JP7223941B2 - 発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の一実施形態は、この知見に基づきなされたものであり、半導体積層体の防湿性を高めつつ、光取り出し効率を向上させることができる発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
図1は、第1実施形態の発光素子100の模式上面図である。
図2は、第1実施形態の発光素子100の模式断面図であり、図1のII-II線における断面図である。
図10は、第2実施形態の発光素子200の模式断面図である。図10は、図2と同様の断面を表す。
また、前述した各実施の形態が備える各要素・工程は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
Claims (15)
- 基板上に順に形成された第1半導体層と、活性層と、第2半導体層とを含む半導体積層体を準備する工程と、
前記基板を除去し、前記第1半導体層の表面を露出させる工程と、
前記第1半導体層の前記表面に保護膜を形成する工程と、
を備え、
前記保護膜を形成する工程は、
化学気相成長法により、成膜室内に第1流量の原料ガスを導入しつつ、前記第1半導体層の前記表面に第1層を形成する工程と、
化学気相成長法により、成膜室内に前記第1流量よりも少ない第2流量の原料ガスを導入しつつ、前記第1層上に第2層を形成する工程と、
を有する発光素子の製造方法。 - 基板上に順に形成された第1半導体層と、活性層と、第2半導体層とを含む半導体積層体を準備する工程と、
前記基板を除去し、前記第1半導体層の表面を露出させる工程と、
前記第1半導体層の前記表面に粗面化加工を施し凹凸面を形成する工程と、
前記第1半導体層の前記表面に前記凹凸面を形成した後、前記第1半導体層の前記表面に保護膜を形成する工程と、
を備え、
前記保護膜を形成する工程は、
化学気相成長法により、前記半導体積層体側に第1電力を印加しつつ、前記第1半導体層の前記表面及び前記凹凸面を覆うように第1層を形成する工程と、
化学気相成長法により、前記半導体積層体側に前記第1電力よりも大きい第2電力を印加しつつ、前記第1層上に第2層を形成する工程と、
を有する発光素子の製造方法。 - 基板上に順に形成された第1半導体層と、活性層と、第2半導体層とを含む半導体積層体を準備する工程と、
前記基板を除去し、前記第1半導体層の表面を露出させる工程と、
前記第1半導体層の前記表面に保護膜を形成する工程と、
を備え、
前記保護膜を形成する工程は、
化学気相成長法により、成膜室内に第1圧力を印加しつつ、前記第1半導体層の前記表面に第1層を形成する工程と、
化学気相成長法により、成膜室内に前記第1圧力よりも小さい第2圧力を印加しつつ、前記第1層上に第2層を形成する工程と、
を有する発光素子の製造方法。 - 基板上に順に形成された第1半導体層と、活性層と、第2半導体層とを含む半導体積層体を準備する工程と、
前記基板を除去し、前記第1半導体層の表面を露出させる工程と、
前記第1半導体層の前記表面に保護膜を形成する工程と、
を備え、
前記保護膜を形成する工程は、
化学気相成長法により、成膜室内を第1周波数としつつ、前記第1半導体層の前記表面に第1層を形成する工程と、
化学気相成長法により、成膜室内を前記第1周波数よりも低い第2周波数としつつ、前記第1層上に第2層を形成する工程と、
を有する発光素子の製造方法。 - 前記第1層を、前記半導体積層体側に第1電力を印加しつつ形成し、
前記第2層を、前記半導体積層体側に前記第1電力よりも大きい第2電力を印加しつつ形成する請求項1に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第1層を、成膜室内に第1圧力を印加しつつ形成し、
前記第2層を、成膜室内に前記第1圧力よりも小さい第2圧力を印加しつつ形成する請求項5に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第1流量を、前記第2流量の2倍以上とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。
- 前記第1電力を、前記第2電力の0.5倍以下とする請求項2、5又は6に記載の発光素子の製造方法。
- 前記第1圧力を、前記第2圧力の2倍以上とする請求項3又は6に記載の発光素子の製造方法。
- 前記第1層の厚さは、前記第2層の厚さよりも薄い請求項1~9のいずれか1つに記載の発光素子の製造方法。
- 前記第1層の密度は、前記第2層の密度よりも低い請求項1~10のいずれか1つに記載の発光素子の製造方法。
- 前記第1層は、シリコン酸化膜であり、
前記第2層は、シリコン酸化膜、または窒化アルミニウム膜である請求項1~11のいずれか1つに記載の発光素子の製造方法。 - 前記半導体積層体は、InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1,0≦y≦1,x+y≦1)を含む請求項1~12のいずれか1つに記載の発光素子の製造方法。
- 前記第1半導体層の前記表面に前記第1層を形成した後、前記半導体積層体を複数の半導体部に分離し、前記半導体積層体の側面を露出させる工程をさらに備え、
前記第2層を前記第1層上に、前記第1層の端部および前記半導体積層体の前記側面を覆うように形成する請求項1~13のいずれか1つに記載の発光素子の製造方法。 - 前記第1層を形成する前に、前記第1半導体層の前記表面に粗面化加工を施し凹凸面を形成する工程をさらに備え、
前記第1層を、前記第1半導体層の前記表面及び前記凹凸面を覆うように形成する請求項1、3、または4に記載の発光素子の製造方法。
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