の駆動モードを設定し、
    前記制御回路は、前記駆動モードに応じて前記第５から第８のスイッチング素子のオン／オフを制御する駆動信号を生成して前記第５から第８のスイッチング素子に供給し、
    前記駆動モードは、
    前記第５のスイッチング素子と前記第７のスイッチング素子をオンさせ前記第６のスイッチング素子と前記第８のスイッチング素子をオフさせる第３の放電モードと、前記第６のスイッチング素子と前記第８のスイッチング素子をオンさせ前記第５のスイッチング素子と前記第７のスイッチング素子をオフさせる第４の放電モードを有し、
    前記半導体集積回路装置は、
    前記モータの前記第１の励磁コイルに接続される第１のパッドと、
    前記モータの前記第１の励磁コイルに接続される第２のパッドと、
    前記モータの前記第２の励磁コイルに接続される第３のパッドと、
    前記モータの前記第２の励磁コイルに接続される第４のパッドと、
    前記第１から第４の出力端と前記第１から第４のパッドとの間の接続を切換える機能変更回路と
    をさらに備えることを特徴とするモータ駆動制御システム。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230095482A (ko) * 2021-12-22 2023-06-29 에이치엘만도 주식회사 모터를 제어하는 장치 및 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008118821A (ja) 2006-11-07 2008-05-22 Asmo Co Ltd 直流モータ駆動制御装置
JP2016127653A (ja) 2014-12-26 2016-07-11 ミネベア株式会社 モータ電流制御装置およびモータ電流制御方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5455521A (en) * 1993-10-22 1995-10-03 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Self-timed interconnect speed-up circuit
US5469095A (en) * 1994-06-27 1995-11-21 Allegro Microsystems, Inc. Bridge circuit for driving an inductive load with a shoot-through prevention circuit
JPH08336295A (ja) 1995-06-05 1996-12-17 Tec Corp 電動機制御装置および電気掃除機
JP2905119B2 (ja) * 1995-06-30 1999-06-14 株式会社東芝 洗濯機
US5708578A (en) * 1995-07-19 1998-01-13 Stoddard; Robert J. PWM inductive load bridge driver for dynamically mixing four and two quadrant chopping during PWM period off time
US5642247A (en) * 1995-07-21 1997-06-24 Harris Corporation Automatic fault monitoring system and motor control system incorporating same
JP3696384B2 (ja) * 1997-09-16 2005-09-14 本田技研工業株式会社 電動機の駆動装置
JP3181568B2 (ja) * 1999-05-25 2001-07-03 三木プーリ株式会社 電磁コイル方式の切り替え装置を具備した仕分けコンベア用電源装置
KR100344984B1 (ko) * 1999-10-12 2002-07-19 엘지전자주식회사 세탁기의 제동방법
JP3665565B2 (ja) * 2000-12-28 2005-06-29 株式会社東芝 半導体集積回路およびモータ駆動制御システム
JP2004015892A (ja) * 2002-06-05 2004-01-15 Toshiba Corp インバータの制御装置及び電気自動車
JP2005079421A (ja) 2003-09-02 2005-03-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体スイッチ
JP2005150454A (ja) 2003-11-17 2005-06-09 Yaskawa Electric Corp 電力変換装置の冷却構造
US7408313B1 (en) * 2005-08-23 2008-08-05 Marvell International Ltd. Low power preamplifier writer architecture

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008118821A (ja) 2006-11-07 2008-05-22 Asmo Co Ltd 直流モータ駆動制御装置
JP2016127653A (ja) 2014-12-26 2016-07-11 ミネベア株式会社 モータ電流制御装置およびモータ電流制御方法

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