JP3608998B2 - Circuit device, package member, circuit test method and device - Google Patents

Circuit device, package member, circuit test method and device Download PDF

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路要素の回路特性が所定の試験温度で電気的に測定される回路装置、この回路装置の回路要素の回路特性を所定の試験温度で電気的に測定する回路試験方法および装置、に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、各種用途に集積回路装置が利用されており、その高集積化と長寿命化も進行している。しかし、金属は電流が一定方向に通電されると反対方向にイオンが移動するため、これが原因となって微細な金属配線に断線などが発生することがある。
【０００３】
上述の現象はＥＭと呼称されており、このＥＭに起因した集積回路装置の寿命を試験する方法としてＥＭ寿命試験がある。ここで、このＥＭ寿命試験が実行される集積回路装置と、この集積回路装置にＥＭ寿命試験を実行する回路試験装置との従来例を図１５ないし図２０を参照して以下に説明する。
【０００４】
なお、図１５は集積回路装置を示す縦断側面図、図１６は回路要素である配線パターンの外形を示す平面図、図１７は配線パターンの等価回路を示す回路図、図１８は回路試験装置である回路試験システムの全体構造を示す模式図、図１９は回路試験システムにより回路試験方法のメインルーチンを示すフローチャート、図２０はサブルーチンを示すフローチャート、である。
【０００５】
まず、ここで一従来例として例示する集積回路装置１００は、例えば、ＥＭ寿命の試験対象となる開発途中の試作品であり、図１５に示すように、主要部品として回路基板１０１とパッケージ部材１０２とを具備している。
【０００６】
この回路基板１０１は、例えば、シリコン製の半導体基板からなり、図１６に示すように、その表面には金属層からなる配線パターン１０４が形成されており、この配線パターン１０４の両端に一対の電流端子１０５と一対の電圧端子１０６とが各々一個ずつ接続されている。
【０００７】
パッケージ部材１０２は、一個のセラミック製のパッケージ本体１０７と複数の金属製のリード端子１０８からなり、図１５に示すように、これら複数のリード端子１０８がパッケージ本体１０７の周囲に配列されている。そして、回路基板１０１はパッケージ本体１０７の上面中央に搭載されており、回路基板１０１の端子１０５，１０６とパッケージ部材１０２のリード端子１０８とがボンディングワイヤ１０９により個々に結線されている。
【０００８】
回路試験装置である回路試験システム１１０は、図１８に示すように、複数のテストボード１１１、一個の恒温槽１１２、コントロールユニット１１３、等を主要部品として具備しており、複数のテストボード１１１の各々に集積回路装置１００が着脱自在に実装される。
【０００９】
より詳細には、テストボード１１１の表面には複数の回路ソケットが装着されており（図示せず）、これら複数の回路ソケットの各々に集積回路装置１００が一個ずつ着脱自在に装着される。この回路ソケットはテストボード１１１のプリント配線に実装されており、このプリント配線は接続コネクタなどによりコントロールユニット１１３に結線されている（図示せず）。
【００１０】
恒温槽１１２は、断熱性が良好なボックス状の槽本体や、その内部温度を可変するヒータ機構からなる（図示せず）。このような構造の恒温槽１１２は、集積回路装置１００が装着されてコントロールユニット１１３に結線された状態の複数のテストボード１１１を装置保持手段として槽内に交換自在に保持し、外部操作に対応して槽内の温度を可変する。
【００１１】
コントロールユニット１１３は、適切な制御プログラムが事前に実装されたコンピュータシステムからなり、制御プログラムに対応した処理動作により多数の集積回路装置１００や恒温槽１１２を統合制御する。つまり、コントロールユニット１１３は、抵抗測定手段として集積回路装置１００の配線パターン１０４の電気抵抗を測定し、要素通電手段として配線パターン１０４に電流を通電し、温度制御手段として恒温槽１１２の槽内温度を制御する。
【００１２】
上述のような構成において、この回路試験システム１１０では、配線パターン１０４のＥＭ寿命を試験することができる。その場合、配線パターン１０４が形成されている回路基板１０１をパッケージ本体１０２に搭載し、試験対象の集積回路装置１００を用意しておく。
【００１３】
そして、図１９に示すように、ＥＭ寿命試験の試験精度を向上させるための初期設定として、複数種類の試験温度から一つを選択してコントロールユニット１１３にデータ設定してから（ステップＳ１）、ＥＭ寿命試験を実行することになる（ステップＳ２）。
【００１４】
その場合、図２０に示すように、複数のテストボード１１１の各々に複数の集積回路装置１００を装着し（ステップＴ１）、これらのテストボード１１１をコントロールユニット１１３に配線してから恒温槽１１２の内部に設置する（ステップＴ２）。
【００１５】
つぎに、コントロールユニット１１３の動作制御により恒温槽１１２の内部を前述の試験温度まで加熱させ（ステップＴ３）、この状態でコントロールユニット１１３により多数の集積回路装置１００の配線パターン１０４の各々の電気抵抗を電圧端子１０６から個々に測定する（ステップＴ４）。これで試験温度に加熱されながら試験電流が通電されない状態の配線パターン１０４の電気抵抗が判明するので、この電気抵抗に“１．１”などの係数を乗算した許容抵抗を算出して登録する（ステップＴ５）。
【００１６】
つぎに、コントロールユニット１１３により多数の配線パターン１０４の各々に試験電流を電流端子１０５から個々に通電するが（ステップＴ６）、このとき、多数の配線パターン１０４を複数グループに区分しておき、これらのグループごとに複数種類の試験電流の一つを通電する。
【００１７】
この試験電流の通電の開始と同時に時間の積算も開始され、さらに、配線パターン１０４の電気抵抗も継続して測定される（ステップＴ７）。そして、この測定される電気抵抗が許容抵抗を超過すると（ステップＴ８）、その時間が配線パターン１０４ごとに記録される（ステップＴ９）。
【００１８】
この寿命試験が全部の配線パターン１０４で完了すると（ステップＴ１０）、図１９に示すように、電気抵抗が許容抵抗を超過した時間から、複数種類の試験電流ごとに半分の配線パターン１０４が寿命となる時間が算出される（ステップＳ３）。
【００１９】
しかし、これでは複数種類の試験温度ごとの寿命時間は測定されていないので、試験温度が切り換えられて上述のような寿命試験が繰り返され（ステップＳ１〜Ｓ４）、複数種類の試験温度の全部でも寿命試験が実行される。これで複数種類の試験電流と複数種類の試験温度とで配線パターン１０４の寿命時間が測定されたことになるので、試験温度の相違に対応して寿命時間の温度依存性が検出され（ステップＳ５）、試験電流の相違に対応して寿命時間の電流密度依存性が検出される（ステップＳ６）。
【００２０】
上述のような回路試験システム１１０では、多数の集積回路装置１００の配線パターン１０４に複数種類の試験電流と複数種類の試験温度とを作用させてＥＭ寿命試験を実行するので、その寿命時間を精度よく測定することが可能である。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
上述の回路試験システム１１０では、多数の集積回路装置１００の配線パターン１０４の寿命時間を精度よく測定するため、恒温槽１１２により多数の集積回路装置１００の配線パターン１０４を試験温度に加熱している。しかし、恒温槽１１２は内部の上方と下方とで温度が相違するので、多数の配線パターン１０４を同一の試験温度に厳密に維持することは困難である。
【００２２】
また、恒温槽１１２は装置が大規模であり、消費電力も膨大なので好ましくない。しかし、上述の回路試験システム１１０では、微細な配線パターン１０４を試験温度に加熱するため、恒温槽１１２の大容量の内部空間の全体を試験温度まで加熱するので、そのエネルギ効率が良好でない。
【００２３】
しかも、複数の試験温度でＥＭ寿命試験を実行するためには、前述のように恒温槽１１２が一個ならば試験温度を切り換えて寿命試験を繰り返す必要があるので作業が遅滞することになり、寿命試験を一度で完了するためには複数の恒温槽１１２が必要となるので装置規模が過大となる。
【００２４】
上述のような課題の解決を目的とした集積回路装置は、例えば、特開平１１−２０４６０７号公報や特開平０７−２０１９４４号公報などに開示されている。これらの公報に開示された集積回路装置は、試験対象の配線パターンの近傍に発熱抵抗体を形成し、この発熱抵抗体により配線パターンを試験温度とする。
【００２５】
しかし、発熱抵抗体は発熱温度を厳密に制御することが困難であり、配線パターンを試験温度に正確に維持することができないので、ＥＭ寿命試験の精度が低下することになる。さらに、寿命試験によっては試験対象の回路要素の冷却が必要な場合も想定できるが、発熱抵抗体では回路要素を冷却することはできない。
【００２６】
本発明は上述のような課題に鑑みてなされたものであり、寿命試験を簡単に実行できる回路装置、寿命試験を簡単に実行できる回路装置のパッケージ部材、回路装置の寿命試験を簡単に実行できる回路試験方法および装置、の少なくとも一つを提供することを目的とする。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
本発明の回路装置は、回路要素の回路特性が所定の試験温度で電気的に測定される試験対象の回路装置であって、
前記回路要素を熱電効果により前記試験温度とする熱電素子と、一個のパッケージ本体と複数のリード端子からなるパッケージ部材と、を具備しており、前記回路要素が前記熱電素子とは別体の回路基板に形成されており、この回路基板と前記熱電素子とが前記パッケージ部材のパッケージ本体に搭載されており、前記熱電素子と前記回路要素とが複数の前記リード端子に個々に結線されている。
【００２８】
従って、本発明の回路装置の回路特性を測定する場合、その熱電素子の熱電効果により回路要素が所定の試験温度とされる。熱電素子は熱電効果により温度が変化するので、通電量により所望の温度に制御される。一般的に熱電素子は通電方向により熱伝導の方向が切り換えられるので、回路要素の加熱と冷却とが所望により実行される。さらに、微小な回路基板が大型のパッケージ本体に搭載されているので取り扱いが容易であり、微細な回路要素と熱電素子とが大型のリード端子に結線されているので通電も容易である。試験対象の回路要素が形成されている回路基板と熱電素子とがパッケージ部材に搭載されているので、回路基板の近傍に別体の熱電素子を配置する必要もない。
【００２９】
なお、このように試験温度で測定される回路要素の回路特性は、例えば、配線パターンのＥＭ寿命時間、トランジスタのオン電流（の温度依存性）、トランジスタの閾値電圧（の温度依存性）、等がある。
【００３６】
上述のような回路装置において、前記熱電素子は、一個の接合電極の両端と一対の端子電極とがｎ型半導体とｐ型半導体とを個々に介してП型に接続されたペルチェ素子からなり、前記回路基板は、前記熱電素子の接合電極に対して前記ｎ型半導体および前記ｐ型半導体とは反対の方向に配置されていることも可能である。この場合、П型のペルチェ素子は一対の端子電極に所定の電流が通電されると接合電極が所定の温度となるので、この接合電極に対して前記ｎ型半導体および前記ｐ型半導体とは反対の方向に位置する回路基板を介して回路要素が試験温度とされる。
【００３７】
上述のような回路装置において、前記回路基板と前記熱電素子との間隙に熱を拡散して均一化する熱拡散手段が設けられていることも可能である。この場合、熱電素子の接合電極の温度変化により回路基板を介して回路要素が所定の試験温度とされるとき、熱電素子と回路基板とを伝導される熱が熱拡散手段により拡散されて均一化される。
【００３８】
上述のような回路装置において、前記回路要素は、試験電流が通電されて電気抵抗の変化から回路特性としてＥＭ寿命の寿命時間が測定される配線パターンからなることも可能である。この場合、回路要素である配線パターンは、試験電流が通電されて電気抵抗の変化からＥＭ寿命の寿命時間が測定されるとき、熱電素子により試験温度とされる。
【００３９】
本発明のパッケージ部材は、試験対象の回路装置の回路要素の回路特性が所定の試験温度で電気的に測定される回路基板が搭載されるパッケージ部材であって、
前記回路基板が搭載されるパッケージ本体と、前記回路基板の回路要素が一部に結線される複数のリード端子と、これら複数のリード端子の一部に結線されていて前記回路基板を介して前記回路要素を熱電効果により前記試験温度とする熱電素子と、を具備している。
【００４０】
従って、本発明のパッケージ部材に回路基板を搭載して回路特性を測定する場合、微小な回路基板は大型のパッケージ本体に搭載されるので機械的な取り扱いが容易となり、微細な回路要素は大型のリード端子に結線されるので電気的な取り扱いも容易となる。そして、熱電素子の熱電効果により回路基板の温度が制御されるので、この回路基板の回路要素が所定の試験温度とされる。熱電素子は熱電効果により温度が変化するので、通電量により所望の温度に制御される。一般的に熱電素子は通電方向により熱伝導の方向が切り換えられるので、回路基板の加熱と冷却とが所望により実行される。
【００４１】
上述のようなパッケージ部材において、前記熱電素子は、一個の接合電極の両端と一対の端子電極とがｎ型半導体とｐ型半導体とを個々に介してП型に接続されたペルチェ素子からなり、前記回路基板は、前記熱電素子の接合電極に対して前記ｎ型半導体および前記ｐ型半導体とは反対の方向に配置されることも可能である。この場合、П型のペルチェ素子は一対の端子電極に所定の電流が通電されると接合電極が所定の温度となるので、この接合電極に対して前記ｎ型半導体および前記ｐ型半導体とは反対の方向に位置する回路基板の回路要素が試験温度とされる。
【００４２】
上述のようなパッケージ部材において、前記回路基板が配置される位置と前記熱電素子との間隙に熱を拡散して均一化する熱拡散手段が設けられていることも可能である。この場合、熱電素子の接合電極の温度変化により回路基板が所定の試験温度とされるとき、熱電素子と回路基板とを伝導される熱が熱拡散手段により拡散されて均一化される。
【００４６】
本発明の第一の回路試験方法は、試験対象の回路装置の回路基板に回路要素として形成されている配線パターンを所定の試験温度にするとともに所定の試験電流を通電し、前記配線パターンの回路特性としてＥＭ寿命を電気抵抗の変化により試験する回路試験方法であって、
