JP7160818B2 - 黒色粉体及びその製造方法 - Google Patents
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Description
上記黒色粉体の製造方法は、下記一般式(1):
R1Si(OR2)3・・・(1)
(一般式(1)中、R1は非加水分解性基であって、炭素数1~20のアルキル基、(メタ)アクリロイルオキシ基若しくはエポキシ基を有する炭素数1~20のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数6~20のアリール基、又は、炭素数7~20のアラルキル基を示し、R2は炭素数1~6のアルキル基を示し、各OR2は互いに同一であっても異なっていてもよい。)で表されるトリアルコキシシランから得られる縮合物を含む第1の粒子を得る工程と、前記第1の粒子中の有機成分を炭化させることで炭素を含有する第2の粒子を得る工程と、前記第2の粒子の表面に含まれる炭素を除去する工程と、を備える。
<黒色粉体>
黒色粉体は、炭素を含有するシリカ粒子から構成されている。シリカ粒子は、単層構造を有している。シリカ粒子の表面に含まれる炭素の含有量は、1質量%以下である。シリカ粒子の表面に含まれる炭素の含有量は、X線光電子分光法により測定することができる。
CV値(%)={粒子径の標準偏差[μm]/平均粒子径[μm]}×100
黒色粉体のCV値は、5%以下であることが好ましく、より好ましくは2.5%以下である。
上記関係式中のFは、黒色粉体の10%圧縮変形における荷重[N]であり、Sは黒色粉体の10%圧縮変形における変位[mm]であり、Rは黒色粉体の半径[mm]である。
次に、黒色粉体の製造方法について説明する。
黒色粉体の製造方法は、トリアルコキシシランから得られる縮合物を含む第1の粒子を得る工程と、第1の粒子中の有機成分を炭化させることで炭素を含有する第2の粒子を得る工程(炭化工程)とを備える。黒色粉体の製造方法は、第2の粒子の表面に含まれる炭素を除去する工程(除去工程)をさらに備えている。
シード粒子形成工程では、少なくともトリアルコキシシランを含むアルコキシシランを水性溶媒に溶解した溶液に、触媒を添加することでアルコキシシランを加水分解及び縮合させる。これにより、トリアルコキシシランの縮合物を含むシード粒子が形成される。なお、シード粒子形成工程では、シード粒子が液滴として水性分散媒に分散したシード粒子水性分散液が得られる。
R1Si(OR2)3・・・(1)
一般式(1)中、R1は非加水分解性基であって、炭素数1~20のアルキル基、(メタ)アクリロイルオキシ基若しくはエポキシ基を有する炭素数1~20のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数6~20のアリール基、又は、炭素数7~20のアラルキル基を示し、R2は炭素数1~6のアルキル基を示し、各OR2は互いに同一であっても異なっていてもよい。
なお、トリアルコキシシランと、テトラアルコキシシラン、ジアルコキシシラン及びモノアルコキシシランから選ばれる少なくとも一種とを組み合わせて用いてもよい。これらシラン化合物や有機置換基の種類を種々選択することで、黒色粉体の炭素含有量を任意に設計することもできる。
成長粒子形成工程では、少なくともトリアルコキシシランを含むアルコキシシラン水性溶液を用いる。このアルコキシシラン水性溶液と上記シード粒子水性分散液とを混合し、シード粒子にアルコキシシランを吸収させる。これにより、シード粒子が成長した成長粒子が形成される。この成長粒子形成工程では、成長粒子水性分散液が得られる。
なお、トリアルコキシシランと、テトラアルコキシシラン、ジアルコキシシラン及びモノアルコキシシランから選ばれる少なくとも一種とを組み合わせて用いてもよい。また、成長粒子形成工程で用いるシラン化合物は、シード粒子に用いたシラン化合物と同一であってもよいし、異なってもよい。成長粒子形成工程において、シード粒子とは異なるシラン化合物を選択することで、成長粒子中にシード粒子とは異なる有機置換基を導入し、黒色粉体の炭素含有量を任意に設計することもできる。
第1の粒子は、例えば、上記トリアルコキシシランの縮合物(オルガノポリシロキサン)と、ビニル系重合体とを複合した複合粒子であってもよい。ビニル系重合体としては、ニトリル基を有するビニル系重合体を含むことが好ましい。ニトリル基を有するビニル系重合体は、構成単位としてアクリロニトリル及びメタクリロニトリルの少なくとも一方を含むものが挙げられる。ニトリル基を有するビニル系重合体の構成単位は、例えば、アクリル酸メチル、酢酸ビニル、及びメタクリル酸メチル等を含んでもよい。ニトリル基を有するビニル系重合体は、アクリロニトリルを構成単位として含むビニル系重合体を含むことが好ましく、アクリロニトリルが50モル%以上含まれることがより好ましい。
