JP7143002B2 - 重合性不飽和基を有するシクロデキストリン誘導体 - Google Patents
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- C08L5/00—Compositions of polysaccharides or of their derivatives not provided for in groups C08L1/00 or C08L3/00
- C08L5/16—Cyclodextrin; Derivatives thereof
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Description
特許文献1及び2には、シクロデキストリンとアクリルアミドをパラトルエンスルホン酸触媒存在下にてジメチルホルムアミド(DMF)中で反応させ、アセトン再沈殿で得られた粗体をカラムで精製して収集し、そのモノマーをアセチル化して、アセチル変性体を得る方法が記載されている。しかしながら、このような製造工程では、コストがかりすぎるうえに大量生産が難しい面がある。
特許文献4、非特許文献1及び2には、エチレンジアミン部位を有するシクロデキストリンにメタクリル基を導入したモノマーが報告されている。しかし、このモノマーはシクロデキストリンの水酸基を変性しておらず、共重合させる他のモノマーとの相溶性に問題がある。
非特許文献3には、ジアミノヘキサン部位を有するシクロデキストリンにメタクリル基を導入したモノマーが報告されているが、同様に相溶性に問題がある。
下記一般式(1)で示される重合性不飽和基を有するシクロデキストリン誘導体である。
(ア)下記一般式(2)
-R3-NH-R4 (2)
(R3は、炭素数3~20のアルキレン基であり、直鎖でも分岐していても良く、置換基があっても良い。
R4は、(メタ)アクリロイル基を表す。)、
又は
(イ)下記一般式(3)
-R5-NHCONH-R6 (3)
(R5は、炭素数3~20のアルキレン基であり、直鎖でも分岐していても良く、置換基があっても良い。
R6は、炭素数4~50の(メタ)アクリロイルオキシアルキル基を表す。)
のいずれか1つを表す。
R2は、水素原子、炭素数2~50のアシル基又は炭素数1~30のアルキル基を表す。
Rcは、下記一般式(5)で示される基を表す。
(1)モノ-6-トシル-シクロデキストリンを、炭素数3~20のジアミノアルキル化合物と反応させて、モノアミノ化合物を得る工程、
(2)得られたモノアミノ化合物を、(メタ)アクリル酸無水物と反応させて、(メタ)アクリルアミド基を有するシクロデキストリンを得る工程、
(3)得られた(メタ)アクリルアミド基を有するシクロデキストリンを、酸無水物と反応させて、アシル化物を得る工程を含む、
下記一般式(6)
R3は、炭素数3~20のアルキレン基であり、直鎖でも分岐していても良く、置換基があっても良い。
R8は、水素基又はメチル基を表す。
RC1は、下記一般式(5a)で示される基を表す。
(a)モノ-6-トシル-シクロデキストリンを、炭素数1~30のハロゲン化アルキルと反応させて、アルキル化物を得る工程、
(b)得られたアルキル化物を、炭素数3~20のジアミノアルキル化合物と反応させて、モノアミノ化合物を得る工程、
(c)得られたモノアミノ化合物を、(メタ)アクリル酸無水物と反応させて、(メタ)アクリルアミド基を有するシクロデキストリンを得る工程を含む、
下記一般式(7)
(ア)モノ-6-トシル-シクロデキストリンを、ハロゲン化アルキルと反応させて、アルキル化物を得る工程、
(イ)得られたアルキル化物を、炭素数3~20のジアミノアルキル化合物と反応させて、アミノ化合物を得る工程、
(ウ)得られたアミノ化合物を、(メタ)アクリロイルオキシアルキルイソシアネートと反応させて、(メタ)アクリロイルオキシアルキル基を有するシクロデキストリンを得る工程を含む、
下記一般式(8)
R6は、(メタ)アクリロイルオキシアルキル基を表す。
RC2は、下記一般式(5b)で示される基を表す。
(ア)下記一般式(2)
-R3-NH-R4 (2)
(R3は、炭素数3~20のアルキレン基であり、直鎖でも分岐していても良く、置換基があっても良い。
R4は、(メタ)アクリロイル基又は炭素数3~50のビニル基含有アルキル基を表す。)、
(イ)下記一般式(3)
-R5-NHCONH-R6 (3)
(R5は、炭素数3~20のアルキレン基であり、直鎖でも分岐していても良く、置換基があっても良い。
R6は、炭素数4~50の(メタ)アクリロイルオキシアルキル基又は炭素数3~50のビニル基含有アルキル基を表す。)
又は(ウ)下記一般式(4)
-R5-OCONH-R6 (4)
(R5及びR6は上記と同じ。)
のいずれか1つを表す。
R2は、水素原子、炭素数2~50のアシル基又は炭素数1~30のアルキル基を表す。
