JP7066222B2 - 面直電流巨大磁気抵抗素子、その前駆体、及びその製造方法 - Google Patents
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Description
(1)MR比がせいぜい20-30%程度であること。
(2)素子の面積抵抗RAの値を0.2Ωμm2以下に低減できないこと。
(3)非磁性中間層の膜厚が2nm以上と比較的厚いこと。
前記非磁性金属はCu、Ag、Auまたはこれらの合金から選ばれた少なくとも一種であり、
前記酸化物はIn 2 O 3 、SnO 2 、Ga 2 O 3 またはこれらの混合物から選ばれた少なくとも一種である。
(1の2) 本発明の面直電流巨大磁気抵抗素子の前駆体(1)において、好ましくは、前記非磁性金属はAgであり、
前記酸化物はInZnO(In 2 O 3 とZnOの混合物)であり、
面直電流巨大磁気抵抗素子用の前記前駆体は、AgInZnO単層構造、またはAgInZnO/InZnO積層構造よりなる非磁性中間層を有するとよい。
(1の3) 本発明の面直電流巨大磁気抵抗素子の前駆体(1)又は(1の2)において、好ましくは、前記強磁性金属層は、添加元素をXと表記して、
CoFeX(ここで、X=Mg、Al、Si、Ti、V、Cr、Mnから選ばれた元素)合金、または、
CoMnZX(ここで、Z=Al、Si、Ga、Ge、X=Mg、Ti、V、Crから選ばれた元素)、
CoMnFeZX(ここで、Z=Al、Si、Ga、Ge、X=Mg、Ti、V、Crから選ばれた元素)、
CoFeZX(ここで、Z=Al、Si、Ga、Ge、X=Mg、Ti、V、Crから選ばれた元素)、
からなる群から選ばれたホイスラー合金からなるとよい。
熱処理の化学反応としては、例えば、強磁性金属層に含まれるMnが酸化されMnOとなり、非磁性中間層の非磁性金属と酸化物に含まれるInOが還元されてAgと固溶したAgIn合金となり、導電性の合金よりなる電流狭窄構造領域を形成する。
図1は、本発明の一実施の形態を示すもので、前駆体の熱処理によって生成される電流狭窄構造の構造を示す図である。本発明では、前駆体、例えばAgInZnOと、強磁性層を構成する元素、または添加元素Xの間に次のような酸化還元反応を起こすことによって電流狭窄構造を実現する。
AgInZnO+X→AgIn+XO (1)
(i) AgInの組成: Ag65In35 at.%
(ii) (Mn,Zn)Oの組成: Mn50Zn4O46 at.%
(iii)CoMnFeGeの組成:Co49Mn14Fe14Ge23 at.%
(iv) AgInの電流狭窄パスの密度、5-20%
電極層には銅の100nm層を用いているが、導電性の金属材料であれば良く、例えば銀や金やパーマロイ(NiFe合金)でもよい。また電極層の膜厚としては、CPP-GMR素子構造として利用できる膜厚であればよく、例えば30nm以上1μm以下であると良い。30nm未満では、薄膜の電気抵抗が増大して電極層として好ましくない。膜厚が1μm超では、薄膜の電気抵抗の低下効果が少なくなり、電極層に使用される電極材料が増大するので、好ましくない。しかし、電極層の膜厚の上限値は、電気抵抗と製膜工程のバランスから定まるものであり、最適化を志向しない場合は10μmや100μmでも差し支えない。
Ag/InZnO非磁性中間層におけるInZnOの公称組成はIn35Zn6O59(原子%)である。AgInZnOの公称組成はAgx(In35Zn6O59)100-x(x=20-35原子%)であり、Agの濃度は、同時スパッタリング成膜時における、Agターゲットへの投入電力を調整することによって調整した。
保護層は、膜厚が8nmのRuを用いている。
図3は、本発明の一実施形態を示すシリコン基板を用いた面直電流巨大磁気抵抗素子の製造方法を説明するフローチャートで、(A)は全体の概括工程図、(B)は面直電流巨大磁気抵抗効果層の成膜工程の詳細図である。図において、シリコン基板上に電極層や下地層となる非磁性材料を成膜する(S100)。次に、電極層や下地層を成膜したシリコン基板に、強磁性/非磁性/強磁性の3層薄膜構造を成膜する(S102)。なお、強磁性/非磁性/強磁性の3層薄膜構造の積層体は単一でも良く、また複数個設けても良い。次に、強磁性/非磁性/強磁性の3層薄膜構造を成膜したシリコン基板の上に保護層を成膜する。最後に、強磁性/非磁性/強磁性の3層薄膜構造と保護層を成膜したシリコン基板を250℃以上400℃以下でポストアニールとして熱処理する(S104)。
(1)Co50Mn15Fe10Ge25ホイスラー合金層からMn原子がAgInZnOに拡散し、酸化されMnO層を構成する。それに伴い、AgInZnO中のInは少なくとも部分的に還元されてMnO層の外側に移動している。
(2)Agは膜面内方向に不均一分布しており、還元されたInとAgIn合金を構成し、一部はMnO層を横切って上部・下部強磁性層間をつなぐブリッジを形成する(図5中(A)の領域)。
強磁性層(固定層)には、Co50Fe50(2.6nm)を用いているが、Co、Fe、Niを適宜の組成比率で組み合わせて構築されてもよい。結合層には、Ru(0.8nm)を用いているが、他にCrやIrやRhでもよい。
非磁性中間層には、図2に示す非磁性中間層と同様の膜構造が用いられている。図9に示すスピンバルブの膜構造において、従来技術(比較例)であるAgSn(3.5nm)と本発明のAgInZnO(1.2nm)の2種類の非磁性中間層が記載してある。
保護層は、膜厚が8nmのRuを用いている。保護層は、Ag、Cr、W、Mo、Au、Pt、Pd、Ta、RuおよびRhからなる群から選ばれた少なくとも一種からなるとよい。
スピンバルブの膜構造では、工業応用上重要な多結晶薄膜を用いたものであり、例えば成膜後に250℃~400℃で1~5時間の熱処理をおこなうことで、前駆体の積層構造体に対する電流狭窄構造が生成される。
Claims (17)
