JP7053055B2 - 光電子デバイスを形成するための成長基板、そのような基板を作製するための方法、及び特にマイクロディスプレイスクリーンの分野における基板の使用 - Google Patents
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Description
熱処理するステップの前に、アイランドの第1の群が第1の歪みレベルを有し、第2の群が第1ものと異なる第2の歪みレベルを有し、
緩和基板を準備するステップが、以下の、
異なる歪みレベルを有する第1の領域と第2の領域とを有する基本の結晶性半導体層のスタックのベース基板上での形成と、
スタックの少なくとも一部の媒体への移動と、
第1の領域にアイランドの第1の群のアイランドを形成し、第2の領域にアイランドの第2の群のアイランドを形成するためのスタック上でのトレンチの実施とを含み、
スタック内でのトレンチの実施が媒体への移動の後に行われ、
ベース基板上でのスタックの形成が、以下の、
異なる組成を有する複数の擬似格子整合の基本層の形成と、
第1の領域及び第2の領域を画定するための基本層の一部の局所的な除去とを含み、
流れ層が、緩和温度において第1の粘度を有するブロックの第1の群と、緩和温度において第1のものと異なる第2の粘度を有するブロックの第2の群とで構成されており、アイランドの第1の群のアイランドがブロックの第1の群のブロックに配置されており、アイランドの第2の群のアイランドがブロックの第2の群のブロックに配置されており、
基板を準備するステップが、以下の、
第1の材料でできた第1の流れ層の媒体上での形成と、
第1の流れ層における少なくとも1つのくぼみの形成と、
流れ層のスタックの形成を鑑みて第1の流れ層上及びくぼみの中での第2の材料でできた第2の流れ層の堆積と、
くぼみの中以外の第2の層を除去するため、並びにブロックの第1の群及びブロックの第2の群を形成するためのスタックの平坦化とを含み、
準備するステップが、以下の、
流れ層に複数の結晶性半導体アイランドを形成するステップであって、複数のアイランドが同一の最初の歪みレベルを有する、形成するステップと、
歪みのあるアイランドの第1の群及び歪みのあるアイランドの第2の群を形成するために、歪みのあるアイランドを選択的に処理するステップとを含み、
選択的に処理するステップが、歪みのあるアイランドの第1の群の上では第1の厚さを有し、歪みのあるアイランドの第2の群の上では第2の厚さを有する強化層の形成を含み、
選択的に処理するステップが、歪みのあるアイランドの第1の群の上での、第1の材料から形成されている強化層の形成と、歪みのあるアイランドの第2の群の上での、第1のものと異なる第2の材料から形成されている強化層の形成を含み、
選択的に処理するステップが、第1の群の歪みのあるアイランドの厚さ及び/又は第2の群の歪みのあるアイランドの厚さを削減することであって、それらが異なる厚さを有することを含み、
熱処理するステップが、400℃から900℃の温度範囲で行われ、
結晶性半導体アイランド(3a、3b)が、III-N材料から構成されており、
作製方法が、第1の群の緩和されたアイランド及び第2の群の緩和されたアイランドが成長媒体に移動されるステップを含む。
成長媒体が、シリコン又はサファイアウェーハであり、
結晶性半導体アイランドが、InGaNから構成されており、
第1の群の各アイランドが、第2の群のアイランドの隣に配置されて画素を形成し、
組み立て層が、少なくとも1つの誘電体材料を含む。
大気が、TMGa、TEGa、TMIn及びアンモニアを含む前駆体ガスから形成されており、
原子が、インジウムであり、
第1及び第2の活性層が、nドープされたInGaN層、多重量子井戸、pドープされたInGaN又はGaN層を含む。
