JP7104500B2 - 化学反応用電極及びそれを用いた電気化学セル - Google Patents

化学反応用電極及びそれを用いた電気化学セル Download PDF

Info

Publication number
JP7104500B2
JP7104500B2 JP2017177571A JP2017177571A JP7104500B2 JP 7104500 B2 JP7104500 B2 JP 7104500B2 JP 2017177571 A JP2017177571 A JP 2017177571A JP 2017177571 A JP2017177571 A JP 2017177571A JP 7104500 B2 JP7104500 B2 JP 7104500B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
substrate
lead wire
tin
carbon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017177571A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019052353A (ja
Inventor
達雄 深野
俊介 佐藤
健男 荒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Central R&D Labs Inc
Original Assignee
Toyota Central R&D Labs Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Central R&D Labs Inc filed Critical Toyota Central R&D Labs Inc
Priority to JP2017177571A priority Critical patent/JP7104500B2/ja
Publication of JP2019052353A publication Critical patent/JP2019052353A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7104500B2 publication Critical patent/JP7104500B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)

Description

本発明は、化学反応用電極及びそれを用いた電気化学セルに関する。
半導体を光吸収体、金属錯体を二酸化炭素還元触媒として用い、半導体から金属錯体へ励起電子が移動することによって反応が進行する人工光合成デバイスが開示されている。これを実用化するためには、高い効率で反応を生じさせる反応用電極を実現することが必要である。
炭素化合物を還元する際の副反応による水素の発生を抑制しつつ、炭化化合物を効率的に還元する還元反応用電極を提供する技術が開示されている(特許文献1)。ここでは、金属又は半導体を含む基板と、当該基板の表面の少なくとも一部を覆い、構造体単体のサイズが1μm以下のカーボン材料からなるカーボン層と、当該カーボン層の表面を覆う錯体触媒層と、を備える構成する。
特開2017-125242号公報
ところで、従来の反応用電極では錫を含む基板が示されているが、基板に対してリード線(銅線)を接続するためには銀ペーストが通常用いられている。しかしながら、錫と銀ペーストに含まれる有機成分とが反応し、絶縁層を形成してしまうので、接点部分の電気抵抗が高くなってしまい、良好な接合とすることができなかった。
また、ペーストに含まれる銀(Ag)は、二酸化炭素(CO)からギ酸(HCOOH)を生成する還元反応の阻害要因となる水素(H)を発生させる原因となるおそれがある。したがって、銀(Ag)が含まれるペーストを使用しないリード線の接続方法が望まれていた。
本発明の1つの態様は、錫を含有する表面を備えた基板と、前記表面に接合された金属を含むリード線と、を備え、前記リード線と前記表面との接合部が、錫、ビスマス及びインジウムの少なくとも1つを含むことを特徴とする化学反応用電極である。
ここで、前記リード線は、銅(Cu)を含むことが好適である。
本発明の別の態様は、上記化学反応用電極を含み、前記化学反応用電極に触れる弱酸性の電解質液を備え、炭素化合物を生成することを特徴とする電気化学セルである。
本発明によれば、リード線との接合性を向上させた化学反応用電極及びそれを用いた電気化学セルを提供することができる。
本発明の実施の形態における還元反応用電極の構成を示す図である。 本発明の実施の形態における電気化学セルの構成を示す図である。
[還元反応用電極]
図1は、実施形態に関わる還元反応用電極100を示す。還元反応用電極100に電圧が印加されると、基板10に生じた電子がカーボン層12を介して錯体触媒層14に渡され、錯体触媒層14における還元触媒反応に利用される。図1では、二酸化炭素(CO)がギ酸(HCOOH)に還元される態様が示されている。
基板10は、錫(Sn)を含む材料とされる。例えば、基板10は、錫(Sn)の単材料で構成される。また、例えば、基板10は、錫(Sn)と銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、パラジウム(Pd)、鉛(Pb)との合金とすることができる。金属、ガラス、セラミックス、樹脂等の基材上にこれらの金属又は合金を被覆して基板10としてもよい。また、基板10は、全体が均一な材料で構成される必要はなく、後述するリード線16が接点部18を介して接続される箇所が錫(Sn)を含む材料で構成されていればよい。
