JP5290820B2 - Electronic component measuring apparatus and measuring method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique capable of measuring characteristics of an electronic component, by adjusting the temperature of the electronic component at a target temperature. <P>SOLUTION: The temperature of a support part supporting the electronic component is adjusted so as to be a prescribed first temperature, and the temperature of a holding section holding a probe is adjusted so as to be a prescribed second temperature. The probe is brought into contact with a terminal of the electronic component supported by the support part. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、電子部品の測定装置と測定方法に関するものである。   The present invention relates to an electronic component measuring apparatus and measuring method.

従来より、電子部品の端子にプローブを接触させることによって、電子部品の特性を測定している。ここで、電子部品の温度特性を測定するために、電子部品を保持する保持プレートに、加熱及び/ または冷却手段を設ける、という技術が知られている。また、保持プレートの上面に断熱手段を設けることによって、保持プレートの温度を安定にする技術が知られている。   Conventionally, the characteristics of an electronic component are measured by bringing a probe into contact with the terminal of the electronic component. Here, in order to measure the temperature characteristic of an electronic component, a technique of providing a heating and / or cooling means on a holding plate that holds the electronic component is known. In addition, a technique for stabilizing the temperature of the holding plate by providing heat insulating means on the upper surface of the holding plate is known.

特開2004−309452号公報JP 2004-309552 A

ところが、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することに関しては、十分な工夫がなされていないのが実情であった。   However, in reality, sufficient measures have not been taken to measure the characteristics of the electronic component by adjusting the temperature of the electronic component to the target temperature.

本発明は、上記の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することができる技術を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve at least a part of the above problems, and provides a technique capable of measuring the characteristics of an electronic component by adjusting the temperature of the electronic component to a target temperature. Objective.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
[形態1]
本体と端子とを有する電子部品の特性を測定する装置であって、
前記電子部品を支持する支持部と、
前記支持部の温度を所定の第1温度となるように調整する第1温度調整部と、
前記電子部品の前記端子に接触するプローブと、
前記プローブを保持する保持部と、
前記保持部の温度を所定の第2温度となるように調整する第2温度調整部と、
前記保持部に接続され、前記電子部品の前記本体に接触することによって前記本体を前記支持部に押しつける押しつけ部と、
を備え、
前記第2温度は、前記第1温度よりも低い温度環境の下で前記特性を測定するための温度として、前記第1温度よりも高い温度に設定されている
測定装置。
この構成によれば、電子部品の温度に影響を与える両部材(電子部品の支持部とプローブの保持部)の温度が第1温度と第2温度とにそれぞれ調整されるので、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することができる。また、電子部品の本体が、温度が調整された支持部に押しつけられるので、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することができる。また、押しつけ部の温度を保持部の温度に近づけることができるので、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することができる。さらに、プローブの温度が保持部の温度よりも低くなりやすい環境下において、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することができる。
SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
[Form 1]
An apparatus for measuring characteristics of an electronic component having a main body and a terminal,
A support portion for supporting the electronic component;
A first temperature adjusting unit for adjusting the temperature of the support unit to a predetermined first temperature;
A probe that contacts the terminal of the electronic component;
A holding unit for holding the probe;
A second temperature adjusting unit that adjusts the temperature of the holding unit to a predetermined second temperature;
A pressing unit that is connected to the holding unit and presses the main unit against the support unit by contacting the main unit of the electronic component;
With
The second temperature is set to a temperature higher than the first temperature as a temperature for measuring the characteristic under a temperature environment lower than the first temperature.
measuring device.
According to this configuration, the temperature of both members (the support part of the electronic component and the holding part of the probe) that affect the temperature of the electronic component are adjusted to the first temperature and the second temperature, respectively. Can be adjusted to a target temperature to measure the characteristics of the electronic component. Further, since the main body of the electronic component is pressed against the support portion having the adjusted temperature, the temperature of the electronic component can be adjusted to the target temperature and the characteristics of the electronic component can be measured. Moreover, since the temperature of the pressing part can be brought close to the temperature of the holding part, the temperature of the electronic component can be adjusted to the target temperature, and the characteristics of the electronic component can be measured. Furthermore, in an environment where the temperature of the probe tends to be lower than the temperature of the holding part, the temperature of the electronic component can be adjusted to the target temperature to measure the characteristic of the electronic component.

[適用例1]本体と端子とを有する電子部品の特性を測定する装置であって、前記電子部品を支持する支持部と、前記支持部の温度を所定の第1温度となるように調整する第1温度調整部と、前記電子部品の前記端子に接触するプローブと、前記プローブを保持する保持部と、前記保持部の温度を所定の第2温度となるように調整する第2温度調整部と、を備える、測定装置。 Application Example 1 An apparatus for measuring characteristics of an electronic component having a main body and a terminal, and adjusting the temperature of the support portion that supports the electronic component and the support portion to a predetermined first temperature A first temperature adjusting unit; a probe that contacts the terminal of the electronic component; a holding unit that holds the probe; and a second temperature adjusting unit that adjusts the temperature of the holding unit to a predetermined second temperature. And a measuring device.

この構成によれば、電子部品の温度に影響を与える両部材(電子部品の支持部とプローブの保持部)の温度が第1温度と第2温度とにそれぞれ調整されるので、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することができる。   According to this configuration, the temperature of both members (the support part of the electronic component and the holding part of the probe) that affect the temperature of the electronic component are adjusted to the first temperature and the second temperature, respectively. Can be adjusted to a target temperature to measure the characteristics of the electronic component.

[適用例2]適用例1に記載の測定装置であって、さらに、前記電子部品の前記本体に接触することによって前記本体を前記支持部に押しつける押しつけ部を有する、測定装置。 Application Example 2 The measurement apparatus according to Application Example 1, further including a pressing unit that presses the main body against the support unit by contacting the main body of the electronic component.

この構成によれば、電子部品の本体が、温度が調整された支持部に押しつけられるので、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することができる。   According to this configuration, the main body of the electronic component is pressed against the support portion whose temperature has been adjusted, so that the temperature of the electronic component can be adjusted to the target temperature and the characteristics of the electronic component can be measured.

[適用例3]適用例2に記載の測定装置であって、前記押しつけ部は前記保持部に接続されている、測定装置。 [Application Example 3] The measurement apparatus according to Application Example 2, wherein the pressing unit is connected to the holding unit.

この構成によれば、押しつけ部の温度を保持部の温度に近づけることができるので、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することができる。   According to this configuration, the temperature of the pressing part can be brought close to the temperature of the holding part, so that the characteristic of the electronic part can be measured by adjusting the temperature of the electronic part to the target temperature.

[適用例4]適用例1ないし適用例3のいずれかに記載の測定装置であって、前記第2温度は、前記第1温度よりも高い温度に設定されている、測定装置。 Application Example 4 The measurement apparatus according to any one of Application Examples 1 to 3, wherein the second temperature is set higher than the first temperature.

この構成によれば、プローブの温度が保持部の温度よりも低くなりやすい環境下において、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することができる。   According to this configuration, the characteristics of the electronic component can be measured by adjusting the temperature of the electronic component to the target temperature in an environment where the temperature of the probe tends to be lower than the temperature of the holding unit.

[適用例5]適用例1ないし適用例4のいずれかに記載の測定装置であって、前記第1温度調整部は、前記支持部の温度を調整するための第1ペルチェ素子を含み、前記第2温度調整部は、前記保持部の温度を調整するための第2ペルチェ素子を含む、測定装置。 Application Example 5 In the measurement apparatus according to any one of Application Examples 1 to 4, the first temperature adjusting unit includes a first Peltier element for adjusting the temperature of the support unit, The second temperature adjustment unit is a measurement device including a second Peltier element for adjusting the temperature of the holding unit.

この構成によれば、第1温度調整部と第2温度調整部とのそれぞれは、適切に温度の調整を行うことができる。   According to this configuration, each of the first temperature adjustment unit and the second temperature adjustment unit can appropriately adjust the temperature.

[適用例6]適用例1ないし適用例5のいずれかに記載の測定装置であって、前記電子部品は、前記本体として温度変化に応じて電気的特性が変化する部分を有する温度センサである、測定装置。 [Application Example 6] In the measurement apparatus according to any one of Application Examples 1 to 5, the electronic component is a temperature sensor having a portion whose electrical characteristics change according to a temperature change as the main body. ,measuring device.

この構成によれば、温度センサの温度を目標の温度に調整して温度センサの特性を測定することができる。   According to this configuration, the temperature sensor characteristic can be measured by adjusting the temperature of the temperature sensor to the target temperature.

[適用例7]本体と端子とを有する電子部品の特性を測定する方法であって、前記電子部品を支持する支持部の温度を所定の第1温度となるように調整する工程と、プローブを保持する保持部の温度を所定の第2温度となるように調整する工程と、前記支持部に支持された前記電子部品の前記端子に前記プローブを接触させる工程と、を備える、測定方法。 Application Example 7 A method for measuring the characteristics of an electronic component having a main body and a terminal, wherein the temperature of a support portion that supports the electronic component is adjusted to a predetermined first temperature, A measurement method comprising: adjusting a temperature of a holding part to be held to a predetermined second temperature; and bringing the probe into contact with the terminal of the electronic component supported by the support part.

[適用例8]適用例7に記載の測定方法であって、さらに、押しつけ部を前記電子部品の前記本体に接触させることによって前記本体を前記支持部に押しつける工程を含む、測定方法。 [Application Example 8] The measurement method according to Application Example 7, further including a step of pressing the main body against the support portion by bringing the pressing portion into contact with the main body of the electronic component.

[適用例9]適用例8に記載の測定方法であって、前記押しつけ部は前記保持部に接続されている、測定方法。 Application Example 9 The measurement method according to Application Example 8, wherein the pressing unit is connected to the holding unit.

[適用例10]適用例7ないし適用例9のいずれかに記載の測定方法であって、前記第2温度は、前記第1温度よりも高い温度に設定されている、測定方法。 [Application Example 10] The measurement method according to any one of Application Examples 7 to 9, wherein the second temperature is set to a temperature higher than the first temperature.

[適用例11]適用例7ないし適用例10のいずれかに記載の測定方法であって、前記支持部の温度を調整する工程は、第1のペルチェ素子を用いて前記支持部の温度を調整する工程を含み、前記保持部の温度を調整する工程は、第2のペルチェ素子を用いて前記保持部の温度を調整する工程を含む、測定方法。 Application Example 11 In the measurement method according to any one of Application Example 7 to Application Example 10, in the step of adjusting the temperature of the support portion, the temperature of the support portion is adjusted using a first Peltier element. And the step of adjusting the temperature of the holding unit includes a step of adjusting the temperature of the holding unit using a second Peltier element.

