JP5290820B2 - 電子部品の測定装置と測定方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品の測定装置と測定方法に関するものである。

従来より、電子部品の端子にプローブを接触させることによって、電子部品の特性を測定している。ここで、電子部品の温度特性を測定するために、電子部品を保持する保持プレートに、加熱及び／ または冷却手段を設ける、という技術が知られている。また、保持プレートの上面に断熱手段を設けることによって、保持プレートの温度を安定にする技術が知られている。

特開２００４−３０９４５２号公報

ところが、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することに関しては、十分な工夫がなされていないのが実情であった。

本発明は、上記の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することができる技術を提供することを目的とする。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
［形態１］
本体と端子とを有する電子部品の特性を測定する装置であって、
前記電子部品を支持する支持部と、
前記支持部の温度を所定の第１温度となるように調整する第１温度調整部と、
前記電子部品の前記端子に接触するプローブと、
前記プローブを保持する保持部と、
前記保持部の温度を所定の第２温度となるように調整する第２温度調整部と、
前記保持部に接続され、前記電子部品の前記本体に接触することによって前記本体を前記支持部に押しつける押しつけ部と、
を備え、
前記第２温度は、前記第１温度よりも低い温度環境の下で前記特性を測定するための温度として、前記第１温度よりも高い温度に設定されている
測定装置。
この構成によれば、電子部品の温度に影響を与える両部材（電子部品の支持部とプローブの保持部）の温度が第１温度と第２温度とにそれぞれ調整されるので、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することができる。また、電子部品の本体が、温度が調整された支持部に押しつけられるので、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することができる。また、押しつけ部の温度を保持部の温度に近づけることができるので、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することができる。さらに、プローブの温度が保持部の温度よりも低くなりやすい環境下において、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することができる。

［適用例１］本体と端子とを有する電子部品の特性を測定する装置であって、前記電子部品を支持する支持部と、前記支持部の温度を所定の第１温度となるように調整する第１温度調整部と、前記電子部品の前記端子に接触するプローブと、前記プローブを保持する保持部と、前記保持部の温度を所定の第２温度となるように調整する第２温度調整部と、を備える、測定装置。

この構成によれば、電子部品の温度に影響を与える両部材（電子部品の支持部とプローブの保持部）の温度が第１温度と第２温度とにそれぞれ調整されるので、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することができる。

［適用例２］適用例１に記載の測定装置であって、さらに、前記電子部品の前記本体に接触することによって前記本体を前記支持部に押しつける押しつけ部を有する、測定装置。

この構成によれば、電子部品の本体が、温度が調整された支持部に押しつけられるので、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することができる。

［適用例３］適用例２に記載の測定装置であって、前記押しつけ部は前記保持部に接続されている、測定装置。

この構成によれば、押しつけ部の温度を保持部の温度に近づけることができるので、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することができる。

［適用例４］適用例１ないし適用例３のいずれかに記載の測定装置であって、前記第２温度は、前記第１温度よりも高い温度に設定されている、測定装置。

この構成によれば、プローブの温度が保持部の温度よりも低くなりやすい環境下において、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することができる。

［適用例５］適用例１ないし適用例４のいずれかに記載の測定装置であって、前記第１温度調整部は、前記支持部の温度を調整するための第１ペルチェ素子を含み、前記第２温度調整部は、前記保持部の温度を調整するための第２ペルチェ素子を含む、測定装置。

この構成によれば、第１温度調整部と第２温度調整部とのそれぞれは、適切に温度の調整を行うことができる。

［適用例６］適用例１ないし適用例５のいずれかに記載の測定装置であって、前記電子部品は、前記本体として温度変化に応じて電気的特性が変化する部分を有する温度センサである、測定装置。

この構成によれば、温度センサの温度を目標の温度に調整して温度センサの特性を測定することができる。

［適用例７］本体と端子とを有する電子部品の特性を測定する方法であって、前記電子部品を支持する支持部の温度を所定の第１温度となるように調整する工程と、プローブを保持する保持部の温度を所定の第２温度となるように調整する工程と、前記支持部に支持された前記電子部品の前記端子に前記プローブを接触させる工程と、を備える、測定方法。

［適用例８］適用例７に記載の測定方法であって、さらに、押しつけ部を前記電子部品の前記本体に接触させることによって前記本体を前記支持部に押しつける工程を含む、測定方法。

［適用例９］適用例８に記載の測定方法であって、前記押しつけ部は前記保持部に接続されている、測定方法。

［適用例１０］適用例７ないし適用例９のいずれかに記載の測定方法であって、前記第２温度は、前記第１温度よりも高い温度に設定されている、測定方法。

［適用例１１］適用例７ないし適用例１０のいずれかに記載の測定方法であって、前記支持部の温度を調整する工程は、第１のペルチェ素子を用いて前記支持部の温度を調整する工程を含み、前記保持部の温度を調整する工程は、第２のペルチェ素子を用いて前記保持部の温度を調整する工程を含む、測定方法。

［適用例１２］適用例７ないし適用例１１のいずれかに記載の測定方法であって、前記電子部品は、前記本体として温度変化に応じて電気的特性が変化する部分を有する温度センサである、測定方法。

なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、電子部品の検査方法または検査装置、それらの方法または装置の機能を実現するためのコンピュータプログラム、そのコンピュータプログラムを記録した記録媒体、等の態様で実現することができる。

測定装置９００の正面図である。 測定装置を示す説明図である。 支持部２２０の上面図である。 凹部２２０Ｒの斜視図である。 プローブ装置１００の上面図である。 測定処理の手順を示すフローチャートである。 プローブ装置１００の移動前後の測定装置９００を示す説明図。 第２実施例における支持装置の構成を示す説明図である。 第３実施例におけるプローブ装置の構成を示す説明図である。 第４実施例における測定処理の手順を示すフローチャートである。 第５実施例における測定処理の手順を示すフローチャートである。