なお、基板10の表面には半導体層や透明導電層を形成してもよい。例えば、基板10は、酸化チタン(TiO)、シリコン(Si)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化タンタル(Ta)等を含む構成としてもよい。
カーボン層12は、カーボン材料(C)を含むものであればよいが、カーボン材料の構造体の単体のサイズが1nm以上1μm以下であることが好適である。カーボン層12は、例えば、カーボンナノチューブ、グラフェン及びグラファイトの少なくとも1つを含むことが好適である。グラフェン及びグラファイトであればサイズが1nm以上1μm以下であることが好適である。カーボンナノチューブであれば直径が1nm以上40nm以下であることが好適である。
カーボン層12は、エタノール等の液体に混ぜ合わせたカーボン材料をスプレーで基板10上に塗布し、加熱することによって形成することができる。スプレーの代わりに、スピンコートによって基板10上に塗布してもよい。また、スピンコートを用いず、基板10上に直接溶液を滴下して乾かして塗布してもよい。
錯体触媒層14は、ルテニウム錯体とすることが好適である。錯体触媒層14は、例えば、[Ru{4,4’-di(1-H-1-pyrrolypropyl carbonate)-2,2’-bipyridine}(CO)(MeCN)Cl]、[Ru{4,4’-di(1-H-1-pyrrolypropyl carbonate)-2,2’-bipyridine}(CO)Cl]、[Ru{4,4’-di(1-H-1-pyrrolypropyl carbonate)-2,2’-bipyridine}(CO)、[Ru{4,4’-di(1-H-1-pyrrolypropyl carbonate)-2,2’-bipyridine}(CO)(CHCN)Cl]等とすることができる。
錯体触媒層14による修飾は、錯体をMeCN溶液に溶解した液をカーボン層12の上に塗布することで作ることができる。また、錯体触媒層14による修飾は、電解重合法により行うこともできる。作用極としてカーボン層12を形成した基板10の電極、対極にフッ素含有酸化スズ(FTO)で被覆したガラス基板、参照電極にAg/Ag電極を用い、錯体触媒を含む電解液中においてAg/Ag電極に対して負電圧となるようにカソード電流を流した後、Ag/Ag電極に対して正電位となるようにアノード電流を流すことによりカーボン層12を形成した基板10上を錯体触媒層14で修飾することができる。電解質の溶液には、アセトニトリル(MeCN)、電解質には、Tetrabutylammoniumperchlorate(TBAP)を用いることができる。
このような方法を用いることによって、基板10の表面をカーボン層12によって効果的に被覆することができ、基板10で発生した電子をカーボン層12を介して錯体触媒層14へ効率的に受け渡すことができる。これにより、還元反応を生じさせる際の副反応である水素の発生を抑制することができ、炭素化合物を錯体触媒層14の表面において効率的に還元する還元反応用電極100を実現することができる。
リード線16は、還元反応用電極100から外部へと引き出される電気的導電性を有する配線である。リード線16は、これに限定されるものではないが、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)の少なくとも1つを含む材料から構成することができる。
接点部18は、リード線16と基板10とを電気的及び機械的に接続する部分である。接点部18は、錫(Sn)、ビスマス(Bi)、インジウム(In)の少なくとも1つを含む材料から構成される。例えば、接点部18は、錫(Sn)、ビスマス(Bi)、インジウム(In)の少なくとも1つと銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、パラジウム(Pd)、鉛(Pb)との合金とすることができる。
[酸化反応用電極]
酸化反応用電極102は、酸化反応によって物質を酸化するために利用される電極である。酸化反応用電極102は、基板、透明導電層、集電配線及び酸化触媒を含んで構成される。
基板は、酸化反応用電極102を構造的に支持する部材である。基板は、特に材料が限定されるものではないが、酸化反応用電極102を透光性を有するようにするには、例えば、ガラス基板やプラスチック等とすることが好適である。
透明導電層は、酸化反応用電極102における集電を効果的にするために設けられる。透明導電層は、特に限定されるものではないが、酸化インジウム錫(ITO)、フッ素ドープ酸化錫(FTO)、酸化亜鉛(ZnO)等とすることが好適である。特に、熱的及び化学的な安定性を考慮するとフッ素ドープ酸化錫(FTO)を用いることが好適である。
集電配線24は、酸化反応用電極102における集電の効果を高めるために設けられる。すなわち、酸化反応用電極102を大面積化した場合、透明導電層22のみでは酸化反応用電極102の全面において十分な反応を促進させるための導電性を確保できなくなるので、酸化反応用電極102の導電性を高めるために設けられる。集電配線24は、例えば、間隔を置いて櫛形状に配置された線状のフィンガー電極と、フィンガー電極を更に集電するためのバス電極とを組み合わせた構成とすることができる。集電配線24は、導電部、第1シール部及び第2シール部から構成することが好適である。導電部は、導電性の高い材料で構成され、金属を含む材料で構成することが好適である。例えば、銀(Ag)、銅(Cu)等を含む材料で構成することが好適である。また、第1シール部及び第2シール部は、導電部を化学的及び機械的に保護するために少なくとも導電部の一部を被覆するように設けられる。第1シール部は、低融点のガラスコート材とすることができる。また、第2シール部は、シリコーンゴム(脱オキシムタイプ、低分子シロキサン低減材、耐油・耐溶剤フロロシリコーン等)、ポリイソブチレン、ポリプロピレン、メタクリル(アクリル)、ポリカーボネート、フッ素樹脂(テフロン(登録商標))、エポキシ樹脂等の樹脂とすることができる。
