JP7200941B2 - 有機光ダイオードおよびこれを含む有機イメージセンサ - Google Patents

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Description

本出願は、2017年10月18日付で韓国特許庁に提出された韓国特許出願第10-2017-0135199号および2018年9月14日付で韓国特許庁に提出された韓国特許出願第10-2018-0110129号の出願日の利益を主張し、その内容のすべては本明細書に組み込まれる。
本明細書は、有機光ダイオードおよびこれを含む有機イメージセンサに関する。
スマート機器の発展に伴い、光ダイオードを含むイメージセンサは、高い解像度が求められている。しかし、現在、主に使用されているシリコンを用いた光ダイオードの場合、薄膜化されにくく、吸光度を高めるのに限界がある。
これによって、吸光度が高く、吸光波長が多様な有機光ダイオードがシリコンダイオードを代替する物質として注目されているが、既存の有機光ダイオードは、シリコンダイオードに比べて可視光領域で効率が低下する問題点がある。これを解決するために、有機光ダイオードの有機物質に対する研究が必要である。
本明細書は、有機光ダイオードおよびこれを含む有機イメージセンサを提供する。
本明細書の一実施態様は、第1電極と、
前記第1電極に対向して備えられる第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に備えられる1層以上の有機物層とを含み、
前記有機物層のうちの1層以上は、下記化学式1の化合物を含むものである有機光ダイオードを提供する。
[化学式1]
Figure 0007200941000001
前記化学式1において、
RaおよびRbは、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、電子受容体として作用する基であり、
Y1~Y5は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
Y6およびY7は、互いに異なり、それぞれ独立に、直接結合、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
aは、0または1であり、
aが0の場合、Y6は、直接結合であり、Y7は、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
aが1の場合、Y7は、直接結合であり、Y6は、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
nおよびmは、それぞれ0~5の整数であり、
nおよびmが2以上の場合、括弧内の構造は、互いに同一または異なり、
R11~R14は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、炭素数1~4のアルキル基であり、
R1、R2、RおよびR'は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;置換もしくは非置換のアルキル基;置換もしくは非置換のシクロアルキル基;置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のヘテロ環基である。
また、本明細書の一実施態様は、前記有機光ダイオードを含む有機イメージセンサを提供する。
本明細書の一実施態様に係る有機光ダイオードは、緑色、赤色、青色領域のうち、2つ以上の領域での光吸収が可能である。
本明細書の一実施態様に係る有機光ダイオードの有機物層は、蒸着工程により形成可能である。
本明細書の一実施態様に係る有機光ダイオードは、効率に優れる。
本明細書の一実施態様に係る有機光ダイオードを示す断面図である。 化合物A-2のMSスペクトルを示す図である。 化合物1のMALDI-TOF測定結果を示す図である。 実施例1で製造された有機光電素子の電圧に応じた電流密度を示す図である。
以下、本明細書について詳細に説明する。
本明細書は、第1電極と、前記第1電極に対向して備えられる第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に備えられる1層以上の有機物層とを含み、前記有機物層のうちの1層以上は、前記化学式1の化合物を含むものである有機光ダイオードを提供する。
前記化合物は、アルキルチェーンに硫黄(S)が導入されて、分子内のカルコゲン-カルコゲン相互作用(chalcogen-chalcogen interaction)で結晶性が向上する。また、前記化合物は、R11~R14に炭素数の少ないアルキル基が導入されて、硬い(rigid)構造を有するため、電荷移動度に優れる。したがって、有機光ダイオードへの適用時、優れた効率を示すことができる。
本明細書において、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに包含できることを意味する。
本明細書において、ある部材が他の部材の「上に」位置しているとする時、これは、ある部材が他の部材に接している場合のみならず、2つの部材の間にさらに他の部材が存在する場合も含む。
本明細書において、
Figure 0007200941000002
は、他の置換基、単量体または結合部に結合する部位を意味する。
本明細書において、置換基の例示は以下に説明するが、これに限定されるものではない。
前記「置換」という用語は、化合物の炭素原子に結合した水素原子が他の置換基に変わることを意味し、置換される位置は、水素原子が置換される位置すなわち、置換基が置換可能な位置であれば限定せず、2以上置換される場合、2以上の置換基は、互いに同一または異なっていてもよい。