本発明の回路装置の前記配線パターンに前記試験電流を通電するとともに前記熱電素子に固有の電流を通電する。従って、本発明の回路試験方法では、本発明の回路装置の配線パターンに試験電流が通電されるとき、その熱電素子にも所定の電流が通電されるので、この通電による熱電素子の熱電効果により配線パターンが試験温度とされる。
【００４７】
本発明の第二の回路試験方法は、試験対象の回路装置の回路基板に形成されている回路要素を所定の試験温度にして回路特性を電気的に測定する回路試験方法であって、
本発明のパッケージ部材のパッケージ本体に前記回路基板を搭載し、この回路基板の回路要素を前記パッケージ部材のリード端子に結線し、前記熱電素子に所定の電流を通電しながら前記パッケージ部材のリード端子から前記回路基板の回路要素の回路特性を測定する。
【００４８】
従って、本発明の回路試験方法では、微小な回路基板は大型のパッケージ本体に搭載されるので機械的な取り扱いが容易となり、微細な回路要素は大型のリード端子に結線されるので電気的な取り扱いも容易となる。そして、本発明の回路装置の回路要素の回路特性を測定するとき、パッケージ部材の熱電素子にも所定の電流を通電するので、この通電による熱電素子の熱電効果により回路要素が試験温度とされる。
【００４９】
本発明の第三の回路試験方法は、試験対象の回路装置の回路基板に回路要素として形成されている配線パターンを所定の試験温度にするとともに所定の試験電流を通電し、前記配線パターンの回路特性としてＥＭ寿命を電気抵抗の変化により試験する回路試験方法であって、
本発明のパッケージ部材のパッケージ本体に前記回路基板を搭載し、この回路基板の配線パターンを前記パッケージ部材のリード端子に結線し、前記パッケージ部材のリード端子から前記回路基板の配線パターンに前記試験電流を通電するとともに前記熱電素子に固有の電流を通電する。
【００５０】
従って、本発明の回路試験方法では、微小な回路基板は大型のパッケージ本体に搭載されるので機械的な取り扱いが容易となり、微細な配線パターンは大型のリード端子に結線されるので電気的な取り扱いも容易となる。そして、本発明の回路装置の配線パターンに試験電流を通電するとき、パッケージ部材の熱電素子にも所定の電流を通電するので、この通電による熱電素子の熱電効果により配線パターンが試験温度とされる。
【００５１】
本発明の第一の回路試験装置は、試験対象の回路装置の回路基板に形成されている回路要素を所定の試験温度にして回路特性を電気的に測定する回路試験装置であって、
本発明の回路装置の熱電素子に所定の電流を通電する素子通電手段と、前記回路要素の回路特性を測定する特性測定手段と、を具備している。
【００５２】
従って、本発明の回路試験装置による回路試験方法では、本発明の回路装置の回路要素の回路特性を特性測定手段が測定する。ただし、回路基板の熱電素子に素子通電手段が所定の電流を通電するので、この通電による熱電素子の熱電効果により回路要素が試験温度とされる。
【００５３】
本発明の第二の回路試験装置は、試験対象の回路装置の回路基板に形成されている回路要素を所定の試験温度にして回路特性を電気的に測定する回路試験装置であって、
前記回路基板が搭載される本発明のパッケージ部材と、このパッケージ部材の熱電素子に所定の電流を通電する素子通電手段と、前記回路基板の回路要素の回路特性を測定する特性測定手段と、を具備している。
【００５４】
従って、本発明の回路試験装置による回路試験方法では、試験対象の回路装置の回路基板が本発明のパッケージ部材に搭載され、このパッケージ部材に搭載された回路基板の回路要素の回路特性を特性測定手段が測定する。ただし、回路基板の熱電素子にも素子通電手段が所定の電流を通電するので、この通電による熱電素子の熱電効果により回路要素が試験温度とされる。
【００５５】
本発明の第三の回路試験装置は、試験対象の回路装置の回路基板に回路要素として形成されている配線パターンを所定の試験温度にするとともに所定の試験電流を通電し、前記配線パターンの回路特性としてＥＭ寿命を電気抵抗の変化により試験する回路試験装置であって、
本発明の回路装置の配線パターンの電気抵抗を測定する抵抗測定手段と、前記配線パターンに前記試験電流を通電する要素通電手段と、前記回路基板の熱電素子に固有の電流を通電する素子通電手段と、を具備している。
【００５６】
従って、本発明の回路試験装置による回路試験方法では、本発明の回路装置の配線パターンに要素通電手段が電流を通電し、配線パターンの電気抵抗を抵抗測定手段が測定する。ただし、回路基板の熱電素子にも素子通電手段が固有の電流を通電するので、この通電による熱電素子の熱電効果により配線パターンが試験温度とされる。
【００５７】
本発明の第四の回路試験装置は、試験対象の回路装置の回路基板に回路要素として形成されている配線パターンを所定の試験温度にするとともに所定の試験電流を通電し、前記配線パターンの回路特性としてＥＭ寿命を電気抵抗の変化により試験する回路試験装置であって、
前記回路基板が搭載される本発明のパッケージ部材と、このパッケージ部材に搭載された前記回路基板の配線パターンの電気抵抗を測定する抵抗測定手段と、前記回路基板の配線パターンに前記試験電流を通電する要素通電手段と、前記パッケージ部材の熱電素子に固有の電流を通電する素子通電手段と、を具備している。
【００５８】
従って、本発明の回路試験装置による回路試験方法では、試験対象の回路装置の回路基板が本発明のパッケージ部材に搭載され、このパッケージ部材に搭載された回路基板の配線パターンに要素通電手段が電流を通電し、配線パターンの電気抵抗を抵抗測定手段が測定する。ただし、回路基板の熱電素子にも素子通電手段が固有の電流を通電するので、この通電による熱電素子の熱電効果により配線パターンが試験温度とされる。
【００５９】
【発明の実施の形態】
本発明の参考例を図１ないし図５を参照して以下に説明する。ただし、これより以下の説明において前述した一従来例と同一の部分は、同一の名称および符号を使用して詳細な説明は省略する。
【００６０】
なお、図１は本発明の参考例の集積回路装置の回路要素である配線パターンや熱電素子であるペルチェ素子などの構造を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３は本参考例の回路試験装置の全体構造を示す模式図、図４および図５は本参考例の集積回路装置を製造する回路製造方法を示す工程図、図６は本参考例の集積回路装置の寿命時間を測定する回路試験方法を示すフローチャート、である。
【００６１】
本参考例の集積回路装置２００も、前述した集積回路装置１００と同様に、図３に示すように、パッケージ部材１０２に回路基板２０１が搭載されており、この回路基板２０１の表面に配線パターン２０２と一対の電流端子２０３と一対の電圧端子２０４とが形成されている。
【００６２】
ただし、本参考例の集積回路装置２００では、前述した集積回路装置１００とは相違して、回路基板２０１に熱電素子としてペルチェ素子２１０も形成されており、このペルチェ素子２１０の上方に配線パターン２０２が位置している。
【００６３】
より詳細には、図１および図２に示すように、回路基板２０１の表面には一対の端子電極２１１，２１２が並列に形成されており、これら一対の端子電極２１１，２１２の各々の上面には、ｎ型半導体２１３とｐ型半導体２１４とが個々に積層されている。
【００６４】
これら一対の半導体２１３，２１４の上面には一個の接合電極２１５が積層されているので、これでП型のペルチェ素子２１０が形成されている。なお、このペルチェ素子２１０では、接合電極２１５が平面形状で配線パターン２０２をカバーする長方形状に形成されており、その長手方向の両端に半導体２１３，２１４や端子電極２１１，２１２が位置している。
【００６５】
ペルチェ素子２１０の接合電極２１５の上面には、熱拡散手段である熱拡散板２１６が積層されており、この熱拡散板２１６の表面に絶縁層２１７を介して配線パターン２０２が積層されている。熱拡散板２１６は、アルミニウムなどの熱伝導性が良好な金属からなり、その長手方向に多数のスリット２１８が形成されている。
【００６６】
なお、配線パターン２０２の両端には電流端子２０３と電圧端子２０４とが接続されているが、ペルチェ素子２１０の端子電極２１１，２１２にも素子端子２１９が接続されており、これらの素子端子２１９が電流端子２０３と電圧端子２０４とに並設されている。
【００６７】
本参考例の回路試験装置である回路試験システム２２０は、前述した回路試験システム１１０と同様に、複数のテストボード１１１と一個のコントロールユニット２２１とを具備しているが、恒温槽１１２は具備していない。コントロールユニット２２１は、適切な制御プログラムが事前に実装されたコンピュータシステムからなり、制御プログラムに対応した処理動作により多数の集積回路装置２００を動作制御する。
【００６８】
つまり、本参考例のコントロールユニット２２１は、前述したコントロールユニット１１３と同様に、要素通電手段として集積回路装置２００の配線パターン２０２に試験電流を通電し、抵抗測定手段として配線パターン２０２の電気抵抗を測定することにより、特性測定手段として配線パターン２０２のＥＭ寿命を測定する。しかし、前述したコントロールユニット１１３とは相違して、恒温槽１１２の温度制御は実行せず、素子通電手段としてペルチェ素子２１０にも所定の電流を通電する。
【００６９】
ここで、本参考例の集積回路装置２００を製造する回路製造方法を以下に簡単に説明する。まず、一般的なシリコン製の回路基板２０１を用意し、図４(ａ)に示すように、その表面にシリコン酸化物であるＳiＯ2層２３１を成長させる。
【００７０】
つぎに、図４（ｂ）に示すように、このＳｉＯ２層２３１をフォトリソグラフィ技術によりエッチングして一対の開口孔２３２を形成し、これら一対の開口孔２３２の底部に露出した回路基板２０１の表面にスパッタリング法により金属を堆積させて端子電極２１１，２１２を形成する。
【００７１】
つぎに、図４（ｃ）に示すように、この端子電極２１１，２１２の表面にＢＰＳＧ等のシリコン酸化物２３４を堆積させて開口孔２３２を充填し、このシリコン酸化物２３４をフォトリソグラフィ技術によりエッチングして一対の開口孔２３５を形成し、図４（ｄ）に示すように、これら一対の開口孔２３５の底部に露出した端子電極２１１，２１２の表面にｎ／ｐ型半導体２１３，２１４を一個ずつ堆積させる。
【００７２】
つぎに、図５（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ技術によりｎ／ｐ型半導体２１３，２１４の間隙に突出しているＳｉＯ２層２３１をエッチングして面一とし、さらに、フォトリソグラフィ技術により一対のシリコン酸化物２３４をエッチングして表面から端子電極２１１，２１２の外側の端部まで到達するスルーホールを形成する。
【００７３】
つぎに、面一となったｎ／ｐ型半導体２１３，２１４とＳｉＯ２層２３１との表面にスパッタリング法により金属を堆積させて接合電極２１５を形成することによりペルチェ素子２１０を完成し、シリコン酸化物２３４のスルーホールにもスパッタリング法により金属を堆積させて素子配線２３６を形成する。
【００７４】
つぎに、図４（ｂ）に示すように、接合電極２１５の表面にスパッタリング法により金属を堆積させてからフォトリソグラフィ技術により多数のスリット２１８をパターニングして熱拡散板２１６を形成し、図４（ｃ）に示すように、この熱拡散板２１６の表面にスパッタリング法によりＢＰＳＧ等のシリコン酸化物を堆積させて絶縁層２１７を形成する。
【００７５】
つぎに、図４（ｄ）に示すように、絶縁層２１７の表面にスパッタリング法により金属を堆積させてからフォトリソグラフィ技術によりパターニングして配線パターン２０２を形成し、以下は従来と同様に、配線パターン２０２に接続された電流／電圧端子２０３，２０４や素子配線２３６に接続された素子端子２１９を形成する。
【００７６】
上述のような構成において、本参考例の集積回路装置２００は、本参考例の回路試験システム２２０により、配線パターン２０２のＥＭ寿命が試験される。その場合、複数のテストボード１１１を一個のコントロールユニット２２１に結線して常温常圧の位置に設置し、図３および図６に示すように、これら複数のテストボード１１１の各々に多数の試験対象の集積回路装置２００を所定個数ずつ装着する(ステップＥ１)。
【００７７】
つぎに、所望により多数の集積回路装置２００を複数種類の試験温度に対応した複数グループに区分し、この複数グループの集積回路装置２００のペルチェ素子２１０をコントロールユニット２２１により複数種類の試験温度まで各々発熱させる（ステップＥ２）。
【００７８】
このとき、多数の集積回路装置２００は、例えば、テストボード１１１の表面での配列の各行ごとなどで複数種類の試験温度にグループ区分される。また、ペルチェ素子２１０の発熱はコントロールユニット２２１から所定の電流を通電することにより実行され、その発熱温度は配線パターン２０２が試験温度となるように制御される。
【００７９】
つぎに、複数グループごとに複数種類の試験温度まで加熱された多数の集積回路装置２００の配線パターン２０２の電気抵抗をコントロールユニット２２１により電圧端子２０４から個々に測定し（ステップＥ３）、この試験温度に加熱されながら試験電流が通電されない状態の配線パターン２０２の電気抵抗に“１．１”などの係数を乗算した許容抵抗を算出して登録する（ステップＥ４）。
【００８０】
つぎに、所望により多数の集積回路装置２００を複数種類の試験電流に対応した複数グループに区分し、この複数グループの集積回路装置２００の配線パターン２０２にコントロールユニット２２１により複数種類の試験電流を電流端子２０３から通電する（ステップＥ５）。
【００８１】
このとき、多数の集積回路装置２００は、例えば、テストボード１１１の表面での配列の各列ごとなどで、複数種類の試験温度のグループとは相違するように複数種類の試験電流にグループ区分されるので、これで多数の集積回路装置２００が複数種類の試験温度と複数種類の試験電流との組み合わせでグループ区分されることになる。
【００８２】
この試験電流の通電の開始と同時に時間の積算も開始され、さらに、配線パターン２０２の電気抵抗も継続して測定される（ステップＥ６）。そして、この測定される電気抵抗が許容抵抗を超過すると（ステップＥ７）、その時間が配線パターン２０２ごとに記録される（ステップＥ８）。
【００８３】
この寿命試験が全部の配線パターン２０２で完了すると（ステップＥ９）、電気抵抗が許容抵抗を超過した時間から、試験温度と試験電流との組み合わせのグループごとに、半数の配線パターン２０２が寿命となる時間が算出される（ステップＥ１０）。
【００８４】
これで複数種類の試験電流と複数種類の試験温度とで配線パターン２０２の寿命時間が測定されたことになるので、以下は従来と同様に、試験温度の相違に対応して寿命時間の温度依存性が検出され（ステップＥ１１）、試験電流の相違に対応して寿命時間の電流密度依存性が検出される（ステップＥ１２）。
【００８５】
本参考例の回路試験システム２２０では、多数の集積回路装置２００の配線パターン２０２に複数種類の試験電流と複数種類の試験温度とを作用させてＥＭ寿命試験を実行するので、その寿命時間を精度よく測定することが可能である。