酸化触媒は、酸化触媒機能を有する材料を含んで構成される。酸化触媒機能を有する材料は、例えば、酸化イリジウム(IrOx)を含む材料とすることができる。酸化イリジウムは、ナノコロイド溶液として透明導電層の表面上に担持することができる(T.Arai et.al, Energy Environ. Sci 8, 1998 (2015))。
[電気化学セル]
本実施の形態における電気化学セルは、図2に示すように、還元反応用電極100と酸化反応用電極102を組み合わせて構成される。還元反応用電極100と酸化反応用電極102を還元触媒及び酸化触媒が対向するように配置し、その間に反応物が溶解された電解液104を導入させる。反応物は、炭化化合物とすることができ、例えば、二酸化炭素(CO)とすることができる。また、電解液は、リン酸緩衝水溶液やホウ酸緩衝水溶液とすることが好適である。具体的な構成例では、二酸化炭素(CO)飽和リン酸緩衝液のタンクを設け、ポンプによって当該液を還元反応用電極100と酸化反応用電極102との間に設けられた間隙に供給し、還元反応によって生じたギ酸(HCOOH)や酸素(O)を外部の燃料タンクに回収する。
還元反応用電極100と酸化反応用電極102との間を電気的に接続し、適切なバイアス電圧を印加した状態とする。バイアス電圧を印加する手段は、特に限定されるものではなく、化学的電池(一次電池、二次電池等を含む)、定電圧源、太陽電池等が挙げられる。このとき、酸化反応用電極102の集電配線に正極が接続され、還元反応用電極100のリード線16に負極が接続される。
本実施の形態では、太陽電池セル106を採用している。太陽電池セル106は、還元反応用電極100及び酸化反応用電極102に隣接して配置することができる。図2の例では、還元反応用電極100と酸化反応用電極102とを対向させた電気化学セルの還元反応用電極100の背面に太陽電池セル106を配置し、太陽電池セル106の正極を酸化反応用電極102に接続し、負極を還元反応用電極100に接続している。
二酸化炭素(CO)からギ酸(HCOOH)等を合成する場合、水(HO)は酸化されて二酸化炭素(CO)に電子とプロトンを供給する。pH7付近では水(HO)の酸化電位は0.82V、還元電位は-0.41V(何れもNHE)である。また、二酸化炭素(CO)から一酸化炭素(CO)、ギ酸(HCOOH)、メチルアルコール(CHOH)への還元電位はそれぞれ-0.53V,-0.61V,-0.38Vである。したがって、酸化電位と還元電位の電位差は1.20~1.43Vである。そこで、炭化化合物である二酸化炭素(CO)を還元する場合、太陽電池セル106は、4枚の結晶系シリコン太陽電池を直接に接続した構成や3枚のアモルファス系シリコン太陽電池を直列に接続したアモルファスシリコン系3接合太陽電池とすることが好適である。
太陽電池セル106に対しては、受光面側に窓材108を設けることが好適である。窓材108は、太陽電池セル106を保護する部材である。窓材108は、太陽電池セル106において発電に寄与する波長の光を透過する部材とし、例えば、ガラス、プラスチック等とすることができる。
還元反応用電極100、酸化反応用電極102、太陽電池セル106及び窓材108は、枠材110によって構造的に支持される。
[実施例1]
錫(Sn)からなる基板10に銅(Cu)のリード線16をインジウム(In)を半田鏝で溶かして接点部18を形成した。この場合、基板10とリード線16との間の抵抗は1Ω以下であった。
[実施例2]
ステンレス(SUS)板の全面に1μm厚の錫(Sn)をメッキした基板10にメッキ銅線のリード線16を錫(Sn)-ビスマス(Bi)の合金を半田鏝で溶かして接点部18を形成した。この場合、基板10とリード線16との間の抵抗は1Ω以下であった。
[実施例3]
ステンレス(SUS)板の全面に1μm厚の錫(Sn)をメッキした基板10にメッキ銅線のリード線16をインジウム(In)-錫(Sn)の合金を半田鏝で溶かして接点部18を形成した。この場合、基板10とリード線16との間の抵抗は1Ω以下であった。
[実施例4]
ステンレス(SUS)板の全面に1μm厚の錫(Sn)をメッキして基板10とし、その表面上にカーボン導電性接着剤によりカーボンナノチューブを含浸させ、さらにルテニウム錯体を含む分子を設けたカーボンシートを接合して還元反応用電極100を形成した。その後、銅(Cu)のリード線16をインジウム(In)を用いて半田鏝で溶かして接点部18を形成した。
酸化反応用電極102として白金のメッシュ及び参照電極としてHg/HgSOを用いて、二酸化炭素(CO)を溶存させたリン酸バッファ液からなる電解液104を供給して電流-電圧特性を繰り返し行った。
その結果、測定後においても接点部18に電気的な劣化はみられなかった。なお、接点部18をRTVゴムでオーバーコートすることによって、電解液104による腐食抑制と機械的強度の確保をさらに向上させることができる。
[比較例1]
錫(Sn)からなる基板10に銅(Cu)のリード線16を銀(Ag)ペーストで接合して接点部を形成した。室温下において1日放置した後、基板10とリード線16との間の抵抗をテスターで測定したところ抵抗値が大きすぎて測定不可能であった。
10 基板、12 カーボン層、14 錯体触媒層、16 リード線、18 接点部、22 透明導電層、24 集電配線、100 還元反応用電極、102 酸化反応用電極、104 電解液、106 太陽電池セル、108 窓材、110 枠材。

