KR102442768B1 - 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자 - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 화학식 1로 표시되는 헤테로환 화합물 및 상기 헤테로환 화합물을 유기활성층에 포함하는 유기 전자 소자에 관한 것이다.

Description

헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자 {HETEROCYCLIC COMPOUND AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 명세서는 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자에 관한 것이다.
본 명세서에서, 유기 전자 소자란 유기 반도체 물질을 이용한 전자 소자로서, 전극과 유기 반도체 물질 사이에서의 정공 및/또는 전자의 교류를 필요로 한다. 유기 전자 소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exiton)이 형성되고, 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 전자 소자이다. 둘째는 2개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기 반도체 물질층에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 작동하는 형태의 전자 소자이다.
유기 전자 소자의 예로는 유기 광전 소자, 유기 태양 전지, 유기 발광 소자, 유기 감광체(OPC) 및 유기 트랜지스터 등이 있으며, 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 전자/정공 주입 물질, 전자/정공 추출 물질, 전자/정공 수송 물질 또는 발광 물질을 필요로 한다. 이하에서는 주로 유기 광전 소자에 대하여 구체적으로 설명하지만, 상기 유기 전자 소자들에서는 전자/정공 주입 물질, 전자/정공 추출 물질, 전자/정공 수송 물질 또는 발광 물질이 모두 유사한 원리로 작용한다.
스마트 기기의 발전에 따라 광전 소자를 포함하는 이미지 센서는 높은 해상도를 요구 받고 있다. 그러나, 현재 주로 사용되고 있는 실리콘을 이용한 광전 소자의 경우 박막화되기 어려우며, 흡광도를 높이는데 한계가 있다.
이에 따라, 흡광도가 높고, 흡광 파장이 다양한 유기 광전 소자가 실리콘 소자를 대체하는 물질로 주목받고 있으나, 기존의 유기 광전 소자는 실리콘 소자에 비하여 가시광 영역에서 효율이 떨어지는 문제점이 있다. 이를 해결하기 위하여, 유기 광전 소자의 유기 물질에 대한 연구가 필요하다.
한국 특허 공개공보 10-2013-0047367
본 명세서는 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로환 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112017129715186-pat00001
상기 화학식 1에서,
Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하며 각각 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
R1 내지 R10은 서로 같거나 상이하며 각각 수소; 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이고,
L1 및 L2는 서로 같거나 상이하며 각각 직접결합 또는 아릴렌기이며,
X1 및 X2는 서로 같거나 상이하며 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
상기 [Pull]은 하기 화학식 2 또는 3으로 표시되는 것이며,
[화학식 2]
Figure 112017129715186-pat00002
[화학식 3]
Figure 112017129715186-pat00003
상기 화학식 2 및 3에서,
Y1 내지 Y4는 서로 같거나 상이하며 각각 CO, NR 또는 S이고,
상기 R은 서로 같거나 상이하며 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
Z1 내지 Z4는 서로 같거나 상이하며 각각 O 또는 CO이고,
Figure 112017129715186-pat00004
는 상기 화학식 1의 Ar1 또는 Ar2에 연결되는 부위이다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는
제1 전극;
상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및
상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비되고, 유기활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하며,
상기 유기활성층은 전자 주개 및 전자 받개를 포함하고,
상기 전자 주개는 상기 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 헤테로환 화합물은 넓은 광 흡수 영역과 높은 LUMO 에너지 준위를 가지므로, 상기 헤테로환 화합물을 유기 전자 소자의 유기활성층에 사용하였을 때, 높은 수준의 효율을 얻을 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따르는 유기 광전 소자를 나타낸 도이다.
도 2는 실시예 1, 2 및 비교예 1의 소자에 대하여, 파장에 따른 입사 광자대 전류 변환 효율(IPCE)을 나타낸 그래프이다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 '포함' 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 '상에' 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에 있어서, 에너지 준위는 에너지의 크기를 의미하는 것이다. 따라서, 진공준위로부터 마이너스(-) 방향으로 에너지 준위가 표시되는 경우에도, 에너지 준위는 해당 에너지 값의 절대값을 의미하는 것으로 해석된다. 예컨대, HOMO 에너지 준위란 진공준위로부터 최고 점유 분자 오비탈(highest occupied molecular orbital)까지의 거리를 의미한다. 또한, LUMO 에너지 준위란 진공준위로부터 최저 비점유 분자 오비탈(lowest unoccupied molecular orbital)까지의 거리를 의미한다.