本明細書において、「置換もしくは非置換の」という用語は、重水素;ハロゲン基;ニトリル基;ニトロ基;イミド基;アミド基;カルボニル基;エステル基;ヒドロキシ基;アルキル基;シクロアルキル基;アルコキシ基;アリールオキシ基;アルキルチオキシ基;アリールチオキシ基;アルキルスルホキシ基;アリールスルホキシ基;アルケニル基;シリル基;シロキサン基;ホウ素基;アミン基;アリールホスフィン基;ホスフィンオキシド基;アリール基;およびヘテロ環基からなる群より選択された1または2以上の置換基で置換されているか、前記例示された置換基のうち2以上の置換基が連結された置換基で置換されるか、もしくはいずれの置換基も有しないことを意味する。例えば、「2以上の置換基が連結された置換基」は、ビフェニル基であってもよい。すなわち、ビフェニル基は、アリール基であってもよく、2個のフェニル基が連結された置換基と解釈されてもよい。
本明細書において、ハロゲン基は、フッ素、塩素、臭素、またはヨウ素になってもよい。
本明細書において、前記アルキル基は、直鎖もしくは分枝鎖であってもよく、炭素数は特に限定されないが、1~30のものが好ましい。具体例としては、メチル、エチル、プロピル、n-プロピル、イソプロピル、ブチル、n-ブチル、イソブチル、tert-ブチル、sec-ブチル、1-メチル-ブチル、1-エチル-ブチル、ペンチル、n-ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、tert-ペンチル、ヘキシル、n-ヘキシル、2-エチルヘキシル、2-エチルブチル、1-メチルペンチル、2-メチルペンチル、4-メチル-2-ペンチル、3,3-ジメチルブチル、ヘプチル、n-ヘプチル、1-メチルヘキシル、オクチル、n-オクチル、tert-オクチル、1-メチルヘプチル、2-プロピルペンチル、n-ノニル、2,2-ジメチルヘプチル、1-エチル-プロピル、1,1-ジメチル-プロピル、イソヘキシル、4-メチルヘキシル、5-メチルヘキシル、2,6-ジメチルオクタンなどがあるが、これらに限定されるものではない。
本明細書において、シクロアルキル基は特に限定されないが、炭素数3~30のものが好ましく、具体的には、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、3-メチルシクロペンチル、2,3-ジメチルシクロペンチル、シクロヘキシル、3-メチルシクロヘキシル、4-メチルシクロヘキシル、2,3-ジメチルシクロヘキシル、3,4,5-トリメチルシクロヘキシル、4-tert-ブチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルなどがあるが、これらに限定されるものではない。
本明細書において、アリール基は、単環式または多環式であってもよい。
前記アリール基が単環式アリール基の場合、炭素数は特に限定されないが、炭素数6~30のものが好ましい。具体的には、単環式アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などになってもよいが、これらに限定されるものではない。
前記アリール基が多環式アリール基の場合、炭素数は特に限定されないが、炭素数10~30のものが好ましい。具体的には、多環式アリール基としては、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、ペリレニル基、クリセニル基、フルオレニル基などになってもよいが、これらに限定されるものではない。
本明細書において、前記フルオレニル基は置換されていてもよいし、隣接した置換基が互いに結合して環を形成してもよい。
本明細書において、ヘテロ環基は、炭素でない原子、異種原子を1以上含むものであって、具体的には、前記異種原子は、O、N、Se、およびSなどからなる群より選択される原子を1以上含むことができる。炭素数は特に限定されないが、炭素数2~30のものが好ましく、前記ヘテロ環基は、単環式または多環式であってもよい。ヘテロ環基の例としては、チオフェン基、イミダゾリル基、チアゾリル基、ピリジル基、ビピリジル基、ピリミジル基、トリアジニル基、トリアゾリル基、アクリジル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、キノリニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、フタラジニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンズオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾカルバゾリル基、ベンゾチオフェン基、ジベンゾチオフェン基、ベンゾフラニル基、フェナントロリニル基(phenanthroline)、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、フェノチアジニル基、およびジベンゾフラニル基などがあるが、これらに限定されるものではない。
本明細書の一実施態様において、前記化学式1は、下記化学式2または3で表されてもよい。
[化学式2]
Figure 0007200941000003
[化学式3]
Figure 0007200941000004
前記化学式2または3において、
Y6およびY7は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
Ra、Rb、Y1~Y5、R1、R2、R11~R14、n、m、RおよびR'は、化学式1で定義した通りである。
本明細書の一実施態様において、前記化学式3は、下記化学式1-1または化学式1-2で表されてもよい。
[化学式1-1]
Figure 0007200941000005
[化学式1-2]
Figure 0007200941000006
前記化学式1-1または化学式1-2において、
Y6は、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
Ra、Rb、Y1~Y5、R1、R2、R11~R14、RおよびR'は、化学式1で定義した通りである。
本明細書の一実施態様において、前記R1およびR2は、水素である。
本明細書の一実施態様において、前記RaおよびRbは、互いに同一または異なり、それぞれ下記構造のうちのいずれか1つである。
Figure 0007200941000007
前記構造において、
c、dおよびeは、それぞれ1~4の整数であり、
