JP7040538B2

JP7040538B2 - 接続端子ユニット

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Publication number: JP7040538B2
Application number: JP2019568982A
Authority: JP
Inventors: 豊堀田; 慎也大須賀; 康弘粂
Original assignee: Aisin Seiki Co Ltd; Aisin Corp
Current assignee: Aisin Corp
Priority date: 2018-01-31
Filing date: 2019-01-16
Publication date: 2022-03-23
Anticipated expiration: 2039-01-16
Also published as: CN111630661B; JPWO2019150950A1; EP3726574A4; US20210074617A1; CN111630661A; US11404363B2; WO2019150950A1; EP3726574A1

Description

本発明は、半導体モジュールに設けられた複数の端子接続部に接続される複数の接続端子を備えた接続端子ユニットに関する。

例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やパワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）などのパワー半導体素子を含む半導体モジュールの複数の端子接続部は、複数の接続端子を備えた接続端子ユニットを介して、制御回路などに接続される。特開２０１１－２５３９４２号公報には、そのような接続端子ユニットの一例として、複数の信号端子（５）と、これらの信号端子（５）を一体的に樹脂モールドした端子台（４）とを備える形態が開示されている（図１、［００１４］－［００１６］等）。尚、背景技術の説明において括弧内の符号は参照する文献のものである。これらの信号端子（５）の一端側は半導体素子（３）の電極や半導体素子（３）と接続されるバスバー（８）にボンディングワイヤー（６）によって電気的に接続される。信号端子（５）の他端側は、外部電機機器等に電気的に接続される。つまり、半導体素子（３）は、信号端子（５）を備えた端子台（４）を介して外部電機機器等に電気的に接続される。

このように、ボンディングワイヤー（６）を用いて信号端子（５）と半導体素子（３）とを接続する場合には、信号端子（５）と半導体素子（３）との相対位置の公差を大きくすることができ、適切に信号端子（５）と半導体素子（３）とを接続することができる。しかし、ボンディングワイヤー（６）を配線するための空間が必要となるため、半導体素子（３）のチップ面に沿った方向に直交する方向視における端子台（４）、接続端子（５）、半導体素子（３）の専有面積（投影面積）は大きくなる傾向がある。これは、半導体素子（３）を備えた半導体モジュールの小型化の妨げとなるため、改善が求められる。

特開２０１１－２５３９４２公報

上記背景に鑑みて、半導体素子を含む半導体モジュールの端子接続部に適切に接続できると共に、チップ面に沿った方向に直交する方向視での投影面積をより小さくすることができる接続端子ユニットの実現が望まれる。

上記に鑑みた接続端子ユニットは、少なくとも１つのスイッチング素子を含む半導体モジュールに設けられた複数の端子接続部に対向してそれぞれ接続される複数の接続端子と、
複数の前記接続端子を保持する端子モールド部と、を備え、
前記端子モールド部は、前記半導体モジュール又は前記半導体モジュールを支持する基材に当接する当接部を有し、
前記当接部は、前記端子接続部に前記接続端子が対向する方向である縦方向から当接する縦方向当接部と、前記縦方向に交差し、それぞれ異なる少なくとも２方向から当接する側方当接部と、を有する。

この構成によれば、複数の接続端子がそれぞれの端子接続部に対向することによって、接続端子と端子接続部とが接続されるので、ボンディングワイヤー等を配線するための空間を必要としない。ここで、各接続端子と各端子接続部とを適切に対向させるためには、接続端子ユニットと半導体モジュールとの相対位置が精度良く位置合わせされていることが好ましい。本構成によれば、縦方向の相対位置が縦方向当接部によって規定され、縦方向に交差する２方向の相対位置が側方当接部によって規定される。つまり、接続端子ユニットと半導体モジュールとの相対位置が３方向から規定されるので、各接続端子と各端子接続部との位置を精度良く位置合わせして、適切に対向させることができる。即ち、本構成に係る接続端子ユニットによれば、半導体素子を含む半導体モジュールの端子接続部に適切に接続できると共に、チップ面に沿った方向に直交する方向視での投影面積をより小さくすることができる。

接続端子ユニットのさらなる特徴と利点は、図面を参照して説明する実施形態についての以下の記載から明確となる。

回転電機駆動装置の模式的な回路ブロック図接続端子ユニットを含むインバータユニットの分解斜視図モールド前のインバータユニットの斜視図モールド後のインバータユニットの斜視図モールド前のインバータユニット及び制御基板の断面図モールド後のインバータユニット及び制御基板の断面図モールド前のインバータユニットの平面図モールド後のインバータユニット及び制御基板の他の構成例の拡大断面図モールド後のインバータユニット及び制御基板の他の構成例の拡大断面図モールド後のインバータユニット及び制御基板の他の構成例の拡大断面図第１端部の側の低剛性部の他の例（モールド外曲げ部）を示す拡大図第１端部の側の低剛性部の他の例（コイルばね部）を示す拡大図

以下、回転電機を駆動制御するインバータを構成する半導体モジュールに接続される形態を例として、接続端子ユニットの実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、インバータ４を含む回転電機駆動装置１００の模式的な回路ブロックを示している。回転電機駆動装置１００は、例えば電気自動車やハイブリッド車において車両（車輪）の駆動力源となる回転電機６を制御する。回転電機６は、複数相（一例として、Ｕ相，Ｖ相，Ｗ相からなる３相）の交流で駆動される交流回転電機である。インバータ４は、直流電源２及び回転電機６に接続されて、直流と複数相の交流との間で電力を変換する。直流電源２とインバータ４との間には、インバータ４の直流側の電圧（直流リンク電圧）を平滑する直流リンクコンデンサ３（平滑コンデンサ）が備えられている。

インバータ４は、複数のスイッチング素子１３を備えて構成されている。スイッチング素子１３は、好適には高周波での動作が可能なパワー半導体素子である。例えば、スイッチング素子１３として、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）や、パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ（Silicon Carbide - Metal Oxide Semiconductor FET）、ＳｉＣ－ＳＩＴ（SiC -
Static Induction Transistor）、ＧａＮ－ＭＯＳＦＥＴ（Gallium Nitride - MOSFET）等を用いることができる。図１に示すように、本実施形態では、スイッチング素子１３としてＩＧＢＴを例示している。また、各スイッチング素子１３には、フリーホイールダイオード１５が並列に接続されている。

