JP2020161683A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体装置の小型化を図りつつ、各端子の接合品質を確保する。【解決手段】半導体モジュール５は、第１端子５１が設けられた第１面５１Ｆと、第１面５１Ｆとは反対側を向く面であって第２端子５２が設けられた第２面５２Ｆと、を備え、導電部材Ｂは、第１面５１Ｆと対向して配置される接合面ＢＦを備えると共に、接合面ＢＦにおける第１面５１Ｆと対向する領域に対する外側領域ＢＡ２に、接合面ＢＦに開口すると共に接合面ＢＦに対して凹むように形成された凹部Ｂｈを備え、第１端子５１と接合面ＢＦとが接合材６により接合され、第２端子５２と第２接続端子２２とが接合材６により接合され、第１接続端子２１の端部が、凹部Ｂｈの中に配置された接合材６である凹部内接合材６０に埋没するように配置され、第１接続端子２１と導電部材Ｂとが凹部内接合材６０により接合されている。【選択図】図５

Description

本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。

半導体装置に関する技術分野においては、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やパワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）などのパワー半導体素子を含む半導体モジュールの複数の端子が、接続端子を介して制御回路基板などに接続される。例えば、特開２０１１−２５３９４２号公報（特許文献１）には、このような半導体装置に関する技術が開示されている。以下、背景技術の説明において括弧内に示される符号は、特許文献１のものである。

特許文献１に記載された技術では、外部電気機器等に電気的に接続される接続端子（５）が、当該機器等に接続された端部とは反対側の端部において、接続対象の一例である半導体素子（３）に対してボンディングワイヤ（６）によって電気的に接続されている。このようにボンディングワイヤ（６）を用いて接続を行う場合には、接続端子（５）と半導体素子（３）との相対位置関係、特に、接続対象となる面に直交する方向の位置関係についての制約が少ない。そのため、特許文献１に記載された技術では、複数箇所の接続を行う場合において接続箇所毎に、接続対象となる面に直交する方向の位置が異なる場合であっても、それら複数個所を１つの工程で、ボンディングワイヤ（６）によって適切に接続することができる。

特開２０１１−２５３９４２号公報

しかしながら、特許文献１に記載された技術では、ボンディングワイヤ（６）を配線するために、各接続対象の周囲に一定の空間を確保することが必要であり、その分、半導体装置（１）の大型化を招いていた。

上記実状に鑑みて、半導体装置の小型化を図りつつ、各端子の接合品質を確保することができる技術の実現が求められている。

上記に鑑みた半導体装置の特徴構成は、
半導体モジュールと、
前記半導体モジュールに電気的に接続される導電部材と、
棒状の第１接続端子と、
棒状の第２接続端子と、を備え、
前記半導体モジュールは、第１端子が設けられた第１面と、前記第１面とは反対側を向く面であって第２端子が設けられた第２面と、を備え、
前記導電部材は、前記第１面と対向して配置される接合面を備えると共に、前記接合面における前記第１面と対向する領域に対する外側領域に、前記接合面に開口すると共に前記接合面に対して凹むように形成された凹部を備え、
前記第１端子と前記接合面とが接合材により接合され、
前記第２端子と前記第２接続端子とが接合材により接合され、
前記第１接続端子の端部が、前記凹部の中に配置された接合材である凹部内接合材に埋没するように配置され、前記第１接続端子と前記導電部材とが前記凹部内接合材により接合されている点にある。

また、上記に鑑みた半導体装置の製造方法の特徴構成は、
半導体モジュールと、前記半導体モジュールに電気的に接続される導電部材と、棒状の第１接続端子と棒状の第２接続端子との相対位置が固定されてなる接続端子ユニットと、を用い、
前記半導体モジュールは、第１端子が設けられた第１面と、前記第１面とは反対側を向く面であって第２端子が設けられた第２面と、を備え、
前記導電部材は、前記第１面が接合される接合領域を有する接合面を備えると共に、前記接合面における前記接合領域に対する外側領域に、前記接合面に開口すると共に前記接合面に対して凹むように形成された凹部を備えており、
前記接合面と前記第１面とを対向させて配置する第１配置工程と、
前記第１配置工程の後、前記第２接続端子が前記第２端子に近接すると共に、前記第１接続端子の端部が前記凹部の中に配置されるように、前記接続端子ユニットを配置する第２配置工程と、
前記接合面と前記第１端子とを接合材により接合する第１接合工程と、
前記第２端子と前記第２接続端子とを接合材により接合する第２接合工程と、
前記第１接続端子の端部を前記凹部の中に配置された接合材である凹部内接合材に埋没させた状態として前記第１接続端子と前記導電部材とを前記凹部内接合材により接合する第３接合工程と、を備える点にある。