【００８６】
ただし、本参考例の集積回路装置２００は、配線パターン２０２の下方にペルチェ素子２１０が形成されており、このペルチェ素子２１０により配線パターン２０２を試験温度まで加熱する。このため、本参考例の集積回路装置２００にＥＭ寿命試験を実行する回路試験システム２２０は、集積回路装置２００を試験温度まで加熱する大規模な恒温槽が不要であり、従来より装置規模と消費電力とを削減することができる。
【００８７】
特に、上述のように多数の集積回路装置２００のＥＭ寿命試験を複数種類の試験温度で実行する場合、従来は複数の恒温槽か、一個の恒温槽による複数の作業か、が必要であったが、本参考例の回路試験システム２２０では、複数の恒温槽を必要とすることなく一回の作業で複数種類の試験温度でのＥＭ寿命試験を完了することができる。
【００８８】
さらに、本参考例の集積回路装置２００では、熱電素子であるペルチェ素子２１０の熱電効果により配線パターン２０２を加熱するので、発熱抵抗体とは相違して通電量の制御により配線パターン２０２を試験温度に正確に加熱することができ、精度よくＥＭ寿命試験を実行することができる。
【００８９】
特に、本参考例の集積回路装置２００では、ペルチェ素子２１０がП型に形成されており、その接合電極２１５の上方に配線パターン２０２が位置しているので、ペルチェ素子２１０により配線パターン２０２を簡単な構造で良好に加熱することができる。
【００９０】
しかも、本参考例の集積回路装置２００では、配線パターン２０２とペルチェ素子２１０との間隙に熱拡散板２１６が形成されているので、ペルチェ素子２１０と配線パターン２０２とを伝導される熱を熱拡散板２１６により拡散して均一化することができ、配線パターン２０２の全体を試験温度に均一に加熱することができ、さらに精度よくＥＭ寿命試験を実行することができる。
【００９１】
また、一般的にＥＭ寿命試験を完了すると集積回路装置２００の配線パターン２０２を上方から観察することになるが、本参考例の集積回路装置２００では、ペルチェ素子２１０の上方に配線パターン２０２が位置しており、配線パターン２０２を上方から観察するときにペルチェ素子２１０が邪魔となることはない。
【００９２】
なお、上記の参考例ではペルチェ素子２１０の接合電極２１５が平面形状で配線パターン２０２をカバーする長方形状に形成されており、その長手方向の両端に半導体２１３，２１４や端子電極２１１，２１２が位置していることを例示したが、図７および図８に示すように、ペルチェ素子２３０のｎ／ｐ型半導体２３１，２３２や端子電極２３３，２３４を短手方向の両端に位置させることも可能である。
【００９３】
また、上記の参考例ではペルチェ素子２１０と熱拡散板２１６とを配線パターン２０２の下方のみに位置させることを例示したが、図９および図１０に示すように、熱拡散板２４０の短手方向の両側に凸部２４１を形成し、熱拡散板２４０を配線パターン２０２の下方と両側とに位置させることも可能である。上述のように熱拡散板２１６を形成する場合には、図１１に示すように、その金属層２４２を厚膜に堆積させてから中央に凹部をエッチングすれば良い。
【００９４】
なお、ペルチェ素子２１０の接合電極２１５の短手方向の両側に凸部を形成し、ペルチェ素子２１０を配線パターン２０２の下方と両側とに位置させることも同様に可能であり（図示せず）、図１２および図１３に示すように、一対のペルチェ素子２５０を配線パターン２０２の両側に一個ずつ配置することも可能である。
【００９５】
また、上記の参考例では試験対象の回路要素として配線パターン２０２を例示し、これをペルチェ素子２５０により加熱してＥＭ寿命を試験することを例示した。しかし、このような試験対象の回路要素をトランジスタとし、その回路特性としてオン電流(オン状態でのドレインの電流値)の温度依存性(例えば、−40〜125(℃))や、閾値電圧(ＶT)の温度依存性を測定することも可能である。この場合も、試験対象の回路要素であるトランジスタを恒温槽内に配置する必要がなく、トランジスタの近傍に別体の熱電素子を配置する必要もない。
【００９６】
さらに、上記の参考例では試験対象の回路要素である配線パターン２０２をＥＭ寿命を試験するため、これをペルチェ素子２５０により加熱することを例示したが、このペルチェ素子２５０などの熱電素子は通電方向により加熱と冷却とを自在に切り換えることができるので、例えば、回路特性を測定する回路要素を熱電素子により冷却することも可能である。
【００９７】
また、上記の参考例ではペルチェ素子２１０の発熱温度をコントロールユニット２２１が単純に通電量により制御することを例示したが、例えば、ペルチェ素子２１０の発熱温度を温度センサなどの温度計測手段で計測し、この計測結果に対応してコントロールユニット２２１が通電量をフィードバック制御することも可能である。
【００９８】
つぎに、本発明の実施の第一の形態の集積回路装置を図１４を参照して以下に説明する。なお、図１４は集積回路装置の内部構造を示す縦断側面図である。本実施の形態の集積回路装置３００も、パッケージ部材３０１に回路基板１０１が搭載されているが、この回路基板１０１の構造は前述した集積回路装置１００と同一であり、パッケージ部材３０１の構造が前述した集積回路装置１００とは相違している。
【００９９】
本実施の形態の集積回路装置３００のパッケージ部材３０１では、セラミック製の一個のパッケージ本体３０２の周囲に金属製の複数のリード端子３０３が配列されているが、回路基板１０１はパッケージ本体３０２の上面中央に熱電素子であるペルチェ素子３１０を介して搭載されており、このペルチェ素子３１０も回路基板１０１とともにリード端子３０３にボンディングワイヤ１０９で個々に結線されている。
【０１００】
より詳細には、パッケージ本体３０２は上面中央が凹状に形成されており、その底面に一対の端子電極３１１，３１２が並列に形成されている。これら一対の端子電極３１１，３１２の各々の上面には、ｎ型半導体３１３とｐ型半導体３１４とが個々に積層されており、これら一対の半導体３１３，３１４の上面には一個の接合電極３１５が積層されている。これでП型のペルチェ素子３１０が形成されており、このペルチェ素子３１０の接合電極３１５の上面には、熱拡散手段である熱拡散板３１６と絶縁材３１７とを介して回路基板１０１が積層されている。
【０１０１】
なお、本実施の形態の回路試験装置である回路試験システム（図示せず）も、前述した回路試験システム２２０と同様に、複数のテストボード１１１と一個のコントロールユニット２２１とを具備しており、恒温槽１１２は具備していない。
【０１０２】
上述のような構成において、本実施の形態の集積回路装置３００も、前述した集積回路装置２００と同様に回路試験システムにより配線パターン１０４のＥＭ寿命が試験されるが、その場合、試験対象である配線パターン１０４はペルチェ素子３１０により回路基板１０１とともに試験温度まで加熱される。
【０１０３】
このため、本実施の形態の集積回路装置３００にＥＭ寿命試験を実行する回路試験システムも、集積回路装置３００を試験温度まで加熱する大規模な恒温槽が不要であり、従来より装置規模と消費電力とを削減することができ、複数種類の試験温度でのＥＭ寿命試験を一回の作業で完了することができる。
【０１０４】
なお、前述した参考例の集積回路装置２００では、ペルチェ素子２１０により試験対象の配線パターン２０２のみを加熱するので、回路基板１０１の全体をペルチェ素子３１０により加熱する第一の形態の集積回路装置３００より消費電力を削減することができる。
【０１０５】
一方、第一の形態の集積回路装置３００では、回路基板１０１の構造を実際の製品と完全に同一にしてＥＭ寿命試験の精度を向上させることができ、例えば、回路基板１０１のみ交換してパッケージ部材３０１を繰り返し使用するようなことも可能である。
【０１０６】
なお、パッケージ本体３０２の材料は、試験温度、熱膨張率、耐久性、加工性、等の各種要因を考慮して選択され、ここでは試験温度が２００（℃）となることを考慮してセラミックを選択している。特に、試験対象である配線パターン１０４が銅製の場合には試験温度が３００（℃）以上となるため、パッケージ本体３０２の材料としてはセラミックが好適である。
【０１０７】
また、上述の第一の形態のパッケージ部材３０１をトランジスタなどの回路特性の測定に利用することも当然ながら可能である。
【０１０８】
【発明の効果】
本発明の回路装置は、回路要素を熱電効果により試験温度とする熱電素子を具備しており、回路基板と熱電素子とがパッケージ部材のパッケージ本体に搭載されていることにより、
熱電効果により温度が変化する熱電素子は通電量により所望の温度に制御することができるので、回路要素の回路特性の測定を正確な試験温度で精度よく実行することができ、熱電素子は通電方向により熱伝導の方向が切り換えられるので、回路特性を測定するときに回路要素を加熱するだけでなく冷却することも可能であり、回路特性の測定に恒温槽が必要でないので、回路試験装置の装置規模と消費電力とを削減することができ、複数の熱電素子により複数の回路要素を相互に相違する試験温度とすることもできるので、複数種類の試験温度での回路特性の測定を同時に実行することもでき、作業を効率良く迅速に実行することができ、さらに、回路基板の近傍に別体の熱電素子を配置する必要がなく、簡単な構造で回路基板を介して回路要素を試験温度とすることができる。
【０１１４】
また、回路要素がП型のペルチェ素子の接合電極に対してｎ型半導体およびｐ型半導体とは反対の方向に位置していることにより、
П型のペルチェ素子は一対の端子電極に所定の電流が通電されると接合電極が所定の温度となるので、簡単な構造で回路基板を介して回路要素を試験温度とすることができる。
【０１１５】
また、熱電素子と回路基板とを伝導される熱が熱拡散手段により拡散されて均一化されることにより、
回路基板の全体が均一に試験温度となるので、回路要素の回路特性の測定精度を向上させることができる。
【０１１６】
本発明のパッケージ部材は、複数のリード端子の一部に結線されている熱電素子が回路基板を介して回路要素を熱電効果により試験温度とすることにより、
回路基板の近傍に別体の熱電素子を配置する必要がなく、簡単な構造で回路基板を介して回路要素を試験温度とすることができる。
【０１１７】
また、上述のようなパッケージ部材において、П型のペルチェ素子の接合電極に対してｎ型半導体およびｐ型半導体とは反対の方向に回路基板が搭載されることにより、
簡単な構造で回路基板を介して回路要素を試験温度とすることができる。
【０１１８】
また、熱電素子と回路基板とを伝導される熱が熱拡散手段により拡散されて均一化されることにより、
回路基板の全体が均一に試験温度となるので、回路要素の回路特性の測定精度を向上させることができる。
【０１２１】
本発明の第一の回路試験方法では、本発明の回路装置の配線パターンに試験電流が通電されるとき、その熱電素子にも所定の電流が通電されることにより、
この通電による熱電素子の熱電効果により配線パターンが試験温度とされるので、配線パターンのＥＭ寿命の時間測定に恒温槽が必要でなく、回路試験装置の装置規模と消費電力とを削減することができる。
【０１２２】
本発明の第二の回路試験方法では、本発明の回路装置の回路要素の回路特性を測定するとき、パッケージ部材の熱電素子にも所定の電流を通電することにより、
この通電による熱電素子の熱電効果により回路要素が試験温度とされるので、回路要素の回路特性の測定に恒温槽が必要でなく、回路試験装置の装置規模と消費電力とを削減することができる。
【０１２３】
本発明の第三の回路試験方法では、本発明の回路装置の配線パターンに試験電流を通電するとき、パッケージ部材の熱電素子にも所定の電流を通電することにより、
この通電による熱電素子の熱電効果により配線パターンが試験温度とされるので、配線パターンのＥＭ寿命の時間測定に恒温槽が必要でなく、回路試験装置の装置規模と消費電力とを削減することができる。
【０１２４】
本発明の第一の回路試験装置による回路試験方法では、本発明の回路装置の回路要素の回路特性を特性測定手段が測定するとき、回路基板の熱電素子に素子通電手段が所定の電流を通電することにより、
この通電による熱電素子の熱電効果により回路要素が試験温度とされるので、回路要素の回路特性の測定に恒温槽が必要でなく、回路試験装置の装置規模と消費電力とを削減することができる。
【０１２５】
本発明の第二の回路試験装置による回路試験方法では、試験対象の回路装置の回路基板が本発明のパッケージ部材に搭載され、このパッケージ部材に搭載された回路基板の回路要素の回路特性を特性測定手段が測定するとき、回路基板の熱電素子にも素子通電手段が所定の電流を通電することにより、
この通電による熱電素子の熱電効果により回路要素が試験温度とされるので、回路要素の回路特性の測定に恒温槽が必要でなく、回路試験装置の装置規模と消費電力とを削減することができる。
【０１２６】
本発明の第三の回路試験装置による回路試験方法では、本発明の回路装置の配線パターンに要素通電手段が電流を通電し、配線パターンの電気抵抗を抵抗測定手段が測定するとき、回路基板の熱電素子にも素子通電手段が固有の電流を通電することにより、
この通電による熱電素子の熱電効果により配線パターンが試験温度とされるので、配線パターンのＥＭ寿命の時間測定に恒温槽が必要でなく、回路試験装置の装置規模と消費電力とを削減することができる。
【０１２７】
本発明の第四の回路試験装置による回路試験方法では、試験対象の回路装置の回路基板が本発明のパッケージ部材に搭載され、このパッケージ部材に搭載された回路基板の配線パターンに要素通電手段が電流を通電し、配線パターンの電気抵抗を抵抗測定手段が測定するとき、回路基板の熱電素子にも素子通電手段が固有の電流を通電することにより、
この通電による熱電素子の熱電効果により配線パターンが試験温度とされるので、配線パターンのＥＭ寿命の時間測定に恒温槽が必要でなく、回路試験装置の装置規模と消費電力とを削減することができる。
。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の参考例の回路装置の回路要素である配線パターンや熱電素子であるペルチェ素子などの構造を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】参考例の回路試験装置の全体構造を示す模式図である。
【図４】参考例の回路装置を製造する回路製造方法の前半部分を示す工程図である。
【図５】後半部分を示す工程図である。
【図６】参考例の回路装置の回路特性を測定する回路試験方法を示すフローチャートである。
【図７】第一の変形例の回路装置の配線パターンやペルチェ素子などの構造を示す平面図である。
【図８】図７のＢ−Ｂ断面図である。
【図９】第二の変形例の回路装置の配線パターンやペルチェ素子などの構造を示す平面図である。
【図１０】図９のＣ−Ｃ断面図である。
【図１１】第三の変形例の回路装置の回路製造方法の要部を示す工程図である。
【図１２】第四の変形例の回路装置の配線パターンやペルチェ素子などの構造を示す平面図である。
