JP7184232B2 - アンテナモジュール - Google Patents

Description

本発明は、アンテナモジュール（ａｎｔｅｎｎａ ｍｏｄｕｌｅ）に関する。

無線通信技術の発展により、単なる音声送受信を主とした通信サービスから、動画放送、画像電話、ファイル伝送等の様々なマルチメディア応用サービスが増大している。この様々な無線通信サービスの利用の裏面には、使用周波数帯域のバンド多重化やＧＨｚ以上の高周波帯域の利用があった。特に、無線通信技術に使用される高周波帯域は６０ＧＨｚ以上が検討されている。これにより、高周波信号の伝送時に発生する信号損失を低減できるプリント回路基板の開発が求められる。

韓国公開特許第１０－２０１１－０００２１１２号公報

本発明は、信号損失を低減したアンテナモジュールを提供することを目的とする。

本発明の一側面によれば、アンテナ部が備えられた第１基板と、上記第１基板に積層された第２基板と、上記第２基板内に形成され、上記アンテナ部に電気的に接続されるフィーディング（ｆｅｅｄｉｎｇ）部と、上記フィーディング部の末端に接続されるように、上記第２基板上に実装されるＲＦ処理部と、を含み、上記第１基板の誘電損失は上記第２基板の誘電損失よりも小さいアンテナモジュールが提供される。

本発明の一実施例に係るアンテナモジュールを示す図である。 本発明の他の実施例に係るアンテナモジュールを示す図である。 本発明のまた他の実施例に係るアンテナモジュールを示す図である。 本発明のまた他の実施例に係るアンテナモジュールを示す図である。 本発明のまた他の実施例に係るアンテナモジュールを示す図である。 本発明のまた他の実施例に係るアンテナモジュールを示す図である。

本発明に係るアンテナモジュールの実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。

また、以下で使用する「第１」、「第２」等の用語は、同一または対応する構成要素を区別するための識別記号に過ぎず、同一または対応する構成要素が第１、第２等の用語により限定されることはない。

また、「結合」とは、各構成要素間の接触関係において、各構成要素が物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、該他の構成に、構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。

図１は、本発明の一実施例に係るアンテナモジュールを示す図であり、図２は、本発明の他の実施例に係るアンテナモジュールを示す図であり、図３は、本発明のまた他の実施例に係るアンテナモジュールを示す図であり、図４は、本発明のまた他の実施例に係るアンテナモジュールを示す図であり、図５は、本発明のまた他の実施例に係るアンテナモジュールを示す図であり、図６は、本発明のまた他の実施例に係るアンテナモジュールを示す図である。

図１から図６を参照すると、本発明の一実施例に係るアンテナモジュールは、第１基板１００と、第２基板２００と、ＲＦ処理部Ｒと、を含み、第１基板１００にアンテナ部１１０が備えられ、第２基板２００にフィーディング部２１０が備えられる。

第１基板１００の一面には、アンテナ部１１０の少なくとも一部が形成され、第１基板１００の他面には、第２基板２００が接合される。第１基板１００の一面には、ソルダーレジスト層１５０を積層することができる。

第１基板１００は、１つ以上の第１絶縁層１２０を含む。好ましくは、第１基板１００は、上下に積層された複数の第１絶縁層１２０で構成される。第１絶縁層１２０は、樹脂を主成分とする資材である。第１絶縁層１２０の樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の様々な材料を用いることができる。例えば、第１絶縁層１２０の樹脂として、エポキシ系樹脂またはポリイミドを用いることができる。ここで、エポキシ系樹脂には、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック系エポキシ樹脂、クレゾールノボラック系エポキシ樹脂、ゴム変性型エポキシ樹脂、環型脂肪族系エポキシ樹脂、シリコン系エポキシ樹脂、窒素系エポキシ樹脂、リン系エポキシ樹脂などが挙げられるが、これらに限定されない。

第１絶縁層１２０には、上記樹脂に無機充填剤が含有されてもよい。無機充填剤としては、シリカ（ＳｉＯ_２）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ_４）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）のうちのいずれか１種を選択して使用するか、２種以上を組み合わせて使用することができる。