第1の態様において、本発明は光電子デバイスを形成するための成長基板1に関する。図1a及び1bは、本発明による2つの成長基板の断面を概略的に示している。図1cは、このような基板の上面図である。成長基板1は、基板1の露出した面に光電子構成要素の活性層を形成するために、例えばエピタキシフレームなどの堆積装置内に置かれることが意図されている。基板1はまた、機能的なデバイスの実現をもたらすさらなる作製工程(電気接点の形成、あるデバイスの他のデバイスからの隔離など)中にデバイスを操作することを可能にする機械的な支持体として機能することもできる。
上記で紹介した成長基板1の作製方法のいくつかの例を次に開示する。
図3aに示されるように、本発明による第1の作製方法は、緩和媒体7と、媒体7に配置された流れ層8と、流れ層8に配列された複数の歪みのある結晶性半導体アイランド9とを備える緩和基板の供給を含む。歪みのあるアイランド9は全て同一の格子定数を有する。最新技術に関して挙げた引例を参照して緩和媒体7及び流れ層8の性質を選択することができる。
多様な格子定数を有するアイランド3を作製するこの第2の方法を図4a~図4cを参照して次に説明する。第1の方法の場合のように、緩和媒体7と、媒体7に配置された流れ層8と、流れ層8の上に配置され複数の歪みのある結晶性半導体アイランド9とを備える緩和基板6が供給される。歪みのあるアイランド9は全て最初は同一の格子定数を有する。
多様な格子定数を有する緩和されたアイランド3を形成するための第3の方法が図6aから図6mを参照して提示される。この第3の方法は、スタック12を形成している結晶性半導体の複数の歪みのある基本層12a、12bを有するドナー基板11の準備を含む。スタックは、異なる歪みレベルを有する少なくとも1つの第1の領域13aと、少なくとも1つの第2の領域13bとを有する。
別の態様によると、本発明はまた、複数の光電子デバイスの一括作製に関する方法に関する。本発明によると、このようなデバイスは各々、1つのデバイスと別のデバイスとで異なる可能性のある活性層を備える。デバイスはこのとき、互いに異なる光電子特性を有する。用語「一括作製」は、このようなデバイスの作製が、単一の基板に適用される単一の技術を使用して活性層を形成することを意味するのに使用される。
アイランド3の濃度と同様のIn濃度を有するnドープInGaN層と、
複数の層を備える多数の量子井戸であって、各層は、異なる割合のインジウムを含んでおり、下位のnドープ層のインジウムの割合に対して数パーセントポイントの差を有する、多数の量子井戸とを有するスタックを含んでもよい。
0から10%の範囲のIn濃度を有するpドープInGaN層で構成される。その作製を簡素化するために、pドープ層は、GaNから形成されることを行うこともできる。
成長基板、及び上記に記載した一括作製の方法の特有の用途は、LEDのモノリシックマイクロパネルを作製することに向けられている。
この第1の実施例では、酸化ケイ素の組み立て層3が備わった成長媒体2を備える成長基板1が最初に準備される。成長媒体は、例えば150mmの直径のシリコンウェーハで構成されてもよい。成長基板は、8%のインジウムを包含するInGaNアイランド3a、3b、3cから構成されている。アイランド3a、3b、3cは全て200nmの厚さと、1辺が50ミクロンの正方形の形状を有する。アイランドの第1の群3aは、0.3190ナノメータの格子定数を有し、第2の群は、0.3200ナノメータの格子定数を有し、第3の群は0.3205nmの格子定数を有する。このような目標の格子定数は、LEDの活性層の一括での作製工程が、青色、緑色及び赤色又はそれらに近い放射を発するLEDの形成につながるように選択されている。
直径150nmのサファイア基板と、以下の特徴、
その上部が基本的に緩和される、2ミクロンの厚さのバッファガリウム窒化物の第1の層と、
8%のインジウムを包含し、200nmの厚さの第2の歪みのあるInGaN基本層と、