【図１３】図１２のＤ−Ｄ断面図である。
【図１４】本発明の実施の第一の形態の回路装置の回路要素である配線パターンや熱電素子であるペルチェ素子などの構造を示す平面図である。
【図１５】回路装置を示す縦断側面図である。
【図１６】回路要素である配線パターンの外形を示す平面図である。
【図１７】配線パターンの等価回路を示す回路図である。
【図１８】回路試験装置である回路試験システムの全体構造を示す模式図である。
【図１９】回路試験システムにより回路試験方法のメインルーチンを示すフローチャートである。
【図２０】サブルーチンを示すフローチャートである。
【符号の説明】
１０１，２０１ 回路基板
１０２，３０１ パッケージ部材
１０４，２０２ 回路要素である配線パターン
１０７，３０２ パッケージ本体
１０８，３０３ リード端子
１１１ テストボード
２００，３００ 集積回路装置
２１０，２３０，２５０，３１０ 熱電素子であるペルチェ素子
２１１，２１２，２３３，２３４，３１１，３１２ 端子電極
２１３，２３１，３１３ ｎ型半導体
２１４，２３２，３１４ ｐ型半導体
２１５，３１５ 接合電極
２１６，２４０，３１６ 熱拡散手段である熱拡散板
２２０ 回路試験装置である回路試験システム
２２１ 各種手段として機能するコントロールユニット[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention provides a circuit device in which circuit characteristics of circuit elements are electrically measured at a predetermined test temperature.TimesThe present invention relates to a circuit test method and apparatus for electrically measuring circuit characteristics of circuit elements of a road device at a predetermined test temperature.
[0002]
[Prior art]
At present, integrated circuit devices are used for various purposes, and their integration and lifetime are also increasing. However, when a current is applied to a metal in a certain direction, ions move in the opposite direction, which may cause disconnection or the like in fine metal wiring.
[0003]
The phenomenon described above is called EM, and there is an EM life test as a method for testing the life of the integrated circuit device due to the EM. A conventional example of an integrated circuit device that performs this EM life test and a circuit test device that performs an EM life test on this integrated circuit device will be described below with reference to FIGS.
[0004]
15 is a longitudinal side view showing the integrated circuit device, FIG. 16 is a plan view showing the outline of the wiring pattern as a circuit element, FIG. 17 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the wiring pattern, and FIG. 18 is a circuit testing device. FIG. 19 is a schematic diagram showing an overall structure of a circuit test system, FIG. 19 is a flowchart showing a main routine of a circuit test method by the circuit test system, and FIG. 20 is a flowchart showing a subroutine.
[0005]
First, an integrated circuit device 100 illustrated as a conventional example is, for example, a prototype under development to be tested for EM life, and as shown in FIG. 15, a circuit board 101 and a package member 102 as main components. It is equipped with.
[0006]
The circuit board 101 is made of, for example, a silicon semiconductor substrate. As shown in FIG. 16, a wiring pattern 104 made of a metal layer is formed on the surface of the circuit board 101, and a pair of currents are connected to both ends of the wiring pattern 104. One terminal 105 and one pair of voltage terminals 106 are connected to each other.
[0007]
The package member 102 includes one ceramic package body 107 and a plurality of metal lead terminals 108, and the plurality of lead terminals 108 are arranged around the package body 107 as shown in FIG. 15. The circuit board 101 is mounted on the center of the upper surface of the package body 107, and the terminals 105 and 106 of the circuit board 101 and the lead terminals 108 of the package member 102 are individually connected by bonding wires 109.
[0008]
As shown in FIG. 18, the circuit test system 110 that is a circuit test apparatus includes a plurality of test boards 111, a single thermostat 112, a control unit 113, and the like as main components. The integrated circuit device 100 is detachably mounted on each.
[0009]
More specifically, a plurality of circuit sockets are attached to the surface of the test board 111 (not shown), and one integrated circuit device 100 is detachably attached to each of the plurality of circuit sockets. This circuit socket is mounted on the printed wiring of the test board 111, and this printed wiring is connected to the control unit 113 by a connector or the like (not shown).
[0010]
The thermostat 112 is composed of a box-shaped tank body with good heat insulation and a heater mechanism that varies the internal temperature (not shown). The constant temperature bath 112 having such a structure holds a plurality of test boards 111 in a state in which the integrated circuit device 100 is mounted and connected to the control unit 113 as a device holding means in a replaceable manner in the bath, and supports external operations. Then, the temperature in the tank is varied.
[0011]
The control unit 113 includes a computer system in which an appropriate control program is mounted in advance, and integrally controls a large number of integrated circuit devices 100 and thermostats 112 by processing operations corresponding to the control program. That is, the control unit 113 measures the electrical resistance of the wiring pattern 104 of the integrated circuit device 100 as resistance measuring means, energizes the wiring pattern 104 as element energizing means, and the in-bath temperature of the constant temperature bath 112 as temperature control means. To control.
[0012]
In the configuration as described above, the circuit test system 110 can test the EM life of the wiring pattern 104. In that case, the circuit board 101 on which the wiring pattern 104 is formed is mounted on the package body 102, and the integrated circuit device 100 to be tested is prepared.
[0013]
Then, as shown in FIG. 19, as an initial setting for improving the test accuracy of the EM life test, one is selected from a plurality of types of test temperatures and data is set in the control unit 113 (step S1). An EM life test is executed (step S2).
[0014]
In that case, as shown in FIG. 20, a plurality of integrated circuit devices 100 are mounted on each of the plurality of test boards 111 (step T1), and after wiring these test boards 111 to the control unit 113, Installed inside (step T2).
[0015]
Next, the inside of the thermostatic chamber 112 is heated to the aforementioned test temperature by controlling the operation of the control unit 113 (step T3), and in this state, the electrical resistance of each of the wiring patterns 104 of the many integrated circuit devices 100 is controlled by the control unit 113. Are individually measured from the voltage terminal 106 (step T4). As a result, the electrical resistance of the wiring pattern 104 in a state where the test current is not applied while being heated to the test temperature is found, and an allowable resistance obtained by multiplying the electrical resistance by a coefficient such as “1.1” is calculated and registered ( Step T5).
