JP7179803B2 - ミリ波用の遷移構造及び多層遷移構造 - Google Patents

ミリ波用の遷移構造及び多層遷移構造 Download PDF

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Description

本発明は、遷移構造及び多層遷移構造に関し、特に、ミリ波用の遷移構造及び多層遷移構造に関する。
５Ｇ通信時代の現在において、次世代移動通信（ｎｅｘｔ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｍｏｂｉｌｅ）の技術は、例えば、自動車（Ｖ２Ｘ）、エッジコンピューティング、又は人工知能のモノのインターネット（ＡＩｏＴ）等の様々な応用において重要な役割を果たしている。３ＧＰＰリリース１５（Ｒｅｌｅａｓｅ １５）には、５Ｇ新ラジオ（５Ｇ Ｎｅｗ Ｒａｄｉｏ、５Ｇ ＮＲ）移動通信標準が定義されている。即ち、６ＧＨｚ以下のスペクトル及びミリ波周波数帯は、第１型周波数範囲（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｒａｎｇｅｓ １：ＦＲ１）と、第２型周波数範囲（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｒａｎｇｅｓ ２：ＦＲ２）とに区分され、ＦＲ１の周波数範囲は４５０～６０００ＭＨｚであり、ＦＲ２の周波数範囲は２４２５０～５２６００ＭＨｚである。
従来の技術において、ミリ波周波数帯用の垂直遷移構造は、図１Ａ及び図１Ｂに示される。一般的には、垂直遷移構造は、多層回路板、例えば、総厚さが約１．１５１ｍｍの回路板の遷移（Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）に使用可能である。垂直遷移構造は、一つの信号ピン（ｓｉｇｎａｌ ｐｉｎ）１１と、２つのグラウンドピン（ｇｒｏｕｎｄ ｐｉｎ）１３とを含んでもよく、２つの伝送線１２はそれぞれ信号ピン１１の両端に接続されている。通常、グラウンドピン１３と信号ピン１１との間の隙間１４を調整することにより、抵抗を変更することができ、隙間１４が小さいほど、抵抗が小さくなる。また、信号ピン１１又はグラウンドピン１３の直径を調整することにより抵抗を変更してもよく、直径が小さいほど、抵抗が大きくなる。また、信号ピン１１又はグラウンドピン１３の高さを調整することにより抵抗を変更してもよく、高さが小さいほど、動作周波数が高くなる。
言い換えれば、垂直遷移構造において、隙間１４とピンの直径及び高さは、動作周波数に影響を及ぼしている。しかしながら、図１Ｃに示される垂直遷移構造の透過係数（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）－周波数（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）グラフから、周波数２１ＧＨｚ付近に共振点が発生していることがわかる。また、図１Ｃには、異なる隙間の透過係数－周波数グラフが示されており、上から下へはそれぞれ隙間１４ｍｉｌ、１０ｍｉｌ、６ｍｉｌ、２ｍｉｌであり、周波数約２０ＧＨｚにおいて挿入損失（ｉｎｓｅｒｔｉｏｎ ｌｏｓｓｅｓ）の発生が始まり、周波数約２３ＧＨｚに至っては４～１０ｄＢの挿入損失が発生し、５Ｇ通信の送信に不利になる。
従って、如何にして遷移構造の動作周波数を改善するとともに回路板厚さの影響をなくすかは、業界の早急に解決すべき課題の一つとなっている。
本発明の一つの実施例に係るミリ波用の遷移構造は、多層構造の第１層に設けられた第１伝送線の末端に接続された第１層信号素子と、該多層構造の第１層に接続されて該第１伝送線のストリップ状本体及び該末端を取り囲む複数の第１層グラウンド素子とを備える。また、一部の該複数の第１層グラウンド素子は、該第１伝送線の末端から等しい距離を置くように該第１伝送線の末端を取り囲んでおり、一部の該複数の第１層グラウンド素子は、該第１伝送線のストリップ状本体から等しい距離を置くように該第１伝送線のストリップ状本体の対向する両側に沿って配置されている。
