JP7094166B2 - 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに電子素子 - Google Patents

薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに電子素子 Download PDF

Info

Publication number
JP7094166B2
JP7094166B2 JP2018131397A JP2018131397A JP7094166B2 JP 7094166 B2 JP7094166 B2 JP 7094166B2 JP 2018131397 A JP2018131397 A JP 2018131397A JP 2018131397 A JP2018131397 A JP 2018131397A JP 7094166 B2 JP7094166 B2 JP 7094166B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic semiconductor
thin film
semiconductor layer
energy level
semiconductor material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018131397A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019029657A (ja
Inventor
雅 淨 崔
碩 圭 咸
正 一 朴
容 旭 李
鐘 元 鄭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2019029657A publication Critical patent/JP2019029657A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7094166B2 publication Critical patent/JP7094166B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3275—Details of drivers for data electrodes
    • G09G3/3283—Details of drivers for data electrodes in which the data driver supplies a variable data current for setting the current through, or the voltage across, the light-emitting elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3685—Details of drivers for data electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H10K10/474—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
    • H10K10/486—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions the channel region comprising two or more active layers, e.g. forming pn heterojunctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/50—Oxidation-reduction potentials, e.g. excited state redox potentials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

本発明は、薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに薄膜トランジスタを含む電子素子に関する。
液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙａｙ：ＬＣＤ）、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ：ＯＬＥＤ ｄｉｓｐｌａｙ）、電気泳動表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ）などの平板表示装置は、複数対の電場生成電極と、その間に介在する電気光学活性層を含む。液晶表示装置の場合、電気光学活性層として液晶層を含み、有機発光表示装置の場合、電気光学活性層として有機発光層を含む。
一対をなす電場生成電極のうちの一つは、通常スイッチング素子に連結されて電気信号の印加を受け、電気光学活性層はこのような電気信号を光学信号に変換することによって映像を表示する。
平板表示装置では、スイッチング素子として三端子素子である薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を使用し、この薄膜トランジスタを制御するための走査信号を伝達するゲート線（ｇａｔｅ ｌｉｎｅ）と、画素電極に印加される信号を伝達するデータ線（ｄａｔａ ｌｉｎｅ）とが平板表示装置に設けられる。
このような薄膜トランジスタの中で、ケイ素（Ｓｉ）のような無機半導体の代わりに有機半導体（ｏｒｇａｎｉｃ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を含む有機薄膜トランジスタ（ｏｒｇａｎｉｃ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＯＴＦＴ）に対する研究が活発に行われている。
特開２００５－２７７０１７号公報
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、改善された性能を具現する薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに薄膜トランジスタを含む電子素子を提供することにある。
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極に重畳する半導体層と、前記半導体層に電気的に連結されたソース電極及びドレイン電極と、を備え、前記半導体層は、第１有機半導体物質を含む第１半導体層と、前記ゲート電極から前記第１半導体層よりも遠く離れて位置して第２有機半導体物質を含む第２半導体層と、を含み、前記第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位と前記第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位とは、互いに異なる。
前記第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、前記第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位よりも高くあり得る。
前記第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、前記第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位よりも０．２ｅＶ以上高くあり得る。
前記第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、４．８～５．３ｅＶであり、前記第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、５．２～５．６ｅＶであり得る。
前記第１半導体層の厚さは、前記第２半導体層の厚さよりも厚くあり得る。
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記第２半導体層の上部表面に接触し得る。
前記薄膜トランジスタは、前記ゲート電極と前記半導体層との間に位置するゲート絶縁膜を更に含み、前記第１半導体層の下部表面は、前記ゲート絶縁膜に接触し得る。
前記第１半導体層と前記第２半導体層とは、同じ平面模様を有し得る。
前記第１有機半導体物質の電荷移動度は、前記第２有機半導体物質の電荷移動度よりも大きくあり得る。
前記第１有機半導体物質及び前記第２有機半導体物質は、それぞれ縮合多環ヘテロ芳香族化合物であり得る。
前記第１有機半導体物質は、８個以上の環が縮合した縮合多環ヘテロ芳香族化合物であり、前記第２有機半導体物質は、８個未満の環が縮合した縮合多環ヘテロ環化合物であり得る。
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による薄膜トランジスタの製造方法は、ゲート電極を形成する段階と、半導体層を形成する段階と、ソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、を有し、前記半導体層を形成する段階は、第１有機半導体物質を含む第１半導体層を形成する段階と、前記第１半導体層の上に第２有機半導体物質を含む第２半導体層を形成する段階と、を含み、前記第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位と前記第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位とは、互いに異なる。
