CN112532028A - 半导体集成电路及其装置以及马达驱动控制系统 - Google Patents

半导体集成电路及其装置以及马达驱动控制系统 Download PDF

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Abstract

实施方式涉及半导体集成电路、半导体集成电路装置以及马达驱动控制系统。实施方式的半导体集成电路，具备根据驱动模式对被连接于供给励磁电流的第1输出端及第2输出端与电源及接地之间的第1至第4开关元件供给驱动信号的控制电路，上述驱动模式具有使上述电源侧的上述第1及第3开关元件导通的放电模式、及使接地侧的上述第2开关元件及第4开关元件导通的放电模式。

Description

半导体集成电路及其装置以及马达驱动控制系统
关联申请
本申请享受2019年9月19日申请的日本国专利申请号2019－170534的优先权的利益，该日本国专利申请的全部内容被引用于本申请。
技术领域
本实施方式一般涉及半导体集成电路、半导体集成电路装置以及马达驱动控制系统。
背景技术
以往，公开了具有进行针对马达的励磁线圈的、电流的充电、放电以及低速放电的H开关的半导体集成电路。充电、放电以及低速放电，通过构成H开关的开关元件的导通/截止来控制。成为导通状态的开关元件，通过在其导通电阻中流动的电流而发热。开关元件的功能由于发热而劣化。并且，关于开关元件的寿命，暴露于热的时间越长则越短。因此，期望能够将发热有效地分散的半导体集成电路、半导体集成电路装置以及马达驱动控制系统。
发明内容
实施方式提供能够将发热有效地分散的半导体集成电路、半导体集成电路装置以及马达驱动控制系统。
根据一个实施方式，半导体集成电路具备：第1开关元件，主电流通路连接于对马达的第1励磁线圈供给励磁电流的第1输出端与电源端子之间；第2开关元件，主电流通路连接于上述第1输出端与第1接地端子之间；第3开关元件，主电流通路连接于对上述马达的上述第1励磁线圈供给励磁电流的第2输出端与上述电源端子之间；第4开关元件，主电流通路连接于上述第2输出端与上述第1接地端子之间；模式设定电路，设定上述第1开关元件至上述第4开关元件的驱动模式；以及控制电路，根据上述驱动模式，生成控制上述第1开关元件至上述第4开关元件的导通/截止的驱动信号，并供给至上述第1开关元件至上述第4开关元件，上述驱动模式具有使上述第1开关元件和上述第3开关元件导通的第1放电模式、及使上述第2开关元件和上述第4开关元件导通的第2放电模式。
附图说明
图1是用于说明第1实施方式的半导体集成电路的图。
图2是概略地表示集成了第1实施方式的半导体集成电路的半导体集成电路装置的构成的图。
图3A至图3F是用于说明第1实施方式的半导体集成电路的驱动模式的图。
图4A和图4B是用于说明第1实施方式的半导体集成电路的效果的图。
图5是概略地表示第2实施方式的半导体集成电路装置的构成的侧视图。
图6是概略地表示第2实施方式的半导体集成电路装置的第1半导体芯片的构成的图。
图7是概略地表示第2实施方式的半导体集成电路装置的第2半导体芯片的构成的图。
图8A和图8B是概略地表示功能变更电路的构成的图。
图9是概略地表示第2实施方式的半导体集成电路装置的构成的俯视图。
图10A至图10C是用于说明第2实施方式的半导体集成电路装置的效果的图。
具体实施方式
以下，参照附图，详细地说明实施方式涉及的半导体集成电路、半导体集成电路装置以及马达驱动控制系统。另外，并不通过这些实施方式限定本发明。
(第1实施方式)
图1是用于说明第1实施方式的半导体集成电路的图。本实施方式的半导体集成电路包括A相(第1相)侧的H开关及B相(第2相)侧的H开关，控制马达的驱动。马达包括励磁线圈10、励磁线圈20及转子100。通过由励磁线圈10和励磁线圈20产生的磁场，控制转子100。