Rcは、下記一般式(5)で示される基を表す。
本発明により、安価に収率良く、純度の高いシクロデキストリン誘導体が得られるものである。
なお、本明細書において、「シクロデキストリンが他の有機基で置換された構造を有する分子」を、便宜上、「シクロデキストリン類」と表記することがある。
中でも、合成面、他の重合性単量体との相溶性による設計面の観点から、メチル基であることが好ましい。
(ア)下記一般式(2)
-R3-NH-R4 (2)
(R3は、炭素数3~20のアルキレン基であり、直鎖でも分岐していても良く、置換基があっても良い。
R4は、(メタ)アクリロイル基又は炭素数3~50のビニル基含有アルキル基を表す。)
で表される。
このように、一般式(2)に示される構造を有するシクロデキストリン誘導体は、R2-N-R3-NH―という、ジアミノアルキル化合物に由来する構造を有するものである。
また、R4は、炭素数3~50のビニル基含有アルキル基であってもよい。
-R5-NHCONH-R6 (3)
(R5は、炭素数2~20のアルキレン基であり、直鎖でも分岐していても良く、置換基があっても良い。
R6は、炭素数4~50の(メタ)アクリロイルオキシアルキル基又は炭素数3~50のビニル基含有アルキル基を表す。)であってもよい。
-R5-OCONH-R6 (4)
(R5及びR6は上記と同じ。)であってもよい。
例えば、上記一般式(6)に示すシクロデキストリン誘導体を製造するにあたっては、下記に示す反応式に基づき製造する方法が挙げられる。
また、α、γ-シクロデキストリンにおいても、再結晶や再沈殿の条件検討により、同様に得ることが期待できる。
具体的に、例えば、アセチル化する場合には、無水酢酸を用いればよく、また、無水酢酸に代えて、酢酸クロリド等を用いてもよい。
また、上記DMAPおよびトリエチルアミンに代えて、ピリジン等の塩基かつ触媒を用いてもよい。
なお、上記反応式中のnは、シクロデキストリン1分子が有する水酸基の全個数N-1の20%以上の整数を表すものである。
なお、上記反応式中のmは、シクロデキストリン1分子が有する水酸基の全個数N-1の20%以上の整数を表すものである。
更に、(メタ)アクリル酸無水物を反応させ、(メタ)アクリルアミド基を有するシクロデキストリン誘導体を得る(工程(c))。この反応は、N,N-ジメチルホルムアミド(DMF)等の非プロトン性極性溶媒を使用し、トリエチルアミン等の塩基の存在下で行うことが好ましい。
得られるシクロデキストリン誘導体は、再沈殿や再結晶により、より高収率かつ高純度で、効率良く製造することができる。
なお、上記反応式中のmは、シクロデキストリン1分子が有する水酸基の全個数N-1の20%以上の整数を表すものである。
更に、イソシアネートを反応させ、(メタ)アクロイルオキシアルキル基を有するシクロデキストリン誘導体を得る(工程(ウ))。
イソシアネートとしては、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、2-アクリロイルオキシエチルイソシアネート等が挙げられる。
得られるシクロデキストリン誘導体は、再沈殿や再結晶により、より高収率かつ高純度で、効率良く製造することができる。
もしくは、シクロデキストリン誘導体を使用して得られる重合体は、例えば、後記する可動性架橋重合体となり得る。後記するように可動性架橋重合体は、重合体側鎖のホスト基(シクロデキストリン構造を有する環状分子)の環内を、他の重合体の主鎖が貫通することで 形成される構造を有する重合体が例示される。
特に、本発明のシクロデキストリン誘導体は、疎水性の重合性単量体に対して高い溶解性を示すことから、従来難しいとされていたホスト基含有重合性単量体と疎水性の重合性単量体との共重合が、幅広い組成割合で可能となり、目的とする高分子材料の設計の自由度を高くすることが可能となる。
冷却管、攪拌棒つきフラスコに、水400g、β-シクロデキストリン44.78g、パラトルエンスルホン酸無水物18.86gを仕込み、30℃で2時間間攪拌した。ここへ48%水酸化ナトリウム水溶液40.00gを加え、さらに10分攪拌した。その後、400メッシュにて濾過し、ろ液を塩酸にてpH7迄中和し、一晩放置した。これをろ過し、水で十分洗浄し、モノトシル化β-シクロデキストリン(化合物A)を12.77g得た。
このときの1H-NMRチャートを図1に示した(1H NMR (DMSO-d6):2.43 (s, 3H), 3.22-3.65 (m, overlaps with HOD), 4.16-4.53 (m, 6H), 4.76-4.85 (m, 7H), 5.64-5.85 (m, 14H), 7.43 (d, J = 8.00 Hz, 2H), 7.75 (d, J = 8.00 Hz, 2H))。
1H NMRの積分値より、純度は>99%であることを確認した。