본 명세서에 있어서, '치환'이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 같거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 '치환 또는 비치환된'이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 히드록시기; 알킬기; 시클로알킬기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알케닐기; 아릴기; 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸부틸, 1-에틸부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸헥실, 4-메틸헥실 및 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
상기 알킬기는 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환되어, 아릴알킬기 또는 헤테로아릴알킬기로 작용할 수 있다. 상기 아릴기 및 헤테로아릴기는 각각 후술하는 아릴기 및 헤테로아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다.
본 명세서에서 상기 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기 및 터페닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서 상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기 및 플루오레닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 헤테로고리기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로 고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린(phenanthroline)기, 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 헤테로고리기는 단환 또는 다환일 수 있으며, 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 방향족인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서,
Figure 112017129715186-pat00005
는 상기 다른 단위 또는 치환기에 연결되는 부위를 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 헤테로환 화합물은 상기 화학식 1로 표시될 수 있다.
종래의 아릴아민을 포함하는 전자 주개 물질의 경우, N의 비공유 전자쌍을 주쇄에 전달하는 방식을 적용하는 경우가 대부분인 반면, 상기 헤테로환 화합물은 축합된 방향족 구조를 가지므로, 분자량이 상대적으로 낮아 증착 공정에 유리하며, 매우 안정적인 전자 공여 단위(electron donating unit)인 티오펜(thiophene)기가 도입됨에 따라 기존의 물질에 비해 흡수 영역이 넓다. 또한, 상기 화학식 1의 X1 및 X2 위치에 다양한 치환기를 도입할 수 있으므로 적절한 에너지 레벨 조절이 가능하다는 장점이 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 [Pull]은 상기 화학식 1에서 전자를 당기는(withdrawing) 역할의 단위를 나타낸 것이며, 상기 화학식 2 또는 3으로 표시될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 각각 치환 또는 비치환된 티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 또는 1-2로 표시될 수 있다.
[화학식 1-1]
Figure 112017129715186-pat00006
[화학식 1-2]
Figure 112017129715186-pat00007
상기 화학식 1-1 및 1-2에서,
R1 내지 R10, L1, L2, X1, X2 및 [Pull]은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 [Pull]은 상기 화학식 2로 표시되는 것이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 [Pull]은 상기 화학식 3으로 표시되는 것이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 4-1 내지 4-4 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 4-1]
Figure 112017129715186-pat00008
[화학식 4-2]
Figure 112017129715186-pat00009
[화학식 4-3]
Figure 112017129715186-pat00010
[화학식 4-4]
Figure 112017129715186-pat00011
상기 화학식 4-1 내지 4-4에서,
R1 내지 R10, L1, L2, X1, X2, Y1 내지 Y4, R, Z1 내지 Z4는 상기 화학식 1 내지 3에서 정의한 바와 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y1 및 Y2는 서로 같거나 상이하며 각각 CO 또는 NR이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y3는 NR이고, Y4는 S이다.
이 때, 상기 NR의 R은 상기 화학식 2 및 3에서 정의한 바와 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 탄소수 1 내지 15의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 탄소수 1 내지 10의 직쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 탄소수 1 내지 5의 직쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 메틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R10은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z1 및 Z2는 O이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z1 및 Z2는 CO이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z3 및 Z4는 CO이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1-1은 하기 화학식 5-1 내지 5-3 중 어느 하나이다.
[화학식 5-1]
Figure 112017129715186-pat00012
[화학식 5-2]
Figure 112017129715186-pat00013
[화학식 5-3]
Figure 112017129715186-pat00014
상기 화학식 5-1 내지 5-3에서,
R1 내지 R10, L1, L2, X1 및 X2는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하며,
Ra 내지 Rc는 서로 같거나 상이하고 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1-2는 하기 화학식 5-4 내지 5-6 중 어느 하나이다.
[화학식 5-4]
Figure 112017129715186-pat00015
[화학식 5-5]
Figure 112017129715186-pat00016
[화학식 5-6]
Figure 112017129715186-pat00017
상기 화학식 5-4 내지 5-6에서,
Ra 내지 Rc는 서로 같거나 상이하고 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
X1 및 X2는 서로 같거나 상이하며 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra 내지 Rc는 각각 탄소수 1 내지 15의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra 내지 Rc는 각각 탄소수 1 내지 10의 직쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra 내지 Rc는 각각 탄소수 1 내지 5의 직쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra 내지 Rc는 각각 메틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2는 각각 탄소수 1 내지 15의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2는 각각 탄소수 1 내지 10의 직쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2는 각각 탄소수 1 내지 5의 직쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2는 각각 메틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 상기 L1 및 L2는 각각 직접결합이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 상기 L1 및 L2는 각각 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 상기 L1 및 L2는 각각 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 헤테로환 화합물은 300nm 내지 750nm에서, 바람직하게는 500nm 내지 700nm에서 최대 흡수 파장을 가진다.