本構成によれば、第１接続端子及び第２接続端子が、接合材により、接合対象である導電部材又は半導体モジュールに接合されている。そのため、例えばこれらをワイヤボンディングにより接続する場合に比べてボンディングワイヤを配線するための空間を不要とすることができ、これらの接続端子と接続対象とを近づけて配置することが容易となる。従って、本構成によれば、半導体装置の小型化を図ることが可能となる。
また、本構成では、第１接続端子の接合対象は導電部材の接合面であり、第２接続端子の接合対象は半導体モジュールの第２面に設けられた第２端子であるため、第１接続端子の接合対象と第２接続端子の接合対象とが異なる部材の異なる面となっている。そのため、これらの接合対象の位置関係、特に接合面に直交する方向（直交方向）の位置関係は、導電部材と半導体モジュールとの間の接合材の厚さや、導電部材及び半導体モジュールのそれぞれの形状や寸法の誤差等に起因する誤差を有するものとなる。
しかし、本構成によれば、第１接続端子が、導電部材の凹部の中に配置された接合材である凹部内接合材に埋没するように配置されている。そのため、凹部の中における凹部内接合材の深さの分だけ、導電部材に対する第１接続端子の位置が、直交方向にずれても接合することが可能となっている。従って、例えば第１接続端子と第２接続端子とをそれぞれの接合対象に対して１つの工程でまとめて接合する場合にも、第２接続端子を第２端子に接合した状態での第１接続端子と導電部材との直交方向の位置ずれを、上記凹部内の構成によって吸収して第１接続端子と導電部材との接合を確保することができる。そのため、第２接続端子の接合対象と第１接続端子の接合対象との位置関係の誤差を少なくするために、各部材の寸法精度を高めたり接合材の厚さの精度を高めたりする必要性を低減でき、その分製造コストを低減することが容易となっている。
すなわち、本構成によれば、半導体装置の小型化を図りつつ、製造コストの上昇を抑えて各端子の接合品質を確保することができる。

本開示に係る技術のさらなる特徴と利点は、図面を参照して記述する以下の例示的かつ非限定的な実施形態の説明によってより明確になるであろう。

回転電機駆動装置の模式的な回路ブロック図 半導体装置の分解斜視図 半導体装置の斜視図 制御基板を半導体装置に取り付ける際の要部断面図 半導体装置の要部拡大断面図 各接続端子に対応する接合対象の相対位置に誤差が生じている場合の半導体装置の要部拡大断面図 半導体装置の製造工程を示すフローチャート その他の実施形態に係る半導体装置の要部拡大断面図 その他の形態に係る半導体装置の製造工程の一部を示すフローチャート その他の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示すフローチャート 凹部の他の例を示す拡大図

〔第１実施形態〕
第１実施形態に係る半導体装置について、当該半導体装置が、回転電機を駆動する回転電機駆動装置に適用される場合を例示して説明する。

〔半導体装置の回路構成〕
図１は、インバータ、若しくはインバータの一部として構成される半導体装置４を含む回転電機駆動装置１００の、模式的な回路ブロックを示している。回転電機駆動装置１００は、例えば電気自動車やハイブリッド車において車両（車輪）の駆動力源となる回転電機ＭＧを制御する。回転電機ＭＧは、複数相（一例として、Ｕ相，Ｖ相，Ｗ相からなる３相）の交流で駆動される交流回転電機である。半導体装置４は、ここではインバータを構成しており、直流電源ＤＣ及び回転電機ＭＧに接続されて、直流と複数相の交流との間で電力を変換する。直流電源ＤＣと半導体装置４との間には、半導体装置４の直流側の電圧（直流リンク電圧）を平滑する直流リンクコンデンサ３（平滑コンデンサ）が備えられている。