次に、この発明の実施の形態を実施例に基づいて以下の順序で説明する。
Ａ．第１実施例：
Ｂ．第２実施例：
Ｃ．第３実施例：
Ｄ．第４実施例：
Ｅ．第５実施例：
Ｆ．変形例：

Ａ．第１実施例：
図１、図２は、本発明の一実施例としての測定装置を示す説明図である。図１は、測定装置９００の正面図であり、図２は、測定装置９００の断面図である。本実施例では、測定装置９００は、サーミスタ３００の温度特性を検査する。具体的には、測定装置９００は、所定の温度でのサーミスタ３００の電気抵抗を測定する。測定装置９００は、プローブ装置１００と、支持装置２００と、測定部６００と、を有している。プローブ装置１００は、支持装置２００の、鉛直上側に配置されている。図中には、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向が示されている。Ｚ方向は鉛直上方向を示している。

支持装置２００は、基部２５０と、ペルチェ素子２３０ａ、２３０ｂと、プレート２４０と、支持部２２０と、温度センサ２２０Ｔと、第１制御部５１０と、を有している。基部２５０は、支持装置２００の設置用の台である。基部２５０の上面（＋Ｚ側の面）には、温度を制御するための２つのペルチェ素子２３０ａ、２３０ｂが並べて固定されている。ペルチェ素子２３０ａ、２３０ｂの上面には、プレート２４０が固定されている。プレート２４０の上面には、支持部２２０が固定されている。支持部２２０は、Ｚ方向と垂直な平板である。支持部２２０の上面には、１０個の凹部２２０Ｒが形成されている。

なお、図２には、プローブ装置１００のＡ−Ａ断面（図１）と、支持装置２００のＢ−Ｂ断面（図１）とが示されている。プローブ装置１００の断面は、後述する検査グループＩＧの間を通る断面を示している。支持装置２００の断面は、凹部２２０Ｒを通る断面を示している。

図３は、支持部２２０の上面図である。図示するように、１０個の凹部２２０Ｒは、Ｘ方向に沿って並べて配置されている。

図４は、凹部２２０Ｒの斜視図である。凹部２２０Ｒは、第１部分２２０Ａと第２部分２２０Ｂとを有している。第１部分２２０Ａの形状は、Ｙ方向に沿って延びる略矩形状である。第２部分２２０Ｂの形状は、Ｚ方向に沿って延びる円筒形状である。第２部分２２０Ｂの深さ（−Ｚ方向の深さ）は、第１部分２２０Ａの深さよりも深い。第２部分２２０Ｂは、第１部分２２０Ａの＋Ｙ側に配置されている。第１部分２２０Ａの＋Ｙ側の端部は、第２部分２２０Ｂと連通している。また、第１部分２２０Ａの−Ｘ側の側面には、−Ｘ側に凹んだ第１凹壁部２２０Ａ１が形成されている。第１部分２２０Ａの＋Ｘ側の側面には、＋Ｘ側に凹んだ第２凹壁部２２０Ａ２が形成されている。

図示するように、各凹部２２０Ｒの中には、サーミスタ３００が置かれる。サーミスタ３００は、平板形状の本体３２０と、本体３２０の側面に接続された２本の端子３１１、３１２と、を有している。本体３２０は、第２部分２２０Ｂに収容され、端子３１１、３１２は、第１部分２２０Ａに収容される。２本の端子３１１、３１２は、平行に延びている。

また、図１に示すように、支持部２２０には、温度センサ２２０Ｔが固定されている。第１制御部５１０は、温度センサ２２０Ｔの測定温度ＴＲ１が、予め決められた第１目標温度ＴＴ１となるように、ペルチェ素子２３０ａ、２３０ｂをフィードバック制御する。その結果、支持部２２０の温度を第１目標温度ＴＴ１に維持することができる。このように、支持部２２０の温度を第１目標温度ＴＴ１となるように調整することによって、支持部２２０に置かれたサーミスタ３００の温度を第１目標温度ＴＴ１となるように調整することができる。なお、本実施例では、第１目標温度ＴＴ１は、摂氏１００度に設定されている。また、第１制御部５１０とペルチェ素子２３０ａ、２３０ｂと温度センサ２２０Ｔとの全体が、特許請求の範囲における「第１温度調整部」に相当する。また、第１制御部５１０は、専用のデバイスと回路とを用いたハードウェアによって、構成されている。

なお、支持部２２０の温度（すなわち、サーミスタ３００の温度）を精度良く制御するためには、プレート２４０と支持部２２０とのそれぞれの材料として、熱伝導性の良好な材料を採用することが好ましい。例えば、アルミニウムや銅を採用してもよい。また、このような金属に限らず、セラミック等の他の種類の材料を採用してもよい。

温度センサ２２０Ｔとしては、種々のセンサを採用可能である。例えば、白金抵抗体を採用してもよい。白金抵抗体を採用すれば、精度良く温度を測定することができる。図４の実施例では、本体３２０は、内部に白金抵抗体を有している（図示省略）。白金抵抗体の一端は第１端子３１１に接続され、白金抵抗体の他端は第２端子３１２に接続されている。ただし、他の種類の温度センサ（例えば、熱電対）を採用してもよい。

サーミスタ３００の端子３１１、３１２に意図しない回路が接続されることを避けるためには、支持部２２０のうちの端子３１１、３１２と接触し得る部分を、電気的な絶縁体で形成することが好ましい。例えば、凹部２２０Ｒの表面をセラミックで覆っても良い。また、支持部２２０をアルミニウムで形成し、凹部２２０Ｒの表面を酸化させて、凹部２２０Ｒの表面を酸化被膜によって覆っても良い。

