JP7046898B2 - 角度分解反射率測定における走査および回折の光計測からのアルゴリズム的除去 - Google Patents

角度分解反射率測定における走査および回折の光計測からのアルゴリズム的除去 Download PDF

Info

Publication number
JP7046898B2
JP7046898B2 JP2019219052A JP2019219052A JP7046898B2 JP 7046898 B2 JP7046898 B2 JP 7046898B2 JP 2019219052 A JP2019219052 A JP 2019219052A JP 2019219052 A JP2019219052 A JP 2019219052A JP 7046898 B2 JP7046898 B2 JP 7046898B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
test pattern
scanning
measurement
pupil
spot
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019219052A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020073888A (ja
Inventor
アムノン マナッセン
アンディ ヒル
ダニエル カンデル
イラン セラ
オハッド バッシャール
バラク ブリンゴルツ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KLA Corp
Original Assignee
KLA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KLA Corp filed Critical KLA Corp
Publication of JP2020073888A publication Critical patent/JP2020073888A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7046898B2 publication Critical patent/JP7046898B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B9/00Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
    • G01B9/02Interferometers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/55Specular reflectivity
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06Illumination; Optics
    • G01N2201/061Sources
    • G01N2201/06113Coherent sources; lasers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/10Scanning
    • G01N2201/104Mechano-optical scan, i.e. object and beam moving

