JP7088125B2 - 被覆物の厚さ測定方法及び研削方法 - Google Patents

被覆物の厚さ測定方法及び研削方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7088125B2
JP7088125B2 JP2019091683A JP2019091683A JP7088125B2 JP 7088125 B2 JP7088125 B2 JP 7088125B2 JP 2019091683 A JP2019091683 A JP 2019091683A JP 2019091683 A JP2019091683 A JP 2019091683A JP 7088125 B2 JP7088125 B2 JP 7088125B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
thickness
coating
film
grinding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019091683A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020188130A (ja
Inventor
稜 多賀
佑宜 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority to JP2019091683A priority Critical patent/JP7088125B2/ja
Priority to TW109113996A priority patent/TW202108975A/zh
Priority to CN202010355482.8A priority patent/CN111941266A/zh
Priority to KR1020200057100A priority patent/KR20200131763A/ko
Publication of JP2020188130A publication Critical patent/JP2020188130A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7088125B2 publication Critical patent/JP7088125B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34Accessories
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02118Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105After-treatment
    • H01L21/31051Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

本発明は、ウェーハ上に形成した被覆物の厚さ測定方法、及び、該厚さ測定方法を利用した研削方法に関する。
ウェーハの片面に樹脂やワックス等を塗布し、この樹脂等を長尺のフィルムを載置した平坦な定盤上で押圧、硬化させてウェーハ上に表面が平坦な被覆物を形成し、この被覆物の平坦な表面を基準面としてウェーハを研削することで、ウェーハのうねりや反りを除去する平面研削方法が知られている(特許文献1)。この研削方法では、研削後のウェーハを均一な厚さとするために、被覆物の厚さを計測することが必要であり、そのために光透過性のあるフィルムを使用することが一般的である。また、従来は、長尺のフィルムの縦方向(長手方向、MD:Machine Direction)と、ウェーハに形成されたノッチとウェーハの中心とを結ぶ直線とが90°の角度を成すように、ウェーハを長尺のフィルム上に設置して被覆物を形成していた。そして、被覆物の厚さ測定は、ウェーハ及び被覆物へダメージを与えないように干渉式の光学センサを使用し、例えば、ウェーハ中心とノッチとを結ぶ直線やこの直線に直交する直線に沿って、直径方向に非接触計測していた。
特開2009-148866号公報
