JP7203283B2 - 電子デバイス検査装置 - Google Patents

Description

本願は、電子デバイス検査装置に関するものである。

半導体装置のような電子デバイスは、電気的諸特性の検査のため、通電のために検査用の接触子を電極に接触させる必要がある。その際、試験体である電子デバイスの電極の高さが所定範囲内に入らないと、接触子と電極との間で接触不良が生じ、正確な検査ができなくなる。そこで、電極に向かって延びるアームの先端に設けた接点を、アームの変形によって電極に向かって能動的に移動させる検査装置が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。

特開２００２―３１３８５５号公報（段落００２７～００３１、図１～図５）

しかしながら、接点の位置を近づけるだけの構成では、例えば、試験体が傾いた状態でセッティングされた場合、電極周辺部が干渉し、接点を電極に接触させることができず、試験体を再セッティングする必要が生じ、検査効率が低下することがあった。

本願は、上記のような課題を解決するための技術を開示するものであり、電子デバイスを効率よく正確に検査できる電子デバイス検査装置を得ることを目的としている。

本願に開示される電子デバイス検査装置は、電子デバイスに配置された電極を位置決めして保持する保持機構、 形状記憶合金で長尺薄板状に形成され、一端側が前記保持機構に固定され、他端側が第一温度において渦巻き形状をなし、第二温度において渦巻きが展開する接触子、および前記接触子を介した前記電極への通電により、前記電子デバイスを測定する測定部、を備え、前記他端側の渦巻きの軸は、前記位置決めされた電極の面に平行であり、前記第二温度において、前記他端側と前記位置決めされた電極との間に、長尺方向に沿った接触領域を形成することを特徴とする。

本願に開示される電子デバイス検査装置によれば、電極面に沿って接点を形成するように構成したので、電子デバイスを効率よく正確に検査することができる。

図１Ａと図１Ｂは、それぞれ実施の形態１にかかる電子デバイス検査装置の構成を示すブロック図と、接触子の温度変化に伴う形状変化を示す模式図である。 実施の形態１にかかる電子デバイス検査装置の構成を説明するための検査台部分を三面図形式で示す模式図である。 図３Ａと図３Ｂは、それぞれ実施の形態１にかかる電子デバイス検査装置の構成を説明するための検査台部分の斜視図と、三面図形式で示す模式図である。 図４Ａと図４Ｂそれぞれは、実施の形態１にかかる電子デバイス検査装置において、接触子の配置の異なる検査台の形状を説明するための斜視図である。 図５Ａと図５Ｂそれぞれは、実施の形態１の第一変形例、および第二変形例にかかる電子デバイス検査装置の構成を説明するための検査台部分の斜視図である。 図６Ａと図６Ｂは、それぞれ実施の形態２にかかる電子デバイス検査装置の構成を説明するための検査台部分の斜視図と、三面図形式で示す模式図である。 図７Ａと図７Ｂは、それぞれ実施の形態３にかかる電子デバイス検査装置の構成を説明するための検査台部分の斜視図と、三面図形式で示す模式図である。 各実施の形態にかかる電子デバイス検査装置の制御部のハードウェア構成を示すブロック図である。

実施の形態１．
図１～図３は、実施の形態１にかかる電子デバイス検査装置について説明するためのものであり、図１は電子デバイス検査装置の構成として、検査品である電子デバイスを載置する検査台部分の模式的な描画を含むブロック図（図１Ａ）と、電子デバイスの電極に接触させる接触子の温度変化に伴う形状変化を示す模式図（図１Ｂ）である。そして、図２は検査台部分を三角法による三面図形式で示す模式図である。さらに、図３は接触子を電極に接触するように変形させた状態での、検査台部分の斜視図（図３Ａ）と、三面図形式で示す模式図（図３Ｂ）である。

また、図４と図５は実施の形態１の応用例にかかる電子デバイス検査装置について説明するためのもので、図４は接触子の数を変化させた例を示すもので、１つの接触子を配置した検査台の斜視図（図４Ａ）と、４つの接触子を配置した検査台の斜視図（図４Ｂ）である。図５は第一変形例にかかる電子デバイス検査装置の検査台部分の斜視図（図５Ａ）と、第二変形例にかかる電子デバイス検査装置の検査台部分の斜視図（図５Ｂ）である。