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Description

関連出願の相互参照
本出願は、参照によってその全体が本明細書に組み込まれる、2012年6月26日に出願された米国仮特許出願第61/664,477号、および2013年2月13日に出願された米国仮特許出願第61/764,435号の利益を主張する。
本発明は、半導体装置における計測および角度分解反射率測定の分野に、より具体的には、開口部回折効果の除去に、および正確性を向上させ、角度分解反射率測定におけるノイズを低減することに関する。
角度分解反射率測定は、ウエハー上に印刷されるテストパターン上の、重ね合わせおよび臨界寸法などのパラメータを測定するために使用される技術である。光錐の焦点をテストパターン上に合せ、パターンの反射率を入射角の関数として瞳像内に収集する。照明瞳内の強度分布に対する、集合瞳内の光の正確な強度分布は、テストパターンパラメータの正確な測定を抽出するのに必要な情報を提供する。
対象サイズが小さくなるにつれて、費用および生産の制約が原因で、角度分解反射率測定を適用することがこれまで以上に困難になっている。テストパターンを構成する特性は、テストパターン全体を通して均一ではない。それらは、エッジラフネス、可変線幅、および側壁膜の傾斜不整合などの欠陥を必ず含む。テストパターン特性内のこれらの欠陥は、反射率計によって収集される光の位相および強度分布を修正する方向に光を散乱させる、または反射させる。
ウエハー光計測ツールは、有限サイズの開口部を視野面内および瞳面内に含む。例えば、図6は、従来技術に係る計測光学系90の高レベル略図である。図6は、ウエハー80の、瞳像センサー94による検査のための光源としての、光ファイバ91を図示する。この特定の略図の例において、光は、照明瞳開口部95A、照明ファイル開口部95B、対物瞳開口部95C、および収集視野開口部95Dの中を通して進む。
これらの開口部は、アポダイズされても、またはされなくてもよく、測定が行われる面に相反な面に設置される際、以下の簡素な目的を有する。検出器(それを視野面内に設置される検出器、または瞳面内に設置される検出器とする)内に到達する光は、計測対象の外部にあり、理想信号の探索を汚染する、散乱および回折素子からの信号を含む。そのような開口絞りの目的の1つは、この汚染光を遮断することである。例えば、信号が瞳面内に収集される際、収集視野絞りと称される、収集アーム上の視野面内に設置される小さい開口部は、光を計測対象の外部近傍から遮断する。
米国特許出願公開第2008/0293166号
開口部が小さくなるにつれて、(視野内または瞳面内で行われる)フィルタリングはより制限的になり、上述の汚染光はより効率的な方法で除去される。しかしながら、これは、回折を犠牲にする。特に、開口部サイズが放射の空間的コヒーレンス長に接近する際、開口部エッジから外れた回折は、信号を相当量修正し、計測性能に影響を与える。それにも関わらず、従来技術の方法は、視野絞りからの回折を、スポットサイズを縮小すること(例えば、照明内で行われる瞳アポダイゼーションの手段によって達成される)、および/または視野絞りサイズまたは形状、および収集検出器内の対応する司法的に選択された領域を選択することによって抑圧し、回折効果を小さくする(これは、より大きいスポット信号が検出器の特定の領域上で発生する場合にも当てはまり得る)。
本発明の一態様は、コヒーレント光源と、集合瞳内の光分布の複数の実現をもたらすために、対象パターンを、光源からのコヒーレント光のスポットを使用して走査するように配置された光学系であって、スポットが対象パターンの一部を覆い、走査が走査パターンに従って行われる、光学系と、集合瞳分布の合成画像を、集合瞳内の光分布の複数の実現を結合することによって発生させるように配置された処理ユニットと、を備える、角度分解反射率計を提供する。
本発明の一態様は、少なくとも1つの測定パラメータの、計測システム内の少なくとも1つの開口部のサイズに対する機能的依存性を定量的に推定することと、少なくとも1つの開口部のサイズに関連する、機能的依存性の少なくとも1つの回折成分を特定することと、少なくとも1つの特定された回折成分から、少なくとも1つの測定パラメータのための、計測条件に対する補正項を導出することであって、計測条件が、少なくとも1つの測定パラメータにおける回折誤差を発生させる、少なくとも1つの開口部の指定のサイズを含む、導出することと、回折誤差を、導出された補正項を少なくとも1つの測定パラメータに適用することによって計算的に相殺することと、を含む方法を提供する。
本発明の、これらの追加の、および/または他の態様、および/または利点は、後続する発明を実施するための形態において説明される、発明を実施するための形態から推測可能である、および/または本発明の実行によって知ることができる。
本発明の実施形態のより良い理解のため、およびそれがどのように実行されるのかを示すため、類似の数字が全体を通して対応する要素または部分を指定する、添付の図面への参照が、ここで純粋に例示の目的でなされる。
本発明のいくつかの実施形態に係る、光走査を有する角度分解反射率計を図示する高レベル略図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る、走査パターンを実装する角度分解反射率計を図示する高レベル略図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る、相違サイズおよび濃度を有する走査パターンを図示する高レベル略図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る、走査角度分解反射率計の様々なパラメータおよび制御変数を図示する高レベル略ブロック図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る、角度分解反射率測定方法を図示する高レベル略流れ図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る、角度分解反射率測定方法を図示する高レベル略流れ図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る、角度分解反射率測定方法を図示する高レベル略流れ図である。 従来技術の図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る、システム内の開口部サイズの「数値」と称される、いくつかの測定可能な変数の全体的な依存関係の高レベル略図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る、回折を光計測からアルゴリズム的に除去する方法を図示する高レベル略流れ図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る、回折を光計測からアルゴリズム的に除去する方法を図示する高レベル略流れ図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る、計測システムを図示する高レベル略ブロック図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る、散乱計測重ね合わせ測定における不正確性が、収集視野絞りのサイズに依存し得る方法の例を図示する略図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る、散乱計測重ね合わせ測定における不正確性が、実際の重ね合わせの2つの異なる値のための収集視野絞りのサイズに依存する方法の例を図示する略図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る、第1の種類の較正を使用する補正方法が、重ね合わせ測定誤差を低減する方法の例を図示する略図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る、第2の種類の較正を使用する補正方法が、重ね合わせ測定誤差を低減する方法の例を図示する略図である。
発明を実施するための形態を説明する前に、以下で使用される特定の用語の定義を説明することが有用であり得る。
本出願において本明細書で使用される「対象」または「計測対象」という用語は、計測の必要性のために使用される任意の構造に言及する。対象は、リソグラフィー工程における任意の層の一部であってもよく、対象は、異なる構造を、同一の層上または異なる層上に含んでもよい。
本出願において本明細書で使用される「スペックルパターン」または「スペックル」という用語は、少なくとも2つの波面の干渉によって生産される光信号の強度パターンに、および一般的には波面をセンサー面で干渉することから生じる測定誤差の原因に言及する。
ここで特に図面を詳細に参照すると、示される項目は、例示の目的および本発明の好適な実施形態の例示的な考察の目的のみのためであり、発明の原理および概念的態様の最も有益および容易に理解される記載であると思われるものを提供するために提示される、ということが強調される。この点において、発明の構造的詳細を、必要以上に詳細に発明の基本的な理解のために示すための試みはなされず、図面と共に解釈される記載は、当業者に、発明のいくつかの形態がどのように実際に実施されるのかを明白にする。
発明の少なくとも1つの実施形態を詳細に説明する前に、発明は、その出願において、以下の記載内で説明される、または図面内に図示される構造の詳細および要素の配置に限定されないことが理解されるものとする。発明は、他の実施形態に適用可能である、または様々な方法で実行される、または行われる。また、本明細書で用いられる表現および専門用語は、記載の目的のためであり、限定的なものとして見なされるべきではないことが理解されるものとする。
図1は、本発明のいくつかの実施形態に係る、光走査を有する角度分解反射率計120を図示する高レベル略図である。図2は、本発明のいくつかの実施形態に係る、走査パターン128を実装する角度分解反射率計120を図示する高レベル略図である。
発明の実施形態は、コヒーレント光源86と、検出器87で集合瞳内の光分布の複数の実現(すなわち、瞳像)をもたらすために、対象パターン82を、光源86からのコヒーレント光のスポット83を使用して走査するように配置された光学系125と、を備える角度分解反射率計120を備える。実施形態において、集合瞳内の光分布の実現間の相違点は、実現を比較することによって特定され、除去され得る、スペックルおよびノイズの結果である。スポット83は対象パターン82の一部を覆い、走査は走査パターン128(以下図3を参照されたい)に従って行われる。走査は、対象パターン82を、光学系125の対物レンズ89に対して移動させることによって機械的に行われてもよく(例えば、対物レンズ89を対象82を有するウエハー80に対して移動させることによって、またはウエハー80を対物レンズ89に対して移動させることによって)、または走査は、照明スポットの光線路を変更することによって光学的に行われてもよい(以下を参照されたい)。反射率計120は、集合瞳分布の合成画像を、集合瞳内の光分布の複数の実現(すなわち、瞳像)を結合することによって発生させるように配置された処理ユニット130をさらに備える。例えば、集合瞳は、対物レンズ89の瞳であり得る。
実施形態において、反射率計120は、空間的コヒーレント照明の焦点を、空間的インコヒーレント照明を使用して達成可能なものよりも小さいスポットに合わせる。角度分解反射率計120は、空間的コヒーレント照明を利用することによって、空間的インコヒーレント照明を使用する反射率計120と比較して、より小さいテストパターンを支持し得る。コヒーレント光源86は、角度分解反射率計120に十分な照明を提供する、明るい空間的コヒーレント照明を発生させることが可能なレーザー源を備え得る。そのような照明は、空間的インコヒーレント光源の不十分な明度から生じる高レベルのショットノイズを回避する。
図3は、本発明のいくつかの実施形態に係る、相違サイズおよび濃度を有する走査パターン128を図示する高レベル略図である。例えば、図3は、左側に、比較的高濃度であり比較的低いノイズをもたらすが、最長の測定時間がかかる、走査パターン128Aを図示する。図3は、右側に、比較的低濃度であり、小さく、比較的高いノイズをもたらすが、最短の測定時間がかかる、走査パターン128Cを図示する。走査パターン128Bは、サイズ、ノイズのレベル、および走査継続時間に関して、128Aと128Cとの中間である。
実施形態において、走査パターン128およびスポット83のパラメータは、測定されるパラメータを最適化し、テストパターン特性内の欠陥から生じる誤差を低減するように構成され得る。走査パターン128およびスポット83のパラメータを調節することは、操作前に較正手順として、または測定中に動的測定手順として行われ得る。
そのような誤差の影響は、テストパターン82のより大きい領域をより大きいスポット83で照明し、反射光をこのより大きい領域から捕捉することによって低減され得る。このような方法で、対象82内の欠陥の影響は平均化によって低減される。空間的コヒーレント照明を使用することは、テストパターン82上の比較的小さいスポット83のみを照明することをもたらすが、ウエハー80を集光スポット83に対して移動させることは、テストパターン82のより大きい領域が照明されることを可能にする。ウエハー走査は、システムセンサーが瞳内の光分布の1つの像を捕捉するのにかかる時間中に行われてもよく、または連続する像は対象の異なる領域が照明されるにつれて捕捉されてもよい。連続する像が捕捉される際、それらは、瞳内の光分布の平均像を示すために結合され得る。スポット83を対象82に移動するためにウエハー80を移転することは、可能な一実装である。類似の実装は、集光スポット83がテストパターン82上に移転するように、対物レンズ89を対象82およびウエハー80に対して移転することからなるであろう。
図1は、走査が機械的によりもむしろ光学的に(すなわち、レンズ89および対象82の物理的相対移動なしに)行われる、実施形態を図示する。この例において、光走査は、光学系125内の可倒式ミラー129(光走査の非限定的な例として)を傾斜させることによって行われてもよく、これにより、以下に説明されるように光路内のスペックル誤差を低減する。
空間的コヒーレント光線が光学系125を通して伝搬する際、光成分内の欠陥によって散乱する光は、(光源86からの)元の光線と共に追加のコヒーレント波面として伝搬する。(検出器87の)センサーで、元の光線は、像内にスペックルを発生させるために散乱した波面に干渉する。位置および元の光線の向きにおける小さい変更は、結果として生じるスペックルパターンが元のスペックルパターンと全体的にまたは部分的に非相関化されるように、散乱した波面の相対的な位置および角度を十分に変更し得る。元の光線におけるこの同一の動作は、十分に小さくあり得るため、撮像センサーでのその特徴が本質的に変化しない。理論によって拘束されることを望むものではないが、多くのスペックルパターンが撮像センサー87の取得時間内に発生する際、像内の残余スペックルの大きさは、多くの非相関化スペックルパターンの平均化によって低減する。像の連続を異なる光線指向および非相関化スペックルパターンによってそれぞれ取得することもまた可能である。これらの連続する像は、像内の残余スペックルの大きさを低減することの結果として生じる効果によって平均化され得る。空間的コヒーレント光線の位置を徐々に変更し、結果として生じる像を合計することは、像の空間的コヒーレンスを縮小する一般的な効果を有する。
実施形態において、空間的コヒーレント光線の位置および角度は、ピエゾ駆動走査ミラー、共振スキャナ、回転多面スキャナ、回転ホログラフィックスキャナ、または音響光学偏向器などの走査光成分129を使用して修正され得る。システム120は、それが瞳面を動くように空間的コヒーレント光線を制御可能に走査する、それが視野面を動くように光線を走査する、またはそれが瞳および視野面の両方内を動くように光線を走査し得る。角度分解反射率計120において、安定した、低ノイズの光線分布を瞳面内に有することが重要である。このため、光線位置を瞳面内で本質的に静止させ、光線位置を視野面内で走査する動作は、好適な一実装である。
図4は、本発明のいくつかの実施形態に係る、走査角度分解反射率計120の様々なパラメータおよび制御変数を図示する高レベル略ブロック図である。図4は、反射率計125のコヒーレント光源86、検出器87、および対物レンズ89、ならびに、以下に説明されるように、機械走査122(対物レンズ89およびウエハー80の対象82に対する相対並進運動)および光走査127に関連するパラメータおよび特徴を概略的に図示する。反射率計120は、(以上および以下に説明されるように)走査パターン128を制御し、以下に説明されるように、機械および光走査122、127、およびそれらの間の相互関係を制御し、調整するように配置された制御ユニット140、を備え得る。反射率計120は、検出器87からの像を処理し、測定および統合された像を処理された像から発生させ、それらが取り込まれ、処理される際の、像の異なる特性に関するフィードバックを制御ユニット140にさらに提供するように配置された処理ユニット130を備え得る。以下に説明されるように、そのようなフィードバックは、さらなるノイズ低減を、機械および光走査122、127のウィーザーまたは両方の追加の操作によって可能にする。