他の実施例において、該遷移構造は、該多層構造における第２伝送線が設けられた第２層に接続された複数の第２層グラウンド素子をさらに備え、該複数の第２層グラウンド素子は、該第２伝送線のストリップ状本体及び該第２伝送線の末端を取り囲んでおり、該第２伝送線の末端は、該第１層信号素子に接続されている。また、一部の該複数の第２層グラウンド素子は、該第２伝送線の末端から等しい距離を置くように該第２伝送線の末端を取り囲んでおり、一部の該複数の第２層グラウンド素子は、該第２伝送線のストリップ状本体から等しい距離を置くように該第２伝送線のストリップ状本体の対向する両側に沿って配置されている。また、該第１伝送線と第２伝送線とは反対方向に延在し、該第１伝送線の末端と該第２伝送線の末端との連結線を軸線として、該軸線は、該第１層信号素子を貫通しており、該複数の第１層グラウンド素子と該複数の第２層グラウンド素子とは、ともに（例えば、完全に）該第１層信号素子を取り囲んでいる。
他の実施例において、該遷移構造は、該第１層信号素子に接続された中間層信号素子と、該多層構造における該第１層と該第２層との間にある中間層に接続された複数の中間層グラウンド素子とをさらに備え、該複数の中間層グラウンド素子は、該中間層信号素子を準同軸に取り囲んでいる。
さらに他の実施例において、該遷移構造は、該第１層信号素子に接続された第３層信号素子と、該多層構造における該第１層と該第２層との間にある第３層に接続された複数の第３層グラウンド素子とをさらに備え、該第３層は、該第２伝送線に対応する第３チャンバを有し、該複数の第３層グラウンド素子は、該第３チャンバの周縁に沿って配置されている。また、該複数の第３層グラウンド素子は、該第３チャンバの周縁から等しい距離を置くように該第３チャンバの周辺に沿って配置されている。
本発明に係るミリ波用の多層遷移構造は、第１伝送線を有する第１層を含む多層構造と、該多層構造の第１層に接続された第１層信号素子及び複数の第１層グラウンド素子を含む遷移構造とを備え、該第１層信号素子は、該第１伝送線の末端に接続されており、該複数の第１層グラウンド素子は、該第１伝送線のストリップ状本体及び該末端を取り囲んでいる。また、一部の該複数の第１層グラウンド素子は、該第１伝送線の末端から等しい距離を置くように該第１伝送線の末端を取り囲んでおり、一部の該複数の第１層グラウンド素子は、該第１伝送線のストリップ状本体から等しい距離を置くように該第１伝送線のストリップ状本体の対向する両側に沿って配置されている。
他の実施例において、該多層構造は、第２伝送線を有する第２層を備え、該第２伝送線は、第１層信号素子に接続されており、該遷移構造は、該多層構造の第２層に接続された複数の第２層グラウンド素子を備え、該複数の第２層グラウンド素子は、該第２伝送線のストリップ状本体及び該第２伝送線の末端を取り囲んでいる。また、一部の該複数の第２層グラウンド素子は、該第２伝送線の末端から等しい距離を置くように該第２伝送線の末端を取り囲んでおり、一部の該複数の第２層グラウンド素子は、該第２伝送線のストリップ状本体から等しい距離を置くように該第２伝送線のストリップ状本体の対向する両側に沿って配置されている。また、該第１伝送線と第２伝送線とは反対方向に延在し、該第１伝送線の末端と該第２伝送線の末端との連結線を軸線として、該軸線は、該第１層信号素子を貫通しており、該複数の第１層グラウンド素子と該複数の第２層グラウンド素子とは、ともに（例えば、完全に）該第１層信号素子を取り囲んでいる。
さらに他の実施例において、該多層構造は、該第１層と該第２層との間にある中間層を含み、該遷移構造は、中間層信号素子と複数の中間層グラウンド素子とを備え、該中間層信号素子は、該第１層信号素子に接続されており、該複数の中間層グラウンド素子は、該中間層信号素子を準同軸に取り囲んでいる。
さらに他の実施例において、該多層構造は、該第１層と該第２層との間にある第３層を備え、該第３層は、該第２伝送線に対応する第３チャンバを有し、該遷移構造は、第３層信号素子と複数の第３層グラウンド素子とを備え、第３層信号素子は、該第１層信号素子に接続されており、該複数の第３層グラウンド素子は、該第３チャンバの周縁に沿って配置されている。また、該複数の第３層グラウンド素子は、該第３チャンバの周縁から等しい距離を置くように該第３チャンバの周縁に沿って配置されている。