[0016]
Next, a test current is individually supplied from the current terminal 105 to each of the multiple wiring patterns 104 by the control unit 113 (step T6). At this time, the multiple wiring patterns 104 are divided into a plurality of groups. One of a plurality of types of test current is applied to each group.
[0017]
The integration of time is started simultaneously with the start of energization of the test current, and the electrical resistance of the wiring pattern 104 is continuously measured (step T7). When the measured electrical resistance exceeds the allowable resistance (step T8), the time is recorded for each wiring pattern 104 (step T9).
[0018]
When this life test is completed for all the wiring patterns 104 (step T10), as shown in FIG. 19, half of the wiring patterns 104 have a lifetime for each of a plurality of types of test currents from the time when the electrical resistance exceeds the allowable resistance. Is calculated (step S3).
[0019]
However, since the life time for each of the plurality of types of test temperatures is not measured, the test temperature is switched and the life test as described above is repeated (steps S1 to S4). A life test is performed. As a result, the lifetime of the wiring pattern 104 is measured with a plurality of types of test currents and a plurality of types of test temperatures, so that the temperature dependence of the lifetime is detected corresponding to the difference in the test temperatures (step S5). ), The current density dependence of the lifetime is detected corresponding to the difference in the test current (step S6).
[0020]
In the circuit test system 110 as described above, an EM life test is performed by applying a plurality of types of test currents and a plurality of types of test temperatures to the wiring patterns 104 of a large number of integrated circuit devices 100. It is possible to measure well.
[0021]
[Problems to be solved by the invention]
In the circuit test system 110 described above, in order to accurately measure the lifetime of the wiring patterns 104 of a large number of integrated circuit devices 100, the constant temperature bath 112 heats the wiring patterns 104 of the large number of integrated circuit devices 100 to a test temperature. . However, since the temperature of the thermostatic chamber 112 is different between the upper part and the lower part of the interior, it is difficult to strictly maintain a large number of wiring patterns 104 at the same test temperature.
[0022]
Moreover, the thermostat 112 is not preferable because the apparatus is large-scale and power consumption is enormous. However, in the above-described circuit test system 110, since the fine wiring pattern 104 is heated to the test temperature, the entire large-capacity internal space of the thermostat 112 is heated to the test temperature, so that its energy efficiency is not good.
[0023]
Moreover, in order to perform the EM life test at a plurality of test temperatures, if there is one thermostat 112 as described above, it is necessary to switch the test temperature and repeat the life test. In order to complete the test at a time, a plurality of thermostats 112 are required, so the apparatus scale becomes excessive.
[0024]
An integrated circuit device for solving the above-described problems is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 11-204607 and 07-201944. In the integrated circuit devices disclosed in these publications, a heating resistor is formed in the vicinity of a wiring pattern to be tested, and the wiring pattern is set to a test temperature by the heating resistor.
[0025]
However, it is difficult to strictly control the heat generation temperature of the heating resistor, and the wiring pattern cannot be accurately maintained at the test temperature, so that the accuracy of the EM life test is lowered. Furthermore, depending on the life test, it may be assumed that the circuit element to be tested needs to be cooled, but the heating resistor cannot cool the circuit element.
[0026]
The present invention has been made in view of the above problems, and a circuit device that can easily execute a life test, and a package member of a circuit device that can easily execute a life test., TimesIt is an object of the present invention to provide at least one of a circuit test method and apparatus capable of easily executing a life test of a road device.
[0027]
[Means for Solving the Problems]
The circuit device of the present invention is a circuit device under test in which circuit characteristics of circuit elements are electrically measured at a predetermined test temperature,
Thermoelectric element which makes said circuit element into said test temperature by thermoelectric effectAnd a package member comprising a single package body and a plurality of lead terminals, and the circuit element is formed on a circuit board separate from the thermoelectric element. The circuit board and the thermoelectric element Are mounted on the package body of the package member, and the thermoelectric element and the circuit element are individually connected to the plurality of lead terminals..
[0028]
Therefore, when measuring the circuit characteristics of the circuit device of the present invention, the circuit element is brought to a predetermined test temperature due to the thermoelectric effect of the thermoelectric element. Since the temperature of the thermoelectric element changes due to the thermoelectric effect, the thermoelectric element is controlled to a desired temperature depending on the amount of current supplied. In general, since the direction of heat conduction of a thermoelectric element is switched depending on the direction of energization, heating and cooling of circuit elements are performed as desired.Furthermore, since a minute circuit board is mounted on a large package body, handling is easy, and since minute circuit elements and thermoelectric elements are connected to large lead terminals, energization is also easy. Since the circuit board on which the circuit element to be tested is formed and the thermoelectric element are mounted on the package member, it is not necessary to arrange a separate thermoelectric element in the vicinity of the circuit board.
[0029]
The circuit characteristics of the circuit elements measured at the test temperature in this way include, for example, the EM lifetime of the wiring pattern, the on-current (temperature dependence) of the transistor, the threshold voltage (temperature dependence) of the transistor, etc. There is.
[0036]
In the circuit device as described above, the thermoelectric element is composed of a Peltier element in which both ends of one junction electrode and a pair of terminal electrodes are connected in a П type through an n-type semiconductor and a p-type semiconductor, The circuit board is a junction electrode of the thermoelectric element.Direction opposite to the n-type semiconductor and the p-type semiconductorIt is also possible to arrange them. In this case, the П type Peltier element has a predetermined temperature when a predetermined current is passed through the pair of terminal electrodes.Direction opposite to the n-type semiconductor and the p-type semiconductorThe circuit element is brought to the test temperature via the circuit board located in
[0037]
In the circuit device as described above, it is also possible to provide a thermal diffusion means for diffusing heat and making it uniform in the gap between the circuit board and the thermoelectric element. In this case, when the circuit element is brought to a predetermined test temperature via the circuit board due to the temperature change of the junction electrode of the thermoelectric element, the heat conducted between the thermoelectric element and the circuit board is diffused by the thermal diffusion means and made uniform Is done.
[0038]
In the circuit device as described above, the circuit element may be formed of a wiring pattern in which a test current is applied and a lifetime of an EM lifetime is measured as a circuit characteristic from a change in electric resistance. In this case, the wiring pattern, which is a circuit element, is brought to the test temperature by the thermoelectric element when the test current is applied and the lifetime of the EM life is measured from the change in electrical resistance.
[0039]
The package member of the present invention is a package member on which a circuit board on which circuit characteristics of circuit elements of a circuit device to be tested are electrically measured at a predetermined test temperature is mounted.
A package body on which the circuit board is mounted, a plurality of lead terminals to which circuit elements of the circuit board are connected in part, and a part of the plurality of lead terminals that are connected to the circuit board via the circuit board. A thermoelectric element having the circuit element as the test temperature by a thermoelectric effect.
[0040]
Therefore, when the circuit board is mounted on the package member of the present invention and the circuit characteristics are measured, the minute circuit board is mounted on the large package body, so that mechanical handling is easy, and the fine circuit element is large. Since it is connected to the lead terminal, electrical handling becomes easy. And since the temperature of a circuit board is controlled by the thermoelectric effect of a thermoelectric element, the circuit element of this circuit board is made into predetermined test temperature. Since the temperature of the thermoelectric element changes due to the thermoelectric effect, the thermoelectric element is controlled to a desired temperature depending on the amount of current supplied. In general, the thermoelectric element is switched in the direction of heat conduction depending on the energization direction, so that heating and cooling of the circuit board are performed as desired.
[0041]
In the package member as described above, the thermoelectric element is composed of a Peltier element in which both ends of a single junction electrode and a pair of terminal electrodes are connected in a П type through an n-type semiconductor and a p-type semiconductor, respectively.The circuit board is disposed in a direction opposite to the n-type semiconductor and the p-type semiconductor with respect to the junction electrode of the thermoelectric element.It is also possible. In this case, the П type Peltier element has a predetermined temperature when a predetermined current is passed through the pair of terminal electrodes.Direction opposite to the n-type semiconductor and the p-type semiconductorThe circuit element of the circuit board located at is the test temperature.
[0042]
In the package member as described above, it is also possible to provide a thermal diffusion means for diffusing and uniformizing heat in a gap between the position where the circuit board is disposed and the thermoelectric element. In this case, when the circuit board is brought to a predetermined test temperature due to the temperature change of the joining electrode of the thermoelectric element, the heat conducted between the thermoelectric element and the circuit board is diffused and uniformed by the thermal diffusion means.
[0046]
Of the present inventionFirstIn the circuit test method, a wiring pattern formed as a circuit element on a circuit board of a circuit device to be tested is set to a predetermined test temperature and a predetermined test current is applied, and EM life is electrically measured as a circuit characteristic of the wiring pattern. A circuit test method for testing by resistance change,
The test current is supplied to the wiring pattern of the circuit device of the present invention, and a specific current is supplied to the thermoelectric element. Therefore, in the circuit test method of the present invention, when a test current is applied to the wiring pattern of the circuit device of the present invention, a predetermined current is also applied to the thermoelectric element. The wiring pattern is set to the test temperature.
[0047]
Of the present inventionSecondThe circuit test method is a circuit test method for electrically measuring circuit characteristics by setting a circuit element formed on a circuit board of a circuit device to be tested to a predetermined test temperature,
The circuit board is mounted on the package body of the package member of the present invention, the circuit element of the circuit board is connected to the lead terminal of the package member, and the lead terminal of the package member is energized with a predetermined current through the thermoelectric element. To measure circuit characteristics of circuit elements of the circuit board.
[0048]
Therefore, in the circuit test method of the present invention, since a minute circuit board is mounted on a large package body, mechanical handling is easy, and minute circuit elements are connected to large lead terminals, so that electrical handling is possible. Is also easier. When the circuit characteristics of the circuit element of the circuit device of the present invention are measured, a predetermined current is passed through the thermoelectric element of the package member, so that the circuit element is brought to the test temperature by the thermoelectric effect of the thermoelectric element by this energization. .
[0049]
Of the present inventionThirdIn the circuit test method, a wiring pattern formed as a circuit element on a circuit board of a circuit device to be tested is set to a predetermined test temperature and a predetermined test current is applied, and EM life is electrically measured as a circuit characteristic of the wiring pattern. A circuit test method for testing by resistance change,
The circuit board is mounted on the package body of the package member of the present invention, the wiring pattern of the circuit board is connected to the lead terminal of the package member, and the test current is transferred from the lead terminal of the package member to the wiring pattern of the circuit board. And a current specific to the thermoelectric element is supplied.
[0050]
Therefore, in the circuit test method of the present invention, since a minute circuit board is mounted on a large package body, mechanical handling becomes easy, and a minute wiring pattern is connected to a large lead terminal, so that electrical handling is possible. Is also easier. When a test current is applied to the wiring pattern of the circuit device of the present invention, a predetermined current is also applied to the thermoelectric element of the package member, so that the wiring pattern is brought to the test temperature by the thermoelectric effect of the thermoelectric element by this energization. .
[0051]
A first circuit test apparatus of the present invention is a circuit test apparatus that electrically measures circuit characteristics by setting a circuit element formed on a circuit board of a circuit device to be tested to a predetermined test temperature,
The circuit device of the present invention includes element energizing means for energizing a predetermined current to the thermoelectric element, and characteristic measuring means for measuring circuit characteristics of the circuit element.
[0052]
Therefore, in the circuit test method by the circuit test apparatus of the present invention, the characteristic measuring means measures the circuit characteristics of the circuit elements of the circuit apparatus of the present invention. However, since the element energization means energizes a predetermined current to the thermoelectric element of the circuit board, the circuit element is set to the test temperature by the thermoelectric effect of the thermoelectric element by this energization.
[0053]
A second circuit test apparatus of the present invention is a circuit test apparatus for electrically measuring circuit characteristics by setting a circuit element formed on a circuit board of a circuit device to be tested to a predetermined test temperature,
A package member of the present invention on which the circuit board is mounted; element energization means for energizing a predetermined current to the thermoelectric element of the package member; and characteristic measurement means for measuring circuit characteristics of circuit elements of the circuit board. It has.
[0054]
Therefore, in the circuit test method using the circuit test apparatus of the present invention, the circuit board of the circuit device to be tested is mounted on the package member of the present invention, and the circuit characteristics of the circuit elements of the circuit board mounted on the package member are measured. Means measure. However, since the element energizing means energizes a predetermined current also to the thermoelectric element of the circuit board, the circuit element is set to the test temperature by the thermoelectric effect of the thermoelectric element by this energization.
