JP7046898B2 - 角度分解反射率測定における走査および回折の光計測からのアルゴリズム的除去 - Google Patents
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Description
本出願は、参照によってその全体が本明細書に組み込まれる、2012年6月26日に出願された米国仮特許出願第61/664,477号、および2013年2月13日に出願された米国仮特許出願第61/764,435号の利益を主張する。
(1)少なくとも1つの測定パラメータの、計測システム内の少なくとも1つの開口部のサイズに対する機能的依存性を定量的に推定することと、
前記少なくとも1つの開口部の前記サイズに関連する、前記機能的依存性の少なくとも1つの回折成分を特定することと、
前記少なくとも1つの特定された回折成分から、前記少なくとも1つの測定パラメータのための、計測条件に対する補正項を導出することであって、前記計測条件が、前記少なくとも1つの測定パラメータ内の回折誤差を発生させる、前記少なくとも1つの開口部の指定のサイズを含む、導出することと、
前記回折誤差を、前記導出された補正項を前記少なくとも1つの測定パラメータに適用することによって計算的に相殺することと、を含み、
前記推定することと、前記特定することと、前記導出することと、および前記相殺することと、のうちの少なくとも1つが、少なくとも1つのコンピュータ処理装置によって行われる、方法。
(2)前記機能的依存性の前記定量的推定を行うために、複数の開口部サイズを選択することであって、前記開口部サイズが、前記特定および前記導出を可能にするような機能的依存性をもたらすために選択される、選択すること、をさらに含む、(1)に記載の方法。
(3)計測寸法を、前記導出された補正項に従って較正することをさらに含む、(1)に記載の方法。
(4)前記補正項を改良するために、前記較正を繰り返し行うことをさらに含む、(3)に記載の方法。
(5)二次補正項を、前記推定することおよび前記特定することを、前記相殺することの後に繰り返し行うことによって導出することをさらに含む、(1)に記載の方法。
(6)前記機能的依存性を前記推定することが、曲線適合によって行われ、前記特定が、曲線パラメータに対して行われる、(1)に記載の方法。
(7)前記少なくとも1つの測定パラメータが、少なくとも1つの計測結果を含む、(1)に記載の方法。
(8)前記少なくとも1つの計測結果が、重ね合わせ測定、臨界寸法測定、焦点測定、量測定、側-全角算出、および膜厚測定のうちの少なくとも1つを含む、(7)に記載の方法。
(9)前記補正項を、導出条件と計測条件との間の少なくとも1つの相違点に対して較正することをさらに含む、(1)に記載の方法。
(10)前記少なくとも1つの相違点が、波長、偏光、テストパターンに対するアライメント、および焦点のうちの少なくとも1つに関連する、(9)に記載の方法。
(11)前記較正することが、前記機能的依存性を前記少なくとも1つの相違点に関連するものとして表すこと、および前記少なくとも1つの相違点の値の範囲にさらに対する前記補正項を導出することによって行われる、(9)に記載の方法。
(12)前記推定することおよび前記特定することが、計測寸法工程内で統合される、(1)に記載の方法。
(13)前記推定することおよび前記特定することが、計測寸法工程より前に行われ、前記計測システムを較正するために使用される、(1)に記載の方法。
(14)計測システム内の少なくとも1つの開口部のサイズに関連する回折誤差を、補正項を少なくとも1つの測定パラメータに適用することによって計算的に相殺するように配置された計測システムであって、前記補正項が、前記少なくとも1つの測定パラメータの、前記少なくとも1つの開口部に対する機能的依存性を定量的に推定し、前記少なくとも1つの開口部の前記サイズに関連する前記機能的依存性の少なくとも1つの回折成分を特定することによって導出される、計測システム。
(15)前記機能的依存性の前記推定が、前記特定および前記導出を可能にするような機能的依存性をもたらす、選択された複数の開口部サイズに対して行われる、(14)に記載の計測システム。
(16)前記推定および前記特定を、オンザフライで行うように配置される制御装置をさらに備える、(14)に記載の計測システム。
(17)前記制御装置が、前記機能的依存性を、曲線適合によって推定し、前記少なくとも1つの回折成分を曲線パラメータに対して特定するように配置される、(16)に記載の計測システム。
(18)前記制御装置が、開口部サイズを、開口部サイズ決定装置によって制御するように配置される、(16)に記載の計測システム。
(19)前記機能的依存性の少なくとも1つの回折成分を前記特定することに従って較正される、(14)に記載の計測システム。
(20)前記計算的相殺を、二次補正項を導出し、前記少なくとも1つの測定パラメータをそれに従って調節するための、前記機能的依存性を使用することによって改良するようにさらに配置される、(14)に記載の計測システム。
(21)前記補正項を、導出条件と計測条件との間の少なくとも1つの相違点に対して較正するようにさらに配置され、前記少なくとも1つの相違点が、波長、偏光、テストパターンに対するアライメント、および焦点のうちの少なくとも1つに関連する、(14)に記載の計測システム。
(22)前記較正することを、前記機能的依存性を前記少なくとも1つの相違点に関連するものとして表すこと、および前記少なくとも1つの相違点の値の範囲にさらに対する前記補正項を導出することによって行うように配置される、(21)に記載の計測システム。
(23)それと共に実施されるコンピュータ可読プログラムを有するコンピュータ可読記憶媒体を備える、コンピュータプログラム製品であって、前記コンピュータ可読プログラムが、
少なくとも1つの測定パラメータの、計測システム内の少なくとも1つの開口部のサイズに対する機能的依存性を定量的に推定するように構成されたコンピュータ可読プログラムと、
前記少なくとも1つの開口部の前記サイズに関連する、前記機能的依存性の少なくとも1つの回折成分を特定するように構成されたコンピュータ可読プログラムと、
前記少なくとも1つの特定された回折成分から、前記少なくとも1つの測定パラメータのための、計測条件に対する補正項を導出するように構成されたコンピュータ可読プログラムであって、前記計測条件が、前記少なくとも1つの測定パラメータ内の回折誤差を発生させる、前記少なくとも1つの開口部の指定のサイズを含む、コンピュータ可読プログラムと、