無機充填剤としては、その他にも炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、フライアッシュ、天然シリカ、合成シリカ、カオリン、クレー、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化亜鉛、水酸化カリウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、タルク、マイカ、ハイドロタルサイト、珪酸アルミニウム、珪酸マグネシウム、珪酸カルシウム、焼成タルク、ウオラストナイト、チタン酸カリウム、硫酸マグネシウム、硫酸カルシウム、燐酸マグネシウムなどが挙げられるが、これらに制限されない。

第１絶縁層１２０（金属パターン１３０が形成される面）の表面粗さ（Ｒａ）は、０．２μｍよりも小さくてもよい。第１絶縁層１２０の表面粗さは、デスミア（ｄｅｓｍｅａｒ）処理後に測定した値であってもよい。この第１絶縁層１２０は、上述した樹脂に上述した無機充填剤が含有されているビルドアップフィルム（ｂｕｉｌｄ ｕｐ ｆｉｌｍ）であってもよく、ビルドアップフィルムは、ＰＰＧ（プリプレグ）よりも表面粗さが小さくて０．２μｍ未満であり得る。ビルドアップフィルムとしては、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）等を使用できる。

第１絶縁層１２０は、誘電正接（Ｄｆ）の比較的小さい材料で形成可能であり、第１絶縁層１２０の誘電正接は、上述した無機充填剤の種類及び含量により調整可能である。

第１絶縁層１２０の誘電正接は、０．００３以下であってもよい。ここで、誘電正接とは、信号伝送時に第１絶縁層１２０により損失される電力（誘電損失）の度合いを意味する。誘電正接が大きいほど誘電損失が大きい。

一方、第１基板１００の第１絶縁層１２０は、誘電率（誘電定数、Ｄｋ）の比較的大きい材料で形成可能である。この場合、アンテナモジュールの厚さ及びサイズが小さくなり得る。例えば、第１絶縁層１２０の誘電定数は、３．２、３．４、５等の値を有することができる。特に、第１絶縁層１２０の誘電定数（Ｄｋ）は、第２基板２００の第２絶縁層２２０の誘電定数（Ｄｋ）より大きくてもよく、この場合、第１絶縁層１２０の誘電定数は、５の値を有することができる。

アンテナ部１１０は、ＲＦ信号を放射または受信する役割を担い、１０ＧＨｚ以上の高周波信号を処理することができる。アンテナ部１１０は、第１絶縁層１２０の一面に形成される金属パターン１３０であってもよく、金属パターン１３０の金属としては、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の金属またはこれらの合金を用いることができる。このアンテナ部１１０の金属パターン１３０は、アンテナパッチ（ｐａｔｃｈ）であってもよく、多角形、円形などの様々な形状を有することができ、互いに離隔して複数形成されることができる。

第１絶縁層１２０が複数である場合、アンテナ部１１０の金属パターン１３０は、それぞれの第１絶縁層１２０の一面に形成可能である。金属パターン１３０は、それぞれの第１絶縁層１２０毎に形成され、それぞれの第１絶縁層１２０の上面に形成されることができる。これにより、最外層に位置した第１絶縁層１２０に形成されている金属パターン１３０は、外部に露出される。

一方、最外層に位置した第１絶縁層１２０上にソルダーレジスト層１５０が積層される場合も、金属パターン１３０を露出するようにソルダーレジスト層１５０に開口が形成される。

それぞれの第１絶縁層１２０に形成された金属パターン１３０は、上下に対応する位置に形成される。これにより、それぞれの第１絶縁層１２０に形成された金属パターン１３０間の電磁気的相互作用により、他の第１絶縁層１２０に形成された金属パターン１３０間に信号伝達が可能となる。

金属パターン１３０は、ＳＡＰ法（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）により形成可能であり、これにより、金属パターン１３０は、シード層Ｓとめっき層とを含むことができる。ここで、シード層Ｓの厚さは、１μｍ以下（例えば、０．６μｍ）であってもよい。ＳＡＰ法において、シード層Ｓ上にめっき層を形成した後に、不要なシード層Ｓを（フラッシュ）エッチングにより除去できるが、この場合、シード層Ｓとめっき層とが同じ金属（例えば、銅）で形成されて、シード層Ｓのエッチングとともにめっき層表面の一部がエッチングされることがある。しかし、シード層Ｓの厚さが１μｍ以下である場合は、エッチングされるめっき層が極めて少ないので、結果的に、金属パターン１３０の上・下面の面積にはほとんど差がない。