前記第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、前記第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位よりも高くあり得る。
前記第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、前記第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位よりも０．２ｅＶ以上高くあり得る。
前記第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、４．８～５．３ｅＶであり、前記第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、５．２～５．６ｅＶであり得る。
前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する段階は、前記半導体層を形成する段階後に行われ、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する段階は、前記第２半導体層の上に導電層を形成する段階と、エッチング液を用いて前記導電層をエッチングする段階と、を含み、前記第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、前記エッチング液の酸化電位よりも高くあり得る。
前記第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、前記エッチング液の酸化電位よりも高く、５．６ｅＶ以下であり得る。
前記第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、前記エッチング液の酸化電位よりも低くあり得る。
前記第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、４．８ｅＶ以上であり、前記エッチング液の酸化電位よりも低くあり得る。
前記半導体層を形成する段階は、第１半導体層用薄膜を形成する段階と、第２半導体層用薄膜を形成する段階と、前記第１半導体層用薄膜及び前記第２半導体層用薄膜を一度にエッチングする段階と、を含み得る。
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による電子素子は、前記薄膜トランジスタを含む。
本発明によれば、高性能な薄膜トランジスタを具現することができる。
一実施形態による薄膜トランジスタの概略的な断面図である。 図１の薄膜トランジスタの一例による製造方法を示す断面図である。 図１の薄膜トランジスタの一例による製造方法を示す断面図である。 図１の薄膜トランジスタの一例による製造方法を示す断面図である。 図１の薄膜トランジスタの一例による製造方法を示す断面図である。 図１の薄膜トランジスタの一例による製造方法を示す断面図である。 図１の薄膜トランジスタの一例による製造方法を示す断面図である。 図１の薄膜トランジスタの一例による製造方法を示す断面図である。 図１の薄膜トランジスタの一例による製造方法を示す断面図である。 図１の薄膜トランジスタの一例による製造方法を示す断面図である。
以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。しかし、実際に適用される構造は、多様な異なる形態に具現され、ここで説明する実施形態に限定されない。
本明細書で別途の定義がない限り、‘置換’とは、化合物中の水素原子がハロゲン原子（Ｆ、Ｂｒ、Ｃｌ、又はＩ）、ヒドロキシ基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アジド基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、カルボニル基、カルバミル基、チオール基、エステル基、カルボキシル基やその塩、スルホン酸基やその塩、燐酸やその塩、Ｃ１～Ｃ２０アルキル基、Ｃ２～Ｃ２０アルケニル基、Ｃ２～Ｃ２０アルキニル基、Ｃ６～Ｃ３０アリール基、Ｃ７～Ｃ３０アリールアルキル基、Ｃ１～Ｃ３０アルコキシ基、Ｃ１～Ｃ２０ヘテロアルキル基、Ｃ３～Ｃ２０ヘテロアリールアルキル基、Ｃ３～Ｃ３０シクロアルキル基、Ｃ３～Ｃ１５シクロアルケニル基、Ｃ６～Ｃ１５シクロアルキニル基、Ｃ３～Ｃ３０ヘテロシクロアルキル基、及びこれらの組み合わせから選択される置換基で置換されることを意味する。
また、本明細書で別途の定義がない限り、‘ヘテロ’とは、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、及びＰから選択されるヘテロ原子を１～３個含有するものを意味する。
図面において複数の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体に亘って類似の部分については同一の参照符号を付与する。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする場合、これは、他の部分の“直上”にある場合のみならず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“直上”にあるとする場合には、中間に他の部分がないことを意味する。
以下、ＨＯＭＯエネルギー準位の値を真空レベル（ｖａｃｕｕｍ ｌｅｖｅｌ）からの絶対値で表示する。また、ＨＯＭＯエネルギーレベルが‘深い’、‘高い’、又は‘大きい’ということは真空レベルを‘０ｅＶ’として絶対値が大きいことを意味し、ＨＯＭＯエネルギーレベルが‘浅い’、‘低い’、又は‘小さい’ということは真空レベルを‘０ｅＶ’として絶対値が小さいことを意味する。
以下、酸化還元電位（ｒｅｄｏｘ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）を絶対値で表示する。酸化還元電位が‘高い’又は‘大きい’ということは絶対値が大きいことを意味し、酸化還元電位が‘低い’又は‘小さい’ということは絶対値が小さいことを意味する。
以下、一実施形態による薄膜トランジスタについて説明する。
図１は、一実施形態による薄膜トランジスタの概略的な断面図である。
本実施形態による薄膜トランジスタは、基板１１０、ゲート電極１２４、ゲート絶縁膜１４０、半導体層１５４、ソース電極１７３、及びドレイン電極１７５を含む。
基板１１０は、例えば透明ガラス又は高分子のような絶縁基板であるか又はシリコンウエハーである。高分子は、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリイミド、又はこれらの組み合わせを含むが、これらに限定されるものではない。
基板１１０の上にはゲート電極１２４が形成される。ゲート電極１２４は、ゲート信号を伝達するゲート線（図示せず）に連結される。ゲート電極１２４は、例えば金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタニウム（Ｔｉ）、これらの合金、又はこれらの組み合わせからなるが、これらに限定されるものではない。しかし、基板１１０がシリコンウエハーの場合、ゲート電極１２４はシリコンウエハーのドーピング領域である。ゲート電極１２４は１層又は２層以上である。
ゲート電極１２４の上にはゲート絶縁膜１４０が形成される。
ゲート絶縁膜１４０は有機物質又は無機物質からなり、有機物質の例としては、ポリビニルアルコール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）系化合物、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）系化合物、ポリアクリール（ｐｏｌｙａｃｒｙｌ）系化合物、ポリスチレン（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）系化合物、ベンゾシクロブタン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔａｎｅ：ＢＣＢ）、又はこれらの組み合わせが挙げられ、無機物質の例としては、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、又はこれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。ゲート絶縁膜１４０は、例えば１層又は２層以上である。
ゲート絶縁膜１４０の上には半導体層１５４が形成される。
半導体層１５４は、ゲート絶縁膜１４０を間においてゲート電極１２４に重畳される。
半導体層１５４は、第１半導体層１５４ａ及び第２半導体層１５４ｂを含む。
第１半導体層１５４ａは、ゲート絶縁膜１４０の真上に位置する下部半導体層である。第１半導体層１５４ａの下部表面は、ゲート絶縁膜１４０に接し、薄膜トランジスタのチャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）が形成される。第１半導体層１５４ａの上部表面は第２半導体層１５４ｂに接する。
第２半導体層１５４ｂは、第１半導体層１５４ａの上に位置し、ゲート電極１２４からより遠く離隔する上部半導体層である。第２半導体層１５４ｂの下部表面は第１半導体層１５４ａに接するが、これに限定されず、第１半導体層１５４ａと第２半導体層１５４ｂとの間に更に他の半導体層（図示せず）が介在してもよい。第２半導体層１５４ｂの上部表面の少なくとも一部は、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５にそれぞれ接する。