前記回折誤差を、前記導出された補正項を前記少なくとも1つの測定パラメータに適用することによって計算的に相殺するように構成されたコンピュータ可読プログラムと、を含む、コンピュータプログラム製品。
(24)前記機能的依存性を推定することが、曲線適合によって行われ、前記特定が、曲線パラメータに対して行われる、(23)に記載のコンピュータプログラム製品。
(25)前記計算的相殺を、二次補正項を導出し、前記少なくとも1つの測定パラメータをそれに従って調節するための、前記機能的依存性を使用することによって改良するように構成されたコンピュータ可読プログラムをさらに含む、(23)に記載のコンピュータプログラム製品。
(26)前記補正項を、導出条件と計測条件との間の少なくとも1つの相違点に対して較正するように構成されたコンピュータ可読プログラムをさらに含み、前記少なくとも1つの相違点が、波長、偏光、テストパターンに対するアライメント、および焦点のうちの少なくとも1つに関連し、前記コンピュータ可読プログラムが、前記較正することを、前記機能的依存性を前記少なくとも1つの相違点に関連するものとして表すこと、および前記少なくとも1つの相違点の値の範囲にさらに対する前記補正項を導出することによって行うようにさらに構成される、(23)に記載のコンピュータプログラム製品。
Claims (18)
- コヒーレント照明源と、
1つまたは複数の処理ユニットを備える制御装置と、
サンプルのテストパターンを、前記照明源からのコヒーレント光のスポットで走査するように配置された光学系であって、コヒーレント光の前記スポットの位置を制御する走査ミラーを含み、前記走査が、変更可能な走査パターンで構成され、前記スポットを前記テストパターンを横断するように走査させる走査パターンに従って実施される、光学系と、
前記サンプルの前記テストパターンから反射した光を収集して、集合瞳内に収集された光分布の瞳像を複数生じるように構成された検出器と、
前記集合瞳内に収集された前記光分布の前記複数の瞳像のうち2つ以上を組み合わせることにより合成画像を生成するように構成された前記処理ユニットと、
を備え、前記処理ユニットが前記テストパターンの領域のうち、他の領域よりも相対的に測定ノイズが高い高ノイズ領域を訓練モード中に特定するようにさらに構成された、角度分解反射率計。 - 前記走査ミラーが、重ね合わせ測定のあいだ前記コヒーレント光のスポットを前記サンプル上に位置決めするように構成される、請求項1に記載の角度分解反射率計。
- 前記処理ユニットが前記走査ミラーを制御するようにさらに構成された、請求項1に記載の角度分解反射率計。
- 前記処理ユニットが、特定のテストパターンまたは計測構成に対して、前記光分布を修正し、最適強度分布を特定するようにさらに構成された、請求項3に記載の角度分解反射率計。
- 前記処理ユニットが前記特定された高ノイズ領域を前記走査パターンから除去するように構成された、請求項1に記載の角度分解反射率計。
- コヒーレント照明源と、
1つまたは複数の処理ユニットを備える制御装置と、
サンプルのテストパターンを、前記照明源からのコヒーレント光のスポットで走査するように配置された光学系であって、コヒーレント光の前記スポットの位置を制御する走査ミラーを含み、前記走査が、変更可能な走査パターンで構成され、前記スポットを前記テストパターンを横断するように走査させる走査パターンに従って実施される、光学系と、
前記サンプルの前記テストパターンから反射した光を収集して、集合瞳内に収集された光分布の瞳像を複数生じるように構成された検出器と、
前記集合瞳内に収集された前記光分布の前記複数の瞳像のうち2つ以上を組み合わせることにより合成画像を生成するように構成された前記処理ユニットと、
を備え、
前記処理ユニットが、光走査において前記テストパターンの領域のうち、他の領域よりも相対的に測定ノイズが高い高ノイズ領域を訓練モード中に特定するようにさらに構成された、角度分解反射率計。 - 前記処理ユニットが、前記テストパターンの前記特定された高ノイズ領域を前記光走査中に回避するように構成された、請求項6に記載の角度分解反射率計。
- 前記走査パターンが、対称かつ不均一である光分布を含む、請求項1に記載の角度分解反射率計。
- コヒーレント光のスポットを、走査ミラーを用いてテストパターンに向けるステップであって、前記コヒーレント光のスポットが前記テストパターンのサイズより小さい、ステップと、
前記走査ミラーを用いて、前記コヒーレント光のスポットで前記テストパターンを走査し、集合瞳内の光分布の瞳像を複数生じさせるステップであって、前記走査が、前記スポットを前記テストパターンを横断するように走査させる走査パターンに従って実施され、前記走査パターンの走査サイズおよび走査濃度が調整可能である、ステップと、
検出器を用いて、前記テストパターンからの反射光を収集して、複数のテストパターン像を生じさせるステップと、
1つまたは複数の処理ユニットによって、収集された瞳光分布の合成画像を、前記集合瞳における前記光分布の前記複数の瞳像の2つ以上を組み合わせることにより、生成するステップと、
を含み、
前記テストパターンの領域のうち、他の領域よりも相対的に測定ノイズが高い高ノイズ領域を訓練モード中に特定するステップと、
前記テストパターンの前記特定された高ノイズ領域を前記走査パターンから除去するステップと、
をさらに含む、角度分解反射率測定方法。 - 前記走査ミラーによって、前記コヒーレント光のスポットを、重ね合わせ測定のあいだ、サンプル上に位置決めするステップをさらに含む、請求項9に記載の角度分解反射率測定方法。
- コヒーレント光のスポットを、走査ミラーを用いてテストパターンに向けるステップであって、前記コヒーレント光のスポットが前記テストパターンのサイズより小さい、ステップと、
前記走査ミラーを用いて、前記コヒーレント光のスポットで前記テストパターンを走査し、集合瞳内の光分布の瞳像を複数生じさせるステップであって、前記走査が、前記スポットを前記テストパターンを横断するように走査させる走査パターンに従って実施され、前記走査パターンの走査サイズおよび走査濃度が調整可能である、ステップと、
検出器を用いて、前記テストパターンからの反射光を収集して、複数のテストパターン像を生じさせるステップと、
1つまたは複数の処理ユニットによって、収集された瞳光分布の合成画像を、前記集合瞳における前記光分布の前記複数の瞳像の2つ以上を組み合わせることにより、生成するステップと、