이에 따라, 광전 소자에 적용시 녹색, 적색 청색 영역 중 두개 이상의 영역에서 광 흡수가 가능하므로, 소자의 효율이 향상되는 효과가 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 녹색 영역은 최대 발광 파장이 500nm 내지 570nm 사이에 있는 것을, 적색 영역은 최대 발광 파장이 630nm 내지 850nm 사이에 있는 것을, 청색 영역은 최대 발광 파장이 400nm 내지 480nm 사이에 있는 것을 의미할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물은 가시광선 전파장 영역의 광 흡수가 가능하며, 적외선 영역의 광도 흡수할 수 있다. 예컨대, 380nm 내지 780nm 정도의 파장 범위뿐만 아니라, 780nm 이상의 영역의 광도 흡수 가능하다. 이에 따라, 다이오드에 적용시 소자의 흡수 파장 범위가 넓은 효과를 나타낼 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비되고, 유기활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하며, 상기 유기활성층은 전자 주개 및 전자 받개를 포함하고, 상기 전자 주개는 상기 헤테로환 화합물을 포함한다.
본 발명의 유기 전자 소자는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 유기활성층에 포함되는 것을 제외하고는, 통상의 유기 전자 소자의 제조 방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 유기활성층은 광활성층 또는 발광층일 수 있다.
이하에서는, 유기 광전 소자에 대하여 예시한다. 상기 유기 광전 소자에서 유기활성층은 광활성층이며, 상기 유기 전자 소자는 후술하는 유기 광전 소자에 대한 설명을 인용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비되고, 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하며, 상기 광활성층은 전자 주개 및 전자 받개를 포함하고, 상기 전자 주개는 상기 헤테로환 화합물을 포함하는 유기 광전 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 헤테로환 화합물에 대한 설명은 전술한 내용과 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자 받개는 플러렌계 화합물이며, 바람직하게는 플러렌 C60 이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자 주개와 전자 받개의 질량비는 1:5 내지 5:1이며, 바람직하게는 1:5 내지 1:1 일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자 주개 및 전자 받개는 벌크 헤테로 정션(BHJ)을 구성할 수 있다.
벌크 헤테로 정션이란 광활성층에서 전자 주개 물질과 전자 받개 물질이 서로 섞여 있는 것을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 광활성층은 증착 공정을 통해 형성된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 광활성층은 전자 주개 물질과 전자 받개 물질을 공증착하여 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 광활성층은 전자 주개 물질과 전자 받개 물질을 각각 다른 보트(boat)에 넣고 전극 또는 전하 보조층 상에 동시에 증착하여 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 전극은 제1 전극 및/또는 제2 전극을 의미하며, 전하 보조층은 전자수송층 및/또는 정공수송층을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자 주개는 p형 유기물층일 수 있고, 상기 전자 받개는 n형 유기물층일 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 유기 광전 소자는 제1 전극, 광활성층 및 제2 전극을 포함한다. 상기 유기 광전 소자는 기판, 정공수송층 및/또는 전자수송층이 더 포함될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 광전 소자는 기판, 정공수송층 및/또는 전자수송층이 더 포함될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 광전 소자는 부가적인 유기물층을 더 포함할 수 있다. 상기 유기 광전 소자는 여러 기능을 동시에 갖는 유기물을 사용하여 유기물층의 수를 감소시킬 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드이다. 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 캐소드이고, 상기 제2 전극은 애노드이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 광전 소자는 애노드, 정공수송층, 광활성층, 전자수송층 및 캐소드 순으로 배열될 수도 있고, 캐소드, 전자수송층, 광활성층, 정공수송층 및 애노드 순으로 배열될 수도 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 광전 소자는 노멀(Normal)구조이다. 상기 노멀구조에서는 기판, 제1 전극, 정공수송층, 광활성층을 포함하는 유기물층, 전자수송층 및 제2 전극의 순서로 적층될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 광전 소자는 인버티드(Inverted) 구조이다. 상기 인버티드 구조에서는 기판, 제1 전극, 전자수송층, 광활성층을 포함하는 유기물층, 정공수송층 및 제2 전극의 순서로 적층될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 전극 상에 패시베이션층을 추가로 포함할 수 있다.