これに対して、金属パターン１３０がＭＳＡＰ法（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）により形成される場合は、金属薄膜及びシード層上にめっき層が形成されるので、エッチングにより除去すべき金属層（金属薄膜及びシード層）の厚さが２μｍ以上となり、ＳＡＰの場合よりもその厚さが大きい。このため、上記金属層のエッチングによりめっき層もエッチングされ、特にめっき層の上側に行くほどエッチング量が多くなり、結果的に、形成される金属パターン１３０の上下面に面積差が発生する。

金属パターン１３０の上下面の面積の差は、帯域（ｂａｎｄｗｉｄｔｈ）の差を誘発し、これにより、ボルテージ・ドロップ（ｖｏｌｔａｇｅ－ｄｒｏｐ）が発生するので、金属パターン１３０の上下面の面積の差が少ないものが信号損失の低減の側面から有利である。

特に、ＰＰＧに比べてビルドアップフィルムは、その表面粗さが小さいため（例えば、Ｒａ＜０．２μｍ）、ＰＰＧよりもビルドアップフィルムの場合が、ＳＡＰ法によるシード層Ｓを形成することが有利である。つまり、ビルドアップフィルムにＳＡＰ法を用いて金属パターン１３０を形成することが、信号損失の低減の側面から好ましいと言える。

一方、金属パターン１３０の表面粗さ（Ｒａ）は、０．２μｍよりも小さくてもよく、さらに、金属パターン１３０の表面粗さは、０であってもよい。金属パターン１３０の表面粗さが０であるとは、金属パターン１３０の表面に粗さ処理を施さなかった結果であり得る。金属パターン１３０の粗さが０．２μｍ以上である場合は、金属パターン１３０においての表皮効果（ｓｋｉｎ ｅｆｆｅｃｔ）が極大化し、これは信号損失の結果をもたらす。よって、金属パターン１３０の表面粗さが０．２μｍよりも小さいと、信号損失を低減することができる。特に、金属パターン１３０の表面粗さが０．５μｍより大きい場合に比べて、金属パターン１３０の表面粗さが０．１μｍより小さい場合は、信号損失率を２０～３０％低減できる。

図２を参照すると、第１基板１００は、金属パターン１３０に接続される第１ビア１４０をさらに含むことができる。第１ビア１４０は、互いに異なる第１絶縁層１２０に形成されている金属パターン１３０間に電気的信号を伝達する機能を担い、第１絶縁層１２０を貫通する。

第１ビア１４０の形状は、様々な形状を有することができ、例えば、図２に示すように、それぞれの第１絶縁層１２０において第１基板１００の外側に行くほど第１ビア１４０の横断面積が大きくなることができる。

それぞれの第１絶縁層１２０に形成されている金属パターン１３０は、上下に対応する位置に形成されるので、金属パターン１３０と第１ビア１４０とは互いに一直線に形成されることが可能である。しかし、ここで「一直線」とは、その中心線が必ずしも一致する必要はなく、許容誤差を考慮して金属パターン１３０と第１ビア１４０とがスタック（ｓｔａｃｋ）構造を形成することを意味する。

第１ビア１４０は、上述したＳＡＰ法により形成可能であり、これにより、第１ビア１４０は、シード層Ｓとめっき層とで構成されることができる。この場合、第１ビア１４０のシード層Ｓと金属パターン１３０のめっき層とが互いに接触することができる。

図３から図４を参照すると、第１基板１００に接着層Ｌを形成することができる。接着層Ｌは、第１絶縁層１２０と金属パターン１３０との間に形成可能であり、特に、第１絶縁層１２０と金属パターン１３０とが接する面積に対して形成可能である。ただし、接着層Ｌは、第１絶縁層１２０の表面に延長して形成されることができる。また、接着層Ｌは、有機薄膜であって、ナノ（ｎａｎｏ）スケールの厚さを有することができる。ここで、接着層Ｌは、シランカップリングを含む材料により形成することができる。一方、接着層Ｌは、蒸着またはディッピング方式により形成可能である。