を含み、
光走査中に前記テストパターンの領域のうち、他の領域よりも相対的に測定ノイズが高い高ノイズ領域を訓練モード中に特定するステップと、
前記テストパターンの前記特定された高ノイズ領域を前記光走査中に回避するステップと、
をさらに含む、角度分解反射率測定方法。 - 前記走査パターンが特定の強度分布を含む、請求項9に記載の角度分解反射率測定方法。
- 前記テストパターンを、前記処理ユニットを使用して走査し、前記走査ミラーの構成を制御するステップをさらに含む、請求項9に記載の角度分解反射率測定方法。
- 前記合成画像内のスペックルを、静止スポット位置から前記集合瞳内に収集された前記光分布の前記複数の瞳像を使用して低減するステップをさらに含む、請求項9に記載の角度分解反射率測定方法。
- 前記テストパターンを、対称かつ不均一である光分布を含む走査パターンを使用して走査するステップをさらに含む、請求項9に記載の角度分解反射率測定方法。
- 特定のテストパターンまたは計測構成に対して、前記光分布を修正し、最適強度分布を特定するステップをさらに含む、請求項9に記載の角度分解反射率測定方法。
- 前記処理ユニットが、前記合成画像内のスペックルを、集合瞳内の光分布の前記複数の瞳像を使用して低減するようにさらに構成された、請求項1に記載の角度分解反射率計。
- 前記コヒーレント照明源がレーザである、請求項1に記載の角度分解反射率計。
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Families Citing this family (25)
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EP2865003A1 (en) | 2012-06-26 | 2015-04-29 | Kla-Tencor Corporation | Scanning in angle-resolved reflectometry and algorithmically eliminating diffraction from optical metrology |
US9851300B1 (en) | 2014-04-04 | 2017-12-26 | Kla-Tencor Corporation | Decreasing inaccuracy due to non-periodic effects on scatterometric signals |
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WO2015191543A1 (en) * | 2014-06-10 | 2015-12-17 | Applied Materials Israel, Ltd. | Scanning an object using multiple mechanical stages |
KR102607646B1 (ko) * | 2015-05-19 | 2023-11-29 | 케이엘에이 코포레이션 | 오버레이 측정을 위한 지형 위상 제어 |
NL2017505A (en) * | 2015-10-09 | 2017-04-11 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for inspection and metrology |
CN108701625B (zh) * | 2016-02-24 | 2023-07-14 | 科磊股份有限公司 | 光学计量的准确度提升 |
CN109414292A (zh) | 2016-05-05 | 2019-03-01 | 爱克斯莫医疗有限公司 | 用于切除和/或消融不需要的组织的装置和方法 |
KR101971272B1 (ko) | 2016-06-02 | 2019-08-27 | 주식회사 더웨이브톡 | 패턴 구조물 검사 장치 및 검사 방법 |
EP3467483B1 (en) * | 2016-06-02 | 2023-09-20 | The Wave Talk, Inc. | Pattern structure inspection device and inspection method |
EP3318927A1 (en) * | 2016-11-04 | 2018-05-09 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus for measuring a parameter of a lithographic process, computer program products for implementing such methods & apparatus |
KR102650388B1 (ko) * | 2016-11-23 | 2024-03-25 | 삼성전자주식회사 | 검사 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
TWI649635B (zh) * | 2017-01-24 | 2019-02-01 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 層疊誤差測量裝置及方法 |
US10732516B2 (en) * | 2017-03-01 | 2020-08-04 | Kla Tencor Corporation | Process robust overlay metrology based on optical scatterometry |
JP6942555B2 (ja) * | 2017-08-03 | 2021-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
US11378451B2 (en) | 2017-08-07 | 2022-07-05 | Kla Corporation | Bandgap measurements of patterned film stacks using spectroscopic metrology |
US11156846B2 (en) | 2019-04-19 | 2021-10-26 | Kla Corporation | High-brightness illumination source for optical metrology |
