JP7108489B2 - はんだ付け装置 - Google Patents

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Description

本発明は、パルスヒート式のはんだ付け装置に関するものである。
従来より、被接合部を局部的に加熱することによって薄膜基板等へのリード線の熱圧着や、プリント基板へのICリードのリフロソルダリングなどを行うリフロソルダリング装置があり、このリフロソルダリング装置で用いられる局部加熱法の1方式としてパルスヒート法がある。
パルスヒート法は、ヒータチップと呼ばれる接合ヘッドによって被接合部を加圧しながら、このヒータチップに大電流を流して、そこで発生するジュール熱により被接合部(リフロソルダリングの場合には半田)を溶融させて接合を得るものである(例えば特許文献1参照)。
ところで、最近の自動車用窓ガラスには、様々な機能を持つ機能性部材が付加されている。例えば、ラジオ等のアンテナやガラスの曇り防止用のデフォッガなどがよく知られている。これら機能性部材は、銀ペーストを用いてガラス板表面にスクリーン印刷法によりパターン形成され焼き付けられたものである。これら機能性部材は端子を介して信号処理回路や電力供給回路と接続されるため、機能性部材に端子をはんだ付けする必要がある(例えば特許文献2参照)。
ガラス等に印刷された銀膜に端子をはんだ付けする際、従来のはんだ付け方法では、過度に加熱時間を長くすると、はんだ中に銀が拡散し、はんだ付け強度が低下するという問題点があった。特許文献2に開示された技術では、作業者がはんだ付けを行うため、接合時間が作業者によりまちまちで、加熱時間が過剰となる場合があり、はんだ付け強度のばらつきが大きかった。
また、特許文献1に開示されたパルスヒート方式のはんだ付け装置においては、ヒータチップの温度管理を行いながらはんだ付けを行っているが、ガラス等に印刷された銀膜に端子をはんだ付けする場合、温度管理のみでは上記と同様の問題が発生する可能性があった。
なお、以上の問題は、被接合物が銅または金を含む材料からなる場合にも同様に発生する。
特開2014-108455号公報 特開2008-246516号公報
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、被接合物が銀、銅、金等を含む材料からなる場合であっても、はんだ付け強度の低下を防ぐことができるはんだ付け装置および方法を提供することを目的とする。
発明は、第1の部材と、この第1の部材上の第2の部材との間にはんだを介在させた被接合物をはんだ付けするはんだ付け装置において、保持台上に載置された前記被接合物の第2の部材の上面と当接するヒータチップと、前記ヒータチップに荷重をかけることにより前記ヒータチップと前記保持台とによって前記被接合物を上下方向から挟み込み加圧する昇降機構と、前記ヒータチップの温度を検出する温度センサと、前記ヒータチップの沈み込み量を検出する変位センサと、前記ヒータチップに電流を供給する電源と、前記温度センサによって検出された前記ヒータチップの温度が予め設定された温度プロファイルが示す温度と一致するように、前記電源から前記ヒータチップへの通電量を制御する電源制御部とを備え、前記電源制御部は、前記変位センサによって検出された、はんだ付け開始時からの前記ヒータチップの沈み込み量が規定値に達したときに、一定時間の経過後に前記温度プロファイルに従って前記ヒータチップの温度を漸次下降させ、前記ヒータチップの温度が前記温度プロファイルで定められた設定温度に達したときに、前記電源から前記ヒータチップへの通電を停止させることを特徴とするものである。
また、本発明のはんだ付け装置の1構成例は、保持台上に載置された複数の前記被接合物の第2の部材の上面とそれぞれ当接する複数の前記ヒータチップと、前記複数のヒータチップの温度を個別に検出する複数の前記温度センサと、前記複数のヒータチップの沈み込み量を個別に検出する複数の前記変位センサと、前記複数のヒータチップに電流を個別に供給する複数の前記電源とを備え、前記電源制御部は、前記複数の電源から前記複数のヒータチップへの通電量を個別に制御することを特徴とするものである。
本発明によれば、はんだ付け開始時からのヒータチップの沈み込み量が規定値に達したときに、一定時間の経過後に電源からヒータチップへの通電を停止させることにより、被接合物の第1、第2の部材が銀、銅、金等を含む材料からなる場合であっても、はんだ付け強度の低下を防ぐことができる。