接着層Ｌは、第１絶縁層１２０と金属パターン１３０との間の密着力を向上させる役割をする。特に、金属パターン１３０の表面粗さが低い場合（例えば、Ｒａ＜０．２μｍの場合）は、信号損失は低減されるものの、金属パターン１３０と第１絶縁層１２０との間の密着力が問題となることがあるが、この密着力の問題は接着層Ｌにより解決可能である。接着層Ｌにより、金属パターン１３０と第１絶縁層１２０との間の剥離強度を０．５ｋｇｆ／ｃｍよりも大きくすることができる。

図４に示すように、第１基板１００内に第１ビア１４０が形成される場合、第１ビア１４０は、接着層Ｌを貫通して金属パターン１３０に接続される。すなわち、接着層Ｌは、第１ビア１４０と金属パターン１３０とが接する領域には形成されない。

図１から図６を参照すると、第２基板２００の一面は、第１基板１００と接合され、第２基板２００の他面には、ＲＦ処理部Ｒが実装される。第２基板２００の他面にソルダーレジスト層２５０が積層され、ＲＦ処理部Ｒの他にもキャパシターＣ等の素子を実装することができる。また、メインボードとの接合のためのソルダーボールＳＢも第２基板２００の他面に形成することができる。

第２基板２００は、１つ以上の第２絶縁層２２０を含み、好ましくは、上下方向に積層された複数の第２絶縁層２２０で形成される。第２絶縁層２２０は、樹脂を主成分とする資材であって、第２絶縁層２２０の樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの様々な材料を用いることができる。

例えば、第２絶縁層２２０の樹脂としては、エポキシ系樹脂またはポリイミドを用いることができる。ここで、エポキシ系樹脂には、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック系エポキシ樹脂、クレゾールノボラック系エポキシ樹脂、ゴム変性型エポキシ樹脂、環型脂肪族系エポキシ樹脂、シリコン系エポキシ樹脂、窒素系エポキシ樹脂、リン系エポキシ樹脂などが挙げられるが、これに限定されない。

第２絶縁層２２０は、上記の樹脂に無機充填剤を含有することができる。無機充填剤としては、シリカ（ＳｉＯ_２）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ_４）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）のうちのいずれか１種を選択して使用するか、２種以上を組み合わせて使用することができる。無機充填剤にはその外にも、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、フライアッシュ、天然シリカ、合成シリカ、カオリン、クレー、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化亜鉛、水酸化カリウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、タルク、マイカ、ハイドロタルサイト、珪酸アルミニウム、珪酸マグネシウム、珪酸カルシウム、焼成タルク、ウオラストナイト、チタン酸カリウム、硫酸マグネシウム、硫酸カルシウム、燐酸マグネシウムなどが挙げられるが、それらに制限されない。

第２絶縁層２２０の表面粗さ（Ｒａ）は、０．２μｍより小さいことが可能である。第２絶縁層２２０の表面粗さは、デスミア（ｄｅｓｍｅａｒ）処理後に測定した値であり得る。この第２絶縁層２２０は、上述した樹脂に上述した無機充填剤が含有されているビルドアップフィルム（ｂｕｉｌｄ ｕｐ ｆｉｌｍ）であってもよく、ビルドアップフィルムは、ＰＰＧ（プリプレグ）よりも表面粗さが小さくて、０．２μｍ未満であり得る。ビルドアップフィルムとしてＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）などを用いることができる。

第２絶縁層２２０は、誘電正接（Ｄｆ）の比較的小さい材料で形成可能であり、第２絶縁層２２０の誘電正接は、上述した無機充填剤の種類及び含量により調整可能である。第２絶縁層２２０の誘電正接は、０．００４以下であってもよい。この場合、第２絶縁層２２０の誘電正接は、第１絶縁層１２０の誘電正接以上であってもよく、好ましくは、第２絶縁層２２０の誘電正接は、第１絶縁層１２０の誘電正接より大きい。

また、上述したように、第２絶縁層２２０の誘電率（誘電定数、Ｄｋ）は、第１絶縁層１２０の誘電率（誘電定数、Ｄｋ）よりも小さくてもよい。

フィーディング部２１０は、アンテナ部１１０とＲＦ処理部Ｒとの間に信号を伝達する役割をする。例えば、フィーディング部２１０は、アンテナ部１１０に受信された高周波信号をＲＦ処理部Ｒに伝達する。フィーディング部２１０は、第２絶縁層２２０内に形成される第２ビア２４０を含み、第２基板２００が複数の第２絶縁層２２０を含む場合は、第２ビアはそれぞれの第２絶縁層の内部に形成される。