第１半導体層１５４ａ及び第２半導体層１５４ｂは、それぞれ半導体物質を含み、例えばそれぞれ有機半導体物質を含み、例えばそれぞれ低分子有機半導体物質を含む。第１半導体層１５４ａ及び第２半導体層１５４ｂは、例えば互いに異なる有機半導体物質を含み、例えば互いに異なる低分子有機半導体物質を含む。ここで、低分子有機半導体物質は、約３０００以下の平均分子量を有する有機半導体物質である。
第１半導体層１５４ａは第１有機半導体物質を含み、第２半導体層１５４ｂは第２有機半導体物質を含む。第１有機半導体物質と第２有機半導体物質との電気化学特性は互いに異なり、例えば第１有機半導体物質の酸化還元電位（ｒｅｄｏｘ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）と第２有機半導体物質の酸化還元電位とは互いに異なり、例えば第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位と第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位とは互いに異なる。
酸化還元電位は、電気化学的にＨＯＭＯ準位から電子を１個取り除くことに要求されるエネルギーと同じであるため、酸化還元電位からＨＯＭＯエネルギー準位が測定される。例えば、一般的に知られている有機物質の酸化還元電位と、測定しようとする有機物質の酸化還元電位とを相対比較してＨＯＭＯエネルギー準位を測定し、例えば酸化還元電位の基準物質の一例であるフェロセン／フェロセニウム（ｆｅｒｒｏｃｅｎｅ／ｆｅｒｒｏｃｅｎｉｕｍ、Ｆｃ／Ｆｃ＋）のＨＯＭＯエネルギー準位４．８ｅＶから測定する。或いは、有機半導体薄膜を製作して紫外光電子分光法（Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いてＨＯＭＯエネルギー準位を測定することもできる。
一例として、第２有機半導体物質の酸化還元電位は、第１有機半導体物質の酸化還元電位よりも高く、例えば第２有機半導体物質の酸化還元電位は第１有機半導体物質の酸化還元電位よりも約０．１ｅＶ以上高く、例えば第２有機半導体物質の酸化還元電位は第１有機半導体物質の酸化還元電位よりも約０．２ｅＶ以上高い。
一例として、第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位よりも高く、例えば第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位よりも約０．１ｅＶ以上高く、例えば第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位よりも約０．２ｅＶ以上高い。
一例として、第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位よりも高く、上記範囲内で第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は約４．８～５．３ｅＶであり、第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は約５．２～５．６ｅＶである。この範囲内で、例えば第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は約４．８～５．２ｅＶであり、第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は約５．２～５．５ｅＶであり、この範囲内で、例えば第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は約４．８～５．１ｅＶであり、第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は約５．２～５．４ｅＶである。
このように上部に位置する第２半導体層１５４ｂが比較的に高い酸化還元電位及びＨＯＭＯエネルギー準位を有することによって、後続工程における酸化還元反応のような電気化学反応において安定して有機半導体物質の損傷を減らすか又は防止することができ、これにより半導体層１５４を効果的に保護して高性能薄膜トランジスタを具現することができる。
一例として、第１有機半導体物質の電荷移動度（ｃｈａｒｇｅ ｍｏｂｉｌｉｔｙ）は、第２有機半導体物質の電荷移動度よりも高い。これにより薄膜トランジスタのチャンネルが形成された第１半導体層１５４ａの電荷移動度を確保して高性能薄膜トランジスタを具現することができる。
一例として、第１有機半導体物質及び第２半導体物質のうちの少なくとも一つは縮合多環ヘテロ芳香族化合物（ｆｕｓｅｄ ｐｏｌｙｃｙｃｌｉｃ ｈｅｔｅｒｏａｒｏｍａｔｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）であり、第１有機半導体物質及び第２有機半導体物質のうちの少なくとも一つは、例えば少なくとも一つのＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ、又はこれらの組み合わせを含む縮合多環ヘテロ芳香族化合物であり、例えば少なくとも一つのＳ、Ｓｅ、Ｔｅ、又はこれらの組み合わせを含む縮合多環ヘテロ芳香族化合物である。
一例として、第１有機半導体物質及び第２有機半導体物質は、それぞれ縮合多環ヘテロ芳香族化合物である。第１有機半導体物質及び第２有機半導体物質は、それぞれ、例えば少なくとも一つのＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ、又はこれらの組み合わせを含む縮合多環ヘテロ芳香族化合物であり、例えば少なくとも一つのＳ、Ｓｅ、Ｔｅ、又はこれらの組み合わせを含む縮合多環ヘテロ芳香族化合物である。
一例として、第１有機半導体物質及び第２有機半導体物質が、それぞれ縮合多環ヘテロ芳香族化合物の場合、第１有機半導体物質は第２有機半導体物質の電荷移動度よりも高い縮合多環ヘテロ芳香族化合物であり、例えば第１有機半導体物質は第２有機半導体物質よりも縮合環の個数が多い。
一例として、第１有機半導体物質は、例えば８個以上の環が互いに結合されたコンパクト（ｃｏｍｐａｃｔ）な平面構造を有する縮合多環ヘテロ芳香族化合物であり、例えば８個、９個、１０個、１１個、又は１２個の環が縮合した縮合多環ヘテロ芳香族化合物である。
第１有機半導体物質は、例えば下記の化学式１Ａ又は１Ｂで表される。
Figure 0007094166000001
Figure 0007094166000002
上記化学式１Ａ及び１Ｂにおいて、
Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に、フェニレン、ナフタレン、又はアントラセンであり、ａはＡｒ１及びＡｒ２の炭素に結合する水素の個数に対応し、
Ｘ１～Ｘ４は、それぞれ独立に、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、又はＮ－Ｒａであり、ここでＲａはそれぞれ独立に、水素、置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ３０アルキル基、置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０アルケニル基、置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０アルキニル基、置換若しくは非置換のＣ７～Ｃ３０アリールアルキル基、置換若しくは非置換のＣ６～Ｃ３０アリール基、置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ３０アルコキシ基、置換若しくは非置換のＣ６～Ｃ３０アリールオキシ基（－ＯＲｂ、ここでＲｂは置換若しくは非置換のＣ６～Ｃ３０のアリール基である）、置換若しくは非置換のＣ４～Ｃ３０シクロアルキル基、置換若しくは非置換のＣ４～Ｃ３０シクロアルキルオキシ基（－ＯＲｃ、ここでＲｃは置換若しくは非置換のＣ４～Ｃ３０のシクロアルキル基である）、置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０ヘテロアリール基、アシル基（－Ｃ（＝Ｏ）Ｒｄ、ここでＲｄは置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ３０アルキル基）、スルホニル基（－Ｓ（＝Ｏ）２Ｒｅ、ここでＲｅは置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ３０アルキル基）、又はカルバメート基（－ＮＨＣ（＝Ｏ）ＯＲｆ、ここでＲｆは置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ３０アルキル基）であり、
Ｒ１～Ｒ１３は、それぞれ独立に、水素、置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ３０アルキル基、置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ３０アルコキシ基、置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０アルケニル基、置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０アルキニル基、置換若しくは非置換のＣ６～Ｃ３０アリール基、置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０ヘテロアリール基、置換若しくは非置換のＣ７～Ｃ３０アリールアルキル基、置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０ヘテロアリールアルキル基、置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０アルキルヘテロアリール基、置換若しくは非置換のＣ５～Ｃ３０シクロアルキル基、又は置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０ヘテロシクロアルキル基であり、