実施形態において、走査対象82は、対象82上の静止スポット位置83からの集合瞳内の光分布の複数の実現をもたらすために、同期式光およびウエハー(機械的)走査によって行われ得る。実現は、それらが保有し、したがって除去され得るスペックルにおいて互いに異なり得る。処理ユニット130は、像内のスペックルを、静止スポット位置からの集合瞳内の光分布の実現を使用して低減するようにさらに配置され得る。光線を光学系125によって走査することは、最終像内のスペックルを、多くの非相関化スペックル像を発生させ、平均化することによって低減するために利用され得るが、同時に集光スポット83はテストパターン82のより大きい領域上を走査する。これは、より多くの貴重な領域をウエハー80上で消費する、より大きいテストパターン82を要求するという潜在的悪影響を有する。光走査127およびウエハー走査122を結合することによって、反射率計120は、像内のスペックルを低減するように構成されることができ、スポット83は、テストパターン82上に、ウエハー走査122および光走査127を制御ユニット140によって正確に同期させることによって、静止させられ得る。
実施形態において、走査対象82は、制御可能に非同期式の機械および光走査によって行われ得る。処理ユニット130は、像内のスペックルを、光走査127を使用して低減し、テストパターンの欠陥によって導出される誤差を、機械走査122を使用して低減するようにさらに配置され得る。光走査127およびウエハー走査122は、空間的コヒーレント光線を光125によって走査し、それをテストパターン82上に静止させるために角度分解反射率計120内で同期し得るが、走査は、意図的に非同期化もされ得る。そのような制御可能非同期化は、テストパターン欠陥の影響を最小化するために照明される、テストパターン82の領域のサイズもまた制御しながら、像内に導出されるスペックルの大きさを低減するために、光線が光125によって走査されることを可能にするために使用され得る。光走査127の大きさは、所望のスペックル低減を達成するために設定されてもよく、ウエハー走査122脱同期化の大きさは、テストパターンの欠陥の所望の平均化を達成するために設定されてもよい。
実施形態において、制御ユニット140は、走査パターン128を、光走査127によって達成されるスペックル低減のレベルと機械走査122によって消費される時間との均衡をとることによって決定するようにさらに配置され得る。特に、走査パターン128は、ノイズ低減と測定時間との均衡をとるように最適化され得る。所与のテストパターン82に対して、反射率計120は、特性欠陥の影響を、その領域内で最大の可能な領域および最多の可能な点上を走査することによって最小化するように配置され得る。反射率計120は、最大の光スペックル低減を、光学系125内の最大の可能な範囲上を走査することによって、および走査範囲内の最多の可能な点上を走査することによって、達成するようにもまた配置され得る。しかしながら、ウエハー80を移転することか、または走査127(例えば、光成分129によって)かのいずれかから生じる、大きく、高濃度の走査パターン128A(例えば、図3、左に)は、実行するのに比較的長時間を要求し得る。半導体計測ツールが、測定を行うために可能な限り短い時間をかけることが好適である。短い測定時間は、ツールウエハースループットを増加させ、その所有費用を低下させる。直接的なトレードオフが、走査範囲と測定時間との間に存在する。
実施形態において、反射率計120は、機械走査122および光走査127を実行するための動的にプログラムされた走査成分を備え得る。制御ユニット140は、ノイズ、誤差、およびスペックル低減を、測定継続時間および正確性などの操作可能なパラメータによって最適化するために、動的にプログラムされた走査成分を制御するように配置され得る。
動的にプログラム可能な走査成分の例は、ウエハーステージおよび傾斜ミラーを含む。これらは、それらの走査範囲およびパターンを設定するために、動的にプログラムされ得る。これは、走査範囲および濃度を介したノイズ低減と測定速度との間の特定のシステムの均衡を修正するための選択肢を提供する。したがって、反射率計120は、より低い正確性の結果ではあるが、より速いウエハースループットで生産する短時間走査(例えば、パターン128Cと類似する)のために構成され、その後より高い正確性の結果をより遅いウエハースループットで生産する、長時間走査(例えば、パターン128Aによって図示される)のために修正され得る。全体的なパターン128A-Cは、制御ユニット140によって動的に制御され得る、測定正確性および測定継続時間において変動する。
実施形態において、反射率計120は、テストパターンおよび光ノイズの知的低減のために、プログラムされた走査パターン128を実装し、利用し得る。例えば、テストパターン82の特定の領域が、他の領域より多くの測定ノイズを導出するという例が存在し得る。実施形態において、反射率計120の処理ユニット130は、テストパターン82の高ノイズ領域を特定するように配置され得る。実施形態において、反射率計120の制御ユニット140は、特定された高ノイズ領域を走査パターン82から除去するように配置され得る。別の例において、光走査パターン128内の特定の領域は、光走査内の他の領域より多くのノイズを導出し得る。実施形態において、反射率計120の処理ユニット130は、光走査127内の高ノイズ領域を特定するように配置され得る。実施形態において、反射率計120の制御ユニット140は、特定された高ノイズ領域を光走査127中に回避するように配置され得る。
実施形態において、反射率計120は、テストパターン82および光走査127のこれらの高ノイズ領域を、訓練モード中に特定するように配置され得る。テスト走査パターン128、機械走査122、および/または光走査127は、その後これらの高ノイズ領域を実際の測定中に回避するように定義され得る。この原理は、ウエハー走査122のみ、光走査127のみ、またはウエハーおよび光走査122、127の組み合わせに適用され得る。
実施形態において、走査パターン128は、指定の強度分布を走査位置の関数としてさらに含み得る。指定の強度分布は、機械走査122、および/または光走査127内に実装され得る。例えば、指定の強度分布は、ガウス分布のように、対照だが不均一であり得る。指定の強度分布は、走査パターン128の形状関数(例えば、円形、長方形など)および/または走査パターン128のプロファイル関数(例えば、ガウス、または任意の他の対称な分布)を備え得る。強度分布は、以上に記載される高ノイズ領域の特定に関して、または無関係に、計測正確性を増加させるために使用され得る。
実施形態において、処理ユニット130は、合成画像の発生を、加重平均を集合瞳内の光分布の実現に適用することによって行うようにさらに配置されてもよく、各実現は、異なる光および/または機械走査位置を反映する。加重は、走査パターン128の指定の強度分布に従って決定されてもよく、例えば、加重は、強度分布の任意の部分を向上させてもよい。したがって、走査点ごとに取得される個々の計測結果は、集合瞳構造の単純な強度平均ではないが、より正確および反復可能な計測結果をもたらす、分析に結合され得る。加重平均および加重パラメータは、計測結果を最適化するために選択され得る。
実施形態において、処理ユニット130は、加重を、スポット83の位置に対する計測感度などの少なくとも1つの計測基準に従って適合させるためにさらに配置され得る。
実施形態において、制御ユニット140は、強度分布(形状および関数)を、特定のテストパターン82に、特定の測定スタックに、または計測構成に従って特定する、または最適化するために、走査パターン128の指定の強度分布を制御する、または修正するために配置され得る。例えば、異なる強度分布が、訓練モード中に適用されてもよく、処理ユニット130の測定結果が、スポット83の最適な強度分布を特定するために比較されてもよい。
図5は、本発明のいくつかの実施形態に係る、角度分解反射率測定方法200を図示する高レベル略流れ図である。方法200は、集合瞳内の光分布の複数の実現をもたらすために、対象パターンを、コヒーレント光のスポットを使用して走査すること(段階210)、および集合瞳分布の合成画像を、複数の集合瞳像を結合させることによって発生させること(段階270)、を含む。実施形態において、走査210は、対象パターンの一部をコヒーレントスポットによって覆うこと(段階212)、および/または対象パターンを走査パターンに従って走査すること(段階214)、を含み得る。
実施形態において、方法200は、例えば、対物レンズをウエハーに対して移動させること(段階222)、またはウエハーを対物レンズに対して移動させること(段階224)によって、走査を機械的に行うこと(段階220)を含み得る。
実施形態において、方法200は、例えば、対象を光学的に走査するために、可倒式ミラーを、スポットの光路内で傾斜させること(段階232)によって、走査を光学的に行うこと(段階230)を含み得る。
実施形態において、方法200は、対象上の静止スポット位置からの集合瞳内の光分布の複数の実現をもたらすために、機械および光走査を同期すること(段階240)、および像内のスペックルを、静止スポット位置からの集合瞳内の光分布の実現を使用して低減すること(段階242)、を含み得る。あるいは、または相補的に、方法200は、テストパターンの欠陥によって導出されるスペックルならびに誤差を低減するために、非同期式機械および光走査を制御すること(段階245)を含み得る。
一般的に、方法200は、例えば、機械走査および光走査を行う動的にプログラムされた走査成分を制御すること(段階252)によって、対象パターンの機械および光走査を調整すること(段階250)を含み得る。
実施形態において、方法200は、走査パターンを、光走査によって達成されるスペックル低減のレベルと機械走査によって消費される時間との均衡をとることによって決定すること(段階255)を含み得る。他の実施形態において、方法200は、テストパターンの高ノイズ領域を特定すること(段階260)、および特定された高ノイズ領域を走査パターンから除去すること(段階262)、および/または光走査内の高ノイズ領域を特定すること(段階265)、および特定された高ノイズ領域を光走査中に回避すること(段階267)、を含み得る。
実施形態において、コヒーレント光のスポットは、指定の強度分布を有し、方法200は、合成画像の発生を、加重平均を集合瞳内の光分布の実現に適用することによって行うこと(段階280)をさらに含み得る。加重は、走査パターンの指定の強度分布に従って決定され得る(段階285)。実施形態において、方法200は、加重を少なくとも1つの計測基準に従って適合させること(段階287)をさらに含み得る。実施形態において、方法200は、指定の強度分布を修正し、特定のテストパターンまたは計測構成などの測定パラメータに対して最適な強度分布を特定すること(段階290)をさらに含み得る。
有利なことに、反射率計120および方法200は、以下の複数の利益のうちのいずれかを提供し得る。(i)反射率計120および方法200は、空間的コヒーレント照明が、空間的インコヒーレント照明より小さいスポットに焦点を合わせるため、より小さいテストパターン82を可能にし得る。(ii)反射率計120および方法200は、ウエハーを照明スポットに対して像取得中に走査することが、テストパターンの欠陥の影響を平均化によって低減するため、テストパターンの欠陥を低減し得る。(iii)反射率計120および方法200は、光線を光学によって走査することが、スペックルノイズの影響を、多くの非相関化スペックル図を像取得中に平均化することによって低減するため、光ノイズの影響を低減し得る。(iv)反射率計120および方法200は、ウエハーステージ動作を光走査動作と同期することが、スポットを小さいテストパターン上に静止させながら、光学光線が光学によってスペックル低減のために走査されることを可能にし得るため、小さいテストパターン上の光ノイズの低減を可能にし得る。(v)反射率計120および方法200は、ウエハーステージ動作および光走査動作を非同期化することが、任意の光学光線の光学によるスペックル低減のための走査、および対象上の任意のスポットの対象ノイズ低減のための走査、を可能にし得るため、光ノイズ低減およびテストパターンノイズ低減の最適化を可能にし得る。(vi)反射率計120および方法200は、光およびウエハー走査のサイズおよび濃度が、ノイズ低減と測定速度との間のトレードオフをするように修正され得るため、ノイズ低減および測定速度の最適化を可能にし得る。(vii)反射率計120および方法200は、テストパターンおよび光の走査される領域が、高レベルの測定ノイズを導出する領域を回避するように定義され得るため、テストパターンおよび光の高ノイズ領域の回避を可能にし得る。(viii)反射率計120および方法200は、マルチモードファイバの出口のインコヒーレント照明が、テストパターンの意図された領域を均一に照明するため、テストパターンノイズ低減を最小化し得る。
これらの利益は、以上に記載されるものからの、特性の任意のサブグループを組み込み得る、反射率計120および方法200の様々な構造によって達成され得る。反射率計120および方法200の実施形態は、以下の特性のうちのいずれかを結合し得る。(i)試料の実質的空間的コヒーレント照明による照明、(ii)単一のテストパターンの測定の取得中におけるステージ走査の使用、(iii)単一のテストパターンの測定の取得中の光走査の使用、(iv)単一のテストパターンの測定の取得中のステージ走査および光走査の結合、(v)このテストパターンからの測定の取得中に、照明スポットがテストパターン上で静止するように、光走査と同期されたステージ走査、(vi)単一のテストパターンの測定の取得中に、独立走査パターンが、光学を通過する光線中およびテストパターン上のスポット動作中に発生し得るように、制御された方法で光走査と非同期化されたステージ走査、(vii)単一のテストパターンの測定の取得中に、測定ノイズと測定時間との間のトレードオフを最適化するために、走査サイズおよび濃度を調節する能力、(viii)レーザースポットをマルチモードファイバの入口で走査することによる、空間的コヒーレンスの低減。
有利なことに、反射率計120および方法200は、現在の技術の以下の限界を克服する。
ウエハーを処理することは高価であるため、ウエハー領域のうちの可能な限り大部分が機能回路のために用意される必要がある。この目的を達成するために、それらがほとんどウエハー領域を消費しないように、テストパターンを小さくすることが所望である。測定光とテストパターン周囲のウエハー形状との間の相互作用を回避するために、角度分解反射率計内の集光スポットのサイズは、テストパターンよりさらに小さくなくてはならない。最小の可能なスポットは、光の空間的コヒーレント光線の焦点を合わせることによって形成され得る。空間的コヒーレント光線の焦点をテストパターンに合わせる角度分解反射率計は、より小さい集光スポットがより小さいテストパターンを可能にし、機能回路のために利用可能なより大きいウエハー領域を残し得るという点において、より少ない空間的コヒーレント光を使用する反射率計に対する潜在的な競争優位を有する。
テストパターンの測定が、より小さい集光スポットによって行われる際、光分布へのこれらの修正の大きさは、テストパターンパラメータの測定において重大な誤差またはノイズをもたらし得る。テストパターンのうちの可能な限り多くから情報を収集することが可能な角度分解反射率計は、対象欠陥によって導出される測定誤差が、空間的平均化によって最小化され得るという点において、競争優位を有する。
空間的コヒーレント光線が光学系を通して伝搬する際、光成分内の欠陥は、光線のごく一部を散乱させる。この散乱光は、主光線と共に伝搬し、それと干渉して、スペックルを生産する。角度分解反射率計などの光計測システムにおいて、テストパターンに関する情報は、空間的コヒーレント光線の反射強度プロファイル内に包含される。光学系によって作成されたスペックルは、光線強度を予測不可能な方法で変調し、テスト対象パラメータの後続する測定における誤差をもたらし得る。
開示される反射率計120および方法200は、光学系内に発生するスペックルによって導出される測定誤差を同時に最小化しながら、最小の可能なテストパターンを支持するために、ウエハー上の照明領域のサイズを最小化し、ならびにパターン欠陥の影響を最小化するために、必要に応じてテストパターン領域のうちの可能な限り大部分を照明することが可能である。
有利なことに、反射率計120および方法200は、静止空間的インコヒーレント照明および静止空間的コヒーレント照明に関連する技術より良い解決策を提供する。
静止空間的インコヒーレント照明において、ウエハーに焦点を合わせる空間的インコヒーレント光のスポットのサイズは、光学系の照明路内に設置される視野絞りによって定義され得る。視野絞りのサイズを増大させることによって、照明されるテストパターンの領域を増加させることができ、対象欠陥の影響を、テストパターンのうちのより大きい領域の測定を効果的に平均化することによって低減することができる。空間的インコヒーレント照明を利用する構造の限界は、テストパターンのサイズが縮小される必要がある際に生じる。テストパターンのサイズを縮小することは、照明スポットのサイズにおける低減をもまた要求する。これは、視野絞りのサイズを低減することによって達成され得るが、これは、光の重大な損失および空間的コヒーレンスの増加をもたらす。したがって、空間的インコヒーレント光源を使用する角度分解反射率計は、小さいテストパターンを照明する際、光不足である。視野絞りでの追加の光の損失は、状況を悪化させ、ショットノイズが原因の測定誤差を増加させる。空間的コヒーレンスを、視野絞りのサイズを縮小することによって増加させることは、光学系からのスペックルの影響をもまた増加させる。したがって、静止空間的インコヒーレント照明を有する角度分解反射率計は、照明視野絞りがより小さいテストパターンを支持するために縮小するにつれて、それが増加するショットノイズおよびスペックルを被るため、小さいテストパターンを測定するためには最適ではない。