第２ビア２４０は、アンテナ部１１０及びＲＦ処理部Ｒに電気的に接続され、それぞれの第２絶縁層２２０に形成される第２ビア２４０は、複数の第２絶縁層２２０を通過しながらＲＦ処理部Ｒ側に収斂するように形成される。すなわち、ＲＦ処理部Ｒがアンテナモジュールの中央部に位置する場合、複数の第２絶縁層２２０にかけて形成される複数の第２ビア２４０は、第２基板２００の一面から他面に行くほど外側から中央部側に収斂することになる。

第２ビア２４０の形状は、様々な形状を有することができ、例えば、図１等に示すように、それぞれの第２絶縁層２２０において、第２基板２００の（上下方向に）外側に行くほど第２ビア２４０の横断面積が大きくなることができ、第１ビア１４０及び第２ビア２４０の形状は、対称をなすことができる。

しかし、この形状に限定されず、第１ビア１４０及び第２ビア２４０の横断面積の増減の方向性は、同一であってもよく、これは、第１基板１００と第２基板２００をそれぞれ別に形成した後に、第１基板１００と第２基板２００とを互いに接合した方式の結果であり得る。

第２基板２００は、第２ビア２４０に接続及び接触するために第２絶縁層２２０の一面に形成されるパッド２３０をさらに含むことができる。パッド２３０とビアとが接する面においてのパッド２３０の面積は、第２ビア２４０の面積よりも大きい。

一方、第２ビア２４０及びパッド２３０は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などの金属またはこれらの合金により形成可能である。

パッド２３０は、ＳＡＰ法（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）により形成可能であり、これにより、パッド２３０は、シード層Ｓとめっき層とを含むことができる。ここでシード層Ｓの厚さは、１μｍ以下（例えば、０．６μｍ）であってもよい。この場合、結果的に形成されたパッド２３０の上下面の面積差はほとんど発生しない。

パッド２３０の上下面の面積の差は、帯域（ｂａｎｄｗｉｄｔｈ）差を誘発し、これにより、ボルテージ・ドロップ（ｖｏｌｔａｇｅ－ｄｒｏｐ）が発生するので、パッド２３０の上下面の面積の差が少ないものが信号損失の低減の側面から有利である。

上述した金属パッド２３０の場合と同様に、ビルドアップフィルムにＳＡＰ法を用いてパッド２３０を形成することが、信号損失の低減の側面から好ましいと言える。

一方、パッド２３０の表面粗さ（Ｒａ）は、０．２μｍよりも小さくてもよく、さらにパッド２３０の表面粗さは、０であってもよい。パッド２３０の表面粗さが０であるとは、パッド２３０の表面に粗さ処理を施さなかった結果であり得る。パッド２３０の粗さが０．２μｍ以上である場合は、パッド２３０においての表皮効果（ｓｋｉｎ ｅｆｆｅｃｔ）が極大化し、これは信号損失の結果をもたらす。すなわち、パッド２３０の表面粗さが０．２μｍよりも小さいと、信号損失を低減することができる。特に、パッド２３０の表面粗さが０．５μｍより大きい場合に比べて、パッド２３０の表面粗さが０．１μｍより小さい場合は、信号損失率を２０～３０％低減できる。

図３から図４を参照すると、第２基板２００には、接着層Ｌを形成することができる。接着層Ｌは、第２絶縁層２２０とパッド２３０との間に形成可能であり、特に、第２絶縁層２２０とパッド２３０とが接する面積に対して形成可能である。ただし、接着層Ｌは、第２絶縁層２２０の表面に延長して形成することができる。また、接着層Ｌは、有機薄膜であって、ナノ（ｎａｎｏ）スケールの厚さを有することができる。ここで、接着層Ｌは、シランカップリングを含む材料により形成することができる。一方、接着層Ｌは蒸着またはディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）方式により形成可能である。