半導体装置４は、複数のスイッチング素子１３を備えて構成されている。スイッチング素子１３は、好適には高周波での動作が可能なパワー半導体素子である。例えば、スイッチング素子１３として、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）や、パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ（Silicon Carbide - Metal Oxide Semiconductor FET）、ＳｉＣ−ＳＩＴ（SiC - Static Induction Transistor）、ＧａＮ−ＭＯＳＦＥＴ（Gallium Nitride - MOSFET）等を用いることができる。図１に示すように、本実施形態では、スイッチング素子１３としてＩＧＢＴを例示している。また、各スイッチング素子１３には、フリーホイールダイオード１５が並列に接続されている。

本実施形態では、スイッチング素子１３及びフリーホイールダイオード１５が１つの半導体チップに集積され、１つの半導体モジュール５として構成されている。また、図１に示すように、本実施形態では、フリーホイールダイオード１５の他、電流検出回路１４、温度検出ダイオード１６も一体化されて半導体モジュール５が形成されている。温度検出ダイオード１６は、スイッチング素子１３の温度を検出する温度検出センサとして機能する。電流検出回路１４は、入出力端子間（ドレイン−ソース間）を流れる素子電流（ドレイン−ソース間電流）に比例する微小な電流（センス電流）を流して素子電流を検出する。

本実施形態において、半導体モジュール５は、７つの端子を有している。この内、図１に四角で示す２つの端子（コレクタ端子５Ｃ、エミッタ端子５Ｅ）は、大電流が流れる端子であり、後述するバスバーＢ等に接続される。本例では、板状の半導体チップ（半導体モジュール５）の一方側の面にコレクタ端子５Ｃが形成され、他方側の面にエミッタ端子５Ｅが形成されている（図２参照）。図１に丸で示す残りの５つの端子は、コレクタ端子５Ｃ及びエミッタ端子５Ｅに比べて流れる電流は小さく、ドライブ回路（DRV-CCT）ＤＲを介してインバータ制御装置（INV-CTRL）８に接続される端子である。

上述したように、各スイッチング素子１３は、半導体モジュール５の一部として構成されている。図１に示すように、半導体装置４を構成する複数の半導体モジュール５には、直流電源ＤＣの正極に接続される上段側半導体モジュール１１と、直流電源ＤＣの負極に接続される下段側半導体モジュール１２とが含まれる。各相（Ｕ相，Ｖ相，Ｗ相）において、上段側半導体モジュール１１と下段側半導体モジュール１２とが直列に接続されて１つのアームが構成されるとともに、各アームの中間点が、回転電機ＭＧの各相のステータコイルに接続されている。尚、以下の説明においては、Ｕ相の上段側半導体モジュール１１を符号「１１ｕ」、Ｖ相の上段側半導体モジュール１１を符号「１１ｖ」、Ｗ相の上段側半導体モジュール１１を符号「１１ｗ」と表す場合がある。同様に、Ｕ相の下段側半導体モジュール１２を符号「１２ｕ」、Ｖ相の下段側半導体モジュール１２を符号「１２ｖ」、Ｗ相の下段側半導体モジュール１２を符号「１２ｗ」と表す場合がある。

インバータ制御装置８は、例えば、より上位の車両制御装置（VHL-CTRL）９から提供される回転電機ＭＧの目標トルクに基づいて、ベクトル制御法を用いた電流フィードバック制御を行う。回転電機ＭＧの各相のステータコイルを流れる実電流は、交流電流センサＳ１により検出され、回転電機ＭＧのロータの各時点での磁極位置は、レゾルバなどの回転センサＳ２により検出される。インバータ制御装置８は、交流電流センサＳ１及び回転センサＳ２の検出結果を用いて電流フィードバック制御を実行し、各スイッチング素子１３を個別にスイッチング制御する制御信号を生成する。生成された制御信号は、電圧や電流を増幅して駆動能力を高めるドライブ回路ＤＲを経由し、スイッチング制御信号として各スイッチング素子１３に提供される。

〔半導体装置の機械的構成〕
半導体装置４の機械的構成について説明する。図２は、半導体装置４の分解斜視図を示している。図３は、半導体装置４の斜視図を示している。なお、半導体装置４は、例えば図３に示される状態からバスバーＢの周辺が樹脂モールドされるが、ここでは樹脂モールドについては説明を省略する。