[0055]
According to a third circuit test apparatus of the present invention, a wiring pattern formed as a circuit element on a circuit board of a circuit device to be tested is set to a predetermined test temperature, and a predetermined test current is applied to the circuit. A circuit test apparatus for testing the EM life as a characteristic by a change in electrical resistance,
Resistance measuring means for measuring the electrical resistance of the wiring pattern of the circuit device according to the present invention, element energizing means for energizing the test current to the wiring pattern, and element energizing means for energizing the thermoelectric element of the circuit board And.
[0056]
Therefore, in the circuit test method using the circuit test apparatus according to the present invention, the element energizing means energizes the wiring pattern of the circuit apparatus according to the present invention, and the resistance measuring means measures the electrical resistance of the wiring pattern. However, since the element energizing means also energizes a specific current to the thermoelectric element of the circuit board, the wiring pattern is set to the test temperature due to the thermoelectric effect of the thermoelectric element by this energization.
[0057]
According to a fourth circuit test apparatus of the present invention, a wiring pattern formed as a circuit element on a circuit board of a circuit device to be tested is set to a predetermined test temperature, and a predetermined test current is applied to the circuit. A circuit test apparatus for testing the EM life as a characteristic by a change in electrical resistance,
The package member of the present invention on which the circuit board is mounted, resistance measurement means for measuring the electrical resistance of the wiring pattern of the circuit board mounted on the package member, and the test current passed through the wiring pattern of the circuit board Element energizing means for conducting, and element energizing means for energizing a current specific to the thermoelectric element of the package member.
[0058]
Therefore, in the circuit test method using the circuit test apparatus of the present invention, the circuit board of the circuit device to be tested is mounted on the package member of the present invention, and the element energizing means is connected to the wiring pattern of the circuit board mounted on the package member. The resistance measuring means measures the electrical resistance of the wiring pattern. However, since the element energizing means also energizes a specific current to the thermoelectric element of the circuit board, the wiring pattern is set to the test temperature due to the thermoelectric effect of the thermoelectric element by this energization.
[0059]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Of the present inventionReference exampleIs described below with reference to FIGS. However, the same parts as those of the conventional example described above in the following description are denoted by the same names and reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
[0060]
FIG. 1 shows the present invention.Reference exampleFIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view showing the structure of a circuit pattern of the integrated circuit device of FIG.This reference exampleFIG. 4 and FIG. 5 are schematic views showing the entire structure of the circuit test apparatus of FIG.This reference exampleFIG. 6 is a process diagram showing a circuit manufacturing method for manufacturing the integrated circuit device of FIG.This reference example10 is a flowchart showing a circuit test method for measuring the lifetime of the integrated circuit device.
[0061]
Reference exampleSimilarly to the integrated circuit device 100 described above, the integrated circuit device 200 includes a circuit board 201 mounted on the package member 102 as shown in FIG. A current terminal 203 and a pair of voltage terminals 204 are formed.
[0062]
However,This reference exampleIn the integrated circuit device 200, unlike the integrated circuit device 100 described above, a Peltier element 210 is also formed as a thermoelectric element on the circuit board 201, and the wiring pattern 202 is located above the Peltier element 210. .
[0063]
More specifically, as shown in FIGS. 1 and 2, a pair of terminal electrodes 211 and 212 are formed in parallel on the surface of the circuit board 201, and the upper surfaces of the pair of terminal electrodes 211 and 212 are formed on the upper surfaces of the pair of terminal electrodes 211 and 212, respectively. The n-type semiconductor 213 and the p-type semiconductor 214 are individually stacked.
[0064]
Since one bonding electrode 215 is laminated on the upper surfaces of the pair of semiconductors 213 and 214, a П type Peltier element 210 is formed. In this Peltier element 210, the bonding electrode 215 is formed in a rectangular shape covering the wiring pattern 202 in a planar shape, and the semiconductors 213 and 214 and the terminal electrodes 211 and 212 are located at both ends in the longitudinal direction. .
[0065]
On the upper surface of the bonding electrode 215 of the Peltier element 210, a heat diffusion plate 216 as heat diffusion means is laminated, and a wiring pattern 202 is laminated on the surface of the heat diffusion plate 216 via an insulating layer 217. The heat diffusing plate 216 is made of a metal having good thermal conductivity such as aluminum, and a large number of slits 218 are formed in the longitudinal direction thereof.
[0066]
Note that the current terminal 203 and the voltage terminal 204 are connected to both ends of the wiring pattern 202, but the element terminal 219 is also connected to the terminal electrodes 211 and 212 of the Peltier element 210, and these element terminals 219 are connected to each other. The current terminal 203 and the voltage terminal 204 are arranged in parallel.
[0067]
Reference exampleSimilar to the circuit test system 110 described above, the circuit test system 220 includes a plurality of test boards 111 and one control unit 221, but does not include the thermostatic chamber 112. The control unit 221 includes a computer system in which an appropriate control program is installed in advance, and controls the operation of a large number of integrated circuit devices 200 by processing operations corresponding to the control program.
[0068]
That meansThis reference exampleIn the same manner as the control unit 113 described above, the control unit 221 supplies a test current to the wiring pattern 202 of the integrated circuit device 200 as an element energizing unit, and measures the electrical resistance of the wiring pattern 202 as a resistance measuring unit. The EM life of the wiring pattern 202 is measured as a characteristic measuring means. However, unlike the control unit 113 described above, the temperature control of the thermostatic chamber 112 is not executed, and a predetermined current is also applied to the Peltier element 210 as the element energization means.
[0069]
here,This reference exampleA circuit manufacturing method for manufacturing the integrated circuit device 200 will be briefly described below. First, a general silicon circuit board 201 is prepared, and as shown in FIG.2Layer 231 is grown.
[0070]
Next, as shown in FIG.2The layer 231 is etched by photolithography to form a pair of opening holes 232, and metal is deposited on the surface of the circuit board 201 exposed at the bottom of the pair of opening holes 232 by a sputtering method to form the terminal electrodes 211 and 212. Form.
[0071]
Next, as shown in FIG. 4C, silicon oxide 234 such as BPSG is deposited on the surfaces of the terminal electrodes 211 and 212 to fill the opening holes 232, and the silicon oxide 234 is formed by photolithography. A pair of opening holes 235 are formed by etching, and n / p type semiconductors 213 and 214 are formed on the surfaces of the terminal electrodes 211 and 212 exposed at the bottoms of the pair of opening holes 235 as shown in FIG. Deposit one by one.
[0072]
Next, as shown in FIG. 5A, SiO protruding into the gap between the n / p type semiconductors 213 and 214 by photolithography technology.2The layer 231 is etched to be flush with each other, and the pair of silicon oxides 234 are etched by photolithography to form through holes that reach from the surface to the outer ends of the terminal electrodes 211 and 212.
[0073]
Next, the n / p type semiconductors 213, 214 and SiO which became flush with each other2A metal is deposited on the surface of the layer 231 by a sputtering method to form a bonding electrode 215 to complete the Peltier element 210, and a metal is deposited on the through hole of the silicon oxide 234 by a sputtering method to form an element wiring 236. Form.
[0074]
Next, as shown in FIG. 4B, a metal is deposited on the surface of the bonding electrode 215 by sputtering, and then a large number of slits 218 are patterned by photolithography to form a thermal diffusion plate 216. FIG. As shown in (c), a silicon oxide such as BPSG is deposited on the surface of the thermal diffusion plate 216 by sputtering to form an insulating layer 217.
[0075]
Next, as shown in FIG. 4 (d), a metal is deposited on the surface of the insulating layer 217 by sputtering, and then patterned by photolithography to form a wiring pattern 202. Current / voltage terminals 203 and 204 connected to the pattern 202 and element terminals 219 connected to the element wiring 236 are formed.
[0076]
In the configuration as described above,Reference exampleThe integrated circuit device 200 of FIG.Reference exampleThe circuit test system 220 tests the EM life of the wiring pattern 202. In that case, a plurality of test boards 111 are connected to one control unit 221 and installed at a room temperature and normal pressure position. As shown in FIG. 3 and FIG. The predetermined number of integrated circuit devices 200 are mounted (step E1).
[0077]
Next, if desired, a large number of integrated circuit devices 200 are divided into a plurality of groups corresponding to a plurality of types of test temperatures, and the Peltier elements 210 of the plurality of groups of integrated circuit devices 200 are each controlled to a plurality of types of test temperatures by the control unit 221. Heat is generated (step E2).
[0078]
At this time, a large number of integrated circuit devices 200 are grouped into a plurality of types of test temperatures, for example, for each row of the array on the surface of the test board 111. Further, the Peltier element 210 generates heat by applying a predetermined current from the control unit 221, and the heat generation temperature is controlled so that the wiring pattern 202 becomes the test temperature.
[0079]
Next, the electrical resistances of the wiring patterns 202 of a large number of integrated circuit devices 200 heated to a plurality of types of test temperatures for each group are individually measured from the voltage terminal 204 by the control unit 221 (step E3). Then, an allowable resistance obtained by multiplying the electrical resistance of the wiring pattern 202 in a state where the test current is not supplied while being heated to 1 by a coefficient such as “1.1” is calculated and registered (step E4).
[0080]
Next, if desired, a large number of integrated circuit devices 200 are divided into a plurality of groups corresponding to a plurality of types of test currents, and the control unit 221 supplies a plurality of types of test currents to the wiring patterns 202 of the plurality of groups of integrated circuit devices 200. Energization is performed from the terminal 203 (step E5).
[0081]
At this time, a large number of integrated circuit devices 200 are grouped into a plurality of types of test currents so as to be different from a plurality of types of test temperature groups, for example, for each column of the array on the surface of the test board 111. Therefore, a large number of integrated circuit devices 200 are grouped by combinations of a plurality of types of test temperatures and a plurality of types of test currents.
[0082]
The integration of time is started simultaneously with the start of energization of the test current, and the electrical resistance of the wiring pattern 202 is continuously measured (step E6). When the measured electrical resistance exceeds the allowable resistance (step E7), the time is recorded for each wiring pattern 202 (step E8).
[0083]
When this life test is completed for all the wiring patterns 202 (step E9), half of the wiring patterns 202 reach the lifetime for each group of combinations of test temperature and test current from the time when the electrical resistance exceeds the allowable resistance. Time is calculated (step E10).
[0084]
As a result, the lifetime of the wiring pattern 202 is measured with a plurality of types of test currents and a plurality of types of test temperatures. Accordingly, as in the conventional case, the following depends on the temperature dependence of the lifetime according to the difference in the test temperatures. (Step E11), and the current density dependence of the life time is detected corresponding to the difference in the test current (step E12).
[0085]
This reference exampleIn the circuit test system 220, an EM life test is performed by applying a plurality of types of test currents and a plurality of types of test temperatures to the wiring patterns 202 of a large number of integrated circuit devices 200, so that the life time is accurately measured. It is possible.
[0086]
However,Reference exampleIn the integrated circuit device 200, a Peltier element 210 is formed below the wiring pattern 202, and the wiring pattern 202 is heated to the test temperature by the Peltier element 210. For this reason,Reference exampleThe circuit test system 220 for performing the EM life test on the integrated circuit device 200 does not require a large-scale thermostat for heating the integrated circuit device 200 to the test temperature, and can reduce the device scale and power consumption as compared with the related art. Can do.
[0087]
In particular, when the EM life test of a large number of integrated circuit devices 200 is performed at a plurality of types of test temperatures as described above, conventionally, a plurality of thermostats or a plurality of operations using one thermostat has been required. But,Reference exampleIn the circuit test system 220, an EM life test at a plurality of types of test temperatures can be completed in one operation without requiring a plurality of thermostats.
[0088]
further,This reference exampleIn the integrated circuit device 200, the wiring pattern 202 is heated by the thermoelectric effect of the Peltier element 210, which is a thermoelectric element. Therefore, unlike the heating resistor, the wiring pattern 202 is accurately heated to the test temperature by controlling the energization amount. The EM life test can be executed with high accuracy.
[0089]
In particular,This reference exampleIn the integrated circuit device 200, the Peltier element 210 is formed in a П shape, and the wiring pattern 202 is positioned above the bonding electrode 215, so that the wiring pattern 202 is favorably formed with a simple structure by the Peltier element 210. Can be heated.
[0090]
Moreover,Reference exampleIn the integrated circuit device 200, the heat diffusion plate 216 is formed in the gap between the wiring pattern 202 and the Peltier element 210, so that the heat conducted between the Peltier element 210 and the wiring pattern 202 is diffused by the heat diffusion plate 216. The entire wiring pattern 202 can be uniformly heated to the test temperature, and the EM life test can be performed with higher accuracy.