- 強磁性金属層/非磁性金属層/強磁性金属層の積層構造を有する面直電流巨大磁気抵抗素子の前駆体であって、
非磁性金属と酸化物を所定割合で含有すると共に、前記非磁性金属と前記酸化物を原子レベルで大略均一に含有する非磁性中間層を有する共に、
前記非磁性金属はCu、Ag、Auまたはこれらの合金から選ばれた少なくとも一種であり、
前記酸化物はIn 2 O 3 、SnO 2 、Ga 2 O 3 またはこれらの混合物から選ばれた少なくとも一種であることを特徴とする面直電流巨大磁気抵抗素子の前駆体。 - 前記非磁性金属はAgであり、
前記酸化物はInZnO(In2O3とZnOの混合物)であり、
面直電流巨大磁気抵抗素子用の前記前駆体は、AgInZnO単層構造、またはAgInZnO/InZnO積層構造よりなる非磁性中間層を有することを特徴とする請求項1に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子の前駆体。 - 前記強磁性金属層は、添加元素をXと表記して、
CoFeX(ここで、X=Mg、Al、Si、Ti、V、Cr、Mnから選ばれた元素)合金、または、
CoMnZX(ここで、Z=Al、Si、Ga、Ge、X=Mg、Ti、V、Crから選ばれた元素)、
CoMnFeZX(ここで、Z=Al、Si、Ga、Ge、X=Mg、Ti、V、Crから選ばれた元素)、
CoFeZX(ここで、Z=Al、Si、Ga、Ge、X=Mg、Ti、V、Crから選ばれた元素)、
からなる群から選ばれたホイスラー合金からなる
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子の前駆体。 - 請求項1乃至3に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子の前駆体であって、前記強磁性金属層と前記非磁性中間層の積層構造を所定温度で熱処理した導電性の合金よりなる電流狭窄構造領域と、この電流狭窄構造領域を囲うように形成された酸化物を含む高抵抗金属合金領域を有する電流狭窄構造(CCP)を構成することを特徴とする面直電流巨大磁気抵抗素子。
- 前記面直電流巨大磁気抵抗素子の前駆体であって、前記強磁性金属層がCoMnFeGeであり、前記非磁性中間層がAgInZnOである積層構造を所定温度で熱処理して、AgInよりなる電流狭窄構造領域と、この電流狭窄構造領域を囲うように形成されたMnOを含む高抵抗金属合金領域を有する電流狭窄構造(CCP)を構成することを特徴とする請求項4に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子。
- 前記AgIn、(Mn、Zn)O、CoMnFeGeの組成範囲が以下の範囲であることを特徴とする請求項5に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子。
Ag100-xInx(x=1-80 at.%)
(Mn1-xZnx)100-yOy(x=0-0.5、y=20-80at.%)
Co35-60Mn0-30Fe0-30Ge20-40at.%(ただし、MnとFeは同時に0at.%になってはいけない) - 前記電流狭窄構造における前記電流狭窄構造領域と前記高抵抗金属合金領域の面積は、前記電流狭窄構造領域が面積比で1%以上、50%以下であることを特徴とする請求項4乃至6の何れか1項に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子。
- 前記強磁性金属層の下部強磁性層は、膜厚が1nm以上10nm未満であり、
前記電流狭窄構造を含む前記非磁性中間層は、膜厚が0.1nm以上5nm未満であり、
前記強磁性金属層の上部強磁性層は、膜厚が1nm以上10nm未満である
ことを特徴とする請求項4乃至7の何れか1項に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子。 - 磁気抵抗(MR)比は50%以上であり、
抵抗面積積(RA)は0.03Ωμm2以上、0.2Ωμm2以下であることを特徴とする請求項4乃至8の何れか1項に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子。 - シリコン基板またはAlTiCセラミックス基板またはMgO基板よりなる基板と、
この基板に積層された下地層と、
前記基板に積層されたCo基ホイスラー合金よりなる下部強磁性層及び上部強磁性層と、
前記下部強磁性層と前記上部強磁性層の間に設けられた電流狭窄構造を含む非磁性中間層と
を有する請求項4乃至9の何れか1項に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子。 - 前記下地層は、Cu、Ag、Cr、W、Mo、Au、Pt、Pd、Rh、Ta、Ru、NiFeからなる群から選ばれた少なくとも一種からなることを特徴とする請求項10に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子。
- シリコン基板またはAlTiCセラミックス基板または単結晶MgO基板よりなる基板と、
この基板に積層された下地層と、
前記基板に積層された反強磁性層/強磁性層(固定層)/Ru結合層/強磁性層(参照層)/非磁性層/強磁性層(自由層)/保護層よりなるスピンバルブ構造とを有し、
当該スピンバルブ構造は、前記基板に積層されたCo基ホイスラー合金よりなる下部強磁性層及び上部強磁性層をそれぞれ前記強磁性層(参照層)及び前記強磁性層(自由層)とし、前記下部強磁性層と前記上部強磁性層の間に設けられた電流狭窄構造を含む非磁性中間層を前記非磁性層として有する
請求項4乃至11の何れか1項に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子。 - 請求項4乃至11の何れか1項に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子の製造方法であって、