しかしながら、本発明者は、長尺のフィルムの特定の方向に沿って被覆物の厚さの測定を行うと、測定値がばらつき、安定しない場合があるという問題点を見出した。特に、長尺のフィルムのMD方向やTD(Transeverse Direction)方向に沿った方向で、被覆物厚さを安定して高い精度で計測することが困難であることがわかった。図7に、従来行っていた被覆物の厚さ測定の例を示す。図7の上図は、ウェーハを長尺フィルムに載せた状態をウェーハ側から見た図を示し、図7の下図は、フィルム側から見た図を示す。図7の下図に示すウェーハ面内の矢印は、被覆物の厚さ測定方向を示し、「〇」、「△」、「×」の順に、被覆物の厚さ測定精度が悪化することを意味する。このように、従来は、被覆物の測定の精度が低いという問題があり、また、被覆物を含めたウェーハの厚さがばらつきを含んだままのデータを用い、厚さが不明瞭なまま研削を行うこととなり、研削後に被覆物を除去したウェーハの厚さ精度が悪化するという問題があった。
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、被覆物の厚さをばらつきが小さく安定して計測可能な被覆物の厚さ測定方法、及び、研削後のウェーハの厚さ精度を向上することが可能な研削方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、長尺のフィルムと樹脂とウェーハとをこの順に積層し、前記フィルムと平坦な面を有する定盤とが接するように押圧し前記樹脂を硬化させることにより、前記フィルムと前記樹脂とを含み表面が平坦な被覆物と前記ウェーハとが積層された積層体を形成し、前記ウェーハ上の少なくとも1本の直径方向において、複数の測定箇所で前記被覆物の厚さを光学センサにより測定する方法であって、前記ウェーハにおける、前記被覆物の厚さを測定する前記少なくとも1本の直径方向が、前記長尺のフィルムのMD方向及びTD方向とは異なる方向となるようにして、前記被覆物の厚さを測定する被覆物の厚さ測定方法を提供する。
このような被覆物の厚さ測定方法によれば、長尺のフィルムの屈折率の影響による被覆物の厚さ測定値のバラツキを排除でき、精度高い厚さ測定ができる。
このとき、前記ウェーハとしてノッチ又はオリフラを有するウェーハを用い、前記被覆物の厚さの測定を、前記ウェーハ面内に含まれる領域を均等に分割するN本(但し、Nは1以上の整数)の直径方向について行うこととし、前記N本の直径方向のうち、前記ウェーハの中心と前記ノッチ又は前記オリフラの中央部とを通る直径方向を第1の直径方向とし、前記第1の直径方向と前記長尺のフィルムのTD方向とが成す角度の最小値をθ(°)としたときに、前記Nが奇数の場合はθ=45/N(°)、前記Nが偶数の場合はθ=90/N(°)となるように、前記長尺のフィルムと前記ウェーハとの位置関係を設定して前記積層体を形成する被覆物の厚さ測定方法とすることができる。
これにより、より精度高く被覆物の厚さを測定することができる。
このとき、前記被覆物の表面の平坦面を基準面として前記ウェーハを研削する方法であって、上記被覆物の厚さ測定方法により前記被覆物の厚さを測定し、前記測定した被覆物の厚さと前記ウェーハの仕上がり厚さの合計を研削の終点値として研削を行う研削方法とすることができる。
これにより、研削後のウェーハ厚さの狙い値との誤差を小さくすることができ、精度高く研削加工を行うことが可能となる。
以上のように、本発明の被覆物の厚さ測定方法によれば、長尺のフィルムの屈折率の影響による被覆物の厚さ測定値のバラツキを排除でき、精度高い厚さ測定を行うことが可能となる。また、本発明の被覆物の厚さ測定方法を用いたウェーハの研削方法により、研削後のウェーハの厚さと狙い値との差を小さくすることが可能になる。
本発明に係る厚さ測定及び研削方法の工程フローを示す。 積層体の製造工程の一例を示す。 被覆物の厚さ測定の概念図を示す。 被覆物の厚さ測定方向の設定例を示す。 被覆物の厚さ測定方向の他の設定例を示す。 実施例1,2及び比較例の、研削後のウェーハ厚さ(狙い値との差)を示す。 従来の被覆物の厚さ測定の例を示す。
以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
上述のように、被覆物の厚さをばらつきが小さく安定して計測可能な、被覆物の厚さ測定方法が求められていた。
本発明者らは、上記課題について鋭意調査を行った結果、長尺のフィルムのMD方向及びTD方向は、フィルムの屈折率が安定しないために厚さ測定結果が安定せず、厚さ測定の精度が低下することを見出し、本発明を完成した。すなわち、本発明者らは、長尺のフィルムと樹脂とウェーハとをこの順に積層し、前記フィルムと平坦な面を有する定盤とが接するように押圧し前記樹脂を硬化させることにより、前記フィルムと前記樹脂とを含み表面が平坦な被覆物と前記ウェーハとが積層された積層体を形成し、前記ウェーハ上の少なくとも1本の直径方向において、複数の測定箇所で前記被覆物の厚さを測定する方法であって、前記ウェーハにおける、前記被覆物の厚さを測定する前記少なくとも1本の直径方向が、前記長尺のフィルムのMD方向及びTD方向とは異なる方向となるようにして、前記被覆物の厚さを測定する被覆物の厚さ測定方法により、被覆物の厚さの測定を精度高く行うことができること、この厚さ測定方法を採用することで、ウェーハの研削を行ったときに狙い値からの誤差を小さくできることを見出し、本発明を完成した。