本実施形態では、スイッチング素子１３及びフリーホイールダイオード１５が１つの半導体チップに集積され、後述する他の回路素子や端子接続部５５と共に１つの半導体モジュール５として構成されている。本実施形態では、半導体チップは、正方形に近い形状（例えばアスペクト比が０．８～１．２程度）の長方形状に形成されている（図２参照）。また、図１に示すように、本実施形態では、フリーホイールダイオード１５の他、電流検出回路１４、温度検出ダイオード１６も一体化されて半導体モジュール５が形成されている。温度検出ダイオード１６は、スイッチング素子１３の温度を検出する温度検出センサとして機能する。電流検出回路１４は、入出力端子間（ドレイン－ソース間）を流れる素子電流（ドレイン－ソース間電流）に比例する微小な電流（センス電流）を流して素子電流を検出する。

本実施形態において、半導体モジュール５は、７つの端子を有している。この内、図１に四角で示す２つの端子（コレクタ端子５Ｃ、エミッタ端子５Ｅ）は、大電流が流れる端子であり、後述するバスバー（２Ｎ，２Ｐ，５１，５２，５３等）に接続される。板状の半導体チップの一方側の面にコレクタ端子５Ｃが形成され、他方側の面にエミッタ端子５Ｅが形成されている（図２、図７等参照）。図１に丸で示す残りの５つの端子は、コレクタ端子５Ｃ及びエミッタ端子５Ｅに比べて流れる電流は小さく、ドライブ回路（DRV-CCT）７を介してインバータ制御装置（INV-CTRL）８に接続される端子である。これら５つの端子は、接続端子ユニット１（図２等参照）に接続される端子接続部５５として、直線状に５つ並んで配置されている（図２参照）。

上述したように、各スイッチング素子１３は、半導体モジュール５として構成されている。図１に示すように、複数のスイッチング素子１３に対応する複数の半導体モジュール５には、直流電源２の正極に接続される上段側半導体モジュール１１と、直流電源２の負極に接続される下段側半導体モジュール１２とが含まれる。各相（Ｕ相，Ｖ相，Ｗ相）において、上段側半導体モジュール１１と下段側半導体モジュール１２とが直列に接続されて１つのアームが構成されるとともに、各アームの中間点が、回転電機６の各相のステータコイルに接続されている。尚、以下の説明においては、Ｕ相の上段側半導体モジュール１１を符号「１１ｕ」、Ｖ相の上段側半導体モジュール１１を符号「１１ｖ」、Ｗ相の上段側半導体モジュール１１を符号「１１ｗ」と表す場合がある。同様に、Ｕ相の下段側半導体モジュール１２を符号「１２ｕ」、Ｖ相の下段側半導体モジュール１２を符号「１２ｖ」、Ｗ相の下段側半導体モジュール１２を符号「１２ｗ」と表す場合がある。

インバータ制御装置８は、例えば、より上位の車両制御装置（VHL-CTRL）９から提供される回転電機６の目標トルクに基づいて、ベクトル制御法を用いた電流フィードバック制御を行う。回転電機６の各相のステータコイルを流れる実電流は、交流電流センサ６１により検出され、回転電機６のロータの各時点での磁極位置は、レゾルバなどの回転センサ６２により検出される。インバータ制御装置８は、交流電流センサ６１及び回転センサ６２の検出結果を用いて電流フィードバック制御を実行し、各スイッチング素子１３を個別にスイッチング制御する制御信号を生成する。生成された制御信号は、電圧や電流を増幅して駆動能力を高めるドライブ回路７を経由し、スイッチング制御信号ＳＷとして各スイッチング素子１３に提供される。

図２から図４に示すように、インバータ４は、半導体モジュール５と、各相の上下段の半導体モジュール５を接続すると共に回転電機６のステータコイルに接続されるバスバー（５１，５２，５３）と、半導体モジュール５及び直流電源２を接続するバスバー（２Ｐ，２Ｎ）とが、樹脂モールドされて一体化されたインバータユニット１０として構成される。図２は、インバータユニット１０の分解斜視図であり、図３は、樹脂モールドされる前のインバータユニット１０の斜視図、図４は、樹脂モールドされた後のインバータユニット１０の斜視図を示している。

インバータユニット１０は、複数の半導体モジュール５に加え、正極バスバー２Ｐと、負極バスバー２Ｎと、複数の出力バスバー（５１，５２，５３）とを備えている。本実施形のように回転電機６が３相交流で駆動される構成の場合には、複数の出力バスバーとして、第１出力バスバー５１、第２出力バスバー５２、第３出力バスバー５３が備えられる。本実施形態では、第１出力バスバー５１がＵ相に対応し、第２出力バスバー５２がＶ相に対応し、第３出力バスバー５３がＷ相に対応する。

図４に示すように、半導体モジュール５、正極バスバー２Ｐ、負極バスバー２Ｎ、出力バスバー（５１，５２，５３）は、例えばモールド樹脂からなる素子モールド部４０に少なくとも一部が埋め込まれた状態で一体化されている。半導体モジュール５の端子接続部５５に接続された接続端子２５、正極バスバー２Ｐ、負極バスバー２Ｎ、出力バスバー（５１，５２，５３）のそれぞれの一部分は、他の回路装置（直流電源２，インバータ制御装置８、ドライブ回路７、回転電機６）との接続のために、素子モールド部４０の外部に露出している。

図２に示すように、各相の上段側半導体モジュール１１と下段側半導体モジュール１２とは、Ｕ，Ｖ、Ｗの相ごとに第１横方向Ｈ１に並んで配置されている。例えば、Ｕ相上段側半導体モジュール１１ｕとＵ相下段側半導体モジュール１２ｕとが第１横方向Ｈ１に並んで配置されている（Ｖ相、Ｗ相についても同様）。３つの上段側半導体モジュール１１及び３つの下段側半導体モジュール１２は、第１横方向Ｈ１に交差する第２横方向Ｈ２にそれぞれ並んで配置されている。３つの上段側半導体モジュール１１は、互いに同一平面上に配置され、３つの下段側半導体モジュール１２も、互いに同一平面上に配置されている。