DE102019215972A1 (de) * | 2019-10-17 | 2021-04-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Messung einer Reflektivität eines Objekts für Messlicht sowie Metrologiesystem zur Durchführung des Verfahrens |
WO2021110391A1 (en) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Alignment method |
WO2022051551A1 (en) * | 2020-09-02 | 2022-03-10 | Applied Materials Israel Ltd. | Multi-perspective wafer analysis |
WO2022122560A1 (en) * | 2020-12-08 | 2022-06-16 | Asml Netherlands B.V. | Metrology system and coherence adjusters |
US12085385B2 (en) * | 2021-10-06 | 2024-09-10 | Kla Corporation | Design-assisted large field of view metrology |
US12038322B2 (en) | 2022-06-21 | 2024-07-16 | Eximo Medical Ltd. | Devices and methods for testing ablation systems |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005538359A (ja) | 2002-09-09 | 2005-12-15 | ザイゴ コーポレーション | 薄膜構造の特性評価を含む、偏光解析、反射光測定および散乱光測定のための干渉計法 |
JP2007515768A (ja) | 2003-09-26 | 2007-06-14 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ照明方法及びその方法を実行するための投影照明系 |
US20080088849A1 (en) | 2005-01-20 | 2008-04-17 | Zygo Corporation | Interferometry for determining characteristics of an object surface, with spatially coherent illumination |
US20080293166A1 (en) | 2007-05-25 | 2008-11-27 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser processing of light reflective multilayer target structure |
JP2009527770A (ja) | 2006-02-24 | 2009-07-30 | ザ ジェネラル ホスピタル コーポレイション | 角度分解型のフーリエドメイン光干渉断層撮影法を遂行する方法及びシステム |
JP2009204621A (ja) | 2004-08-16 | 2009-09-10 | Asml Netherlands Bv | 角度分解した分光リソグラフィの特徴付けの方法および装置 |
WO2011028807A2 (en) | 2009-09-03 | 2011-03-10 | Kla-Tencor Corporation | Metrology systems and methods |
JP2012037310A (ja) | 2010-08-05 | 2012-02-23 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路の故障解析装置及び故障解析方法 |
JP2012083621A (ja) | 2010-10-13 | 2012-04-26 | Olympus Corp | 走査型レーザ顕微鏡 |
Family Cites Families (76)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6288780B1 (en) * | 1995-06-06 | 2001-09-11 | Kla-Tencor Technologies Corp. | High throughput brightfield/darkfield wafer inspection system using advanced optical techniques |
US6023338A (en) * | 1996-07-12 | 2000-02-08 | Bareket; Noah | Overlay alignment measurement of wafers |
JPH10253889A (ja) * | 1997-03-13 | 1998-09-25 | Olympus Optical Co Ltd | 走査型顕微鏡装置 |
US6370422B1 (en) * | 1998-03-19 | 2002-04-09 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Fiber-optic confocal imaging apparatus and methods of use |
US6151127A (en) * | 1998-05-28 | 2000-11-21 | The General Hospital Corporation | Confocal microscopy |
US6496468B2 (en) * | 1998-05-29 | 2002-12-17 | Terastor Corp. | Beam focusing in near-field optical recording and reading |
US6800859B1 (en) * | 1998-12-28 | 2004-10-05 | Hitachi, Ltd. | Method and equipment for detecting pattern defect |