また、本発明では、はんだ付け開始時からのヒータチップの沈み込み量が規定値に達したときに、一定時間の経過後に温度プロファイルに従ってヒータチップの温度を漸次下降させ、ヒータチップの温度が温度プロファイルで定められた設定温度に達したときに、電源からヒータチップへの通電を停止させることにより、被接合物の第1の部材がガラス板上に形成されている場合に、ガラス板が割れる可能性を低減することができる。
端子に複数の接合部がある場合、各接合部のはんだ付けを順番に行うと、最初にはんだ付けした接合部が傾いて固定され、別の接合部をはんだ付けしたときに、最初にはんだ付けした接合部に傾きを解消する方向に力が加わるので、はんだ付け強度の低下が起こる。本発明では、保持台上に載置された複数の被接合物の第2の部材の上面とそれぞれ当接する複数のヒータチップと、複数のヒータチップの温度を個別に検出する複数の温度センサと、複数のヒータチップの沈み込み量を個別に検出する複数の変位センサと、複数のヒータチップに電流を個別に供給する複数の電源とを設け、電源制御部が複数の電源から複数のヒータチップへの通電量を個別に制御することにより、上記のような傾きを解消する応力の発生を防ぐことができる。その結果、本発明では、はんだ付け強度の低下を防ぎつつ、複数点のはんだ付けを同時に行うことができる。
図1は、本発明の第1の実施例に係るはんだ付け装置の構成を示すブロック図である。 図2は、本発明の第1の実施例に係るはんだ付け装置の動作を説明するフローチャートである。 図3は、本発明の第1の実施例におけるはんだ付け開始時および通電停止時のヒータチップと被接合物の拡大断面図である。 図4は、本発明の第1の実施例における温度プロファイルと変位センサが検出するヒータチップの沈み込み量の1例を示す図である。 図5は、本発明の第2の実施例における温度プロファイルと変位センサが検出するヒータチップの沈み込み量の1例を示す図である。 図6は、本発明の第2の実施例に係るはんだ付け装置の動作を説明するフローチャートである。 図7は、本発明の第3の実施例に係るはんだ付け装置の構成を示すブロック図である。 図8は、本発明の第3の実施例に係るはんだ付け装置の動作を説明するフローチャートである。 図9は、本発明の第3の実施例におけるはんだ付け開始時および通電停止時のヒータチップと被接合物の拡大断面図である。 図10は、本発明の第3の実施例に係るはんだ付け装置の別の動作を説明するフローチャートである。
[第1の実施例]
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。図1は本発明の第1の実施例に係るパルスヒート方式のはんだ付け装置の構成を示すブロック図である。はんだ付け装置は、リフロヘッド1と、リフロヘッド1に取り付けられたヒータチップ10の昇降を制御する昇降制御部2と、ヒータチップ10に電流を供給する電源3と、電源3からヒータチップ10への通電量を制御する電源制御部4と、被接合物を載置するための保持台5とから構成される。
リフロヘッド1の下端には、例えばモリブデン等の高抵抗材料からなるヒータチップ10が取り付けられている。このヒータチップ10の先端付近には熱電対からなる温度センサ11が固定されている。また、リフロヘッド1には、電気モータまたは空気圧によってヒータチップ10を上下動させることが可能な昇降機構12と、ヒータチップ10の沈み込み量を検出する変位センサ13とが設けられている。
以下、本実施例のはんだ付け装置の動作を説明する。図2は、はんだ付け装置の動作を説明するフローチャート、図3(A)は、はんだ付け開始時のヒータチップ10と被接合物の拡大断面図、図3(B)は、通電停止時のヒータチップ10と被接合物の拡大断面図である。
はんだ付け装置の保持台5上に載置されたガラス板20の上には、銀膜等からなる導電体21(第1の部材)が形成されている。一方、導体からなる端子23(第2の部材)の接合予定部には、はんだ22が予め印刷されている。導電体21の接合予定部と端子23の接合予定部とが向かい合うように位置決めし、導電体21の上に端子23を載せた状態で、例えばユーザがはんだ付け開始を指示すると、昇降制御部2は、リフロヘッド1の昇降機構12を制御し、ヒータチップ10を下降させる(図2ステップS100)。