静止空間的コヒーレント照明において、空間的コヒーレント光線は、ウエハー上の小さいスポットに焦点を合わせることが可能で、これは、テストパターンを小さくすることをもまた可能にする。しかしながら、小さいスポットは、テストパターン内の局部的な欠陥を照明し、これらの欠陥の影響を、テストパターンのより大きい領域を平均化することによって低減しない。空間的コヒーレント照明は、光学系内で、ノイズをテストパターン測定に追加するスペックルをもまた発生させる。静止空間的コヒーレント照明を有する角度分解反射率計は、小さいテストパターンを測定し得るが、テストパターンの欠陥を平均化することを可能にするために照射区画のサイズを増大させるようには調節され得ず、スペックルノイズを被る。
したがって、反射率計120および方法200は、これら2つの手法よりも優れている。
実施形態において、方法200は、マルチモードファイバ内の空間的コヒーレンス低減を実装するために使用され得る。例えば、発明の実施形態は、低減空間的コヒーレンス生産混合モードを有する信号をもたらすために、マルチモードファイバの面を、コヒーレント光スポットを使用して走査することを含み得る。
大きいコアのマルチモードファイバは、空間的コヒーレント光を測定ヘッドに伝送するために使用され得る。マルチモードファイバは、ファイバ面上の異なる点が非相関化される場合、拡張対象のように行動する。通常、マルチモードファイバに結合されるレーザーは、ファイバのモードの小さいサブセットのみを刺激する。所望の非相関化を達成するために、レーザーは、ファイバのモードのうちの全て、または広い分布を刺激するように配置され得る。ランダム性は、非相関化のためには必要ではない。非相関化は、モードを、コヒーレンス時間と比較して長い時間規模で連続的に刺激することによって達成され得る。その後短い相関時間が、短い相関長さに移転される。ランダム性は、ただノイズを追加する。不運なことに、ファイバの不安定性は、常にいくらかのランダム性を発生させる。追加のランダム性を追加することの意味は、多くのランダム性が、少ないランダム性よりもより静かであることである。
これを達成するための手法は、ランダムまたは疑似ランダムパターンで、焦点レーザー光線をファイバ面にわたって横方向に走査すること、またはファイバ面を焦点レーザー光線にわたって横方向に走査することであり得る。そのような走査は、以上に図示された走査128と類似し、同様に光学的にまたは機械的に行われ得る。この走査は、例えば、高速先端傾斜アクチュエータを有する折り返しミラーを使用して行われ得る。走査が十分に速い場合、時間変化モード構造は、検出器の統合時間について平均化され、本質的にインコヒーレントな拡張光源をもたらす。モードをランダムに混合するための別の手法は、マルチモードファイバを、ボイスコイルまたは他のアクチュエータを使用して振動させることである。
ウエハー計測を実行する際、正確性、および装置誘導の誤差(TIS)は、高忠実度の分光、または角度情報を小さい計測対象から取り出すための能力に依存する。良い計測性能は、誘導される回折を、以上に説明した開口部から除去するための方法を要求する。本発明は、従来技術の測定の性能を、計測性能がそのような回折効果を含まない「非回折」限界へと低減する、回折誘導信号汚染を外挿することを教示する。
開口部を通した計測システム内の回折は、測定出力で識別可能な誤差を導出する。発明の実施形態は、これらの誤差を、開口部サイズについての誤差のうちの少なくとも一部の機能的依存性を導出することによって計算的に相殺する。機能的依存性は、計測結果または測定強度などの、異なる測定パラメータに対して導出され得る。導出は、実際の測定の前に、または測定中に(オンザフライで)行われ得る。機能的依存性は、開口部サイズの組み合わせの大きい集合のための測定システムを、システム内の複数の開口部に対して較正するために使用され得る。
開示される方法は、回折に関連する信号汚染によって誘導される測定の誤差の範囲をもまた提供する。図6に図示されるように、計測光学系90内の様々な開口部は、回折誤差を誘導し得る。
回折効果は、正確性などの計測性能の低下を引き起こす可能性があり、焦点への向上した感度および放射スポットアライメント誤差が原因で正確性の低下を引き起こす可能性もまたある。本明細書に開示される意図は、信号を複数の開口部サイズから収集すること、およびデータを、計測性能が汚染干渉効果を含まない「非回折限界」へと外挿するために、情報を集合的に使用すること、を含む。
この意図は、「数値」と称される、システム90内の開口部のうちの1つの開口部サイズ、例えば、最小の開口部の、いくつかの測定可能変数の全体的な依存関係を図示する、図7に概略的に図示される。測定される生の数値は、数値によって示され、開口部サイズは、L、L、L、L、...、によって示され、Lは、Lが測定番号1、2、3、...nで取得する値を示す。非回折限界は、数値=数値理想であるL=∞で取得され、開示される方法の目標は、数値のためにL=L、L、L、...、Lで収集されるデータをL=∞へと外挿して、所与の開口部サイズで測定される数値を補正するために使用され得る、数値理想のための推定値を取得することである。
回折によって誘導される計測誤差効果は、Lの関数として変動的に挙動し得るため、システムおよび方法は、関数数値(L)が平滑であり、L→∞への外挿が行われ得るLの値を選択するために、訓練モードを実行し得る。
開口部サイズの測定される変数のそのような依存性は、システム90内のいくつかまたは全ての開口部を参照する、複数次元補正マトリクスを作成するために、システム90内の異なる開口部に対して測定され得る。分析のための関連する開口部は、それらのサイズに従って、または結果として生じる回折誤差上へのそれらの影響に従って、選択され得る。例えば、第1の近似値は、最小の開口部によって引き起こされる回折効果を相殺することを含み得る。2つの類似する最小の開口部がある場合は、補正マトリクスは、二次元であり得る。
そのL→∞限界へと外挿され、Y軸上に描画される「数値」は、画素ごとの強度、または導出される強度(散乱計測重ね合わせにおける差動信号など)、または最終計測結果(層のCD、または図10Aに概略的に明示されるような2つの層間の重ね合わせなど)などの、様々な可能な測定パラメータのうちの1つまたはそれ以上であり得る。外挿を実行することは、計測における誤差範囲の推定値を提供する。例えば、外挿を、2つまたはそれ以上の外挿法(例えば、外挿関数の異なる形態、内挿において使用されるLの異なる区間)によって実行し、結果を比較し得る。結果間の相違点は、計測における誤差範囲のための良い推定値として役立ち得る。発明の実施形態は、異なる開口部サイズ(L-Lの値)を決定し、修正するために、例えば複数の開口部を有する輪、調節可能な虹彩型の開口部、またはSLM(空間光変調器)などの電気光学装置などの、いくつかの装置のうちのいずれを使用してもよい。
この意図は、本発明のいくつかの実施形態に係る、散乱計測重ね合わせ測定における不正確性が、収集視野絞りのサイズに依存し得る方法の例を図示する略図である、図10Aに与えられる例により詳細に図示される。図10Aは、以上に説明した回折誘導計測誤差変動を回避するために司法的に選択された、特定の収集視野絞りサイズL(約4~23μmの範囲)を、重ね合わせ測定が収集視野絞りサイズに依存する方法を明示する。これらの結果を、重ね合わせ散乱計測で測定される重ね合わせ対象のシミュレーション内で取得した。シミュレーション結果を、レジストウエハー上に印刷される非常に大きい重ね合わせ対象に対して算出した。シミュレーションされたスタックの実際の重ね合わせは、16nmに等しく、16nmからの偏差は、重ね合わせ散乱計測対象に対する照明のミスアラインメント誤差の結果である。
図8は、本発明のいくつかの実施形態に係る、回折を光計測からアルゴリズム的に除去する方法300を図示する高レベル略流れ図である。
方法300は、少なくとも1つの測定パラメータの、計測システム内の少なくとも1つの開口部のサイズに対する機能的依存性を定量的に推定すること(段階310)、少なくとも1つの開口部のサイズに関連する、機能的依存性の少なくとも1つの回折成分を特定すること(段階320)と、少なくとも1つの特定された回折成分から、少なくとも1つの測定パラメータのための、計測条件に対する補正項を導出すること(段階330)を含む。計測条件は、計測条件が、少なくとも1つの測定パラメータ内の回折誤差を発生させる、少なくとも1つの開口部の指定のサイズを含む。計測条件は、照明波長および照明源特性(例えば、スポットアライメント)などの追加のパラメータをもまた含み得る。方法300は、回折誤差を、導出された補正項(複数可)を少なくとも1つの測定パラメータに適用することによって計算的に相殺すること(段階340)をさらに含む。したがって、方法300は、測定パラメータを、開口部サイズが原因の回折誤差を計算的に除去することによって補正する(段階342)。
実施形態において、推定すること310と、特定すること(320)と、導出すること(330)と、相殺すること(340)と、のうちの少なくとも1つが、少なくとも1つのコンピュータ処理装置105によって行われる。実施形態において、それと共に実施されるコンピュータ可読プログラムを有するコンピュータ可読記憶媒体を備える、コンピュータプログラム製品が開示され、コンピュータ可読プログラムは、方法300の段階310、320、330、および140、ならびに方法300の任意の他の段階のうちの少なくとも1つを行うように構成される。
実施形態において、方法300は、平滑な機能的依存性をもたらす開口部サイズを選択すること(段階311)をさらに含み得る。開口部サイズは、特定320および導出330を可能にする機能的依存性をもたらすために選択され得る。実施形態において、適切な開口部サイズは、異なる開口部サイズを訓練モードで検討することによって選択され得る。
実施形態において、推定すること310は、シミュレーション結果の理論的または分析的考察に従って、曲線を測定に適合させること(段階312)によって行われ得る。特定320は、その後、適合された曲線を、例えば、適合された曲線を記載する一連の項のような、回折成分(複数可)を特定するために使用すること(段階322)によって行われ得る。
実施形態において、方法300は、少なくとも1つの計測結果を、少なくとも1つの計測結果を含む少なくとも1つの測定パラメータとして使用すること(段階314)を含んでもよく、例えば、少なくとも1つの計測結果は、重ね合わせ測定、臨界寸法(CD)測定、焦点測定、強度測定、側壁傾斜角算出、膜厚測定などを含んでもよい。
実施形態において、方法300は、連続的に測定し、必要に応じて補正項(複数可)を、インザフライで行われる測定に従って更新するために、推定すること310および特定すること320を計測寸法工程内で統合すること(段階325)を含み得る。
実施形態において、推定すること310および特定すること320は、計測寸法工程より前に行われ、計測システムを較正するために使用され得る(段階324)。実施形態において、方法300は、例えば、以下に説明するように、計測寸法を導出された補正項に従って較正することによって、補正を、誤差推定を繰り返し行うことによって改良すること(段階345)をさらに含み得る。実施形態において、方法300は、二次補正項を、推定すること310、特定すること320、一次相殺すること340後の導出すること330のうちのいずれかを繰り返し行うことによって導出することを含み得る。
図9は、本発明のいくつかの実施形態に係る、計測システム100を図示する高レベル略ブロック図である。
計測システム100は、計測システム100内の少なくとも1つの開口部95のサイズに関連する回折誤差を、補正項130を少なくとも1つの測定パラメータ112、114に適用することによって計算的に相殺するように配置される。測定パラメータは、層の臨界寸法(CD)、または2つの層の重ね合わせなどのいずれかの計測寸法結果112、および/または(散乱計測重ね合わせにおける差動信号などの)画素ごとの強度、または導出された強度などの他の測定パラメータ114を含み得る。補正項(複数可)130は、少なくとも1つの測定パラメータ(複数可)の、開口部95のサイズに対する機能的依存性(例えば、図7、10A)を定量的に推定すること、および開口部95のサイズに関連する機能的依存性の少なくとも1つの回折成分を特定することによって導出され得る。計測システム100は、(例えば、開口部サイズを制御し、パラメータを較正することによって)オンザフライで推定することおよび特定することを行うように配置された、および/または計測システム100を、機能的依存性の少なくとも1つの回折成分を特定することに従って測定するように配置された、制御装置110(例えば、少なくとも1つのコンピュータ処理装置105を有する)を備え得る。開口部サイズの実際の操作は、例えば複数の開口部を有する輪、調節な可能虹彩型の開口部、またはSLMのような電気光学装置などの、任意の開口部サイズ決定装置115によって行われ得る。
実施形態において、機能的依存性の推定は、特定および導出を可能にするような機能的依存性をもたらす、選択された複数の開口部サイズに対して(例えば、平滑な関数であることによって)行われ得る。
実施形態において、いくつかの開口部に対する補正項130は、システム100内のいくつかまたは全ての開口部を参照する、複数次元補正マトリクス作成するために、依存して、または独立して算出され得る。
実施形態において、システム100は、計算的相殺を、二次補正項を導出し、少なくとも1つの測定パラメータをそれに従って調節するための、機能的依存性を使用することによって改良するようにさらに配置され得る。実施形態において、システム100は、結果を連続して改良し、測定誤差を低減するために、異なる誤差を相殺するように、補正工程を繰り返し行うように配置され得る。
実施形態において、推定(段階210)は、曲線を(例えば、理論的、分析的、またはシミュレーション結果に基づいて)、数値の、L→∞としての開口部サイズLに対する機能的依存性のために適合させることを含み得る。パラメータを適合させることは、その後数値理想を算出するために使用され得る。例えば、機能依存関係が、補正(L)=B/Lq1+C/Lq2+D/Lq3+...、かつ0<q<q<q<...、である(方程式(1)):数値(L)=A+補正(L)で表される場合、最終計測結果は、数値理想≡数値(L→∞)=Aであるため、Aとなる。その場合、相殺すること(段階240)は、計測寸法数値(L)を、適合パラメータ「A」によって単純に置換すること、これにより、数値(L)をそのL→∞「非回折」限界へと外挿することを含み得る。この手順は、数値(L)の測定を、以上で説明されるように司法的に選択される(図7)、Lの少なくとも2つの値に対して要求する。
関数補正(L)、および同等に係数B、C、D、...、がシステムパラメータに対する適切な普遍的依存関係を示す場合(それらが、重ね合わせ、およびCDの、名目のCDからの偏差などのウエハー計測より、波長、偏光、照明プロファイルなどにより一層強く依存することを意味する)、以下の推定手順が使用され得る。
最初に関数補正(L)、または同等にそれを定義する係数B、C、D、...、を決定する。これらの係数は、訓練モード内で(多数のL値を使用することによって、および増加した光レベル/測定時間によって)正確に定める。これは、数値(L)のLに対する機能的依存性を定め、数値(L)の1つの測定をLの単一値で使用することによって、数値(L)をオンザフライで補正し、数値理想の正確な推定値に到達することを可能にする。例えば、訓練測定を実行し、良い近似値にとってC、D、...、は全て無視できるが、Bはツールのみパラメータの無視できない関数であることを発見する場合、計測結果を、それを、Lの所与の値で、以下の方法(方程式(2))計測結果=数値(L)→計測結果=数値(L)-B/Lq1で置換することによって補正し得る。つまり、システムおよび方法は、補正関数の無視できない項、およびそれらのシステムパラメータに対する依存関係の種類を特定し、それらのシステムパラメータへの依存性に配慮して、測定をこれらの無視できない項によってのみ補正し得る。
関数「補正(L)」の普遍的挙動についての前述の前提は、非常に合理的なものであり、(CD値の、名目のCDからの重ね合わせまたは偏差のように)計測結果が非常に弱く回折に影響を与えるため、シミュレーションによって支持される(以下を参照されたい)ことが、ついでに留意される。例えば、重ね合わせは、組み合わせ2π・重ね合わせ/傾斜角度に依存する関数形式で回折効果の一部となる。傾斜角度が約600nmの時に、この依存関係によって誘導される誤差は、ほぼ数パーセント程度である。
有利なことに、本発明は、測定正確性を、開口部誘導の回折効果を抑圧することによって改善する。数値理想を確立することに加えて、それは測定内または訓練モード内で行われる適合手順の結果のうちの1つであるため、それは、誤差の範囲を算出する方法(数値-数値理想)を提供する。これは、測定における定量的信頼を提供する。