実施の形態１にかかる電子デバイス検査装置１０は、図１Ａに示すように、検査品である半導体装置９０の電気的特性を測定するために電極との接点を形成する接触子２を有する機構部１、および測定動作を制御する制御部６を備えている。半導体装置９０等の電子デバイスには、一方の面（電極配置面９０ｆｅ：図２）に図示しない電極が形成されており、この電極に通電することで、電気的諸特性の測定を実行するように構成している。

機構部１は、接触子２と、接触子２の一端（基部２ｂ）が固定され、例えば、半導体装置９０を保持するための図示しない治具が取り付けられる検査台３とを有している。検査台３は、接触子２を固定する部分が絶縁基板等の絶縁材で構成され、接触子２それぞれに対応し、測定部６１からの配線と接続するための端子３ｔが設けられている。また、後述する変形例で説明するように、温度調節、あるいは半導体装置９０の固定のための器具等を設けるようにしてもよい。

接触子２は、例えばニッケルチタン合金等の形状記憶合金製で、長尺薄板状に形成されている。そして、図１Ｂに示すように、一端側が検査台３の上面３ｆｔに固定される基部２ｂと、他端側が温度変化により、渦巻き状から平坦状あるいは逆向きの湾曲状へと可逆的に形状が変化し、上述した電極との接点を形成する可変部２ａとで構成している。

基部２ｂは、図２に示すように、渦巻き状の可変部２ａが面３ｆｔから電極配置面９０ｆｅに向けて立ち上がるように、渦巻きの軸を電極配置面９０ｆｅに平行にして、上面３ｆｔに固定されている。つまり、基部２ｂは、可変部２ａが電極配置面９０ｆｅに近づく方向に渦巻くように、電極配置面９０ｆｅから離れた上面３ｆｔに固定されている。その際、位置決めされた半導体装置９０の電極配置面９０ｆｅに対して、渦巻き状をなす可変部２ａの電極配置面９０ｆｅに近い側が、自由端２ａｅに進む方向において、内側から外側に向かうように、検査台３に固定されている。これにより、温度変化によって可変部２ａの渦巻きが展開した際、自由端２ａｅは、電極配置面９０ｆｅの外側を向くことになる。

なお、渦巻き状部分の長さは、形状回復した際に接触子２と電極面との間に隙間があっても接続できる長さが必要である。例えば電極面と接触子２の高さ方向における製作誤差を考慮して、後述する弾性変形による押圧力を発生させるために必要な変形量と接触面積を確保するための長さが必要である。

制御部６には、検査品に電流を流して電気的特性を測定する測定部６１、検査動作全体を制御する検査制御部６４、検査結果を管理する検査結果管理部６５、検査結果を出力する検査結果出力部６６、およびデータを保存するデータ保存部６７を備えている。さらには、後述する変形例で説明する例えば、接触子２の形状を変化させるための温度調整部６３、検査品を保持する機構を制御する保持機構制御部６２を備えるようにしてもよい。

上述した構成に基づき、詳細を説明する。検査品である半導体装置９０を検査台３に設置する際、常温の接触子２は、渦巻き状をなし、上述したように、電極配置面９０ｆｅに近い側が、自由端２ａｅに進む方向において、内側から外側に向かっている。このとき、可変部２ａと電極配置面９０ｆｅとの間には隙間があるため、半導体装置９０は、図示しない治具を用いて、接触子２による干渉を受けることなく、検査台３に対して容易に位置決めすることができる。

この状態において、接触子２の温度を上昇させると、可変部２ａが渦巻き状から展開して、図３に示すように、電極配置面９０ｆｅの図示しない電極に当たった部分から、電極面に沿って変形してＵ字状になり、電極面との間で接触領域Ｒｃを形成する。高温状態では、本来、平坦な部分が弾性変形してバネとして作用させることになるため、可変部２ａは、電極面に対して押圧力を発生させ、面による接触領域Ｒｃとの間で良好な電気接続が可能となる。

つまり、形状記憶による変形を利用することで、接触子２による干渉を受けることなく、半導体装置９０を正確に位置決めして検査することが可能となる。また、仮に半導体装置９０が傾いて設置されたり、電極面に傾きがあったりしても、可変部２ａが傾いた電極面に沿って変形し、かつ押圧力を付与できるため、効率よく正確に電子デバイスの検査が可能になる。