A相侧H开关包括4个NMOS晶体管11～14。晶体管11和晶体管13的漏极与焊盘P3连接。焊盘P3上连接用于供给电压VM的电压源600。NMOS晶体管11～14的源极漏极通路形成主电流通路。晶体管11的源极和晶体管12的漏极与输出端10－1连接。晶体管12和晶体管14的源极与焊盘P21连接。焊盘P21被接地。即，晶体管13的源极和晶体管14的漏极与输出端10－2连接。输出端10－1与焊盘P10连接，输出端10－2与焊盘P11连接。在焊盘P10与焊盘P11间连接励磁线圈10。输出端10－1和10－2输出对励磁线圈10供给的励磁电流。
B相侧H开关包括4个NMOS晶体管21～24。晶体管21和晶体管23的漏极与焊盘P3连接。晶体管22和晶体管24的源极与焊盘P22连接。焊盘P22被接地。晶体管21的源极和晶体管22的漏极与输出端20－1连接。晶体管23的源极和晶体管24的漏极与输出端20－2连接。输出端20－1与焊盘P12连接，输出端20－2与焊盘P13连接。在焊盘P12与焊盘P13间连接励磁线圈20。输出端20－1和20－2，输出对励磁线圈20供给的励磁电流。
从PWM(Pulse Width Modulation)控制电路40，对构成各个H开关的晶体管11～14的栅极以及晶体管21～24的栅极，供给PWM信号。通过从PWM控制电路40供给的PWM信号，控制各晶体管11～14以及21～24的导通/截止。通过各晶体管的导通/截止，控制在励磁线圈10和励磁线圈20中流动的励磁电流。例如，根据模拟正弦波形的励磁波形图案而被控制了占空比的PWM信号，被供给至各晶体管11～14以及21～24，构成步进马达。
模式设定电路50设定晶体管11～14、21～24的驱动模式。驱动模式包含对励磁线圈10、20充电的充电模式、使励磁线圈10、20高速地放电的高速放电模式、使励磁线圈10、20以低速放电的低速放电模式。
本实施方式的模式设定电路50，设定使电压源600侧的晶体管11和13以及21和23导通而使励磁线圈10、20的充电以低速放电的模式(以下，称为U模式)、及使接地侧的晶体管12和14以及22和24导通而使励磁线圈10、20的充电以低速放电的模式(以下，称为D模式)。在低速放电中，通过交替地进行U模式和D模式，由此晶体管11～14以及21～24的导通的次数均匀化。由此，能够使晶体管11～14、21～24导通而产生热的发生均匀化地分散，因此能够抑制伴随发热的晶体管11～14、21～24的功能低下而延长半导体集成电路的寿命。
图2是概略地表示集成了第1实施方式的半导体集成电路的半导体芯片1的构成的图。对于与已叙述的构成对应的构成，标注同一符号，仅在必要的情况下进行重复的记载。以下，是同样的。半导体芯片1具有功率部区域3和控制部区域2。
功率部区域3具有形成有各晶体管11～14的区域A11～A14、以及、形成有各晶体管21～24的区域B21～B24。即，晶体管11形成于区域A11，晶体管21形成于区域B21。供漏极与电压源600连接的晶体管11、13、21以及23形成的区域A11、A13、B21以及B23，在功率部区域3的上部侧，即，形成有与电压源600连接的焊盘P3的区域侧配置为一列。供源极被接地的晶体管12、14、22以及24形成的区域A12、A14、B22以及B24，在功率部区域3的下部侧配置为一列。
输出端10－1形成于区域A11与区域A12的接合部。同样地，输出端10－2、20－1、20―2分别设置于对应的区域A13与A14的接合部、区域B21与B22的接合部以及B23与B24的接合部。
焊盘P10～P13以及焊盘P3在半导体芯片1的上部的一边侧设置为一列。输出端10－1、10－2以及20－1、20－2，通过规定的配线(未图示)而连接于对应的焊盘P10、P11、P12以及P13。
控制部区域2具有PWM控制电路40和模式设定电路50。控制部区域2具有经由焊盘P1被施加从外部被供给的控制信号CTL的输入端CT、以及、经由焊盘P2被施加从外部被供给的时钟信号CLK的输入端CL。输入端CT和CL通过规定的配线(未图示)而连接于焊盘P1和P2。控制信号CTL例如被供给至模式设定电路50和PWM控制电路40，作为对励磁电流的值进行控制的控制信号而使用。时钟信号CLK例如作为对由PWM控制电路40生成的PWM信号的定时进行控制的同步信号而使用。