図10Aは、本発明のいくつかの実施形態に係る、散乱計測重ね合わせ測定における不正確性が、収集視野絞りのサイズに依存し得る方法の例を図示する略図である。図10Aは、以下で、本発明が重ね合わせ計測に適用され得る方法の、詳細な非限定的な例として使用される。この図示の場合、「数値」は重ね合わせ散乱計測によって報告される重ね合わせであり、「L’s」は収集視野絞りサイズであり、重ね合わせ推定における誤差は、照明スポットと測定される格子構造との間のミスアライメントが原因である。
図10Bは、本発明のいくつかの実施形態に係る、散乱計測重ね合わせ測定における不正確性が、実際の重ね合わせの2つの異なる値のための収集視野絞りのサイズに依存する方法の例を図示する略図である。図10Bがはっきりと示すように、この誤差は、Lが増加する際、ゼロまで縮小する(図10Aに図示されるように、シミュレーションされる重ね合わせは、この例において16nmとなるように選択された)。図のために選択されるLの値は、以上の記載に従って選択された。図10Bは、不正確性の計測パラメータに対する依存(現在の例における重ね合わせ)は、以上に述べた「普遍性」前提が宣言するために、無視できないことをもまたはっきりと明示する。
現在の例において、方法300を実装することは、以下の段階を含み得る。最初に、段階312は、図10A内のデータを適合することを含み、非常に良い適合は、p≒2.0およびA=16.027に対して良いシミュレーションデータを記載する形式関数、OVL(L)=A+18.885/Lに対して発見される。最終計測重ね合わせ結果は、ひいては値OVL(L→∞)=A=16.027である。これは、0.027nmの重ね合わせ誤差不正確性をもたらす(これらの例示的シミュレーションにおいて使用される実際の重ね合わせは、16nmであることを想起すること)。段階314は、測定を補正するために、算出された不正確性を使用することを含む。
有利なことに、適合は、L=4.15μmおよびL=7.25μmのより低い2つの絞りサイズ値のみからも行うことができる。そのような場合、Aの値は16.215になり、0.215nmの不正確性推定値をもたらす(L=7.25μmを単独で使用することは、約0.5nmの不正確性を生み、およびL=4.15μmの結果は、約1.1nmの不正確性を生む)。
方法300を実装するための別の方法は、以上に記載される適合を、重ね合わせ値が収集視野絞りサイズに依存する方法への較正として考慮することである。この事実を明示するために、図10Bは、重ね合わせ不正確性が、その重ね合わせ値が0nmおよび16nmに等しい、2つの重ね合わせ対象に対してどのように挙動するのかをさらに示す。図10Bによってはっきりと図示されるように、以上に主張されるように、不正確性は、スタックの実際の重ね合わせに非常に弱くだけ依存する。これは、以下の種類の二次較正を実行する方法、すなわち(i)重ね合わせデータを適合することによって取得される較正式を使用すること(以上の例において、この式は、OVL(L)=16.027+18.885/Lである)、および(ii)式を、新しい重ね合わせ測定に以下の方法で適用すること(新しい重ね合わせ測定は、OVL’(L)によって示される)を切り開く(段階324)。最初に、新しい重ね合わせ測定OVL’(L)が、補正測定によって置換される。OVL’(L)→OVL’(補正,L)=OVL’(L)-18.885/L
図11Aは、本発明のいくつかの実施形態に係る、第1の種類の較正を使用する補正方法が、重ね合わせ測定誤差を低減する方法の例を図示する略図である。図11Aは、以上に記載されるように、二次近似値を適用することによって達成される改善を図示する。図示される例において、較正による、結果として生じる誤差低減が、実際の重ね合わせ=0である場合に提示される。これは、Lの単一値での単一測定に関連することに留意すること。
はっきりと、未較正結果は、特に小さい収集視野絞りに重大な重ね合わせ誤差をもたらすが、較正結果は、これらの誤差を著しく低減する。これらの誤差は、不正確性の根本的原因(現在に例におけるスポットのミスアライメント)が時間内に変動する場合、正確性の低下をもまた引き起こし得ることに留意すること。
図11Bは、本発明のいくつかの実施形態に係る、第2の種類の較正を使用する補正方法が、重ね合わせ測定誤差を低減する方法の例を図示する略図である。第2の種類の較正が、以下の方法で行われる。最初に、較正のために使用された重ね合わせ測定がOVL(L;0)によってによって示される。例えば、これらは、A=16.027であり、補正(L)=18.885/Lである、OVL(L;0)=A+補正(L)に適合された測定であり得る。この時点では、この較正測定における実際の重ね合わせの最良の推定は、16.027nmである。この第2の種類の較正において、2つの重ね合わせ測定に対する回折効果が重ね合わせの実際の値に非常に弱く依存するという事実が、新しい重ね合わせ測定を補正するために使用される。新しい重ね合わせ測定は、OVL(L;1)によって以下のように示される。OVL(L;1)→OVL(L;1,補正された)=OVL(L;1)+OVL(L;0)-A。図11Bに図示されるように、それがより安定した補正を変化する絞りサイズに対してもたらすため、この例において、第2の種類の較正が第1の種類の較正よりも好適である。
以上に提示される両方の較正方法において、計測条件が較正測定から実際の測定まで著しく変化しないことが重要であることが、ついでに留意される。これは光特性(波長、偏光、対象、焦点などに関するシステムのアライメント)を含む。計測条件が同一であることが保証され得ない場合、較正をし、相違点を相殺するために、追加の較正が必要となり得る。例えば、重ね合わせ散乱計測システムが、X軸に沿って量dだけ大きい重ね合わせ対象に対してミスアラインされる場合、重ね合わせ測定、OVLは、収集視野絞りサイズ、L、およびd:OVL(L,d)に依存する、二次元の関数として定式化されるべきである。L→∞で、偏心がゼロ不正確性を引き起こすため、関数は、g(L→∞)=0を有するOVL(L,d)=A+f(d)・g(L)として表され得る。
二次元の場合、較正工程は以下の段階に分割され得る。最初に、Aを取得するために、dをdに定め、OVL(L,d)を適合し得る。補正(d,L)を、補正(d,L)≡OVL(L,d)-Aとして定義し、補正(d,L)=f(d)・g(L)を取得する。その後、比率r(L)=g(L)/g(L)のための数値予測を取得するために、補正(d,L)を補正(d,L)で割る。
これらの段階を、補正(d,L)を取得するために、その後d=d、d、d、d、などの様々な値に対して反復し、以上に説明されるように、これらの結果を割ること(補正(di,L)/補正(d,L))によって、関数r(d)=f(d)/f(d)のための数値予測を形成する。以上の段階および重ね合わせの測定を、補正(L,d)を提供するL=Lおよびd=dで結合すると、OVL(L,d)の数値予測を、OVL(L,d)=A+補正(L,d)・r(L)・r(d)として表し得る。結果として、Lおよびdのいくつかの値で実行される任意の新しい重ね合わせ測定OVL(L,d)に対して、補正は、OVL(L,d)→OVL(L,d補正された)=OVL(L,d)-補正(d,L)・r(L)・r(d)である。
したがって、方法300は、(導出中の計測システム100の)導出条件と計測条件との間の少なくとも1つの相違点に対して補正項を較正すること(段階332)をさらに備え得る。例えば、少なくとも1つの相違点は、測定光線の波長または偏光、システム100の対象に対するアライメント、焦点パラメータなどに関し得る。
実施形態において、方法300は、較正332を、少なくとも1つの相違点に関するような機能的依存性を表すことによって行うこと(段階334)、および補正項を、少なくとも1つの相違点の値の範囲にさらに対して導出すること(段階336)、をさらに備え得る。
それぞれに、実施形態において、計測システム100は、導出条件と計測条件との間の少なくとも1つの相違点に対して補正項を較正するようにさらに配置されてもよく、少なくとも1つの相違点は、波長、偏光、対象に対するアライメント、および焦点のうちの少なくとも1つに関連する。計測システム100は、較正を、少なくとも1つの相違点に関するような機能的依存性を表し、補正項を、少なくとも1つの相違点の値の範囲にさらに対して導出することによって行うように配置され得る。
以上の記載において、一実施形態は、発明の例または実装である。「一実施形態」、「一実施形態」、または「いくつかの実施形態」の様々な出現は、必ずしも全て同一の実施形態に言及しない。
発明の様々な特性が、単一の実施形態の文脈で記載され得るものの、特性は、独立して、または適切な組み合わせでもまた提供され得る。反対に、発明は、明瞭さのために独立した実施形態の文脈で本明細書に記載され得るものの、発明は、単一の実施形態でもまた実装され得る。
発明の実施形態は、以上に開示される異なる実施形態からの特性を含んでもよく、実施形態は、以上に開示される他の実施形態からの要素を組み込み得る。特定の実施形態の文脈における発明の要素の開示は、それらの使用を特定の実施形態だけに限定するものとして解釈されるべきではない。
さらに、発明が様々な方法で行われ得る、または実行され得ること、発明が以上の記載内に概説されるもの以外の実施形態において実装され得ること、が理解されるべきである。
発明は、それらの図または対応する記載に限定されない。例えば、流れは、図示される各欄または過程を、または図示され、記載されるのと正確に同一な順序で進まなくてもよい。
本明細書で使用される技術的および科学的用語の意味は、別段定義されない限り、発明を所有する当業者によって一般的に理解されるようなものとする。
発明は、限定された数の実施形態に関して記載されているが、これらは、発明の範囲への限定としてではなく、むしろ好適な実施形態のいくつかの例示として解釈されるべきである。他の可能な変化、修正、および適用もまた、発明の範囲内である。したがって、発明の範囲は、ここまで記載されていることによってではなく、添付の特許請求の範囲およびそれらの法律上の同等物によって限定されるべきである。また、本実施形態には、以下の事項が含まれることを付言する。
(1)少なくとも1つの測定パラメータの、計測システム内の少なくとも1つの開口部のサイズに対する機能的依存性を定量的に推定することと、
前記少なくとも1つの開口部の前記サイズに関連する、前記機能的依存性の少なくとも1つの回折成分を特定することと、
前記少なくとも1つの特定された回折成分から、前記少なくとも1つの測定パラメータのための、計測条件に対する補正項を導出することであって、前記計測条件が、前記少なくとも1つの測定パラメータ内の回折誤差を発生させる、前記少なくとも1つの開口部の指定のサイズを含む、導出することと、
前記回折誤差を、前記導出された補正項を前記少なくとも1つの測定パラメータに適用することによって計算的に相殺することと、を含み、
前記推定することと、前記特定することと、前記導出することと、および前記相殺することと、のうちの少なくとも1つが、少なくとも1つのコンピュータ処理装置によって行われる、方法。
(2)前記機能的依存性の前記定量的推定を行うために、複数の開口部サイズを選択することであって、前記開口部サイズが、前記特定および前記導出を可能にするような機能的依存性をもたらすために選択される、選択すること、をさらに含む、(1)に記載の方法。
(3)計測寸法を、前記導出された補正項に従って較正することをさらに含む、(1)に記載の方法。
(4)前記補正項を改良するために、前記較正を繰り返し行うことをさらに含む、(3)に記載の方法。
(5)二次補正項を、前記推定することおよび前記特定することを、前記相殺することの後に繰り返し行うことによって導出することをさらに含む、(1)に記載の方法。
(6)前記機能的依存性を前記推定することが、曲線適合によって行われ、前記特定が、曲線パラメータに対して行われる、(1)に記載の方法。
(7)前記少なくとも1つの測定パラメータが、少なくとも1つの計測結果を含む、(1)に記載の方法。
(8)前記少なくとも1つの計測結果が、重ね合わせ測定、臨界寸法測定、焦点測定、量測定、側-全角算出、および膜厚測定のうちの少なくとも1つを含む、(7)に記載の方法。
(9)前記補正項を、導出条件と計測条件との間の少なくとも1つの相違点に対して較正することをさらに含む、(1)に記載の方法。
(10)前記少なくとも1つの相違点が、波長、偏光、テストパターンに対するアライメント、および焦点のうちの少なくとも1つに関連する、(9)に記載の方法。
(11)前記較正することが、前記機能的依存性を前記少なくとも1つの相違点に関連するものとして表すこと、および前記少なくとも1つの相違点の値の範囲にさらに対する前記補正項を導出することによって行われる、(9)に記載の方法。
(12)前記推定することおよび前記特定することが、計測寸法工程内で統合される、(1)に記載の方法。
(13)前記推定することおよび前記特定することが、計測寸法工程より前に行われ、前記計測システムを較正するために使用される、(1)に記載の方法。
(14)計測システム内の少なくとも1つの開口部のサイズに関連する回折誤差を、補正項を少なくとも1つの測定パラメータに適用することによって計算的に相殺するように配置された計測システムであって、前記補正項が、前記少なくとも1つの測定パラメータの、前記少なくとも1つの開口部に対する機能的依存性を定量的に推定し、前記少なくとも1つの開口部の前記サイズに関連する前記機能的依存性の少なくとも1つの回折成分を特定することによって導出される、計測システム。
(15)前記機能的依存性の前記推定が、前記特定および前記導出を可能にするような機能的依存性をもたらす、選択された複数の開口部サイズに対して行われる、(14)に記載の計測システム。
(16)前記推定および前記特定を、オンザフライで行うように配置される制御装置をさらに備える、(14)に記載の計測システム。
(17)前記制御装置が、前記機能的依存性を、曲線適合によって推定し、前記少なくとも1つの回折成分を曲線パラメータに対して特定するように配置される、(16)に記載の計測システム。
(18)前記制御装置が、開口部サイズを、開口部サイズ決定装置によって制御するように配置される、(16)に記載の計測システム。
(19)前記機能的依存性の少なくとも1つの回折成分を前記特定することに従って較正される、(14)に記載の計測システム。
(20)前記計算的相殺を、二次補正項を導出し、前記少なくとも1つの測定パラメータをそれに従って調節するための、前記機能的依存性を使用することによって改良するようにさらに配置される、(14)に記載の計測システム。
(21)前記補正項を、導出条件と計測条件との間の少なくとも1つの相違点に対して較正するようにさらに配置され、前記少なくとも1つの相違点が、波長、偏光、テストパターンに対するアライメント、および焦点のうちの少なくとも1つに関連する、(14)に記載の計測システム。
(22)前記較正することを、前記機能的依存性を前記少なくとも1つの相違点に関連するものとして表すこと、および前記少なくとも1つの相違点の値の範囲にさらに対する前記補正項を導出することによって行うように配置される、(21)に記載の計測システム。
(23)それと共に実施されるコンピュータ可読プログラムを有するコンピュータ可読記憶媒体を備える、コンピュータプログラム製品であって、前記コンピュータ可読プログラムが、
少なくとも1つの測定パラメータの、計測システム内の少なくとも1つの開口部のサイズに対する機能的依存性を定量的に推定するように構成されたコンピュータ可読プログラムと、
前記少なくとも1つの開口部の前記サイズに関連する、前記機能的依存性の少なくとも1つの回折成分を特定するように構成されたコンピュータ可読プログラムと、
前記少なくとも1つの特定された回折成分から、前記少なくとも1つの測定パラメータのための、計測条件に対する補正項を導出するように構成されたコンピュータ可読プログラムであって、前記計測条件が、前記少なくとも1つの測定パラメータ内の回折誤差を発生させる、前記少なくとも1つの開口部の指定のサイズを含む、コンピュータ可読プログラムと、
前記回折誤差を、前記導出された補正項を前記少なくとも1つの測定パラメータに適用することによって計算的に相殺するように構成されたコンピュータ可読プログラムと、を含む、コンピュータプログラム製品。
(24)前記機能的依存性を推定することが、曲線適合によって行われ、前記特定が、曲線パラメータに対して行われる、(23)に記載のコンピュータプログラム製品。
(25)前記計算的相殺を、二次補正項を導出し、前記少なくとも1つの測定パラメータをそれに従って調節するための、前記機能的依存性を使用することによって改良するように構成されたコンピュータ可読プログラムをさらに含む、(23)に記載のコンピュータプログラム製品。
(26)前記補正項を、導出条件と計測条件との間の少なくとも1つの相違点に対して較正するように構成されたコンピュータ可読プログラムをさらに含み、前記少なくとも1つの相違点が、波長、偏光、テストパターンに対するアライメント、および焦点のうちの少なくとも1つに関連し、前記コンピュータ可読プログラムが、前記較正することを、前記機能的依存性を前記少なくとも1つの相違点に関連するものとして表すこと、および前記少なくとも1つの相違点の値の範囲にさらに対する前記補正項を導出することによって行うようにさらに構成される、(23)に記載のコンピュータプログラム製品。