US6512385B1 (en) * | 1999-07-26 | 2003-01-28 | Paul Pfaff | Method for testing a device under test including the interference of two beams |
JP4009409B2 (ja) * | 1999-10-29 | 2007-11-14 | 株式会社日立製作所 | パターン欠陥検査方法及びその装置 |
US7049633B2 (en) * | 1999-12-10 | 2006-05-23 | Tokyo Electron Limited | Method of measuring meso-scale structures on wafers |
US7317531B2 (en) | 2002-12-05 | 2008-01-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
US7541201B2 (en) * | 2000-08-30 | 2009-06-02 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry |
US6917433B2 (en) | 2000-09-20 | 2005-07-12 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a property of a specimen prior to, during, or subsequent to an etch process |
US7115858B1 (en) * | 2000-09-25 | 2006-10-03 | Nanometrics Incorporated | Apparatus and method for the measurement of diffracting structures |
US20030002043A1 (en) * | 2001-04-10 | 2003-01-02 | Kla-Tencor Corporation | Periodic patterns and technique to control misalignment |
DE10146944A1 (de) * | 2001-09-24 | 2003-04-10 | Zeiss Carl Jena Gmbh | Meßanordnung |
US6958814B2 (en) * | 2002-03-01 | 2005-10-25 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for measuring a property of a layer in a multilayered structure |
US6792328B2 (en) | 2002-03-29 | 2004-09-14 | Timbre Technologies, Inc. | Metrology diffraction signal adaptation for tool-to-tool matching |
US7170604B2 (en) | 2002-07-03 | 2007-01-30 | Tokyo Electron Limited | Overlay metrology method and apparatus using more than one grating per measurement direction |
US7046376B2 (en) | 2002-07-05 | 2006-05-16 | Therma-Wave, Inc. | Overlay targets with isolated, critical-dimension features and apparatus to measure overlay |
SG152898A1 (en) | 2002-09-20 | 2009-06-29 | Asml Netherlands Bv | Alignment systems and methods for lithographic systems |
JP2004166151A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像データ作成方法および装置 |
US7525659B2 (en) * | 2003-01-15 | 2009-04-28 | Negevtech Ltd. | System for detection of water defects |
US20040227944A1 (en) * | 2003-02-28 | 2004-11-18 | Nikon Corporation | Mark position detection apparatus |
US7324214B2 (en) * | 2003-03-06 | 2008-01-29 | Zygo Corporation | Interferometer and method for measuring characteristics of optically unresolved surface features |
JP4209709B2 (ja) * | 2003-03-20 | 2009-01-14 | 株式会社キーエンス | 変位計 |
US7420675B2 (en) | 2003-06-25 | 2008-09-02 | The University Of Akron | Multi-wavelength imaging system |
JP4074867B2 (ja) | 2003-11-04 | 2008-04-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 第1及び第2位置合せマークの相対位置を計測する方法及び装置 |
US7417743B2 (en) * | 2004-03-15 | 2008-08-26 | Zygo Corporation | Interferometry systems and methods |
US7081957B2 (en) | 2004-04-08 | 2006-07-25 | Therma-Wave, Inc. | Aperture to reduce sensitivity to sample tilt in small spotsize reflectometers |