根据本实施方式，构成H开关的晶体管11～14、21～24被集成于功率部区域3。即，包围形成有晶体管的区域的4边内的至少1边与形成有其他的晶体管的区域接触。因此，通过控制晶体管11～14、21～24导通的定时，能够将在晶体管为导通状态的区域产生的热经由晶体管为截止状态的区域而散热。
图3A至图3F是表示模式设定电路50设定的驱动模式的例子的图。第1实施方式的半导体集成电路具有A相侧和B相侧，但A相侧和B相侧通过同样的驱动模式来控制，因此以A相侧为例进行说明。图3A至图3F表示各晶体管11～14的导通/截止状态和电流的流动。
图3A表示晶体管11和14为导通状态的情况。该状态表示从供给电压VM的电压源600侧向励磁线圈10流入电流的充电模式。图3B表示晶体管12和14为导通状态的情况。该状态表示以接地电位为基准地、励磁线圈10的充电以低速被放电的D模式。图3C表示晶体管12和13为导通状态的情况。该状态表示从接地侧朝向电压源600地、电流从励磁线圈10流动、励磁线圈10的充电以高速被放出的高速放电模式。图3D与图3A相同，表示充电模式。图3表示晶体管11和13为导通状态的情况。该状态表示以电源电压VM为基准地、励磁线圈10的充电以低速被放电的U模式。图3F与图3C相同，表示高速放电模式。
励磁线圈10通过图3A至图3F的一系列的驱动模式的反复而被励磁，驱动转子100。
图4A和图4B是用于说明第1实施方式的半导体集成电路装置的效果的图。图4A表示在用图3A至图3F说明的一系列的驱动模式A～F下为导通状态的晶体管。与晶体管为导通状态的区域接触的至少一个区域，晶体管为截止状态。因此，能够将通过导通状态的晶体管产生的热经由截止状态的晶体管的区域而散热。由此，能够将所产生的热有效地散热。
图4B表示各晶体管11～14、21～24根据驱动模式A～F为止的一系列的控制而导通的次数的统计结果。晶体管11～14、21～24导通的次数都被平均化为3次。因此，通过导通状态而产生的发热平均化。即，一系列的控制包含U模式和D模式，由此能够使晶体管11～14、21～24的导通的次数平均化。由此，晶体管11～14、21～24的发热平均化，因此热的集中得到的抑制，能够抑制由发热引起的晶体管11～14、21～24的功能低下而延长半导体集成电路装置的寿命。U模式和D模式在例如一系列的控制中交替地执行。
(第2实施方式)
图5是概略地表示第2实施方式的半导体集成电路装置的构成的侧视图。本实施方式的半导体集成电路装置，具有在金属制的晶片焊盘70的上表面70A侧载置的半导体芯片1A和在与上表面70A对置的下表面70B侧载置的半导体芯片1B。通过将半导体芯片1B载置于晶片焊盘70的下表面70B侧，并与半导体芯片1A并行地动作，由此能够提供驱动能力高的半导体集成电路装置。半导体芯片1A和1B产生的热通过晶片焊盘70被有效地散热。另外，具备将半导体集成电路装置的半导体芯片1A、1B、接合线73、74、引线71、72的内部封住的树脂，但予以省略。
半导体芯片1A通过粘接剂80A而被载置于晶片焊盘70的上表面70A的载置部70－1A。形成于半导体芯片1A的焊盘(未图示)，通过接合线73、74而与引线71、72的上表面侧的连接部71A、72A连接。
半导体芯片1B通过粘接剂80B而被载置于晶片焊盘70的下表面70B的载置部70－1B。形成于半导体芯片1B的焊盘(未图示)，通过接合线75、76而连接于引线71、72的下表面侧的连接部71B、72B。
图6是概略地表示半导体芯片1A的构成的图。半导体芯片1A具有与第1实施方式的半导体芯片1同样的构成。对于对应的构成要素，附以符号A进行表示。半导体芯片1A还具有功能变更电路60A。功能变更电路60A具有切换输入端CL－A、CT－A与焊盘P1A、P2A之间的连接、以及、输出端10－1A、10－2A、20－1A以及20－2A与焊盘P10A、P11A、P12A以及P13A之间的连接的功能。