次に、第2の粒子を得るための炭化工程について説明する。炭化工程は、空気よりも酸素濃度の低いガス中で行われる。空気よりも酸素濃度の低いガスとしては、不活性ガス及び還元性ガスから選ばれる少なくとも一種を用いることができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス、ヘリウムガス、ネオンガス、及びアルゴンガスが挙げられる。還元性ガスとしては、例えば、アンモニアガスが挙げられる。炭化工程では、不活性ガス及び還元性ガスから選ばれる少なくとも一種と空気とを混合した混合ガスを用いてもよいし、不活性ガス及び還元性ガスから選ばれる少なくとも一種のみを用いてもよい。炭化工程における雰囲気中の酸素濃度は、炭化工程の効率を向上させるという観点から、7.0体積%未満であることが好ましく、より好ましくは3.0体積%未満である。
(1)黒色粉体は、炭素を含有するシリカ粒子から構成されている。シリカ粒子は、単層構造を有している。すなわち、シリカ粒子は、粒子全体にわたってシリカの界面が存在しない。このため、シリカの構造破壊や絶縁破壊が生じ難くなり、シリカ本来の絶縁性能が発揮され易くなる。また、シリカ粒子の表面に含まれる炭素の含有量は、1質量%以下である。すなわち、シリカ粒子の表面は、高純度のシリカにより形成されているため、高い絶縁性能が得られる。従って、より高い耐電圧性能を得ることができる。
(3)液晶パネルでは、スペーサーと液晶との界面で液晶分子の異常配向が生じると、光抜けが起こることで液晶表示装置の画面上で明点又は暗点が視認される場合がある。こうした明点又は暗点は、液晶表示装置の画面の表示品質を低下させる一因となっている。ここで、液晶分子の異常配向は、スペーサーとなる粒子表面の官能基によって液晶が配列することで生じることが知られており、スペーサーとなる粒子の表面処理により液晶分子の異常配向は改善される。すなわち、液晶分子の異常配向を防止するには、スペーサーとなる粒子の表面処理が一般的な対策として知られている。
(イ)前記炭素を除去する工程は、酸素を含む雰囲気下で前記第2の粒子を加熱し、前記第2の粒子の表面に含まれる炭素を炭素酸化物ガスとして揮発させる工程である上記黒色粉体の製造方法。
(ハ)コアとシェルとを有する粒子から構成される黒色粉体であって、前記シェルは炭素を含有し、かつシリカの単層構造を有し、X線光電子分光法により測定される、前記シェルの表面に含まれる炭素の含有量が1質量%以下である黒色粉体。
(実施例1)
<シード粒子の調製>
メチルトリメトキシシラン(MTMS)140gと水1200gとを20℃で1時間撹拌した後、1N-アンモニア水溶液11gを添加し、さらに20分間撹拌することにより、シード粒子の分散液を得た。
メチルトリメトキシシラン240gと水1187gとを25℃で1時間撹拌した溶液に、1%ドデシル硫酸アンモニウム水溶液13gを混合することで、粒子成長用溶液を調製した。粒子成長用溶液に上記シード粒子の分散液240gを添加し、光学顕微鏡で粒径を随時確認しながら撹拌することで、シード粒子を成長させた。約2時間経過後、粒子の成長が停止した。次に、25質量%アンモニア水を50g添加し、成長粒子を固化させることで、第1の粒子を得た。得られた第1の粒子をデカンテーションにより固液分離し、メタノールで3回洗浄した。洗浄後の第1の粒子を2日間かけて自然乾燥し、さらに110℃で加熱乾燥させた。得られた第1の粒子の色は、白色であった。
乾燥させた固化粒子を窒素雰囲気下、1000℃で4時間加熱することで、第1の粒子中の有機成分が炭化した第2の粒子を得た。
得られた第2の粒子を空気雰囲気下、1000℃で4時間加熱することで黒色粉体を得た。
<シード粒子の調製>
ビニルトリメトキシシラン(VTMS)350gと水1000gとを20℃で1時間撹拌した後、1N-アンモニア水溶液0.4gを添加し、さらに120分間撹拌することにより、シード粒子の分散液を得た。
ビニルトリメトキシシラン166gと水475gとを25℃で1時間撹拌した溶液に、1%ドデシル硫酸アンモニウム水溶液5gを混合することで、粒子成長用溶液を調製した。粒子成長用溶液に上記シード粒子の分散液180gを添加し、20分撹拌することで、シード粒子が成長した成長粒子の分散液を得た。
単量体エマルションと上記成長粒子の分散液とを用いて、重合体と成長粒子との複合粒子(第1の粒子)を得る複合工程を行った。単量体エマルションは、次のように調製した。まず、アクリロニトリル50gに、重合開始剤としてのアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)5gを溶解することで混合液を調製した。この混合液と、乳化剤としての硫酸エステル塩(商品名:ニューコール707SF、日本乳化剤株式会社、固形分30質量%水溶液)3gをイオン交換水100gで溶解させた溶液とをホモジナイザーにより20000rpmで1分間撹拌することで、単量体エマルションを調製した。