16%のインジウムを包含し、40nmの厚さの第3の歪みのあるInGaN基本層とを有する基本層のスタックとで構成されたドナー基板11が準備される。
サファイア媒体と接触する酸化ケイ素と、200nmの窒化ケイ素と、1ミクロンの二酸化ケイ素の500nmのスタックで構成される組み立て層5が備わった成長媒体2を有する成長基板1が最初に準備される。このスタックは、方法のその後の工程においてレーザ照射を通して成長媒体の分離を可能にするように設計されている。この成長媒体は、例えば150mmの直径のシリコンウェーハで構成されてよい。成長基板は、18%のインジウムを包含するInGaNアイランドの3つの群で構成されている。アイランドは全て40nmの厚さと、一辺が10ミクロンの正方形の形状を有する。アイランドの第1の群は0.3184ナノメートルの格子定数を有し、第2の群は0.3218ナノメートルの格子定数を有し、第3の群は、0.3248ナノメートルの格子定数を有する。このような目標の格子定数は、LEDの活性層の一括での作製工程が、青色、緑色及び赤色で放射を発するLEDの形成につながるように選択されている。
Claims (13)
- 多様な格子定数を有する複数の結晶性半導体アイランド(3a、3b)の作製方法であって、以下の複数のステップ、即ち、
媒体(7)と、前記媒体(7)上に配置されている流れ層(8)と、前記流れ層の上に配置されている複数の結晶性半導体アイランド(9)であって、同一の最初の格子定数を有し、第1の側方膨張のポテンシャルを有するアイランドの第1の群(9a)と、前記第1のものと異なる第2の側方膨張のポテンシャルを有するアイランドの第2の群(9b)を有する、複数の結晶性半導体アイランド(9)と、を備える緩和基板(6)を準備するステップと、
緩和されたアイランドの前記第1の群(3a)の前記格子定数と、緩和されたアイランドの前記第2の群(3b)の前記格子定数がその後異なる値を有するために、前記緩和基板(6)を前記流れ層(8)のガラス転移温度以上の緩和温度で熱処理することで前記第1の群と前記第2の群の前記アイランドの差別化された緩和を生じさせるステップと、
を含み、
前記熱処理する前記ステップの前に、アイランドの前記第1の群(9a)が第1の歪みレベルを有し、前記第2の群(9b)が前記第1のものと異なる第2の歪みレベルを有する、複数の結晶性半導体アイランド(3a、3b)の作製方法。 - 多様な格子定数を有する複数の結晶性半導体アイランド(3a、3b)の作製方法であって、以下の複数のステップ、即ち、
媒体(7)と、前記媒体(7)上に配置されている流れ層(8)と、前記流れ層の上に配置されている複数の結晶性半導体アイランド(9)であって、同一の最初の格子定数を有し、第1の側方膨張のポテンシャルを有するアイランドの第1の群(9a)と、前記第1のものと異なる第2の側方膨張のポテンシャルを有するアイランドの第2の群(9b)を有する、複数の結晶性半導体アイランド(9)と、を備える緩和基板(6)を準備するステップと、
緩和されたアイランドの前記第1の群(3a)の前記格子定数と、緩和されたアイランドの前記第2の群(3b)の前記格子定数がその後異なる値を有するために、前記緩和基板(6)を前記流れ層(8)のガラス転移温度以上の緩和温度で熱処理することで前記第1の群と前記第2の群の前記アイランドの差別化された緩和を生じさせるステップと、
を含み、
前記熱処理する前記ステップの前に、アイランドの前記第1の群(9a)が第1の歪みレベルを有し、前記第2の群(9b)が前記第1のものと異なる第2の歪みレベルを有し、
前記緩和基板(6)を準備する前記ステップが、以下の、
異なる歪みレベルを有する第1の領域(13a)と第2の領域(13b)とを有する、基本の結晶性半導体層(12a、12b)のスタック(12)の、ベース基板(14)上での形成と、
前記スタック(12)の少なくとも一部の、前記媒体(7)への移動と、