図２に示すように、半導体装置４は、半導体モジュール５と、半導体モジュール５に電気的に接続されるバスバーＢと、を備えている。本実施形態では、バスバーＢが、「導電部材」に相当する。また、バスバーＢは、半導体モジュール５と直流電源ＤＣ（図１参照）の正極側とを電気的に接続する正極バスバーＢＰと、半導体モジュール５と直流電源ＤＣの負極側とを電気的に接続する負極バスバーＢＮと、各相の上下段の半導体モジュール５と回転電機ＭＧのステータコイルとを電気的に接続する複数の出力バスバーと、を含んでいる。本実施形態のように回転電機ＭＧが３相交流で駆動される場合には、複数の出力バスバーには、第１出力バスバーＢ１と、第２出力バスバーＢ２と、第３出力バスバーＢ３と、が含まれる。例えば、第１出力バスバーＢ１がＵ相に対応し、第２出力バスバーＢ２がＶ相に対応し、第３出力バスバーＢ３がＷ相に対応する。

図２及び図３に示すように、３つの上段側半導体モジュール（１１ｕ，１１ｖ，１１ｗ）のそれぞれは、それぞれに対応する各出力バスバー（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）と正極バスバーＢＰとに挟まれるように配置されている。３つの下段側半導体モジュール（１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ）のそれぞれは、それぞれに対応する各出力バスバー（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）と負極バスバーＢＮとに挟まれるように配置されている。

半導体装置４は、棒状の第１接続端子２１と、棒状の第２接続端子２２と、を備えている。図１及び図２に示すように、第２接続端子２２は、ドライブ回路ＤＲに接続されており、当該ドライブ回路ＤＲを介して、半導体モジュール５とインバータ制御装置８とを接続している。このように本例では、第２接続端子２２は、半導体モジュール５とインバータ制御装置８との間での情報のやりとりを可能とするための接続端子である。後述するように、半導体モジュール５には、第２端子５２が備えられている。第２接続端子２２は、この第２端子５２に接合されて、半導体モジュール５に電気的に接続される。

本実施形態では、第２接続端子２２は、複数の半導体モジュール５のそれぞれに対応して、複数本設けられている。本例では、６つの上下段の半導体モジュール５のそれぞれに対応する複数本（図示の例では５本）の第２接続端子２２が、端子モールド部２０によって一体化されて、接続端子ユニット２の一部を構成している。

図１及び図２に示すように、第１接続端子２１は、ドライブ回路ＤＲを介して、バスバーＢとインバータ制御装置８とを接続している。本実施形態では、第１接続端子２１は、ドライブ回路ＤＲに接続され、当該ドライブ回路ＤＲを介して正極バスバーＢＰとインバータ制御装置８とを接続している。これにより、直流側の電圧である直流リンク電圧を取得可能となっている。

本実施形態では、第１接続端子２１は、複数の第２接続端子２２と共に接続端子ユニット２の一部を構成している。換言すれば、第１接続端子２１と第２接続端子２２とが、相対位置が固定された接続端子ユニット２とされている。本実施形態では、第１接続端子２１は、上段側半導体モジュール（１１ｕ，１１ｖ，１１ｗ）に対応して設けられる複数の接続端子ユニット２のうちいずれか１つの接続端子ユニット２の一部を構成している。図２に示す例では、第１接続端子２１は、Ｗ相の上段側半導体モジュール１１ｗに対応して設けられる接続端子ユニット２の一部を構成している。以下、第１接続端子２１と第２接続端子２２との双方を含んで構成される接続端子ユニット２を、対象接続端子ユニット２Ｔと称する。但し、対象接続端子ユニット２Ｔと他の接続端子ユニット２とを特に区別しない場合には、これらをまとめて単に「接続端子ユニット２」と称することがある。