[適用例12]適用例7ないし適用例11のいずれかに記載の測定方法であって、前記電子部品は、前記本体として温度変化に応じて電気的特性が変化する部分を有する温度センサである、測定方法。 [Application Example 12] The measuring method according to any one of Application Example 7 to Application Example 11, wherein the electronic component is a temperature sensor having a portion whose electrical characteristics change according to a temperature change as the main body. ,Measuring method.

なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、電子部品の検査方法または検査装置、それらの方法または装置の機能を実現するためのコンピュータプログラム、そのコンピュータプログラムを記録した記録媒体、等の態様で実現することができる。   The present invention can be realized in various modes, for example, an electronic component inspection method or apparatus, a computer program for realizing the function of the method or apparatus, and the computer program recorded therein. It can be realized in the form of a recording medium.

測定装置900の正面図である。2 is a front view of a measuring apparatus 900. FIG. 測定装置を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a measuring apparatus. 支持部220の上面図である。FIG. 6 is a top view of a support part 220. 凹部220Rの斜視図である。It is a perspective view of the recessed part 220R. プローブ装置100の上面図である。2 is a top view of the probe device 100. FIG. 測定処理の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of a measurement process. プローブ装置100の移動前後の測定装置900を示す説明図。Explanatory drawing which shows the measuring apparatus 900 before and behind the movement of the probe apparatus 100. FIG. 第2実施例における支持装置の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of the support apparatus in 2nd Example. 第3実施例におけるプローブ装置の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of the probe apparatus in 3rd Example. 第4実施例における測定処理の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of the measurement process in 4th Example. 第5実施例における測定処理の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of the measurement process in 5th Example.

次に、この発明の実施の形態を実施例に基づいて以下の順序で説明する。
A.第1実施例:
B.第2実施例:
C.第3実施例:
D.第4実施例:
E.第5実施例:
F.変形例:
Next, embodiments of the present invention will be described in the following order based on examples.
A. First embodiment:
B. Second embodiment:
C. Third embodiment:
D. Fourth embodiment:
E. Example 5:
F. Variations:

A.第1実施例:
図1、図2は、本発明の一実施例としての測定装置を示す説明図である。図1は、測定装置900の正面図であり、図2は、測定装置900の断面図である。本実施例では、測定装置900は、サーミスタ300の温度特性を検査する。具体的には、測定装置900は、所定の温度でのサーミスタ300の電気抵抗を測定する。測定装置900は、プローブ装置100と、支持装置200と、測定部600と、を有している。プローブ装置100は、支持装置200の、鉛直上側に配置されている。図中には、互いに直交するX方向、Y方向、Z方向が示されている。Z方向は鉛直上方向を示している。
A. First embodiment:
1 and 2 are explanatory views showing a measuring apparatus as an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a front view of the measuring apparatus 900, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the measuring apparatus 900. In the present embodiment, the measuring apparatus 900 inspects the temperature characteristics of the thermistor 300. Specifically, the measuring device 900 measures the electrical resistance of the thermistor 300 at a predetermined temperature. The measuring device 900 includes a probe device 100, a support device 200, and a measuring unit 600. The probe device 100 is disposed vertically above the support device 200. In the figure, an X direction, a Y direction, and a Z direction orthogonal to each other are shown. The Z direction indicates the vertically upward direction.

支持装置200は、基部250と、ペルチェ素子230a、230bと、プレート240と、支持部220と、温度センサ220Tと、第1制御部510と、を有している。基部250は、支持装置200の設置用の台である。基部250の上面(+Z側の面)には、温度を制御するための2つのペルチェ素子230a、230bが並べて固定されている。ペルチェ素子230a、230bの上面には、プレート240が固定されている。プレート240の上面には、支持部220が固定されている。支持部220は、Z方向と垂直な平板である。支持部220の上面には、10個の凹部220Rが形成されている。   The support device 200 includes a base portion 250, Peltier elements 230a and 230b, a plate 240, a support portion 220, a temperature sensor 220T, and a first control portion 510. The base 250 is a stand for installing the support device 200. Two Peltier elements 230a and 230b for controlling temperature are arranged and fixed on the upper surface (the surface on the + Z side) of the base 250. A plate 240 is fixed on the upper surfaces of the Peltier elements 230a and 230b. A support portion 220 is fixed to the upper surface of the plate 240. The support part 220 is a flat plate perpendicular to the Z direction. Ten concave portions 220 </ b> R are formed on the upper surface of the support portion 220.

なお、図2には、プローブ装置100のA−A断面(図1)と、支持装置200のB−B断面(図1)とが示されている。プローブ装置100の断面は、後述する検査グループIGの間を通る断面を示している。支持装置200の断面は、凹部220Rを通る断面を示している。   FIG. 2 shows an AA cross section (FIG. 1) of the probe device 100 and a BB cross section (FIG. 1) of the support device 200. The cross section of the probe device 100 shows a cross section passing between inspection groups IG described later. The cross section of the support device 200 shows a cross section passing through the recess 220R.

図3は、支持部220の上面図である。図示するように、10個の凹部220Rは、X方向に沿って並べて配置されている。   FIG. 3 is a top view of the support part 220. As shown in the drawing, the ten recesses 220R are arranged side by side along the X direction.

図4は、凹部220Rの斜視図である。凹部220Rは、第1部分220Aと第2部分220Bとを有している。第1部分220Aの形状は、Y方向に沿って延びる略矩形状である。第2部分220Bの形状は、Z方向に沿って延びる円筒形状である。第2部分220Bの深さ(−Z方向の深さ)は、第1部分220Aの深さよりも深い。第2部分220Bは、第1部分220Aの+Y側に配置されている。第1部分220Aの+Y側の端部は、第2部分220Bと連通している。また、第1部分220Aの−X側の側面には、−X側に凹んだ第1凹壁部220A1が形成されている。第1部分220Aの+X側の側面には、+X側に凹んだ第2凹壁部220A2が形成されている。   FIG. 4 is a perspective view of the recess 220R. The recess 220R has a first portion 220A and a second portion 220B. The shape of the first portion 220A is a substantially rectangular shape extending along the Y direction. The shape of the second portion 220B is a cylindrical shape extending along the Z direction. The depth of the second portion 220B (depth in the −Z direction) is deeper than the depth of the first portion 220A. The second portion 220B is disposed on the + Y side of the first portion 220A. The + Y side end of the first portion 220A communicates with the second portion 220B. A first concave wall 220A1 that is recessed toward the −X side is formed on the −X side side surface of the first portion 220A. A second concave wall 220A2 that is recessed toward the + X side is formed on the side surface on the + X side of the first portion 220A.

図示するように、各凹部220Rの中には、サーミスタ300が置かれる。サーミスタ300は、平板形状の本体320と、本体320の側面に接続された2本の端子311、312と、を有している。本体320は、第2部分220Bに収容され、端子311、312は、第1部分220Aに収容される。2本の端子311、312は、平行に延びている。   As illustrated, the thermistor 300 is placed in each recess 220R. The thermistor 300 has a flat plate-shaped main body 320 and two terminals 311 and 312 connected to the side surface of the main body 320. The main body 320 is accommodated in the second portion 220B, and the terminals 311 and 312 are accommodated in the first portion 220A. The two terminals 311 and 312 extend in parallel.

また、図1に示すように、支持部220には、温度センサ220Tが固定されている。第1制御部510は、温度センサ220Tの測定温度TR1が、予め決められた第1目標温度TT1となるように、ペルチェ素子230a、230bをフィードバック制御する。その結果、支持部220の温度を第1目標温度TT1に維持することができる。このように、支持部220の温度を第1目標温度TT1となるように調整することによって、支持部220に置かれたサーミスタ300の温度を第1目標温度TT1となるように調整することができる。なお、本実施例では、第1目標温度TT1は、摂氏100度に設定されている。また、第1制御部510とペルチェ素子230a、230bと温度センサ220Tとの全体が、特許請求の範囲における「第1温度調整部」に相当する。また、第1制御部510は、専用のデバイスと回路とを用いたハードウェアによって、構成されている。   Further, as shown in FIG. 1, a temperature sensor 220 </ b> T is fixed to the support portion 220. The first controller 510 feedback-controls the Peltier elements 230a and 230b so that the measured temperature TR1 of the temperature sensor 220T becomes a predetermined first target temperature TT1. As a result, the temperature of the support part 220 can be maintained at the first target temperature TT1. Thus, by adjusting the temperature of the support part 220 to be the first target temperature TT1, the temperature of the thermistor 300 placed on the support part 220 can be adjusted to be the first target temperature TT1. . In the present embodiment, the first target temperature TT1 is set to 100 degrees Celsius. Further, the entirety of the first control unit 510, the Peltier elements 230a and 230b, and the temperature sensor 220T corresponds to a “first temperature adjustment unit” in the claims. The first control unit 510 is configured by hardware using a dedicated device and circuit.

なお、支持部220の温度(すなわち、サーミスタ300の温度)を精度良く制御するためには、プレート240と支持部220とのそれぞれの材料として、熱伝導性の良好な材料を採用することが好ましい。例えば、アルミニウムや銅を採用してもよい。また、このような金属に限らず、セラミック等の他の種類の材料を採用してもよい。   In addition, in order to control the temperature of the support part 220 (that is, the temperature of the thermistor 300) with high accuracy, it is preferable to employ a material having good thermal conductivity as the material of the plate 240 and the support part 220. . For example, aluminum or copper may be used. Moreover, you may employ | adopt other types of materials, such as a ceramic, not only such a metal.

温度センサ220Tとしては、種々のセンサを採用可能である。例えば、白金抵抗体を採用してもよい。白金抵抗体を採用すれば、精度良く温度を測定することができる。図4の実施例では、本体320は、内部に白金抵抗体を有している(図示省略)。白金抵抗体の一端は第1端子311に接続され、白金抵抗体の他端は第2端子312に接続されている。ただし、他の種類の温度センサ(例えば、熱電対)を採用してもよい。   Various sensors can be adopted as the temperature sensor 220T. For example, a platinum resistor may be adopted. If a platinum resistor is employed, the temperature can be accurately measured. In the embodiment of FIG. 4, the main body 320 has a platinum resistor inside (not shown). One end of the platinum resistor is connected to the first terminal 311, and the other end of the platinum resistor is connected to the second terminal 312. However, other types of temperature sensors (for example, thermocouples) may be employed.