また、該第１層信号素子は、信号ビア（ｖｉａ）又は信号ビアホール（ｖｉａ ｈｏｌｅ）であってもよく、該複数の第１層グラウンド素子は、グラウンドビア（ｖｉａ）又はグラウンドビアホール（ｖｉａ ｈｏｌｅ）であってもよい。また、該多層構造の第１層には、該第１伝送線を収容する第１チャンバが形成されており、該複数の第１層グラウンド素子は、該第１チャンバの周縁から等しい距離を置くように該第１チャンバの周縁に沿って配置されており、該多層構造の第２層には、該第２伝送線を収容する第２チャンバが形成されており、該複数の第２層グラウンド素子は、該第２チャンバの周縁から等しい距離を置くように該第２チャンバの周縁に沿って配置されており、該第１チャンバと該第２チャンバとは反対方向に開口している。
従来技術の垂直遷移構造の構成を模式的に示す図である。 従来技術の垂直遷移構造の構成を模式的に示す図である。 従来技術の垂直遷移構造の透過係数－周波数グラフである。 本発明に係るミリ波用の多層構造及び遷移構造の立体模式図である。 本発明に係るミリ波用の多層構造及び遷移構造の側面模式図である。 本発明に係るミリ波用の多層構造及び遷移構造の局所拡大図である。 本発明に係るミリ波用の多層構造及び遷移構造の平面模式図である。 本発明に係るミリ波用の多層構造及び遷移構造の第１層の模式図である。 本発明に係るミリ波用の多層構造及び遷移構造の第２層の模式図である。 本発明に係るミリ波用の多層構造及び遷移構造の中間層の模式図である。 本発明に係るミリ波用の多層構造及び遷移構造の第３層の模式図である。 本発明に係るミリ波用の多層構造及び遷移構造の透過係数－周波数グラフである。
以下、本発明の実施形態を特定の実施例に基づいて説明する。当業者は、本明細書の記載内容によって簡単に本発明のその他の利点や効果を理解できる。また、本明細書に添付された図面に示す構造、比例、寸法等は、当業者が理解できるように明細書に記載されている内容に合わせて説明されるものであるが、本発明の実施条件を制限するものではないため、いかなる構造の修飾、変更又は調整も、本発明の効果及び目的に影響を与えるものでなければ、本発明に開示された技術内容の範囲に入る。
図２及び図３を参照して、本発明に係るミリ波用の多層構造は、２６層の多層構造を示し、その総厚さは約３．９５ｍｍである。底板３５は、その上に設けられる当該多層構造を支持する。また、密封材料（図示せず）を利用することにより、この多層構造における層と層との間、及び多層構造と底板３５との間の空間を充填することができる。ここで説明すべきであるのは、具体的に実施する際には、層数、厚さ又は材料によって限定されないことである。この多層構造は、主に、第１層３１、第２層３２、第１層３１と第２層３２との間にある一つ又は複数の中間層３３、及び第１層３１と第２層３２との間にある一つ又は複数の第３層３４、３４’を含む。また、第１層３１と第２層３２の厚さは、中間層３３よりも薄い約０．１～０．２ｍｍであってもよく、必要又は抵抗に応じて決められる。
図３を参照して、本発明に係る遷移構造は、第１層信号素子２１（図４参照）と、第１層信号素子２１を取り囲む複数の第１層グラウンド素子４１と、複数の第２層グラウンド素子４２と、第１層信号素子２１に接続された中間層信号素子２３と、中間層信号素子２３を取り囲む複数の中間層グラウンド素子４３と、第１層信号素子２１に接続された第３層信号素子２４、２４’（図６Ｄ参照）と、第３層信号素子２４、２４’を取り囲む複数の第３層グラウンド素子４４、４４’とを備える。ここで説明すべきであるのは、本明細書に記載されている「結合又は接続」とは、「電気的接続」と同意味であり、即ち、構造的に直接又は間接的な接続関係であるかにかかわらず、その間には電気信号の伝送があることである。