なお、線膨張係数の差で変形するバイメタルを用いて接触子を形成すると、温度に応じて渦巻きと平坦との間で変化させることは可能である。しかし、その場合は湾曲の変化により、バネとしての作用は有するが、湾曲方向と交差する方向への変形は困難となり、傾いた電極面に対して偏当たりする可能性があり、面による接触領域Ｒｃを形成することは困難である。一方、形状記憶合金で形成した接触子２では、湾曲方向はもちろんのこと、湾曲方向に対して交差する方向に対しても変形可能であり、電極面に沿った変形により、良好な接触が可能となる。そのため、接触抵抗も小さく正確な測定ができる上、圧力が分散されるため半導体装置９０の電極面が傷つくことも抑制することができる。

なお、上記例では、常温が渦巻き状で高温が平坦に形状回復する例を示したがこれに限ることはない。例えば、常温で形状回復する形状記憶合金を接触子２に用いれば、高温で半導体装置９０を設置する際は、前述のバネの作用がないため、接触子２による押し戻し等の干渉を受けずに、正確に位置決めできる。そして、接触子２を形状回復する温度まで冷却することで、良好な接触領域Ｒｃを形成し、正確な検査が可能になる。

また、検査台３に設置する接触子２の数は、２本に限ることはなく、図４（図４Ａ、図４Ｂ）に示すように、１本、または４本等、試験体、あるいは試験内容に応じた任意の数でよい。一方、上述した接触子２による干渉を考慮すると、本願による位置決めを容易にする効果は、接触子２の本数が多いほど、発揮される。

第一変形例．
なお、接触子２が形状回復する際、半導体装置９０が引きずられて移動することを防止するため、図５Ａに示すように、ストッパー、加圧具もしくは、重石等の移動防止具４を設置するようにしてもよい。その際、検査制御部６４によって、測定部６１による測定の進行度を監視し、移動防止具４の駆動と開放を保持機構制御部６２に制御させるようにしてもよい。このように構成することで、回復した接触子２と半導体装置９０の接触圧が高まるため、電気的な接続がより確かなものになり、また、次の検査体への交換も迅速にお行われるので、検査効率が高くなる。

第二変形例．
また、接触子２の温度を変化させる機構については、ドライヤーなどの熱源を接触子２に近づけたり、試験体を含めて、恒温槽等に入れたりして雰囲気温度を上げることで実現してもよい。また、例えば、図５Ｂに示すように、接触子２の近傍にペルチェ素子等のサーモモジュール５を配置するようにしてもよい。その際、検査制御部６４によって、測定部６１による測定の進行度を監視し、サーモモジュール５による昇温と冷却、ドライヤーのオン／オフ、あるいは恒温槽への出し入れを温度調整部６３に制御させるようにしてもよい。とくに、高温下で検査を行う場合には、昇温と冷却を工程化し、検査時の温度を正確に制御できるので、好適である。

実施の形態２．
実施の形態１においては、接触子と検査台の高さ関係については言及しなかった。本実施の形態２においては、接触子を検査台の溝に収容できるように構成した例について説明する。図６は実施の形態２にかかる電子デバイス検査装置について説明するためのものであり、検査台部分の斜視図（図６Ａ）と、三面図形式で示す模式図（図６Ｂ）である。なお、接触子の動きについては実施の形態１で説明したのと同様であり、電子デバイス検査装置全体と接触子自体の形態については図１、接触子が形状回復して接触領域を形成した際の形状については図３Ｂを援用する。

本実施の形態２にかかる電子デバイス検査装置１０は、図６に示すように、検査台３に、半導体装置９０を載置する載置面３ｆｔ１から窪み、接触子２それぞれに対応して溝部３ｇを設けるようにした。そして、溝部３ｇの底面３ｆｔ２上に接触子２の基部２ｂを固定し、可変部２ａが渦巻き形状の際に、載置面３ｆｔ１と底面３ｆｔ２との間に入るように、接触子２を溝部３ｇ内に収容した。

検査台３は、溝部３ｇ部分の壁面も絶縁材料で形成されており、そこに図示しない端子３ｔに接続された接触子２がそれぞれ配置されている。半導体装置９０を検査台３の載置面３ｆｔ１に設置した際、可変部２ａが渦巻き状の状態では、接触子２と接触しておらず電気的に接続されていない。しかし、形状回復する温度まで昇温することで、実施の形態１と同様に、接触子２は半導体装置９０の電極面に沿って変形し、接触領域Ｒｃを形成することで電気的に接続される。