Claims (18)

  1. コヒーレント照明源と、
    1つまたは複数の処理ユニットを備える制御装置と、
    サンプルのテストパターンを、前記照明源からのコヒーレント光のスポットで走査するように配置された光学系であって、コヒーレント光の前記スポットの位置を制御する走査ミラーを含み、前記走査が、変更可能な走査パターンで構成され、前記スポットを前記テストパターンを横断するように走査させる走査パターンに従って実施される、光学系と、
    前記サンプルの前記テストパターンから反射した光を収集して、集合瞳内に収集された光分布の瞳像を複数生じるように構成された検出器と、
    前記集合瞳内に収集された前記光分布の前記複数の瞳像のうち2つ以上を組み合わせることにより合成画像を生成するように構成された前記処理ユニットと、
    を備え、前記処理ユニットが前記テストパターンの領域のうち、他の領域よりも相対的に測定ノイズが高い高ノイズ領域を訓練モード中に特定するようにさらに構成された、角度分解反射率計。
  2. 前記走査ミラーが、重ね合わせ測定のあいだ前記コヒーレント光のスポットを前記サンプル上に位置決めするように構成される、請求項1に記載の角度分解反射率計。
  3. 前記処理ユニットが前記走査ミラーを制御するようにさらに構成された、請求項1に記載の角度分解反射率計。
  4. 前記処理ユニットが、特定のテストパターンまたは計測構成に対して、前記光分布を修正し、最適強度分布を特定するようにさらに構成された、請求項3に記載の角度分解反射率計。
  5. 前記処理ユニットが前記特定された高ノイズ領域を前記走査パターンから除去するように構成された、請求項に記載の角度分解反射率計。
  6. コヒーレント照明源と、
    1つまたは複数の処理ユニットを備える制御装置と、
    サンプルのテストパターンを、前記照明源からのコヒーレント光のスポットで走査するように配置された光学系であって、コヒーレント光の前記スポットの位置を制御する走査ミラーを含み、前記走査が、変更可能な走査パターンで構成され、前記スポットを前記テストパターンを横断するように走査させる走査パターンに従って実施される、光学系と、
    前記サンプルの前記テストパターンから反射した光を収集して、集合瞳内に収集された光分布の瞳像を複数生じるように構成された検出器と、
    前記集合瞳内に収集された前記光分布の前記複数の瞳像のうち2つ以上を組み合わせることにより合成画像を生成するように構成された前記処理ユニットと、
    を備え、
    前記処理ユニットが、光走査において前記テストパターンの領域のうち、他の領域よりも相対的に測定ノイズが高い高ノイズ領域を訓練モード中に特定するようにさらに構成された、角度分解反射率計。
  7. 前記処理ユニットが、前記テストパターンの前記特定された高ノイズ領域を前記光走査中に回避するように構成された、請求項6に記載の角度分解反射率計。
  8. 前記走査パターンが、対称かつ不均一である光分布を含む、請求項1に記載の角度分解反射率計。
  9. コヒーレント光のスポットを、走査ミラーを用いてテストパターンに向けるステップであって、前記コヒーレント光のスポットが前記テストパターンのサイズより小さい、ステップと、
    前記走査ミラーを用いて、前記コヒーレント光のスポットで前記テストパターンを走査し、集合瞳内の光分布の瞳像を複数生じさせるステップであって、前記走査が、前記スポットを前記テストパターンを横断するように走査させる走査パターンに従って実施され、前記走査パターンの走査サイズおよび走査濃度が調整可能である、ステップと、
    検出器を用いて、前記テストパターンからの反射光を収集して、複数のテストパターン像を生じさせるステップと、
    1つまたは複数の処理ユニットによって、収集された瞳光分布の合成画像を、前記集合瞳における前記光分布の前記複数の瞳像の2つ以上を組み合わせることにより、生成するステップと、
    を含み、
    前記テストパターンの領域のうち、他の領域よりも相対的に測定ノイズが高い高ノイズ領域を訓練モード中に特定するステップと、
    前記テストパターンの前記特定された高ノイズ領域を前記走査パターンから除去するステップと、
    をさらに含む、角度分解反射率測定方法。
  10. 前記走査ミラーによって、前記コヒーレント光のスポットを、重ね合わせ測定のあいだ、サンプル上に位置決めするステップをさらに含む、請求項9に記載の角度分解反射率測定方法。
  11. コヒーレント光のスポットを、走査ミラーを用いてテストパターンに向けるステップであって、前記コヒーレント光のスポットが前記テストパターンのサイズより小さい、ステップと、
    前記走査ミラーを用いて、前記コヒーレント光のスポットで前記テストパターンを走査し、集合瞳内の光分布の瞳像を複数生じさせるステップであって、前記走査が、前記スポットを前記テストパターンを横断するように走査させる走査パターンに従って実施され、前記走査パターンの走査サイズおよび走査濃度が調整可能である、ステップと、
    検出器を用いて、前記テストパターンからの反射光を収集して、複数のテストパターン像を生じさせるステップと、
    1つまたは複数の処理ユニットによって、収集された瞳光分布の合成画像を、前記集合瞳における前記光分布の前記複数の瞳像の2つ以上を組み合わせることにより、生成するステップと、
    を含み、
    光走査中に前記テストパターンの領域のうち、他の領域よりも相対的に測定ノイズが高い高ノイズ領域を訓練モード中に特定するステップと、
    前記テストパターンの前記特定された高ノイズ領域を前記光走査中に回避するステップと、
    をさらに含む、角度分解反射率測定方法。
  12. 前記走査パターンが特定の強度分布を含む、請求項9に記載の角度分解反射率測定方法。
  13. 前記テストパターンを、前記処理ユニットを使用して走査し、前記走査ミラーの構成を制御するステップをさらに含む、請求項9に記載の角度分解反射率測定方法。
  14. 前記合成画像内のスペックルを、静止スポット位置から前記集合瞳内に収集された前記光分布の前記複数の瞳像を使用して低減するステップをさらに含む、請求項9に記載の角度分解反射率測定方法。
  15. 前記テストパターンを、対称かつ不均一である光分布を含む走査パターンを使用して走査するステップをさらに含む、請求項9に記載の角度分解反射率測定方法。
  16. 特定のテストパターンまたは計測構成に対して、前記光分布を修正し、最適強度分布を特定するステップをさらに含む、請求項9に記載の角度分解反射率測定方法。
  17. 前記処理ユニットが、前記合成画像内のスペックルを、集合瞳内の光分布の前記複数の瞳像を使用して低減するようにさらに構成された、請求項1に記載の角度分解反射率計。
  18. 前記コヒーレント照明源がレーザである、請求項1に記載の角度分解反射率計。
JP2019219052A 2012-06-26 2019-12-03 角度分解反射率測定における走査および回折の光計測からのアルゴリズム的除去 Active JP7046898B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261664477P 2012-06-26 2012-06-26
US61/664,477 2012-06-26
US201361764435P 2013-02-13 2013-02-13
US61/764,435 2013-02-13