c、dおよびeがそれぞれ2以上の場合、2以上の括弧内の構造は、互いに同一または異なり、
R20~R25は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;ハロゲン基;置換もしくは非置換のアルキル基;置換もしくは非置換のシクロアルキル基;置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のヘテロ環基である。
本明細書の一実施態様において、前記RaおよびRbは、互いに同一または異なり、それぞれ下記構造のうちのいずれか1つである。
Figure 0007200941000008
本明細書の一実施態様において、前記R20~R25は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;ハロゲン基;置換もしくは非置換のアルキル基;置換もしくは非置換のシクロアルキル基;置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のヘテロ環基である。
本明細書の一実施態様において、前記R20~R25は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;または置換もしくは非置換のアルキル基である。
本明細書の一実施態様において、前記R20は、置換もしくは非置換のアルキル基である。
本明細書の一実施態様において、前記R20は、炭素数1~30の置換もしくは非置換のアルキル基である。
本明細書の一実施態様において、前記R20は、炭素数1~20の置換もしくは非置換のアルキル基である。
本明細書の一実施態様において、前記R20は、炭素数1~10の置換もしくは非置換のアルキル基である。
本明細書の一実施態様において、前記R20は、エチル基である。
本明細書の一実施態様において、前記R21~R23は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素またはハロゲン基である。
本明細書の一実施態様において、前記R21は、水素である。
本明細書の一実施態様において、前記R22は、水素である。
本明細書の一実施態様において、前記R23は、水素である。
本明細書の一実施態様において、前記R23は、フッ素である。
本明細書の一実施態様において、前記R24は、水素である。
本明細書の一実施態様において、前記R25は、水素である。
本明細書の一実施態様において、前記RaおよびRbは、互いに同一または異なり、それぞれ下記構造のうちのいずれか1つである。
Figure 0007200941000009
本明細書の一実施態様において、前記化学式1は、下記化学式1-11~1-24のうちのいずれか1つで表されてもよい。
[化学式1-11]
Figure 0007200941000010
[化学式1-12]
Figure 0007200941000011
[化学式1-13]
Figure 0007200941000012
[化学式1-14]
Figure 0007200941000013
[化学式1-15]
Figure 0007200941000014
[化学式1-16]
Figure 0007200941000015
[化学式1-17]
Figure 0007200941000016
[化学式1-18]
Figure 0007200941000017
[化学式1-19]
Figure 0007200941000018
[化学式1-20]
Figure 0007200941000019
[化学式1-21]
Figure 0007200941000020
[化学式1-22]
Figure 0007200941000021
[化学式1-23]
Figure 0007200941000022
[化学式1-24]
Figure 0007200941000023
前記化学式1-11~1-24において、
Y6およびY7は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
Y1、R11~R14、RおよびR'は、化学式1で定義した通りである。
本明細書の一実施態様において、前記Y1、Y6およびY7は、それぞれSである。
本明細書の一実施態様において、前記R11~R14は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、炭素数1~4のアルキル基である。
前記R11~R14の炭素数が1~4の場合、炭素数が5以上の場合に比べて、硬い(rigid)構造を有するため、電荷移動度に優れ、蒸着工程に有利である。
本明細書の一実施態様において、前記R11~R14の炭素数が5以上の場合、蒸着工程が不可能である。
本明細書の一実施態様において、前記R11~R14は、それぞれメチル基である。
本明細書の一実施態様において、前記化学式1は、下記構造のうちのいずれか1つで表される。
Figure 0007200941000024
本明細書の一実施態様によれば、前記化合物は、400nm~850nmにおける最大吸収波長を有する。好ましくは、450nm~700nmにおける最大吸収波長を有する。これによって、ダイオードへの適用時、緑色、赤色、青色領域のうち、2つ以上の領域での光吸収が可能であるので、素子の効率が向上する効果を示すことができる。
本明細書の一実施態様において、前記緑色領域は、最大発光波長が500nm~570nmの間にあるものを、赤色領域は、最大発光波長が630nm~850nmの間にあるものを、青色領域は、最大発光波長が400nm~480nmの間にあるものを意味することができる。
本明細書の一実施態様において、前記化合物は、可視光線全波長領域の光吸収が可能であり、赤外線領域の光も吸収することができる。例えば、380nm~780nm程度の波長範囲のみならず、780nm以上の領域の光も吸収可能である。これによって、ダイオードへの適用時、素子の吸収波長範囲が広い効果を示すことができる。
本明細書の一実施態様において、前記化合物は、蒸着工程によりフィルムに形成される。