検査台３自体の載置面３ｆｔ１に半導体装置９０を設置するため、治具等を介した場合と比べて、電極配置面９０ｆｅと底面３ｆｔ２との平行度が高く、接触子２が形状回復した際に電気的に接続する精度が向上する。また、任意のタイミングで接触子２を昇温することで接触子２を半導体装置９０の電極に対して電気的に接続できる。そのため、半導体装置９０を設置する際に、人体の帯電による静電気放電の発生を抑えることができ、半導体装置９０を保護できる。

また、接触子２は溝部３ｇ内に収容されているため、溝部３ｇの側面がガイドの役割を果たし、接触子２が形状回復する際、側面に沿って変形する。そのため、溝３ｇの幅を半導体装置９０の電極の幅と揃えれば、接触子２が変形した際の電極からのずれを防止し、より確実に電気的に接続することができる。また、半導体装置９０は載置面３ｆｔ１と接触しているため、設置時に接触子２を押さえつける際の物理的負荷がなく、かつ半導体装置９０が発熱する場合でも、検査台３の放熱性も高くなるため、接触子２と半導体装置９０への熱的負荷が減少する。とくに、検査品として発熱量が大きな電子デバイスを用いたときの有効である。

なお、複数の接触子２が長尺方向に沿って隣接する場合、形状変化の際に、接触子２同士が接触して、意図しない部分が導通し、正確な検査ができなくなる場合が考えられる。しかし、溝部３ｇ間を仕切る仕切り３ｓを設けるようにすれば、接触子２が形状変化する過程で、互いが接触して導通することがなくなる。

なお、溝部３ｇを設けた場合でも、実施の形態１の第一変形例、第二変形例で説明したように、移動防止具４、サーモモジュール５を設けるようにしてもよいことは言うまでもない。

実施の形態３．
実施の形態２においては、載置面に平行な方向における半導体装置の位置決め構成については言及しなかった。本実施の形態３においては、半導体装置を位置決め固定できるソケットを設けた例について説明する。図７は実施の形態３にかかる電子デバイス検査装置について説明するためのものであり、検査台部分の斜視図（図７Ａ）と、三面図形式で示す模式図（図７Ｂ）である。なお、本実施の形態３においても、接触子の動きについては実施の形態１で説明したのと同様であり、電子デバイス検査装置全体と接触子自体の形態については図１、接触子が形状回復して接触領域を形成した際の形状については図３Ｂを援用する。

本実施の形態３にかかる電子デバイス検査装置１０は、図７に示すように、検査台３に、半導体装置９０を嵌め込むソケット３１を設けるようにした。ソケット３１には、実施の形態２で説明した接触子２を収容する溝部３ｇと、半導体装置９０を載置する載置面３ｆｔ１を有するとともに、矩形板状の半導体装置９０の４側部を支持する枠状部３１ｃが形成されている。

ソケット３１に設けた溝部３ｇ部分の壁面も絶縁材料で形成されており、そこに図示しない端子３ｔに接続された接触子２がそれぞれ配置されている。半導体装置９０をソケット３１の枠状部３１ｃ内の載置面３ｆｔ１に設置した際、可変部２ａが渦巻き状の状態では、接触子２と接触しておらず電気的に接続されていない。しかし、形状回復する温度まで昇温することで、実施の形態１と同様に、接触子２は半導体装置９０の電極面に沿って変形し、接触領域Ｒｃを形成することで電気的に接続される。

その際、矩形板状の半導体装置９０における電極配置面９０ｆｅに隣接する４つの側部は枠状部３１ｃにより支持されるため、電極配置面９０ｆｅに平行な方向における位置決めを容易にでき、しかも上述した形状回復時の力がかかった際にも位置ずれを防止できる。さらに、実施の形態２で説明したように、電極配置面９０ｆｅと底面３ｆｔ２との平行度が高く、接触子２が形状回復した際に電気的に接続する精度が向上する。また、任意のタイミングで接触子２を昇温することで接触子２を半導体装置９０の電極に対して電気的に接続できる。そのため、半導体装置９０を設置する際に、人体の帯電による静電気放電の発生を抑えることができ、半導体装置９０を保護できる。