图7是概略地表示半导体芯片1B的构成的图。半导体芯片1B与半导体芯片1A同样地，具有与第1实施方式的半导体芯片1同样的构成。对于对应的构成要素，附以符号B进行表示。半导体芯片1B还具有功能变更电路60B。功能变更电路60B具有切换输入端CL－B、CT－B与焊盘P1B、P2B之间的连接、以及、输出端10－1B、10－2B、20－1B以及20－2B与焊盘P10B、P11B、P12B以及P13B之间的连接的功能。
图8A和图8B是概略地表示基于功能变更电路60A、60B的配线的连接关系的图。实线表示连接状态，虚线表示切断状态。功能变更电路60A和60B中的各个配线的连接关系有相对的关系。图8A表示功能变更电路60A的连接关系的例子。功能变更电路60A具有连接路径PL－1A～PL－6A、PC－1A～PC－6A。功能变更电路60A通过使连接路径PL－1A～PL－6A、PC－1A～PC－6A成为连接状态或切断状态，来进行半导体芯片1A的功能变更。
焊盘P1A与输入端CT－A连接，焊盘P2A与输入端CL－A连接。输出端10－1A与焊盘P10A连接、输出端10－2A与焊盘P11A连接、输出端20－1A与焊盘P12A连接、输出端20－2A与焊盘P13A连接。连接路径PC－1A～PC－6A被切断。另外，焊盘P3A、焊盘P21A、P22A省略。
图8B表示功能变更电路60B的连接关系的例子。功能变更电路60B具有连接路径PL－1B～PL－6B、PC－1B～PC－6B。功能变更电路60B通过使连接路径PL－1B～PL－6B、PC－1B～PC－6B成为连接状态或切断状态，而进行半导体芯片1B的功能变更。
焊盘P1B与输入端CL－B连接，焊盘P2B与输入端CT－B连接。输出端10－1B与焊盘P13B连接、输出端10－2B与焊盘P12B连接、输出端20－1B与焊盘P11B连接、以及输出端20－2B与焊盘P10B连接。连接路径PL－1B～PL－6B被切断。即，功能变更电路60A中的连接关系和功能变更电路60B中的连接关系，被变更为以焊盘P3A、P3B为中心地左右对调。被供给电源电压VM的焊盘P3B、以及、被接地的焊盘P21B、P22B省略。
图9是用于说明将半导体芯片1A和1B安装于晶片焊盘70的两面的构成的概略的俯视图。为了平面地表示在晶片焊盘70的载置部70－1的上表面侧安装的半导体芯片1A和在下表面侧安装的半导体芯片1B，方便地将半导体芯片1A、1B表示为与晶片焊盘70分离。另外，半导体芯片1B被安装于晶片焊盘70的下侧面，因此方便地以虚线表示。
针对半导体芯片1A和1B，从共通的引线72－1供给时钟信号CLK，并从引线72－2供给控制信号CTL，而能够共通地进行被集成于半导体芯片1A和1B的PWM控制电路40A、40B、模式设定电路50A、50B的动作的同步以及控制。由此，半导体芯片1A与1B的并行地动作成为可能，能够使半导体集成电路装置的驱动能力增加。
功能变更电路60A以图8A的连接关系而构成，功能变更电路60B以图8B的连接关系而构成。半导体芯片1B以其背面侧与晶片焊盘70接触的方式反转后被安装。因此，形成于半导体芯片1B的各焊盘的位置，相对于形成于半导体芯片1A的焊盘的位置，以左右对调的状态被安装。即，在从上表面侧透视的情况下，半导体芯片1A的焊盘P10A位于左侧，相对于此半导体芯片1B的焊盘P10B位于右侧。换言之，半导体芯片1B的焊盘P13B在夹着晶片焊盘70地与半导体芯片1A的焊盘P10A相对的位置。
焊盘P10A通过焊丝73－1而与引线71－1连接，焊盘P13B通过焊丝75－1而与引线71－1连接。焊盘P13B通过功能变更电路60B而被变更为与本来的焊盘P10B对应的功能，因此供给输出端10－1B的输出。即，焊盘P13B供给与半导体芯片1A的输出端10－1A的输出对应的输出。因此，通过将焊盘P10A与焊盘P13B连接于引线71－1，由此能够成为将半导体芯片1A和半导体芯片1B的输出合计，而提高驱动能力的构成。关于其他的焊盘P10B～P12B也是同样的。