本明細書の一実施態様において、前記有機光ダイオードは、第1電極と、前記第1電極に対向して備えられる第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に備えられる1層以上の有機物層とを含み、前記有機物層のうちの1層以上は、前記化合物を含む。
本明細書の一実施態様において、前記有機物層は、光活性層を含み、前記光活性層は、電子供与体物質および電子受容体物質を含み、前記電子供与体物質は、前記化合物を含む。
本明細書の一実施態様において、前記有機物層は、光活性層を含み、前記光活性層は、p型有機物層およびn型有機物層を含み、前記p型有機物層は、前記化合物を含む。
本明細書の一実施態様において、前記電子受容体物質およびn型有機物層は、フラーレン、フラーレン誘導体、バソクプロイン、半導体性元素、半導体性化合物、およびこれらの組み合わせからなる群より選択されてもよい。具体的には、フラーレン(fullerene)、フラーレン誘導体(PCBM((6,6)-phenyl-C61-butyric acid-methylester)またはPCBCR((6,6)-phenyl-C61-butyric acid-cholesteryl ester))、ペリレン(perylene)PBI(polybenzimidazole)、およびPTCBI(3,4,9,10-perylene-tetracarboxylic bis-benzimidazole)からなる群より選択される1または2以上の化合物である。
本明細書の一実施態様において、前記電子供与体物質および電子受容体物質は、バルクヘテロジャンクション(BHJ)を構成する。バルクヘテロジャンクションとは、光活性層で電子供与体物質と電子受容体物質とが互いに混合されていることを意味する。
本明細書の一実施態様において、前記光活性層は、蒸着工程により形成される。
本明細書の一実施態様において、前記光活性層は、電子供与体物質と電子受容体物質とを共蒸着して形成される。具体的には、前記光活性層は、電子供与体物質と電子受容体物質をそれぞれ異なるボート(boat)に入れて、電極または電荷補助層上に同時に蒸着して形成することができる。
本明細書の一実施態様において、電極は、第1電極および/または第2電極を意味し、電荷補助層は、電子輸送層および/または正孔輸送層を意味する。
本明細書の一実施態様において、前記光活性層は、電子供与体物質と電子受容体物質を順次に蒸着して二重層(bilayer)構造に形成される。具体的には、前記光活性層は、電子供与体物質と電子受容体物質を順次に蒸着して、p型有機物層およびn型有機物層からなる二重層を形成することができる。
本明細書の一実施態様において、前記p型有機物層およびn型有機物層は、1:9~9:1の厚さ比で形成される。より具体的には、3:7~7:3の厚さ比で形成される。
本明細書の一実施態様に係る有機光ダイオードは、第1電極と、光活性層と、第2電極とを含む。前記有機光ダイオードは、基板、正孔輸送層、および/または電子輸送層がさらに含まれてもよい。
本明細書の一実施態様において、前記有機光ダイオードは、基板、正孔輸送層、および/または電子輸送層がさらに含まれてもよい。
本明細書の一実施態様において、前記有機光ダイオードは、付加的な有機物層をさらに含んでもよい。前記有機光ダイオードは、様々な機能を同時に有する有機物を用いて有機物層の数を減少させることができる。
本明細書の一実施態様において、前記第1電極は、アノードであり、前記第2電極は、カソードである。もう一つの実施態様において、前記第1電極は、カソードであり、前記第2電極は、アノードである。
もう一つの実施態様において、前記有機光ダイオードは、アノード、正孔輸送層、光活性層、電子輸送層、およびカソードの順に配列されてもよく、カソード、電子輸送層、光活性層、正孔輸送層、およびアノードの順に配列されてもよいが、これに限定されない。
本明細書の一実施態様において、前記有機光ダイオードは、ノーマル(Normal)構造である。前記ノーマル構造において、基板、アノード、光活性層を含む有機物層、およびカソードの順に積層される。また、カソード上にパッシベーション層を追加的に含んでもよい。
本明細書の一実施態様において、前記有機光ダイオードは、インバーテッド(Inverted)構造である。前記インバーテッド構造では、基板、カソード、光活性層を含む有機物層、およびアノードの順に積層される。また、アノード上にパッシベーション層を追加的に含んでもよい。
前記パッシベーション層は、有機光ダイオードの露出面上に形成されてもよいし、有機光ダイオードの保護のみならず、基板の除去時に発生する衝撃およびストレスなどを吸収することができる。
図1は、本明細書の一実施態様に係る有機光ダイオード100を示す図である。図1によれば、有機光ダイオード100は、第1電極10および/または第2電極20側から光が入射して光活性層30が全波長領域の光を吸収すると、内部でエキシトンが生成される。エキシトンは、光活性層30で正孔と電子に分離され、分離された正孔は、第1電極10および第2電極20のうちの1つであるアノード側に移動し、分離された電子は、第1電極10および第2電極20のうちの他の1つであるカソード側に移動して、有機光ダイオードに電流が流れることができる。
本明細書の一実施態様において、前記有機光ダイオードは、タンデム(tandem)構造である。
本明細書の一実施態様において、前記有機光ダイオードは、光活性層に前記化合物を使用することを除けば、当技術分野における材料および/または方法を限定なく使用可能である。
本明細書の一実施態様において、前記基板は、透明性、表面平滑性、取扱容易性および防水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板になってもよいが、これに限定されず、有機電子素子に通常使用される基板であれば制限はない。具体的には、ガラス、またはPET(polyethylene terephthalate)、PEN(polyethylene naphthalate)、PP(polypropylene)、PI(polyimide)、TAC(triacetyl cellulose)などがあるが、これらに限定されるものではない。