シリコン基板またはAlTiCセラミックス基板上に、下地層を成膜する工程と、
前記下地層を成膜した前記シリコン基板または前記AlTiCセラミックス基板に、下部強磁性材料の層、非磁性中間層及び上部強磁性材料の層をこの順で有する巨大磁気抵抗効果層を成膜する工程であって、前記非磁性中間層は金属と酸化物を同時スパッタリングして面直電流巨大磁気抵抗素子の前駆体を作成する工程と、
前記面直電流巨大磁気抵抗素子の前駆体を250℃以上400℃以下で熱処理する工程と
を有することを特徴とする面直電流巨大磁気抵抗素子の製造方法。 - 請求項4乃至11の何れか1項に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子の製造方法であって、
単結晶MgO基板の表面洗浄をする工程と、
前記単結晶MgO基板の基板温度を300℃以上で加熱洗浄する工程と、
前記加熱洗浄した単結晶MgO基板上に、下地層を前記基板温度で成膜する工程と、
第1の非強磁性材料を成膜した前記単結晶MgO基板に、下部強磁性材料の層、非磁性中間層及び上部強磁性材料の層をこの順で有する巨大磁気抵抗効果層を成膜する工程であって、前記非磁性中間層は金属と酸化物を同時スパッタリングして面直電流巨大磁気抵抗素子の前駆体を作成する工程と、
前記面直電流巨大磁気抵抗素子の前駆体を250℃以上400℃以下で熱処理する工程と
を有することを特徴とする面直電流巨大磁気抵抗素子の製造方法。 - 請求項4乃至12の何れか1項に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子を使用した、記憶素子上で使用される再生ヘッド。
- 請求項4乃至12の何れか1項に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子を使用した磁気センサ。
- 請求項4乃至12の何れか1項に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子を使用した磁気メモリ。
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KR102323401B1 (ko) * | 2020-10-26 | 2021-11-05 | 연세대학교 산학협력단 | 자기 터널 접합 소자, 이를 이용한 자기 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006073875A (ja) | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気メモリ |
JP2008283194A (ja) | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Headway Technologies Inc | 磁気素子のスピンバルブ構造およびccp−gmrスピンバルブ構造、ならびに磁気再生ヘッドにおけるスピンバルブ構造の形成方法 |
JP2016071922A (ja) | 2014-10-01 | 2016-05-09 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置 |
JP2017097935A (ja) | 2015-11-25 | 2017-06-01 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 磁気抵抗素子、その製造方法及びその使用方法 |
WO2017222038A1 (ja) | 2016-06-24 | 2017-12-28 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | I-iii-vi2化合物半導体を用いた磁気抵抗素子及びその製造方法、これを用いた磁気記憶装置並びにスピントランジスタ |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060114616A1 (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-01 | Tdk Corporation | Film and method for producing nano-particles for magnetoresistive device |
US7610674B2 (en) * | 2006-02-13 | 2009-11-03 | Headway Technologies, Inc. | Method to form a current confining path of a CPP GMR device |
JP4550778B2 (ja) * | 2006-07-07 | 2010-09-22 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
JP4942445B2 (ja) | 2006-09-08 | 2012-05-30 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 |
US7589600B2 (en) * | 2006-10-31 | 2009-09-15 | Seagate Technology Llc | Spin oscillator device |
JP4328348B2 (ja) * | 2006-11-21 | 2009-09-09 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 |
US7978442B2 (en) * | 2007-10-03 | 2011-07-12 | Tdk Corporation | CPP device with a plurality of metal oxide templates in a confining current path (CCP) spacer |