ｎ１は０又は１であり、
ｎ２及びｎ３はそれぞれ独立に、０、１、２、又は３であり、
ｎ１が０である場合、ｎ２及びｎ３は１、２、又は３であり、
ｎ１が１である場合、ｎ１＋ｎ２＋ｎ３≧２を満足する。
例えば、Ｒ１及びＲ７は、置換され、例えば置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ３０アルキル基、置換若しくは非置換のＣ６～Ｃ３０アリール基、置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０ヘテロアリール基、置換若しくは非置換のＣ７～Ｃ３０アリールアルキル基、置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０ヘテロアリールアルキル基、置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０アルキルヘテロアリール基、置換若しくは非置換のＣ５～Ｃ３０シクロアルキル基、又は置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０ヘテロシクロアルキル基である。
例えば、Ｒ１及びＲ７は、フルオロ置換されたＣ１～Ｃ３０アルキル基である。
例えば、Ｒａは、置換若しくは非置換のＣ１０～Ｃ３０アルキル基、置換若しくは非置換のＣ１０～Ｃ３０アルコキシ基、置換若しくは非置換のＣ１０～Ｃ３０のアルケニル基、又は置換若しくは非置換のＣ１０～Ｃ３０アルキニル基であり、他の例としてフルオロ置換されたＣ１～Ｃ３０アルキル基、好ましくはＣ１～Ｃ３０パーフルオロアルキル基（ＣｎＦ２ｎ＋１、ここでｎは１以上の整数である）、又はフルオロ置換されたＣ１０～Ｃ３０アルキル基、好ましくはＣ１０～Ｃ３０パーフルオロアルキル基（ＣｎＦ２ｎ＋１、ここでｎは１０～３０の整数である）である。
上記化学式１Ａ及び１Ｂにおいて、ｎ１が０である場合、ｎ２及びｎ３は１、２、又は３の整数であり、ｎ１が１である場合、ｎ１＋ｎ２＋ｎ３≧２を満足し、例えばｎ１が１である場合、ｎ２及びｎ３は全て０ではない。第１有機半導体化合物は、このようなコンパクトな平面型の分子構造を有することによって、酸化電位が均一で安定的であるだけでなく、分子間パッキング（ｐａｃｋｉｎｇ）及びスタッキング（ｓｔａｃｋｉｎｇ）にも有利で高い電荷移動度を示す。
また、上記化学式１Ａ又は１Ｂにおいて、Ｘ１とＸ２、そしてＸ３とＸ４がそれぞれ互いに対称位置に同じ元素が存在してパッキング又はスタッキング特性を更に良くする。
また、上記化学式１Ａ又は１Ｂにおいて、ヘテロ環の間に少なくとも一つの結合されたベンゼン環を位置させることによって共役構造の拡張で分子間の相互作用を増加させ、これによって電荷移動度及び熱安定性を向上させる。
また、ベンゼン環の間にヘテロ環をおくことによって、縮合多環ヘテロ芳香族化合物の有機溶媒に対する溶解性を向上させる。
第１有機半導体物質は、例えば約３００～約３０００の平均分子量を有する。
第１有機半導体物質は、例えば下記化合物であるが、これに限定されるものではない。
Figure 0007094166000003
Figure 0007094166000004
Figure 0007094166000005
Figure 0007094166000006
上記化合物において、それぞれのフェニレン環、チオフェン環、セレノフェン環、及び／又はピロール環の水素は、置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ３０アルキル基、置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ３０アルコキシ基、置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０アルケニル基、置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０アルキニル基、置換若しくは非置換のＣ６～Ｃ３０アリール基、置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０ヘテロアリール基、置換若しくは非置換のＣ７～Ｃ３０アリールアルキル基、置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０ヘテロアリールアルキル基、置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０アルキルヘテロアリール基、置換若しくは非置換のＣ５～Ｃ３０シクロアルキル基、又は置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０ヘテロシクロアルキル基で置換される。
一例として、第２有機半導体物質は、例えば８個未満の環が互いに結合された縮合多環ヘテロ芳香族化合物であり、例えば７個、６個、５個、４個、又は３個の環が縮合した縮合多環ヘテロ芳香族化合物である。
第２有機半導体物質は、例えば下記化学式２Ａ又は２Ｂで表される。
Figure 0007094166000007
上記化学式２Ａ及び２Ｂにおいて、
Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、又はＮ－Ｒａであり、ここでＲａは、水素、置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ１２アルキル基、置換若しくは非置換のＣ６～Ｃ３０アリールアルキル基、置換若しくは非置換のＣ６～Ｃ３０アリール基、置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ１２アルコキシ基、置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ３０アシル基、スルホニル基、又はカルバメート基である、
Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ独立に、水素、置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ３０アルキル基、置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ３０アルケニル基、置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ３０アルキニル基、置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ３０ヘテロアルキル基、置換若しくは非置換のＣ６～Ｃ３０アリールアルキル基、置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０ヘテロアリールアルキル基、置換若しくは非置換のＣ５～Ｃ２０シクロアルキル基、置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０ヘテロシクロアルキル基、置換若しくは非置換のＣ６～Ｃ３０アリール基、又は置換若しくは非置換のＣ２～Ｃ３０ヘテロアリール基である。
第２有機半導体物質は、例えば下記化学式２Ａ－１又は２Ｂ－１で表される。
Figure 0007094166000008
上記化学式２Ａ－１及び２Ｂ－１において、Ｒ１～Ｒ４は上述した通りである。
第２有機半導体物質は、例えば約２００～約２０００の平均分子量を有する。
第２有機半導体物質は、例えば下記化合物であるが、これに限定されるものではない。
Figure 0007094166000009
第１半導体層１５４ａ及び第２半導体層１５４ｂは、それぞれ島型（ｉｓｌａｎｄ ｓｈａｐｅ）であり、同時にエッチングして形成されることによって、同じ平面模様を有する。
第１半導体層１５４ａ及び第２半導体層１５４ｂは、それぞれ独立に、約１ｎｍ～５μｍ厚さを有する。この範囲内で、第１半導体層１５４ａ及び第２半導体層５４ｂは、例えば約５ｎｍ～３μｍ、例えば約１０ｎｍ～２μｍ、例えば約２０ｎｍ～１μｍ、例えば約５０ｎｍ～５００ｎｍ厚さを有する。例えば、第１半導体層１５４ａは第２半導体層１５４ｂよりも厚い。
半導体層１５４の上には、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５が形成される。ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は半導体層１５４を中心として向かい合う。ソース電極１７３は、データ信号を伝達するデータ線（図示せず）に連結される。ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は、例えば金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタニウム（Ｔｉ）、これらの合金、又はこれらの組み合わせからなるが、これらに限定されるものではない。ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は１層又は２層以上である。
以下、上述した薄膜トランジスタの一例による製造方法を説明する。
図２～図１０は、図１の薄膜トランジスタの一例による製造方法を示す断面図である。
図２を参照すると、基板１１０の上にゲート電極用導電層を積層した後、これを写真エッチングしてゲート電極１２４を形成する。