前記アノード電極は、透明かつ導電性に優れた物質になってもよいが、これに限定されない。バナジウム、クロム、銅、亜鉛、金のような金属、またはこれらの合金;亜鉛酸化物、インジウム酸化物、インジウムスズ酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)のような金属酸化物;ZnO:AlまたはSnO:Sbのような金属と酸化物との組み合わせ;およびポリ(3-メチルチオフェン)、ポリ[3,4-(エチレン-1,2-ジオキシ)チオフェン](PEDOT)、ポリピロールおよびポリアニリンのような導電性高分子などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
前記アノード電極の形成方法は特に限定されないが、例えば、スパッタリング、E-ビーム、熱蒸着、スピンコーティング、スクリーンプリンティング、インクジェットプリンティング、ドクターブレード、またはグラビアプリンティング法を用いて、基板の一面に塗布されるか、フィルム形態にコーティングされることにより形成される。
前記アノード電極を基板上に形成する場合、これは、洗浄、水分除去および親水性改質過程を経ることができる。
例えば、パターニングされたITO基板を洗浄剤、アセトン、イソプロピルアルコール(IPA)で順次に洗浄した後、水分除去のために、加熱板で100℃~150℃で1分~30分間、好ましくは120℃で10分間乾燥し、基板が完全に洗浄されると、基板の表面を親水性に改質する。
前記のような表面改質により接合表面電位を光活性層の表面電位に適した水準に維持することができる。また、改質時、アノード電極上に高分子薄膜の形成が容易になり、薄膜の品質が向上することもできる。
アノード電極のための前処理技術としては、a)平行平板型放電を利用した表面酸化法、b)真空状態でUV紫外線を用いて生成されたオゾンを通して表面を酸化する方法、およびc)プラズマによって生成された酸素ラジカルを用いて酸化する方法などがある。
アノード電極または基板の状態によって、前記方法のうちの1つを選択することができる。ただし、どの方法を利用しても、共通して、アノード電極または基板表面の酸素離脱を防止し、水分および有機物の残留を最大限に抑制することが好ましい。この時、前処理の実質的な効果を極大化することができる。
具体例として、UVを用いて生成されたオゾンを通して表面を酸化する方法を使用することができる。この時、超音波洗浄後、パターニングされたITO基板を加熱板(hot plate)でベーク(baking)してよく乾燥させた後、チャンバに投入し、UVランプを作用させて、酸素ガスがUV光と反応して発生するオゾンによってパターニングされたITO基板を洗浄することができる。
しかし、本明細書におけるパターニングされたITO基板の表面改質方法は特に限定させる必要はなく、基板を酸化させる方法であればいかなる方法でも構わない。
前記カソード電極は、仕事関数の小さい金属になってもよいが、これに限定されない。具体的には、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタン、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズおよび鉛のような金属、またはこれらの合金;またはLiF/Al、LiO/Al、LiF/Fe、Al:Li、Al:BaF、Al:BaF:Baのような多層構造の物質になってもよいが、これに限定されるものではない。
前記カソード電極は、5×10-7torr以下の真空度を示す熱蒸着器の内部で蒸着されて形成されるが、この方法にのみ限定されるものではない。
前記パッシベーション層は、シリコン酸化膜(SiOx)とシリコン窒化膜(SiNx)などのような無機系物質、またはベンゾシクロブテン(BCB)とフォトアクリル(photo acryl)などのような有機系物質からなってもよいが、これに限定されるものではない。
前記パッシベーション層は、有機光ダイオードの露出面上にプラズマ強化化学気相蒸着法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition:PECVD)を利用して形成することができる。
前記正孔輸送層および/または電子輸送層物質は、光活性層から分離された電子と正孔を電極に効率的に伝達させる役割を担い、物質を特に制限しない。
前記正孔輸送層物質は、PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenediocythiophene)doped with poly(styrenesulfonic acid))、モリブデン酸化物(MoO);バナジウム酸化物(V);ニッケル酸化物(NiO);およびタングステン酸化物(WO)などになってもよいが、これらにのみ限定されるものではない。
前記電子輸送層物質は、BCP(bathocuproine)または電子抽出金属酸化物(electron-extracting metal oxides)になってもよいし、具体的には、BCP(bathocuproine)、8-ヒドロキシキノリンの金属錯体;Alqを含む錯体;Liqを含む金属錯体;LiF;Ca;チタン酸化物(TiO);亜鉛酸化物(ZnO);およびセシウムカーボネート(CsCO)などになってもよいが、これらにのみ限定されるものではない。
前記正孔輸送層および電子輸送層は、各物質は当技術分野で使用される方法で形成される。例えば、各物質を有機溶媒に溶解させた後、溶液をスピンコーティング、ディップコーティング、スクリーンプリンティング、スプレーコーティング、ドクターブレード、ブラシペインティングなどの方法で形成することができ、前記化合物を蒸着工程によりフィルム形態に製造した後に形成することができるが、これらの方法にのみ限定されるものではない。
本明細書の一実施態様は、前記有機光ダイオードを含む有機イメージセンサを提供する。
本明細書の一実施態様に係る有機イメージセンサは、電子装置に適用可能であり、例えば、モバイルフォン、デジタルカメラなどに適用可能であるが、これに限定されるものではない。