図４及び図５を参照して、そのうち、図４は、図２の局所拡大図であり、図５は、図２の第１層３１から見下ろす平面図である。第１層信号素子２１、中間層信号素子２３、第３層信号素子２４、２４’は、直列に接続されている。また、第１層信号素子２１は、第１層３１における第１伝送線３１１に接続されており、第１層３１には、第１伝送線３１１のストリップ状外形に合わせて第１伝送線３１１を収容する第１チャンバ３１０が形成されている。第１層信号素子２１は、中間層信号素子２３を介すか又はさらに第３層信号素子２４、２４’を介して第２層３２における第２伝送線３２１に接続されており、第２層３２には、第２伝送線３２１のストリップ状外形に合わせて第２伝送線を収容する第２チャンバ３２０が形成されている。また、第１伝送線３１１と第２伝送線３２１とは反対方向に延在するため、第１チャンバ３１０と第２チャンバ３２０とは反対方向に開口している。一般的には、第１伝送線３１１の幅と第１層３１の厚さとは関連し、第２伝送線３２１の幅と第２層３２の厚さとは関連している。
次に、図６Ａ～図６Ｄを参照する。図６Ａ～図６Ｄは図２の第２層３２から見上げる底面図であり、各層の信号素子とグラウンド素子の配置を概略的に示す。
図６Ａに示すように、第１層信号素子２１は、第１伝送線３１１の末端に接続されており、複数の第１層グラウンド素子４１は、第１層３１の上に第１伝送線３１１を取り囲んでおり、複数の第１層グラウンド素子４１の間隔は等ピッチである。より詳しく説明すると、複数の第１層グラウンド素子４１は、第１伝送線３１１の末端から等しい距離を置くように第１伝送線３１１の末端を取り囲んでいる。即ち、第１層信号素子２１を円心として、一部の複数の第１層グラウンド素子４１は、第１層信号素子２１を半周取り囲んでいる。次に、一部の複数の第１層グラウンド素子４１は、第１伝送線３１１のストリップ状本体から等しい距離を置くように第１伝送線３１１のストリップ状本体の対向する両側に沿って配置されており、また、第１層グラウンド素子４１と第１伝送線３１１のストリップ状本体との間の距離は、直線の距離に応じて決められる。さらに、複数の第１層グラウンド素子４１は、第１チャンバ３１０の周縁から等しい距離を置くように第１チャンバ３１０の周縁に沿って配置されており、また、第１チャンバ３１０は、第１伝送線３１１のストリップ状外形に合わせて形成されているため、第１チャンバ３１０の周縁と第１伝送線３１１全体とは等ピッチである。
図６Ｂに示すように、第２伝送線３２１の末端は、第１層信号素子２１に接続されており、複数の第２層グラウンド素子４２は、第２層３２の上に第２伝送線３２１を取り囲んでおり、複数の第２層グラウンド素子４２の間は等ピッチである。より詳しく説明すると、複数の第２層グラウンド素子４２は、第２伝送線３２１の末端から等しい距離を置くように第２伝送線３２１の末端を取り囲んでいる。即ち、第２伝送線３２１の末端を円心として、一部の複数の第２層グラウンド素子４２は、第２伝送線３２１の末端を半周取り囲んでいる。次に、一部の複数の第２層グラウンド素子４２は、第２伝送線３２１のストリップ状本体から等しい距離を置くように第２伝送線３２１のストリップ状本体の対向する両側に沿って配置されており、また、第２層グラウンド素子４２と第２伝送線３２１のストリップ状本体との間の距離は、直線の距離に応じて決められる。さらに、複数の第２層グラウンド素子４２は、第２チャンバ３２０の周縁から等しい距離を置くように第２チャンバ３２０の周縁に沿って配置されており、また、第２チャンバ３２０は、第２伝送線３２１のストリップ状外形に合わせて形成されているため、第２チャンバ３２０の周縁と第２伝送線３２１全体とは等ピッチである。
図６Ａ及び図６Ｂを参照して、第１伝送線３１１の末端と第２伝送線３２１の末端との連結線を軸線として、該軸線は、該第１層信号素子２１を貫通しており、該軸線の２つの半周は、それぞれ、異なる層上にある第１層グラウンド素子４１と第２層グラウンド素子４２とにより取り囲まれている。言い換えれば、複数の第１層グラウンド素子４１と複数の第２層グラウンド素子４２とはともに第１層信号素子２１を取り囲んでおり、即ち、第１層信号素子２１を全周取り囲んでいる。また、第１伝送線３１１と第２伝送線３２１とは反対方向に延在するため、第１チャンバ３１０と第２チャンバ３２０とは反対方向に開口している。さらに、第１伝送線３１１のストリップ状本体の両側にある第１チャンバ３１０の周縁ピッチは、第２伝送線３２１のストリップ状本体の両側にある第２チャンバ３２０の周縁とは等ピッチであってもよい。また、第１層グラウンド素子４１と第２層グラウンド素子４２とは数が同一であってもよく、即ち、第２層３２における第１層３１を超えた領域の第２層グラウンド素子４２の部分は省略されてもよく、つまり、第１層グラウンド素子４１と第２層グラウンド素子４２とは数量がいずれも１９個である。とはいえ、本発明は、その数量を限定するものではなく、具体的な実施又は必要に応じて決められる。