即ち、３相各相に対応する３つの上段側半導体モジュール１１が、互いに同一平面上において、第２横方向Ｈ２に並んで配置され、この並び方向に平行に、３相各相に対応する３つの下段側半導体モジュール１２が、互いに同一平面上において、第２横方向Ｈ２に並んで配置されている。さらに、本実施形態では、各相の上段側半導体モジュール１１と下段側半導体モジュール１２とも、互いに同一平面上に配置されている。

このように、インバータ４を構成する全て（本例では６つ）の半導体モジュール５は、同一平面上において、２列×３列のマトリクス状に配置されている。本実施形態では、第１横方向Ｈ１と第２横方向Ｈ２との交差角度が９０°であり、第１横方向Ｈ１と第２横方向Ｈ２とが互いに直交している。なお、本実施形態では、第１横方向Ｈ１及び第２横方向Ｈ２の双方に直交する方向を「縦方向Ｖ」と称する。尚、以下の説明では、縦方向Ｖにおいて、インバータユニット１０よりも制御基板８０の側を「上」、その反対側を「下」と称する場合があるが、これらは、必ずしもインバータユニット１０を設置した状態における「上（鉛直上方側）」や「下（鉛直下方側）」と一致する訳ではない。

同一平面上において２列×３列に整列配置される６つの半導体モジュール５に対して、正極バスバー２Ｐ、負極バスバー２Ｎ、及び出力バスバー（５１，５２，５３）は、それぞれ以下の態様で配置されている。図２等に示すように、正極バスバー２Ｐは、全相の上段側半導体モジュール１１（１１ｕ，１１ｖ，１１ｗ）の下面（コレクタ端子５Ｃ）に接して、これらに電気的に接続された状態で第２横方向Ｈ２に沿って配置されている。正極バスバー２Ｐは、上段側半導体モジュール１１（半導体モジュール５）を支持する基材Ｂとして機能する。

複数の出力バスバー（５１，５２，５３）は、対応する相の上段側半導体モジュール１１の上面（エミッタ端子５Ｅ）に接して、これと電気的に接続された状態で第１横方向Ｈ１に沿って配置されている。各出力バスバー（５１，５２，５３）は、第１横方向Ｈ１に沿って互いに平行に配置されている。本実施形態では、各出力バスバー（５１，５２，５３）は、上段側半導体モジュール１１が並んで配置された正極バスバー２Ｐに直交するように配置されている。図２に示すように、各出力バスバー（５１，５２，５３）は、第１横方向Ｈ１において段差を有して形成されている。各出力バスバー（５１，５２，５３）は、下面側において上段側半導体モジュール１１の上面（エミッタ端子５Ｅ）に接した後、下面側に屈曲して延伸する。屈曲して延伸した後の各出力バスバー（５１，５２，５３）の上面と、正極バスバー２Ｐの上面（上段側半導体モジュール１１の下面（コレクタ端子５Ｃ）に接する側の面）とは、同一平面上に位置する。

屈曲して延伸した後の各出力バスバー（５１，５２，５３）の上面には、３相それぞれに対応する下段側半導体モジュール１２（１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ）が配置されている。各出力バスバー（５１，５２，５３）は、対応する相の下段側半導体モジュール１２の下面（コレクタ端子５Ｃ）に接して、これと電気的に接続される。つまり、出力バスバー（５１，５２，５３）を介して、上段側半導体モジュール１１のエミッタ端子５Ｅと、下段側半導体モジュール１２のコレクタ端子５Ｃとが電気的に接続される。各出力バスバー（５１，５２，５３）は、下段側半導体モジュール１２（半導体モジュール５）を支持する基材Ｂとして機能する。また、縦方向Ｖにおいて上下を反転させると、各出力バスバー（５１，５２，５３）上に上段側半導体モジュール１１が配置されていることになるため、各出力バスバー（５１，５２，５３）は、上段側半導体モジュール１１（半導体モジュール５）を支持する基材Ｂとして機能するということもできる。

下段側半導体モジュール１２が配置されている位置における各出力バスバー（５１，５２，５３）の上面は、上段側半導体モジュール１１が配置されている正極バスバー２Ｐの上面と同一平面上に位置する。従って、インバータ４を構成する全て（本例では６つ）の半導体モジュール５は、同一平面上において２列×３列のマトリクス状に配置される。

負極バスバー２Ｎは、全相の下段側半導体モジュール１２の上面（エミッタ端子５Ｅ）に接する状態で第２横方向Ｈ２に沿って配置されている。負極バスバー２Ｎと正極バスバー２Ｐとは、第２横方向Ｈ２に沿って互いに平行に配置されている。また、本実施形態では、負極バスバー２Ｎの上面と正極バスバー２Ｐの上面とも、同一平面上に位置する。縦方向Ｖにおいて上下を反転させると、負極バスバー２Ｎ上に下段側半導体モジュール１２が配置されていることになるため、負極バスバー２Ｎも、下段側半導体モジュール１２（半導体モジュール５）を支持する基材Ｂとして機能する。

上述したように、正極バスバー２Ｐ、各相の出力バスバー（５１，５２，５３）、負極バスバー２Ｎ、半導体モジュール５を配置することによって、回路接続の上ではインバータ４が形成される。この状態において、縦方向Ｖに沿った方向視で半導体モジュール５の端子接続部５５は露出している。図２に示すように、複数の端子接続部５５には、縦方向Ｖから複数の接続端子２５が対向して、それぞれ電気的に接続される。

複数の接続端子２５は、これらを保持する端子モールド部２０を有する接続端子ユニット１として一体的に形成されている。つまり、接続端子ユニット１は、少なくとも１つのスイッチング素子１３を含む半導体モジュール５に設けられた複数の端子接続部５５に対向してそれぞれ接続される複数の接続端子２５と、複数の接続端子２５を保持する端子モールド部２０とを備えている。以下、図５及び図６の断面図、図７の平面図も参照して説明する。図５は、図３の斜視図に対応する断面図であり、図５では、さらに樹脂モールドされる前のインバータユニット１０に制御基板８０を対向させた状態での断面を示している。図６は、図４の斜視図に対応する断面図であり、図６では、さらに樹脂モールドされた後のインバータユニット１０に制御基板８０が取り付けられた状態での断面を示している。図７は、図３の斜視図に対応する縦方向視の平面図である。