サーミスタ300の端子311、312に意図しない回路が接続されることを避けるためには、支持部220のうちの端子311、312と接触し得る部分を、電気的な絶縁体で形成することが好ましい。例えば、凹部220Rの表面をセラミックで覆っても良い。また、支持部220をアルミニウムで形成し、凹部220Rの表面を酸化させて、凹部220Rの表面を酸化被膜によって覆っても良い。   In order to prevent an unintended circuit from being connected to the terminals 311 and 312 of the thermistor 300, it is preferable to form portions of the support portion 220 that can contact the terminals 311 and 312 with an electrical insulator. . For example, the surface of the recess 220R may be covered with ceramic. Alternatively, the support 220 may be formed of aluminum, the surface of the recess 220R may be oxidized, and the surface of the recess 220R may be covered with an oxide film.

図5は、プローブ装置100の上面図である。図1、図2、図5に示すように、プローブ装置100は、基部150と、ペルチェ素子130と、プレート140と、温度センサ140Tと、保持部120と、第1プローブ111と、第2プローブ112と、押しつけ部113と、第2制御部520と、を有している。基部150は、プローブ装置100の構成用の台である。基部150は、図示しない移動装置(例えば、エアシリンダ)に固定されており、Z方向に沿って移動する。基部150の前面(−Y側の面)には、温度を制御するためのペルチェ素子130が固定されている。ペルチェ素子130の前面には、プレート140が固定されている。プレート140の前面には、保持部120が固定されている。   FIG. 5 is a top view of the probe device 100. As shown in FIGS. 1, 2, and 5, the probe device 100 includes a base 150, a Peltier element 130, a plate 140, a temperature sensor 140T, a holding unit 120, a first probe 111, and a second probe. 112, a pressing unit 113, and a second control unit 520. The base 150 is a base for the configuration of the probe device 100. The base 150 is fixed to a moving device (not shown) (for example, an air cylinder) and moves along the Z direction. A Peltier element 130 for controlling temperature is fixed to the front surface (the surface on the −Y side) of the base 150. A plate 140 is fixed to the front surface of the Peltier element 130. A holding unit 120 is fixed to the front surface of the plate 140.

保持部120は、第2ブロック122と、第2ブロック122の前面に固定された第1ブロック121と、第2ブロック122の後面(+Y側の面)に固定された第3ブロック123と、を有している。第3ブロック123の後面は、プレート140に固定されている。また、第3ブロック123は、第2ブロック122の後面と側面(+X側の面と−X側の面)とを覆っている。   The holding unit 120 includes a second block 122, a first block 121 fixed to the front surface of the second block 122, and a third block 123 fixed to the rear surface (+ Y side surface) of the second block 122. Have. The rear surface of the third block 123 is fixed to the plate 140. The third block 123 covers the rear surface and side surfaces (the + X side surface and the −X side surface) of the second block 122.

第2ブロック122は、10本の第1プローブ111と、10本の第2プローブ112と、10本の押しつけ部113とを、保持している。これらの部材111、112、113は、いずれも、Z方向に沿って延びる棒状の部材である。各部材111、112、113は、第2ブロック122をZ方向に沿って貫通した状態で、保持されている。   The second block 122 holds ten first probes 111, ten second probes 112, and ten pressing portions 113. All of these members 111, 112, and 113 are rod-shaped members that extend along the Z direction. Each member 111,112,113 is hold | maintained in the state which penetrated the 2nd block 122 along the Z direction.

また、図5に示すように、各部材111、112、113は、X方向に沿って並んで、それぞれ配置されている。これらの部材111、112、113は、10個の検査グループIGに区分されている。1つの検査グループIGは、1つの第1プローブ111と、1つの第2プローブ112と、1つの押しつけ部113とを有している。1つの検査グループIGの部材111、112、113は、共通の1つの凹部220Rと対向する。   Moreover, as shown in FIG. 5, each member 111,112,113 is arrange | positioned along with the X direction, respectively. These members 111, 112, and 113 are divided into 10 inspection groups IG. One inspection group IG includes one first probe 111, one second probe 112, and one pressing portion 113. The members 111, 112, and 113 of one inspection group IG face one common recess 220R.

図5の下部には、1つの検査グループIGにおける各部材111、112、113の配置が、拡大して示されている。図中では、各部材111、112、113にハッチングが付されている。この配置は、+Zから−Zに向かって見たものである。   In the lower part of FIG. 5, the arrangement of the members 111, 112, and 113 in one inspection group IG is shown in an enlarged manner. In the figure, the members 111, 112, and 113 are hatched. This arrangement is viewed from + Z to −Z.

第1プローブ111と第2プローブ112とは、それぞれ、第1部分220Aと対向している。第1プローブ111は、第1部分220A内の−X+Y側に偏った位置に配置され、第2プローブ112は、第1部分220A内の+X−Y側に偏った位置に配置されている。プローブ装置100が支持装置200に向かって移動することによって、第1プローブ111は第1端子311に接触し、第2プローブ112は第2端子312に接触する。なお、第1プローブ111が第1凹壁部220A1によって突出したスペースに配置されているので、第1プローブ111が誤って第2端子312と接触することが抑制される。同様に、第2プローブ112が第2凹壁部220A2によって突出したスペースに配置されているので、第2プローブ112が誤って第1端子311と接触することが抑制される。   The first probe 111 and the second probe 112 are opposed to the first portion 220A, respectively. The first probe 111 is disposed at a position biased toward the −X + Y side in the first portion 220A, and the second probe 112 is disposed at a position biased toward the + X−Y side within the first portion 220A. As the probe device 100 moves toward the support device 200, the first probe 111 contacts the first terminal 311, and the second probe 112 contacts the second terminal 312. In addition, since the 1st probe 111 is arrange | positioned in the space protruded by 1st concave wall part 220A1, it is suppressed that the 1st probe 111 contacts the 2nd terminal 312 accidentally. Similarly, since the second probe 112 is disposed in the space protruding by the second concave wall portion 220A2, it is possible to suppress the second probe 112 from erroneously contacting the first terminal 311.

各プローブ111、112は、端子311、312との電気的な接続のために、導電体を用いて形成されている(例えば、棒状の銅の表面に金メッキが施されている)。また、各プローブ111、112は、図示しないケーブルによって、測定部600(図1)に接続されている。   Each of the probes 111 and 112 is formed using a conductor for electrical connection with the terminals 311 and 312 (for example, the surface of a bar-like copper is plated with gold). Each probe 111, 112 is connected to the measurement unit 600 (FIG. 1) by a cable (not shown).

押しつけ部113は、第2部分220Bと対向している。プローブ装置100が支持装置200に向かって移動することによって、押しつけ部113は、サーミスタ300の本体320と接触する。この接触によって本体320が支持部220に押しつけられる。押しつけ部113の材料としては、任意の材料を採用可能である。例えば、セラミックやゴム等の電気的な絶縁体を利用してもよい。また、サーミスタ300の傷つきを抑制するために、ゴム等の弾性体を利用してもよい。また、サーミスタ300と押しつけ部113との間の熱伝導を抑制するために、発泡樹脂等の断熱材料を利用してもよい。また、複数の材料を組み合わせて押しつけ部113を構成してもよい。例えば、金属の棒の先端にゴム部材を組み付け、そのゴム部材がサーミスタ300と接触してもよい。なお、本体320を支持部220に押しつける理由については、後述する。   The pressing portion 113 is opposed to the second portion 220B. As the probe device 100 moves toward the support device 200, the pressing portion 113 comes into contact with the main body 320 of the thermistor 300. By this contact, the main body 320 is pressed against the support portion 220. Any material can be adopted as the material of the pressing portion 113. For example, an electrical insulator such as ceramic or rubber may be used. Moreover, in order to suppress the thermistor 300 from being damaged, an elastic body such as rubber may be used. Further, in order to suppress heat conduction between the thermistor 300 and the pressing portion 113, a heat insulating material such as foamed resin may be used. Further, the pressing portion 113 may be configured by combining a plurality of materials. For example, a rubber member may be assembled to the tip of a metal rod, and the rubber member may contact the thermistor 300. The reason for pressing the main body 320 against the support portion 220 will be described later.

また、図2に示すように、プレート140には、温度センサ140Tが固定されている。第2制御部520は、温度センサ140Tの測定温度TR2が、予め決められた第2目標温度TT2となるように、ペルチェ素子130をフィードバック制御する。このように、第2制御部520は、プレート140の温度を調整する。ここで、プレート140には保持部120が固定されているので、プレート140と保持部120との間で熱が伝導する。その結果、保持部120の温度は、プレート140の温度とほぼ同じになる。その結果、第2制御部520は保持部120の温度を調整している、ということもできる。なお、保持部120(プレート140)の温度は、第2目標温度TT2に維持される。また、第2制御部520と温度センサ140Tとペルチェ素子130との全体は、特許請求の範囲における「第2温度調整部」に相当する。また、第2制御部520は、専用のデバイスと回路とを用いたハードウェアによって、構成されている。   As shown in FIG. 2, a temperature sensor 140 </ b> T is fixed to the plate 140. The second control unit 520 performs feedback control of the Peltier element 130 so that the measured temperature TR2 of the temperature sensor 140T becomes a predetermined second target temperature TT2. As described above, the second controller 520 adjusts the temperature of the plate 140. Here, since the holding unit 120 is fixed to the plate 140, heat is conducted between the plate 140 and the holding unit 120. As a result, the temperature of the holding unit 120 is substantially the same as the temperature of the plate 140. As a result, it can be said that the second control unit 520 adjusts the temperature of the holding unit 120. Note that the temperature of the holding unit 120 (plate 140) is maintained at the second target temperature TT2. The entirety of the second control unit 520, the temperature sensor 140T, and the Peltier element 130 corresponds to a “second temperature adjustment unit” in the claims. The second control unit 520 is configured by hardware using a dedicated device and circuit.