従って、本発明の第１層信号素子、複数の第１層グラウンド素子、及び複数の第２層グラウンド素子の配置により、本発明の遷移構造は、動作周波数の向上という効果を奏することができる。
図６Ｃに示すように、中間層信号素子２３は、第１層信号素子２１に接続されており、複数の中間層グラウンド素子４３は、中間層３３の上に中間層信号素子２３を準同軸（ｑｕａｓｉ－ｃｏａｘｉｃａｌ）に取り囲んでおり、複数の中間層グラウンド素子４３の間は等ピッチである。また、中間層３３には、中間層信号素子２３が貫通する中間チャンバ３３０が形成されている。複数の中間層グラウンド素子４３は、中間チャンバ３３０の周縁から等しい距離を置くように中間チャンバ３３０の周縁に沿って配置されている。ここで説明すべきであるのは、図６Ｃには、図２と図３の中間層３３のうちの一つのみが模式的に示されており、具体的に実施する場合は、必要に応じて中間層３３の層数を決定してもよいことである。
図６Ａ及び図６Ｃを参照して、複数の中間層グラウンド素子４３は、第１層信号素子２１を準同軸に取り囲んでいる。従って、本発明の第１層信号素子、複数の第１層グラウンド素子、中間層信号素子、及び複数の中間層グラウンド素子の配置により、本発明の遷移構造は、動作周波数の向上という効果を奏することができる。
図６Ｄに示すように、第３層信号素子２４、２４’は、例えば、中間層信号素子２３を介して第１層信号素子２１に接続されており、複数の第３層グラウンド素子４４、４４’は、第３チャンバ３４０、３４０’の周縁から等しい距離を置くように第３チャンバ３４０、３４０’の周縁に沿って配置されている。第３チャンバ３４０、３４０’は、第２伝送線３２１の外形に対応するが、第２チャンバ３２０よりやや大きく、第２チャンバ３２０と同一の方向に開口している。ここで説明すべきであるのは、第３層３４又は３４’は、基本的に構造が同一であるが、具体的に実施する場合は、必要に応じて第３層の数量を決定してもよいことである。第１層３１と第２層３２との間に第３層３４、３４’と第３チャンバ３４０、３４０’とを設けることにより、各層に発生した抵抗を調整することができる。
また、上記第１層信号素子２１、中間層信号素子２３、第３層信号素子２４、２４’は、例えば、信号ビア又は信号ビアホールであってもよく、上記複数の第１層グラウンド素子４１、第２層グラウンド素子４２、中間層グラウンド素子４３、第３層グラウンド素子４４、４４’は、例えば、グラウンドビア又はグラウンドビアホールであってもよい。
図７を参照して、約４２ＧＨｚ以下においてＳパラメータのうちの順方向伝送係数Ｓ２１の挿入損失が約０．０４ｄＢ～１ｄＢであり、これは、信号がポート１（ｐｏｒｔ １）からポート２（ｐｏｒｔ ２）に伝送される過程における挿入損失が極めて小さいことを示し、また、約４２～４３ＧＨｚ付近において挿入損失が大きい。言い換えれば、本発明の遷移構造を適用することにより、共振周波数を約４２．６６ＧＨｚまで向上させることができるため、従来技術よりも高い周波数を達成することが可能となる。
上記のように、本発明に係るミリ波用の遷移構造及び多層遷移構造は、マイクロストリップライン（Ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ Ｌｉｎｅ、ＭＬ）を平面アレイグリッドに遷移でき、第１層信号素子と第１層信号素子を半周取り囲む複数の第１層グラウンド素子、第１層信号素子を残りの半周分取り囲む第２層グラウンド素子、及び／又は中間層信号素子と中間層信号素子を準同軸に取り囲む複数のグラウンド素子により、多層構造の厚さが動作周波数に与える影響を低減させ、共振周波数を向上させることができる。