図２、図５から図７に示すように、端子モールド部２０は、半導体モジュール５を支持する基材Ｂに当接する当接部Ｔを有する。この当接部Ｔは、端子接続部５５に接続端子２５が対向する方向である縦方向Ｖから基材Ｂに当接する縦方向当接部１ａと、縦方向Ｖに交差し、それぞれ異なる少なくとも２方向から当接する側方当接部（１ｂ，１ｃ）とを有する。本実施形態では、側方当接部として、第１側方当接部１ｂと第２側方当接部１ｃとを有する形態を例示している。また、本実施形態では、第１側方当接部１ｂ及び第２側方当接部１ｃは互いに直交すると共に縦方向Ｖにも直交する。つまり、本実施形態では、当接部Ｔは、３次元直交座標系における各軸に対応する３方向から基材Ｂに当接する。

上段側半導体モジュール１１の端子接続部５５への接続に際しては、図２に示すように、縦方向Ｖに沿って端子接続部５５と接続端子２５の第１端部２５ａとを対向させた状態で、接続端子ユニット１が正極バスバー２Ｐ及び各相の出力バスバー（５１，５２，５３）に当接するように、縦方向Ｖに沿って移動させる。具体的には、図２及び図７に示すように、接続端子ユニット１の縦方向当接部１ａを正極バスバー２Ｐの上面に相当する縦方向受け部２ａに当接させ、第１側方当接部１ｂを正極バスバー２Ｐの側面に相当する第１側方受け部２ｂに当接させ、第２側方当接部１ｃを各相の出力バスバー（５１，５２，５３）の側面に相当する第２側方受け部２ｃに当接させる。

下段側半導体モジュール１２の端子接続部５５への接続に際しては、縦方向Ｖに沿って端子接続部５５と接続端子２５の第１端部２５ａとを対向させた状態で、接続端子ユニット１が各相の出力バスバー（５１，５２，５３）及び負極バスバー２Ｎに当接するように、縦方向Ｖに沿って移動させる。具体的には、図２、図５及び図７に示すように、接続端子ユニット１の縦方向当接部１ａを各相の出力バスバー（５１，５２，５３）の上面に相当する縦方向受け部２ａに当接させ、第１側方当接部１ｂを各相の出力バスバー（５１，５２，５３）の側面に相当する第１側方受け部２ｂに当接させ、第２側方当接部１ｃを負極バスバー２Ｎの側面に相当する第２側方受け部２ｃに当接させる。

このように、接続端子ユニット１の端子モールド部２０が、異なる３方向から位置決めされることで、端子接続部５５及び接続端子２５も適切に位置決めされる。その結果、端子接続部５５と接続端子２５とを適切に対向させて電気的に接続させることができる。具体的には、端子接続部５５と接続端子２５とは、僅かな隙間を有して対向し、この隙間には、銀ナノペーストや半田などの導電性接合材料が設けられる。端子接続部５５と接続端子２５とは、そのような導電性接合材料によって電気的に接続される。

図２から図７に示すように、端子モールド部２０は、当該端子モールド部２０が保持する複数の接続端子２５の接続対象の半導体モジュール５に対して、縦方向Ｖに沿う縦方向視で少なくとも一部が重複する状態で配置される。さらに詳しくは、端子モールド部２０は、当該端子モールド部２０が保持する複数の接続端子２５の接続対象の端子接続部５５（対象端子接続部）に対して、縦方向視で重複する状態で配置される。端子モールド部２０は、端子接続部５５に縦方向Ｖで対向する複数の接続端子２５を覆って、これらの接続端子２５を保持している。従って、端子モールド部２０は、当該端子接続部５５（対象端子接続部）の全てに縦方向視で重複する状態で配置される。

このようにして、６つの接続端子ユニット１を各半導体モジュール５に接続することで、端子部を含めて、インバータ４の回路の全てが形成される（図３参照）。さらに、正極バスバー２Ｐ、各相の出力バスバー（５１，５２，５３）、負極バスバー２Ｎ、半導体モジュール５、接続端子ユニット１を樹脂等によって一体的にモールドすることによって、図４に示すようにインバータユニット１０が形成される。

上述したように、図６は、素子モールド部４０が形成された後のインバータユニット１０の断面図を示している。接続端子ユニット１の端子モールド部２０には、縦方向Ｖに交差する方向に凹んだ凹部２９が形成されている。素子モールド部４０は、この凹部２９を内部に含んで形成される。換言すれば、端子モールド部２０は、素子モールド部４０の内部に対応する位置に、縦方向Ｖに交差する方向に凹んだ凹部２９を有する。素子モールド部４０を形成する際に、この凹部２９に樹脂等のモールド材料が入り込むため、接続端子ユニット１が素子モールド部４０に対して縦方向Ｖに移動することを抑制することができる。つまり、凹部２９は、素子モールド部４０から接続端子ユニット１が抜けることを抑制する抜け止めとして機能する。

また、本実施形態では、図５及び図６等に示すように、接続端子２５は、端子モールド部２０の内部において縦方向Ｖに交差する方向へ曲がったモールド内曲げ部２７（移動規制部６０）を有する。これによって、接続端子２５が端子モールド部２０から抜けにくくなる。上述したように、素子モールド部４０から端子モールド部２０が抜けにくくなると共に、端子モールド部２０から接続端子２５が抜けにくくなり、接続端子ユニット１の信頼性が向上する。

素子モールド部４０が形成されたインバータユニット１０には、図５及び図６に示すように、インバータ制御装置８及びドライブ回路７が形成された制御基板８０が接続される。具体的には、複数の接続端子２５における端子接続部５５に接続される側の端部（第１端部２５ａ）とは反対側の端部（第２端部２５ｂ）が、半導体モジュール５の制御基板８０に形成された複数の端子接続孔８５を貫通して制御基板８０に接続される。但し、複数の接続端子２５を、複数の端子接続孔８５に貫通させるための位置合わせは容易ではない。このため、端子モールド部２０には、制御基板８０に係合して、制御基板８０の基板面に沿った方向の位置決めを行うための位置決め部２３が形成されている。