以下、図面を参照して説明する。
まず、本発明に係る被覆物の厚さ測定方法について説明する。この厚さ測定は、ウェーハの研削加工の前に行う測定である。まず、図1のS01に示すように、長尺のフィルムと樹脂とウェーハとをこの順に積層し、フィルムと平坦な面を有する定盤とが接するように押圧し、樹脂を硬化させることにより、フィルムと前記樹脂とを含み表面が平坦な被覆物と、ウェーハとが積層された積層体を形成する。
フィルムと樹脂とを含み表面が平坦な被覆物とウェーハとが積層された積層体の製造工程の一例をあげると、図2に示すように、まず、平坦な面を有する定盤(下定盤)1の上に光透過性で長尺のフィルム2を敷き、その上に可塑状態、例えば液状の樹脂3を供給、塗布する。さらに樹脂の上にウェーハ4を載せ、フィルム2の面が平坦となるように定盤(上定盤)5を用いて押圧する。その後、使用する樹脂3の種類に応じた硬化処理を行う。図に示す例では、樹脂3としてUV硬化樹脂を用い、UV光6をフィルム2の側から照射することにより硬化を行う。このようにして積層体10を得ることができる。
長尺状のフィルムの種類としては、後述のように、フィルムと硬化した樹脂とを含む被覆物の厚さ測定を光学的に行うため、厚さ測定の光を透過する材料であれば、特に限定されない。例えば、PETフィルムなどを好適に用いることができる。
樹脂としては、硬化後にフィルム、ウェーハと一体となり積層体を形成できるものであれば、特に限定されない。例えば、熱硬化樹脂、光硬化樹脂、常温で固体となる熱可塑性樹脂などを使用することができる。なお、ここでいう樹脂には、ワックスも含まれる。なかでも、UV硬化樹脂等の光硬化樹脂を使用することが好ましい。硬化処理が容易に行えるためである。
ウェーハとしては、例えば、シリコンなどの単結晶材料からなる半導体ウェーハを用いることができる。特に、ノッチやオリフラが形成されたウェーハであれば、フィルム上へのウェーハの設置位置の調整や、膜厚の測定箇所の設定などが容易になる。
次に、図1のS02に示すように、上記積層体10における、フィルムと樹脂を含む被覆物の厚さの測定を行う。被覆物の厚さ測定は、光学的な方法で行う。例えば、図3に示すように、干渉式の光学センサ7を用い、フィルム2の側から光を照射して測定する。フィルム2の材質や樹脂の種類など、被覆物に応じた適切な波長の光等、適宜条件を設定すればよい。ウェーハ4と光学センサ7の少なくとも一方を直線状に動かすことで、面内の厚さのラインプロファイルを取得することができる。
膜厚の測定は、積層体面内のできるだけ多くの箇所を測定することが好ましいが、本発明では、少なくとも1つの直径方向において、複数の箇所の測定を行うこととする。簡便に、積層体面内の分布を測定できるからである。
このとき、本発明は、測定を行う直径方向を、長尺のフィルムのMD方向及びTD方向と異なる方向とする点に、特徴を有する。上述のように、本発明者は、長尺フィルムのMD方向やTD方向に沿った方向で被覆物の測定を行うと、フィルムの屈折率の影響により、測定精度が下がり、得られる測定結果のばらつきが大きくなることを見出した。特にMD方向に沿った方向では、厚さの測定精度の低下が顕著である。このため、測定を行う直径方向を、長尺のフィルムのMD方向及びTD方向と異なる方向とすることで、被覆物の厚さの測定精度を向上することができる。
被覆物の厚さの測定を行うときの測定方向の設定は、例えば、ノッチ又はオリフラが形成されたウェーハを使用し、ノッチ又はオリフラの中央部とウェーハの中心を通る直径方向を測定することとして、フィルムと樹脂の上にウェーハを載せるときのウェーハの位置(回転方向)を調節して、ウェーハの測定場所(直径方向)と、長尺のフィルムのMD方向又はTD方向との相対的な位置関係を調整する方法や、フィルムと樹脂の上にウェーハを載せるときの位置関係(回転方向)は変えず、測定時の測定場所(直径方向)を変える方法などが挙げられる。
前者、すなわち、フィルムと樹脂の上にウェーハを載せるときのウェーハの位置(回転方向)を調節して、ウェーハの測定場所(直径方向)と、長尺のフィルムのMD方向又はTD方向との相対的な位置関係を調整する方法を採用する場合には、図4に示すように、従来のウェーハ位置(図4の(A))に対し、ウェーハの中心を基準に所定角度を回転させてウェーハをフィルムに載せることで(図4の(B))、被覆物の厚さ測定の直径方向の設定を行うことができる。この場合、積層体を形成する装置にウェーハのノッチ又はオリフラを検出する検出機構、及び、ノッチ又はオリフラに対する回転角度調整機構を設け、ウェーハの回転角度の調節を行うと、高い精度で位置調整ができる。