DE102004034960A1 (de) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Carl Zeiss Jena Gmbh | Korrektur-Vorrichtung für eine optische Anordnung und konfokales Mikroskop mit einer solchen Vorrichtung |
WO2006023612A2 (en) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Zetetic Institute | Sub-nanometer overlay, critical dimension, and lithography tool projection optic metrology systems based on measurement of exposure induced changes in photoresist on wafers |
EP1640706A1 (en) | 2004-09-22 | 2006-03-29 | Eldim Sa | Wavelength and incidence angle resolved ellipsometer or reflectometer |
US20060164649A1 (en) * | 2005-01-24 | 2006-07-27 | Eliezer Rosengaus | Multi-spectral techniques for defocus detection |
US7528953B2 (en) | 2005-03-01 | 2009-05-05 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Target acquisition and overlay metrology based on two diffracted orders imaging |
US7161667B2 (en) * | 2005-05-06 | 2007-01-09 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Wafer edge inspection |
US7433034B1 (en) * | 2005-06-17 | 2008-10-07 | Nanometrics Incorporated | Darkfield defect inspection with spectral contents |
JP4843679B2 (ja) * | 2005-10-28 | 2011-12-21 | カール ツァイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 荷電粒子ビーム曝露システム |
US20070121090A1 (en) | 2005-11-30 | 2007-05-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7523021B2 (en) | 2006-03-08 | 2009-04-21 | Tokyo Electron Limited | Weighting function to enhance measured diffraction signals in optical metrology |
US7528941B2 (en) | 2006-06-01 | 2009-05-05 | Kla-Tencor Technolgies Corporation | Order selected overlay metrology |
US7664608B2 (en) * | 2006-07-14 | 2010-02-16 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspection method and apparatus |
US7643666B2 (en) | 2006-08-08 | 2010-01-05 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
US7428044B2 (en) | 2006-11-16 | 2008-09-23 | Tokyo Electron Limited | Drift compensation for an optical metrology tool |
US20080135774A1 (en) * | 2006-12-08 | 2008-06-12 | Asml Netherlands B.V. | Scatterometer, a lithographic apparatus and a focus analysis method |
WO2008080127A2 (en) * | 2006-12-22 | 2008-07-03 | Zygo Corporation | Apparatus and method for measuring characteristics of surface features |
WO2008152802A1 (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-18 | Nikon Corporation | 共焦点顕微鏡装置 |
NL1035986A1 (nl) * | 2007-09-28 | 2009-03-31 | Asml Holding Nv | Controlling fluctuations in pointing, positioning, size or divergence errors of a beam of light for an optical apparatus. |
WO2009046137A1 (en) * | 2007-10-02 | 2009-04-09 | Kla-Tencor Corporation | Optical imaging system with catoptric objective; broadband objective with mirror; and refractive lenses and broadband optical imaging system having two or more imaging paths |