本実施例では、第2目標温度TT2は、上述の第1目標温度TT1(摂氏100度)よりも若干高い摂氏102度に設定されている。この理由は、プローブ111、112がサーミスタ300(端子311、312)に接触した場合に、サーミスタ300の温度が目標温度(第1目標温度TT1)から大きくずれることを抑制するためのである。本実施例では、測定装置900は、第1目標温度TT1よりも低い温度環境の下で動作することとしている(例えば、常温(摂氏20度)の下)。各プローブ111、112におけるサーミスタ300と接触する部分(先端部分)の温度は、低い温度環境による冷却によって、保持部120の温度よりも低くなる。ここで、第2目標温度TT2が第1目標温度TT1と同じ値に設定されていると仮定すると、各プローブ111、112の先端部分の温度は第2目標温度TT2(すなわち、第1目標温度TT1)よりも低くなる。その結果、サーミスタ300に接触した各プローブ111、112によってサーミスタ300が冷却されてしまい、サーミスタ300の温度が目標温度(第1目標温度TT1)から大きくずれるおそれがある。そこで、本実施例では、第2目標温度TT2が、第1目標温度TT1よりも若干高い温度に設定されている。その結果、プローブ111、112の温度が、サーミスタ300の目標温度(第1目標温度TT1)よりも過剰に低くなることを抑制できる。そして、サーミスタ300が冷却されることを抑制できる。以上、プローブ111、112について説明したが、押しつけ部113についても同様である。なお、本実施例では、第2目標温度TT2が、「第1目標温度TT1」から「第1目標温度TT1+摂氏5度」までの範囲内にあることが好ましい。ただし、適切な第2目標温度TT2は、予め実験的に決定すればよい。   In the present embodiment, the second target temperature TT2 is set to 102 degrees Celsius that is slightly higher than the first target temperature TT1 (100 degrees Celsius) described above. The reason for this is to prevent the temperature of the thermistor 300 from greatly deviating from the target temperature (first target temperature TT1) when the probes 111 and 112 contact the thermistor 300 (terminals 311 and 312). In the present embodiment, the measuring apparatus 900 is operated under a temperature environment lower than the first target temperature TT1 (for example, under normal temperature (20 degrees Celsius)). The temperatures of the portions (tip portions) of the probes 111 and 112 that are in contact with the thermistor 300 become lower than the temperature of the holding unit 120 due to cooling by a low temperature environment. Here, assuming that the second target temperature TT2 is set to the same value as the first target temperature TT1, the temperature at the tip of each probe 111, 112 is the second target temperature TT2 (that is, the first target temperature TT1). ). As a result, the thermistor 300 is cooled by the probes 111 and 112 that are in contact with the thermistor 300, and the temperature of the thermistor 300 may be greatly deviated from the target temperature (first target temperature TT1). Therefore, in this embodiment, the second target temperature TT2 is set to a temperature slightly higher than the first target temperature TT1. As a result, it is possible to suppress the temperatures of the probes 111 and 112 from becoming excessively lower than the target temperature (first target temperature TT1) of the thermistor 300. And it can suppress that the thermistor 300 is cooled. Although the probes 111 and 112 have been described above, the same applies to the pressing portion 113. In the present embodiment, the second target temperature TT2 is preferably in the range from “first target temperature TT1” to “first target temperature TT1 + 5 degrees Celsius”. However, the appropriate second target temperature TT2 may be experimentally determined in advance.

なお、保持部120の温度を精度良く制御するためには、プレート140と保持部120とのそれぞれの材料として、熱伝導性の良好な材料を採用することが好ましい(例えば、アルミニウムや銅)。また、このような金属に限らず、セラミック等の他の種類の材料を採用してもよい。また、温度センサ140Tとしては、白金抵抗体等の種々の温度センサを採用可能である。   In addition, in order to control the temperature of the holding part 120 with high accuracy, it is preferable to employ a material having good thermal conductivity as the material of the plate 140 and the holding part 120 (for example, aluminum or copper). Moreover, you may employ | adopt other types of materials, such as a ceramic, not only such a metal. Further, as the temperature sensor 140T, various temperature sensors such as a platinum resistor can be employed.

図6は、測定処理の手順を示すフローチャートである。最初のステップS100では、第2制御部520(図2)が、保持部120の温度調整を開始する。第2制御部520は、温度センサ140Tの第2測定温度TR2が、第2目標温度TT2になるように、ペルチェ素子130を制御する。   FIG. 6 is a flowchart showing the procedure of the measurement process. In the first step S100, the second control unit 520 (FIG. 2) starts temperature adjustment of the holding unit 120. The second control unit 520 controls the Peltier element 130 so that the second measured temperature TR2 of the temperature sensor 140T becomes the second target temperature TT2.

次のステップS110では、第1制御部510(図1)が、支持部220の温度調整を開始する。第1制御部510は、温度センサ220Tの第1測定温度TR1が、第1目標温度TT1になるように、ペルチェ素子230a、230bを制御する。   In the next step S110, the first control unit 510 (FIG. 1) starts temperature adjustment of the support unit 220. The first controller 510 controls the Peltier elements 230a and 230b so that the first measured temperature TR1 of the temperature sensor 220T becomes the first target temperature TT1.

次のステップS120では、凹部220R(図1〜図4)にサーミスタ300を配置する。この作業は、図示しない機械(産業用ロボット)によって行われてもよく、また、オペレータによる手作業によって行われても良い。   In the next step S120, the thermistor 300 is disposed in the recess 220R (FIGS. 1 to 4). This operation may be performed by a machine (industrial robot) (not shown) or may be performed manually by an operator.

次のステップS130、S140では、プローブ装置100(基部150:図1、図2)が支持装置200に向かって移動する。図7(A)は、移動前の測定装置900を示し、図7(B)は、移動後の測定装置900を示している。図中には、図2と同様の断面図が示されている。プローブ装置100(基部150)が支持装置200に向かって移動すると、保持部120とプローブ111、112と押しつけ部113とが一体となって、サーミスタ300に向かって移動する。このように、基部150を移動させることによって、保持部120を移動させることができる。そして、保持部120を移動させることによって、プローブ111、112と押しつけ部113とを移動させることができる。そして、押しつけ部113は本体320に接触し(S130)、プローブ111、112は端子311、312にそれぞれ接触する(S140)。Z方向に沿って見た各部材111、112、113の接触位置は、図5に示されている。   In the next steps S130 and S140, the probe device 100 (base 150: FIGS. 1 and 2) moves toward the support device 200. FIG. 7A shows the measurement apparatus 900 before movement, and FIG. 7B shows the measurement apparatus 900 after movement. In the figure, a cross-sectional view similar to FIG. 2 is shown. When the probe device 100 (base 150) moves toward the support device 200, the holding portion 120, the probes 111 and 112, and the pressing portion 113 move together toward the thermistor 300. In this way, the holding unit 120 can be moved by moving the base 150. Then, by moving the holding unit 120, the probes 111 and 112 and the pressing unit 113 can be moved. The pressing portion 113 contacts the main body 320 (S130), and the probes 111 and 112 contact the terminals 311 and 312 respectively (S140). The contact position of each member 111, 112, 113 seen along the Z direction is shown in FIG.

サーミスタ300の本体320は、押しつけ部113によって、支持部220に押しつけられる(本体320が支持部220と接触した状態が維持される)。この理由は、本体320の温度が第1目標温度TT1から大きくずれることを抑制するためである。上述するように、プローブ111、112は、端子311、312に接触する。この接触によって、サーミスタ300に力が掛かる。この力によって、本体320が支持部220から離れる場合がある。本体320が支持部220から離れると、本体320と支持部220との間の熱伝導が不十分となる。その結果、本体320の温度が第1目標温度TT1から大きくずれるおそれがある。一方、本実施例のように、本体320を支持部220に押しつけることによって、本体320が支持部220から離れることを抑制できる。これにより、本体320と支持部220との間の熱伝導を維持でき、本体320の温度が第1目標温度TT1から大きくずれることを抑制することができる。   The main body 320 of the thermistor 300 is pressed against the support portion 220 by the pressing portion 113 (a state where the main body 320 is in contact with the support portion 220 is maintained). The reason for this is to prevent the temperature of the main body 320 from greatly deviating from the first target temperature TT1. As described above, the probes 111 and 112 are in contact with the terminals 311 and 312. By this contact, a force is applied to the thermistor 300. This force may cause the main body 320 to move away from the support portion 220. When the main body 320 is separated from the support portion 220, the heat conduction between the main body 320 and the support portion 220 becomes insufficient. As a result, the temperature of the main body 320 may be greatly deviated from the first target temperature TT1. On the other hand, the main body 320 can be prevented from being separated from the support portion 220 by pressing the main body 320 against the support portion 220 as in the present embodiment. Thereby, the heat conduction between the main body 320 and the support part 220 can be maintained, and the temperature of the main body 320 can be suppressed from greatly deviating from the first target temperature TT1.

また、上述したように、本実施例では、支持部220の温度に加えて、保持部120の温度も調整されている。従って、プローブ111、112とサーミスタ300(端子311、312)との間の熱伝導に起因してサーミスタ300の温度が第1目標温度TT1から大きくずれることを抑制できる。   Further, as described above, in this embodiment, in addition to the temperature of the support part 220, the temperature of the holding part 120 is also adjusted. Therefore, it is possible to suppress the temperature of the thermistor 300 from greatly deviating from the first target temperature TT1 due to heat conduction between the probes 111 and 112 and the thermistor 300 (terminals 311 and 312).

なお、サーミスタ300に過剰な力が印加しないように、各部材111、112、113は、第2ブロック122の中をZ方向と平行に移動可能である。そして、各部材111、112、113は、第2ブロック122に組み込まれた図示しない付勢手段(例えば、バネやゴム)によって、−Z方向に付勢されている。従って、サーミスタ300との接触の後にプローブ装置100が−Z方向に更に移動した場合には、各部材111、112、113は、更なる移動量だけ第2ブロック122の中を+Z方向に移動する。そして、各部材111、112、113は、付勢力によって、サーミスタ300に押しつけられる。これらの結果、サーミスタ300に過剰な力が印加することを抑制できる。   Each member 111, 112, 113 can move in the second block 122 in parallel with the Z direction so that an excessive force is not applied to the thermistor 300. Each member 111, 112, 113 is urged in the −Z direction by an urging means (not shown) (for example, a spring or rubber) incorporated in the second block 122. Therefore, when the probe device 100 further moves in the −Z direction after contact with the thermistor 300, the members 111, 112, and 113 move in the second block 122 in the + Z direction by a further movement amount. . Each member 111, 112, 113 is pressed against the thermistor 300 by the urging force. As a result, application of excessive force to the thermistor 300 can be suppressed.