これにより、ヒータチップ10と保持台5とによって被接合物(導電体21とはんだ22と端子23)を上下方向から挟み込み加圧する(図3(A))。このとき、リフロヘッド1には、図示しないロードセルが設けられており、被接合物に加わる荷重の大きさを検出できるようになっている。昇降制御部2は、検出された荷重が予め定められた値になるように昇降機構12を制御する。
電源制御部4は、電源3からヒータチップ10にパルス電流を供給させ、温度センサ11によって検出されるヒータチップ10の温度が予め設定された温度プロファイルが示す温度と一致するように、電源3からヒータチップ10への通電量を制御する(図2ステップS101)。電源3から供給されるパルス電流は例えばヒータチップ10の端子10aから端子10bに流れ、ヒータチップ10が発熱する。
図4は予め設定された温度プロファイルと変位センサ13が検出するヒータチップ10の沈み込み量(変位量)の1例を示す図である。本実施例の温度プロファイルでは、被接合物への急激な熱衝撃を緩和し、フラックスの活性化を促進するためのプリヒート設定温度T1と、プリヒート設定温度T1までの上昇時間t1と、プリヒート設定温度T1を維持する時間t2と、はんだ22を溶融させるためのメインヒート設定温度T2(T1<T2)と、プリヒート設定温度T1からメインヒート設定温度T2までの上昇時間t3と、ヒータチップ10の沈み込み量が規定値(図4のSH)に達したときから通電停止までの一定時間t4とが定義されている。なお、メインヒート設定温度T2を維持する時間は、変位センサ13が検出するヒータチップ10の沈み込み量によって変化するため、不定となっている。
電源制御部4による通電量制御により、ヒータチップ10の温度はプリヒート設定温度T1に上昇した後に、さらにメインヒート設定温度T2まで上昇する。
電源制御部4は、はんだ付け開始時からのヒータチップ10の沈み込み量が規定値SHに達したとき(図2ステップS102においてYES)、予め設定された一定時間t4の経過後に(図2ステップS103においてYES)、電源3からヒータチップ10への通電を停止させる(図2ステップS104)。なお、一定時間t4は、はんだ22の状態を安定させるために設定されている。
図3(B)は通電停止時の状態を示している。図3(A)に示したはんだ付け開始時の状態と比べると、はんだ22の高さが変化していることが分かる。
昇降制御部2は、通電停止後に、リフロヘッド1の昇降機構12を制御し、ヒータチップ10を上昇させる(図2ステップS105)。以上で、被接合物のはんだ付けが終了する。
本実施例では、メインヒート設定温度T2を維持する時間を固定時間とせず、ヒータチップ10の温度をメインヒート設定温度T2まで上昇させた後に、ヒータチップ10の沈み込み量が規定値SHに達したときに、はんだ22が溶融したと見なし、一定時間経過後に通電を停止することにより、加熱温度や加熱時間が過剰になることを抑制することができ、はんだ22中への銀の拡散を抑制することができる。その結果、本実施例では、はんだ付け強度の低下を防ぐことができる。
[第2の実施例]
第1の実施例では、ヒータチップ10の沈み込み量が規定値SHに達したときに、一定時間経過後に通電を停止していたが、通電を直ちに停止せずに温度が徐々に下がるように通電量を制御してもよい。本実施例においても、はんだ付け装置と被接合物の構成は第1の実施例と同様であるので、図1、図3の符号を用いて説明する。
図5は本実施例の温度プロファイルと変位センサ13が検出するヒータチップ10の沈み込み量の1例を示す図である。本実施例の温度プロファイルでは、プリヒート設定温度T1と、プリヒート設定温度T1までの上昇時間t1と、プリヒート設定温度T1を維持する時間t2と、メインヒート設定温度T2と、プリヒート設定温度T1からメインヒート設定温度T2までの上昇時間t3と、ヒータチップ10の沈み込み量が規定値SHに達したときから温度下降開始までの一定時間t4と、通電停止時の温度であるダウンヒート設定温度T3と、メインヒート設定温度T2からダウンヒート設定温度T3までの下降時間t5とが定義されている。
図6は本実施例のはんだ付け装置の動作を説明するフローチャートである。図6のステップS100,S101の動作は第1の実施例で説明したとおりである。