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018111107A Division JP6628835B2 (ja) 2012-06-26 2018-06-11 角度分解反射率測定における走査および回折の光計測からのアルゴリズム的除去

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020073888A JP2020073888A (ja) 2020-05-14
JP7046898B2 true JP7046898B2 (ja) 2022-04-04

Family

ID=49783807

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015520409A Active JP6353831B2 (ja) 2012-06-26 2013-06-25 角度分解反射率測定における走査および回折の光計測からのアルゴリズム的除去
JP2018111107A Active JP6628835B2 (ja) 2012-06-26 2018-06-11 角度分解反射率測定における走査および回折の光計測からのアルゴリズム的除去
JP2019219052A Active JP7046898B2 (ja) 2012-06-26 2019-12-03 角度分解反射率測定における走査および回折の光計測からのアルゴリズム的除去

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015520409A Active JP6353831B2 (ja) 2012-06-26 2013-06-25 角度分解反射率測定における走査および回折の光計測からのアルゴリズム的除去
JP2018111107A Active JP6628835B2 (ja) 2012-06-26 2018-06-11 角度分解反射率測定における走査および回折の光計測からのアルゴリズム的除去

Country Status (6)

Country Link
US (3) US9958385B2 (ja)
EP (1) EP2865003A1 (ja)
JP (3) JP6353831B2 (ja)
KR (3) KR102231730B1 (ja)
TW (2) TWI629448B (ja)
WO (1) WO2014004564A1 (ja)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170087528A (ko) 2010-07-22 2017-07-28 카-페 시스템 게엠베하 음료수 제조를 위한 1인용 캡슐
WO2012114334A1 (en) 2011-02-24 2012-08-30 Ilan Ben Oren Hybrid catheter for endoluminal intervention
EP2865003A1 (en) 2012-06-26 2015-04-29 Kla-Tencor Corporation Scanning in angle-resolved reflectometry and algorithmically eliminating diffraction from optical metrology
US9851300B1 (en) 2014-04-04 2017-12-26 Kla-Tencor Corporation Decreasing inaccuracy due to non-periodic effects on scatterometric signals
US20170079718A1 (en) 2014-05-18 2017-03-23 Eximo Medical Ltd. System for tissue ablation using pulsed laser
WO2015191543A1 (en) * 2014-06-10 2015-12-17 Applied Materials Israel, Ltd. Scanning an object using multiple mechanical stages
KR102607646B1 (ko) * 2015-05-19 2023-11-29 케이엘에이 코포레이션 오버레이 측정을 위한 지형 위상 제어
NL2017505A (en) * 2015-10-09 2017-04-11 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for inspection and metrology
CN108701625B (zh) * 2016-02-24 2023-07-14 科磊股份有限公司 光学计量的准确度提升
CN109414292A (zh) 2016-05-05 2019-03-01 爱克斯莫医疗有限公司 用于切除和/或消融不需要的组织的装置和方法
KR101971272B1 (ko) 2016-06-02 2019-08-27 주식회사 더웨이브톡 패턴 구조물 검사 장치 및 검사 방법
EP3467483B1 (en) * 2016-06-02 2023-09-20 The Wave Talk, Inc. Pattern structure inspection device and inspection method
EP3318927A1 (en) * 2016-11-04 2018-05-09 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for measuring a parameter of a lithographic process, computer program products for implementing such methods & apparatus
KR102650388B1 (ko) * 2016-11-23 2024-03-25 삼성전자주식회사 검사 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
TWI649635B (zh) * 2017-01-24 2019-02-01 台灣積體電路製造股份有限公司 層疊誤差測量裝置及方法
US10732516B2 (en) * 2017-03-01 2020-08-04 Kla Tencor Corporation Process robust overlay metrology based on optical scatterometry
JP6942555B2 (ja) * 2017-08-03 2021-09-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
US11378451B2 (en) 2017-08-07 2022-07-05 Kla Corporation Bandgap measurements of patterned film stacks using spectroscopic metrology
US11156846B2 (en) 2019-04-19 2021-10-26 Kla Corporation High-brightness illumination source for optical metrology
DE102019215972A1 (de) * 2019-10-17 2021-04-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Messung einer Reflektivität eines Objekts für Messlicht sowie Metrologiesystem zur Durchführung des Verfahrens
WO2021110391A1 (en) * 2019-12-05 2021-06-10 Asml Netherlands B.V. Alignment method
WO2022051551A1 (en) * 2020-09-02 2022-03-10 Applied Materials Israel Ltd. Multi-perspective wafer analysis
WO2022122560A1 (en) * 2020-12-08 2022-06-16 Asml Netherlands B.V. Metrology system and coherence adjusters
US12085385B2 (en) * 2021-10-06 2024-09-10 Kla Corporation Design-assisted large field of view metrology
US12038322B2 (en) 2022-06-21 2024-07-16 Eximo Medical Ltd. Devices and methods for testing ablation systems

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005538359A (ja) 2002-09-09 2005-12-15 ザイゴ コーポレーション 薄膜構造の特性評価を含む、偏光解析、反射光測定および散乱光測定のための干渉計法
JP2007515768A (ja) 2003-09-26 2007-06-14 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ照明方法及びその方法を実行するための投影照明系
US20080088849A1 (en) 2005-01-20 2008-04-17 Zygo Corporation Interferometry for determining characteristics of an object surface, with spatially coherent illumination
US20080293166A1 (en) 2007-05-25 2008-11-27 Electro Scientific Industries, Inc. Laser processing of light reflective multilayer target structure
JP2009527770A (ja) 2006-02-24 2009-07-30 ザ ジェネラル ホスピタル コーポレイション 角度分解型のフーリエドメイン光干渉断層撮影法を遂行する方法及びシステム
JP2009204621A (ja) 2004-08-16 2009-09-10 Asml Netherlands Bv 角度分解した分光リソグラフィの特徴付けの方法および装置
WO2011028807A2 (en) 2009-09-03 2011-03-10 Kla-Tencor Corporation Metrology systems and methods
JP2012037310A (ja) 2010-08-05 2012-02-23 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路の故障解析装置及び故障解析方法
JP2012083621A (ja) 2010-10-13 2012-04-26 Olympus Corp 走査型レーザ顕微鏡