상기 패시베이션층은 유기 광전 소자의 노출면 상에 형성될 수 있으며, 유기 광전 소자의 보호뿐만 아니라, 기판 제거 시 발생하는 충격 및 스트레스 등을 흡수할 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 광전 소자(100)를 나타낸 도이다. 도 1에 따르면, 유기 광전 소자(100)는 제1 전극(10) 및/또는 제2 전극(20) 측으로부터 빛이 입사되어 광활성층(30)이 전 파장 영역의 빛을 흡수하면 내부에서 엑시톤이 생성될 수 있다. 엑시톤은 광활성층(30)에서 정공과 전자로 분리되고, 분리된 정공은 제1 전극(10)과 제2 전극(20) 중 하나인 애노드 측으로 이동하고 분리된 전자는 제1 전극(10)과 제2 전극(20) 중 다른 하나인 캐소드 측으로 이동하여 유기 광전 소자에 전류가 흐를 수 있게 된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 광전 소자는 탠덤 (tandem) 구조이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 광전 소자는, 광활성층으로 상기 헤테로환 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 당 기술분야의 재료 및/또는 방법을 한정하지 않고 사용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 기판은 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리기판 또는 투명 플라스틱 기판이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 유기 광전 소자에 통상적으로 사용되는 기판이면 제한되지 않는다. 구체적으로 유리 또는 PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PP(polypropylene), PI(polyimide), TAC(triacetyl cellulose) 등이 있으나. 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 전극의 재료는 투명하고 전도성이 우수한 물질이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 및 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 전극의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 스퍼터링, E-빔, 열증착, 스핀코팅, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 닥터 블레이드 또는 그라비아 프린팅법을 사용할 수 있다.
상기 제1 전극을 기판 상에 형성하는 경우, 이는 세정, 수분제거 및 친수성 개질 과정을 거칠 수 있다.
예컨대, 패터닝된 ITO 기판을 세정제, 아세톤, 이소프로필 알코올(IPA)로 순차적으로 세정한 다음, 수분 제거를 위해 가열판에서 100℃ 내지 150℃에서 1분 내지 30분간, 바람직하게는 120℃에서 10분간 건조하고, 기판이 완전히 세정되면 기판 표면을 친수성으로 개질한다.
상기와 같은 표면 개질을 통해 접합 표면 전위를 광활성층의 표면 전위에 적합한 수준으로 유지할 수 있다. 또한, 개질 시 제1 전극 위에 고분자 박막의 형성이 용이해지고, 박막의 품질이 향상될 수도 있다.
제1 전극의 전 처리 기술로는 a) 평행 평판형 방전을 이용한 표면 산화법, b) 진공상태에서 UV 자외선을 이용하여 생성된 오존을 통해 표면을 산화하는 방법, 및 c) 플라즈마에 의해 생성된 산소 라디칼을 이용하여 산화하는 방법 등이 있다.
제1 전극 또는 기판의 상태에 따라 상기 방법 중 한가지를 선택할 수 있다. 다만, 어느 방법을 이용하든지 공통적으로 제1 전극 또는 기판 표면의 산소이탈을 방지하고 수분 및 유기물의 잔류를 최대한 억제하는 것이 바람직하다. 이 때, 전 처리의 실질적인 효과를 극대화할 수 있다.
구체적인 예로서, UV를 이용하여 생성된 오존을 통해 표면을 산화하는 방법을 사용할 수 있다. 이 때, 초음파 세정 후 패터닝된 ITO 기판을 가열판(hot plate)에서 베이킹(baking)하여 잘 건조시킨 다음, 챔버에 투입하고, UV 램프를 작용시켜 산소 가스가 UV 광과 반응하여 발생하는 오존에 의하여 패터닝된 ITO 기판을 세정할 수 있다.
그러나, 본 명세서에 있어서의 패터닝된 ITO 기판의 표면 개질 방법은 특별히 한정시킬 필요는 없으며, 기판을 산화시키는 방법이라면 어떠한 방법도 무방하다.