前記第1の領域(13a)にアイランドの前記第1の群(9a)の前記アイランド(9)を形成し、前記第2の領域(13b)にアイランドの前記第2の群(9b)の前記アイランド(9)を形成するための、前記スタック(12)上でのトレンチ(4)の実施とを含む、複数の結晶性半導体アイランド(3a、3b)の作製方法。 - 前記スタック(12)内での前記トレンチ(4)の前記実施が、前記媒体(7)への前記移動の後に行われる、請求項2に記載の作製方法。
- 前記ベース基板(14)上での前記スタック(12)の前記形成が、以下の、
異なる組成を有する複数の擬似格子整合の基本層(12a、12b)の形成と、
前記第1の領域及び前記第2の領域(13a、13b)を画定するための前記基本層(12a、12b)の一部の局所的な除去と、を含む、請求項2又は3に記載の作製方法。 - 多様な格子定数を有する複数の結晶性半導体アイランド(3a、3b)の作製方法であって、以下の複数のステップ、即ち、
媒体(7)と、前記媒体(7)上に配置されている流れ層(8)と、前記流れ層の上に配置されている複数の結晶性半導体アイランド(9)であって、同一の最初の格子定数を有し、第1の側方膨張のポテンシャルを有するアイランドの第1の群(9a)と、前記第1のものと異なる第2の側方膨張のポテンシャルを有するアイランドの第2の群(9b)を有する、複数の結晶性半導体アイランド(9)と、を備える緩和基板(6)を準備するステップと、
緩和されたアイランドの前記第1の群(3a)の前記格子定数と、緩和されたアイランドの前記第2の群(3b)の前記格子定数がその後異なる値を有するために、前記緩和基板(6)を前記流れ層(8)のガラス転移温度以上の緩和温度で熱処理することで前記第1の群と前記第2の群の前記アイランドの差別化された緩和を生じさせるステップと、
を含み、
前記流れ層(8)が、前記緩和温度において第1の粘度を有するブロックの第1の群(8a)と、前記緩和温度において前記第1のものと異なる第2の粘度を有するブロックの第2の群(8b)とで構成されており、アイランドの前記第1の群(9a)の前記アイランドがブロックの前記第1の群(8a)の前記ブロックに配置されており、アイランドの前記第2の群(9b)の前記アイランドがブロックの前記第2の群(8b)の前記ブロックに配置されている、複数の結晶性半導体アイランド(3a、3b)の作製方法。 - 前記基板を準備する前記ステップが、以下の、
第1の材料でできた第1の流れ層(8a)の、前記媒体(7)上での形成と、
前記第1の流れ層(8a)における少なくとも1つのくぼみ(10)の形成と、
流れ層のスタックの形成を鑑みて前記第1の流れ層(8a)上及び前記くぼみ(10)の中での第2の材料でできた第2の流れ層(8b)の堆積と、
前記くぼみの中以外の前記第2の層を除去するため、並びにブロックの前記第1の群(8a)及びブロックの前記第2の群(8b)を形成するための前記スタックの平坦化と、
を含む、請求項5に記載の作製方法。 - 準備する前記ステップが、以下の、
前記流れ層に前記複数の結晶性半導体アイランド(9)を形成するステップであって、前記複数のアイランド(9)が、同じ最初の歪みレベルを有する、ステップと、
歪みのあるアイランドの前記第1の群(9a)及び歪みのあるアイランドの前記第2の群(9b)を形成するために、前記歪みのあるアイランド(9)を選択的に処理するステップと、
を含む、請求項1に記載の作製方法。 - 多様な格子定数を有する複数の結晶性半導体アイランド(3a、3b)の作製方法であって、以下の複数のステップ、即ち、
媒体(7)と、前記媒体(7)上に配置されている流れ層(8)と、前記流れ層の上に配置されている複数の結晶性半導体アイランド(9)であって、同一の最初の格子定数を有し、第1の側方膨張のポテンシャルを有するアイランドの第1の群(9a)と、前記第1のものと異なる第2の側方膨張のポテンシャルを有するアイランドの第2の群(9b)を有する、複数の結晶性半導体アイランド(9)と、を備える緩和基板(6)を準備するステップと、