乾燥させた第1の粒子を窒素雰囲気下、680℃で1時間加熱することで、複合粒子(第1の粒子)中の有機成分が炭化した第2の粒子を得た。
得られた第2の粒子を空気雰囲気下、750℃で4時間加熱することで、黒色粉体を得た。
<シード粒子の調製>
実施例3のシード粒子の調製では、メチルトリメトキシシランの配合量を100gに変更した以外は実施例1と同様にシード粒子の分散液を得た。
メチルトリメトキシシラン240gと水1187gとを25℃で1時間撹拌した溶液に、1%ドデシル硫酸アンモニウム水溶液13gを混合することで、粒子成長用溶液を調製した。粒子成長用溶液に上記シード粒子の分散液200gを添加し、約2時間撹拌することで成長粒子の分散液を得た。
メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン36gと水142gとを25℃で1時間撹拌することで、カップリング剤分散液を調製した。カップリング剤分散液を上記成長粒子の分散液に添加した。約2時間経過後、粒子の成長が停止した。次に、25質量%アンモニア水を50g添加し、成長粒子を固化させることで、第1の粒子を得た。得られた第1の粒子をデカンテーションにより固液分離し、メタノールで3回洗浄した。洗浄後の第1の粒子を2日間かけて自然乾燥し、さらに80℃、1時間の条件で加熱乾燥した。得られた第1の粒子の色は、白色であった。
乾燥された第1の粒子を、窒素雰囲気下、1100℃で1時間加熱することで、第1の粒子中の有機成分が炭化した第2の粒子を得た。
得られた第2の粒子を空気雰囲気下、1100℃で1時間加熱することで、黒色粉体を得た。
<シード粒子の調製>
メチルトリメトキシシラン240gと水24gとを30℃で3時間撹拌した後、水1200gと1N-アンモニア水溶液12gとを添加し、さらに20℃で30分間撹拌することにより、シード粒子の分散液を得た。
実施例4では、粒子成長工程を2回繰り返すことで、第1の粒子を得た。
1回目の粒子成長工程では、まずメチルトリメトキシシラン240gと水1187gとを25℃で1時間撹拌した溶液に、1%ドデシル硫酸アンモニウム水溶液13gを混合して、粒子成長用溶液を調製した。この粒子成長用溶液にシード粒子の分散液400gを添加し、光学顕微鏡で粒径を随時確認しながら撹拌した。これによって、1回目の成長粒子の分散液を得た。
得られた第1の粒子を実施例1と同じ条件で加熱することで、第2の粒子を得た。
<除去工程>
得られた第2の粒子を実施例1と同じ条件で加熱することで、黒色粉体を得た。
実施例5では、粒子成長工程を4回繰り返した以外は、実施例4と同様に黒色粉体を得た。
比較例1では、除去工程を省略した以外は実施例1と同様に粉体を得た。
(比較例2)
比較例2では、除去工程を省略した以外は実施例2と同様に粉体を得た。
比較例3では、除去工程の条件を300℃、10時間に変更した以外は実施例1と同様に粉体を得た。
比較例4では、炭化工程を省略した以外は実施例1と同様に粉体を得た。
(比較例5)
比較例5では、比較例2と同様に炭化工程で得られた第2の粒子50gにメタノール300gと25質量%アンモニア水100gとを加え、30℃で撹拌しながらテトラエトキシシラン(TEOS)24gを10分間の滴下時間で滴下した。2時間後にデカンテーションにより固液分離し、メタノールで3回洗浄した。次いで、自然乾燥を2日間行った後、さらに300℃で加熱乾燥することで、粉体を得た。この粉体を構成する粒子は、シリカ層と絶縁層(TEOS層)とからなる二層構造を有している。
比較例6では、粒子成長工程まで実施例2と同様に行うことで成長粒子の分散液を得た。
(粒子の表面炭素分析:X線光電子分光法)
粉体サンプルについて、粒子の表面の炭素含有量を測定した。まず、粉体をアルミニウム製の皿に敷き詰めた後、試料台に固定し、X線光電子分光装置内にセットした。X線光電子分光装置により、粉体の表面原子濃度を測定し、粒子表面炭素量(質量%)を算出した。X線光電子分光装置としては、アルバック・ファイ社製、商品名:PHI-5000 VersaprobeIIを用いた。X線光電子分光装置のX線源は、AlKα(1486.7eV、25W、モノクロ)であり、分析領域は、φ100μmとし、電子中和銃を使用した。なお、表面原子濃度は、検出元素(C、O、Si)のナロースペクトルにおけるピーク強度を基にして、アルバック・ファイ社提供の相対感度因子を用いて計算した。
粉体サンプルについて、粒子中の炭素含有量測定を行った。炭素含有量測定では、炭素・硫黄分析装置(LECO社製、CS844型)を用いた高周波誘導加熱燃焼-赤外線吸収法によって炭素を定量した。炭素・硫黄分析装置の運転条件は、以下の通りである。
サイクルタイム:90秒