電源制御部4は、はんだ付け開始時からのヒータチップ10の沈み込み量が規定値SHに達したとき(図6ステップS102においてYES)、一定時間t4の経過後に(図6ステップS103においてYES)、温度センサ11によって検出されるヒータチップ10の温度が図5の温度プロファイルが示す温度と一致するように、電源3からヒータチップ10への通電量を制御してヒータチップ10の温度を下降させる(図6ステップS106)。
そして、電源制御部4は、予め設定された下降時間t5が経過して、温度センサ11によって検出されるヒータチップ10の温度がダウンヒート設定温度T3に達したときに(図6ステップS107においてYES)、電源3からヒータチップ10への通電を停止させる(図6ステップS108)。
昇降制御部2は、通電停止後に、リフロヘッド1の昇降機構12を制御し、ヒータチップ10を上昇させる(図6ステップS109)。以上で、本実施例のはんだ付けが終了する。
はんだ22の溶融後に急激に冷却すると、ガラス板20が割れる可能性があるが、本実施例によれば、ヒータチップ10の温度を徐々に下げることにより、ガラス板20が割れる可能性を低減することができる。
[第3の実施例]
次に、本発明の第3の実施例について説明する。第1、第2の実施例では、例えば自動車用のアンテナやデフォッガなどの機能性部材を接合対象として想定している。これらアンテナやデフォッガなどの機能性部材には、給電点が2点存在するため、これら給電点にはんだ付けが必要な端子も2つになる。第1、第2の実施例では、各点を個別にはんだ付けすることになるが、本実施例は、2点のはんだ付けを同時に行うものである。
図7は本実施例に係るパルスヒート方式のはんだ付け装置の構成を示すブロック図であり、図1と同一の構成には同一の符号を付してある。本実施例のはんだ付け装置は、リフロヘッド1aと、リフロヘッド1aに取り付けられたヒータチップ10-1,10-2の昇降を制御する昇降制御部2aと、ヒータチップ10-1,10-2に供給するパルス電流を個別に調整することが可能な電源3a-1,3a-2と、ヒータチップ10-1,10-2への通電量を個別に制御する電源制御部4aと、保持台5とから構成される。
リフロヘッド1aの下端には、例えばモリブデン等の高抵抗材料からなる2つのヒータチップ10-1,10-2が取り付けられている。各ヒータチップ10-1,10-2の先端付近には熱電対からなる温度センサ11-1,11-2が固定されている。また、リフロヘッド1aには、電気モータまたは空気圧によってヒータチップ10-1,10-2を個別に上下動させることが可能な昇降機構12a-1,12a-2と、ヒータチップ10-1,10-2の沈み込み量を個別に検出する変位センサ13-1,13-2とが設けられている。
図8は、本実施例のはんだ付け装置の動作を説明するフローチャート、図9(A)は、はんだ付け開始時のヒータチップ10-1,10-2と被接合物の拡大断面図、図9(B)は、通電停止時のヒータチップ10-1,10-2と被接合物の拡大断面図である。なお、図7、図9(A)、図9(B)では、2つのヒータチップ10-1,10-2と被接合物の構成を分かり易くするため、ヒータチップ10-1,10-2を見る方向が図1、図3(A)、図3(B)と90°異なり、図1、図3(A)、図3(B)の紙面に平行な方向からヒータチップを見た図に相当する。
はんだ付け装置の保持台5上に載置されたガラス板20の上には、銀膜等からなる導電体21-1,21-2(第1の部材)が形成されている。一方、導体からなる端子23-1,23-2(第2の部材)の接合予定部には、それぞれはんだ22-1,22-2が予め印刷されている。導電体21-1,21-2の接合予定部と端子23-1,23-2の接合予定部とが向かい合うように位置決めし、導電体21-1,21-2の上に端子23-1,23-2を載せた状態で、例えばユーザがはんだ付け開始を指示すると、昇降制御部2aは、リフロヘッド1aの昇降機構12a-1,12a-2を制御し、ヒータチップ10-1,10-2を下降させる(図8ステップS200)。
これにより、ヒータチップ10-1と保持台5とによって導電体21-1とはんだ22-1と端子23-1とからなる被接合物を上下方向から挟み込み加圧すると同時に、ヒータチップ10-2と保持台5とによって導電体21-2とはんだ22-2と端子23-2とからなる被接合物を上下方向から挟み込み加圧する(図8(A))。これら2点の被接合物に加わる荷重の大きさは、リフロヘッド1aに設けられた2つのロードセル(不図示)によって個別に検出できるようになっている。昇降制御部2aは、検出された2点の荷重がそれぞれ予め定められた値になるように昇降機構12a-1,12a-2を制御する。