상기 제2 전극은 일함수가 작은 금속이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 구체적으로 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; 또는 LiF/Al, LiO2/Al, LiF/Fe, Al:Li, Al:BaF2, Al:BaF2:Ba와 같은 다층 구조의 물질이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2 전극은 5x10- 7torr 이하의 진공도를 보이는 열증착기 내부에서 증착되어 형성될 수 있으나, 이 방법에만 한정되는 것은 아니다.
상기 패시베이션층은 실리콘 산화막(SiOx)과 실리콘 질화막(SiNx) 등과 같은 무기계 물질, 또는 벤조사이클로부텐(BCB)과 포토아크릴(photo acryl) 등과 같은 유기계 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 패시베이션층은 유기 광전 소자의 노출면 상에 플라즈마 강화 화학 기상증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition: PECVD)을 이용하여 형성할 수 있다.
상기 정공수송층 및/또는 전자수송층 물질은 광활성층에서 분리된 전자와 정공을 전극으로 효율적으로 전달시키는 역할을 담당하며, 물질을 특별히 제한하지는 않는다.
상기 정공수송층 물질은 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenediocythiophene) doped with poly(styrenesulfonic acid)), 몰리브데늄 산화물(MoOx); 바나듐 산화물(V2O5); 니켈 산화물(NiO); 및 텅스텐 산화물(WOx) 등이 될 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자수송층 물질은 BCP(bathocuproine) 또는 전자추출금속 산화물(electron-extracting metal oxides)이 될 수 있으며, 구체적으로 BCP(bathocuproine), 8-히드록시퀴놀린의 금속착물; Alq3를 포함한 착물; Liq를 포함한 금속착물; LiF; Ca; 티타늄 산화물(TiOx); 아연 산화물(ZnO); 및 세슘 카보네이트(Cs2CO3) 등이 될 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
광활성층은 전자공여체 및/또는 전자수용체와 같은 광활성 물질을 유기용매에 용해시킨 후 용액을 스핀 코팅, 딥코팅, 스크린 프린팅, 스프레이 코팅, 닥터 블레이드 및 브러쉬 페인팅 등의 방법으로 형성할 수 있으나, 이들 방법에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태는, 상기 유기 광전 소자를 포함하는 유기 이미지 센서를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 이미지 센서는 전자 장치에 적용될 수 있으며, 예컨대 모바일 폰, 디지털 카메라 등에 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세히 설명한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지는 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
< 제조예 : 화합물 1 및 2의 합성>
제조예 1. 화합물 1의 합성
1-(1) 화합물 A의 제조
Figure 112017129715186-pat00018
콘덴서가 장착된 둥근 플라스크에 1-아이오도-2-니트로벤젠(1-iodo-2-nitrobenzene) 20g과 비스(트리페닐포스핀)팔라듐(Ⅱ)디클로라이드(Bis(triphenylphosphine)palladium(Ⅱ)dichloride, Pd(PPh3)Cl2) 2.11g(0.05eq)을 디메틸포름아마이드(dimethylformamide, DMF) 150mL에 녹인 후, 트리부틸(티오펜-2-일)스탄네인(tributyl(thiophen-2-yl)stannane) 33mL(1.2eq)를 주입하고 12시간 동안 환류시켰다. 그 다음 증류수를 통해 반응을 종료하고 디클로로메탄(dichloromethane)을 통해 유기층을 추출한 후 컬럼크로마토그래피로 정제하여 화합물 A를 수득하였다. 제조된 화합물 A의 1H NMR 분석 결과는 하기 표 1에 나타내었다.
1-(2) 화합물 B의 제조
Figure 112017129715186-pat00019
콘덴서가 장착된 둥근 플라스크에 상기 화합물 A 20g과 트리페닐포스핀(triphenylphosphine) 63g(2.5eq)을 1,2-디클로로벤젠(1,2-dichlorobenzene) 100mL에 녹인 후 120℃에서 12시간 동안 환류시켰다. 그 다음 디스틸레이션을 통해 용매로 사용한 1,2-디클로로벤젠(1,2-dichlorobenzene)을 제거한 후, 컬럼크로마토그래피로 정제하여 화합물 B를 수득하였다. 제조된 화합물 B의 1H NMR 분석 결과는 하기 표 1에 나타내었다.