前記化合物の製造方法、これを含む有機光ダイオードの製造方法およびこれを含む有機イメージセンサの製造は、以下の製造例および実施例で具体的に説明する。しかし、下記の実施例は本明細書を例示するためのものであり、本明細書の範囲がこれらによって限定されるものではない。
製造例1.化合物A-3の製造
(1)化合物A-2の製造
Figure 0007200941000025
常温で100mLのドライジメチルスルホキシド(dry dimethyl sulfoxide、dry DMSO)に、化合物A-1(4g、15.02mmol)およびソジウムタート-ブトキシド(sodium tert-butoxide、Na-t-butoxide)6.56g(68.3mmol)を添加した。20分後、二硫化炭素(CS)を注射器を用いてゆっくり注入した。30分後、メチルアイオダイド(methyl iodide、MeI)を注射器を用いて添加し、混合物を常温で10時間撹拌した。その後、生成物を氷水に注ぎ、NHOHを添加して、残留MeIをクエンチング(quenching)させた。生成された沈殿物をジエチルエーテルで抽出した後、有機層を水で3回洗浄した。その後、カラムクロマトグラフィーで精製して、化合物A-2を得た。
図2は、化合物A-2のMSスペクトルを示す図である。
(2)化合物A-3の製造
Figure 0007200941000026
5.42mLのN,N-ジメチルホルムアミド(N,N-dimethylformamide、DMF)(70mmol)に、6.22mLのオキシ塩化リン(phosphorus oxychloride、POCl)(66.72mmol)を添加し、0℃で60分間撹拌して混合溶液を用意した。用意された混合溶液に、化合物A-2 3.95g(8.34mmol)を120mLのジクロロエタン(dichloroethane、DCE)に溶かした溶液を添加し、100℃で48時間撹拌した。撹拌後、1Mのアセテート(acetate)を添加し、中和のために1時間撹拌した。その後、ジクロロメタン(dichloromethane)で抽出し、抽出物を無水硫酸マグネシウム(anhydrous MgSO)で乾燥させて蒸発させた。減圧下で溶媒を除去した後、残留物をヘキサン(hexane)とクロロホルム(chloroform)を溶離液(eluent)として使用するフラッシュクロマトグラフィー(flash chromatography)(hexane:chloroform=4:1)により精製して、化合物A-3を得た。
製造例2.化合物1の製造
Figure 0007200941000027
化合物A-3(0.212g、0.4mmol)と化合物B-1(0.645g、4.0mmol)を50mLクロロホルム(CHCl)に溶かし、常温で3mLのピリジン(pyridine)を徐々に注入した。この後、24時間還流した後、常温に温度を下げた後、沈殿物を濾過した。濾過した部分を再び加熱されたクロロホルムで2時間撹拌後に再び濾過して、化合物1を得た。この時、MALDI-TOFを用いて分子量を測定することにより、化合物1が製造されたことを確認した。(MALDI-TOF分子量:815.8m/z)
図3は、化合物1のMALDI-TOF測定結果を示す図である。
製造例3.化合物2の製造
Figure 0007200941000028
製造例2において、化合物B-1の代わりに化合物B-2を用いたことを除けば、同様の方法で化合物2を製造した。この時、MALDI-TOFを用いて分子量を測定することにより、化合物2が製造されたことを確認した。(MALDI-TOF分子量:882.3m/z)
製造例4.化合物3の製造
Figure 0007200941000029
製造例2において、化合物B-1の代わりに化合物B-3を用いたことを除けば、同様の方法で化合物3を製造した。この時、MALDI-TOFを用いて分子量を測定することにより、化合物3が製造されたことを確認した。(MALDI-TOF分子量:786.5m/z)
製造例5.化合物4の製造
Figure 0007200941000030
製造例2において、化合物B-1の代わりに化合物B-4を用いたことを除けば、同様の方法で化合物4を製造した。この時、MALDI-TOFを用いて分子量を測定することにより、化合物4が製造されたことを確認した。(MALDI-TOF分子量:978.3m/z)
製造例6.化合物5の製造
Figure 0007200941000031
製造例2において、化合物B-1の代わりに化合物B-5を用いたことを除けば、同様の方法で化合物5を製造した。この時、MALDI-TOFを用いて分子量を測定することにより、化合物5が製造されたことを確認した。(MALDI-TOF分子量:954.1m/z)
製造例7.化合物6の製造
Figure 0007200941000032
製造例2において、化合物B-1の代わりに化合物B-6を用いたことを除けば、同様の方法で化合物6を製造した。この時、MALDI-TOFを用いて分子量を測定することにより、化合物6が製造されたことを確認した。(MALDI-TOF分子量:838.1m/z)
製造例8.化合物7の製造
Figure 0007200941000033
製造例2において、化合物B-1の代わりに化合物B-7を用いたことを除けば、同様の方法で化合物7を製造した。この時、MALDI-TOFを用いて分子量を測定することにより、化合物7が製造されたことを確認した。(MALDI-TOF分子量:625.8m/z)
実施例1.
ガラス基板上にITOをスパッタリングで積層して約100nmの厚さの第1電極(アノード)を形成し、その上に、正孔輸送層としてモリブデン酸化物(MoO、0<x≦3)薄膜を30nmの厚さに積層した。次に、モリブデン酸化物(MoO、0<x≦3)薄膜上に、前記製造例の化合物(p型有機物層)とC60(n型有機物層)とを3:4の厚さ比で蒸着して80nmの厚さの光活性層を形成した。次に、光活性層上に、BCP(bathocuproine)を8nmの厚さに熱蒸着して電子輸送層を形成した。最後に、アルミニウム(Al)を熱蒸着で80nmの厚さの第2電極(カソード)を形成して、有機光電素子を作製した。
比較例1.