US8094421B2 (en) * | 2007-12-26 | 2012-01-10 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Current-perpendicular-to-plane (CPP) read sensor with multiple reference layers |
US8551626B2 (en) * | 2009-06-25 | 2013-10-08 | Seagate Technology Llc | CCP-CPP magnetoresistive reader with high GMR value |
US8331063B2 (en) * | 2009-07-10 | 2012-12-11 | Tdk Corporation | Magnetoresistive effect element in CPP-type structure and magnetic disk device |
US8379350B2 (en) | 2010-06-30 | 2013-02-19 | Tdk Corporation | CPP-type magnetoresistive element including spacer layer |
US8498083B2 (en) | 2011-03-16 | 2013-07-30 | Tdk Corporation | Magneto-resistive effect element having spacer layer containing gallium oxide, partially oxidized copper |
WO2014073388A1 (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-15 | 日本碍子株式会社 | セラミックス材料及びスパッタリングターゲット部材 |
US9047891B1 (en) | 2014-05-03 | 2015-06-02 | HGST Netherlands B.V. | Current-perpendicular-to-the-plane giant magnetoresistance (CPP-GMR) sensor with indium-zinc-oxide (IZO) spacer layer |
JP6097344B2 (ja) | 2015-07-06 | 2017-03-15 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置 |
JP6962103B2 (ja) * | 2017-09-26 | 2021-11-05 | Tdk株式会社 | 積層体、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、センサ、高周波フィルタ及び発振素子 |
JP2020107835A (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-09 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子 |
US10755733B1 (en) * | 2019-03-05 | 2020-08-25 | Sandisk Technologies Llc | Read head including semiconductor spacer and long spin diffusion length nonmagnetic conductive material and method of making thereof |
US10964468B2 (en) * | 2019-07-12 | 2021-03-30 | The Regents Of The University Of California | Magnetic memory structures using electric-field controlled interlayer exchange coupling (IEC) for magnetization switching |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006073875A (ja) | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気メモリ |
JP2008283194A (ja) | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Headway Technologies Inc | 磁気素子のスピンバルブ構造およびccp−gmrスピンバルブ構造、ならびに磁気再生ヘッドにおけるスピンバルブ構造の形成方法 |
JP2016071922A (ja) | 2014-10-01 | 2016-05-09 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置 |
JP2017097935A (ja) | 2015-11-25 | 2017-06-01 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 磁気抵抗素子、その製造方法及びその使用方法 |
WO2017222038A1 (ja) | 2016-06-24 | 2017-12-28 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | I-iii-vi2化合物半導体を用いた磁気抵抗素子及びその製造方法、これを用いた磁気記憶装置並びにスピントランジスタ |
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