另外，焊盘P13B配置于与焊盘P10A对应的位置。因此，引线71－1接近焊盘P10A、P13B，因此能够节约焊丝73－1和75－1的长度。关于其他的焊丝73－2～73－5、75－2～75－5、以及、74－1、74－2、76－1、76－2，也是同样的。
通过采用通过功能变更电路60A、60B来切换焊盘P1A、P2A、P10A～P13A、P21A、P22A、P1B、P2B、P10B～P13B、P21B、P22B与端子CT－B、CL－B、10－1B、10－2B、20－1B、20－2B间的连接关系而进行功能变更的构成，从而能够将同一构成的半导体芯片1A、1B载置于共通的晶片焊盘70的两面并进行并行运转。即，能够提供提高了驱动能力的半导体集成电路装置。能够提供如下半导体集成电路装置，即，准备同一构成的半导体芯片作为半导体芯片1A、1B，仅仅变更功能变更电路60A、60B中的连接关系并载置于晶片焊盘70的上下表面，能够并行地动作的半导体集成电路装置，因此能够减轻设计以及制造的成本。
功能变更电路60A、60B能够采用根据需要而将连接路径连接或切断由此变更连接关系的构成。例如，功能变更电路60A、60B能够通过在电气上能够编程的eFuse(eFuse)等的可编程元件构成。根据将同一构成的半导体芯片载置于晶片焊盘70的上表面侧、下表面侧中的哪一侧，通过编程能够容易地变更功能变更电路60A、60B的构成。或者，功能变更电路60A、60B也能够采用通过将在半导体芯片1A、1B上形成的配线(未图示)切断或不切断的剪切来变更连接关系的构成。
图10A至图10C是用于说明第2实施方式的半导体集成电路装置的效果的图。图10A表示半导体芯片1A中的驱动模式及根据各驱动模式而导通的晶体管。图10B表示半导体芯片1B中的驱动模式及根据各驱动模式而导通的晶体管。
图10C表示各晶体管11～14、21～24根据驱动模式A～F为止的一系列的控制而导通的次数的统计结果。如图10C所示那样，在驱动模式A～F为止的一系列的控制中，半导体芯片1A和1B的晶体管11～14、21～24导通的次数都平均化为3次。因此，通过导通而产生的发热平均化，并被分散。即，通过一系列的控制包含U模式和D模式，由此能够使晶体管11～14、21～24的导通的次数均匀化。由此，能够使发热分散而抑制晶体管11～14、21～24的功能低下，能够延长半导体集成电路装置的寿命。U模式和D模式在例如一系列的控制中交替地执行。
另外，在半导体芯片1A中具有驱动模式A～F为止的一系列的驱动模式，相对于此，关于半导体芯片1B，代替驱动模式B而具有驱动模式E。即，通过半导体芯片1A和半导体芯片1B，能够将U模式和D模式对调。由此，在晶片焊盘70的上表面侧的半导体芯片1A为U模式时，半导体芯片1B以D模式动作，因此发热的区域不同。通过该控制，能够更有效地进行热的分散。
半导体芯片1A、1B，在晶片焊盘70的上下反转后被安装。因此，半导体芯片1A的各区域A11A～A14A、B21A～B24A和在下表面70B侧载置的半导体芯片1B的各区域A11B～A14B、B21B～B24B，为相对于半导体芯片1A、1B的中心轴而线对称的关系。因此，例如在半导体芯片1A和1B以相同的驱动模式A动作时，在半导体芯片1A和1B中导通的晶体管的区域的位置不同。即，在半导体芯片1A中导通的晶体管11的区域A11A的晶片焊盘70的下表面70B侧，存在截止状态的晶体管23的区域B23B。因此，发热的区域被分散，能够避免热的集中。
驱动晶体管设为晶体管，但不限于此。例如，也可以用PMOS晶体管构成在电源端子侧配置的晶体管11、13、以及、21、23。另外，也能够将具有高耐压的功能的GaN晶体管，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等的功率元件构成为开关元件。