電源制御部4aは、電源3a-1,3a-2からそれぞれヒータチップ10-1,10-2にパルス電流を供給させ、温度センサ11-1,11-2によって検出されるヒータチップ10-1,10-2の温度が予め設定された温度プロファイルが示す温度と一致するように、電源3a-1,3a-2からヒータチップ10-1,10-2への通電量を個別に制御する(図8ステップS201)。これにより、第1の実施例と同様にヒータチップ10-1,10-2が発熱する。温度プロファイルは図4と同じである。
電源制御部4aは、変位センサ13-1によって検出された、はんだ付け開始時からのヒータチップ10-1の沈み込み量が規定値SHに達したとき(図8ステップS202-1においてYES)、一定時間t4の経過後に(図8ステップS203-1においてYES)、電源3a-1からヒータチップ10-1への通電を停止させる(図8ステップS204-1)。
また、電源制御部4aは、変位センサ13-2によって検出された、はんだ付け開始時からのヒータチップ10-2の沈み込み量が規定値SHに達したとき(図8ステップS202-2においてYES)、一定時間t4の経過後に(図8ステップS203-2においてYES)、電源3a-2からヒータチップ10-2への通電を停止させる(図8ステップS204-2)。
昇降制御部2aは、ヒータチップ10-1,10-2への通電が共に停止したとき(図8ステップS205においてYES)、リフロヘッド1aの昇降機構12a-1,12a-2を制御し、ヒータチップ10-1,10-2を上昇させる(図8ステップS206)。以上で、被接合物のはんだ付けが終了する。
端子に複数の接合部がある場合、各接合部のはんだ付けを順番に行うと、最初にはんだ付けした接合部が傾いて固定され、別の接合部をはんだ付けしたときに、最初にはんだ付けした接合部に傾きを解消する方向に力が加わるので、はんだ付け強度の低下が起こる。
これに対して、本実施例では、2点のはんだ付けを同時に、かつ2点のはんだ付けの各々について第1の実施例と同様の通電量制御を個別に行うので、上記のような傾きを解消する応力が発生しない。したがって、本実施例では、はんだ付け強度の低下を防ぎつつ、2点のはんだ付けを同時に行うことができる。
以上の例では、第1の実施例と同様のはんだ付けを行ったが、第2の実施例と同様のはんだ付けを行うこともできる。この場合のはんだ付け装置の動作を図10に示す。温度プロファイルは図5と同じである。図10のステップS200,S201の動作は上記のとおりである。
電源制御部4aは、はんだ付け開始時からのヒータチップ10-1の沈み込み量が規定値SHに達したとき(図10ステップS202-1においてYES)、一定時間t4の経過後に(図10ステップS203-1においてYES)、温度センサ11-1によって検出されるヒータチップ10-1の温度が図5の温度プロファイルが示す温度と一致するように、電源3a-1からヒータチップ10-1への通電量を制御してヒータチップ10-1の温度を下降させる(図10ステップS207-1)。そして、電源制御部4aは、下降時間t5が経過して、温度センサ11-1によって検出されるヒータチップ10-1の温度がダウンヒート設定温度T3に達したときに(図10ステップS208-1においてYES)、電源3a-1からヒータチップ10-1への通電を停止させる(図10ステップS209-1)。
また、電源制御部4aは、はんだ付け開始時からのヒータチップ10-2の沈み込み量が規定値SHに達したとき(図10ステップS202-2においてYES)、一定時間t4の経過後に(図10ステップS203-2においてYES)、温度センサ11-2によって検出されるヒータチップ10-2の温度が温度プロファイルが示す温度と一致するように、電源3a-2からヒータチップ10-2への通電量を制御してヒータチップ10-2の温度を下降させる(図10ステップS207-2)。そして、電源制御部4aは、温度センサ11-2によって検出されるヒータチップ10-2の温度がダウンヒート設定温度T3に達したときに(図10ステップS208-2においてYES)、電源3a-2からヒータチップ10-2への通電を停止させる(図10ステップS209-2)。