JP2009122660A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-06-04 | Panasonic Corp | 画像表示装置 |
WO2009063295A1 (en) * | 2007-11-12 | 2009-05-22 | Micronic Laser Systems Ab | Methods and apparatuses for detecting pattern errors |
NL1036245A1 (nl) | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology. |
US8115992B2 (en) * | 2007-12-31 | 2012-02-14 | Stc.Unm | Structural illumination and evanescent coupling for the extension of imaging interferometric microscopy |
NL1036468A1 (nl) * | 2008-02-27 | 2009-08-31 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
US8194301B2 (en) * | 2008-03-04 | 2012-06-05 | Kla-Tencor Corporation | Multi-spot scanning system and method |
JP2009253209A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
NL1036702A1 (nl) | 2008-04-15 | 2009-10-19 | Asml Holding Nv | Diffraction elements for alignment targets. |
NL1036856A1 (nl) * | 2008-04-24 | 2009-10-27 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
US7986412B2 (en) * | 2008-06-03 | 2011-07-26 | Jzw Llc | Interferometric defect detection and classification |
US7990534B2 (en) | 2008-07-08 | 2011-08-02 | Tokyo Electron Limited | System and method for azimuth angle calibration |
US8930156B2 (en) * | 2008-07-21 | 2015-01-06 | Kla-Tencor Corporation | Metrology through use of feed forward feed sideways and measurement cell re-use |
US9080991B2 (en) * | 2008-09-29 | 2015-07-14 | Kla-Tencor Corp. | Illuminating a specimen for metrology or inspection |
JP5284481B2 (ja) * | 2008-11-07 | 2013-09-11 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | スキャトロメータおよびリソグラフィ装置 |
US8120781B2 (en) * | 2008-11-26 | 2012-02-21 | Zygo Corporation | Interferometric systems and methods featuring spectral analysis of unevenly sampled data |
JP5214538B2 (ja) * | 2009-05-25 | 2013-06-19 | オリンパス株式会社 | 画像取得装置、画像合成方法、及び顕微鏡システム |
US9164397B2 (en) * | 2010-08-03 | 2015-10-20 | Kla-Tencor Corporation | Optics symmetrization for metrology |
NL2008414A (en) * | 2011-03-21 | 2012-09-24 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for determining structure parameters of microstructures. |
US8681413B2 (en) * | 2011-06-27 | 2014-03-25 | Kla-Tencor Corporation | Illumination control |
CN103748515A (zh) | 2011-08-23 | 2014-04-23 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法和设备以及器件制造方法 |
US9228943B2 (en) | 2011-10-27 | 2016-01-05 | Kla-Tencor Corporation | Dynamically adjustable semiconductor metrology system |
US8982358B2 (en) * | 2012-01-17 | 2015-03-17 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and method of measuring roughness and other parameters of a structure |
CN105549341A (zh) | 2012-02-21 | 2016-05-04 | Asml荷兰有限公司 | 检查设备和方法 |
US8817273B2 (en) | 2012-04-24 | 2014-08-26 | Nanometrics Incorporated | Dark field diffraction based overlay |
EP2865003A1 (en) | 2012-06-26 | 2015-04-29 | Kla-Tencor Corporation | Scanning in angle-resolved reflectometry and algorithmically eliminating diffraction from optical metrology |