对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，无意限定发明的范围。这些新的实施方式，能够以其他的各种各样的方式实施，在不脱离发明的主旨的范围内，能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形，包含在发明的范围及主旨中，并且包含在权利要求书记载的发明及其等同的范围中。

Claims (20)

1.一种半导体集成电路，具备：
第1开关元件，主电流通路连接于对马达的第1励磁线圈供给励磁电流的第1输出端与电源端子之间；
第2开关元件，主电流通路连接于上述第1输出端与第1接地端子之间；
第3开关元件，主电流通路连接于对上述马达的上述第1励磁线圈供给励磁电流的第2输出端与上述电源端子之间；
第4开关元件，主电流通路连接于上述第2输出端与上述第1接地端子之间；
模式设定电路，设定上述第1开关元件至上述第4开关元件的驱动模式；以及
控制电路，根据上述驱动模式，生成控制上述第1开关元件至上述第4开关元件的导通/截止的驱动信号，并供给至上述第1开关元件至上述第4开关元件，
上述驱动模式具有使上述第1开关元件和上述第3开关元件导通的第1放电模式、及使上述第2开关元件和上述第4开关元件导通的第2放电模式。
2.如权利要求1所述的半导体集成电路，其中，
上述第1放电模式和上述第2放电模式交替地进行。
3.如权利要求1所述的半导体集成电路，其中，具备：
第5开关元件，主电流通路连接于对上述马达的第2励磁线圈供给励磁电流的第3输出端与上述电源端子之间；
第6开关元件，主电流通路连接于上述第3输出端与第2接地端子之间；
第7开关元件，主电流通路连接于对上述第2励磁线圈供给励磁电流的第4输出端与上述电源端子之间；以及
第8开关元件，主电流通路连接于上述第4输出端与上述第2接地端子之间，
上述模式设定电路设定上述第5开关元件至上述第8开关元件的驱动模式，
上述控制电路，根据上述驱动模式，生成控制上述第5开关元件至上述第8开关元件的导通/截止的驱动信号，并供给至上述第5开关元件至上述第8开关元件，
上述驱动模式具有使上述第5开关元件和上述第7开关元件导通的第3放电模式、及使上述第6开关元件和上述第8开关元件导通的第4放电模式。
4.如权利要求3所述的半导体集成电路，其中，
上述第3放电模式和上述第4放电模式交替地进行。
5.如权利要求3所述的半导体集成电路，其中，具备：
与上述马达的上述第1励磁线圈连接的第1焊盘；
与上述马达的上述第1励磁线圈连接的第2焊盘；
与上述马达的上述第2励磁线圈连接的第3焊盘；
与上述马达的上述第2励磁线圈连接的第4焊盘；以及
功能变更电路，切换上述第1输出端至上述第4输出端与上述第1焊盘至上述第4焊盘之间的连接。
6.一种半导体集成电路装置，具备：
第1半导体芯片，集成了权利要求5所述的半导体集成电路，载置于晶片焊盘的第1主面；以及
第2半导体芯片，集成了权利要求5所述的半导体集成电路，载置于上述晶片焊盘的与上述第1主面对置的第2主面。
7.如权利要求6所述的半导体集成电路装置，其中，
上述第1焊盘至上述第4焊盘，在上述第1半导体芯片的一边侧配置为一列。
8.如权利要求6所述的半导体集成电路装置，其中，
上述第1半导体芯片具备第1功率区域，
上述第1开关元件、上述第3开关元件、上述第5开关元件、上述第7开关元件在上述第1功率区域的上部侧配置为一列，
上述第2开关元件、上述第4开关元件、上述第6开关元件、上述第8开关元件在上述第1功率区域的下部侧配置为一列。
9.如权利要求6所述的半导体集成电路装置，其中，
上述第1半导体芯片，在第1定时使上述第1开关元件、上述第3开关元件、上述第5开关元件以及上述第7开关元件同时导通，
上述第2半导体芯片，在上述第1定时使上述第2开关元件、上述第4开关元件、上述第6开关元件以及上述第8开关元件同时导通。