本実施形態では、位置決め部２３は、縦方向Ｖに沿って複数の接続端子２５よりも制御基板８０の側に突出した柱状に形成されている。柱状の位置決め部２３は、制御基板８０に形成された孔部（第１係合孔８１，第２係合孔８２）に係合する。本実施形態では、第１係合孔８１及び第２係合孔８２が制御基板８０を貫通する貫通孔であり、柱状の位置決め部２３が制御基板８０を貫通する形態を例示している。また、本実施形態では、１つの接続端子ユニット１が、位置決め部２３として２つの柱状部（第１柱状位置決め部２１、第２柱状位置決め部２２）を有する形態を例示している。また、２つの柱状部は、それぞれ制御基板８０の側への突出長さが異なり、第２柱状位置決め部２２に比べて第１柱状位置決め部２１の突出長さの方が長い。これにより、先に一方の柱状部（第１柱状位置決め部２１）のみを第１係合孔８１に係合させて仮の位置決めを容易に行うことができる。１箇所の位置合わせが完了しているため、その後、他方の柱状部（第２柱状位置決め部２２）も、容易に第２係合孔８２に係合させて位置決めを完了させることができる。

ところで、制御基板８０は板状の部材であり、反りや撓みなどが生じる場合がある。制御基板８０に反りや撓みが生じると、縦方向Ｖに直交する方向での端子接続孔８５の間隔が変わり、端子接続孔８５を貫通して半田等によって固定されている接続端子２５に応力が加わる可能性がある。この応力を吸収するため、例えば、図８に例示するように、接続端子２５が、端子モールド部２０の外部において（端子モールド部２０の外部且つ制御基板８０の側において）縦方向Ｖに交差する方向へ曲がったモールド外曲げ部２８（低剛性部７０）を有すると好適である。つまり、低剛性部７０としてのモールド外曲げ部２８が、複数の接続端子２５における端子接続部５５に接続される側の端部（第１端部２５ａ）とは反対側の端部（第２端部２５ｂ）と、端子モールド部２０との間に設けられていると好適である。

尚、図８には、図５及び図６を参照して上述したモールド内曲げ部２７のような移動規制部６０を有することなく、モールド外曲げ部２８を有する形態を例示している。しかし、当然ながら端子モールド部２０の内部に接続端子２５の縦方向Ｖへの移動を規制する移動規制部６０を有すると共に、端子モールド部２０の外部にモールド外曲げ部２８のような低剛性部７０を有する形態であってもよい。移動規制部６０は、図５、図６を参照して上述したようなモールド内曲げ部２７のような形態に限らず、例えば図９に例示するように、膨隆部６７であってもよい。

また、上記においては、端子モールド部２０には、素子モールド部４０の内部に対応する位置に、縦方向Ｖに交差する方向に凹んだ凹部２９が形成されている形態を例示した。しかし、素子モールド部４０から端子モールド部２０が抜けにくくする上では、凹部２９に限らず、図８に例示するように縦方向Ｖに交差する方向に突出した凸部３０が形成されていてもよい。尚、図８には、凹部２９と凸部３０とが形成されている形態を例示しているが、凹部２９を有することなく、凸部３０のみが形成されていてもよい（図示省略）。

ところで、図８及び図９を参照して上述した形態では、複数の接続端子２５における端子接続部５５に接続される側の端部（第１端部２５ａ）とは反対側の端部（第２端部２５ｂ）と、端子モールド部２０との間に、低剛性部７０が設けられている形態を例示した。しかし、低剛性部７０は、複数の接続端子２５における端子接続部５５に接続される側の端部（第１端部２５ａ）と、端子モールド部２０との間に設けられていてもよい（図１０参照）。低剛性部７０が第２端部２５ｂと端子モールド部２０との間に設けられる場合には、上述したように、制御基板８０に反りや撓みが乗じた場合の応力を吸収する効果が得られる。低剛性部７０が第１端部２５ａと端子モールド部２０との間に設けられる場合には、半導体モジュール５の反りや、接続端子２５と端子接続部５５とを接合する導電性接合材料の厚みのばらつきによる誤差を吸収して両者の接続性を向上させる効果が得られる。

図１０には、第１端部２５ａと端子モールド部２０との間に設けられる低剛性部７０が、環状ばね部７８として構成されている形態を例示している。環状ばね部７８は、少なくとも縦方向Ｖに撓むばね状部であり、上述したように接続端子２５と端子接続部５５とを接合する際の誤差を吸収し易い。尚、上述したように、半導体モジュール５と端子モールド部２０とは、素子モールド部４０によって一体的にモールドされる。図１０に示すように、低剛性部７０は、素子モールド部４０の内部に対応する位置に設けられている。接続端子ユニット１を半導体モジュール５に実装する際には、低剛性部７０による弾性力を利用して誤差を吸収し、実装後には低剛性部７０が樹脂でモールドされることで低剛性部７０の弾性力を無くすことができる。これにより、使用環境下での振動等による影響を低減させることができる。例えば、振動により低剛性部７０が共振を生じるおそれも低減されるので、インバータユニット１０の長寿命化が期待できる。

図１０には、第１端部２５ａと端子モールド部２０との間に設けられる低剛性部７０としてばね状部（環状ばね部７８）を例示した。しかし、低剛性部７０は、図１１に示すように、第２端部２５ｂと端子モールド部２０との間に設けられる低剛性部７０と同様に、縦方向Ｖに交差する方向へ曲がったモールド外曲げ部２８であってもよい。図示は省略するが、同様に、第２端部２５ｂと端子モールド部２０との間に設けられる低剛性部７０が、ばね状部（環状ばね部７８）であってもよい。また、図１０には、ばね状部として環状ばね部７８を例示しているが、ばね状部は、弾性力を有するばね状であれば別の構造であってもよい。例えば、ばね状部は、図１２に示すように、コイルばね部７９であってもよい。

以上説明したように、本実施形態に係る接続端子ユニット１を用いることで、スイッチング素子１３を含む半導体モジュール５の端子接続部５５と、接続端子ユニット１とを適切に接続すると共に、チップ面に沿った方向に直交する方向視での投影面積をより小さくすることができる。

〔その他の実施形態〕
以下、その他の実施形態について説明する。尚、以下に説明する各実施形態の構成は、それぞれ単独で適用されるものに限られず、矛盾が生じない限り、他の実施形態の構成と組み合わせて適用することも可能である。

（１）上記においては、インバータ４を構成する半導体モジュール５の端子接続部５５に接続される接続端子ユニット１を例として説明した。しかし、接続端子ユニット１が接続される半導体モジュール５は、インバータ４を構成するものでなくてもよい。当然ながら、上述したように、６つの半導体モジュール５に対して６つの接続端子ユニット１が接続される形態に限らず、１つの半導体モジュール５に１つの接続端子ユニット１が接続される形態であってもよい。また、１つの半導体モジュール５に複数の接続端子ユニット１が接続される形態であってもよい。