図５は、プローブ装置１００の上面図である。図１、図２、図５に示すように、プローブ装置１００は、基部１５０と、ペルチェ素子１３０と、プレート１４０と、温度センサ１４０Ｔと、保持部１２０と、第１プローブ１１１と、第２プローブ１１２と、押しつけ部１１３と、第２制御部５２０と、を有している。基部１５０は、プローブ装置１００の構成用の台である。基部１５０は、図示しない移動装置（例えば、エアシリンダ）に固定されており、Ｚ方向に沿って移動する。基部１５０の前面（−Ｙ側の面）には、温度を制御するためのペルチェ素子１３０が固定されている。ペルチェ素子１３０の前面には、プレート１４０が固定されている。プレート１４０の前面には、保持部１２０が固定されている。

保持部１２０は、第２ブロック１２２と、第２ブロック１２２の前面に固定された第１ブロック１２１と、第２ブロック１２２の後面（＋Ｙ側の面）に固定された第３ブロック１２３と、を有している。第３ブロック１２３の後面は、プレート１４０に固定されている。また、第３ブロック１２３は、第２ブロック１２２の後面と側面（＋Ｘ側の面と−Ｘ側の面）とを覆っている。

第２ブロック１２２は、１０本の第１プローブ１１１と、１０本の第２プローブ１１２と、１０本の押しつけ部１１３とを、保持している。これらの部材１１１、１１２、１１３は、いずれも、Ｚ方向に沿って延びる棒状の部材である。各部材１１１、１１２、１１３は、第２ブロック１２２をＺ方向に沿って貫通した状態で、保持されている。

また、図５に示すように、各部材１１１、１１２、１１３は、Ｘ方向に沿って並んで、それぞれ配置されている。これらの部材１１１、１１２、１１３は、１０個の検査グループＩＧに区分されている。１つの検査グループＩＧは、１つの第１プローブ１１１と、１つの第２プローブ１１２と、１つの押しつけ部１１３とを有している。１つの検査グループＩＧの部材１１１、１１２、１１３は、共通の１つの凹部２２０Ｒと対向する。

図５の下部には、１つの検査グループＩＧにおける各部材１１１、１１２、１１３の配置が、拡大して示されている。図中では、各部材１１１、１１２、１１３にハッチングが付されている。この配置は、＋Ｚから−Ｚに向かって見たものである。

第１プローブ１１１と第２プローブ１１２とは、それぞれ、第１部分２２０Ａと対向している。第１プローブ１１１は、第１部分２２０Ａ内の−Ｘ＋Ｙ側に偏った位置に配置され、第２プローブ１１２は、第１部分２２０Ａ内の＋Ｘ−Ｙ側に偏った位置に配置されている。プローブ装置１００が支持装置２００に向かって移動することによって、第１プローブ１１１は第１端子３１１に接触し、第２プローブ１１２は第２端子３１２に接触する。なお、第１プローブ１１１が第１凹壁部２２０Ａ１によって突出したスペースに配置されているので、第１プローブ１１１が誤って第２端子３１２と接触することが抑制される。同様に、第２プローブ１１２が第２凹壁部２２０Ａ２によって突出したスペースに配置されているので、第２プローブ１１２が誤って第１端子３１１と接触することが抑制される。

各プローブ１１１、１１２は、端子３１１、３１２との電気的な接続のために、導電体を用いて形成されている（例えば、棒状の銅の表面に金メッキが施されている）。また、各プローブ１１１、１１２は、図示しないケーブルによって、測定部６００（図１）に接続されている。

押しつけ部１１３は、第２部分２２０Ｂと対向している。プローブ装置１００が支持装置２００に向かって移動することによって、押しつけ部１１３は、サーミスタ３００の本体３２０と接触する。この接触によって本体３２０が支持部２２０に押しつけられる。押しつけ部１１３の材料としては、任意の材料を採用可能である。例えば、セラミックやゴム等の電気的な絶縁体を利用してもよい。また、サーミスタ３００の傷つきを抑制するために、ゴム等の弾性体を利用してもよい。また、サーミスタ３００と押しつけ部１１３との間の熱伝導を抑制するために、発泡樹脂等の断熱材料を利用してもよい。また、複数の材料を組み合わせて押しつけ部１１３を構成してもよい。例えば、金属の棒の先端にゴム部材を組み付け、そのゴム部材がサーミスタ３００と接触してもよい。なお、本体３２０を支持部２２０に押しつける理由については、後述する。

また、図２に示すように、プレート１４０には、温度センサ１４０Ｔが固定されている。第２制御部５２０は、温度センサ１４０Ｔの測定温度ＴＲ２が、予め決められた第２目標温度ＴＴ２となるように、ペルチェ素子１３０をフィードバック制御する。このように、第２制御部５２０は、プレート１４０の温度を調整する。ここで、プレート１４０には保持部１２０が固定されているので、プレート１４０と保持部１２０との間で熱が伝導する。その結果、保持部１２０の温度は、プレート１４０の温度とほぼ同じになる。その結果、第２制御部５２０は保持部１２０の温度を調整している、ということもできる。なお、保持部１２０（プレート１４０）の温度は、第２目標温度ＴＴ２に維持される。また、第２制御部５２０と温度センサ１４０Ｔとペルチェ素子１３０との全体は、特許請求の範囲における「第２温度調整部」に相当する。また、第２制御部５２０は、専用のデバイスと回路とを用いたハードウェアによって、構成されている。

