JP7094729B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
第1面および前記第1面と反対側の第2面を有する第1導電型の半導体基板と、
前記第1面に形成された第2導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域上に形成された第1電極と、
前記第1半導体領域に形成された第1導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域上に形成された第2電極と、
前記第2半導体領域を貫通し、前記第1面に露呈する前記第1半導体領域が前記第2電極と電気的に接続された第1ショート部と、
前記第2面に形成された第2導電型の第3半導体領域と、
前記第3半導体領域上に形成された第3電極と、
前記第1電極の端と前記第1ショート部との間に、平面視で前記第1電極を囲むように前記第2半導体領域を貫通し、前記第1面に露呈する前記第1半導体領域が前記第2電極と電気的に接続する第2ショート部と、を有する。
前記第2ショート部は、前記第1電極の側面からの距離が一定であってもよい。
前記第2ショート部は、前記第1電極の側面に沿った周方向に直交する方向の幅が一定であってもよい。
前記第1ショート部は、規則性をもって配置されていてもよい。
前記第1電極は、平面視した場合に円形状を有し、
前記第2ショート部は、平面視した場合に前記第1電極と同心の円環形状を有してもよい。
前記第2半導体領域の不純物濃度は、前記半導体基板の不純物濃度よりも高くてもよい。
前記第1半導体領域に形成された第2導電型の第4半導体領域を更に備え、
前記第1ショート部の不純物濃度および前記第2ショート部の不純物濃度は、前記第4半導体領域の不純物濃度と同じ不純物濃度を有し、
前記第1電極は、前記第4半導体領域を介して前記第1半導体領域上に形成されていてもよい。
前記第4半導体領域の不純物濃度、前記第1ショート部の不純物濃度および前記第2ショート部の不純物濃度は、前記第1半導体領域の不純物濃度よりも高くてもよい。
前記第3半導体領域に形成された第2導電型の第5半導体領域を更に備え、
前記第3電極は、前記第5半導体領域を介して前記第3半導体領域上に形成されていてもよい。
前記第5半導体領域の不純物濃度は、前記第3半導体領域の不純物濃度よりも高くてもよい。
第1面および第1面と反対側の第2面を有する第1導電型の半導体基板と、
第1面に形成された第2導電型の第1半導体領域と、
第1半導体領域上に形成された第1電極と、
第1半導体領域に形成された第1導電型の第2半導体領域と、
第2半導体領域上に形成された第2電極と、
第2半導体領域を貫通し、第1面に露呈する第1半導体領域が第2電極と電気的に接続された第1ショート部と、
第2面に形成された第2導電型の第3半導体領域と、
第3半導体領域上に形成された第3電極と、
第1電極の端と第1ショート部との間に、平面視で第1電極を囲むように第2半導体領域を貫通し、第1面に露呈する第1半導体領域が第2電極と電気的に接続する第2ショート部と、を有する。
本発明によれば、平面視で第1電極を囲む第2ショート部を有することで、第1電極からの電流集中を抑制することができる。
したがって、本発明によれば、電極の周辺における電流集中を抑えて破壊を抑制することができる。
なお、図1に示すように、第4半導体領域6と、第1ショート部31及び第2ショート部32は同じ不純物濃度(p++)であってもよい。
また、第1半導体領域3よりp型不純物濃度が高い第4半導体領域6と、第1半導体領域3よりp型不純物濃度が高い第1ショート部31及び第2ショート部32は、形成されていてもよく形成されてなくてもよい。
上記の構成以外にも、本発明には以下の変形例を適用することができる。図3は、本実施形態の第1の変形例に係る半導体装置1を示す断面図である。図4は、本実施形態の第1の変形例に係る半導体装置1を示す平面図である。
これにより、ゲート電極Gからの電流集中を抑制することができる。したがって、本発明によれば、電極の周辺における電流集中を抑えて破壊を抑制することができる。
2 半導体基板
21 第1面
22 第2面
3 第1半導体領域
31 第1ショート部
32 第2ショート部
4 第2半導体領域
5 第3半導体領域
Claims (7)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の一方の面に形成された第2導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域上に形成された第1電極と、
前記第1半導体領域に形成された第1導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域上に形成された第2電極と、
前記第2半導体領域を貫通して形成され、前記第1半導体領域と前記第2電極を電気的に接続させる第1ショート部と、
前記半導体基板の他方の面に形成された第2導電型の第3半導体領域と、
前記第3半導体領域上に形成された第3電極と、
前記第1電極と前記第1ショート部の間の位置において、前記第2半導体領域を貫通して形成され、前記第1半導体領域と前記第2電極を電気的に接続させる第2ショート部と、を備え、
前記第2ショート部は、平面視において前記第1電極を囲むように形成され、当該第2ショート部が、前記第1電極と前記第1ショート部の間の位置において複数形成されている半導体装置。 - 複数の前記第2ショート部は、平面視において前記第1電極を囲む同心の円環状に形成されている請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2半導体領域の不純物濃度は、前記半導体基板の不純物濃度よりも高くなっている請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記第1半導体領域に形成された第2導電型の第4半導体領域を備え、
前記第1電極は、前記第4半導体領域を介して前記第1半導体領域上に形成され、
前記第1ショート部の不純物濃度および前記第2ショート部の不純物濃度は、前記第4半導体領域の不純物濃度と同じ不純物濃度を有している請求項1~3のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記第4半導体領域の不純物濃度、前記第1ショート部の不純物濃度および前記第2ショート部の不純物濃度は、前記第1半導体領域の不純物濃度よりも高くなっている請求項4に記載の半導体装置。
- 前記第3半導体領域に形成された第2導電型の第5半導体領域を備え、
前記第3電極は、前記第5半導体領域を介して前記第3半導体領域上に形成されている請求項1~5のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記第5半導体領域の不純物濃度は、前記第3半導体領域の不純物濃度よりも高くなっている請求項6に記載の半導体装置。
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JP2018043184A JP7094729B2 (ja) | 2018-03-09 | 2018-03-09 | 半導体装置 |
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JP2018043184A JP7094729B2 (ja) | 2018-03-09 | 2018-03-09 | 半導体装置 |
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JP2019160923A JP2019160923A (ja) | 2019-09-19 |
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Family Applications (1)
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JP2018043184A Active JP7094729B2 (ja) | 2018-03-09 | 2018-03-09 | 半導体装置 |
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN104409491A (zh) | 2013-08-26 | 2015-03-11 | 湖北台基半导体股份有限公司 | 高压快开通晶闸管及其制造方法 |
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JPS5446488A (en) * | 1977-09-20 | 1979-04-12 | Hitachi Ltd | Thyristor |
CH622127A5 (ja) * | 1977-12-21 | 1981-03-13 | Bbc Brown Boveri & Cie |
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2018
- 2018-03-09 JP JP2018043184A patent/JP7094729B2/ja active Active
Patent Citations (1)
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CN104409491A (zh) | 2013-08-26 | 2015-03-11 | 湖北台基半导体股份有限公司 | 高压快开通晶闸管及其制造方法 |
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