（２）上記においては、縦方向Ｖに交差し、それぞれ異なる少なくとも２方向から基材Ｂに当接する側方当接部として、第１側方当接部１ｂと第２側方当接部１ｃとを有する形態を例示した。そして、第１側方当接部１ｂ及び第２側方当接部１ｃは、互いに直交すると共に縦方向Ｖにも直交する方向から基材Ｂに当接する形態を例示した。しかし、第１側方当接部１ｂ及び第２側方当接部１ｃは、交差している方向であれば、互いに直交していない方向から基材Ｂに当接してもよい。また、第１側方当接部１ｂ及び第２側方当接部１ｃは、縦方向Ｖに交差している方向であれば、縦方向Ｖに直交していない方向から基材Ｂに当接してもよい。また、側方当接部は、１つであってもよい。例えば、同時に異なる２面に当接するようなノックピン等を用いて側方当接部を構成することができる。ノックピン等によって側方当接部を構成する場合、当接する方向が一義的に定まらない可能性があるが、縦方向Ｖに交差して、少なくとも２方向から当接すればよい。

（３）上記においては、各半導体モジュール５に端子接続部５５が５つ形成され、各接続端子ユニットに接続端子２５が５本設けられている形態を例示した。端子接続部５５の数は、半導体モジュール５の構成によっても異なるため、端子接続部５５は５つ未満であっても、６つ以上であってもよい。また、半導体モジュール５が有する端子接続部５５の全てと、制御基板８０等の他の回路とを接続する必要が無いような場合もある。従って、端子接続部５５の数と、接続端子２５の数とが異なっていてもよい。

（４）上記においては、１つの接続端子ユニット１に２つの位置決め部２３が形成されている形態を例示した。しかし、１つの接続端子ユニット１に形成される位置決め部２３は１つであってもよい。

（５）上記においては、６つ全ての接続端子ユニット１に、位置決め部２３が形成されている形態を例示したが、一部の接続端子ユニット１にのみ位置決め部２３が形成されていてもよい。１つの接続端子ユニット１に形成される位置決め部２３が１つである場合においても、少なくとも１つの接続端子ユニット１と制御基板８０との相対位置が規定されることで、接続端子２５を制御基板８０の端子接続孔８５に貫通させる際の作業性は向上する。

〔実施形態の概要〕
以下、上記において説明した接続端子ユニット１の概要について簡単に説明する。

１つの態様として、接続端子ユニット（１）は、少なくとも１つのスイッチング素子（１３）を含む半導体モジュール（５）に設けられた複数の端子接続部（５５）に対向してそれぞれ接続される複数の接続端子（２５）と、複数の前記接続端子（２５）を保持する端子モールド部（２０）と、を備え、前記端子モールド部（２０）は、前記半導体モジュール（５）又は前記半導体モジュール（５）を支持する基材（Ｂ）に当接する当接部（Ｔ）を有し、前記当接部（Ｔ）は、前記端子接続部（５５）に前記接続端子（２５）が対向する方向である縦方向（Ｖ）から当接する縦方向当接部（１ａ）と、前記縦方向（Ｖ）に交差し、それぞれ異なる少なくとも２方向から当接する側方当接部（１ｂ，１ｃ）と、を有する。

この構成によれば、複数の接続端子（２５）がそれぞれの端子接続部（５５）に対向することによって、接続端子（２５）と端子接続部（５５）とが接続されるので、ボンディングワイヤー等を配線するための空間を必要としない。ここで、各接続端子（２５）と各端子接続部（５５）とを適切に対向させるためには、接続端子ユニット（１）と半導体モジュール（５）との相対位置が精度良く位置合わせされていることが好ましい。本構成によれば、縦方向（Ｖ）の相対位置が縦方向当接部（１ａ）によって規定され、縦方向（Ｖ）に交差する２方向の相対位置が側方当接部（１ｂ，１ｃ）によって規定される。つまり、接続端子ユニット（１）と半導体モジュール（５）との相対位置が３方向から規定されるので、各接続端子（２５）と各端子接続部（５５）との位置を精度良く位置合わせして、適切に対向させることができる。即ち、本構成に係る接続端子ユニット（１）によれば、半導体素子（１３）を含む半導体モジュール（５）の端子接続部（５５）に適切に接続できると共に、チップ面に沿った方向に直交する方向視での投影面積をより小さくすることができる。

ここで、前記端子モールド部（２０）は、当該端子モールド部（２０）が保持する複数の前記接続端子（２５）の接続対象の前記半導体モジュール（５）に対して、前記縦方向（Ｖ）に沿う縦方向視で少なくとも一部が重複する状態で配置されると好適である。

この構成によれば、端子モールド部（２０）が縦方向（Ｖ）視で半導体モジュール（５）と重複するので、半導体モジュール（５）のチップ面に沿った方向に直交する方向視での投影面積をより小さくすることができる。

ここで、前記接続端子（２５）は、前記端子モールド部（２０）の内部において前記接続端子（２５）の前記縦方向（Ｖ）への移動を規制する移動規制部（６０）を有すると好適である。

端子モールド部（２０）の内部に、移動規制部（６０）を有することによって、接続端子（２５）が端子モールド部（２０）から抜けにくくなる。その結果、接続端子ユニット（１）の信頼性が向上する。

ここで、前記移動規制部（６０）は、前記端子モールド部（２０）の内部において前記縦方向（Ｖ）に交差する方向へ曲がったモールド内曲げ部（２７）であると好適である。

端子モールド部（２０）の内部に、モールド内曲げ部（２７）を有することによって、接続端子（２５）が端子モールド部（２０）から抜けにくくなる。従って、モールド内曲げ部（２７）は、移動規制部（６０）として好適な形態である。