昇降制御部2aは、ヒータチップ10-1,10-2への通電が共に停止したとき(図10ステップS210においてYES)、リフロヘッド1aの昇降機構12a-1,12a-2を制御し、ヒータチップ10-1,10-2を上昇させる(図10ステップS211)。以上で、被接合物のはんだ付けが終了する。
こうして、第2の実施例で説明したはんだ付けを2点同時に行うことができる。
なお、本実施例では、2点のはんだ付けを同時に行う例を説明しているが、3点以上のはんだ付けを同時に行うようにしてもよい。この場合には、N個(Nは3以上の整数)のヒータチップ10にかける荷重を個別に制御できるように昇降機構12aをN個設け、N個のヒータチップ10の各々に設けられた温度センサ11がN個のヒータチップ10の温度を個別に検出できるようにし、N個の変位センサ13がN個のヒータチップ10の沈み込み量を個別に検出できるようにし、N個の電源3aおよび電源制御部4aがN個のヒータチップ10への通電量を個別に制御できるようにすればよい。
また、第1~第3の実施例では、被接合物が銀を含む材料からなる場合を例に挙げて説明しているが、これに限るものではなく、被接合物が銅または金を含む材料からなる場合にも本発明を適用することが可能である。
また、第1~第3の実施例では、端子23,23-1,23-2側に予備はんだを形成しておく例で説明しているが、導電体21,21-1,21-2側に予備はんだを形成してもよい。
第1~第3の実施例で説明した昇降制御部2,2aと電源制御部4,4aとは、CPU(Central Processing Unit)、記憶装置および外部とのインタフェースを備えたコンピュータによって実現することができる。このようなコンピュータにおいて、本発明のはんだ付け方法を実現させるためのプログラムは記憶装置に格納される。CPUは、記憶装置に格納されたプログラムに従って第1~第3の実施例で説明した処理を実行する。
本発明は、パルスヒート方式のはんだ付け装置に適用することができる。
1,1a…リフロヘッド、2,2a…昇降制御部、3,3a-1,3a-2…電源、4,4a…電源制御部、5…保持台、10,10-1,10-2…ヒータチップ、11,11-1,11-2…温度センサ、12,12a-1,12a-2…昇降機構、13,13-1,13-2…変位センサ、20…ガラス板、21,21-1,21-2…導電体、22,22-1,22-2…はんだ、23,23-1,23-2…端子。

Claims (2)

  1. 第1の部材と、この第1の部材上の第2の部材との間にはんだを介在させた被接合物をはんだ付けするはんだ付け装置において、
    保持台上に載置された前記被接合物の第2の部材の上面と当接するヒータチップと、
    前記ヒータチップに荷重をかけることにより前記ヒータチップと前記保持台とによって前記被接合物を上下方向から挟み込み加圧する昇降機構と、
    前記ヒータチップの温度を検出する温度センサと、
    前記ヒータチップの沈み込み量を検出する変位センサと、
    前記ヒータチップに電流を供給する電源と、
    前記温度センサによって検出された前記ヒータチップの温度が予め設定された温度プロファイルが示す温度と一致するように、前記電源から前記ヒータチップへの通電量を制御する電源制御部とを備え、
    前記電源制御部は、前記変位センサによって検出された、はんだ付け開始時からの前記ヒータチップの沈み込み量が規定値に達したときに、一定時間の経過後に前記温度プロファイルに従って前記ヒータチップの温度を漸次下降させ、前記ヒータチップの温度が前記温度プロファイルで定められた設定温度に達したときに、前記電源から前記ヒータチップへの通電を停止させることを特徴とするはんだ付け装置。
  2. 請求項記載のはんだ付け装置において、
    保持台上に載置された複数の前記被接合物の第2の部材の上面とそれぞれ当接する複数の前記ヒータチップと、
    前記複数のヒータチップの温度を個別に検出する複数の前記温度センサと、
    前記複数のヒータチップの沈み込み量を個別に検出する複数の前記変位センサと、
    前記複数のヒータチップに電流を個別に供給する複数の前記電源とを備え、
    前記電源制御部は、前記複数の電源から前記複数のヒータチップへの通電量を個別に制御することを特徴とするはんだ付け装置。
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