上記実施例は、本発明の効果を例示的に説明したものに過ぎず、本発明を限定するためのものではなく、当業者によれば、本発明の主旨を逸脱しない範囲でそれらの実施態様に対して種々に修正や変更を施すことが可能である。従って、本発明の権利保護範囲は、後述の特許請求の範囲に含まれる。
１１ 信号ピン
１２ 伝送線
１３ グラウンドピン
１４ 隙間
２１ 第１層信号素子
２３ 中間層信号素子
２４、２４’ 第３層信号素子
３１ 第１層
３１０ 第１チャンバ
３１１ 第１伝送線
３２ 第２層
３２０ 第２チャンバ
３２１ 第２伝送線
３３ 中間層
３３０ 中間チャンバ
３４、３４’ 第３層
３４０、３４０’ 第３チャンバ
３５ 底板
４１ 第１層グラウンド素子
４２ 第２層グラウンド素子
４３ 中間層グラウンド素子
４４、４４’ 第３層グラウンド素子

Claims (16)

  1. 多層構造の第１層に設けられた第１伝送線の末端に接続された第１層信号素子と、
    前記多層構造の第１層に接続されて前記第１伝送線のストリップ状本体及び前記末端を取り囲む複数の第１層グラウンド素子と、
    前記多層構造における第２伝送線が設けられた第２層に接続された複数の第２層グラウンド素子と、
    前記第１層信号素子に接続された第３層信号素子と、
    前記多層構造における前記第１層と前記第２層との間にある第３層に接続された複数の第３層グラウンド素子と、
    を備え、
    前記複数の第２層グラウンド素子は、前記第２伝送線のストリップ状本体及び前記第２伝送線の末端を取り囲んでおり、
    前記第２伝送線の末端は、前記第１層信号素子に接続されており、
    前記多層構造の第２層には、前記第２伝送線を収容する第２チャンバが形成されており、
    前記第３層は、前記第２伝送線の外形に対応する、前記第２チャンバより大きい第３チャンバを有し、
    前記複数の第３層グラウンド素子は、前記第３チャンバの周縁に沿って配置されていることを特徴とするミリ波用の遷移構造。
  2. 一部の前記複数の第１層グラウンド素子は、前記第１伝送線の末端から等しい距離を置くように前記第１伝送線の末端を取り囲んでおり、
    一部の前記複数の第１層グラウンド素子は、前記第１伝送線のストリップ状本体から等しい距離を置くように前記第１伝送線のストリップ状本体の対向する両側に沿って配置されていることを特徴とする請求項１に記載のミリ波用の遷移構造。
  3. 一部の前記複数の第２層グラウンド素子は、前記第２伝送線の末端から等しい距離を置くように前記第２伝送線の末端を取り囲んでおり、
    一部の前記複数の第２層グラウンド素子は、前記第２伝送線のストリップ状本体から等しい距離を置くように前記第２伝送線のストリップ状本体の対向する両側に沿って配置されていることを特徴とする請求項１に記載のミリ波用の遷移構造。
  4. 前記第１伝送線と前記第２伝送線とは反対方向に延在し、
    前記第１伝送線の末端と前記第２伝送線の末端との連結線を軸線として、
    前記軸線は、前記第１層信号素子を貫通しており、
    前記複数の第１層グラウンド素子と前記複数の第２層グラウンド素子とは、ともに前記第１層信号素子を取り囲んでいることを特徴とする請求項１に記載のミリ波用の遷移構造。
  5. 前記複数の第３層グラウンド素子は、前記第３チャンバの周縁から等しい距離を置くように前記第３チャンバの周縁に沿って配置されていることを特徴とする請求項１に記載のミリ波用の遷移構造。
  6. 前記第１層信号素子に接続された中間層信号素子と、
    前記多層構造における前記第１層と前記第２層との間にある中間層に接続された複数の中間層グラウンド素子と、
    をさらに備え、
    前記複数の中間層グラウンド素子は、前記中間層信号素子を準同軸に取り囲んでいることを特徴とする請求項１に記載のミリ波用の遷移構造。
  7. 前記第１層信号素子は、信号ビア（ｖｉａ）又は信号ビアホール（ｖｉａ ｈｏｌｅ）であり、前記複数の第１層グラウンド素子は、グラウンドビア（ｖｉａ）又はグラウンドビアホール（ｖｉａ ｈｏｌｅ）であることを特徴とする請求項１に記載のミリ波用の遷移構造。
  8. 第１伝送線を有する第１層と第２伝送線を有する第２層を含む多層構造と、