本実施例では、第２目標温度ＴＴ２は、上述の第１目標温度ＴＴ１（摂氏１００度）よりも若干高い摂氏１０２度に設定されている。この理由は、プローブ１１１、１１２がサーミスタ３００（端子３１１、３１２）に接触した場合に、サーミスタ３００の温度が目標温度（第１目標温度ＴＴ１）から大きくずれることを抑制するためのである。本実施例では、測定装置９００は、第１目標温度ＴＴ１よりも低い温度環境の下で動作することとしている（例えば、常温（摂氏２０度）の下）。各プローブ１１１、１１２におけるサーミスタ３００と接触する部分（先端部分）の温度は、低い温度環境による冷却によって、保持部１２０の温度よりも低くなる。ここで、第２目標温度ＴＴ２が第１目標温度ＴＴ１と同じ値に設定されていると仮定すると、各プローブ１１１、１１２の先端部分の温度は第２目標温度ＴＴ２（すなわち、第１目標温度ＴＴ１）よりも低くなる。その結果、サーミスタ３００に接触した各プローブ１１１、１１２によってサーミスタ３００が冷却されてしまい、サーミスタ３００の温度が目標温度（第１目標温度ＴＴ１）から大きくずれるおそれがある。そこで、本実施例では、第２目標温度ＴＴ２が、第１目標温度ＴＴ１よりも若干高い温度に設定されている。その結果、プローブ１１１、１１２の温度が、サーミスタ３００の目標温度（第１目標温度ＴＴ１）よりも過剰に低くなることを抑制できる。そして、サーミスタ３００が冷却されることを抑制できる。以上、プローブ１１１、１１２について説明したが、押しつけ部１１３についても同様である。なお、本実施例では、第２目標温度ＴＴ２が、「第１目標温度ＴＴ１」から「第１目標温度ＴＴ１＋摂氏５度」までの範囲内にあることが好ましい。ただし、適切な第２目標温度ＴＴ２は、予め実験的に決定すればよい。

なお、保持部１２０の温度を精度良く制御するためには、プレート１４０と保持部１２０とのそれぞれの材料として、熱伝導性の良好な材料を採用することが好ましい（例えば、アルミニウムや銅）。また、このような金属に限らず、セラミック等の他の種類の材料を採用してもよい。また、温度センサ１４０Ｔとしては、白金抵抗体等の種々の温度センサを採用可能である。

図６は、測定処理の手順を示すフローチャートである。最初のステップＳ１００では、第２制御部５２０（図２）が、保持部１２０の温度調整を開始する。第２制御部５２０は、温度センサ１４０Ｔの第２測定温度ＴＲ２が、第２目標温度ＴＴ２になるように、ペルチェ素子１３０を制御する。

次のステップＳ１１０では、第１制御部５１０（図１）が、支持部２２０の温度調整を開始する。第１制御部５１０は、温度センサ２２０Ｔの第１測定温度ＴＲ１が、第１目標温度ＴＴ１になるように、ペルチェ素子２３０ａ、２３０ｂを制御する。

次のステップＳ１２０では、凹部２２０Ｒ（図１〜図４）にサーミスタ３００を配置する。この作業は、図示しない機械（産業用ロボット）によって行われてもよく、また、オペレータによる手作業によって行われても良い。

次のステップＳ１３０、Ｓ１４０では、プローブ装置１００（基部１５０：図１、図２）が支持装置２００に向かって移動する。図７（Ａ）は、移動前の測定装置９００を示し、図７（Ｂ）は、移動後の測定装置９００を示している。図中には、図２と同様の断面図が示されている。プローブ装置１００（基部１５０）が支持装置２００に向かって移動すると、保持部１２０とプローブ１１１、１１２と押しつけ部１１３とが一体となって、サーミスタ３００に向かって移動する。このように、基部１５０を移動させることによって、保持部１２０を移動させることができる。そして、保持部１２０を移動させることによって、プローブ１１１、１１２と押しつけ部１１３とを移動させることができる。そして、押しつけ部１１３は本体３２０に接触し（Ｓ１３０）、プローブ１１１、１１２は端子３１１、３１２にそれぞれ接触する（Ｓ１４０）。Ｚ方向に沿って見た各部材１１１、１１２、１１３の接触位置は、図５に示されている。

サーミスタ３００の本体３２０は、押しつけ部１１３によって、支持部２２０に押しつけられる（本体３２０が支持部２２０と接触した状態が維持される）。この理由は、本体３２０の温度が第１目標温度ＴＴ１から大きくずれることを抑制するためである。上述するように、プローブ１１１、１１２は、端子３１１、３１２に接触する。この接触によって、サーミスタ３００に力が掛かる。この力によって、本体３２０が支持部２２０から離れる場合がある。本体３２０が支持部２２０から離れると、本体３２０と支持部２２０との間の熱伝導が不十分となる。その結果、本体３２０の温度が第１目標温度ＴＴ１から大きくずれるおそれがある。一方、本実施例のように、本体３２０を支持部２２０に押しつけることによって、本体３２０が支持部２２０から離れることを抑制できる。これにより、本体３２０と支持部２２０との間の熱伝導を維持でき、本体３２０の温度が第１目標温度ＴＴ１から大きくずれることを抑制することができる。

また、上述したように、本実施例では、支持部２２０の温度に加えて、保持部１２０の温度も調整されている。従って、プローブ１１１、１１２とサーミスタ３００（端子３１１、３１２）との間の熱伝導に起因してサーミスタ３００の温度が第１目標温度ＴＴ１から大きくずれることを抑制できる。

なお、サーミスタ３００に過剰な力が印加しないように、各部材１１１、１１２、１１３は、第２ブロック１２２の中をＺ方向と平行に移動可能である。そして、各部材１１１、１１２、１１３は、第２ブロック１２２に組み込まれた図示しない付勢手段（例えば、バネやゴム）によって、−Ｚ方向に付勢されている。従って、サーミスタ３００との接触の後にプローブ装置１００が−Ｚ方向に更に移動した場合には、各部材１１１、１１２、１１３は、更なる移動量だけ第２ブロック１２２の中を＋Ｚ方向に移動する。そして、各部材１１１、１１２、１１３は、付勢力によって、サーミスタ３００に押しつけられる。これらの結果、サーミスタ３００に過剰な力が印加することを抑制できる。