測定精度は、測定する直径方向の本数を多くすることで、より高くすることができる。特に、ウェーハ面内に含まれる領域を均等に分割するような複数の直径方向について測定を行うことで、測定精度をより向上することができる。ウェーハ面内に含まれる領域を均等に分割するような複数の直径方向とは、言い換えると、隣り合った複数の直径方向の交差角度がすべて等しいことを意味する。
また、ウェーハの中心とノッチ又はオリフラの中央部とを通る直径方向を第1の直径方向とし、前記第1の直径方向と長尺のフィルムのTD方向とが成す角度の最小値をθ(°)としたときに、Nが奇数の場合はθ=45/N(°)、Nが偶数の場合はθ=90/N(°)となるように、長尺のフィルムとウェーハとの位置関係を設定して積層体を形成すると、厚さ測定で得られた測定結果のばらつきが非常に小さくなり、より高精度の測定を行うことができる。
例えば、図4に示した例は、N=2とした場合である。フィルム上にウェーハを載せるときに、ウェーハを中心周りにθ=90/2=45°回転させて設置することで、第1の直径方向と、第1の直径方向に直交する第2の直径方向で被覆物の厚さを測定したときに、測定の精度が高くなる。なお、図7の説明と同様に、図4や、以下に述べる図5中、「〇」で示した測定方向は測定値の精度が高い方向、「△」、「×」の順に、測定値の精度が低くなる方向を示す。
図5には、N=4としたときの例を示す。従来は、図5(A)に示すように、第1の直径方向と長尺フィルムのTD方向とが一致するように、ウェーハとフィルムとの位置関係を設定しているため、厚さの測定を行う4つの直径方向のうちの2つがTD方向及びMD方向と一致する。
一方、図5(B)に示すように、第1の直径方向と長尺のフィルムのTD方向との成す角度θがθ=90/4=22.5°(図5の例では、時計回りに22.5°)となるように設定して積層体を形成して被覆物の厚さの測定を行うと、4つの直径方向のすべてがTD方向及びMD方向と異なる方向となる。
しかしながら、図5(C)に示すように、第1の直径方向と長尺のフィルムのTD方向との成す角度θがθ=45°(図5の例では、時計回りに45°)となるように設定して積層体を形成して被覆物の厚さの測定を行うと、4つの直径方向のうちの2つがTD方向及びMD方向と一致するようになるため、図5(A)の場合と同様に、被覆物の測定精度は低下する。
そこで、上述のように、ウェーハの中心とノッチ又はオリフラの中央部とを通る直径方向を第1の直径方向とし、前記第1の直径方向と長尺のフィルムのTD方向とが成す角度の最小値をθ(°)としたときに、Nが奇数の場合はθ=45/N(°)、Nが偶数の場合はθ=90/N(°)となるように、長尺のフィルムとウェーハとの位置関係を設定して積層体を形成すると、厚さ測定で得られた測定結果のばらつきが非常に小さくなり、より高精度の測定を行うことができる。
なお、測定を行う直径方向の本数であるNは、多いほど測定精度が向上するが、測定に要する時間が長くなるため、Nは10以下とすることが好ましい。Nを6以下とすれば、測定に係る時間の短縮化と、厚さ測定精度の向上を両立でき、好ましい。
このようにして被覆物の厚さを測定したら、図1のS03に示すように、測定結果を用いて、ウェーハの研削加工における終点値の設定を行う。具体的には、「研削の終点値=測定した被覆物の厚さ+ウェーハの仕上がり厚さ(狙い値)」とする。このようにすることで、研削後のウェーハの厚さの、狙い値からのずれ(誤差)を小さくできる。
この後、図1のS04に示すように、ウェーハの研削を行う。研削加工は、例えば特許文献1に記載されるような公知の研削方法を採用することができる。
以下、実施例を挙げて本発明について詳細に説明するが、これは本発明を限定するものではない。
まず、ウェーハ上に、樹脂とフィルムとを含む被覆物を形成し積層体を得るための条件について説明する。なお、以下に説明する比較例と実施例1,2とは、被覆物とウェーハとを含む積層体における測定場所は予め設定したN=4本の測定場所(直径方向)に固定し、フィルムと樹脂の上にウェーハを載せるときのウェーハの位置(回転方向)を調節して、ウェーハの測定場所(直径方向)と、長尺のフィルムのMD方向又はTD方向との相対的な位置関係を調整する方法を採用した。
ウェーハとして、外周部にノッチを有する直径300mmのP型Si単結晶ウェーハを用いた。被覆物のうち、樹脂としてはUV硬化性樹脂、長尺のフィルムとしてはPETフィルムを用いた。