また、接触子２は溝部３ｇ内に収容されているため、溝部３ｇの側面がガイドの役割を果たし、接触子２が形状回復する際、側面に沿って変形する。そのため、溝３ｇの幅を半導体装置９０の電極の幅と揃えれば、接触子２が変形した際の電極からのずれを防止し、より確実に電気的に接続することができる。また、半導体装置９０は載置面３ｆｔ１と接触しているため、設置時に接触子２を押さえつける際の物理的負荷がなく、かつ半導体装置９０が発熱する場合でも、枠状部３１ｃも放熱経路として機能するため、実施の形態２よりもさらに放熱性が高くなり、接触子２と半導体装置９０への熱的負荷が減少する。とくに、検査品として発熱量が大きな電子デバイスを用いたときの有効である。また、ソケット３１は、検査台３にねじ止めなどで着脱自在に固定することにより、例えば、半導体装置９０が焼損した場合でも、ソケット３１を交換すれば、その他の部品は再利用できる。

また、ソケット３１を用いた場合でも、接触子２が同じ方向に複数並ぶ場合、形状変化の際に、接触子２同士が接触して、意図しない部分が導通し、正確な検査ができなくなる場合が考えられる。しかし、溝部３ｇ間を仕切る仕切り３ｓを設けるようにすれば、接触子２が形状変化する過程で、互いが接触して導通することがなくなる。なお、ソケット３１を設けた場合でも、実施の形態１の第一変形例、第二変形例で説明したように、移動防止具４、サーモモジュール５を設けるようにしてもよいことは言うまでもない。

なお、各実施の形態にかかる電子デバイス検査装置１０において、例えば、制御部６の演算あるいは制御を実行する部分を、図８に示す一例のように、プロセッサ６０１と記憶装置６０２から構成されるハードウェア６０と表記することができる。記憶装置６０２は、図示しないランダムアクセスメモリ等の揮発性記憶装置と、フラッシュメモリ等の不揮発性の補助記憶装置とを具備する。また、フラッシュメモリの代わりにハードディスクの補助記憶装置を具備してもよい。プロセッサ６０１は、記憶装置６０２から入力されたプログラムを実行する。この場合、補助記憶装置から揮発性記憶装置を介してプロセッサ６０１にプログラムが入力される。また、プロセッサ６０１は、演算結果等のデータを記憶装置６０２の揮発性記憶装置に出力してもよいし、揮発性記憶装置を介して補助記憶装置にデータを保存してもよい。

なお、本願は、様々な例示的な実施の形態および実施例が記載されているが、実施の形態内に記載された様々な特徴、態様、および機能の組み合わせは、実施の形態として記載された内容に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで適用可能である。したがって、例示されていない無数の変形例が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの構成要素を抽出し、組み合わせを変更する場合が含まれるものとする。

例えば、可変部２ａは半導体装置９０の電極配置面９０ｆｅの外側に向けて延びる例を示したが、これに限ることはなく、内側に向けて延びるように配置してもよい。また、可変部２ａが渦巻き状をなすときに、電極と間隔をあける場合を好適例として示したが、必ずしも間隔をあける必要はなく、過度な反発力を発生する状態でなければ、接触していてもよい。

以上のように、実施の形態にかかる電子デバイス検査装置１０によれば、電子デバイス（半導体装置９０）に配置された電極を位置決めして保持する保持機構（検査台３）、形状記憶合金で長尺薄板状に形成され、一端側（基部２ｂ）が保持機構（上面３ｆｔ、あるいは底面３ｆｔ２）に固定され、他端側（可変部２ａ）が第一温度（例えば、常温）において渦巻き形状をなし、第二温度（例えば、常温より高い温度）において渦巻きが展開する接触子２、および接触子２を介した電極への通電により、電子デバイス（半導体装置９０）を測定する測定部６１、を備え、他端側（可変部２ａ）の渦巻きの軸は、位置決めされた電極の面（電極配置面９０ｆｅ、あるいは電極面）に平行であり、第二温度において、他端側（可変部２ａ）と位置決めされた電極との間に、長尺方向に沿った接触領域Ｒｃを形成するように構成したので、電極面に沿って接触子２との接点を形成し、電子デバイス（半導体装置９０）を効率よく正確に検査することができる。