次に、図３を参照すると、ゲート電極１２４の上に酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、又は有機絶縁膜などを積層してゲート絶縁膜１４０を形成する。選択的に、ゲート絶縁膜１４０は表面処理される。
次いで、ゲート絶縁膜１４０の全面に第１半導体薄膜１５１ａ及び第２半導体薄膜１５１ｂを順次積層する。第１半導体薄膜１５１ａは第１有機半導体物質を含み、第２半導体薄膜１５１ｂは第２有機半導体物質を含む。第１有機半導体物質及び第２有機半導体物質は上述した通りである。第１半導体薄膜１５１ａ及び第２半導体薄膜１５１ｂは、例えば熱蒸着、真空蒸着、又はレーザ蒸着のような蒸着によって形成されるか、或いはスクリーン印刷、プリンティング、インプリンティング、スピンキャスティング、ディッピング、インクジェッティング、ロールコーティング、ドロップキャスティング、スプレーコーティング、又はロールプリンティングのような溶液工程で形成されるが、これに限定されるものではない。
次に、図４を参照すると、第２半導体薄膜１５１ｂの上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜５０を形成する。フォトレジストは、例えばフッ素系高分子のようなフッ素系化合物を含むフォトレジストであるが、これに限定されるものではない。
次に、図５を参照すると、フォトレジスト膜５０の上にマスク（図示せず）を配置して露光した後、現像してフォトレジストパターン５０ａを形成する。
次に、図６を参照すると、フォトレジストパターン５０ａをマスクにして第１半導体薄膜１５１ａ及び第２半導体薄膜１５１ｂを同時にエッチングして、第１半導体層１５４ａ及び第２半導体層１５４ｂを形成する。この時、エッチングは、例えば乾式エッチングである。次いで、フォトレジストパターン５０ａを除去する。
次に、図７を参照すると、第２半導体層１５４ｂの上にソース及びドレイン電極用導電層１７０を積層する。ソース及びドレイン電極用導電層１７０は、例えば金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタニウム（Ｔｉ）、これらの合金、又はこれらの組み合わせを含み、１層又は２層以上である。
次に、図８を参照すると、ソース及びドレイン電極用導電層１７０の上に、フォトレジストを塗布してフォトレジスト膜６０を形成する。フォトレジストは、例えばフッ素系高分子のようなフッ素系化合物を含むフッ素系フォトレジストであるが、これに限定されるものではない。
次に、図９を参照すると、フォトレジスト膜６０の上にマスク（図示せず）を配置して露光した後、現像してフォトレジストパターン６０ａを形成する。
次に、図１０を参照すると、フォトレジストパターン６０ａの上にソース及びドレイン電極用導電層１７０をエッチングするエッチング液（以下、‘エッチング液’という）を供給して、ソース及びドレイン電極用導電層１７０をエッチングする。
エッチングは、ソース及びドレイン電極用導電層１７０に含まれる金属を金属陽イオンで酸化させると同時に、エッチング液に含まれる成分を還元させる電気化学反応を含む。例えば、エッチング液が金（Ａｕ）エッチング液（Ｉ３ －含み）の場合、エッチングは、Ａｕ＝Ａｕ＋＋ｅ－の金属酸化過程とＩ３ －＋２ｅ－＝３Ｉ－のエッチング液還元過程を含む。この時、エッチング液はソース及びドレイン電極用導電層１７０だけでなく、第２半導体層１５４ｂの上部表面とも直接接触するため、第２半導体層１５４ｂはエッチング液の酸化反応に対して安定したものが好ましい。
一例として、第２半導体層１５４ｂに含まれる第２有機半導体物質の酸化還元電位はエッチング液の酸化還元電位よりも高く、第２半導体層１５４ｂに含まれる第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位はエッチング液の酸化還元電位よりも高い。例えば、エッチング液が金（Ａｕ）エッチング液（Ｉ３ －含み）の場合、Ｉ３ －の酸化還元電位が約５．１ｅＶとすると、第２半導体層１５４ｂに含まれる第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は約５．１ｅＶよりも高くい。
一例として、第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、エッチング液の酸化還元電位よりも高く、約５．６ｅＶ以下である。例えば、第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は約５．２～５．６ｅＶであり、この範囲内で、例えば約５．２～５．５ｅＶであり、例えば約５．２～５．４ｅＶである。
これにより、エッチング液に露出された第２半導体層１５４ｂの酸化を減らすか又は防止することで、半導体層１５４の損傷を減らすか又は防止することができる。従って、半導体層１５４の損傷による薄膜トランジスタの漏れ電流を減らし、高性能薄膜トランジスタを具現することができる。
第１半導体層１５４ａは、エッチング液に直接露出されないため、エッチング液の酸化還元電位と関係がないと考えられる。一例として、第１半導体層１５４ａに含まれる第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、高い電荷移動度を満足する値である。例えば、第１半導体層１５４ａに含まれる第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位はエッチング液の酸化還元電位よりも低く、例えば第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は約４．８ｅＶ以上であり、エッチング液の酸化電位よりも低い。例えば、第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は約４．８～５．３ｅＶであり、この範囲内で、例えば約４．８～５．２ｅＶであり、約４．８～５．１ｅＶであり、約４．８以上５．１ｅＶ未満である。
次に、図１を参照すると、フォトレジストパターン６０ａを除去してソース電極１７３及びドレイン電極１７５を形成する。
本明細書では、薄膜トランジスタの一例としてボトムゲート構造の薄膜トランジスタを説明したが、これに限定されず、全ての構造の薄膜トランジスタに同一に適用される。
薄膜トランジスタは、多様な電子素子にスイッチング素子又は駆動素子として適用され、電子素子は、例えば液晶表示装置、有機発光表示装置、電気泳動表示装置、有機光電素子、有機センサー、及びウェアラブル素子（ｗｅａｒａｂｌｅ ｄｅｖｉｃｅ）を含む。
以下、実施例を通じて本発明をより詳細に説明する。但し、下記の実施例は単に説明の目的のためのものであり、権利範囲を限定するものではない。
≪薄膜トランジスタの製造≫
〔実施例１〕
ＳｉＯ２が３０００Å覆われたシリコンウエハー基板上に下記の化学式Ａで表される有機半導体（ＨＯＭＯ：４．９ｅＶ）を真空蒸着して５００Å厚さの第１半導体薄膜を形成し、その上に下記の化学式Ｂで表される有機半導体（ＨＯＭＯ：５．３ｅＶ）を真空蒸着して１００Å厚さの第２半導体薄膜を形成する。次に、第２半導体薄膜の上にフッ素系フォトレジストを塗布して硬化した後、パターニングしてフォトレジストパターンを形成する。次いで、フォトレジストパターンを用いて第２半導体薄膜及び第１半導体薄膜を一度に乾式エッチングして第１半導体層及び第２半導体層を含む半導体層を形成する。その後、フォトレジストパターンを除去する。次いで、第２半導体層の上に金（Ａｕ）を蒸着して導電層を形成し、その上にフッ素系フォトレジストを塗布して硬化した後、パターニングしてフォトレジストパターンを形成する。次に、基板をＡｕエッチング液（Ａｕ－１０、ユーピーケミカル社、酸化電位５．１ｅＶ）に浸漬した後、取り出して導電層をエッチングしてソース電極及びドレイン電極を形成する。次いで、フォトレジストパターンを除去して薄膜トランジスタを製造する。
Figure 0007094166000010
〔比較例１〕
第２半導体層を形成せずに、半導体層として上記化学式Ａで表される有機半導体を含む第１半導体層のみを含むことを除いて、実施例１と同様の方法で薄膜トランジスタを製造する。
〔評価〕
実施例１及び比較例１による薄膜トランジスタの電荷移動度及び電流特性を評価する。
電荷移動度は、飽和領域（ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ ｒｅｇｉｏｎ）の電流式から（ＩＳＤ）１／２とＶＧとを変数としたグラフを得て、その傾きから求められる。
Figure 0007094166000011
上記の式において、ＩＳＤはソース－ドレイン電流であり、μ又はμＦＥＴは電荷移動度であり、Ｃ０はゲート絶縁膜の静電容量であり、Ｗはチャンネル幅であり、Ｌはチャンネル長さであり、ＶＧはゲート電圧であり、ＶＴはしきい電圧である。
電流特性は、オン電流（Ｉｏｎ）とオフ電流（Ｉｏｆｆ）との比率で評価され、オン電流（Ｉｏｎ）は駆動ゲート電圧とソース－ドレイン電圧とで最大電流値から求められ、オフ電流（Ｉｏｆｆ）は正ゲート電圧の駆動時にオフ状態時の電流値から求められる。
その結果は表１のとおりである。
Figure 0007094166000012
表１を参照すると、実施例１による薄膜トランジスタは、比較例１による薄膜トランジスタに比べて、高い電荷移動度及び良好な電流特性を示すことが確認される。
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
５０、６０ フォトレジスト膜
５０ａ、６０ａ フォトレジストパターン
１１０ 基板
１２４ ゲート電極
１４０ ゲート絶縁膜
１５１ 半導体薄膜
１５１ａ 第１半導体薄膜
１５１ｂ 第２半導体薄膜
１５４ 半導体層
１５４ａ 第１半導体層
１５４ｂ 第２半導体層
１７０ 導電層
１７３ ソース電極
１７５ ドレイン電極