キャリアガス:酸素(純度99.6%)
駆動ガス:窒素
キャリアガス流量:3L/分
なお、炭素・硫黄分析装置のガスドージングは使用せず、標準試料としてLECO社製スチールレンズを使用し、1点検量線で定量した。
粉体サンプルのXYZ表色系におけるY値をJIS Z8701:1999に準拠して測定した。まず、分光光度計(V-670、日本分光株式会社製)に石英製の粉体用ホルダーをセットしてゼロ点補正を行った。次に、粉体用ホルダーに粉体を入れ、Y値の測定を行った。
粉体サンプルにおける粒子10個の10%K値を測定し、それら10%K値の平均値を求めた。この測定には、微小圧縮試験機(MCTE-200、株式会社島津製作所製)を用いた。
製造過程の粒子(粉体)、製造後の粉体をサンプリングし、コールターカウンターにて平均粒子径及びCV値を求めた。
図1に示すように、耐電圧試験では、まず試験用のパネル10を作製した。パネル10は、上下一対のITO膜付き基板11,11の間に粒子12aと熱硬化性樹脂12bとの混合物からなる絶縁層12が挟み込まれたサンドイッチ状の構造を有する。上側のITO膜付き基板11と絶縁層12との接触面積、下側のITO膜付き基板11との接触面積は、いずれも500mm2である。
上記粒子の絶縁破壊電圧を合否判定の基準値とし、この基準値を満たす粒子を合格と判定した。また、上記式により求められる粒子の絶縁破壊電圧が240Vを超える場合は、240Vを基準値とした。なお、海外での家庭用電源の電圧は、240Vである。
比較例2の粉体について、JIS B9915に準拠し、水分量10体積%、測定温度80℃にて、粒子の体積抵抗値(見掛け電気抵抗率)を測定した結果、7.5×1010Ω・cmであり、比較的高い値であった。すなわち、高電圧環境下の使用を想定した上記耐電圧試験では、比較的高い体積抵抗値を有していても、不合格の結果となることが分かる。
まず、図1の試験用のパネル10の絶縁層12を構成する熱硬化性樹脂12bを液晶材料に変更した以外は、耐電圧試験用のパネル10と同様にして、試験用の液晶パネルを作製した。以下、図1と同様の構成については、図1の符号を援用して説明する。
次に、一対のITO膜付き基板11,11(30mm×25mm×1.1mm、株式会社イーエッチシー)の間に上記液晶組成物を挟み込むことで積層体を作製した。そして、積層体の外縁部の1辺を除いてシールし、この積層体の厚み方向に0.5MPaの圧力をかけ、余分な液晶組成物を取り除いた後、外縁部の残り1辺をシールし、試験用の液晶パネルを得た。
この液晶セルを用いた液晶表示素子は、点灯作動時に液晶分子とスペーサー粒子界面での液晶分子の異常配向に起因する光り抜けはほとんどなかった。これより、液晶分子におけるスペーサー界面からの影響は小さいことが分かった。
Claims (2)
- 炭素を含有するシリカ粒子から構成される黒色粉体であって、
前記シリカ粒子は、単層構造を有し、
X線光電子分光法により測定される、前記シリカ粒子の表面に含まれる炭素の含有量が1質量%以下であり、
前記シリカ粒子中の炭素の含有量が9質量%以上、25質量%以下の範囲であることを特徴とする黒色粉体。 - 請求項1に記載の黒色粉体の製造方法であって、
下記一般式(1):
R1Si(OR2)3・・・(1)
(一般式(1)中、R1は非加水分解性基であって、炭素数1~20のアルキル基、(メタ)アクリロイルオキシ基若しくはエポキシ基を有する炭素数1~20のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数6~20のアリール基、又は、炭素数7~20のアラルキル基を示し、R2は炭素数1~6のアルキル基を示し、各OR2は互いに同一であっても異なっていてもよい。)
で表されるトリアルコキシシランから得られる縮合物を含む第1の粒子を得る工程と、
前記第1の粒子中の有機成分を炭化させることで炭素を含有する第2の粒子を得る工程と、
前記第2の粒子の表面に含まれる炭素を除去する工程と、を備え、
前記炭素を除去する工程は、酸素を含む雰囲気下で前記第2の粒子を加熱し、前記第2の粒子の表面に含まれる炭素の一部又は全体を炭素酸化物ガスとして揮発させる工程であり、
前記炭素を除去する工程における加熱温度は、400℃以上、1500℃以下の範囲であることを特徴とする黒色粉体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022165569A JP7430761B2 (ja) | 2017-08-31 | 2022-10-14 | 黒色粉体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017166608 | 2017-08-31 | ||
JP2017166608 | 2017-08-31 | ||