Claims (3)

  1. 錫を含有する表面を備えた基板と、
    前記表面に接合された金属を含むリード線と、
    を備え、
    前記リード線と前記表面との接合部が、錫及びビスマスの少なくとも1つを含み、有機成分及び銀を含まないことを特徴とする二酸化炭素の還元に用いられる化学反応用電極。
  2. 請求項1に記載の化学反応用電極であって、
    前記リード線は、銅(Cu)を含むことを特徴とする化学反応用電極。
  3. 請求項1又は2に記載の化学反応用電極を含み、
    前記化学反応用電極に触れる弱酸性の電解質液を備え、
    炭素化合物を生成することを特徴とする電気化学セル。
JP2017177571A 2017-09-15 2017-09-15 化学反応用電極及びそれを用いた電気化学セル Active JP7104500B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017177571A JP7104500B2 (ja) 2017-09-15 2017-09-15 化学反応用電極及びそれを用いた電気化学セル

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017177571A JP7104500B2 (ja) 2017-09-15 2017-09-15 化学反応用電極及びそれを用いた電気化学セル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019052353A JP2019052353A (ja) 2019-04-04
JP7104500B2 true JP7104500B2 (ja) 2022-07-21

Family

ID=66013587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017177571A Active JP7104500B2 (ja) 2017-09-15 2017-09-15 化学反応用電極及びそれを用いた電気化学セル

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7104500B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7342474B2 (ja) * 2019-07-16 2023-09-12 株式会社豊田中央研究所 二酸化炭素還元反応用電極、およびそれを用いた二酸化炭素還元装置
CN112941560A (zh) * 2021-01-28 2021-06-11 中南大学 一种Bi-In@Cu foam纳米材料及其制备方法和应用

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015206109A (ja) 2014-04-11 2015-11-19 株式会社豊田中央研究所 光化学反応デバイス、それに用いられる酸化反応用電極及び還元反応用電極