10.如权利要求6所述的半导体集成电路装置，其中，
上述第1半导体芯片具备：
第1控制信号端，被施加对上述控制电路供给的控制信号；
第1同步信号端，被施加对上述控制电路供给的同步信号；
第1控制信号焊盘，从外部被供给上述控制信号；以及
第1同步信号焊盘，从外部被供给上述同步信号，
上述第1半导体芯片的功能变更电路，将上述第1控制信号端与上述第1控制信号焊盘连接，将上述第1同步信号端与上述第1同步信号焊盘连接，
上述第2半导体芯片具备：
第2控制信号端，被施加对上述第2半导体芯片的控制电路供给的控制信号；
第2同步信号端，被施加对上述第2半导体芯片的控制电路供给的同步信号；
第2同步信号焊盘，从外部被供给对上述第2半导体芯片的控制电路供给的控制信号；以及
第2控制信号焊盘，从外部被供给对上述第2半导体芯片的控制电路供给的控制信号，
上述第2半导体芯片的功能变更电路，将上述第2控制信号端与上述第2同步信号焊盘连接，将上述第2同步信号端与上述第2控制信号焊盘连接。
11.如权利要求7所述的半导体集成电路装置，其中，
第1引线，供上述第1半导体芯片的上述第1焊盘连接；
第2引线，供上述第1半导体芯片的上述第2焊盘连接；
第3引线，供上述第1半导体芯片的上述第3焊盘连接；以及
第4引线，供上述第1半导体芯片的上述第4焊盘连接，
上述第2半导体芯片的上述第1焊盘与上述第4引线连接，
上述第2半导体芯片的上述第2焊盘与上述第3引线连接，
上述第2半导体芯片的上述第3焊盘与上述第2引线连接，
上述第2半导体芯片的上述第4焊盘与上述第1引线连接。
12.一种马达驱动控制系统，具备：
马达，具有通过励磁电流而产生磁场的励磁线圈；以及
控制上述励磁电流的半导体集成电路装置，
上述半导体集成电路装置具备：
第1开关元件，主电流通路连接于对上述马达的励磁线圈供给励磁电流的第1输出端与电源端子之间；
第2开关元件，主电流通路连接于上述第1输出端与接地端子之间；
第3开关元件，主电流通路连接于对上述马达的励磁线圈供给励磁电流的第2输出端与上述电源端子之间；
第4开关元件，主电流通路连接于上述第2输出端与上述接地端子之间；
第1模式设定电路，设定上述第1开关元件至上述第4开关元件的驱动模式；以及
第1控制电路，根据上述驱动模式，生成控制上述第1开关元件至上述第4开关元件的导通/截止的驱动信号，并供给至上述第1开关元件至上述第4开关元件，
上述驱动模式具有使上述第1开关元件和上述第3开关元件导通的第1放电模式、及使上述第2开关元件和上述第4开关元件导通的第2放电模式。
13.如权利要求12所述的马达驱动控制系统，其中，
上述第1放电模式和上述第2放电模式交替地进行。
14.如权利要求13所述的马达驱动控制系统，其中，具备：
第5开关元件，主电流通路连接于对上述马达的第2励磁线圈供给励磁电流的第3输出端与上述电源端子之间；
第6开关元件，主电流通路连接于上述第3输出端与第2接地端子之间；
第7开关元件，主电流通路连接于对上述第2励磁线圈供给励磁电流的第4输出端与上述电源端子之间；以及
第8开关元件，主电流通路连接于上述第4输出端与上述第2接地端子之间，
上述第1模式设定电路设定上述第5开关元件至上述第8开关元件的驱动模式，
上述第1控制电路，根据上述驱动模式，生成控制上述第5开关元件至上述第8开关元件的导通/截止的驱动信号，并供给至上述第5开关元件至上述第8开关元件，
上述驱动模式具有使上述第5开关元件和上述第7开关元件导通的第3放电模式、及使上述第6开关元件和上述第8开关元件导通的第4放电模式。
15.如权利要求14所述的马达驱动控制系统，其中，
上述第3放电模式和上述第4放电模式交替地进行。
16.如权利要求14所述的马达驱动控制系统，其中，
上述第1放电模式和上述第3放电模式同时进行，上述第2放电模式和上述第4放电模式在与上述第1放电模式和上述第3放电模式不同的定时同时进行。
17.如权利要求14所述的马达驱动控制系统，其中，具有：