PCT/JP2018/030227 WO2019044480A1 (ja) | 2017-08-31 | 2018-08-13 | 黒色粉体及びその製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022165569A Division JP7430761B2 (ja) | 2017-08-31 | 2022-10-14 | 黒色粉体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019044480A1 JPWO2019044480A1 (ja) | 2020-10-15 |
JP7160818B2 true JP7160818B2 (ja) | 2022-10-25 |
Family
ID=65525530
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019539325A Active JP7160818B2 (ja) | 2017-08-31 | 2018-08-13 | 黒色粉体及びその製造方法 |
JP2022165569A Active JP7430761B2 (ja) | 2017-08-31 | 2022-10-14 | 黒色粉体の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022165569A Active JP7430761B2 (ja) | 2017-08-31 | 2022-10-14 | 黒色粉体の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11679985B2 (ja) |
EP (1) | EP3677549A4 (ja) |
JP (2) | JP7160818B2 (ja) |
KR (1) | KR102589821B1 (ja) |
CN (1) | CN111032570B (ja) |
TW (1) | TWI771478B (ja) |
WO (1) | WO2019044480A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113603103A (zh) * | 2021-08-13 | 2021-11-05 | 浙江三时纪新材科技有限公司 | 半导体封装材料,基板材料的制备方法,由此得到的半导体封装材料,基板材料及其应用 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014114358A (ja) | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Ube Exsymo Co Ltd | 黒色フィラー及びその製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6389408A (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-20 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 黒色系粒子の製造方法 |
US4789389A (en) * | 1987-05-20 | 1988-12-06 | Corning Glass Works | Method for producing ultra-high purity, optical quality, glass articles |
JP3061285B2 (ja) | 1990-03-06 | 2000-07-10 | 株式会社トクヤマ | 黒色シリカ粒子及びその製造方法 |
JPH07172813A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-11 | Showa Denko Kk | 黒色球状シリカ及び黒色球状シリカを製造する方法 |
JP3774240B2 (ja) * | 1994-08-03 | 2006-05-10 | 触媒化成工業株式会社 | 黒色系粒子の製造方法 |
JPH08183610A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-16 | Mitsubishi Chem Corp | 着色球状シリカの製造法 |
JP3279209B2 (ja) * | 1996-12-26 | 2002-04-30 | 住友金属工業株式会社 | 塗装密着性に優れた表面処理鋼板の製造方法 |
JP4055869B2 (ja) | 1997-08-07 | 2008-03-05 | 宇部日東化成株式会社 | 黒色ポリオルガノシロキサン微粒子の製造方法 |
JP4102637B2 (ja) | 2002-10-02 | 2008-06-18 | 株式会社日本触媒 | シリカ粒子およびその用途 |