なお、各部材が第2ブロック122から抜け落ちないように、保持部120を構成することが好ましい。例えば、上述の付勢手段に各部材111、112、113を接続することによって、各部材111、112、113の落下を防止してもよい。また、各部材111、112、113の移動可能範囲を、予め機械的に制限してもよい。例えば、各部材111、112、113に設けられた凸部(図示せず)の移動が、第2ブロック122に設けられた所定長さの溝(図示せず)によって制限されてもよい。   Note that the holding unit 120 is preferably configured so that each member does not fall out of the second block 122. For example, the members 111, 112, 113 may be prevented from dropping by connecting the members 111, 112, 113 to the urging means described above. Further, the movable range of each member 111, 112, 113 may be mechanically limited in advance. For example, the movement of convex portions (not shown) provided on the members 111, 112, 113 may be limited by a groove (not shown) having a predetermined length provided on the second block 122.

次のステップS150では、測定部600(図1)は、プローブ111、112を介して、各サーミスタ300の特性を測定する。本実施例では、測定部600は、各サーミスタ300の電気抵抗を測定する。そして、測定部600は、測定された電気抵抗が、予め決められた許容範囲内にある場合には、サーミスタ300は良品であると判断する。電気抵抗が許容範囲外にある場合には、測定部600は、サーミスタ300が不良品であると判断する。   In the next step S150, the measurement unit 600 (FIG. 1) measures the characteristics of each thermistor 300 via the probes 111 and 112. In the present embodiment, the measurement unit 600 measures the electrical resistance of each thermistor 300. Then, the measurement unit 600 determines that the thermistor 300 is a non-defective product when the measured electrical resistance is within a predetermined allowable range. When the electrical resistance is outside the allowable range, the measurement unit 600 determines that the thermistor 300 is a defective product.

なお、測定部600(図1)は、サーミスタ300が凹部220Rに載せられ(支持され)、端子311、312にプローブ111、112が接触した状態で、第1測定温度TR1と第2測定温度TR2とが、それぞれ、目標温度に調整されるのを待って、ステップS150を実行する。測定温度TR1、TR2が目標温度TT1、TT2にそれぞれ調整されたか否かを判断するための条件としては、種々の条件を採用可能である。例えば、第1測定温度TR1と第1目標温度TT1との間の差が所定の第1許容誤差以下であることを、第1測定温度TR1が第1目標温度TT1に調整されたと判断するための条件として採用してもよい。同様に、第2測定温度TR2と第2目標温度TT2との間の差が所定の第2許容誤差以下であることを、第2測定温度TR2が第2目標温度TT2に調整されたと判断するための条件として採用してもよい。第1と第2の許容誤差のそれぞれは、検査に要求される温度の精度に合わせて、予め実験的に決定すればよい。   The measurement unit 600 (FIG. 1) includes a first measurement temperature TR1 and a second measurement temperature TR2 in a state where the thermistor 300 is placed (supported) in the recess 220R and the probes 111 and 112 are in contact with the terminals 311 and 312. , Wait for each to be adjusted to the target temperature, and execute step S150. Various conditions can be adopted as conditions for determining whether or not the measured temperatures TR1 and TR2 have been adjusted to the target temperatures TT1 and TT2, respectively. For example, for determining that the difference between the first measured temperature TR1 and the first target temperature TT1 is equal to or less than a predetermined first allowable error, the first measured temperature TR1 is adjusted to the first target temperature TT1. You may employ | adopt as conditions. Similarly, in order to determine that the second measured temperature TR2 has been adjusted to the second target temperature TT2 that the difference between the second measured temperature TR2 and the second target temperature TT2 is equal to or less than a predetermined second allowable error. You may employ | adopt as conditions of this. Each of the first and second tolerances may be experimentally determined in advance in accordance with the temperature accuracy required for the inspection.

次のステップS160、S170では、プローブ装置100(図1、図2)が支持装置200から離れる。その結果、図7(A)に示すように、プローブ111、112が端子311、312から、それぞれ離れ(S160)、押しつけ部113は、本体320から離れる(S170)。   In the next steps S160 and S170, the probe device 100 (FIGS. 1 and 2) is separated from the support device 200. As a result, as shown in FIG. 7A, the probes 111 and 112 are separated from the terminals 311 and 312 (S160), respectively, and the pressing portion 113 is separated from the main body 320 (S170).

次のステップS_F1では、第1制御部510(図1)は、支持部220の温度調整を終了する。次のステップS_F2では、第2制御部520(図2)は、保持部120の温度調整を終了する。   In the next step S_F1, the first control unit 510 (FIG. 1) ends the temperature adjustment of the support unit 220. In the next step S_F2, the second control unit 520 (FIG. 2) ends the temperature adjustment of the holding unit 120.

次のステップS_Rでは、凹部220R(図1〜図4)からサーミスタ300が取り外される。この作業は、図示しない機械(産業用ロボット)によって行われてもよく、また、オペレータによる手作業によって行われても良い。   In the next step S_R, the thermistor 300 is removed from the recess 220R (FIGS. 1 to 4). This operation may be performed by a machine (industrial robot) (not shown) or may be performed manually by an operator.

以上のように、本実施例では、サーミスタ300の温度に影響を与える支持部220と保持部120との温度がそれぞれ調整されるので、サーミスタ300の温度を第1目標温度TT1に調整して、検査を行うことができる(図1、図2)。   As described above, in the present embodiment, the temperatures of the support part 220 and the holding part 120 that affect the temperature of the thermistor 300 are adjusted, so the temperature of the thermistor 300 is adjusted to the first target temperature TT1, Inspection can be performed (FIGS. 1 and 2).

また、押しつけ部113が本体320を支持部220に押しつけるので(図7)、サーミスタ300(特に、本体320)の温度が第1目標温度TT1から大きくずれることを抑制することができる。   Moreover, since the pressing part 113 presses the main body 320 against the support part 220 (FIG. 7), it is possible to suppress the temperature of the thermistor 300 (particularly the main body 320) from greatly deviating from the first target temperature TT1.

また、押しつけ部113が保持部120(第2ブロック122)に接続されているので、押しつけ部113と保持部120との間の熱伝導によって、押しつけ部113の温度を保持部120の温度に近づけることができる。その結果、押しつけ部113がサーミスタ300の本体320に接触したときに、サーミスタ300の温度が目標温度(第1目標温度TT1)から過剰に大きくずれることを抑制できる。   Further, since the pressing unit 113 is connected to the holding unit 120 (second block 122), the temperature of the pressing unit 113 is brought close to the temperature of the holding unit 120 by heat conduction between the pressing unit 113 and the holding unit 120. be able to. As a result, when the pressing part 113 contacts the main body 320 of the thermistor 300, it is possible to suppress the temperature of the thermistor 300 from deviating excessively from the target temperature (first target temperature TT1).

また、本実施例では、保持部120(プレート140)の第2目標温度TT2(図2)が、支持部220の第1目標温度TT1(図1)よりも高い温度に設定されている。従って、プローブ111、112の温度が保持部120の温度よりも低くなりやすい環境下において、プローブ111、112の温度が、サーミスタ300の目標温度(第1目標温度TT1)よりも過剰に低くなることを抑制できる。さらに、本実施例では、押しつけ部113の温度も、目標温度よりも過剰に低くなることを抑制できる。これらの結果、サーミスタ300の温度が、第1目標温度TT1から大きくずれることを抑制できる。   In the present embodiment, the second target temperature TT2 (FIG. 2) of the holding unit 120 (plate 140) is set to a temperature higher than the first target temperature TT1 (FIG. 1) of the support unit 220. Therefore, the temperature of the probes 111 and 112 is excessively lower than the target temperature (first target temperature TT1) of the thermistor 300 in an environment where the temperature of the probes 111 and 112 is likely to be lower than the temperature of the holding unit 120. Can be suppressed. Furthermore, in the present embodiment, it is possible to suppress the temperature of the pressing portion 113 from being excessively lower than the target temperature. As a result, it is possible to suppress the temperature of the thermistor 300 from greatly deviating from the first target temperature TT1.

なお、本実施例では、摂氏100度でのサーミスタ300の温度特性を測定している。ここで、この測定結果から、より高い温度(例えば、摂氏600度)での温度特性を推定してもよい。このような推定は、サーミスタの抵抗/温度の特性に従って、行うことができる。また、複数の温度(例えば、摂氏25度と摂氏100度)での温度特性を測定し、複数の測定結果に従って、より高い温度での温度測定を推定してもよい。こうすれば、推定精度を高めることができる。また、温度としては、摂氏100度や摂氏25度に限らず、他の温度を採用してもよい。   In this embodiment, the temperature characteristic of the thermistor 300 at 100 degrees Celsius is measured. Here, temperature characteristics at a higher temperature (for example, 600 degrees Celsius) may be estimated from the measurement result. Such estimation can be performed according to the resistance / temperature characteristics of the thermistor. Further, temperature characteristics at a plurality of temperatures (for example, 25 degrees Celsius and 100 degrees Celsius) may be measured, and temperature measurement at a higher temperature may be estimated according to the plurality of measurement results. In this way, the estimation accuracy can be increased. Further, the temperature is not limited to 100 degrees Celsius and 25 degrees Celsius, and other temperatures may be adopted.

B.第2実施例
図8は、第2実施例における支持装置の構成を示す説明図である。図1に示す支持装置200との差違は、プレート240が省略されている点だけである。本実施例の支持装置200Bでは、ペルチェ素子230a、230bの上面に、支持部220が直接固定されている。その結果、支持部220の温度調整を、より精度よく行うことができる。なお、測定装置の他の構成は、図1、図2に示す測定装置900と同じである。
B. Second Embodiment FIG. 8 is an explanatory diagram showing a configuration of a support device in a second embodiment. The only difference from the support device 200 shown in FIG. 1 is that the plate 240 is omitted. In the support device 200B of the present embodiment, the support portion 220 is directly fixed to the upper surfaces of the Peltier elements 230a and 230b. As a result, the temperature of the support part 220 can be adjusted with higher accuracy. The other configuration of the measuring apparatus is the same as that of the measuring apparatus 900 shown in FIGS.