なお、各部材が第２ブロック１２２から抜け落ちないように、保持部１２０を構成することが好ましい。例えば、上述の付勢手段に各部材１１１、１１２、１１３を接続することによって、各部材１１１、１１２、１１３の落下を防止してもよい。また、各部材１１１、１１２、１１３の移動可能範囲を、予め機械的に制限してもよい。例えば、各部材１１１、１１２、１１３に設けられた凸部（図示せず）の移動が、第２ブロック１２２に設けられた所定長さの溝（図示せず）によって制限されてもよい。

次のステップＳ１５０では、測定部６００（図１）は、プローブ１１１、１１２を介して、各サーミスタ３００の特性を測定する。本実施例では、測定部６００は、各サーミスタ３００の電気抵抗を測定する。そして、測定部６００は、測定された電気抵抗が、予め決められた許容範囲内にある場合には、サーミスタ３００は良品であると判断する。電気抵抗が許容範囲外にある場合には、測定部６００は、サーミスタ３００が不良品であると判断する。

なお、測定部６００（図１）は、サーミスタ３００が凹部２２０Ｒに載せられ（支持され）、端子３１１、３１２にプローブ１１１、１１２が接触した状態で、第１測定温度ＴＲ１と第２測定温度ＴＲ２とが、それぞれ、目標温度に調整されるのを待って、ステップＳ１５０を実行する。測定温度ＴＲ１、ＴＲ２が目標温度ＴＴ１、ＴＴ２にそれぞれ調整されたか否かを判断するための条件としては、種々の条件を採用可能である。例えば、第１測定温度ＴＲ１と第１目標温度ＴＴ１との間の差が所定の第１許容誤差以下であることを、第１測定温度ＴＲ１が第１目標温度ＴＴ１に調整されたと判断するための条件として採用してもよい。同様に、第２測定温度ＴＲ２と第２目標温度ＴＴ２との間の差が所定の第２許容誤差以下であることを、第２測定温度ＴＲ２が第２目標温度ＴＴ２に調整されたと判断するための条件として採用してもよい。第１と第２の許容誤差のそれぞれは、検査に要求される温度の精度に合わせて、予め実験的に決定すればよい。

次のステップＳ１６０、Ｓ１７０では、プローブ装置１００（図１、図２）が支持装置２００から離れる。その結果、図７（Ａ）に示すように、プローブ１１１、１１２が端子３１１、３１２から、それぞれ離れ（Ｓ１６０）、押しつけ部１１３は、本体３２０から離れる（Ｓ１７０）。

次のステップＳ＿Ｆ１では、第１制御部５１０（図１）は、支持部２２０の温度調整を終了する。次のステップＳ＿Ｆ２では、第２制御部５２０（図２）は、保持部１２０の温度調整を終了する。

次のステップＳ＿Ｒでは、凹部２２０Ｒ（図１〜図４）からサーミスタ３００が取り外される。この作業は、図示しない機械（産業用ロボット）によって行われてもよく、また、オペレータによる手作業によって行われても良い。

以上のように、本実施例では、サーミスタ３００の温度に影響を与える支持部２２０と保持部１２０との温度がそれぞれ調整されるので、サーミスタ３００の温度を第１目標温度ＴＴ１に調整して、検査を行うことができる（図１、図２）。

また、押しつけ部１１３が本体３２０を支持部２２０に押しつけるので（図７）、サーミスタ３００（特に、本体３２０）の温度が第１目標温度ＴＴ１から大きくずれることを抑制することができる。

また、押しつけ部１１３が保持部１２０（第２ブロック１２２）に接続されているので、押しつけ部１１３と保持部１２０との間の熱伝導によって、押しつけ部１１３の温度を保持部１２０の温度に近づけることができる。その結果、押しつけ部１１３がサーミスタ３００の本体３２０に接触したときに、サーミスタ３００の温度が目標温度（第１目標温度ＴＴ１）から過剰に大きくずれることを抑制できる。

また、本実施例では、保持部１２０（プレート１４０）の第２目標温度ＴＴ２（図２）が、支持部２２０の第１目標温度ＴＴ１（図１）よりも高い温度に設定されている。従って、プローブ１１１、１１２の温度が保持部１２０の温度よりも低くなりやすい環境下において、プローブ１１１、１１２の温度が、サーミスタ３００の目標温度（第１目標温度ＴＴ１）よりも過剰に低くなることを抑制できる。さらに、本実施例では、押しつけ部１１３の温度も、目標温度よりも過剰に低くなることを抑制できる。これらの結果、サーミスタ３００の温度が、第１目標温度ＴＴ１から大きくずれることを抑制できる。

なお、本実施例では、摂氏１００度でのサーミスタ３００の温度特性を測定している。ここで、この測定結果から、より高い温度（例えば、摂氏６００度）での温度特性を推定してもよい。このような推定は、サーミスタの抵抗／温度の特性に従って、行うことができる。また、複数の温度（例えば、摂氏２５度と摂氏１００度）での温度特性を測定し、複数の測定結果に従って、より高い温度での温度測定を推定してもよい。こうすれば、推定精度を高めることができる。また、温度としては、摂氏１００度や摂氏２５度に限らず、他の温度を採用してもよい。

Ｂ．第２実施例
図８は、第２実施例における支持装置の構成を示す説明図である。図１に示す支持装置２００との差違は、プレート２４０が省略されている点だけである。本実施例の支持装置２００Ｂでは、ペルチェ素子２３０ａ、２３０ｂの上面に、支持部２２０が直接固定されている。その結果、支持部２２０の温度調整を、より精度よく行うことができる。なお、測定装置の他の構成は、図１、図２に示す測定装置９００と同じである。