[0091]
In general, when the EM life test is completed, the wiring pattern 202 of the integrated circuit device 200 is observed from above.This reference exampleIn the integrated circuit device 200, the wiring pattern 202 is located above the Peltier element 210, and the Peltier element 210 does not get in the way when the wiring pattern 202 is observed from above.
[0092]
In addition, Above reference exampleIn the example, the joining electrode 215 of the Peltier element 210 is formed in a rectangular shape covering the wiring pattern 202 in a planar shape, and the semiconductors 213 and 214 and the terminal electrodes 211 and 212 are located at both ends in the longitudinal direction. However, as shown in FIGS. 7 and 8, the n / p-type semiconductors 231 and 232 and the terminal electrodes 233 and 234 of the Peltier element 230 can be positioned at both ends in the short direction.
[0093]
Also,Reference example aboveIn the above example, the Peltier element 210 and the heat diffusion plate 216 are positioned only below the wiring pattern 202. However, as shown in FIGS. It is also possible to position the heat diffusion plate 240 below and on both sides of the wiring pattern 202. When the thermal diffusion plate 216 is formed as described above, as shown in FIG. 11, the metal layer 242 may be deposited on a thick film and then the concave portion may be etched in the center.
[0094]
It is also possible to form protrusions on both sides of the joining electrode 215 of the Peltier element 210 in the short side direction and position the Peltier element 210 below and on both sides of the wiring pattern 202 (not shown). As shown in FIGS. 12 and 13, a pair of Peltier elements 250 can be arranged one on each side of the wiring pattern 202.
[0095]
Also,Reference example aboveThen, the wiring pattern 202 is exemplified as a circuit element to be tested, and the EM life is tested by heating it with the Peltier element 250. However, such a circuit element to be tested is a transistor, and its circuit characteristics include the temperature dependence (for example, −40 to 125 (° C.)) of the on-current (the drain current value in the on state) and the threshold voltage ( VT) Can also be measured. Also in this case, it is not necessary to arrange the transistor as the circuit element to be tested in the thermostat, and it is not necessary to arrange a separate thermoelectric element in the vicinity of the transistor.
[0096]
further,Reference example aboveIn order to test the EM life of the wiring pattern 202 which is a circuit element to be tested, it is exemplified that the Peltier element 250 is heated. However, the thermoelectric element such as the Peltier element 250 is heated and cooled depending on the energization direction. Since it can be switched freely, for example, a circuit element for measuring circuit characteristics can be cooled by a thermoelectric element.
[0097]
Also,Reference example aboveIn the above example, the control unit 221 simply controls the heat generation temperature of the Peltier element 210 based on the amount of current applied. For example, the heat generation temperature of the Peltier element 210 is measured by a temperature measuring means such as a temperature sensor, and this measurement result is supported. The control unit 221 can also feedback control the energization amount.
[0098]
Next, implementation of the present inventionFirst formThe integrated circuit device will be described below with reference to FIG. FIG. 14 is a vertical side view showing the internal structure of the integrated circuit device. In the integrated circuit device 300 of this embodiment, the circuit board 101 is mounted on the package member 301. The structure of the circuit board 101 is the same as that of the integrated circuit device 100 described above, and the structure of the package member 301 is described above. This is different from the integrated circuit device 100 described above.
[0099]
In the package member 301 of the integrated circuit device 300 according to the present embodiment, a plurality of metal lead terminals 303 are arranged around one ceramic package body 302, but the circuit board 101 is arranged on the upper surface of the package body 302. The Peltier element 310 is mounted at the center via a Peltier element 310, and the Peltier element 310 is also individually connected to the lead terminal 303 together with the circuit board 101 by bonding wires 109.
[0100]
More specifically, the package main body 302 has a concave center at the top surface, and a pair of terminal electrodes 311 and 312 are formed in parallel on the bottom surface. An n-type semiconductor 313 and a p-type semiconductor 314 are individually stacked on the upper surface of each of the pair of terminal electrodes 311, 312. One junction electrode 315 is formed on the upper surface of the pair of semiconductors 313, 314. Are stacked. Thus, the П type Peltier element 310 is formed, and the circuit board 101 is laminated on the upper surface of the bonding electrode 315 of the Peltier element 310 via the heat diffusion plate 316 and the insulating material 317 as heat diffusion means. ing.
[0101]
Note that a circuit test system (not shown) which is a circuit test apparatus according to the present embodiment also includes a plurality of test boards 111 and one control unit 221, similarly to the circuit test system 220 described above. The thermostat 112 is not provided.
[0102]
In the configuration as described above, the integrated circuit device 300 according to the present embodiment is also tested for the EM life of the wiring pattern 104 by the circuit test system in the same manner as the integrated circuit device 200 described above. The wiring pattern 104 is heated to the test temperature together with the circuit board 101 by the Peltier element 310.
[0103]
For this reason, the circuit test system for performing the EM life test on the integrated circuit device 300 according to the present embodiment also does not require a large-scale thermostat for heating the integrated circuit device 300 to the test temperature. Power consumption can be reduced, and the EM life test at a plurality of types of test temperatures can be completed in one operation.
[0104]
As mentioned aboveReference exampleIn the integrated circuit device 200, since only the wiring pattern 202 to be tested is heated by the Peltier element 210, the entire circuit board 101 is heated by the Peltier element 310.First formPower consumption can be reduced from the integrated circuit device 300 of FIG.
[0105]
on the other hand,First formIn the integrated circuit device 300, the structure of the circuit board 101 can be made completely the same as the actual product to improve the accuracy of the EM life test. For example, only the circuit board 101 is replaced and the package member 301 is repeatedly used. It is also possible.
[0106]
The material of the package body 302 is selected in consideration of various factors such as test temperature, coefficient of thermal expansion, durability, workability, and the like. Here, the ceramic is considered in consideration of the test temperature being 200 (° C.). Is selected. In particular, when the wiring pattern 104 to be tested is made of copper, the test temperature is 300 (° C.) or higher, so that the material of the package body 302 is preferably ceramic.
[0107]
Also, the aboveFirst formIt is of course possible to use the package member 301 for measuring circuit characteristics of a transistor or the like.
[0108]
【The invention's effect】
The circuit device of the present invention comprises a thermoelectric element for setting a circuit element to a test temperature by a thermoelectric effect.The circuit board and the thermoelectric element are mounted on the package body of the package member.By
Thermoelectric elements whose temperature changes due to the thermoelectric effect can be controlled to a desired temperature depending on the amount of electricity applied, so that the circuit characteristics of circuit elements can be measured accurately at an accurate test temperature. Since the direction of heat conduction is switched by this, circuit elements can be cooled as well as heated when measuring circuit characteristics, and a thermostat is not required for measuring circuit characteristics. Scale and power consumption can be reduced, and multiple circuit elements can be set to different test temperatures with multiple thermoelectric elements, so circuit characteristics can be measured simultaneously at multiple test temperatures. Can perform work efficiently and quickly.Furthermore, it is not necessary to arrange a separate thermoelectric element in the vicinity of the circuit board, and the circuit element can be set to the test temperature via the circuit board with a simple structure.
[0114]
In addition, Peltier element junction electrodes with circuit elements of ПOpposite to n-type and p-type semiconductorsBy being located in
In the П-type Peltier element, when a predetermined current is passed through a pair of terminal electrodes, the bonding electrode reaches a predetermined temperature, so that the circuit element can be set to the test temperature via the circuit board with a simple structure.
[0115]
In addition, the heat conducted between the thermoelectric element and the circuit board is diffused and uniformed by the thermal diffusion means,
Since the entire circuit board reaches the test temperature uniformly, the measurement accuracy of the circuit characteristics of the circuit elements can be improved.
[0116]
In the package member of the present invention, a thermoelectric element connected to a part of a plurality of lead terminals makes a circuit element a test temperature by a thermoelectric effect through a circuit board,
There is no need to arrange a separate thermoelectric element in the vicinity of the circuit board, and the circuit element can be set to the test temperature via the circuit board with a simple structure.
[0117]
Further, in the package member as described above, the junction electrode of the П type Peltier elementOpposite to n-type and p-type semiconductorsBy mounting a circuit board on
The circuit element can be set to the test temperature via the circuit board with a simple structure.
[0118]
In addition, the heat conducted between the thermoelectric element and the circuit board is diffused and uniformed by the thermal diffusion means,
Since the entire circuit board reaches the test temperature uniformly, the measurement accuracy of the circuit characteristics of the circuit elements can be improved.
[0121]
Of the present inventionFirstIn the circuit test method, when a test current is applied to the wiring pattern of the circuit device of the present invention, a predetermined current is also applied to the thermoelectric element,
Since the wiring pattern is set to the test temperature due to the thermoelectric effect of the thermoelectric element due to this energization, there is no need for a thermostatic chamber for the time measurement of the EM life of the wiring pattern, and the device scale and power consumption of the circuit test apparatus can be reduced. it can.
[0122]
Of the present inventionSecondIn the circuit test method, when measuring the circuit characteristics of the circuit elements of the circuit device of the present invention, by applying a predetermined current to the thermoelectric element of the package member,
Since the circuit element is brought to the test temperature by the thermoelectric effect of the thermoelectric element due to this energization, a thermostat is not required for measuring the circuit characteristics of the circuit element, and the device scale and power consumption of the circuit test apparatus can be reduced. .
[0123]
Of the present inventionThirdIn the circuit test method, when a test current is applied to the wiring pattern of the circuit device of the present invention, a predetermined current is applied to the thermoelectric element of the package member,
Since the wiring pattern is set to the test temperature due to the thermoelectric effect of the thermoelectric element due to this energization, there is no need for a thermostatic chamber for the time measurement of the EM life of the wiring pattern, and the device scale and power consumption of the circuit test apparatus can be reduced. it can.
[0124]
In the circuit test method using the first circuit test apparatus of the present invention, when the characteristic measuring means measures the circuit characteristics of the circuit elements of the circuit apparatus of the present invention, the element energizing means supplies a predetermined current to the thermoelectric element of the circuit board. By doing
Since the circuit element is brought to the test temperature by the thermoelectric effect of the thermoelectric element due to this energization, a thermostat is not required for measuring the circuit characteristics of the circuit element, and the device scale and power consumption of the circuit test apparatus can be reduced. .
[0125]
In the circuit test method by the second circuit test apparatus of the present invention, the circuit board of the circuit device to be tested is mounted on the package member of the present invention, and the circuit characteristics of the circuit elements of the circuit board mounted on the package member are characterized. When the measuring means measures, the element energizing means also applies a predetermined current to the thermoelectric element of the circuit board,
Since the circuit element is brought to the test temperature by the thermoelectric effect of the thermoelectric element due to this energization, a thermostat is not required for measuring the circuit characteristics of the circuit element, and the device scale and power consumption of the circuit test apparatus can be reduced. .
[0126]
In the circuit test method by the third circuit test apparatus of the present invention, when the element energizing means energizes the wiring pattern of the circuit apparatus of the present invention and the resistance measuring means measures the electrical resistance of the wiring pattern, The element energization means also energizes the thermoelectric element with a specific current,
Since the wiring pattern is set to the test temperature due to the thermoelectric effect of the thermoelectric element due to this energization, there is no need for a thermostatic chamber for the time measurement of the EM life of the wiring pattern, and the device scale and power consumption of the circuit test apparatus can be reduced it can.
[0127]
In the circuit test method using the fourth circuit test apparatus of the present invention, the circuit board of the circuit apparatus to be tested is mounted on the package member of the present invention, and the element energizing means is provided on the wiring pattern of the circuit board mounted on the package member. When a current is applied and the resistance measuring means measures the electrical resistance of the wiring pattern, the element current supplying means also supplies a specific current to the thermoelectric element of the circuit board.
Since the wiring pattern is set to the test temperature due to the thermoelectric effect of the thermoelectric element due to this energization, there is no need for a thermostatic chamber for the time measurement of the EM life of the wiring pattern, and the device scale and power consumption of the circuit test apparatus can be reduced. it can.
.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 of the present inventionReference exampleIt is a top view which shows structures, such as a wiring pattern which is a circuit element of the circuit apparatus of FIG.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.
[Fig. 3]Reference exampleIt is a schematic diagram which shows the whole structure of the circuit test apparatus.
[Fig. 4]Reference exampleIt is process drawing which shows the first half part of the circuit manufacturing method which manufactures this circuit apparatus.
FIG. 5 is a process diagram showing a second half part.
[Fig. 6]Reference exampleIt is a flowchart which shows the circuit test method which measures the circuit characteristic of this circuit apparatus.
FIG. 7 is a plan view showing a structure of a wiring pattern, a Peltier element, etc. of a circuit device according to a first modification.