C.第3実施例:
図9は、第3実施例におけるプローブ装置の構成を示す説明図である。図2に示すプローブ装置100との差違は、2点ある。第1の差違は、プレート140が省略されている点である。本実施例のプローブ装置100Bでは、ペルチェ素子130の前面に、保持部120(第3ブロック123)が直接固定されている。第2の差違は、温度センサ140Tが、保持部120(第3ブロック123)に固定されている点である。これらの結果、保持部120の温度調整を、より精度よく行うことができる。なお、測定装置の他の構成は、図1、図2に示す第1実施例の測定装置900と同じである。なお、図1に示す支持装置200の代わりに図8に示す支持装置200Bを、本実施例のプローブ装置100Bと組み合わせてもよい。
C. Third embodiment:
FIG. 9 is an explanatory diagram showing the configuration of the probe apparatus according to the third embodiment. There are two differences from the probe apparatus 100 shown in FIG. The first difference is that the plate 140 is omitted. In the probe apparatus 100B of the present embodiment, the holding unit 120 (third block 123) is directly fixed to the front surface of the Peltier element 130. The second difference is that the temperature sensor 140T is fixed to the holding unit 120 (third block 123). As a result, the temperature of the holding unit 120 can be adjusted with higher accuracy. The other configuration of the measuring apparatus is the same as that of the measuring apparatus 900 of the first embodiment shown in FIGS. Instead of the support device 200 shown in FIG. 1, a support device 200B shown in FIG. 8 may be combined with the probe device 100B of the present embodiment.

D.第4実施例:
図10は、第4実施例における測定処理の手順を示すフローチャートである。図6に示す手順との差違は、ステップS_Rが、ステップS_F1とステップS_F2の間に実行される点だけである。この場合も、図6に示す第1実施例と同様の利点を得ることができる。なお、多数のサーミスタ300の特性測定を行う場合がある。この場合、ステップS110からステップS_Rまでの一連の処理を繰り返せばよい。なお、測定装置の構成としては、上述の各実施例の構成を採用可能である。
D. Fourth embodiment:
FIG. 10 is a flowchart showing the procedure of the measurement process in the fourth embodiment. The only difference from the procedure shown in FIG. 6 is that step S_R is executed between steps S_F1 and S_F2. In this case, the same advantages as those of the first embodiment shown in FIG. 6 can be obtained. In some cases, the characteristics of many thermistors 300 are measured. In this case, a series of processes from step S110 to step S_R may be repeated. In addition, as a structure of a measuring apparatus, the structure of each above-mentioned Example is employable.

E.第5実施例:
図11は、第5実施例における測定処理の手順を示すフローチャートである。図6に示す手順との差違は、ステップS_Rが、ステップS170とステップS_F1との間に実行される点だけである。この場合も、図6に示す第1実施例と同様の利点を得ることができる。なお、多数のサーミスタ300の特性測定を行う場合がある。この場合、ステップS120からステップS_Rまでの一連の処理を繰り返せばよい。なお、測定装置の構成としては、上述の各実施例の構成を採用可能である。
E. Example 5:
FIG. 11 is a flowchart showing the procedure of the measurement process in the fifth embodiment. The only difference from the procedure shown in FIG. 6 is that step S_R is executed between step S170 and step S_F1. In this case, the same advantages as those of the first embodiment shown in FIG. 6 can be obtained. In some cases, the characteristics of many thermistors 300 are measured. In this case, a series of processing from step S120 to step S_R may be repeated. In addition, as a structure of a measuring apparatus, the structure of each above-mentioned Example is employable.

F.変形例:
なお、上記各実施例における構成要素の中の、独立クレームでクレームされた要素以外の要素は、付加的な要素であり、適宜省略可能である。また、この発明は上記の実施例や実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
F. Variations:
In addition, elements other than the elements claimed in the independent claims among the constituent elements in each of the above embodiments are additional elements and can be omitted as appropriate. The present invention is not limited to the above-described examples and embodiments, and can be implemented in various modes without departing from the gist thereof. For example, the following modifications are possible.

変形例1:
上述の各実施例において、特性測定の対象の電子部品としては、サーミスタ300に限らず、任意の電子部品を採用可能である。例えば、圧力センサや濃度センサや加速度センサやGPS(Global Positioning System)の受信機(GPSセンサ)を採用してもよい。また、このようなセンサに限らず、ダイオードやトランジスタや集積回路やチップアンテナ等の種々の電子部品を採用可能である。いずれの場合も、電子部品の電気的特性を担う要素を含む部分が、「電子部品の本体」に相当する。このような要素としては、例えば、温度に応じて抵抗値が変化する抵抗体や、特定ガスの濃度に応じて変化する信号を出力するセルや、半導体チップや、集積回路等が挙げられる。そして、このような要素に接続されて、その要素と外部との間の電気信号の入出力を行う導電部材が、「電子部品の端子」に相当する。また、プローブの総数としても、2に限らず、電子部品と、測定される特性とに応じた任意の数を採用可能である。また、プローブを介して測定される特性としては、電気抵抗に限らず、任意の電気的な特性を採用可能である。例えば、周波数特性を測定してもよい。この場合、プローブを介して交流信号を電子部品に供給して、別のプローブを介して電子部品からの出力信号を取得すればよい。いずれの場合も、上述した各実施例の測定装置や測定方法を適用することによって、電子部品の温度を目標の温度に調整して電子部品の特性を測定することができる。特に、温度に依存して変化する特性を測定する場合には、電子部品の温度を目標の温度に調整することが重要であるので、効果が顕著である。例えば、サーミスタや熱電対のような種々の温度センサの温度特性(温度と、温度センサから得られる信号との対応関係)を測定する場合には、特に効果が顕著である。また、比較的低い温度での特性の測定結果から比較的高い温度での特性を推定する場合にも、効果が顕著である。なお、本体における端子の配置としては、任意の配置を採用可能である。例えば、図4に示すサーミスタ300のように、本体320の1つの面に複数の端子(端子311、312)を配置してもよい。また、本体における、1つの面と、その面の反対側の面とに、端子を分散して配置してもよい。一般には、本体の任意の位置に端子を配置してよい。また、端子の形状としては、任意の形状を採用可能である。例えば、図4に示す端子(端子311、312)のように、本体(本体320)に一端が接続された棒状の端子を採用してもよい。また、本体に一端が接続されたワイヤーを端子として採用してもよい。また、本体の表面に積層された板状(層状)の端子を採用してもよい。ここで、板状の端子の一部が、本体の外にはみ出ていても良い。
Modification 1:
In each of the above-described embodiments, the electronic component to be subjected to characteristic measurement is not limited to the thermistor 300, and any electronic component can be employed. For example, a pressure sensor, a concentration sensor, an acceleration sensor, or a GPS (Global Positioning System) receiver (GPS sensor) may be employed. In addition to such sensors, various electronic components such as diodes, transistors, integrated circuits, and chip antennas can be used. In either case, the portion including the element responsible for the electrical characteristics of the electronic component corresponds to the “main body of the electronic component”. Examples of such elements include a resistor whose resistance value changes with temperature, a cell that outputs a signal that changes according to the concentration of a specific gas, a semiconductor chip, an integrated circuit, and the like. A conductive member that is connected to such an element and inputs / outputs an electric signal between the element and the outside corresponds to the “terminal of the electronic component”. Further, the total number of probes is not limited to 2, and any number according to the electronic component and the characteristic to be measured can be adopted. Moreover, as a characteristic measured via a probe, not only an electrical resistance but arbitrary electrical characteristics are employable. For example, frequency characteristics may be measured. In this case, an AC signal may be supplied to the electronic component via a probe, and an output signal from the electronic component may be acquired via another probe. In any case, by applying the measuring apparatus and the measuring method of each embodiment described above, the temperature of the electronic component can be adjusted to the target temperature and the characteristic of the electronic component can be measured. In particular, when measuring characteristics that change depending on temperature, it is important to adjust the temperature of the electronic component to a target temperature, and thus the effect is remarkable. For example, the effect is particularly remarkable when measuring the temperature characteristics of various temperature sensors such as thermistors and thermocouples (corresponding relationship between temperature and signals obtained from the temperature sensor). The effect is also remarkable when the characteristics at a relatively high temperature are estimated from the measurement results of the characteristics at a relatively low temperature. In addition, arbitrary arrangement | positioning is employable as arrangement | positioning of the terminal in a main body. For example, a plurality of terminals (terminals 311 and 312) may be arranged on one surface of the main body 320 as in the thermistor 300 shown in FIG. Further, the terminals may be distributed and arranged on one surface of the main body and the surface opposite to the surface. In general, the terminals may be arranged at arbitrary positions on the main body. Further, any shape can be adopted as the shape of the terminal. For example, a rod-like terminal having one end connected to the main body (main body 320), such as the terminals (terminals 311 and 312) shown in FIG. Moreover, you may employ | adopt as a terminal the wire by which the end was connected to the main body. Moreover, you may employ | adopt the plate-shaped (layered) terminal laminated | stacked on the surface of the main body. Here, a part of the plate-like terminal may protrude outside the main body.

変形例2:
上述の各実施例において、保持部の構成としては、プローブを保持する任意の構成を採用可能である。例えば、上述の各実施例において、各プローブ111、112(図2)が、保持部120(第2ブロック122)に固定されていてもよい。この場合には、サーミスタ300に過剰な力が印加されることを避けるために、プローブ111、112がサーミスタ300(端子311、312)に接触したことに応じて、プローブ装置100の移動を止めることが好ましい。同様に、押しつけ部113が保持部120(第2ブロック122)に固定されていてもよい。ここで、プローブ111、112と、押しつけ部113とが保持部120に固定されていてもよい。この場合、プローブ111、112と、押しつけ部113とが、保持部120の移動によって同時にサーミスタ300と接触するように、プローブ111、112と押しつけ部113とのそれぞれの相対位置を決定することが好ましい。
Modification 2:
In each of the above-described embodiments, any configuration that holds the probe can be adopted as the configuration of the holding portion. For example, in each of the above-described embodiments, each of the probes 111 and 112 (FIG. 2) may be fixed to the holding unit 120 (second block 122). In this case, in order to avoid an excessive force being applied to the thermistor 300, the movement of the probe device 100 is stopped in response to the probes 111 and 112 contacting the thermistor 300 (terminals 311 and 312). Is preferred. Similarly, the pressing part 113 may be fixed to the holding part 120 (second block 122). Here, the probes 111 and 112 and the pressing portion 113 may be fixed to the holding portion 120. In this case, it is preferable to determine the relative positions of the probes 111 and 112 and the pressing unit 113 so that the probes 111 and 112 and the pressing unit 113 are simultaneously in contact with the thermistor 300 by the movement of the holding unit 120. .