Ｃ．第３実施例：
図９は、第３実施例におけるプローブ装置の構成を示す説明図である。図２に示すプローブ装置１００との差違は、２点ある。第１の差違は、プレート１４０が省略されている点である。本実施例のプローブ装置１００Ｂでは、ペルチェ素子１３０の前面に、保持部１２０（第３ブロック１２３）が直接固定されている。第２の差違は、温度センサ１４０Ｔが、保持部１２０（第３ブロック１２３）に固定されている点である。これらの結果、保持部１２０の温度調整を、より精度よく行うことができる。なお、測定装置の他の構成は、図１、図２に示す第１実施例の測定装置９００と同じである。なお、図１に示す支持装置２００の代わりに図８に示す支持装置２００Ｂを、本実施例のプローブ装置１００Ｂと組み合わせてもよい。

Ｄ．第４実施例：
図１０は、第４実施例における測定処理の手順を示すフローチャートである。図６に示す手順との差違は、ステップＳ＿Ｒが、ステップＳ＿Ｆ１とステップＳ＿Ｆ２の間に実行される点だけである。この場合も、図６に示す第１実施例と同様の利点を得ることができる。なお、多数のサーミスタ３００の特性測定を行う場合がある。この場合、ステップＳ１１０からステップＳ＿Ｒまでの一連の処理を繰り返せばよい。なお、測定装置の構成としては、上述の各実施例の構成を採用可能である。

Ｅ．第５実施例：
図１１は、第５実施例における測定処理の手順を示すフローチャートである。図６に示す手順との差違は、ステップＳ＿Ｒが、ステップＳ１７０とステップＳ＿Ｆ１との間に実行される点だけである。この場合も、図６に示す第１実施例と同様の利点を得ることができる。なお、多数のサーミスタ３００の特性測定を行う場合がある。この場合、ステップＳ１２０からステップＳ＿Ｒまでの一連の処理を繰り返せばよい。なお、測定装置の構成としては、上述の各実施例の構成を採用可能である。

Ｆ．変形例：
なお、上記各実施例における構成要素の中の、独立クレームでクレームされた要素以外の要素は、付加的な要素であり、適宜省略可能である。また、この発明は上記の実施例や実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。

変形例１：
上述の各実施例において、特性測定の対象の電子部品としては、サーミスタ３００に限らず、任意の電子部品を採用可能である。例えば、圧力センサや濃度センサや加速度センサやＧＰＳ(Global Positioning System)の受信機（ＧＰＳセンサ）を採用してもよい。また、このようなセンサに限らず、ダイオードやトランジスタや集積回路やチップアンテナ等の種々の電子部品を採用可能である。いずれの場合も、電子部品の電気的特性を担う要素を含む部分が、「電子部品の本体」に相当する。このような要素としては、例えば、温度に応じて抵抗値が変化する抵抗体や、特定ガスの濃度に応じて変化する信号を出力するセルや、半導体チップや、集積回路等が挙げられる。そして、このような要素に接続されて、その要素と外部との間の電気信号の入出力を行う導電部材が、「電子部品の端子」に相当する。また、プローブの総数としても、２に限らず、電子部品と、測定される特性とに応じた任意の数を採用可能である。また、プローブを介して測定される特性としては、電気抵抗に限らず、任意の電気的な特性を採用可能である。例えば、周波数特性を測定してもよい。この場合、プローブを介して交流信号を電子部品に供給して、別のプローブを介して電子部品からの出力信号を取得すればよい。いずれの場合も、上述した各実施例の測定装置や測定方法を適用することによって、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することができる。特に、温度に依存して変化する特性を測定する場合には、電子部品の温度を目標の温度に調整することが重要であるので、効果が顕著である。例えば、サーミスタや熱電対のような種々の温度センサの温度特性（温度と、温度センサから得られる信号との対応関係）を測定する場合には、特に効果が顕著である。また、比較的低い温度での特性の測定結果から比較的高い温度での特性を推定する場合にも、効果が顕著である。なお、本体における端子の配置としては、任意の配置を採用可能である。例えば、図４に示すサーミスタ３００のように、本体３２０の１つの面に複数の端子（端子３１１、３１２）を配置してもよい。また、本体における、１つの面と、その面の反対側の面とに、端子を分散して配置してもよい。一般には、本体の任意の位置に端子を配置してよい。また、端子の形状としては、任意の形状を採用可能である。例えば、図４に示す端子（端子３１１、３１２）のように、本体（本体３２０）に一端が接続された棒状の端子を採用してもよい。また、本体に一端が接続されたワイヤーを端子として採用してもよい。また、本体の表面に積層された板状（層状）の端子を採用してもよい。ここで、板状の端子の一部が、本体の外にはみ出ていても良い。

変形例２：
上述の各実施例において、保持部の構成としては、プローブを保持する任意の構成を採用可能である。例えば、上述の各実施例において、各プローブ１１１、１１２（図２）が、保持部１２０（第２ブロック１２２）に固定されていてもよい。この場合には、サーミスタ３００に過剰な力が印加されることを避けるために、プローブ１１１、１１２がサーミスタ３００（端子３１１、３１２）に接触したことに応じて、プローブ装置１００の移動を止めることが好ましい。同様に、押しつけ部１１３が保持部１２０（第２ブロック１２２）に固定されていてもよい。ここで、プローブ１１１、１１２と、押しつけ部１１３とが保持部１２０に固定されていてもよい。この場合、プローブ１１１、１１２と、押しつけ部１１３とが、保持部１２０の移動によって同時にサーミスタ３００と接触するように、プローブ１１１、１１２と押しつけ部１１３とのそれぞれの相対位置を決定することが好ましい。