Claims (19)

  1. ゲート電極と、
    前記ゲート電極に重畳する半導体層と、
    前記半導体層に電気的に連結されたソース電極及びドレイン電極と、を備え、
    前記半導体層は、
    第１有機半導体物質を含む第１半導体層と、
    前記ゲート電極から前記第１半導体層よりも遠く離れて位置して第２有機半導体物質を含む第２半導体層と、を含み、
    前記第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位と前記第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位とは、互いに異なり、
    前記第１有機半導体物質は、８個以上の環が縮合した縮合多環ヘテロ芳香族化合物であり、
    前記第２有機半導体物質は、８個未満の環が縮合した縮合多環ヘテロ環化合物であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  2. 前記第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、前記第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
  3. 前記第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、前記第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位よりも０．２ｅＶ以上高いことを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ。
  4. 前記第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、４．８～５．３ｅＶであり、
    前記第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、５．２～５．６ｅＶであることを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ。
  5. 前記第１半導体層の厚さは、前記第２半導体層の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
  6. 前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記第２半導体層の上部表面に接触することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
  7. 前記ゲート電極と前記半導体層との間に位置するゲート絶縁膜を更に含み、
    前記第１半導体層の下部表面は、前記ゲート絶縁膜に接触することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
  8. 前記第１半導体層と前記第２半導体層とは、同じ平面模様を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
  9. 前記第１有機半導体物質の電荷移動度は、前記第２有機半導体物質の電荷移動度よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
  10. ゲート電極を形成する段階と、
    半導体層を形成する段階と、
    ソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、を有し、
    前記半導体層を形成する段階は、
    第１有機半導体物質を含む第１半導体層を形成する段階と、
    前記第１半導体層の上に第２有機半導体物質を含む第２半導体層を形成する段階と、を含み、
    前記第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位と前記第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位とは、互いに異なり、
    前記第１有機半導体物質は、８個以上の環が縮合した縮合多環ヘテロ芳香族化合物であり、
    前記第２有機半導体物質は、８個未満の環が縮合した縮合多環ヘテロ環化合物であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
  11. 前記第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、前記第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位よりも高いことを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
  12. 前記第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、前記第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位よりも０．２ｅＶ以上高いことを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
  13. 前記第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、４．８～５．３ｅＶであり、
    前記第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、５．２～５．６ｅＶであることを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
  14. 前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する段階は、前記半導体層を形成する段階後に行われ、
    前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する段階は、
    前記第２半導体層の上に導電層を形成する段階と、
    エッチング液を用いて前記導電層をエッチングする段階と、を含み、
    前記第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、前記エッチング液の酸化電位よりも高いことを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
  15. 前記第２有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、前記エッチング液の酸化電位よりも高く、５．６ｅＶ以下であることを特徴とする請求項１４に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
  16. 前記第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、前記エッチング液の酸化電位よりも低いことを特徴とする請求項１４に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
  17. 前記第１有機半導体物質のＨＯＭＯエネルギー準位は、４．８ｅＶ以上であり、前記エッチング液の酸化電位よりも低いことを特徴とする請求項１６に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
  18. 前記半導体層を形成する段階は、
    第１半導体層用薄膜を形成する段階と、
    第２半導体層用薄膜を形成する段階と、
    前記第１半導体層用薄膜及び前記第２半導体層用薄膜を一度にエッチングする段階と、を含むことを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
  19. 請求項１乃至９のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタを含むことを特徴とする電子素子。
JP2018131397A 2017-07-27 2018-07-11 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに電子素子 Active JP7094166B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170095367A KR102372207B1 (ko) 2017-07-27 2017-07-27 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR10-2017-0095367 2017-07-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019029657A JP2019029657A (ja) 2019-02-21
JP7094166B2 true JP7094166B2 (ja) 2022-07-01