また、ゴムのブロックを保持部として採用し、プローブをゴムに差し込んでも良い。この場合には、保持部(ゴム)は、摩擦によって、プローブを保持することができる。また、この場合、ゴムブロックに突起を設け、その突起を押しつけ部として利用してもよい。   Further, a rubber block may be adopted as the holding portion, and the probe may be inserted into the rubber. In this case, the holding portion (rubber) can hold the probe by friction. In this case, a protrusion may be provided on the rubber block, and the protrusion may be used as a pressing portion.

また、プローブ装置の構成としては、図1、図2、図5、図9に示す構成に限らず、種々の構成を採用可能である。例えば、保持部120が、直接、移動装置(例えば、エアシリンダ)に固定されてもよい。   Moreover, as a structure of a probe apparatus, not only the structure shown in FIG.1, FIG.2, FIG.5 and FIG. 9 but various structures are employable. For example, the holding unit 120 may be directly fixed to a moving device (for example, an air cylinder).

変形例3:
上述の各実施例において、押しつけ部の構成としては、電子部品の本体を支持部に押しつけることが可能な任意の構成を採用可能である。例えば、押しつけ部が保持部120から分離していてもよい。また、押しつけ部が、支持部220に固定されていてもよい。ただし、上述の実施例のように、押しつけ部(押しつけ部113)が保持部(保持部120)に接続されていることが好ましい。また、上述の各実施例のように、支持部220に支持された電子部品(サーミスタ300)に向かって保持部120を移動させることによって、押しつけ部113とプローブ111、112とが保持部120と一体となって電子部品に向かって移動するように、測定装置が構成されていることが好ましい。こうすれば、測定装置の構成を簡略化することができる。なお、上述の各実施例において、押しつけ部113(図2)とステップS130、S170(図6、図10、図11)を省略してもよい。
Modification 3:
In each of the above-described embodiments, as the configuration of the pressing portion, any configuration that can press the main body of the electronic component against the support portion can be employed. For example, the pressing unit may be separated from the holding unit 120. Further, the pressing portion may be fixed to the support portion 220. However, it is preferable that the pressing portion (pressing portion 113) is connected to the holding portion (holding portion 120) as in the above-described embodiment. Further, as in each of the above-described embodiments, the pressing unit 113 and the probes 111 and 112 are moved from the holding unit 120 by moving the holding unit 120 toward the electronic component (thermistor 300) supported by the support unit 220. It is preferable that the measuring apparatus is configured to move together toward the electronic component. In this way, the configuration of the measuring device can be simplified. In each of the above-described embodiments, the pressing unit 113 (FIG. 2) and steps S130 and S170 (FIGS. 6, 10, and 11) may be omitted.

変形例4:
上述の各実施例において、支持部の構成としては、電子部品を支持する任意の構成を採用可能である。例えば、電子部品を受け入れる凹部としては、段差の無いフラットな底面を有する凹部を採用してもよい。ここで、電子部品の本体が支持部(凹部の底面)と接触し、電子部品の端子が支持部(凹部の底面)から離れていてもよい。また、電子部品を受け入れる凹部の無い支持部を採用してもよい。例えば、平板形状の支持部を採用し、平板の表面に電子部品を載せてもよい。ただし、図4に示す実施例のように、電子部品を受け入れる凹部を有する支持部を採用することが好ましい。こうすれば、電子部品の位置ズレを抑制できる。また、1つの支持部によって支持される電子部品の総数としては、10に限らず任意の数を採用可能である。
Modification 4:
In each of the above-described embodiments, any configuration that supports an electronic component can be adopted as the configuration of the support portion. For example, as a recess for receiving an electronic component, a recess having a flat bottom without a step may be employed. Here, the main body of the electronic component may be in contact with the support portion (the bottom surface of the recess), and the terminal of the electronic component may be separated from the support portion (the bottom surface of the recess). Moreover, you may employ | adopt the support part without a recessed part which receives an electronic component. For example, a flat plate-shaped support portion may be employed and an electronic component may be placed on the surface of the flat plate. However, as in the embodiment shown in FIG. 4, it is preferable to employ a support portion having a recess for receiving an electronic component. By so doing, it is possible to suppress positional deviation of the electronic component. Further, the total number of electronic components supported by one support portion is not limited to 10, and an arbitrary number can be adopted.

いずれの場合も、図2や図7に示す実施例のように、支持部が、電子部品の端子と接触して支持する第1部分(第1部分220A)と、電子部品の本体と接触して支持する第2部分(第2部分220B)とを有することが好ましい。こうすれば、電子部品の支持が不安定になることを抑制できる。第1部分と第2部分とのそれぞれの形状は、電子部品の形状に合わせて決定すればよい。   In any case, as in the embodiments shown in FIGS. 2 and 7, the support portion is in contact with the first part (first part 220 </ b> A) to be in contact with the terminal of the electronic component and the main body of the electronic component. The second portion (second portion 220B) is preferably supported. In this way, it is possible to suppress the unstable support of the electronic component. Each shape of the first part and the second part may be determined in accordance with the shape of the electronic component.

また、支持装置の構成としては、図1、図3、図4、図8に示す構成に限らず、種々の構成を採用可能である。例えば、基部250が、移動装置に固定されて、プローブ装置に向かって移動してもよい。このように、プローブが端子に接触するために、支持部と保持部との少なくとも一方が移動すればよい。   Moreover, as a structure of a support apparatus, not only the structure shown in FIG.1, FIG.3, FIG.4 and FIG. 8 but various structures are employable. For example, the base 250 may be fixed to the moving device and move toward the probe device. Thus, in order for the probe to contact the terminal, at least one of the support part and the holding part may be moved.

変形例5:
上述の各実施例では、電子部品の目標温度(第1目標温度TT1(図1))よりも低い温度環境の下で測定を行うこととしたが、目標温度よりも高い温度環境の下で測定を行ってもよい。この場合には、各プローブ111、112(図2)における電子部品と接触する部分(先端部分)の温度は、高い温度環境による昇温によって、保持部120の温度よりも高くなる。そこで、保持部120の第2目標温度TT2を第1目標温度TT1よりも若干低くすることによって、プローブ111、112の温度が、電子部品の目標温度(第1目標温度TT1)よりも過剰に高くなることを抑制できる。
Modification 5:
In each of the above-described embodiments, the measurement is performed under a temperature environment lower than the target temperature of the electronic component (first target temperature TT1 (FIG. 1)). However, the measurement is performed under a temperature environment higher than the target temperature. May be performed. In this case, the temperature of the portion (tip portion) in contact with the electronic component in each of the probes 111 and 112 (FIG. 2) becomes higher than the temperature of the holding unit 120 due to the temperature rise due to the high temperature environment. Therefore, by making the second target temperature TT2 of the holding unit 120 slightly lower than the first target temperature TT1, the temperature of the probes 111 and 112 is excessively higher than the target temperature of the electronic component (first target temperature TT1). Can be suppressed.

いずれの場合も、支持部220の第1目標温度TT1と保持部120の第2目標温度TT2との間の差は、電子部品の温度が目標温度から大きくずれないように、予め実験的に決定すればよい。ここで、2つの目標温度TT1、TT2の間の差が過剰に大きいと、電子部品の温度調整の精度が低下するおそれがある。従って、2つの目標温度TT1、TT2の間の差は、5度以内であることが好ましく、2度以内であることが特に好ましい。ここで、電子部品の温度調整の精度を下げずに、2つの目標温度TT1、TT2の間の差を小さくする方法としては、種々の方法を採用可能である。例えば、環境の温度を電子部品の目標温度に近づける方法を採用してもよい。また、プローブと保持部との間の温度差が十分に小さい場合には、第2目標温度TT2が第1目標温度TT1と同じであってもよい。   In any case, the difference between the first target temperature TT1 of the support unit 220 and the second target temperature TT2 of the holding unit 120 is experimentally determined in advance so that the temperature of the electronic component does not greatly deviate from the target temperature. do it. Here, if the difference between the two target temperatures TT1 and TT2 is excessively large, the temperature adjustment accuracy of the electronic component may be lowered. Therefore, the difference between the two target temperatures TT1 and TT2 is preferably within 5 degrees, and particularly preferably within 2 degrees. Here, various methods can be adopted as a method of reducing the difference between the two target temperatures TT1 and TT2 without reducing the accuracy of temperature adjustment of the electronic component. For example, a method of bringing the temperature of the environment close to the target temperature of the electronic component may be employed. Further, when the temperature difference between the probe and the holding unit is sufficiently small, the second target temperature TT2 may be the same as the first target temperature TT1.

変形例6:
上述の各実施例において、温度を調整する装置としては、ペルチェ素子に限らず、任意の装置を採用可能である。例えば、目標温度よりも低い温度環境の下で測定を行う場合には、電気ヒータを利用してもよい。電気ヒータのON/OFFを制御することによって、温度を調整することができる。目標温度よりも高い温度環境の下で測定を行う場合には、冷却液を循環させるクーラーを利用してもよい。冷却液の循環のON/OFFを制御することによって、温度を調整することができる。ただし、上述の各実施例のようにペルチェ素子を採用すれば、電気的な制御によって温度を調整することができるので、温度調整部の構成を簡略化することができる。また、ペルチェ素子を流れる電流の向きを切り換えることによって発熱と吸熱とを切り換えることができるので、高精度な温度調整が可能である。ただし、ペルチェ素子を利用する場合に、発熱と吸熱とのいずれか一方のON/OFFを制御することによって、温度を調整してもよい。また、ペルチェ素子の総数としては、1や2に限らず、任意の数を採用可能である。
Modification 6:
In each of the above-described embodiments, the device for adjusting the temperature is not limited to the Peltier element, and any device can be employed. For example, when measurement is performed in a temperature environment lower than the target temperature, an electric heater may be used. The temperature can be adjusted by controlling ON / OFF of the electric heater. When performing measurement under a temperature environment higher than the target temperature, a cooler that circulates the coolant may be used. The temperature can be adjusted by controlling the ON / OFF of the coolant circulation. However, if the Peltier element is employed as in each of the above-described embodiments, the temperature can be adjusted by electrical control, so that the configuration of the temperature adjustment unit can be simplified. In addition, since heat generation and heat absorption can be switched by switching the direction of the current flowing through the Peltier element, highly accurate temperature adjustment is possible. However, when using a Peltier element, the temperature may be adjusted by controlling ON / OFF of either one of heat generation and heat absorption. Further, the total number of Peltier elements is not limited to 1 or 2, and any number can be adopted.