まず、平坦な石定盤(下定盤)上にPETフィルムを敷き、そのPETフィルム上にUV硬化性樹脂を10ml滴下した。その後、ウェーハを、長尺のフィルムと一体化したときに、ウェーハの中心とノッチとを通る直径方向(第1の直径方向)が、長尺のフィルムのMD方向と直交する方向(TD方向と平行となる方向)となる場合を基準(0°)とし、下記に示す回転角度となるように、ウェーハを中心周りに回転させてセラミック定盤(上定盤)に吸着保持させた。
(比較例)
ウェーハの第1の直径方向が、長尺のフィルムのMD方向と直交する方向(TD方向と平行となる方向)、すなわち、ウェーハの第1の直径方向とTD方向との成す角度が0°となるように、セラミック定盤(上定盤)に吸着保持させて、積層体を形成した。
(実施例1)
ウェーハの第1の直径方向と、長尺のフィルムのTD方向とのなす角の最小値が、10.0°となるようにウェーハを回転させてセラミック定盤(上定盤)に吸着保持させ、積層体を形成した。
(実施例2)
ウェーハの第1の直径方向と、長尺のフィルムのTD方向とのなす角の最小値が、22.5°となるようにウェーハを回転させてセラミック定盤(上定盤)に吸着保持させ、積層体を形成した。
セラミック定盤(上定盤)に吸着保持させたウェーハを、上記樹脂の滴下点とウェーハの中心が同一となるように押圧して接着した。押圧の制御は、セラミック定盤を保持するサーボモータを駆動させて行い、圧力が2000Nとなるまで加圧した。その後、波長365nmのUV-LEDを用いてフィルム側から紫外線を照射し、樹脂を硬化させ積層体を得た。
樹脂を硬化させた後、積層体のウェーハ部を保持して、被覆物の厚さを測定する測定機まで搬送した。被覆物の厚さ測定用光学センサは、Keyence社製のSI-T80を使用した。センサを固定し、被覆物とウェーハの積層体を直線状に走査することで、厚さプロファイルを計測した。
また、比較例、実施例1,2の測定は、ウェーハ面内の直径方向に4本の測定ラインで、1本の測定ラインにつき0.25mmピッチで1160点の測定を行った。4本の測定ラインは、ウェーハ面内を均等な領域に分割するように設定した。つまり、中心とノッチとを通る直径方向(第1の直径方向)と、該第1の直径方向からウェーハ中心を基準に45°ずつ回転した直径方向(第2~4の直径方向)を測定ラインとした。このようにして測定して得た被覆物厚さプロファイルの平均値を被覆物厚さとした。
被覆物の厚さを測定した後の積層体は、研削加工装置に搬送し、研削加工を行った。研削加工装置は、ディスコ社製のDFG8360を使用した。研削ホイールは、ダイヤ砥粒が結合されたものを用いた。被覆物側を真空吸着し、「測定した被覆物の厚さ+狙い仕上がり厚さ」を研削の終点値として研削加工を行った。ここでの狙い仕上がり厚さは820μmとした。
研削加工を行った後、ウェーハの厚さを測定した。測定には、コベルコ科研社製のSBW-330を使用した。ウェーハの厚さの測定箇所は、ウェーハ面内の直径方向に4本の測定ラインで、1本の測定ラインにつき1mmピッチで290点の測定を行った。4本の測定ラインは、被覆物厚さの測定箇所と同一のラインとした。得られた測定値の平均値を研削後のウェーハ厚さとした。
研削後のウェーハについて評価した結果の比較を図6に示す。図6の縦軸は、研削後のウェーハの狙い厚さと、実際の研削後のウェーハの厚さとの差を示す。図6に示すように、比較例では、従来のように、第1の直径方向が、フィルムのMD方向と直交する関係になるように上定盤に吸着させて積層体を形成しているため、被覆物の厚さを測定する4本の直径方向のうちの2本が、長尺フィルムのTD方向及びMD方向と一致する方向となっている。このため、被覆物の厚さの測定の精度が低く、ばらつきが大きくなり、この測定結果を用いて研削加工終点を設定した場合に、目標とした狙い厚さからの誤差が大きくなった。
一方、実施例1,2では、被覆物の厚さを測定する4本の直径方向のすべてが、長尺フィルムのTD方向及びMD方向と一致していないため、比較例よりも、狙い厚さに近いものを得ることができた。特に、実施例2では、ウェーハの中心とノッチとを通る直径方向である第1の直径方向と、長尺のフィルムのTD方向との成す角度の最小値θ(°)を、θ=90/4=22.5(°)としており、さらに狙い値に近いウェーハを得ることができた。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
1…定盤(下定盤)、 2…フィルム、 3…樹脂、 4…ウェーハ、
5…定盤(上定盤)、 6…UV光、 7…光学センサ、 10…積層体。