接着層Ｌは、第２絶縁層２２０とパッド２３０との間の密着力を向上させる役割をする。特に、パッド２３０の表面粗さが低い場合（例えば、Ｒａ＜０．２μｍの場合）は、信号損失は低減するものの、パッド２３０と第２絶縁層２２０との間の密着力に問題が発生することがあるが、この密着力の問題を接着層Ｌにより解決することができる。接着層Ｌにより、パッド２３０と第２絶縁層２２０との間の剥離強度が、０．５ｋｇｆ／ｃｍよりも大きくなることができる。

一方、第２ビア２４０は、接着層Ｌを貫通してパッド２３０に接続されることができる。すなわち、接着層Ｌは、第２ビア２４０とパッド２３０とが接触する領域には形成されない。

図５を参照すると、第２基板２００は、パッドを含まないパッドレス（ｐａｄｌｅｓｓ）構造を有することができる。すなわち、第２ビア２４０のうち、互いに異なる第２絶縁層２２０に形成された隣接する２つのビア２４１、２４２は、パッドを介在せずに直接接触することができる。一般的にパッドとビアとが接触する面において、パッドの面積はビアの面積よりも大きく、このようなパッドの端部から信号損失が発生することがある。このため、パッドを含まず、ビア２４１、２４２の間に接触及び接続ができれば、パッドによる信号損失を防止することができる。

ここで、第２ビア２４０がＳＡＰ法により製造されて、シード層Ｓとめっき層とを含む場合、２つのビア２４１、２４２のうちの１つ２４２のシード層は、他の１つ２４１のめっき層と接触する。

また、図６を参照すると、第２基板２００が上述したパッドレス構造を有し、第２ビア２４０の横断面積は、第２基板２００の上下方向において一定であってもよい。これは第２基板２００の第２絶縁層２２０を積層した後に、すべての第２絶縁層２２０を貫通するビアホールが形成され、その後にシード層Ｓ及びめっき層が形成された結果であり得る。

再び、図１から図６を参照すると、本発明の実施例に係るアンテナモジュールは、コア層３００をさらに含むことができる。

コア層３００は、第１基板１００と第２基板２００との間に形成され、絶縁材で形成されており、アンテナモジュールに剛性を付与することができる。一方、コア層３００の誘電損失は、第１基板１００の誘電損失よりも大きく、コア層３００を形成する絶縁材の誘電正接は、第１基板１００の第１絶縁層１２０の誘電正接よりも大きくてもよい。ここで、コア層３００の絶縁材は、第２基板２００の第２絶縁層２２０と類似の材料で形成され、コア層３００の誘電正接は、第２基板２００の第２絶縁層２２０の誘電正接と類似または同一であることができる。

コア層３００の一面（第１基板１００と接合する面）にはフィーディングライン（ｆｅｅｄｉｎｇ ｌｉｎｅ）３１０が形成され、コア層３００の内部には上記フィーディングライン３１０に接続する貫通ビア３２０が形成され、コア層３００の他面（第２基板２００と接合する面）には貫通ビア３２０に接続するビアパッド３３０が形成されることができる。

ビアパッド３３０は、第２基板２００のフィーディング部２１０に電気的に接続される。すなわち、第１基板１００と第２基板２００との間に形成されたコア層３００を介して第１基板と第２基板２００とが電気的に接続することができる。

フィーディングライン３１０は、アンテナ部１１０の金属パターン１３０に接続及び接触して、最下層（コア層３００と最も近い第１絶縁層１２０）に形成された複数の金属パターン１３０は、同一のフィーディングライン３１０に接続することができる。

以上、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、削除または追加などにより本発明を多様に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。

１００ 第１基板
１１０ アンテナ部
１２０ 第１絶縁層
１３０ 金属パターン
１４０ 第１ビア
１５０ ソルダーレジスト層
２００ 第２基板
２１０ フィーディング部
２２０ 第２絶縁層
２３０ パッド
２４０、２４１、２４２ 第２ビア
２５０ ソルダーレジスト層
３００ コア層
３１０ フィーディングライン
３２０ 貫通ビア
３３０ ビアパッド
Ｒ ＲＦ処理部
Ｃ キャパシター
Ｌ 接着層
Ｓ シード層

Claims (21)