8 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
FIG. 9 is a plan view illustrating a structure of a wiring pattern, a Peltier element, and the like of a circuit device according to a second modification.
10 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG.
FIG. 11 is a process diagram illustrating a main part of a circuit manufacturing method for a circuit device according to a third modified example;
FIG. 12 is a plan view showing a structure of a wiring pattern, a Peltier element, etc. of a circuit device according to a fourth modified example.
13 is a sectional view taken along the line DD of FIG.
FIG. 14 shows the implementation of the present invention.First formIt is a top view which shows structures, such as a wiring pattern which is a circuit element of the circuit apparatus of FIG.
FIG. 15 is a longitudinal side view showing a circuit device.
FIG. 16 is a plan view showing an outer shape of a wiring pattern that is a circuit element;
FIG. 17 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a wiring pattern.
FIG. 18 is a schematic diagram showing an overall structure of a circuit test system which is a circuit test apparatus.
FIG. 19 is a flowchart showing a main routine of a circuit test method by the circuit test system.
FIG. 20 is a flowchart showing a subroutine.
[Explanation of symbols]
101, 201 circuit board
102,301 Package member
104, 202 Circuit pattern as a circuit element
107,302 package body
108,303 Lead terminal
111 test board
200,300 integrated circuit device
210, 230, 250, 310 Peltier element which is a thermoelectric element
211, 212, 233, 234, 311, 312 Terminal electrode
213, 231 and 313 n-type semiconductor
214, 232, 314 p-type semiconductor
215,315 Junction electrode
216, 240, 316 Thermal diffusion plate as thermal diffusion means
220 Circuit Test System as a Circuit Test Device
221 Control unit that functions as various means

Claims (14)

回路要素の回路特性が所定の試験温度で電気的に測定される試験対象の回路装置であって、
前記回路要素を熱電効果により前記試験温度とする熱電素子と、一個のパッケージ本体と複数のリード端子からなるパッケージ部材と、を具備しており、
前記回路要素が前記熱電素子とは別体の回路基板に形成されており、
この回路基板と前記熱電素子とが前記パッケージ部材のパッケージ本体に搭載されており、
前記熱電素子と前記回路要素とが複数の前記リード端子に個々に結線されている回路装置。A circuit device under test in which circuit characteristics of circuit elements are electrically measured at a predetermined test temperature,
A thermoelectric element having the circuit element as the test temperature by a thermoelectric effect, and a package member including one package body and a plurality of lead terminals,
The circuit element is formed on a circuit board separate from the thermoelectric element,
The circuit board and the thermoelectric element are mounted on a package body of the package member,
A circuit device in which the thermoelectric element and the circuit element are individually connected to a plurality of the lead terminals . 前記熱電素子は、一個の接合電極の両端と一対の端子電極とがｎ型半導体とｐ型半導体とを個々に介してП型に接続されたペルチェ素子からなり、
前記回路基板は、前記熱電素子の接合電極に対して前記ｎ型半導体および前記ｐ型半導体とは反対の方向に配置されている請求項１に記載の回路装置。The thermoelectric element is composed of a Peltier element in which both ends of one junction electrode and a pair of terminal electrodes are connected in a П type through an n-type semiconductor and a p-type semiconductor,
The circuit device according to claim 1 , wherein the circuit board is disposed in a direction opposite to the n-type semiconductor and the p-type semiconductor with respect to a junction electrode of the thermoelectric element. 前記回路基板と前記熱電素子との間隙に熱を拡散して均一化する熱拡散手段が設けられている請求項１または２に記載の回路装置。 3. The circuit device according to claim 1 , further comprising a thermal diffusion unit configured to diffuse and uniformize heat in a gap between the circuit board and the thermoelectric element. 前記回路要素は、試験電流が通電されて電気抵抗の変化から回路特性としてＥＭ(Electro-Migration)寿命の寿命時間が測定される配線パターンからなる請求項１ないし３の何れか一項に記載の回路装置。Said circuit element is a circuit characteristics from the change in the electrical resistance test current is energized EM (Electro-Migration) to lifetime of life claims 1 consists wiring pattern to be measured according to any one of the 3 Circuit device. 試験対象の回路装置の回路要素の回路特性が所定の試験温度で電気的に測定される回路基板が搭載されるパッケージ部材であって、
前記回路基板が搭載されるパッケージ本体と、
前記回路基板の回路要素が一部に結線される複数のリード端子と、
これら複数のリード端子の一部に結線されていて前記回路基板を介して前記回路要素を熱電効果により前記試験温度とする熱電素子と、
を具備しているパッケージ部材。A package member on which a circuit board on which circuit characteristics of circuit elements of a circuit device to be tested are electrically measured at a predetermined test temperature is mounted,
A package body on which the circuit board is mounted;
A plurality of lead terminals to which circuit elements of the circuit board are connected in part;
A thermoelectric element connected to a part of the plurality of lead terminals and having the circuit element as the test temperature by a thermoelectric effect through the circuit board;
A package member comprising: 前記熱電素子は、一個の接合電極の両端と一対の端子電極とがｎ型半導体とｐ型半導体とを個々に介してП型に接続されたペルチェ素子からなり、
前記回路基板は、前記熱電素子の接合電極に対して前記ｎ型半導体および前記ｐ型半導体とは反対の方向に配置される請求項５に記載のパッケージ部材。The thermoelectric element is composed of a Peltier element in which both ends of one junction electrode and a pair of terminal electrodes are connected in a П type through an n-type semiconductor and a p-type semiconductor,
The package member according to claim 5 , wherein the circuit board is disposed in a direction opposite to the n-type semiconductor and the p-type semiconductor with respect to a junction electrode of the thermoelectric element . 前記回路基板が配置される位置と前記熱電素子との間隙に熱を拡散して均一化する熱拡散手段が設けられている請求項５または６に記載のパッケージ部材。The package member according to claim 5 or 6 , wherein heat diffusing means is provided for diffusing heat into a gap between a position where the circuit board is disposed and the thermoelectric element. 試験対象の回路装置の回路基板に回路要素として形成されている配線パターンを所定の試験温度にするとともに所定の試験電流を通電し、前記配線パターンの回路特性としてＥＭ寿命を電気抵抗の変化により試験する回路試験方法であって、
請求項４に記載の回路装置の前記配線パターンに前記試験電流を通電するとともに前記熱電素子に固有の電流を通電する回路試験方法。A wiring pattern formed as a circuit element on the circuit board of the circuit device to be tested is set to a predetermined test temperature and a predetermined test current is applied, and the EM life is tested by a change in electric resistance as a circuit characteristic of the wiring pattern. A circuit test method for
5. A circuit test method in which the test current is supplied to the wiring pattern of the circuit device according to claim 4 and a current specific to the thermoelectric element is supplied. 試験対象の回路装置の回路要素を所定の試験温度にして回路特性を電気的に測定する回路試験方法であって、
請求項５ないし７の何れか一項に記載のパッケージ部材のパッケージ本体に前記回路基板を搭載し、
この回路基板の回路要素を前記パッケージ部材のリード端子に結線し、
このパッケージ部材のリード端子から前記熱電素子に所定の電流を通電しながら前記回路要素の回路特性を測定する回路試験方法。A circuit test method for electrically measuring circuit characteristics by setting a circuit element of a circuit device to be tested to a predetermined test temperature,
The circuit board is mounted on a package body of the package member according to any one of claims 5 to 7 ,
The circuit element of this circuit board is connected to the lead terminal of the package member,
A circuit test method for measuring circuit characteristics of the circuit element while applying a predetermined current to the thermoelectric element from a lead terminal of the package member. 試験対象の回路装置の回路基板に回路要素として形成されている配線パターンを所定の試験温度にするとともに所定の試験電流を通電し、前記配線パターンの回路特性としてＥＭ寿命を電気抵抗の変化により試験する回路試験方法であって、
請求項５ないし７の何れか一項に記載のパッケージ部材のパッケージ本体に前記回路基板を搭載し、
この回路基板の配線パターンを前記パッケージ部材のリード端子に結線し、
前記パッケージ部材のリード端子から前記回路基板の配線パターンに前記試験電流を通電するとともに前記熱電素子に固有の電流を通電する回路試験方法。A wiring pattern formed as a circuit element on the circuit board of the circuit device to be tested is set to a predetermined test temperature and a predetermined test current is applied, and the EM life is tested by a change in electric resistance as a circuit characteristic of the wiring pattern. A circuit test method for
The circuit board is mounted on a package body of the package member according to any one of claims 5 to 7 ,
The wiring pattern of this circuit board is connected to the lead terminal of the package member,
A circuit test method in which the test current is supplied from a lead terminal of the package member to a wiring pattern of the circuit board and a current specific to the thermoelectric element is supplied. 試験対象の回路装置の回路基板に形成されている回路要素を所定の試験温度にして回路特性を電気的に測定する回路試験装置であって、
請求項１ないし４の何れか一項に記載の回路装置の熱電素子に所定の電流を通電する素子通電手段と、
前記回路要素の回路特性を測定する特性測定手段と、
を具備している回路試験装置。A circuit test apparatus for electrically measuring circuit characteristics by setting a circuit element formed on a circuit board of a circuit apparatus to be tested to a predetermined test temperature,
Element energization means for energizing a predetermined current to the thermoelectric element of the circuit device according to any one of claims 1 to 4 ,
Characteristic measuring means for measuring circuit characteristics of the circuit element;
A circuit test apparatus comprising: 試験対象の回路装置の回路基板に形成されている回路要素を所定の試験温度にして回路特性を電気的に測定する回路試験装置であって、
前記回路基板が搭載される請求項５ないし７の何れか一項に記載のパッケージ部材と、
このパッケージ部材の熱電素子に所定の電流を通電する素子通電手段と、
前記回路基板の回路要素の回路特性を測定する特性測定手段と、
を具備している回路試験装置。A circuit test apparatus for electrically measuring circuit characteristics by setting a circuit element formed on a circuit board of a circuit apparatus to be tested to a predetermined test temperature,
The package member according to any one of claims 5 to 7 , wherein the circuit board is mounted;
Element energization means for energizing a predetermined current to the thermoelectric element of the package member;
Characteristic measuring means for measuring circuit characteristics of circuit elements of the circuit board;
A circuit test apparatus comprising: 試験対象の回路装置の回路基板に回路要素として形成されている配線パターンを所定の試験温度にするとともに所定の試験電流を通電し、前記配線パターンの回路特性としてＥＭ寿命を電気抵抗の変化により試験する回路試験装置であって、
請求項４に記載の回路装置の配線パターンの電気抵抗を測定する抵抗測定手段と、
前記配線パターンに前記試験電流を通電する要素通電手段と、
前記回路基板の熱電素子に固有の電流を通電する素子通電手段と、
を具備している回路試験装置。A wiring pattern formed as a circuit element on a circuit board of a circuit device to be tested is set to a predetermined test temperature and a predetermined test current is applied, and EM life is tested as a circuit characteristic of the wiring pattern by a change in electric resistance. A circuit testing device for
Resistance measuring means for measuring the electrical resistance of the wiring pattern of the circuit device according to claim 4 ,
Element energizing means for energizing the test current to the wiring pattern;
An element energizing means for energizing a current specific to the thermoelectric element of the circuit board;
A circuit test apparatus comprising: 試験対象の回路装置の回路基板に回路要素として形成されている配線パターンを所定の試験温度にするとともに所定の試験電流を通電し、前記配線パターンの回路特性としてＥＭ寿命を電気抵抗の変化により試験する回路試験装置であって、
前記回路基板が搭載される請求項５ないし７の何れか一項に記載のパッケージ部材と、
このパッケージ部材に搭載された前記回路基板の配線パターンの電気抵抗を測定する抵抗測定手段と、
前記回路基板の配線パターンに前記試験電流を通電する要素通電手段と、
前記パッケージ部材の熱電素子に固有の電流を通電する素子通電手段と、
を具備している回路試験装置。A wiring pattern formed as a circuit element on the circuit board of the circuit device to be tested is set to a predetermined test temperature and a predetermined test current is applied, and the EM life is tested by a change in electric resistance as a circuit characteristic of the wiring pattern. A circuit testing device for
The package member according to any one of claims 5 to 7 , wherein the circuit board is mounted;
Resistance measuring means for measuring the electrical resistance of the wiring pattern of the circuit board mounted on the package member;
Element energizing means for energizing the test current to the wiring pattern of the circuit board;
Element energization means for energizing a current specific to the thermoelectric element of the package member;
A circuit test apparatus comprising:
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