図２に示すように、半導体モジュール５は、第１端子５１が設けられた第１面５１Ｆと、第１面５１Ｆとは反対側を向く面であって第２端子５２が設けられた第２面５２Ｆと、を備えている（図４及び図５も参照）。本実施形態では、半導体モジュール５は、第１面５１Ｆと第２面５２Ｆとが互いに反対側を向く板状に形成されている。正極バスバーＢＰ（バスバーＢ）は、第１面５１Ｆと対向して配置される接合面ＢＦを備えている。本実施形態では、正極バスバーＢＰは、板状に形成されている。なお本例では、負極バスバーＢＮ、第１出力バスバーＢ１、第２出力バスバーＢ２、及び第３出力バスバーＢ３についても、板状に形成されている。

以下の説明では、接合面ＢＦに沿う一方向を第１横方向Ｈ１とし、接合面ＢＦに沿う仮想面内において第１横方向Ｈ１に直交する方向を第２横方向Ｈ２とする。そして、接合面ＢＦに直交する方向を直交方向Ｖとする。また、直交方向Ｖにおいて、接合面ＢＦから第１面５１Ｆに向かう側を「上」とし、その反対側である第１面５１Ｆから接合面ＢＦに向かう側を「下」として説明する。但し、これら「上」、「下」は、半導体装置４を回転電機駆動装置１００に実装した場合における「上（鉛直上方側）」や「下（鉛直下方側）」と必ずしも一致するわけではない。

図２及び図３に示すように、３つの上段側半導体モジュール（１１ｕ，１１ｖ，１１ｗ）は、第２横方向Ｈ２に沿って並んで配置されている。３つの下段側半導体モジュール（１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ）も、第２横方向Ｈ２に沿って並んで配置されている。また、各相について、対応する上段側半導体モジュール（１１ｕ，１１ｖ，１１ｗ）と下段側半導体モジュール（１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ）とは、第１横方向Ｈ１に並んで配置されている。

各上段側半導体モジュール（１１ｕ，１１ｖ，１１ｗ）の下方には、正極バスバーＢＰが配置され、上方には、各出力バスバー（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）が配置されている。各下段側半導体モジュール（１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ）の下方には、各出力バスバー（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）が配置され、上方には、負極バスバーＢＮが配置されている。

各上段側半導体モジュール（１１ｕ，１１ｖ，１１ｗ）に対応して設けられる複数の接続端子ユニット２は、各出力バスバー（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）と直交方向Ｖ視で重複しない位置において、各上段側半導体モジュール（１１ｕ，１１ｖ，１１ｗ）及びこれらそれぞれの下方に配置される正極バスバーＢＰに対して上方から対向して配置される。これら複数の接続端子ユニット２は、正極バスバーＢＰに対して、上方から当接する上側当接部２０ａと、横方向（第１横方向Ｈ１）から当接する横側当接部２０ｂと、を備えている（図４も参照）。上側当接部２０ａと横側当接部２０ｂとは、端子モールド部２０に形成されている。

各下段側半導体モジュール（１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ）に対応して設けられる複数の接続端子ユニット２は、負極バスバーＢＮと直交方向Ｖ視で重複しない位置において、各下段側半導体モジュール（１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ）及びこれらそれぞれの下方に配置される各出力バスバー（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）に対して上方から対向して配置される。詳細な図示は省略するが、これら複数の接続端子ユニット２は、上述の各上段側半導体モジュール（１１ｕ，１１ｖ，１１ｗ）に対応して設けられる複数の接続端子ユニット２と同様の構造を有している。すなわち、各下段側半導体モジュール（１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ）に対応して設けられる複数の接続端子ユニット２は、各出力バスバー（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）に対して、上方から当接する上側当接部２０ａと、横方向（第２横方向Ｈ２）から当接する横側当接部２０ｂと、を備えている。上側当接部２０ａと横側当接部２０ｂとは、端子モールド部２０に形成されている。