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5368701A (en) * 1993-06-11 1994-11-29 Nec Research Institute, Inc. Process for forming Zintl phases and the products thereof
JP4029155B2 (ja) * 2003-07-25 2008-01-09 独立行政法人産業技術総合研究所 可視光応答性の膜状多孔質半導体光電極
WO2012046362A1 (ja) * 2010-10-06 2012-04-12 パナソニック株式会社 二酸化炭素を還元する方法
CN102605385A (zh) * 2012-01-13 2012-07-25 天津理工大学 一种光电催化还原二氧化碳制备甲醇的方法
JP5857194B2 (ja) * 2013-08-06 2016-02-10 パナソニックIpマネジメント株式会社 光化学反応装置用集光装置
US10450662B2 (en) * 2015-08-25 2019-10-22 Indian Oil Corporation Limited Device and method for conversion of carbon dioxide to organic compounds
JP6497276B2 (ja) * 2015-08-28 2019-04-10 株式会社豊田中央研究所 コーティング剤および触媒担持電極の製造方法
JP6515186B2 (ja) * 2015-09-08 2019-05-15 富士フイルム株式会社 酸素発生用光触媒電極およびモジュール
JP2017101285A (ja) * 2015-12-02 2017-06-08 株式会社豊田中央研究所 還元反応用電極及びそれを用いた反応デバイス
JP2017125242A (ja) * 2016-01-15 2017-07-20 株式会社豊田中央研究所 還元反応用電極及びそれを用いた反応デバイス

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015206109A (ja) 2014-04-11 2015-11-19 株式会社豊田中央研究所 光化学反応デバイス、それに用いられる酸化反応用電極及び還元反応用電極

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019052353A (ja) 2019-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Andrei et al. Scalable triple cation mixed halide perovskite–bivo4 tandems for bias‐free water splitting
Lee et al. Tailored NiO x/Ni cocatalysts on silicon for highly efficient water splitting photoanodes via pulsed electrodeposition
Coridan et al. Electrical and photoelectrochemical properties of WO3/Si tandem photoelectrodes
Kavan et al. Electrochemical characterization of TiO2 blocking layers for dye-sensitized solar cells
Yourey et al. Water oxidation on a CuWO4–WO3 composite electrode in the presence of [Fe (CN) 6] 3–: Toward solar Z-scheme water splitting at zero bias
Jung et al. Effect of the Si/TiO2/BiVO4 heterojunction on the onset potential of photocurrents for solar water oxidation
JP3995051B2 (ja) 有機光触媒を用いた水の電気分解方法
JP2007073507A (ja) 炭素ナノチューブを用いた光電気化学素子
JP7069611B2 (ja) 電気化学セル及び光合成装置
JP7104500B2 (ja) 化学反応用電極及びそれを用いた電気化学セル
Tian et al. Enhanced charge injection and collection of niobium-doped TiO2/gradient tungsten-doped BiVO4 nanowires for efficient solar water splitting
JP2009099569A (ja) 染料感応太陽電池及びその製造方法
JP2017125242A (ja) 還元反応用電極及びそれを用いた反応デバイス
JP6950384B2 (ja) 還元反応用電極
WO2005122322A1 (ja) 色素増感型太陽電池及びその製造方法
JP6922580B2 (ja) 酸化反応用電極及び還元反応用電極並びにそれらを用いた電気化学セル及び人工光合成装置
JP7077858B2 (ja) 還元反応用電極及びそれを用いた反応デバイス
KR100998146B1 (ko) 티타늄 튜브와 박판 구조물이 포함되는 염료 감응형태양전지
JP7482598B2 (ja) 化学反応装置及びそれを用いた太陽エネルギー利用システム
JP7188188B2 (ja) 酸化反応用電極及びそれを用いた電気化学反応装置
JP7035393B2 (ja) 還元反応用電極
Wei et al. Carbon Coated TiO2 Photoanodes for All-vanadium Redox Photoelectrochemical Cells as Efficient Solar Energy Storage Device
JP7367435B2 (ja) 電気化学反応デバイス
JP7342474B2 (ja) 二酸化炭素還元反応用電極、およびそれを用いた二酸化炭素還元装置
JP6492676B2 (ja) 還元反応用電極及びそれを用いた反応デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200729

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210621

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210629

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210804

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20211012

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211115

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20211115

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20211122

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20211130

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20211228

C211 Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211

Effective date: 20220111

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20220315

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20220426

C23 Notice of termination of proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23

Effective date: 20220531

C03 Trial/appeal decision taken

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03

Effective date: 20220705

C30A Notification sent

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012

Effective date: 20220705

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220708

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7104500

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150