前記化合物A-2で有機光電素子の作製を試みたが、化合物A-2は粘度がある状態でフィルムの形成が不可能であることによって、有機光電素子の作製が不可能であった。
比較例2.
前記化学式1において、R11~R14が炭素数5以上の化合物を合成した後、有機光電素子の作製を試みたが、蒸着工程が不可能であった。
表1には、実施例1~5で製造された有機光電素子の性能を測定して示した。
Figure 0007200941000034
前記表1の結果を通して、実施例で製造された有機光電素子が、光のない条件(0mW/cm)で電流(J)値が0に近い値を示し、光のある条件(100mW/cm)では電流値が上昇することを確認することができる。すなわち、本明細書の一実施態様に係る化合物を有機光電素子に適用した場合、優れた性能を示すことを確認することができる。
図4は、実施例1で製造された有機光電素子の電圧に応じた電流密度を示す図である。具体的には、図4にて、Jdarkは、光のない状態で電圧に応じた電流密度を測定したデータであり、Jphotoは、100mW/cmの光を照射しながら電圧に応じた電流密度を測定したデータである。光のない状態では電圧に応じた電流密度が0に隣接するほど、光のある状態では電圧に応じた電流密度が高いほど、性能に優れている。実施例1の性能の測定結果、光のない場合(Jdark)の電流値が0に隣接した値を示すことにより、素子の性能に優れていることを確認することができる。
10:第1電極
20:第2電極
30:光活性層
100:有機光ダイオード

Claims (11)

  1. 第1電極と、
    前記第1電極に対向して備えられる第2電極と、
    前記第1電極と前記第2電極との間に備えられる1層以上の有機物層とを含み、
    前記有機物層のうちの1層以上は、400nm~850nmにおける最大吸収波長を有する下記化学式1の化合物を含むものである有機光ダイオード:
    [化学式1]
    Figure 0007200941000035
    前記化学式1において、
    RaおよびRbは、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、電子受容体として作用する基であり、
    Y1~Y5は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
    aは、1であり、
    Y7は、直接結合であり、Y6は、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
    nおよびmは、それぞれ0~5の整数であり、
    nおよびmが2以上の場合、括弧内の構造は、互いに同一または異なり、
    R11~R14は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、炭素数1~4のアルキル基であり、
    R1、R2、RおよびR'は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;置換もしくは非置換のアルキル基;置換もしくは非置換のシクロアルキル基;置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のヘテロ環基である。
  2. 前記化学式1は、下記化学式3で表されるものである、請求項1に記載の有機光ダイオード:
    [化学式3]
    Figure 0007200941000036
    前記化学式3において、
    Y6は、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
    Ra、Rb、Y1~Y5、R1、R2、R11~R14、n、m、RおよびR'は、化学式1で定義した通りである。
  3. 第1電極と、
    前記第1電極に対向して備えられる第2電極と、
    前記第1電極と前記第2電極との間に備えられる1層以上の有機物層とを含み、
    前記有機物層のうちの1層以上は、400nm~850nmにおける最大吸収波長を有する下記化学式1-1または化学式1-2の化合物を含むものである有機光ダイオード:
    [化学式1-1]
    Figure 0007200941000037
    [化学式1-2]
    Figure 0007200941000038
    前記化学式1-1または化学式1-2において、
    Y6は、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
    RaおよびRbは、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、電子受容体として作用する基であり、
    Y1~Y5は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
    R11~R14は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、炭素数1~4のアルキル基であり、
    R1、R2、RおよびR'は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;置換もしくは非置換のアルキル基;置換もしくは非置換のシクロアルキル基;置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のヘテロ環基である。
  4. 第1電極と、
    前記第1電極に対向して備えられる第2電極と、
    前記第1電極と前記第2電極との間に備えられる1層以上の有機物層とを含み、
    前記有機物層のうちの1層以上は、400nm~850nmにおける最大吸収波長を有する下記化学式1の化合物を含むものである有機光ダイオード:
    [化学式1]
    Figure 0007200941000039
    前記化学式1において、
    Y1~Y5は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
    Y6およびY7は、互いに異なり、それぞれ独立に、直接結合、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
    aは、0または1であり、
    aが0の場合、Y6は、直接結合であり、Y7は、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
    aが1の場合、Y7は、直接結合であり、Y6は、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
    nおよびmは、それぞれ0~5の整数であり、
    nおよびmが2以上の場合、括弧内の構造は、互いに同一または異なり、
    R11~R14は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、炭素数1~4のアルキル基であり、
    R1、R2、RおよびR'は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;置換もしくは非置換のアルキル基;置換もしくは非置換のシクロアルキル基;置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のヘテロ環基であり、
    RaおよびRbは、互いに同一または異なり、それぞれ下記構造のうちのいずれか1つであり、
    Figure 0007200941000040
    前記構造において、
    c、dおよびeは、それぞれ1~4の整数であり、
    c、dおよびeがそれぞれ2以上の場合、2以上の括弧内の構造は、互いに同一または異なり、