図４に示すように、本実施形態では、接続端子ユニット２の上方に、インバータ制御装置８の一部を構成する制御基板８０が配置される。接続端子ユニット２は、制御基板８０の基板面に沿った方向の位置決めを行うための位置決め部２３を備えている。本実施形態では、位置決め部２３は、第１接続端子２１の上端部および第２接続端子２２の上端部よりも上方に突出した柱状に形成されている。位置決め部２３は、制御基板８０に形成された係合孔８３に係合する。また、位置決め部２３の上端部よりも下方に配置される第１接続端子２１および複数の第２接続端子２２は、制御基板８０に形成された端子接続孔８０ｈに挿通される。このような構成により、対象接続端子ユニット２Ｔに対して上方から制御基板８０を下降させた場合には、第１接続端子２１及び第２接続端子２２が端子接続孔８０ｈに挿通されるよりも前に、位置決め部２３が係合孔８３に係合することになる。従って、第１接続端子２１および複数の第２接続端子２２を、制御基板８０に対して適切に位置決めした状態で、端子接続孔８０ｈに挿通させることが可能となる。そして、これによって、第１接続端子２１における正極バスバーＢＰに接合されている側の端部とは反対側の端部と、第２接続端子２２における第２端子５２に接合されている側の端部とは反対側の端部とが、共通の制御基板８０に接続されている。

図５には、半導体モジュール５、正極バスバーＢＰ、第１接続端子２１、及び第２接続端子２２の接合部分の形態が模式的に示されている。図５に示すように、導電性を有する接合材６によって、これらの各部が互いに接合されている。接合材６としては、例えば、半田や銀ナノ粒子ペースト等を用いることができる。接合材６として半田を用いる場合には、加熱により溶解すると共に冷却により固化する、いわゆるクリーム半田を用いると良い。溶解した半田が、接合対象物同士のそれぞれに接触した状態で固化することにより、当該接合対象物同士が接合される。また、接合材６として銀ナノ粒子ペーストを用いる場合には、当該銀ナノ粒子ペーストを加熱することにより、溶剤が気化すると共に残った銀ナノ粒子が互いに金属結合する。この金属結合に伴って、接合対象物同士が接合される。

そして、図５に示すように、第２端子５２と第２接続端子２２とが接合材６により接合されている。本例では、第２端子５２と第２接続端子２２とが、直交方向Ｖにおける両者の間に配置された接合材６である第２表面接合材６２によって接合されている。また、第１端子５１と接合面ＢＦとが接合材６により接合されている。本例では、第１端子５１と接合面ＢＦとが、直交方向Ｖにおける両者の間に配置された接合材６である第１表面接合材６１によって接合されている。

上述のように正極バスバーＢＰとインバータ制御装置８とを接続する第１接続端子２１は、制御基板８０に接続される端部とは反対側の端部において、正極バスバーＢＰに接合される。そして、第１接続端子２１の接合対象（本例では正極バスバーＢＰの接合面ＢＦ）と第２接続端子２２の接合対象（本例では半導体モジュール５の第２面５２Ｆ）とは、互いの位置が少なくとも直交方向Ｖ及び第１横方向Ｈ１において異なっている。特に、直交方向Ｖにおいては、各部材の間に接合材６（第１表面接合材６１及び第２表面接合材６２）が介在されていることから、接合材６の厚さのばらつきによって、第１接続端子２１の接合対象と第２接続端子２２の接合対象との位置関係に誤差が生じる可能性が高くなる。それ以外にも、正極バスバーＢＰ及び半導体モジュール５のそれぞれの形状や寸法等のばらつきによっても、上記位置関係に誤差が生じる場合がある。そして、本実施形態のように第１接続端子２１と第２接続端子２２との相対位置が固定された対象接続端子ユニット２Ｔ（接続端子ユニット２）を用いる場合には、上記位置関係に誤差があると、第１接続端子２１及び第２接続端子２２の双方を、それぞれの接合対象に対して適切に接合できない可能性が高くなる。

そこで、図５に示すように、正極バスバーＢＰは、接合面ＢＦにおける第１面５１Ｆと対向する領域（以下、接合領域ＢＡ１という。）に対する外側領域ＢＡ２に、接合面ＢＦに開口すると共に接合面ＢＦに対して凹むように形成された凹部Ｂｈを備えている。そして、第１接続端子２１の端部が、凹部Ｂｈの中に配置された接合材６である凹部内接合材６０に埋没するように配置され、第１接続端子２１と正極バスバーＢＰとが凹部内接合材６０により接合される構成としている。接合領域ＢＡ１は、接合面ＢＦにおける、直交方向Ｖ視で第１端子５１と重複する領域に形成されている。外側領域ＢＡ２は、接合面ＢＦにおける、直交方向Ｖ視で第１端子５１と重複しない領域、すなわち接合領域ＢＡ１よりも外側の領域に形成されている。そして、このような外側領域ＢＡ２に、凹部Ｂｈが形成されている。本例では、凹部Ｂｈは、接合面ＢＦに対して、直交方向Ｖに凹むように形成された有底状の凹部とされている。そして、このように形成された凹部Ｂｈの中に、凹部内接合材６０が配置されている。従って、凹部内接合材６０は、直交方向Ｖにおいて厚さを有するように形成されている。なお、凹部Ｂｈは、直交方向Ｖ視において円状、楕円状、又は多角形状等の各種形状を成す、筒状に形成される。また、凹部Ｂｈは、接合面ＢＦに沿う特定の方向に延びる溝状に形成されていても良い。