また、ゴムのブロックを保持部として採用し、プローブをゴムに差し込んでも良い。この場合には、保持部（ゴム）は、摩擦によって、プローブを保持することができる。また、この場合、ゴムブロックに突起を設け、その突起を押しつけ部として利用してもよい。

また、プローブ装置の構成としては、図１、図２、図５、図９に示す構成に限らず、種々の構成を採用可能である。例えば、保持部１２０が、直接、移動装置（例えば、エアシリンダ）に固定されてもよい。

変形例３：
上述の各実施例において、押しつけ部の構成としては、電子部品の本体を支持部に押しつけることが可能な任意の構成を採用可能である。例えば、押しつけ部が保持部１２０から分離していてもよい。また、押しつけ部が、支持部２２０に固定されていてもよい。ただし、上述の実施例のように、押しつけ部（押しつけ部１１３）が保持部（保持部１２０）に接続されていることが好ましい。また、上述の各実施例のように、支持部２２０に支持された電子部品（サーミスタ３００）に向かって保持部１２０を移動させることによって、押しつけ部１１３とプローブ１１１、１１２とが保持部１２０と一体となって電子部品に向かって移動するように、測定装置が構成されていることが好ましい。こうすれば、測定装置の構成を簡略化することができる。なお、上述の各実施例において、押しつけ部１１３（図２）とステップＳ１３０、Ｓ１７０（図６、図１０、図１１）を省略してもよい。

変形例４：
上述の各実施例において、支持部の構成としては、電子部品を支持する任意の構成を採用可能である。例えば、電子部品を受け入れる凹部としては、段差の無いフラットな底面を有する凹部を採用してもよい。ここで、電子部品の本体が支持部（凹部の底面）と接触し、電子部品の端子が支持部（凹部の底面）から離れていてもよい。また、電子部品を受け入れる凹部の無い支持部を採用してもよい。例えば、平板形状の支持部を採用し、平板の表面に電子部品を載せてもよい。ただし、図４に示す実施例のように、電子部品を受け入れる凹部を有する支持部を採用することが好ましい。こうすれば、電子部品の位置ズレを抑制できる。また、１つの支持部によって支持される電子部品の総数としては、１０に限らず任意の数を採用可能である。

いずれの場合も、図２や図７に示す実施例のように、支持部が、電子部品の端子と接触して支持する第１部分（第１部分２２０Ａ）と、電子部品の本体と接触して支持する第２部分（第２部分２２０Ｂ）とを有することが好ましい。こうすれば、電子部品の支持が不安定になることを抑制できる。第１部分と第２部分とのそれぞれの形状は、電子部品の形状に合わせて決定すればよい。

また、支持装置の構成としては、図１、図３、図４、図８に示す構成に限らず、種々の構成を採用可能である。例えば、基部２５０が、移動装置に固定されて、プローブ装置に向かって移動してもよい。このように、プローブが端子に接触するために、支持部と保持部との少なくとも一方が移動すればよい。

変形例５：
上述の各実施例では、電子部品の目標温度（第１目標温度ＴＴ１（図１））よりも低い温度環境の下で測定を行うこととしたが、目標温度よりも高い温度環境の下で測定を行ってもよい。この場合には、各プローブ１１１、１１２（図２）における電子部品と接触する部分（先端部分）の温度は、高い温度環境による昇温によって、保持部１２０の温度よりも高くなる。そこで、保持部１２０の第２目標温度ＴＴ２を第１目標温度ＴＴ１よりも若干低くすることによって、プローブ１１１、１１２の温度が、電子部品の目標温度（第１目標温度ＴＴ１）よりも過剰に高くなることを抑制できる。

いずれの場合も、支持部２２０の第１目標温度ＴＴ１と保持部１２０の第２目標温度ＴＴ２との間の差は、電子部品の温度が目標温度から大きくずれないように、予め実験的に決定すればよい。ここで、２つの目標温度ＴＴ１、ＴＴ２の間の差が過剰に大きいと、電子部品の温度調整の精度が低下するおそれがある。従って、２つの目標温度ＴＴ１、ＴＴ２の間の差は、５度以内であることが好ましく、２度以内であることが特に好ましい。ここで、電子部品の温度調整の精度を下げずに、２つの目標温度ＴＴ１、ＴＴ２の間の差を小さくする方法としては、種々の方法を採用可能である。例えば、環境の温度を電子部品の目標温度に近づける方法を採用してもよい。また、プローブと保持部との間の温度差が十分に小さい場合には、第２目標温度ＴＴ２が第１目標温度ＴＴ１と同じであってもよい。

変形例６：
上述の各実施例において、温度を調整する装置としては、ペルチェ素子に限らず、任意の装置を採用可能である。例えば、目標温度よりも低い温度環境の下で測定を行う場合には、電気ヒータを利用してもよい。電気ヒータのＯＮ／ＯＦＦを制御することによって、温度を調整することができる。目標温度よりも高い温度環境の下で測定を行う場合には、冷却液を循環させるクーラーを利用してもよい。冷却液の循環のＯＮ／ＯＦＦを制御することによって、温度を調整することができる。ただし、上述の各実施例のようにペルチェ素子を採用すれば、電気的な制御によって温度を調整することができるので、温度調整部の構成を簡略化することができる。また、ペルチェ素子を流れる電流の向きを切り換えることによって発熱と吸熱とを切り換えることができるので、高精度な温度調整が可能である。ただし、ペルチェ素子を利用する場合に、発熱と吸熱とのいずれか一方のＯＮ／ＯＦＦを制御することによって、温度を調整してもよい。また、ペルチェ素子の総数としては、１や２に限らず、任意の数を採用可能である。