冷却管、攪拌棒付きフラスコに、合成例1で得た化合物A40g、1,3-プロパンジアミン184g(80当量)を仕込み、70℃で4時間加熱攪拌した。その後、メタノール:アセトン=1:3の混合溶剤1700g中に、この反応物を投入し一晩放置した。これをろ過し、メタノール:アセトン=1:3の混合溶剤で洗浄し、モノアミノ化β-シクロデキストリン(化合物B)を11.4g得た。
このときの1H-NMRチャートを図2に示した(特徴的なピーク 1H NMR (DMSO-d6): 1.12‐1.14 (m, 2H), 1.23‐1.29 (m, 1H), 1.44‐1.46 (m, 2H), 2.56‐2.81 (m, 4H), 3.14-3.38 (m, 16H), 3.59‐3.65 (m, 26H), 4.51 (br, 6H), 4.82 (s, 7H), 5.72 (br, 14H))。
1H NMRの積分値より、純度は98.6%であることを確認した。
冷却管、攪拌棒付きフラスコに、合成例2で得た化合物B11.4g、N,N-ジメチルホルムアミド16g、トリエチルアミン1gを仕込み溶解させ、ここにN,N-ジメチルホルムアミド1gと無水メタクリル酸1.5gの混合物を添加し、室温(25℃)で3時間攪拌した。
ここに、トリエチルアミン35gを加えたのち、無水酢酸27gとDMAP0.2gを加え、
60℃で3時間攪拌した。これを冷却し、水190gに投入し一晩放置した。その後、濾過して、アセチル化されたメタクリルアミド基を有するβシクロデキストリン(化合物C)を18g得た。
このときの1H-NMRチャートを図3に示した(特徴的なピーク 1H NMR (DMSO-d6): 1.06‐1.56 (m, 1H), 1.61‐2.01 (m, 69H), 2.80‐2.94 (m, 2H),3.65-3.72 (m, 8H), 3.82‐4.03 (m, 5H), 4.04‐4.02 (m, 15H), 4.55‐4.58 (m, 7H), 4.89‐4.91 (m, 7H), 4.92‐5.05 (m, 8H), 5.45 (s, 1H), 7.63 (t, J = 6.0 Hz, 1H))。
1H NMRの積分値より、純度は98.6%であることを確認した。
また、2級水酸基の1H NMRのピーク(5.72 (br, 14H))が消失していることから、水酸基の変性率は、90%以上である。
攪拌棒付きフラスコに、N,N-ジメチルホルムアミド60g、苛性ソーダ(粉末)2.4gを混合攪拌し、ここに合成例1で得た化合物Aを3.0g投入した。氷冷しながらヨウ化メチル35gを数回に分けて添加し、1~3時間攪拌した。これに水400gを投入し一晩静置した。その後、濾過することにより、メチルエーテル化されたモノトシル化β-シクロデキストリン(化合物D)を0.9g得た。
このときの1H-NMRチャートを図4に示した(特徴的なピーク1H NMR (DMSO-d6):2.98―3.11 (m, 19H), 3.19―3.28 (m, 28H), 3.30‐3.59 (m, 42H), 3.61‐3.77 (m, 14H), 4.34 (s, 2H), 4.94‐5.15 (m, 7H), 7.48 (d, J = 7.6 Hz, 2H), 7.75 (d, J = 7.6 Hz, 2H))。
1H NMRの積分値より、純度は97.7%であることを確認した。
また、2級水酸基の1H NMRのピーク(5.64-5.85 (m, 14H))が消失していることから、水酸基の変性率は、90%以上である。
冷却管、攪拌棒付きフラスコに、合成例4で得た化合物D3.16g、1,3-プロパンジアミン11.99gを仕込み、70℃で2時間加熱攪拌した。これを冷却しトルエン320mlを加え、水で洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、トルエンを留去・乾燥することによりメチルエーテル化された6-デオキシ-6-(3-アミノプロピルアミノ)-β-シクロデキストリン(化合物E)を2.29g得た。
このときの1H-NMRチャートを図5に示した(特徴的なピーク1H NMR (DMSO-d6): 1.49‐1.42 (m, 2H), 2.60‐2.52 (m, 2H), 2.87‐2.83 (m, 2H), 3.06‐3.73 (m, 102H), 5.04‐5.32m, 7H)。
1H NMRの積分値より、純度は>99%であることを確認した。
攪拌棒付きフラスコに、合成例5で得た化合物E1.74g、トリエチルアミン0.13g、トルエン4gを仕込み、攪拌した。ここへ無水メタクリル酸0.18gを滴下し、1時間さらに攪拌した。得られた溶液を水で3回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥後、トルエンを留去・乾燥することによりメチルエーテル化されたメタクリルアミド基を有するβ-シクロデキストリン(化合物F)を1.51g得た。
このときの1H-NMRチャートを図6に示した(特徴的なピーク1H NMR (DMSO-d6): 1.58-1.55 (m, 2H), 1.83 (s, 3H), 2.90‐2.67 (m, 4H), 3.71‐3.02 (m, 102H), 5.31‐5.04 (m, 7H), 5.29 (m, 1H), 5.60 (m, 1H), 7.90 (t, J = 5.2 Hz, 1H)。
1H NMRの積分値より、純度は>99%であることを確認した。
攪拌棒付きフラスコに、合成例5で得た化合物E0.54g、カレンズMOI(共栄社化学社製)57mg、トルエン2gを仕込み、1時間攪拌した。得られた溶液を水で3回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥後トルエンを留去・乾燥することによりメチルエーテル化されたメタクリル基を有するβ-シクロデキストリン(化合物G)を0.60g得た。
このときの1H-NMRチャートを図7に示した(特徴的なピーク1H NMR (DMSO-d6): δ1.51‐1.46 (m, 2H), 1.90 (s, 3H), 2.03‐1.86 (m, 4H), 4.05‐3.05 (m, 106H), 5.32‐5.00 (m, 7H), 5.68 (m, 1H), 5.89 (t, J = 5.2 Hz, 1H), 5.93 (t, J = 5.6 Hz, 1H), 6.05 (m, 1H)。
1H NMRの積分値より、純度は>99%であることを確認した。
Claims (6)
- 下記一般式(1)で示される重合性不飽和基を有するシクロデキストリン誘導体。
(ア)下記一般式(2)
-R3-NH-R4 (2)
(R3は、炭素数3~20のアルキレン基であり、直鎖でも分岐していても良く、置換基があっても良い。
R4は、(メタ)アクリロイル基を表す。)、
又は
(イ)下記一般式(3)
-R5-NHCONH-R6 (3)
(R5は、炭素数3~20のアルキレン基であり、直鎖でも分岐していても良く、置換基があっても良い。
R6は、炭素数4~50の(メタ)アクリロイルオキシアルキル基を表す。)
のいずれか1つを表す。
R2は、水素原子、炭素数2~50のアシル基又は炭素数1~30のアルキル基を表す。
Rcは、下記一般式(5)で示される基を表す。
- 上記アシル基は、アセチル基である請求項1記載の重合性不飽和基を有するシクロデキストリン誘導体。
- 上記アルキル基は、メチル基である請求項1記載の重合性不飽和基を有するシクロデキストリン誘導体。
- (1)モノ-6-トシル-シクロデキストリンを、炭素数3~20のジアミノアルキル化合物と反応させて、モノアミノ化合物を得る工程、
(2)得られたモノアミノ化合物を、(メタ)アクリル酸無水物と反応させて、(メタ)アクリルアミド基を有するシクロデキストリンを得る工程、
(3)得られた(メタ)アクリルアミド基を有するシクロデキストリンを、酸無水物と反応させて、アシル化物を得る工程を含む、
下記一般式(6)
R3は、炭素数3~20のアルキレン基であり、直鎖でも分岐していても良く、置換基があっても良い。
R8は、水素基又はメチル基を表す。
RC1は、下記一般式(5a)で示される基を表す。
で示される重合性不飽和基を有するシクロデキストリン誘導体の製造方法。 - (a)モノ-6-トシル-シクロデキストリンを、炭素数1~30のハロゲン化アルキルと反応させて、アルキル化物を得る工程、
(b)得られたアルキル化物を、炭素数3~20のジアミノアルキル化合物と反応させて、モノアミノ化合物を得る工程、
(c)得られたモノアミノ化合物を、(メタ)アクリル酸無水物と反応させて、(メタ)アクリルアミド基を有するシクロデキストリンを得る工程を含む、
下記一般式(7)
R8は、水素基又はメチル基を表す。
RC2は、下記一般式(5b)で示される基を表す。
で示される重合性不飽和基を有するシクロデキストリン誘導体の製造方法。 - (ア)モノ-6-トシル-シクロデキストリンを、ハロゲン化アルキルと反応させて、アルキル化物を得る工程、
(イ)得られたアルキル化物を、炭素数3~20のジアミノアルキル化合物と反応させて、モノアミノ化合物を得る工程、
(ウ)得られたモノアミノ化合物を、(メタ)アクリロイルオキシアルキルイソシアネートと反応させて、(メタ)アクリロイルオキシアルキル基を有するシクロデキストリンを得る工程を含む、
下記一般式(8)
R6は、(メタ)アクリロイルオキシアルキル基を表す。
RC2は、下記一般式(5b)で示される基を表す。
で示される重合性不飽和基を有するシクロデキストリン誘導体の製造方法。
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