Family

ID=62947968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018131397A Active JP7094166B2 (ja) 2017-07-27 2018-07-11 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに電子素子

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10651255B2 (ja)
EP (1) EP3435435B1 (ja)
JP (1) JP7094166B2 (ja)
KR (1) KR102372207B1 (ja)
CN (1) CN109309160B (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102464890B1 (ko) * 2017-10-18 2022-11-07 삼성전자주식회사 축합다환 헤테로방향족 화합물, 유기 박막 및 전자 소자
CN110736575B (zh) * 2019-10-23 2020-12-15 中国科学院半导体研究所 一种人造突触传感器及其制备方法
US11145239B2 (en) 2019-10-23 2021-10-12 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of driving the same
CN117794888A (zh) * 2021-08-05 2024-03-29 松下知识产权经营株式会社 稠环化合物、半导体材料和电子器件

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303007A (ja) 2005-04-18 2006-11-02 Sharp Corp 電界効果型トランジスタ
US20120313150A1 (en) 2011-06-13 2012-12-13 Sony Corporation Thin film transistor and method of manufacturing the same, and electronic apparatus
JP2015056498A (ja) 2013-09-11 2015-03-23 国立大学法人大阪大学 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
WO2016009892A1 (ja) 2014-07-18 2016-01-21 富士フイルム株式会社 有機半導体膜形成用組成物、並びに、有機半導体素子及びその製造方法
JP2017076740A (ja) 2015-10-16 2017-04-20 国立研究開発法人物質・材料研究機構 スターポリマーを含む電荷蓄積材料