1-(3) 화합물 C의 제조
Figure 112017129715186-pat00020
둥근 플라스크에 상기 화합물 B 7g, 수산화칼륨(KOH) 22.6g(10eq) 및 아이오도메탄(iodomethane) 7.54mL(3eq)를 주입한 후 상온에서 4시간 동안 교반하였다. 그 다음 디클로로메탄(Dichloromethane)을 통해 추출한 후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 C를 수득하였다. 제조된 화합물 C의 1H NMR 분석 결과는 하기 표 1에 나타내었다.
1-(4) 화합물 D의 제조
Figure 112017129715186-pat00021
둥근 플라스크에서 상기 화합물 C 7.5g을 테트라하이드로퓨란(THF) 100mL에 녹인 후 -78℃에서 n-부틸리튬(n-BuLi) 30mL(1.5eq)를 천천히 주입하였다. 1시간 동안 동일한 온도에서 교반한 후 트리부틸틴클로라이드(Tributyltin chloride) 16.2mL(1.5eq)를 주입하고 상온에서 12시간 동안 교반하였다. 그 다음 증류수를 통해 반응을 종료시킨 후 추출하여 화합물 D를 수득하였다. 제조된 화합물 D의 1H NMR 분석 결과는 하기 표 1에 나타내었다.
1-(5) 화합물 1의 제조
Figure 112017129715186-pat00022
콘덴서가 장착된 둥근 플라스크에 3,6-비스(4-브로모페닐)-2,5-디메틸-2,5-디하이드로피롤로[3,4-c]피롤-1,4-다이온(3,6-bis(4-bromophenyl)-2,5-dimethyl-2,5-dihydropyrrolo[3,4-c]pyrrole-1,4-dione) 3g, 상기 화합물 D 12.5g(2.5eq), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0)(Pd2(dba)3) 0.48g(0.05eq) 및 트리오쏘톨릴포스핀(P(o-tolyl)3) 0.6g(1eq)을 톨루엔 100mL에 녹인 후 12시간 동안 환류시켰다. 반응이 종료된 후 메탄올, 에틸아세테이트 및 아세톤을 통해 세척하여 화합물 1을 수득하였다. 제조된 화합물 1의 1H NMR 분석 결과는 하기 표 1에 나타내었다.
제조예 2. 화합물 2의 합성
2-(1) 화합물 E의 제조
Figure 112017129715186-pat00023
콘덴서가 장착된 둥근 플라스크에 1-아이오도-2-니트로벤젠(1-iodo-2-nitrobenzene) 20g, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(Pd(PPh3)4) 4.6g(0.05eq) 및 탄산수소나트륨(NaHCO3) 20g(10eq)을 넣고 DMF 100mL 및 증류수 100mL의 혼합액에 녹인 후, 티오펜-3-일보론산(thiophen-3-ylboronic acid) 15.4g(1.2eq)을 주입하고 12시간 동안 환류시켰다. 그 다음 증류수를 통해 반응을 종료시키고 디클로로메탄(dichloromethane)을 통해 유기층을 추출한 후 컬럼크로마토그래피를 통해 화합물 E를 수득하였다. 제조된 화합물 E의 1H NMR 분석 결과는 하기 표 1에 나타내었다.
2-(2) 화합물 F의 제조
Figure 112017129715186-pat00024
상기 제조예 1-(2)에서 화합물 A 대신 상기 화합물 E를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1-(2)와 동일한 방법으로 화합물 F를 제조하였다. 제조된 화합물 F의 1H NMR 분석 결과는 하기 표 1에 나타내었다.
2-(3) 화합물 G의 제조
Figure 112017129715186-pat00025
상기 제조예 1-(3)에서 화합물 B 대신 상기 화합물 F를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1-(3)과 동일한 방법으로 화합물 G를 제조하였다. 제조된 화합물 G의 1H NMR 분석 결과는 하기 표 1에 나타내었다.
2-(4) 화합물 H의 제조
Figure 112017129715186-pat00026
상기 제조예 1-(4)에서 화합물 C 대신 상기 화합물 G를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1-(4)와 동일한 방법으로 화합물 H를 제조하였다. 제조된 화합물 H의 1H NMR 분석 결과는 하기 표 1에 나타내었다.
2-(5) 화합물 2의 제조
Figure 112017129715186-pat00027
상기 제조예 1-(5)에서 화합물 D 대신 상기 화합물 H를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1-(5)와 동일한 방법으로 화합물 2를 제조하였다. 제조된 화합물 2의 1H NMR 분석 결과는 하기 표 1에 나타내었다.