Claims (3)

  1. 長尺のフィルムと樹脂とウェーハとをこの順に積層し、前記フィルムと平坦な面を有する定盤とが接するように押圧し前記樹脂を硬化させることにより、前記フィルムと前記樹脂とを含み表面が平坦な被覆物と前記ウェーハとが積層された積層体を形成し、前記ウェーハ上の少なくとも1本の直径方向において、複数の測定箇所で前記被覆物の厚さを光学センサにより測定する方法であって、
    前記ウェーハにおける、前記被覆物の厚さを測定する前記少なくとも1本の直径方向が、前記長尺のフィルムのMD方向及びTD方向とは異なる方向となるようにして、前記被覆物の厚さを測定することを特徴とする被覆物の厚さ測定方法。
  2. 前記ウェーハとしてノッチ又はオリフラを有するウェーハを用い、
    前記被覆物の厚さの測定を、前記ウェーハ面内に含まれる領域を均等に分割するN本(但し、Nは1以上の整数)の直径方向について行うこととし、
    前記N本の直径方向のうち、前記ウェーハの中心と前記ノッチ又は前記オリフラの中央部とを通る直径方向を第1の直径方向とし、前記第1の直径方向と前記長尺のフィルムのTD方向とが成す角度の最小値をθ(°)としたときに、
    前記Nが奇数の場合はθ=45/N(°)、前記Nが偶数の場合はθ=90/N(°)となるように、前記長尺のフィルムと前記ウェーハとの位置関係を設定して前記積層体を形成することを特徴とする請求項1に記載の被覆物の厚さ測定方法。
  3. 前記被覆物の表面の平坦面を基準面として前記ウェーハを研削する方法であって、
    請求項1又は2に記載の被覆物の厚さ測定方法により前記被覆物の厚さを測定し、
    前記測定した被覆物の厚さと前記ウェーハの仕上がり厚さの合計を研削の終点値として研削を行うことを特徴とする研削方法。
JP2019091683A 2019-05-14 2019-05-14 被覆物の厚さ測定方法及び研削方法 Active JP7088125B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019091683A JP7088125B2 (ja) 2019-05-14 2019-05-14 被覆物の厚さ測定方法及び研削方法
TW109113996A TW202108975A (zh) 2019-05-14 2020-04-27 被覆物之厚度測定方法及研磨方法
CN202010355482.8A CN111941266A (zh) 2019-05-14 2020-04-29 覆盖物的厚度测量方法及研磨方法
KR1020200057100A KR20200131763A (ko) 2019-05-14 2020-05-13 피복물의 두께측정방법 및 연삭방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019091683A JP7088125B2 (ja) 2019-05-14 2019-05-14 被覆物の厚さ測定方法及び研削方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020188130A JP2020188130A (ja) 2020-11-19
JP7088125B2 true JP7088125B2 (ja) 2022-06-21