第1半导体芯片，形成有上述第1开关元件至上述第8开关元件、上述第1模式设定电路、上述第1控制电路，载置于晶片焊盘的第1主面侧；以及
第2半导体芯片，形成有与上述第1开关元件至上述第8开关元件对应的第9开关元件至第16开关元件、与上述第1模式设定电路对应的第2模式设定电路、与上述第1控制电路对应的第2控制电路，载置于上述晶片焊盘的第2主面侧。
18.如权利要求17所述的马达驱动控制系统，其中，
上述第1控制电路，在第1定时使上述第1开关元件、上述第3开关元件、上述第5开关元件以及上述第7开关元件导通，
上述第2控制电路，在上述第1定时使上述第10开关元件、上述第12开关元件、上述第14开关元件以及上述第16开关元件导通。
19.一种半导体集成电路装置，具备载置于晶片焊盘的第1主面的第1半导体芯片及载置于上述晶片焊盘的与上述第1主面对置的第2主面的第2半导体芯片，
该第1半导体芯片具有：
第1开关元件，主电流通路连接于对马达的第1励磁线圈供给励磁电流的第1输出端与第1电源端之间；
第2开关元件，主电流通路连接于上述第1输出端与第1接地端子之间；
第3开关元件，主电流通路连接于对上述马达的上述第1励磁线圈供给励磁电流的第2输出端与上述第1电源端子之间；
第4开关元件，主电流通路连接于上述第2输出端与上述第1接地端子之间；
第1模式设定电路，设定上述第1开关元件至上述第4开关元件的驱动模式；
第1控制电路，根据上述第1模式设定电路设定的驱动模式，生成控制上述第1开关元件至上述第4开关元件的导通/截止的驱动信号，并供给至上述第1开关元件至上述第4开关元件；
第1控制信号端，被施加对上述第1控制电路供给的控制信号；
第1同步信号端，被施加对上述第1控制电路供给的同步信号；
第1控制信号焊盘，从外部被供给对上述第1控制电路供给的控制信号；
第1同步信号焊盘，从外部被供给对上述第1控制电路供给的同步信号；以及
第1功能变更电路，变更上述第1控制信号端与上述第1控制信号焊盘或上述第1同步信号焊盘之间的连接关系、以及、上述第1同步信号端与上述第1同步信号焊盘或第1控制信号焊盘之间的连接关系，
该第2半导体芯片具有：
第5开关元件，主电流通路连接于对上述马达的上述第1励磁线圈供给励磁电流的第3输出端与第2电源端子之间；
第6开关元件，主电流通路连接于上述第3输出端与第2接地端子之间；
第7开关元件，主电流通路连接于对上述马达的上述第1励磁线圈供给励磁电流的第4输出端与上述第2电源端子之间；
第8开关元件，主电流通路连接于上述第4输出端与上述第2接地端子之间；
第2模式设定电路，设定上述第5开关元件至上述第8开关元件的驱动模式；
第2控制电路，根据上述第2模式设定电路设定的驱动模式，生成控制上述第5开关元件至上述第8开关元件的导通/截止的驱动信号，并供给至上述第5开关元件至上述第8开关元件；
第2控制信号端，被施加对上述第2控制电路供给的控制信号；
第2同步信号端，被施加对上述第2控制电路供给的同步信号；
第2控制信号焊盘，从外部被供给对上述第2控制电路供给的控制信号；
第2同步信号焊盘，从外部被供给对上述第2控制电路供给的同步信号；以及
第2功能变更电路，变更上述第2控制信号端与上述第2控制信号焊盘或上述第2控制信号端与上述第2同步信号焊盘之间的连接关系、以及、上述第2同步信号端与上述第2同步信号焊盘或上述第2同步信号端与第2控制信号焊盘之间的连接关系。
20.如权利要求19所述的半导体集成电路装置，其中，
上述第1模式设定电路设定的驱动模式具有使上述第1开关元件和上述第3开关元件导通的第1放电模式、及使上述第2开关元件和上述第4开关元件导通的第2放电模式，
上述第2模式设定电路设定的驱动模式具有使上述第5开关元件和上述第7开关元件导通的第3放电模式、及使上述第6开关元件和上述第8开关元件导通的第4放电模式。
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