화합물 1H NMR (500MHz, CDCl3, δ)
화합물 A 7.75 (d, 1H), 7.57-7.56 (m, 2H), 7.47-7.44 (m, 1H), 7.41 (d, 1H),
7.09 (m, 2H)
화합물 B 7.65 (d, 1H), 7.60-7.55 (m, 2H), 7.51 (s, 1H), 7.42 (d, 1H), 7.38 (d, 1H)
화합물 C 7.78 (d, 1H), 7.40-7.39 (m, 2H), 7.35 (t, 1H), 7.20 (t, 1H), 7.09 (d, 1H), 3.88 (s, 3H)
화합물 D 7.71 (d, 1H), 7.34 (d, 2H), 7.27 (t, 1H), 7.13 (t, 2H), 3.86 (s, 3H), 1.87-1.68 (m, 6H), 1.65-1.60 (m, 6H), 1.58-1.31 (m, 6H), 0.88-0.86 (m, 9H)
화합물 1 7.73 (d, 1H), 7.68-7.64 (d, 4H), 7.62-7.54 (d, 4H), 7.32 (d, 2H), 7.29 (t, 1H), 7.15 (t, 2H), 4.01 (s, 6H), 3.86 (s, 3H)
화합물 E 7.79 (d, 1H), 7.59 (m, 1H), 7.54-7.41 (m, 2H), 7.39 (d, 1H), 7.33 (m, 1H), 7.09 (d, 1H)
화합물 F 8.19 (m, 1H), 7.82 (dd, 1H), 7.44-7.33 (m, 2H), 7.30-7.16 (m, 2H), 6.90 (d, 1H)
화합물 G 7.89-7.82 (m, 1H), 7.44-7.29 (m, 3H), 7.27-7.19 (m, 1H), 6.91 (d, 1H), 3.86 (s, 3H)
화합물 H 7.89-7.82 (m, 1H), 7.44-7.29 (m, 3H), 7.27-7.19 (m, 1H), 6.91 (d, 1H), 3.86 (s, 3H), 1.87-1.68 (m, 6H), 1.65-1.60 (m, 6H), 1.58-1.31 (m, 6H), 0.88-0.86 (m, 9H)
화합물 2 1H NMR (CDCl3, δ) 7.73 (d, 1H), 7.68-7.64 (d, 4H), 7.62-7.54 (d, 4H), 7.32 (d, 2H), 7.29 (t, 1H), 7.15 (t, 2H), 4.01 (s, 6H), 3.86 (s, 3H)
< 실시예 : 유기 광전 소자의 제조>
실시예 1.
ITO는 바타입(bar type)으로 1.5cm×1.5cm가 코팅된 유리 기판(11.5Ω/, ITO glass)을 증류수, 아세톤 및 2-프로판올을 이용하여 초음파 세척하고, ITO 표면을 10분 동안 오존 처리하였다. 그 후 ITO glass에 TAPC(4,4′-사이클로헥실리덴비스[N,N-비스(4-메틸페닐)벤젠아민](4,4′-cyclohexylidenebis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), sigma Aldrich 社)를 1.0Å/s의 속도로 두께가 30nm가 되도록 증착한 후, 상기 제조예 1에서 제조된 화합물 1과 C60(fullerene)을 25:75 비율로 동시 증착(co-deposition)하였다. 이때 증착은 화합물 1과 C60(fullerene)의 증착 속도비가 0.5:1.5Å/s가 되도록 진행하였으며, 박막 두께는 100nm로 형성하였다. 그 후 BCP(bathocuproine, sigma Aldrich 社)를 1.0Å/s의 속도로 두께가 8nm가 되도록 증착하고, 마지막으로 Al을 1.0Å/s의 속도로 두께가100nm가 되도록 증착하여 유기 광 다이오드를 제작하였다.
실시예 2.
ITO는 바타입(bar type)으로 1.5cm×1.5cm가 코팅된 유리 기판(11.5Ω/, ITO glass)을 증류수, 아세톤 및 2-프로판올을 이용하여 초음파 세척하고, ITO 표면을 10분 동안 오존 처리하였다. 그 후 ITO glass에 TAPC를 1.0Å/s의 속도로 두께가 30nm가 되도록 증착한 후 상기 제조예 2에서 제조된 화합물 2와 C60(fullerene)을 25:75 비율로 동시 증착(co-deposition)하였다. 이때 증착은 화합물 2와 C60(fullerene)의 증착 속도비가 0.5:1.5Å/s가 되도록 진행하였으며, 박막 두께는 100nm로 형성하였다. 그 후 BCP를 1.0Å/s의 속도로 두께가 8nm가 되도록 증착하고, 마지막으로 Al을 1.0Å/s의 속도로 두께가 100nm가 되도록 증착하여 유기 광 다이오드를 제작하였다.