1. アンテナ部が備えられた第１基板と、
   前記第１基板に積層された第２基板と、
   前記第２基板内に形成され、前記アンテナ部に電気的に接続するフィーディング部と、
   前記フィーディング部の末端に接続するように前記第２基板上に実装されるＲＦ処理部と、を含み、
   前記第１基板は、上下方向に積層された複数の第１絶縁層を含み、
   前記複数の第１絶縁層のそれぞれの誘電損失は、前記第２基板の誘電損失よりも小さく、
   前記複数の第１絶縁層のうち、上部の第１絶縁層の上部に配置されたソルダーレジスト層をさらに含み、前記ソルダーレジスト層から前記アンテナ部に上下方向に重なる部分は開放された、アンテナモジュール。
2. 前記第１基板の誘電率は、前記第２基板の誘電率よりも大きい請求項１に記載のアンテナモジュール。
3. 前記アンテナ部は、前記複数の第１絶縁層のそれぞれの一面に形成された金属パターンを含む請求項１または２に記載のアンテナモジュール。
4. 前記複数の第１絶縁層は、
   樹脂及び無機充填剤を含むビルドアップフィルムで形成された請求項３に記載のアンテナモジュール。
5. 前記複数の第１絶縁層の表面粗さ（Ｒａ）は、０．２μｍよりも小さい請求項３または４に記載のアンテナモジュール。
6. 前記第１基板は、前記金属パターンとの接続のために、前記複数の第１絶縁層のそれぞれを貫通するビアをさらに含む請求項３から５のいずれか一項に記載のアンテナモジュール。
7. 前記金属パターンは、
   シード層と、前記シード層上に形成されためっき層と、を含む請求項３から６のいずれか一項に記載のアンテナモジュール。
8. 前記金属パターンの表面粗さ（Ｒａ）は、０．２μｍよりも小さい請求項３から７のいずれか一項に記載のアンテナモジュール。
9. 前記複数の第１絶縁層のそれぞれと前記金属パターンとの間に形成される接着層をさらに含む請求項３から８のいずれか一項に記載のアンテナモジュール。
10. 前記第２基板は、上下方向に積層された複数の第２絶縁層を含み、
    前記フィーディング部は、前記複数の第２絶縁層のそれぞれの内部に形成されるビアを含む請求項３から９のいずれか一項に記載のアンテナモジュール。
11. 前記ビアとの接続のために前記複数の第２絶縁層のそれぞれの一面に形成されるパッドをさらに含む請求項１０に記載のアンテナモジュール。
12. 前記複数の第２絶縁層は、
    樹脂及び無機充填剤を含むビルドアップフィルムで形成される請求項１０または１１に記載のアンテナモジュール。
13. 前記複数の第２絶縁層の表面粗さ（Ｒａ）は、０．２μｍよりも小さい請求項１０から１２のいずれか一項に記載のアンテナモジュール。
14. 前記パッドの表面粗さ（Ｒａ）は、０．２μｍよりも小さい請求項１１に記載のアンテナモジュール。
15. 前記複数の第２絶縁層のそれぞれと前記パッドとの間に形成される接着層をさらに含み、
    前記ビアは、前記接着層を貫通する請求項１１に記載のアンテナモジュール。
16. 前記ビアのうち、互いに異なる第２絶縁層に形成された２つのビアは、パッドを介在せずに直接接触する請求項１０から１５のいずれか一項に記載のアンテナモジュール。
17. 前記ビアの横断面積は、前記複数の第２絶縁層のそれぞれの上下方向において一定である請求項１６に記載のアンテナモジュール。
18. 前記ビアは、
    シード層と、前記シード層上に形成されためっき層と、を含む請求項１０から１７のいずれか一項に記載のアンテナモジュール。
19. 前記第１基板と前記第２基板との間に形成されるコア層をさらに含む請求項１から１８のいずれか一項に記載のアンテナモジュール。
20. 前記第１基板の誘電損失は、前記コア層の誘電損失よりも小さい請求項１９に記載のアンテナモジュール。
21. 前記コア層の一面に形成され、前記フィーディング部に電気的に接続するフィーディングライン（ｆｅｅｄｉｎｇ ｌｉｎｅ）をさらに含む請求項１９または２０に記載のアンテナモジュール。

Images