Family

ID=73222881

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019091683A Active JP7088125B2 (ja) 2019-05-14 2019-05-14 被覆物の厚さ測定方法及び研削方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7088125B2 (ja)
KR (1) KR20200131763A (ja)
CN (1) CN111941266A (ja)
TW (1) TW202108975A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002064386A1 (fr) * 2001-02-15 2002-08-22 Japan Science And Technology Corporation Mecanisme de suspension de voiture electrique

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004226340A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Toray Ind Inc フィルムの厚み測定方法およびフィルムの製造方法
JP2009148866A (ja) 2007-12-21 2009-07-09 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂被覆方法および装置
JP2011245610A (ja) 2010-05-31 2011-12-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06249621A (ja) * 1993-02-24 1994-09-09 Sumitomo Heavy Ind Ltd 膜厚分布計測装置
JP3841306B2 (ja) * 2004-08-05 2006-11-01 日東電工株式会社 位相差フィルムの製造方法
JP4728023B2 (ja) * 2005-03-24 2011-07-20 株式会社ディスコ ウェハの製造方法
US8111406B2 (en) * 2007-11-14 2012-02-07 Nikon Corporation Surface position detecting apparatus, surface position detecting method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5320058B2 (ja) * 2008-12-26 2013-10-23 株式会社ディスコ 樹脂被覆方法および樹脂被覆装置
JP6036732B2 (ja) * 2014-03-18 2016-11-30 信越半導体株式会社 貼り合わせウェーハの製造方法
TWI568589B (zh) * 2014-10-02 2017-02-01 Nitto Denko Corp An optical film laminate, an optical display device using the optical film laminate, and a transparent protective film
JP6787126B2 (ja) * 2015-06-17 2020-11-18 東レ株式会社 多層積層フィルム
JP6500796B2 (ja) * 2016-02-03 2019-04-17 株式会社Sumco ウェーハの製造方法
JP6650859B2 (ja) * 2016-10-14 2020-02-19 三島光産株式会社 半導体基板の表面皮膜の厚さ測定方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004226340A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Toray Ind Inc フィルムの厚み測定方法およびフィルムの製造方法
JP2009148866A (ja) 2007-12-21 2009-07-09 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂被覆方法および装置
JP2011245610A (ja) 2010-05-31 2011-12-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002064386A1 (fr) * 2001-02-15 2002-08-22 Japan Science And Technology Corporation Mecanisme de suspension de voiture electrique

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200131763A (ko) 2020-11-24
CN111941266A (zh) 2020-11-17
TW202108975A (zh) 2021-03-01
JP2020188130A (ja) 2020-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102032095B1 (ko) 미경화 재료를 경화시키는 방법 및 물품 제조 방법
TWI658497B (zh) 壓印設備及製造物品的方法
KR102450002B1 (ko) 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP6512840B2 (ja) インプリント装置及び方法、並びに物品の製造方法
KR20130061065A (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법
JP6012209B2 (ja) インプリント装置及び物品の製造方法
KR102489776B1 (ko) 임프린트 장치, 평탄화층 형성 장치, 형성 장치, 제어 방법 및, 물품 제조 방법
JP2017010962A (ja) デバイス基板およびデバイス基板の製造方法並びに半導体装置の製造方法
JP2016018824A (ja) インプリント装置及び物品の製造方法
JP7088125B2 (ja) 被覆物の厚さ測定方法及び研削方法
TW202123329A (zh) 經由定向的晶圓裝載作不對稱性校正
JP7194238B2 (ja) インプリント装置および物品製造方法
JP7278828B2 (ja) 成形方法、成形装置、インプリント方法、および物品の製造方法
US20210096462A1 (en) Imprint method, imprint apparatus, and article manufacturing method
KR102059758B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
KR102643534B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품의 제조방법
JP2019062164A (ja) インプリント装置、インプリント方法、インプリント材の配置パターンの決定方法、および物品の製造方法
JP2006064455A (ja) 基準格子製造方法及び基準格子製造装置
KR20220029413A (ko) 성형 장치, 성형 방법, 및 템플릿
JP2018073989A (ja) インプリント方法、インプリント装置および物品製造方法
JP7104577B2 (ja) 平坦化層形成装置、平坦化層の製造方法、および物品製造方法
KR101991640B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법
JP7194068B2 (ja) モールド作製方法、および物品の製造方法
KR102352474B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
JP7358192B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210419

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220421

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220510

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220523

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7088125

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150