JP7158160B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
すなわち、半導体基板に形成された半導体素子と、前記半導体素子の上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上に形成された第1の金属層と、前記第1の絶縁層及び前記第1の金属層の上に形成された、少なくとも一部にSOG膜を含む第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成されたパッシベーション膜と、を有する半導体装置であって、平面視において前記半導体素子を切れ目無く囲む外周領域に前記第1の金属層で形成されたガードリング金属膜を有し、前記外周領域の第2の絶縁膜の中にSOG膜を含まないことを特徴とする半導体装置とする。
図2(a)、(b)は、図1において半導体装置100をA-A’線、B-B’線に沿って切断した場合の断面図である。
例えば、以上の実施形態においては、1つのMOSトランジスタに対し1つのガードリング金属膜や最上層カバー金属膜を設置していたが、特性変動の抑制が必要な複数のMOSトランジスタに対して1つのガードリング金属膜や最上層カバー金属膜を設置しても構わない。
例えば、第1から第3の実施形態は、例として2層の金属層を有する半導体装置を中心に説明されたが、第1の実施形態の変形例で説明したように、それぞれ3層の金属層へ適用することは容易であり、さらに4層以上の金属層へ適用することも可能である。
101、201、301、401 半導体基板
102、202、302、402、502 ソース領域
103、203、303、403、503 ドレイン領域
104、204a、304,404、504 コンタクトホール
204b ビアホール
105、205、305、405 ゲート絶縁膜
106、206、306、406、506 ゲート電極
107、207a、207b、307、407、507 ソース配線金属膜
108、208a,208b、308、408、508 ドレイン配線金属膜
109、209a、209b、309、409、509 ガードリング金属膜
110、210、310、410、510 切れ目
111、211、311、411 分離絶縁膜
112、212、213、312、412、612 層間絶縁膜
112a、212a、312a、412a 第1TEOS膜
112b、212b、213b、312b、412b SOG膜
112c、212c、312c、412c 第2TEOS膜
115、215、315、415、615 パッシベーション膜
117、217、317、417、517 外周領域
213a 第3TEOS膜
213c 第4TEOS膜
314、414、514 最上層カバー金属膜
616 ボンディングパッド
618 クラック
Claims (2)
- 半導体基板に形成されたPチャネルMOSトランジスタと、
前記PチャネルMOSトランジスタの上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の上に形成された第1の金属層と、
前記第1の絶縁膜及び前記第1の金属層の上に形成された、少なくとも一部にSOG膜を含む第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜の上に形成されたパッシベーション膜と、
を有する半導体装置であって、
平面視において前記PチャネルMOSトランジスタを切れ目無く囲む外周領域及び前記外周領域で囲まれた内側の領域に前記第1の金属層で形成されたガードリング金属膜を有し、
前記第1の金属層は、前記PチャネルMOSトランジスタに接続された配線金属膜および前記ガードリング金属膜を含み、
前記ガードリング金属膜は、前記配線金属膜が前記PチャネルMOSトランジスタから外側に延伸する領域に切れ目を有し、
前記ガードリング金属膜と前記配線金属膜とが対向する隙間の領域に形成された前記第2の絶縁膜の中にSOG膜を含まないことを特徴とする半導体装置。 - 前記PチャネルMOSトランジスタ及び前記ガードリング金属膜上であって、
平面視において前記PチャネルMOSトランジスタ及び前記ガードリング金属膜を含み、前記PチャネルMOSトランジスタ及び前記ガードリング金属膜より広い領域に、第2の金属膜が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
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