変形例7:
上述の各実施例において、測定処理の手順としては、図6、図10、図11に示す手順に限らず、種々の手順を採用可能である。例えば、上述の各実施例において、5つのステップS100〜S140の順番としては、任意の順番を採用可能である。例えば、ステップS120とステップS130との間に、ステップS100、S110を実行してもよい。また、ステップS140の後に、ステップS100、S110を実行してもよい。いずれの場合も、保持部の温度と支持部の温度とが目標温度にそれぞれ調整されている状態で、電子部品の特性を測定することが好ましい。すなわち、支持部の温度が予め決められた第1許容誤差の範囲内で第1目標温度に維持され、保持部の温度が予め決められた第2許容誤差の範囲内で第2目標温度に維持された状態で、特性を測定することが好ましい。また、電子部品の本体が支持部に押しつけられた状態で、電子部品の特性を測定することが好ましい。同様に、6つのステップS150〜S170、S_F1、S_F2、S_Rの順番としても、任意の順番を採用可能である。例えば、ステップS160、S170よりも前に、ステップS_F1、S_F2を実行してもよい。いずれの場合も、ステップS_Rは、ステップS160、S170の後に実行される。
Modification 7:
In each of the above-described embodiments, the procedure of the measurement process is not limited to the procedure shown in FIGS. 6, 10, and 11, and various procedures can be employed. For example, in each of the above-described embodiments, any order can be adopted as the order of the five steps S100 to S140. For example, steps S100 and S110 may be executed between step S120 and step S130. Further, steps S100 and S110 may be executed after step S140. In any case, it is preferable to measure the characteristics of the electronic component in a state where the temperature of the holding unit and the temperature of the support unit are adjusted to the target temperatures, respectively. That is, the temperature of the support portion is maintained at the first target temperature within a predetermined first allowable error range, and the temperature of the holding portion is maintained at the second target temperature within a predetermined second allowable error range. It is preferable to measure the characteristics in the state of being applied. Moreover, it is preferable to measure the characteristics of the electronic component in a state where the main body of the electronic component is pressed against the support portion. Similarly, any order can be adopted as the order of the six steps S150 to S170, S_F1, S_F2, and S_R. For example, steps S_F1 and S_F2 may be executed before steps S160 and S170. In either case, step S_R is executed after steps S160 and S170.

変形例8:
上記各実施例において、ハードウェアによって実現されていた構成の一部をソフトウェアに置き換えるようにしてもよく、逆に、ソフトウェアによって実現されていた構成の一部あるいは全部をハードウェアに置き換えるようにしてもよい。例えば、図1の第1制御部510の機能を、CPUとメモリとを有しプログラムを実行するコンピュータによって実現してもよい。
Modification 8:
In each of the above embodiments, a part of the configuration realized by hardware may be replaced with software, and conversely, part or all of the configuration realized by software may be replaced with hardware. Also good. For example, the function of the first control unit 510 in FIG. 1 may be realized by a computer having a CPU and a memory and executing a program.

また、本発明の機能の一部または全部がソフトウェアで実現される場合には、そのソフトウェア(コンピュータプログラム)は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体に格納された形で提供することができる。この発明において、「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスクやCD−ROMのような携帯型の記録媒体に限らず、各種のRAMやROM等のコンピュータ内の内部記憶装置や、ハードディスク等のコンピュータに固定されている外部記憶装置も含んでいる。   In addition, when part or all of the functions of the present invention are realized by software, the software (computer program) can be provided in a form stored in a computer-readable recording medium. In the present invention, the “computer-readable recording medium” is not limited to a portable recording medium such as a flexible disk or a CD-ROM, but an internal storage device in a computer such as various RAMs and ROMs, a hard disk, and the like. An external storage device fixed to the computer is also included.

100、100B…プローブ装置
111…第1プローブ
112…第2プローブ
113…押しつけ部
120…保持部
121…第1ブロック
122…第2ブロック
123…第3ブロック
130…ペルチェ素子
140…プレート
140T…温度センサ
150…基部
200、200B…支持装置
220…支持部
220A…第1部分
220B…第2部分
220R…凹部
220T…温度センサ
220A1…第1凹壁部
220A2…第2凹壁部
230a…ペルチェ素子
240…プレート
250…基部
300…サーミスタ
311…第1端子
312…第2端子
320…本体
510…第1制御部
520…第2制御部
600…測定部
900…測定装置
IG…検査グループ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100, 100B ... Probe apparatus 111 ... 1st probe 112 ... 2nd probe 113 ... Pressing part 120 ... Holding part 121 ... 1st block 122 ... 2nd block 123 ... 3rd block 130 ... Peltier element 140 ... Plate 140T ... Temperature sensor DESCRIPTION OF SYMBOLS 150 ... Base part 200, 200B ... Support apparatus 220 ... Support part 220A ... 1st part 220B ... 2nd part 220R ... Recessed part 220T ... Temperature sensor 220A1 ... 1st recessed wall part 220A2 ... 2nd recessed wall part 230a ... Peltier element 240 ... Plate 250 ... Base 300 ... Thermistor 311 ... First terminal 312 ... Second terminal 320 ... Main body 510 ... First control unit 520 ... Second control unit 600 ... Measurement unit 900 ... Measuring device IG ... Inspection group

Claims (8)

本体と端子とを有する電子部品の特性を測定する装置であって、
前記電子部品を支持する支持部と、
前記支持部の温度を所定の第1温度となるように調整する第1温度調整部と、
前記電子部品の前記端子に接触するプローブと、
前記プローブを保持する保持部と、
前記保持部の温度を所定の第2温度となるように調整する第2温度調整部と、
前記保持部に接続され、前記電子部品の前記本体に接触することによって前記本体を前記支持部に押しつける押しつけ部と、
を備え
前記第2温度は、前記第1温度よりも低い温度環境の下で前記特性を測定するための温度として、前記第1温度よりも高い温度に設定されている
測定装置。
An apparatus for measuring characteristics of an electronic component having a main body and a terminal,
A support portion for supporting the electronic component;
A first temperature adjusting unit for adjusting the temperature of the support unit to a predetermined first temperature;
A probe that contacts the terminal of the electronic component;
A holding unit for holding the probe;
A second temperature adjusting unit that adjusts the temperature of the holding unit to a predetermined second temperature;
A pressing unit that is connected to the holding unit and presses the main unit against the support unit by contacting the main unit of the electronic component;
Equipped with a,
The measurement apparatus in which the second temperature is set to a temperature higher than the first temperature as a temperature for measuring the characteristic under a temperature environment lower than the first temperature .
請求項1に記載の測定装置であって、The measuring device according to claim 1,
前記第2の温度は、前記第1の温度よりも高く、前記第1の温度よりも摂氏5度までの範囲内である  The second temperature is higher than the first temperature and in a range of up to 5 degrees Celsius from the first temperature.
測定装置。  measuring device.
請求項1または請求項2に記載の測定装置であって、
前記第1温度調整部は、前記支持部の温度を調整するための第1ペルチェ素子を含み、
前記第2温度調整部は、前記保持部の温度を調整するための第2ペルチェ素子を含む、
測定装置。
The measuring apparatus according to claim 1 or 2 ,
The first temperature adjustment unit includes a first Peltier element for adjusting the temperature of the support unit,
The second temperature adjustment unit includes a second Peltier element for adjusting the temperature of the holding unit,
measuring device.
請求項1ないし請求項のいずれかに記載の測定装置であって、
前記電子部品は、前記本体として温度変化に応じて電気的特性が変化する部分を有する温度センサである、
測定装置。
A measuring device according to any one of claims 1 to 3 ,
The electronic component is a temperature sensor having a portion whose electrical characteristics change according to a temperature change as the main body.
measuring device.
本体と端子とを有する電子部品の特性を測定する方法であって、
前記電子部品を支持する支持部の温度を所定の第1温度となるように調整する工程と、
プローブを保持する保持部の温度を所定の第2温度となるように調整する工程と、
前記支持部に支持された前記電子部品の前記端子に前記プローブを接触させる工程と、
前記保持部に接続されている押しつけ部を、前記電子部品の前記本体に接触させることによって、前記本体を前記支持部に押しつける工程と、
を備え
前記第2温度は、前記第1温度よりも低い温度環境の下で前記特性を測定するための温度として、前記第1温度よりも高い温度に設定されている
測定方法。
A method for measuring characteristics of an electronic component having a main body and a terminal,
Adjusting the temperature of the support portion for supporting the electronic component to be a predetermined first temperature;
Adjusting the temperature of the holding unit for holding the probe to a predetermined second temperature;
Contacting the probe with the terminal of the electronic component supported by the support;
A step of pressing the main body against the support portion by bringing a pressing portion connected to the holding portion into contact with the main body of the electronic component;
Equipped with a,
The measurement method in which the second temperature is set to a temperature higher than the first temperature as a temperature for measuring the characteristic under a temperature environment lower than the first temperature .
請求項5に記載の測定方法であって、The measurement method according to claim 5, wherein
前記第2の温度は、前記第1の温度よりも高く、前記第1の温度よりも摂氏5度までの範囲内である  The second temperature is higher than the first temperature and in a range of up to 5 degrees Celsius from the first temperature.
測定方法。  Measuring method.
請求項5または請求項6に記載の測定方法であって、
前記支持部の温度を調整する工程は、第1のペルチェ素子を用いて前記支持部の温度を調整する工程を含み、
前記保持部の温度を調整する工程は、第2のペルチェ素子を用いて前記保持部の温度を調整する工程を含む、
測定方法。
The measurement method according to claim 5 or 6 , wherein
The step of adjusting the temperature of the support portion includes the step of adjusting the temperature of the support portion using a first Peltier element,
The step of adjusting the temperature of the holding unit includes the step of adjusting the temperature of the holding unit using a second Peltier element.
Measuring method.
請求項ないし請求項のいずれかに記載の測定方法であって、
前記電子部品は、前記本体として温度変化に応じて電気的特性が変化する部分を有する温度センサである、
測定方法。
A measurement method according to any one of claims 5 to 7 ,
The electronic component is a temperature sensor having a portion whose electrical characteristics change according to a temperature change as the main body.
Measuring method.
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