비교예 1.
ITO는 바타입(bar type)으로 1.5cm×1.5cm가 코팅된 유리 기판(11.5Ω/, ITO glass)을 증류수, 아세톤 및 2-프로판올을 이용하여 초음파 세척하고, ITO 표면을 10분 동안 오존 처리하였다. 그 후 ITO glass에 TAPC를 1.0Å/s의 속도로 두께가 30nm가 되도록 증착한 후, 하기 화합물 Q와 C60(fullerene)을 25:75 비율로 동시 증착(co-deposition)하였다. 화합물 Q와 C60의 증착 속도비는 0.5:1.5Å/s가 되도록 진행하였으며, 박막 두께는 100nm로 형성하였다. 그 후 BCP를 1.0Å/s의 속도로 두께가 8nm가 되도록 증착하고, 마지막으로 Al을 1.0Å/s의 속도로 두께가 100nm가 되도록 증착하여 유기 광 다이오드를 제작하였다.
Figure 112017129715186-pat00028
상기 실시예 1, 2 및 비교예 1에서 제작된 유기 광 다이오드의 성능 측정 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
Max. EQE @0V (%) λ@0V
(nm)		 Max. EQE @-1V (%) λ@-1V
(nm)		 Max. EQE @-3V (%) λ@-3V
(nm)
실시예 1 19.69 360 55.40 360 78.86 360
실시예 2 5.16 370 35.26 370 62.93 370
비교예 1 1.00 380 19.69 380 54.02 380
상기 표 2는 각각 0V, -1V, -3V의 역바이어스를 가한 상태에서 최대 EQE(External quantum efficiency, 외부 양자 효율) 값 및 이때의 흡수 파장을 측정한 결과이다.
예컨대, 실시예 1의 경우, 0V일 때 최대 EQE 값이 19.69% 이고, 이때의 흡수 파장이 360nm이다. 또한 같은 소자에 -3V의 역바이어스를 가한 상태에서의 최대 EQE 값은 78.86% 이고 이때의 흡수 파장은 360nm 이다.
상기 표 2의 결과를 살펴보면, 실시예 1 및 2의 소자는 비교예 1의 소자에 비해 높은 EQE 값을 나타내고 있으므로 우수한 소자가 구현되였음을 알 수 있다.
또한, 도 2에는 실시예 1, 2 및 비교예 1의 소자에 대하여, -3V의 전압조건에서 파장에 따라 입사 광자대 전류 변환 효율(Incident Photon Conversion Efficiency, IPCE)을 측정한 결과를 나타내었다. 모든 파장 영역에서 실시예 1 및 2의 IPCE 값이 비교예 1에 비해 우수함을 확인할 수 있다.
결과를 종합하여 보면, 본원 화학식 1에 따른 헤테로환 화합물을 전자 주개로 사용한 실시예 1 및 2가 본원 화학식 1의 Ar1 및 Ar2 위치에 헤테로고리가 치환되지 않은 구조의 화합물을 전자 주개로 사용한 비교예 1에 비하여 성능이 우수하다.
10: 제1 전극
20: 제2 전극
30: 광활성층
100: 유기 광전 소자

Claims (11)

  1. 하기 화학식 5-2 또는 5-5로 표시되는 헤테로환 화합물:
    [화학식 5-2]
    Figure 112022046176305-pat00047

    [화학식 5-5]
    Figure 112022046176305-pat00048

    상기 화학식 5-2 및 5-5에 있어서,
    R1 내지 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 수소; 또는 알킬기이고,
    X1 및 X2는 서로 같거나 상이하고, 각각 알킬기이며,
    L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 아릴렌기이고,
    Ra 및 Rb는 서로 같거나 상이하고, 각각 알킬기이다.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 L1 및 L2는 각각 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기인 것인 헤테로환 화합물.
  10. 제1 전극;
    상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및
    상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비되고, 유기활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하며,
    상기 유기활성층은 전자 주개 및 전자 받개를 포함하고,
    상기 전자 주개는 청구항 1 또는 9에 따른 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 전자 주개와 상기 전자 받개의 질량비는 1:5 내지 5:1인 것인 유기 전자 소자.
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