また、前記接続端子（２５）は、前記端子モールド部（２０）の外部において前記接続端子（２５）の他の部位よりも剛性が低い低剛性部（７０）を有すると好適である。

接続端子（２５）は、一方側の端部（２５ａ）において半導体モジュール（５）の端子接続部（５５）に接続されると共に、他方側の端部（２５ｂ）において、他の部材に接続される。他方側の端部（２５ｂ）が接続される他の部材には、例えば回路基板など、反りや撓み等の影響で形状に変化やばらつきがある部材の場合がある。また、半導体モジュール（５）も反りを生じている場合や、導電性接合材料の塗布厚のばらつきが大きい場合がある（接続先の状態にばらつきが生じている場合がある。）。接続端子（２５）が、端子モールド部（２０）の外部に低剛性部（７０）を有すると、接続端子（２５）の接続対象となるこれらの部材の形状や状態にばらつきや変化がある場合にも、その形状や状態の変化やばらつきを低剛性部（７０）において吸収することができる。その結果、接続対象の部材の形状や状態に起因して生じた外力が、端子モールド部（２０）や、半導体モジュール（５）の端子接続部（５５）に与える影響を軽減させることができる。

また、前記低剛性部（７０）は、前記縦方向（Ｖ）に交差する方向へ曲がったモールド外曲げ部（２８）、又は、少なくとも前記縦方向（Ｖ）に撓むばね状部（７８，７９）であると好適である。

モールド外曲げ部（２８）は、接続対象の部材の形状にばらつきや変化がある場合にも、その形状の変化やばらつきを吸収することができる形状である。従って、モールド外曲げ部（２８）は、低剛性部（７０）の構造として好適である。また、ばね状部（７８，７９）も、接続対象の部材の形状にばらつきや変化がある場合に、その形状の変化やばらつきを弾性力によって吸収することができる形状である。従って、ばね状部（７８，７９）も、低剛性部（７０）の構造として好適である。

ここで、前記低剛性部（７０）は、複数の前記接続端子（２５）における前記端子接続部（５５）に接続される側の端部（２５ａ）とは反対側の端部（２５ｂ）と、前記端子モールド部（２０）との間に設けられていると好適である。

上述したように、端子接続部（５５）に接続される側の端部（２５ａ）とは反対側の端部（２５ｂ）は、例えば回路基板など、反りや撓み等の影響で形状に変化やばらつきがある部材に接続されることがある。低剛性部（７０）が上記の箇所に設けられていると、回路基板などの形状に変化やばらつきがあっても、それを低剛性部（７０）において吸収することができる。

或いは、前記低剛性部（７０）は、複数の前記接続端子（２５）における前記端子接続部（５５）に接続される側の端部（２５ａ）と、前記端子モールド部（２０）との間に設けられていると好適である。

低剛性部（７０）がこの箇所に設けられていると、半導体モジュール（５）が反りを生じている場合や、導電性接合材料の塗布厚のばらつきが大きい場合であっても、そのような形状や状態の変化やばらつきを低剛性部（７０）において吸収することができる。従って、半導体モジュール（５）への接続端子（２５）の接続性が良くなり、信頼性が向上する。

前記半導体モジュール（５）と前記端子モールド部（２０）とは、素子モールド部（４０）によって一体的にモールドされるものであり、前記低剛性部（７０）が、複数の前記接続端子（２５）における前記端子接続部（５５）に接続される側の端部（２５ａ）と、前記端子モールド部（２０）との間に設けられている場合、前記低剛性部（７０）は、前記素子モールド部（４０）の内部に対応する位置に設けられていると好適である。

この構成によれば、半導体モジュール（５）に接続端子（２５）を接続する際には、低剛性部（７０）の弾性力を利用して、半導体モジュール（５）の側の形状や状態の変化やばらつきを適切に吸収することができる。そして、半導体モジュール（５）に接続端子（２５）が接続された後には、低剛性部（７０）は素子モールド部（４０）の内部にモールドされて、その弾性力は失われる。従って、使用環境における振動等によって、半導体モジュール（５）と接続端子（２５）との接続箇所（端子接続部（５５））に掛かる応力も低減される。従って、半導体モジュール（５）及び接続端子（２５）を備えた装置の長寿命化も期待できる。

また、前記半導体モジュール（５）と前記端子モールド部（２０）とは、素子モールド部（４０）によって一体的にモールドされるものであり、前記端子モールド部（２０）は、前記素子モールド部（４０）の内部に対応する位置に、前記縦方向（Ｖ）に交差する方向に凹んだ凹部（２９）又は突出した凸部（３０）を有すると好適である。

端子モールド部（２０）がこのような凹部（２９）又は凸部（３０）を有することで、素子モールド部（４０）から接続端子ユニット（１）が縦方向（Ｖ）に抜ける可能性を低減することができる。

また、複数の前記接続端子（２５）における前記端子接続部（５５）に接続される側とは反対側の端部（２５ｂ）が、前記半導体モジュール（５）の制御回路（８）が形成された制御基板（８０）に形成された複数の端子接続孔（８５）を貫通して前記制御基板（８０）に接続されるように構成され、前記端子モールド部（２０）は、前記制御基板（８０）に係合して、前記制御基板（８０）の基板面に沿った方向の位置決めを行う位置決め部（２３）を有すると好適である。

制御基板（８０）に形成された複数の端子接続孔（８５）に複数の接続端子（２５）を適切に貫通させるためには、制御基板（８０）と接続端子ユニット（１）との相対位置が精度良く位置合わせさせていることが好ましい。本構成によれば、端子モールド部（２０）に形成された位置決め部（２３）が制御基板（８０）に係合することで、制御基板（８０）と接続端子ユニット（１）とを精度良く位置合わせすることができる。その結果、複数の端子接続孔（８５）に複数の接続端子（２５）を容易且つ適切に貫通させることができる。

上述したように、前記端子モールド部（２０）は、前記制御基板（８０）に係合して、前記制御基板（８０）の基板面に沿った方向の位置決めを行う位置決め部（２３）を有する場合、前記位置決め部（２３）は、前記縦方向（Ｖ）に沿って複数の前記接続端子（２５）よりも前記制御基板（８０）の側に突出した柱状に形成され、前記制御基板（８０）に形成された孔部（８１，８２）に係合すると好適である。

この構成によれば、制御基板（８０）の側に突出した柱状の位置決め部（２３）が接続端子（２５）よりも先に制御基板（８０）に係合するため、接続端子（２５）を制御基板（８０）の端子接続孔（８５）に貫通させる際には、制御基板（８０）と接続端子ユニット（１）とが適切に位置合わせされている。従って、制御基板（８０）に形成された複数の端子接続孔（８５）に複数の接続端子（２５）を容易且つ適切に貫通させることができる。