Family Cites Families (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6288780B1 (en) * 1995-06-06 2001-09-11 Kla-Tencor Technologies Corp. High throughput brightfield/darkfield wafer inspection system using advanced optical techniques
US6023338A (en) * 1996-07-12 2000-02-08 Bareket; Noah Overlay alignment measurement of wafers
JPH10253889A (ja) * 1997-03-13 1998-09-25 Olympus Optical Co Ltd 走査型顕微鏡装置
US6370422B1 (en) * 1998-03-19 2002-04-09 Board Of Regents, The University Of Texas System Fiber-optic confocal imaging apparatus and methods of use
US6151127A (en) * 1998-05-28 2000-11-21 The General Hospital Corporation Confocal microscopy
US6496468B2 (en) * 1998-05-29 2002-12-17 Terastor Corp. Beam focusing in near-field optical recording and reading
US6800859B1 (en) * 1998-12-28 2004-10-05 Hitachi, Ltd. Method and equipment for detecting pattern defect
US6512385B1 (en) * 1999-07-26 2003-01-28 Paul Pfaff Method for testing a device under test including the interference of two beams
JP4009409B2 (ja) * 1999-10-29 2007-11-14 株式会社日立製作所 パターン欠陥検査方法及びその装置
US7049633B2 (en) * 1999-12-10 2006-05-23 Tokyo Electron Limited Method of measuring meso-scale structures on wafers
US7317531B2 (en) 2002-12-05 2008-01-08 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
US7541201B2 (en) * 2000-08-30 2009-06-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry
US6917433B2 (en) 2000-09-20 2005-07-12 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a property of a specimen prior to, during, or subsequent to an etch process
US7115858B1 (en) * 2000-09-25 2006-10-03 Nanometrics Incorporated Apparatus and method for the measurement of diffracting structures
US20030002043A1 (en) * 2001-04-10 2003-01-02 Kla-Tencor Corporation Periodic patterns and technique to control misalignment
DE10146944A1 (de) * 2001-09-24 2003-04-10 Zeiss Carl Jena Gmbh Meßanordnung
US6958814B2 (en) * 2002-03-01 2005-10-25 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for measuring a property of a layer in a multilayered structure
US6792328B2 (en) 2002-03-29 2004-09-14 Timbre Technologies, Inc. Metrology diffraction signal adaptation for tool-to-tool matching
US7170604B2 (en) 2002-07-03 2007-01-30 Tokyo Electron Limited Overlay metrology method and apparatus using more than one grating per measurement direction
US7046376B2 (en) 2002-07-05 2006-05-16 Therma-Wave, Inc. Overlay targets with isolated, critical-dimension features and apparatus to measure overlay
SG152898A1 (en) 2002-09-20 2009-06-29 Asml Netherlands Bv Alignment systems and methods for lithographic systems
JP2004166151A (ja) * 2002-11-15 2004-06-10 Fuji Photo Film Co Ltd 画像データ作成方法および装置
US7525659B2 (en) * 2003-01-15 2009-04-28 Negevtech Ltd. System for detection of water defects
US20040227944A1 (en) * 2003-02-28 2004-11-18 Nikon Corporation Mark position detection apparatus
US7324214B2 (en) * 2003-03-06 2008-01-29 Zygo Corporation Interferometer and method for measuring characteristics of optically unresolved surface features
JP4209709B2 (ja) * 2003-03-20 2009-01-14 株式会社キーエンス 変位計
US7420675B2 (en) 2003-06-25 2008-09-02 The University Of Akron Multi-wavelength imaging system
JP4074867B2 (ja) 2003-11-04 2008-04-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 第1及び第2位置合せマークの相対位置を計測する方法及び装置
US7417743B2 (en) * 2004-03-15 2008-08-26 Zygo Corporation Interferometry systems and methods
US7081957B2 (en) 2004-04-08 2006-07-25 Therma-Wave, Inc. Aperture to reduce sensitivity to sample tilt in small spotsize reflectometers
DE102004034960A1 (de) * 2004-07-16 2006-02-02 Carl Zeiss Jena Gmbh Korrektur-Vorrichtung für eine optische Anordnung und konfokales Mikroskop mit einer solchen Vorrichtung
WO2006023612A2 (en) * 2004-08-19 2006-03-02 Zetetic Institute Sub-nanometer overlay, critical dimension, and lithography tool projection optic metrology systems based on measurement of exposure induced changes in photoresist on wafers
EP1640706A1 (en) 2004-09-22 2006-03-29 Eldim Sa Wavelength and incidence angle resolved ellipsometer or reflectometer
US20060164649A1 (en) * 2005-01-24 2006-07-27 Eliezer Rosengaus Multi-spectral techniques for defocus detection
US7528953B2 (en) 2005-03-01 2009-05-05 Kla-Tencor Technologies Corp. Target acquisition and overlay metrology based on two diffracted orders imaging
US7161667B2 (en) * 2005-05-06 2007-01-09 Kla-Tencor Technologies Corporation Wafer edge inspection
US7433034B1 (en) * 2005-06-17 2008-10-07 Nanometrics Incorporated Darkfield defect inspection with spectral contents
JP4843679B2 (ja) * 2005-10-28 2011-12-21 カール ツァイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 荷電粒子ビーム曝露システム
US20070121090A1 (en) 2005-11-30 2007-05-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7523021B2 (en) 2006-03-08 2009-04-21 Tokyo Electron Limited Weighting function to enhance measured diffraction signals in optical metrology
US7528941B2 (en) 2006-06-01 2009-05-05 Kla-Tencor Technolgies Corporation Order selected overlay metrology
US7664608B2 (en) * 2006-07-14 2010-02-16 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspection method and apparatus
US7643666B2 (en) 2006-08-08 2010-01-05 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
US7428044B2 (en) 2006-11-16 2008-09-23 Tokyo Electron Limited Drift compensation for an optical metrology tool
US20080135774A1 (en) * 2006-12-08 2008-06-12 Asml Netherlands B.V. Scatterometer, a lithographic apparatus and a focus analysis method
WO2008080127A2 (en) * 2006-12-22 2008-07-03 Zygo Corporation Apparatus and method for measuring characteristics of surface features
WO2008152802A1 (ja) * 2007-06-13 2008-12-18 Nikon Corporation 共焦点顕微鏡装置
NL1035986A1 (nl) * 2007-09-28 2009-03-31 Asml Holding Nv Controlling fluctuations in pointing, positioning, size or divergence errors of a beam of light for an optical apparatus.
WO2009046137A1 (en) * 2007-10-02 2009-04-09 Kla-Tencor Corporation Optical imaging system with catoptric objective; broadband objective with mirror; and refractive lenses and broadband optical imaging system having two or more imaging paths
JP2009122660A (ja) * 2007-10-25 2009-06-04 Panasonic Corp 画像表示装置
WO2009063295A1 (en) * 2007-11-12 2009-05-22 Micronic Laser Systems Ab Methods and apparatuses for detecting pattern errors
NL1036245A1 (nl) 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.
US8115992B2 (en) * 2007-12-31 2012-02-14 Stc.Unm Structural illumination and evanescent coupling for the extension of imaging interferometric microscopy
NL1036468A1 (nl) * 2008-02-27 2009-08-31 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
US8194301B2 (en) * 2008-03-04 2012-06-05 Kla-Tencor Corporation Multi-spot scanning system and method
JP2009253209A (ja) * 2008-04-10 2009-10-29 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
NL1036702A1 (nl) 2008-04-15 2009-10-19 Asml Holding Nv Diffraction elements for alignment targets.
NL1036856A1 (nl) * 2008-04-24 2009-10-27 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
US7986412B2 (en) * 2008-06-03 2011-07-26 Jzw Llc Interferometric defect detection and classification
US7990534B2 (en) 2008-07-08 2011-08-02 Tokyo Electron Limited System and method for azimuth angle calibration
US8930156B2 (en) * 2008-07-21 2015-01-06 Kla-Tencor Corporation Metrology through use of feed forward feed sideways and measurement cell re-use
US9080991B2 (en) * 2008-09-29 2015-07-14 Kla-Tencor Corp. Illuminating a specimen for metrology or inspection
JP5284481B2 (ja) * 2008-11-07 2013-09-11 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. スキャトロメータおよびリソグラフィ装置
US8120781B2 (en) * 2008-11-26 2012-02-21 Zygo Corporation Interferometric systems and methods featuring spectral analysis of unevenly sampled data
JP5214538B2 (ja) * 2009-05-25 2013-06-19 オリンパス株式会社 画像取得装置、画像合成方法、及び顕微鏡システム
US9164397B2 (en) * 2010-08-03 2015-10-20 Kla-Tencor Corporation Optics symmetrization for metrology
NL2008414A (en) * 2011-03-21 2012-09-24 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for determining structure parameters of microstructures.
US8681413B2 (en) * 2011-06-27 2014-03-25 Kla-Tencor Corporation Illumination control
CN103748515A (zh) 2011-08-23 2014-04-23 Asml荷兰有限公司 量测方法和设备以及器件制造方法
US9228943B2 (en) 2011-10-27 2016-01-05 Kla-Tencor Corporation Dynamically adjustable semiconductor metrology system
US8982358B2 (en) * 2012-01-17 2015-03-17 Kla-Tencor Corporation Apparatus and method of measuring roughness and other parameters of a structure
CN105549341A (zh) 2012-02-21 2016-05-04 Asml荷兰有限公司 检查设备和方法
US8817273B2 (en) 2012-04-24 2014-08-26 Nanometrics Incorporated Dark field diffraction based overlay
EP2865003A1 (en) 2012-06-26 2015-04-29 Kla-Tencor Corporation Scanning in angle-resolved reflectometry and algorithmically eliminating diffraction from optical metrology
US9093458B2 (en) * 2012-09-06 2015-07-28 Kla-Tencor Corporation Device correlated metrology (DCM) for OVL with embedded SEM structure overlay targets
US9217717B2 (en) * 2012-12-17 2015-12-22 Kla-Tencor Corporation Two dimensional optical detector with multiple shift registers

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005538359A (ja) 2002-09-09 2005-12-15 ザイゴ コーポレーション 薄膜構造の特性評価を含む、偏光解析、反射光測定および散乱光測定のための干渉計法
JP2007515768A (ja) 2003-09-26 2007-06-14 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ照明方法及びその方法を実行するための投影照明系
JP2009204621A (ja) 2004-08-16 2009-09-10 Asml Netherlands Bv 角度分解した分光リソグラフィの特徴付けの方法および装置
US20080088849A1 (en) 2005-01-20 2008-04-17 Zygo Corporation Interferometry for determining characteristics of an object surface, with spatially coherent illumination
JP2009527770A (ja) 2006-02-24 2009-07-30 ザ ジェネラル ホスピタル コーポレイション 角度分解型のフーリエドメイン光干渉断層撮影法を遂行する方法及びシステム
US20080293166A1 (en) 2007-05-25 2008-11-27 Electro Scientific Industries, Inc. Laser processing of light reflective multilayer target structure
WO2011028807A2 (en) 2009-09-03 2011-03-10 Kla-Tencor Corporation Metrology systems and methods
JP2012037310A (ja) 2010-08-05 2012-02-23 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路の故障解析装置及び故障解析方法
JP2012083621A (ja) 2010-10-13 2012-04-26 Olympus Corp 走査型レーザ顕微鏡

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
黒田和男,レーザースペックルノイズ,レーザー研究,39巻6号,2011年06月15日,pp.390-394

Also Published As

Publication number Publication date
EP2865003A1 (en) 2015-04-29
TWI609169B (zh) 2017-12-21
US10533940B2 (en) 2020-01-14
KR20210080592A (ko) 2021-06-30
JP6628835B2 (ja) 2020-01-15
US20190094142A1 (en) 2019-03-28
KR102330741B1 (ko) 2021-11-23
US20180106723A1 (en) 2018-04-19
US10126238B2 (en) 2018-11-13
WO2014004564A1 (en) 2014-01-03
US20150116717A1 (en) 2015-04-30
KR102231730B1 (ko) 2021-03-24
JP2015524555A (ja) 2015-08-24
US9958385B2 (en) 2018-05-01
JP2018179998A (ja) 2018-11-15
KR20210033063A (ko) 2021-03-25
KR20150036214A (ko) 2015-04-07
TW201418661A (zh) 2014-05-16
JP2020073888A (ja) 2020-05-14
TWI629448B (zh) 2018-07-11
JP6353831B2 (ja) 2018-07-04
KR102330743B1 (ko) 2021-11-23
TW201408988A (zh) 2014-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7046898B2 (ja) 角度分解反射率測定における走査および回折の光計測からのアルゴリズム的除去
JP7124071B2 (ja) 基板上の1つ又は複数の構造の特性を決定するためのメトロロジシステムおよび方法
JP6386569B2 (ja) プロセスウィンドウを最適化する方法
JP2022500685A (ja) 位置計測用メトロロジセンサ
TWI690006B (zh) 用於模型化基礎臨界尺寸測量之技術及系統
TWI671501B (zh) 用於特徵化一樣本之方法及白光干涉測量計、用於處理來自具有一圖案化結構之一樣本之白光干涉測量資料之方法及用於量測具有一圖案化結構之一樣本之白光干涉測量計
KR100871505B1 (ko) 노광장치 및 방법
US8332783B2 (en) Control of critical dimensions in optical imaging processes for semiconductor production by extracting imaging imperfections on the basis of imaging tool specific intensity measurements and simulations
KR20150090180A (ko) 동공 결상 산란율 측정을 위한 아포다이제이션
JP6738415B2 (ja) 検査及びメトロロジのための方法及び装置
WO2013158593A1 (en) Critical dimension uniformity monitoring for extreme ultra-violet reticles
TW201303258A (zh) 照射控制
JP7097971B2 (ja) 計量ターゲット情報コンテンツの増強
KR20180082619A (ko) 효율적 계측을 위한 신호들의 고속 자동 결정을 위한 시스템, 방법 및 컴퓨터 프로그램 제품
TWI821586B (zh) 用於在計量量測中減少錯誤之系統及方法
TW202422003A (zh) 藉助計量系統對測量物件的空間圖像而三維確定的方法以及用於實施該確定方法的計量系統
TW201719301A (zh) 微影裝置對準感測器及方法
JP2022533184A (ja) アプラナティック対物単レンズを含む計測ツール
JP2022518225A (ja) 所望しない回折次数の存在下でのスキャトロメトリモデル化
JP2011192998A (ja) 装置、方法及びリソグラフィシステム

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191218

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210330

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210623

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220224

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220308

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220323

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7046898

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150