    前記多層構造の第１層に接続された第１層信号素子及び複数の第１層グラウンド素子を含む遷移構造と、
    を備え、
    前記第１層信号素子は、前記第１伝送線の末端に接続されており、
    前記複数の第１層グラウンド素子は、前記第１伝送線のストリップ状本体及び前記末端を取り囲んでおり、
    前記第２伝送線は、第１層信号素子に接続されており、
    前記遷移構造は、前記多層構造の第２層に接続された複数の第２層グラウンド素子を備え、
    前記複数の第２層グラウンド素子は、前記第２伝送線のストリップ状本体及び前記第２伝送線の末端を取り囲んでおり、
    前記多層構造は、前記第１層と前記第２層との間にある第３層を備え、
    前記多層構造の第２層には、前記第２伝送線を収容する第２チャンバが形成されており、
    前記第３層は、前記第２伝送線の外形に対応する、前記第２チャンバより大きい第３チャンバを有し、
    前記遷移構造は、第３層信号素子と複数の第３層グラウンド素子とを備え、
    前記第３層信号素子は、前記第１層信号素子に接続されており、
    前記複数の第３層グラウンド素子は、前記第３チャンバの周縁に沿って配置されていることを特徴とするミリ波用の多層遷移構造。
  9. 一部の前記複数の第１層グラウンド素子は、前記第１伝送線の末端から等しい距離を置くように前記第１伝送線の末端を取り囲んでおり、
    一部の前記複数の第１層グラウンド素子は、前記第１伝送線のストリップ状本体から等しい距離を置くように前記第１伝送線のストリップ状本体の対向する両側に沿って配置されていることを特徴とする請求項８に記載のミリ波用の多層遷移構造。
  10. 一部の前記複数の第２層グラウンド素子は、前記第２伝送線の末端から等しい距離を置くように前記第２伝送線の末端を取り囲んでおり、
    一部の前記複数の第２層グラウンド素子は、前記第２伝送線のストリップ状本体から等しい距離を置くように前記第２伝送線のストリップ状本体の対向する両側に沿って配置されていることを特徴とする請求項８に記載のミリ波用の多層遷移構造。
  11. 前記第１伝送線と第２伝送線とは反対方向に延在し、
    前記第１伝送線の末端と前記第２伝送線の末端との連結線を軸線として、
    前記軸線は、前記第１層信号素子を貫通しており、
    前記複数の第１層グラウンド素子と前記複数の第２層グラウンド素子とは、ともに前記第１層信号素子を取り囲んでいることを特徴とする請求項８に記載のミリ波用の多層遷移構造。
  12. 前記複数の第２層グラウンド素子は、前記第２チャンバの周縁から等しい距離を置くように前記第２チャンバの周縁に沿って配置されていることを特徴とする請求項８に記載のミリ波用の多層遷移構造。
  13. 前記複数の第３層グラウンド素子は、前記第３チャンバの周縁から等しい距離を置くように前記第３チャンバの周縁に沿って配置されていることを特徴とする請求項８に記載のミリ波用の多層遷移構造。
  14. 前記多層構造は、前記第１層と前記第２層との間にある中間層を備え、
    前記遷移構造は、中間層信号素子と複数の中間層グラウンド素子とを備え、
    前記中間層信号素子は、前記第１層信号素子に接続されており、
    前記複数の中間層グラウンド素子は、前記中間層信号素子を準同軸に取り囲んでいることを特徴とする請求項８に記載のミリ波用の多層遷移構造。
  15. 前記第１層信号素子は、信号ビア（ｖｉａ）又は信号ビアホール（ｖｉａ ｈｏｌｅ）であり、前記複数の第１層グラウンド素子は、グラウンドビア（ｖｉａ）又はグラウンドビアホール（ｖｉａ ｈｏｌｅ）であることを特徴とする請求項８に記載のミリ波用の多層遷移構造。
  16. 前記多層構造の第１層には、前記第１伝送線を収容する第１チャンバが形成されており、
    前記複数の第１層グラウンド素子は、前記第１チャンバの周縁から等しい距離を置くように前記第１チャンバの周縁に沿って配置されていることを特徴とする請求項８に記載のミリ波用の多層遷移構造。
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