前記位置決め部（２３）が柱状に形成される場合、前記位置決め部（２３）は、前記制御基板（８０）の側への突出長さが異なる２本の柱状部（２１，２２）を有すると好適である。

２本の柱状の位置決め部（２３）を同時に制御基板に係合させる場合は、制御基板（８０）と接続端子ユニット（１）との位置合わせに精度が要求される。しかし、制御基板（８０）の側への突出長さが異なる２本の柱状部を有する場合には、突出長さが長い１本の柱状部（２１）を先に制御基板（８０）に係合させることができる。従って、２本の柱状の位置決め部（２３）を同時に制御基板（８０）に係合させる場合に比べて制御基板（８０）と接続端子ユニット（１）との位置合わせが容易になる。そして、１本の柱状の位置決め部（２１）が制御基板（８０）に係合されている状態で、他方の柱状の位置決め部（２２）を制御基板（８０）に係合させればよいので、この際の位置合わせも容易になる。
よって、本構成によれば、制御基板（８０）と接続端子ユニット（１）とを簡単且つ精度良く位置合わせして、制御基板（８０）に形成された複数の端子接続孔（８５）に複数の接続端子（２５）を容易且つ適切に貫通させることができる。

１：接続端子ユニット
１ａ：縦方向当接部
１ｂ：第１側方当接部（側方当接部）
１ｃ：第２側方当接部（側方当接部）
２Ｎ：負極バスバー（基材）
２Ｐ：正極バスバー（基材）
５：半導体モジュール
７：ドライブ回路
８：インバータ制御装置（半導体モジュールの制御回路）
１１：上段側半導体モジュール（半導体モジュール）
１２：下段側半導体モジュール（半導体モジュール）
１３：スイッチング素子
２０：端子モールド部
２１：第１柱状位置決め部（突出長さが異なる２本の柱状部）
２２：第２柱状位置決め部（突出長さが異なる２本の柱状部）
２３：位置決め部
２５：接続端子
２５ａ：第１端部（端子接続部に接続される側の端部）
２５ｂ：第２端部（端子接続部に接続される側とは反対側の端部）
２７：モールド内曲げ部（移動規制部）
２８：モールド外曲げ部（低剛性部）
２９：凹部
３０：凸部
４０：素子モールド部
５１：第１出力バスバー（基材）
５２：第２出力バスバー（基材）
５３：第３出力バスバー（基材）
５５：端子接続部
６０：移動規制部
６７：膨隆部（移動規制部）
７０：低剛性部
７８：環状ばね部（ばね状部）
７９：コイルばね部（ばね状部）
８０：制御基板
８１：第１係合孔（制御基板に形成された孔部）
８２：第２係合孔（制御基板に形成された孔部）
８５：端子接続孔
Ｂ：基材
Ｈ１：第１横方向（縦方向に交差する方向）
Ｈ２：第２横方向（縦方向に交差する方向）
Ｔ：当接部
Ｖ：縦方向

Claims

少なくとも１つのスイッチング素子を含む半導体モジュールに設けられた複数の端子接続部に対向してそれぞれ接続される複数の接続端子と、
複数の前記接続端子を保持する端子モールド部と、を備え、
前記端子モールド部は、前記半導体モジュールを支持する基材に当接する当接部を有し、
前記当接部は、前記端子接続部に前記接続端子が対向する方向である縦方向から当接する縦方向当接部と、前記縦方向に交差し、それぞれ異なる少なくとも２方向から当接する側方当接部と、を有する接続端子ユニット。
前記側方当接部は、第１側方当接部と第２側方当接部とを備え、
前記第１側方当接部及び前記第２側方当接部は、互いに直交すると共に前記縦方向に直交する方向から基材に当接する、請求項１に記載の接続端子ユニット。
前記端子モールド部は、当該端子モールド部が保持する複数の前記接続端子の接続対象の前記半導体モジュールに対して、前記縦方向に沿う縦方向視で少なくとも一部が重複する状態で配置される請求項１又は２に記載の接続端子ユニット。
前記接続端子は、前記端子モールド部の内部において前記接続端子の前記縦方向への移動を規制する移動規制部を有する請求項１から３の何れか一項に記載の接続端子ユニット。
前記移動規制部は、前記縦方向に交差する方向へ曲がったモールド内曲げ部である請求項４に記載の接続端子ユニット。
前記接続端子は、前記端子モールド部の外部において前記接続端子の他の部位よりも剛性が低い低剛性部を有する請求項１から５の何れか一項に記載の接続端子ユニット。
前記低剛性部は、前記縦方向に交差する方向へ曲がったモールド外曲げ部、又は、少なくとも前記縦方向に撓むばね状部である請求項６に記載の接続端子ユニット。
前記低剛性部は、複数の前記接続端子における前記端子接続部に接続される側の端部とは反対側の端部と、前記端子モールド部との間に設けられている請求項６又は７に記載の接続端子ユニット。
前記低剛性部は、複数の前記接続端子における前記端子接続部に接続される側の端部と、前記端子モールド部との間に設けられている請求項６又は７に記載の接続端子ユニット。
前記半導体モジュールと前記端子モールド部とは、素子モールド部によって一体的にモールドされるものであり、
前記低剛性部は、前記素子モールド部の内部に対応する位置に設けられている請求項９に記載の接続端子ユニット。
前記半導体モジュールと前記端子モールド部とは、素子モールド部によって一体的にモールドされるものであり、
前記端子モールド部は、前記素子モールド部の内部に対応する位置に、前記縦方向に交差する方向に凹んだ凹部又は突出した凸部を有する請求項１から１０の何れか一項に記載の接続端子ユニット。
複数の前記接続端子における前記端子接続部に接続される側とは反対側の端部が、前記半導体モジュールの制御回路が形成された制御基板に形成された複数の端子接続孔を貫通して前記制御基板に接続されるように構成され、
前記端子モールド部は、前記制御基板に係合して、前記制御基板の基板面に沿った方向の位置決めを行う位置決め部を有する請求項１から１１の何れか一項に記載の接続端子ユニット。
前記位置決め部は、前記縦方向に沿って複数の前記接続端子よりも前記制御基板の側に突出した柱状に形成され、前記制御基板に形成された孔部に係合する請求項１２に記載の接続端子ユニット。
前記位置決め部は、前記制御基板の側への突出長さが異なる２本の柱状部を有する請求項１３に記載の接続端子ユニット。