US9093458B2 (en) * | 2012-09-06 | 2015-07-28 | Kla-Tencor Corporation | Device correlated metrology (DCM) for OVL with embedded SEM structure overlay targets |
US9217717B2 (en) * | 2012-12-17 | 2015-12-22 | Kla-Tencor Corporation | Two dimensional optical detector with multiple shift registers |
-
2013
- 2013-06-25 EP EP13808673.1A patent/EP2865003A1/en not_active Withdrawn
- 2013-06-25 KR KR1020157002125A patent/KR102231730B1/ko active IP Right Grant
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- 2013-06-25 JP JP2015520409A patent/JP6353831B2/ja active Active
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- 2013-06-26 TW TW102122770A patent/TWI629448B/zh active
- 2013-06-26 TW TW102122771A patent/TWI609169B/zh active
-
2014
- 2014-12-23 US US14/581,719 patent/US9958385B2/en active Active
-
2017
- 2017-12-13 US US15/841,219 patent/US10126238B2/en active Active
-
2018
- 2018-06-11 JP JP2018111107A patent/JP6628835B2/ja active Active
- 2018-11-12 US US16/188,218 patent/US10533940B2/en active Active
-
2019
- 2019-12-03 JP JP2019219052A patent/JP7046898B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005538359A (ja) | 2002-09-09 | 2005-12-15 | ザイゴ コーポレーション | 薄膜構造の特性評価を含む、偏光解析、反射光測定および散乱光測定のための干渉計法 |
JP2007515768A (ja) | 2003-09-26 | 2007-06-14 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ照明方法及びその方法を実行するための投影照明系 |
JP2009204621A (ja) | 2004-08-16 | 2009-09-10 | Asml Netherlands Bv | 角度分解した分光リソグラフィの特徴付けの方法および装置 |
US20080088849A1 (en) | 2005-01-20 | 2008-04-17 | Zygo Corporation | Interferometry for determining characteristics of an object surface, with spatially coherent illumination |
JP2009527770A (ja) | 2006-02-24 | 2009-07-30 | ザ ジェネラル ホスピタル コーポレイション | 角度分解型のフーリエドメイン光干渉断層撮影法を遂行する方法及びシステム |
US20080293166A1 (en) | 2007-05-25 | 2008-11-27 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser processing of light reflective multilayer target structure |
WO2011028807A2 (en) | 2009-09-03 | 2011-03-10 | Kla-Tencor Corporation | Metrology systems and methods |
JP2012037310A (ja) | 2010-08-05 | 2012-02-23 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路の故障解析装置及び故障解析方法 |
JP2012083621A (ja) | 2010-10-13 | 2012-04-26 | Olympus Corp | 走査型レーザ顕微鏡 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
黒田和男,レーザースペックルノイズ,レーザー研究,39巻6号,2011年06月15日,pp.390-394 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2865003A1 (en) | 2015-04-29 |
TWI609169B (zh) | 2017-12-21 |
US10533940B2 (en) | 2020-01-14 |
KR20210080592A (ko) | 2021-06-30 |
JP6628835B2 (ja) | 2020-01-15 |
US20190094142A1 (en) | 2019-03-28 |
KR102330741B1 (ko) | 2021-11-23 |
US20180106723A1 (en) | 2018-04-19 |
US10126238B2 (en) | 2018-11-13 |
WO2014004564A1 (en) | 2014-01-03 |
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