とくに、接触子２は、第一温度において、他端側（可変部２ａ）が位置決めされた電極に対して間隔をあけて対向するように構成すれば、接触子２に干渉されることなく、電子デバイス（半導体装置９０）を正確に位置決めできる。

接触子２の温度を調整する温度調整部６３（およびサーモモジュール５）、および測定部６１の動作を温度調整部６３の動作に連動して制御する制御部（検査制御部６４）、を備えるように構成すれば、接触子２との接触が良好な状態で測定するので、より一層効率よく正確な検査ができる。

保持機構（検査台３）には、電子デバイス（半導体装置９０）の電極が配置された面（電極配置面９０ｆｅ）を支持する支持面（載置面３ｆｔ１）と、支持面（載置面３ｆｔ１）から窪み、底面３ｆｔ２に接触子２の一端部（基部２ｂ）が固定される溝部３ｇが設けられているようにすれば、電子デバイス（半導体装置９０）を載置する際に接触子２に触れて変形させることがなくなる。また、溝部３ｇがガイドとなって接触子２の変形をスムーズに実現できる。

保持機構（検査台３）には、電子デバイス（半導体装置９０）の電極が配置された面（電極配置面９０ｆｅ）に平行な方向において、電子デバイス（半導体装置９０）を囲む枠状部３１ｃが設けられているように構成すれば、電子デバイス（半導体装置９０）を容易に位置決めでき、また、位置ずれを防止できる。

保持機構（検査台３）には、複数の接触子２が長尺方向に沿って隣接し、隣接した接触子２の間を仕切る仕切り３ｓが設けられているので、接触子２間の短絡を防止できる。

電子デバイス（半導体装置９０）の接触子２から離れる方向への動きを制止する制止機構（移動防止具４）を備えるようにすれば、接触子２からの押圧による電子デバイス（半導体装置９０）と接触子２との接触状態を良好に保つことができる。

１：機構部、 １０：電子デバイス検査装置、 ２：接触子、 ２ａ：可変部、 ３：検査台（保持機構）、 ３１：ソケット、 ３１ｃ：枠状部、 ３ｆｔ：上面、 ３ｆｔ１：載置面（支持面）、 ３ｆｔ２：底面、 ３ｇ：溝部、 ３ｓ：仕切り、４：移動防止具（制止機構）、 ５：サーモモジュール（温度調整部）、 ６：制御部、 ６１：測定部、 ６２：保持機構制御部、 ６３：温度調整部、 ６４：検査制御部、 ６５：検査結果管理部、 ９０：半導体装置（電子デバイス）、 ９０ｆｅ：電極配置面、 Ｒｃ：接触領域。

Claims (7)

1. 電子デバイスに配置された電極を位置決めして保持する保持機構、
   形状記憶合金で長尺薄板状に形成され、一端側が前記保持機構に固定され、他端側が第一温度において渦巻き形状をなし、第二温度において渦巻きが展開する接触子、および
   前記接触子を介した前記電極への通電により、前記電子デバイスを測定する測定部、を備え、
   前記他端側の渦巻きの軸は、前記位置決めされた電極の面に平行であり、前記第二温度において、前記他端側と前記位置決めされた電極との間に、長尺方向に沿った接触領域を形成することを特徴とする電子デバイス検査装置。
2. 前記接触子は、前記第一温度において、前記他端側が前記位置決めされた電極に対して間隔をあけて対向することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス検査装置。
3. 前記接触子の温度を調整する温度調整部、および
   前記測定部の動作を前記温度調整部の動作に連動して制御する制御部、を備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の電子デバイス検査装置。
4. 前記保持機構には、前記電子デバイスの前記電極が配置された面を支持する支持面と、
   前記支持面から窪み、底面に前記接触子の一端部が固定される溝部が設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子デバイス検査装置。
5. 前記保持機構には、前記電子デバイスの前記電極が配置された面に平行な方向において、前記電子デバイスを囲む枠状部が設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の電子デバイス検査装置。
6. 前記保持機構には、複数の前記接触子が前記長尺方向に沿って隣接し、
   前記隣接した接触子の間を仕切る仕切りが設けられていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の電子デバイス検査装置。
7. 前記電子デバイスの前記接触子から離れる方向への動きを制止する制止機構を備えたことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の電子デバイス検査装置。

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