    R20~R25は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;ハロゲン基;置換もしくは非置換のアルキル基;置換もしくは非置換のシクロアルキル基;置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のヘテロ環基である。
  5. 第1電極と、
    前記第1電極に対向して備えられる第2電極と、
    前記第1電極と前記第2電極との間に備えられる1層以上の有機物層とを含み、
    前記有機物層のうちの1層以上は、400nm~850nmにおける最大吸収波長を有する下記化学式1の化合物を含むものである有機光ダイオード:
    [化学式1]
    Figure 0007200941000041
    前記化学式1において、
    RaおよびRbは、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、電子受容体として作用する基であり、
    Y1~Y5は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
    Y6およびY7は、互いに異なり、それぞれ独立に、直接結合、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
    aは、0または1であり、
    aが0の場合、Y6は、直接結合であり、Y7は、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
    aが1の場合、Y7は、直接結合であり、Y6は、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
    nおよびmは、それぞれ0~5の整数であり、
    nおよびmが2以上の場合、括弧内の構造は、互いに同一または異なり、
    R11~R14は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、炭素数1~4のアルキル基であり、
    R1およびR2は、水素であり、
    RおよびR'は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;置換もしくは非置換のアルキル基;置換もしくは非置換のシクロアルキル基;置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のヘテロ環基である。
  6. 第1電極と、
    前記第1電極に対向して備えられる第2電極と、
    前記第1電極と前記第2電極との間に備えられる1層以上の有機物層とを含み、
    前記有機物層のうちの1層以上は、400nm~850nmにおける最大吸収波長を有する下記化学式1-11~1-24のうちのいずれか1つで表される化合物を含むものである有機光ダイオード:
    [化学式1-11]
    Figure 0007200941000042
    [化学式1-12]
    Figure 0007200941000043
    [化学式1-13]
    Figure 0007200941000044
    [化学式1-14]
    Figure 0007200941000045
    [化学式1-15]
    Figure 0007200941000046
    [化学式1-16]
    Figure 0007200941000047
    [化学式1-17]
    Figure 0007200941000048
    [化学式1-18]
    Figure 0007200941000049
    [化学式1-19]
    Figure 0007200941000050
    [化学式1-20]
    Figure 0007200941000051
    [化学式1-21]
    Figure 0007200941000052
    [化学式1-22]
    Figure 0007200941000053
    [化学式1-23]
    Figure 0007200941000054
    [化学式1-24]
    Figure 0007200941000055
    前記化学式1-11~1-24において、
    Y1、Y6およびY7は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
    R11~R14は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、炭素数1~4のアルキル基であり、
    RおよびR'は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;置換もしくは非置換のアルキル基;置換もしくは非置換のシクロアルキル基;置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のヘテロ環基である。
  7. 第1電極と、
    前記第1電極に対向して備えられる第2電極と、
    前記第1電極と前記第2電極との間に備えられる1層以上の有機物層とを含み、
    前記有機物層のうちの1層以上は、400nm~850nmにおける最大吸収波長を有する下記化学式1の化合物を含むものである有機光ダイオード:
    [化学式1]
    Figure 0007200941000056
    前記化学式1において、
    RaおよびRbは、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、電子受容体として作用する基であり、
    Y1~Y5は、Sであり、
    Y6およびY7は、互いに異なり、それぞれ独立に、直接結合、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
    aは、0または1であり、
    aが0の場合、Y6は、直接結合であり、Y7は、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
    aが1の場合、Y7は、直接結合であり、Y6は、CRR'、NR、O、SiRR'、PR、S、GeRR'、Se、またはTeであり、
    nおよびmは、それぞれ0~5の整数であり、
    nおよびmが2以上の場合、括弧内の構造は、互いに同一または異なり、
    R11~R14は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、炭素数1~4のアルキル基であり、
    R1、R2、RおよびR'は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素;重水素;置換もしくは非置換のアルキル基;置換もしくは非置換のシクロアルキル基;置換もしくは非置換のアリール基;または置換もしくは非置換のヘテロ環基である。
  8. 第1電極と、
    前記第1電極に対向して備えられる第2電極と、
    前記第1電極と前記第2電極との間に備えられる1層以上の有機物層とを含み、
    前記有機物層のうちの1層以上は、下記構造のうちのいずれか1つで表される400nm~850nmにおける最大吸収波長を有する化合物を含むものである有機光ダイオード:
    Figure 0007200941000057
  9. 前記有機物層は、光活性層を含み、
    前記光活性層は、電子供与体物質および電子受容体物質を含み、
    前記電子供与体物質は、前記化合物を含むものである、請求項1~8のいずれか1項に記載の有機光ダイオード。
  10. 前記有機物層は、光活性層を含み、
    前記光活性層は、p型有機物層およびn型有機物層を含み、
    前記p型有機物層は、前記化合物を含むものである、請求項1~8のいずれか1項に記載の有機光ダイオード。
  11. 請求項1~10のいずれか1項に記載の有機光ダイオードを含む有機イメージセンサ。
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