KR101365382B1 (ko) * | 2005-11-25 | 2014-02-19 | 닛키 쇼쿠바이카세이 가부시키가이샤 | 중공 실리카 미립자, 그것을 포함한 투명 피막 형성용조성물, 및 투명 피막 부착 기재 |
CN102795632B (zh) * | 2012-04-12 | 2014-04-09 | 南昌大学 | 一种自蔓延低温燃烧制备超细硅微粉的方法 |
JP6105267B2 (ja) * | 2012-12-07 | 2017-03-29 | 宇部エクシモ株式会社 | 黒色粉体の製造方法 |
KR20140115399A (ko) | 2013-02-19 | 2014-10-01 | 주식회사 대유신소재 | 고단열 및 고강도 특성을 갖는 알루미늄-미세탄소재료 복합체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 알루미늄-미세탄소재료 복합체 |
CN105980307B (zh) * | 2014-02-10 | 2020-03-27 | 株式会社日本触媒 | 二氧化硅粒子、含有该粒子的树脂组合物及其用途 |
CN105645418B (zh) * | 2016-01-15 | 2017-12-26 | 东南大学 | 一种黑色素掺杂单分散二氧化硅胶体粒子的量产制备方法 |
-
2018
- 2018-08-13 KR KR1020207008724A patent/KR102589821B1/ko active IP Right Grant
- 2018-08-13 WO PCT/JP2018/030227 patent/WO2019044480A1/ja unknown
- 2018-08-13 JP JP2019539325A patent/JP7160818B2/ja active Active
- 2018-08-13 US US16/641,565 patent/US11679985B2/en active Active
- 2018-08-13 EP EP18851128.1A patent/EP3677549A4/en active Pending
- 2018-08-13 CN CN201880054673.1A patent/CN111032570B/zh active Active
- 2018-08-27 TW TW107129720A patent/TWI771478B/zh active
-
2022
- 2022-10-14 JP JP2022165569A patent/JP7430761B2/ja active Active
-
2023
- 2023-05-08 US US18/144,679 patent/US20230271841A1/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014114358A (ja) | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Ube Exsymo Co Ltd | 黒色フィラー及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11679985B2 (en) | 2023-06-20 |
TW201912579A (zh) | 2019-04-01 |
WO2019044480A1 (ja) | 2019-03-07 |
EP3677549A1 (en) | 2020-07-08 |
JPWO2019044480A1 (ja) | 2020-10-15 |
US20200180970A1 (en) | 2020-06-11 |
CN111032570A (zh) | 2020-04-17 |
US20230271841A1 (en) | 2023-08-31 |
JP7430761B2 (ja) | 2024-02-13 |
JP2022186814A (ja) | 2022-12-15 |
TWI771478B (zh) | 2022-07-21 |
KR20200044905A (ko) | 2020-04-29 |
CN111032570B (zh) | 2023-09-22 |
KR102589821B1 (ko) | 2023-10-16 |
EP3677549A4 (en) | 2021-06-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221004 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7160818 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |