JP7128697B2 - ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 56
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 31
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 29
- 230000036461 convulsion Effects 0.000 claims description 7
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 4
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 5
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
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- H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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Description
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
すなわち、ダイボンディング装置は、ダイ供給部から供給されたダイを基板又は前記基板に既にボンディングされたダイ上にボンディングするボンディング部と、ボンディング部を制御する制御部と、を備える。前記ボンディング部は、前記ダイを吸着するコレットを備えたボンディングヘッドと、前記ボンディングヘッドを移動する駆動軸を備えた駆動部と、前記ボンディングヘッドの加速度を検出可能なセンサと、を備える。前記制御部は、前記ボンディングヘッドがX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向の何れか一方向に動作する際の振動を前記センサで測定し、測定した振動波形から前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の振動成分を抽出し、抽出した振動成分をキャンセルするための前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の逆位相加算波形を生成する逆位相加算波形算出部と、前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の指令波形に前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の逆位相加算波形を加算して振動抑制用指令波形を生成する振動抑制用指令波形生成部と、を備える。
このような構成によって、ボンディングヘッド41は、ステージ認識カメラ32の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ31からダイDをピックアップし、基板認識カメラ44の撮像データに基づいて基板にダイDをボンディングする。
このような構成によって、基板Sは、基板供給部6から搬送レーン52に沿ってボンディング位置まで移動し、ボンディング後、基板搬出部7まで移動して、基板搬出部7に基板Sを渡す。
ステップS11:ウェハ11から分割されたダイDが貼付されたダイシングテープ16を保持したウェハリング14をウェハカセット(不図示)に格納し、ダイボンダ10に搬入する。制御部8はウェハリング14が充填されたウェハカセットからウェハリング14をダイ供給部1に供給する。また、基板Sを準備し、ダイボンダ10に搬入する。制御部8は基板供給部6で基板Sを基板搬送爪51に取り付ける。
ステップS13:制御部8は、ピックアップしたダイを基板S上に搭載又は既にボンディングしたダイの上に積層する。制御部8はウェハ11からピックアップしたダイDを中間ステージ31に載置し、ボンディングヘッド41で中間ステージ31から再度ダイDをピックアップし、搬送されてきた基板Sにボンディングする。この際、ボンディングヘッド41はZ軸上方向の動作、Y軸方向の動作、Z軸下方向の動作を行うが、制御部8は上述の振動抑制用指令波形で駆動部のモータを駆動する。
例えば、実施例では、ボンディングヘッドをX軸/Y軸/Z軸駆動する場合について説明したが、ボンディングヘッドが移動する際に振動するGx、Gy、Gz方向の最大回転量と同等以上の回転機構を有する場合、ジャイロセンサで検出した回転方向の振動の逆方向の回転動作を指令波形に加算することで、ボンディング動作中の振動を抑制させるようにしてもよい。
また、実施例では、ボンディングヘッドにジャイロセンサを設けた例を説明したが、これに限定されるものではなく、ピックアップヘッドにジャイロセンサを設けてもよい。この場合、ピックアップヘッドをボンディングヘッドと同様に制御する。
また、実施例では、ボンディングヘッドにジャイロセンサを設けた例を説明したが、これに限定されるものではなく、X軸/Y軸/Z軸の加速度センサ設けてもよい。
実施例ではピックアップヘッドおよびボンディングヘッドをそれぞれ1つ備えているが、それぞれ二つ以上であってもよい。また、実施例では中間ステージを備えているが、中間ステージがなくてもよい。この場合、ピックアップヘッドとボンディングヘッドは兼用してもよい。
また、実施例ではダイの表面を上にしてボンディングされるが、ダイをピックアップ後ダイの表裏を反転させて、ダイの裏面を上にしてボンディングしてもよい。この場合、中間ステージは設けなくてもよい。この装置はフリップチップボンダという。
1:ダイ供給部
11:ウェハ
13:突上げユニット
2:ピックアップ部
21:ピックアップヘッド
3:中間ステージ部
31:中間ステージ
4:ボンディング部
41:ボンディングヘッド
8:制御部
83e:モータ制御装置
210:モーションコントローラ
211:理想波形生成部
212:指令波形生成部
213:DAC
214:逆位相加算波形算出部
215:振動抑制用指令波形生成部
220:サーボアンプ
221:速度ループ制御部
230:サーボモータ
D:ダイ
S:基板
Claims (12)
- ダイ供給部から供給されたダイを基板又は前記基板に既にボンディングされたダイ上にボンディングするボンディング部と、
ボンディング部を制御する制御部と、
を備え、
前記ボンディング部は、
前記ダイを吸着するコレットを備えたボンディングヘッドと、
前記ボンディングヘッドを移動する駆動軸を備えた駆動部と、
前記ボンディングヘッドの加速度を検出可能なセンサと、
を備え、
前記制御部は、
前記ボンディングヘッドがX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向の何れか一方向に動作する際の振動を前記センサで測定し、測定した振動波形から前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の振動成分を抽出し、抽出した振動成分をキャンセルするための前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の逆位相加算波形を生成する逆位相加算波形算出部と、
前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の指令波形に前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の逆位相加算波形を加算して振動抑制用指令波形を生成する振動抑制用指令波形生成部と、
を備えるダイボンディング装置。 - 請求項1のダイボンディング装置において、
前記センサは角速度および加速度を検出可能であり、
前記逆位相加算波形算出部は、前記ボンディングヘッドがX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向の何れか一方向に動作する際の六軸全方向の振動を前記センサで測定し、測定した振動波形から前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の振動成分を抽出し、抽出した振動成分をキャンセルするための前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の逆位相加算波形を生成するダイボンディング装置。 - 請求項2のダイボンディング装置において、
前記逆位相加算波形算出部は、前記センサで測定した回転方向の振動については、前記コレットの先端部の前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の振動に置き換え、
振動抑制用指令波形生成部は、前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の振動抑制用指令波形を生成するダイボンディング装置。 - 請求項1または3のダイボンディング装置において、
前記制御部は、さらに、
加加速度、加速度、速度および位置の理想的な指令波形を生成する理想波形生成部と、
前記振動抑制用指令波形と前記駆動部からの実位置を示す信号とに基づいて、加加速度を制限しながら、指令速度波形を再生成し、再生成された指令速度波形を出力する指令波形生成部と、
を備えるダイボンディング装置。 - 請求項1または2のダイボンディング装置において、
さらに、ピックアップ部を備え、
前記ピックアップ部は、
前記ダイを吸着するコレットを備えたピックアップヘッドと、
前記ピックアップヘッドを移動する駆動軸を備えた駆動部と、
前記ピックアップヘッドの角速度および加速度を検出可能な第二センサと、
を備え、
前記制御部は、
前記ピックアップヘッドが前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の何れか一方向に動作する際の六軸全方向の振動を前記第二センサで測定し、測定した振動波形から前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の振動成分を抽出し、抽出した振動成分をキャンセルするための前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の逆位相加算波形を生成する逆位相加算波形算出部と、
前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の指令波形に前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の逆位相加算波形を加算して振動抑制用指令波形を生成する振動抑制用指令波形生成部と、
を備えるダイボンディング装置。 - (a)ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウェハリングホルダを搬入する工程と、
(b)基板を準備搬入する工程と、
(c)ダイをピックアップする工程と、
(d)前記ピックアップしたダイを前記基板または既にボンディングされたダイの上にボンディングする工程と、
を備え、
前記(d)工程は、
ボンディングヘッドの加速度を検出可能なセンサの測定結果に基づいて前記ボンディングヘッドの動作を制御し、
前記ボンディングヘッドがX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向の何れか一方向に動作する際の六軸全方向の振動を前記センサで測定し、測定した振動波形から前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の振動成分を抽出し、抽出した振動成分をキャンセルするための前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の逆位相加算波形を生成し、前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の指令波形に前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の逆位相加算波形を加算して振動抑制用指令波形を生成する半導体装置の製造方法。 - (a)ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウェハリングホルダを搬入する工程と、
(b)基板を準備搬入する工程と、
(c)ダイをピックアップする工程と、
(d)前記ピックアップしたダイを前記基板または既にボンディングされたダイの上にボンディングする工程と、
を備え、
前記(d)工程は、ボンディングヘッドの角速度および加速度を検出可能なセンサの測定結果に基づいて前記ボンディングヘッドの動作を制御する半導体装置の製造方法。 - 請求項7の半導体装置の製造方法において、
前記(d)工程は、前記ボンディングヘッドがX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向の何れか一方向に動作する際の六軸全方向の振動を前記センサで測定し、測定した振動波形から前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の振動成分を抽出し、抽出した振動成分をキャンセルするための前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の逆位相加算波形を生成し、前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の指令波形に前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の逆位相加算波形を加算して振動抑制用指令波形を生成する半導体装置の製造方法。 - 請求項8の半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程は前記ダイシングテープ上のダイを前記ボンディングヘッドでピックアップし、
前記(d)工程は前記ボンディングヘッドで前記ピックアップしたダイを前記基板または既にボンディングされたダイの上にボンディングする半導体装置の製造方法。 - 請求項6の半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程は、
(c1)前記ダイシングテープ上のダイをピックアップヘッドでピックアップする工程と、
(c2)前記ピックアップヘッドでピックアップしたダイを中間ステージに載置する工程と、
を備え、
前記(d)工程は、
(d1)前記中間ステージに載置されたダイを前記ボンディングヘッドでピックアップする工程と、
(d2)前記ボンディングヘッドでピックアップしたダイを前記基板に載置する工程と、
を備え、
前記(d1)工程は、前記ピックアップヘッドの加速度を検出可能な第二センサの測定結果に基づいて前記ピックアップヘッドの動作を制御する半導体装置の製造方法。 - 請求項7の半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程は、
(c1)前記ダイシングテープ上のダイをピックアップヘッドでピックアップする工程と、
(c2)前記ピックアップヘッドでピックアップしたダイを中間ステージに載置する工程と、
を備え、
前記(d)工程は、
(d1)前記中間ステージに載置されたダイを前記ボンディングヘッドでピックアップする工程と、
(d2)前記ボンディングヘッドでピックアップしたダイを前記基板に載置する工程と、
を備え、
前記(d1)工程は、前記ピックアップヘッドの角速度および加速度を検出可能な第二センサの測定結果に基づいて前記ピックアップヘッドの動作を制御する半導体装置の製造方法。 - 請求項10または11の半導体装置の製造方法において、
前記(d)工程は、前記ピックアップヘッドがX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向の何れか一方向に動作する際の六軸全方向の振動を前記第二センサで測定し、測定した振動波形から前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の振動成分を抽出し、抽出した振動成分をキャンセルするための前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の逆位相加算波形を生成し、前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の指令波形に前記X軸方向、前記Y軸方向および前記Z軸方向の逆位相加算波形を加算して振動抑制用指令波形を生成する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018174833A JP7128697B2 (ja) | 2018-09-19 | 2018-09-19 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
TW108129073A TWI724495B (zh) | 2018-09-19 | 2019-08-15 | 固晶裝置及半導體裝置的製造方法 |
KR1020190108739A KR102276898B1 (ko) | 2018-09-19 | 2019-09-03 | 다이 본딩 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
CN201910880445.6A CN110931366B (zh) | 2018-09-19 | 2019-09-18 | 芯片贴装装置及半导体器件的制造方法 |
CN202311305066.7A CN117393466A (zh) | 2018-09-19 | 2019-09-18 | 芯片贴装装置及半导体器件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018174833A JP7128697B2 (ja) | 2018-09-19 | 2018-09-19 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020047760A JP2020047760A (ja) | 2020-03-26 |
JP2020047760A5 JP2020047760A5 (ja) | 2021-08-12 |
JP7128697B2 true JP7128697B2 (ja) | 2022-08-31 |
Family
ID=69848723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018174833A Active JP7128697B2 (ja) | 2018-09-19 | 2018-09-19 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7128697B2 (ja) |
KR (1) | KR102276898B1 (ja) |
CN (2) | CN117393466A (ja) |
TW (1) | TWI724495B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2019-09-18 CN CN202311305066.7A patent/CN117393466A/zh active Pending
- 2019-09-18 CN CN201910880445.6A patent/CN110931366B/zh active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
TW202025314A (zh) | 2020-07-01 |
KR102276898B1 (ko) | 2021-07-14 |
TWI724495B (zh) | 2021-04-11 |
CN110931366B (zh) | 2023-10-31 |
CN110931366A (zh) | 2020-03-27 |
CN117393466A (zh) | 2024-01-12 |
KR20200033176A (ko) | 2020-03-27 |
JP2020047760A (ja) | 2020-03-26 |
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