緩和されたアイランドの前記第1の群(3a)の前記格子定数と、緩和されたアイランドの前記第2の群(3b)の前記格子定数がその後異なる値を有するために、前記緩和基板(6)を前記流れ層(8)のガラス転移温度以上の緩和温度で熱処理することで前記第1の群と前記第2の群の前記アイランドの差別化された緩和を生じさせるステップと、
を含み、
準備する前記ステップが、以下の、
前記流れ層に前記複数の結晶性半導体アイランド(9)を形成するステップであって、前記複数のアイランド(9)が、同じ最初の歪みレベルを有する、ステップと、
歪みのあるアイランドの前記第1の群(9a)及び歪みのあるアイランドの前記第2の群(9b)を形成するために、前記歪みのあるアイランド(9)を選択的に処理するステップと、
を含み、
選択的に処理する前記ステップが、歪みのあるアイランドの前記第1の群(9a)の上では第1の厚さを有し、歪みのあるアイランドの前記第2の群(9b)の上では、前記第1のものと異なる第2の厚さを有する強化層(10)の形成を含む、複数の結晶性半導体アイランド(3a、3b)の作製方法。 - 選択的に処理する前記ステップが、歪みのあるアイランドの前記第1の群(9a)の上での、第1の材料から形成されている強化層(10)の形成と、歪みのあるアイランドの前記第2の群(9b)の上での、前記第1のものと異なる第2の材料から形成されている強化層(10)の形成と、を含む、請求項7又は8に記載の作製方法。
- 多様な格子定数を有する複数の結晶性半導体アイランド(3a、3b)の作製方法であって、以下の複数のステップ、即ち、
媒体(7)と、前記媒体(7)上に配置されている流れ層(8)と、前記流れ層の上に配置されている複数の結晶性半導体アイランド(9)であって、同一の最初の格子定数を有し、第1の側方膨張のポテンシャルを有するアイランドの第1の群(9a)と、前記第1のものと異なる第2の側方膨張のポテンシャルを有するアイランドの第2の群(9b)を有する、複数の結晶性半導体アイランド(9)と、を備える緩和基板(6)を準備するステップと、
緩和されたアイランドの前記第1の群(3a)の前記格子定数と、緩和されたアイランドの前記第2の群(3b)の前記格子定数がその後異なる値を有するために、前記緩和基板(6)を前記流れ層(8)のガラス転移温度以上の緩和温度で熱処理することで前記第1の群と前記第2の群の前記アイランドの差別化された緩和を生じさせるステップと、
を含み、
準備する前記ステップが、以下の、
前記流れ層に前記複数の結晶性半導体アイランド(9)を形成するステップであって、前記複数のアイランド(9)が、同じ最初の歪みレベルを有する、ステップと、
歪みのあるアイランドの前記第1の群(9a)及び歪みのあるアイランドの前記第2の群(9b)を形成するために、前記歪みのあるアイランド(9)を選択的に処理するステップと、
を含み、
選択的に処理する前記ステップが、前記第1の群(9a)の前記歪みのあるアイランドの厚さ及び/又は前記第2の群(9b)の前記歪みのあるアイランドの厚さを削減することであって、それらが異なる厚さを有することを含む、複数の結晶性半導体アイランド(3a、3b)の作製方法。 - 前記熱処理する前記ステップが、400℃から900℃の温度範囲で行われる、請求項9又は10に記載の作製方法。
- 前記結晶性半導体アイランド(3a、3b)が、III-N材料から構成されている、請求項1~11のいずれか一項に記載の作製方法。
- 前記第1の群(3a)の緩和されたアイランド及び前記第2の群(3b)の緩和されたアイランドが成長媒体(5)に移動されるステップを含む、請求項1~12のいずれか一項に記載の作製方法。
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