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6278127B1 (en) * 1994-12-09 2001-08-21 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising an organic thin film transistor adapted for biasing to form a N-type or a P-type transistor
US6794220B2 (en) * 2001-09-05 2004-09-21 Konica Corporation Organic thin-film semiconductor element and manufacturing method for the same
JP4951834B2 (ja) * 2001-09-19 2012-06-13 日本電気株式会社 薄膜トランジスタ
EP1743379A2 (en) 2004-04-26 2007-01-17 The REGENTS OF THE UNIVERSITY OF COLORADO, A Body Corporate Hot electron transistor
JP2005322787A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 Mitsubishi Electric Corp 有機薄膜トランジスタ
KR100603349B1 (ko) * 2004-06-17 2006-07-20 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 제조한 방법 및 이를 구비하는평판 디스플레이 장치
US7547928B2 (en) 2004-06-30 2009-06-16 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) AlGaN/GaN high electron mobility transistor devices
JP2006316339A (ja) 2005-04-12 2006-11-24 Kobe Steel Ltd Ａｌ系スパッタリングターゲット
KR101102152B1 (ko) * 2005-06-28 2012-01-02 삼성전자주식회사 유기박막 트랜지스터의 제조방법 및 그에 의해 제조된유기박막 트랜지스터
JP2007287961A (ja) * 2006-04-18 2007-11-01 Konica Minolta Holdings Inc 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
KR100897881B1 (ko) * 2006-06-02 2009-05-18 삼성전자주식회사 유기물층 및 버크민스터 플러렌층의 적층을 정보 저장요소로 채택하는 유기 메모리 소자의 제조방법
KR101314998B1 (ko) 2006-12-13 2013-10-04 삼성전자주식회사 헤테로아센 화합물, 이를 포함하는 유기 박막 및 당해 박막을 포함하는 전자 소자
CN102971283A (zh) * 2010-07-08 2013-03-13 旭硝子株式会社 含氟芳香族化合物、有机半导体材料和有机薄膜器件
KR101723540B1 (ko) 2010-07-30 2017-04-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 갖는 발광 소자 패키지
US9887373B2 (en) * 2013-11-06 2018-02-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor, method of manufacturing the same, and electronic device including the thin film transistor
JP6016821B2 (ja) * 2014-01-10 2016-10-26 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
EP2911214B1 (en) * 2014-02-20 2018-08-08 Amorosi, Antonio Multilayer structure of an OLET transistor
GB201411621D0 (en) * 2014-06-30 2014-08-13 Cambridge Display Tech Ltd Organic transistor
JP6301488B2 (ja) * 2014-09-30 2018-03-28 富士フイルム株式会社 有機半導体膜形成用組成物、並びに、有機半導体素子及びその製造方法
EP3050887B1 (en) * 2015-01-29 2017-06-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Fused polycyclic heteroaromatic compound, organic thin film including compound and electronic device including organic thin film
US9761817B2 (en) * 2015-03-13 2017-09-12 Corning Incorporated Photo-patternable gate dielectrics for OFET
US9666683B2 (en) 2015-10-09 2017-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Surface treatment and passivation for high electron mobility transistors
US10727426B2 (en) * 2015-12-21 2020-07-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor, method of manufacturing the same, and electronic device including the same
JP6666996B2 (ja) * 2016-04-07 2020-03-18 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタ素子、有機半導体膜形成用組成物、有機半導体膜の製造方法及び有機半導体膜
US10270039B2 (en) * 2016-11-17 2019-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303007A (ja) 2005-04-18 2006-11-02 Sharp Corp 電界効果型トランジスタ
US20120313150A1 (en) 2011-06-13 2012-12-13 Sony Corporation Thin film transistor and method of manufacturing the same, and electronic apparatus
JP2013004564A (ja) 2011-06-13 2013-01-07 Sony Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに電子機器
JP2015056498A (ja) 2013-09-11 2015-03-23 国立大学法人大阪大学 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
WO2016009892A1 (ja) 2014-07-18 2016-01-21 富士フイルム株式会社 有機半導体膜形成用組成物、並びに、有機半導体素子及びその製造方法
US20170084840A1 (en) 2014-07-18 2017-03-23 Fujifilm Corporation Composition for forming organic semiconductor film, organic semiconductor element, and method for manufacturing organic semiconductor element
JP2017076740A (ja) 2015-10-16 2017-04-20 国立研究開発法人物質・材料研究機構 スターポリマーを含む電荷蓄積材料

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
YAMANE, Kazuhiko et al.，Organic heterojunction ambipolar field effect transistors with asymmetric source and drain electrodes，Thin Solid Films，ELSEVIER，2008年，Volume 516, Issue 9,，Pages 2758-2761，doi:10.1016/j.tsf.2007.04.117

Also Published As

Publication number Publication date
CN109309160A (zh) 2019-02-05
EP3435435A1 (en) 2019-01-30
EP3435435B1 (en) 2024-04-17
KR102372207B1 (ko) 2022-03-07
CN109309160B (zh) 2023-10-13
US20190035868A1 (en) 2019-01-31
KR20190012429A (ko) 2019-02-11
US10651255B2 (en) 2020-05-12
JP2019029657A (ja) 2019-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7094166B2 (ja) 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに電子素子
US9520572B2 (en) Electronic device and method of manufacturing semiconductor device
JP5497976B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
JP4181154B2 (ja) 有機薄膜トランジスタを備える有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2007140520A (ja) 有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
US20220190266A1 (en) Thin film transistor and method of manufacturing the same and thin film transistor panel and electronic device
KR20110129815A (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법, 및 전자 기기
KR101102133B1 (ko) 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그 방법에 의해서 제조되는 박막 트랜지스터를 포함하는 표시소자
JPWO2006129718A1 (ja) 有機薄膜トランジスタ
JP5250981B2 (ja) 有機デバイスの製造方法並びに電子機器
US20070278492A1 (en) Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same
TWI446544B (zh) Thin film transistor, electronic device and manufacturing method thereof
US11139440B2 (en) Thin film transistor and method of manufacturing the same and thin film transistor array panel and electronic device
JP2022516272A (ja) 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
KR20150052763A (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 전자 소자
JP4726440B2 (ja) 有機又は無機トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置
US20230131263A1 (en) Organic thin film transistor and method of manufacturing the same and thin film transistor array panel and electronic device
JP2007110007A (ja) 有機電界効果トランジスタ
TW201503340A (zh) 電子器件及其製造方法，及影像顯示裝置以及用於構成影像顯示裝置之基板

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210513

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210930

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211005

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220105

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220607

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220621

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7094166

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150