変形例７：
上述の各実施例において、測定処理の手順としては、図６、図１０、図１１に示す手順に限らず、種々の手順を採用可能である。例えば、上述の各実施例において、５つのステップＳ１００〜Ｓ１４０の順番としては、任意の順番を採用可能である。例えば、ステップＳ１２０とステップＳ１３０との間に、ステップＳ１００、Ｓ１１０を実行してもよい。また、ステップＳ１４０の後に、ステップＳ１００、Ｓ１１０を実行してもよい。いずれの場合も、保持部の温度と支持部の温度とが目標温度にそれぞれ調整されている状態で、電子部品の特性を測定することが好ましい。すなわち、支持部の温度が予め決められた第１許容誤差の範囲内で第１目標温度に維持され、保持部の温度が予め決められた第２許容誤差の範囲内で第２目標温度に維持された状態で、特性を測定することが好ましい。また、電子部品の本体が支持部に押しつけられた状態で、電子部品の特性を測定することが好ましい。同様に、６つのステップＳ１５０〜Ｓ１７０、Ｓ＿Ｆ１、Ｓ＿Ｆ２、Ｓ＿Ｒの順番としても、任意の順番を採用可能である。例えば、ステップＳ１６０、Ｓ１７０よりも前に、ステップＳ＿Ｆ１、Ｓ＿Ｆ２を実行してもよい。いずれの場合も、ステップＳ＿Ｒは、ステップＳ１６０、Ｓ１７０の後に実行される。

変形例８：
上記各実施例において、ハードウェアによって実現されていた構成の一部をソフトウェアに置き換えるようにしてもよく、逆に、ソフトウェアによって実現されていた構成の一部あるいは全部をハードウェアに置き換えるようにしてもよい。例えば、図１の第１制御部５１０の機能を、ＣＰＵとメモリとを有しプログラムを実行するコンピュータによって実現してもよい。

また、本発明の機能の一部または全部がソフトウェアで実現される場合には、そのソフトウェア（コンピュータプログラム）は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体に格納された形で提供することができる。この発明において、「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスクやＣＤ−ＲＯＭのような携帯型の記録媒体に限らず、各種のＲＡＭやＲＯＭ等のコンピュータ内の内部記憶装置や、ハードディスク等のコンピュータに固定されている外部記憶装置も含んでいる。

１００、１００Ｂ…プローブ装置
１１１…第１プローブ
１１２…第２プローブ
１１３…押しつけ部
１２０…保持部
１２１…第１ブロック
１２２…第２ブロック
１２３…第３ブロック
１３０…ペルチェ素子
１４０…プレート
１４０Ｔ…温度センサ
１５０…基部
２００、２００Ｂ…支持装置
２２０…支持部
２２０Ａ…第１部分
２２０Ｂ…第２部分
２２０Ｒ…凹部
２２０Ｔ…温度センサ
２２０Ａ１…第１凹壁部
２２０Ａ２…第２凹壁部
２３０ａ…ペルチェ素子
２４０…プレート
２５０…基部
３００…サーミスタ
３１１…第１端子
３１２…第２端子
３２０…本体
５１０…第１制御部
５２０…第２制御部
６００…測定部
９００…測定装置
ＩＧ…検査グループ

Claims (8)

1. 本体と端子とを有する電子部品の特性を測定する装置であって、
   前記電子部品を支持する支持部と、
   前記支持部の温度を所定の第１温度となるように調整する第１温度調整部と、
   前記電子部品の前記端子に接触するプローブと、
   前記プローブを保持する保持部と、
   前記保持部の温度を所定の第２温度となるように調整する第２温度調整部と、
   前記保持部に接続され、前記電子部品の前記本体に接触することによって前記本体を前記支持部に押しつける押しつけ部と、
   を備え、
   前記第２温度は、前記第１温度よりも低い温度環境の下で前記特性を測定するための温度として、前記第１温度よりも高い温度に設定されている
   測定装置。
2. 請求項１に記載の測定装置であって、
   前記第２の温度は、前記第１の温度よりも高く、前記第１の温度よりも摂氏５度までの範囲内である
   測定装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の測定装置であって、
   前記第１温度調整部は、前記支持部の温度を調整するための第１ペルチェ素子を含み、
   前記第２温度調整部は、前記保持部の温度を調整するための第２ペルチェ素子を含む、
   測定装置。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の測定装置であって、
   前記電子部品は、前記本体として温度変化に応じて電気的特性が変化する部分を有する温度センサである、
   測定装置。
5. 本体と端子とを有する電子部品の特性を測定する方法であって、
   前記電子部品を支持する支持部の温度を所定の第１温度となるように調整する工程と、
   プローブを保持する保持部の温度を所定の第２温度となるように調整する工程と、
   前記支持部に支持された前記電子部品の前記端子に前記プローブを接触させる工程と、
   前記保持部に接続されている押しつけ部を、前記電子部品の前記本体に接触させることによって、前記本体を前記支持部に押しつける工程と、
   を備え、
   前記第２温度は、前記第１温度よりも低い温度環境の下で前記特性を測定するための温度として、前記第１温度よりも高い温度に設定されている
   測定方法。
6. 請求項５に記載の測定方法であって、
   前記第２の温度は、前記第１の温度よりも高く、前記第１の温度よりも摂氏５度までの範囲内である
   測定方法。
7. 請求項５または請求項６に記載の測定方法であって、
   前記支持部の温度を調整する工程は、第１のペルチェ素子を用いて前記支持部の温度を調整する工程を含み、
   前記保持部の温度を調整する工程は、第２のペルチェ素子を用いて前記保持部の温度を調整する工程を含む、
   測定方法。
8. 請求項５ないし請求項７のいずれかに記載の測定方法であって、
   前記電子部品は、前記本体として温度変化に応じて電気的特性が変化する部分を有する温度センサである、
   測定方法。

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