このような構成により、凹部Ｂｈの中における凹部内接合材６０の深さの分だけ、すなわち本例では、凹部内接合材６０の直交方向Ｖにおける厚さの分だけ、正極バスバーＢＰに対する第１接続端子２１の位置が直交方向Ｖにずれても、これらを接合することが可能となっている。従って、例えば第１接続端子２１と第２接続端子２２とを、対象接続端子ユニット２Ｔ（接続端子ユニット２）を用いるなどしてそれぞれの接合対象に対して１つの工程でまとめて接合する場合にも、第２接続端子２２を第２端子５２に接合した状態での第１接続端子２１と正極バスバーＢＰとの直交方向Ｖの位置ずれを、凹部Ｂｈ内の構成によって吸収して第１接続端子２１と正極バスバーＢＰとの接合を確保することができる。

例えば図６は、第１表面接合材６１の直交方向Ｖにおける厚さが、第１横方向Ｈ１の位置によって不均一となっている状態、換言すれば、第１表面接合材６１が第１横方向Ｈ１に傾斜するように配置されている状態を示している。通常このような場合には、第１表面接合材６１の上方に配置される半導体モジュール５及びこの半導体モジュール５に接合される第２接続端子２２が第１表面接合材６１の傾斜方向と同じ方向に傾斜することになる。そのため、対象接続端子ユニット２Ｔの全体が第１横方向Ｈ１に傾斜して、第１接続端子２１の端部（ここでは下端部）が、凹部Ｂｈの中に設定された適正配置位置Ｐ（図中仮想線で示す。）から直交方向Ｖにずれることになる。

しかしながらこの半導体装置４では、図６に示すように、第１接続端子２１の端部は、凹部内接合材６０に埋没するように配置されているため、凹部内接合材６０の直交方向Ｖの厚さの分、第１接続端子２１の端部の直交方向Ｖにおける位置ずれを許容することができている。図６には、第１接続端子２１の端部が適正配置位置Ｐよりも上方にずれている例が示されているが、反対に、当該端部が適正配置位置Ｐよりも下方にずれている場合であっても同様に、凹部内接合材６０の直交方向Ｖの厚さの分、直交方向Ｖにおける位置ずれを許容することができる。このようにするために、凹部Ｂｈに対する第１接続端子２１の端部の直交方向Ｖの位置及び凹部内接合材６０の厚さの設計上の適正値は、第１接続端子２１の端部が凹部内接合材６０の厚さの中央（直交方向Ｖの中央）に位置するように設定されていると好適である。

また、適正配置位置Ｐに対する第１接続端子２１の端部の位置ずれは、直交方向Ｖに限らず、横方向（第１横方向Ｈ１又は第２横方向Ｈ２）にも生じることがある。本実施形態では、凹部内接合材６０が配置される凹部Ｂｈの開口面積は、第１接続端子２１の長手方向に直交する方向での断面積よりも大きく形成されている。従って、第１接続端子２１の端部が適正配置位置Ｐに対して横方向（第１横方向Ｈ１又は第２横方向Ｈ２）に位置ずれしていたとしても、凹部Ｂｈの開口面積と第１接続端子２１の断面積との差の分、その位置ずれを許容することが可能となっている。このようにするために、凹部Ｂｈに対する第１接続端子２１の端部の横方向（第１横方向Ｈ１及び第２横方向Ｈ２）の位置の設計上の適正値は、直交方向Ｖ視での凹部Ｂｈの開口領域の中央に位置するように設定されていると好適である。

以上のように、本実施形態では、第１接続端子２１の端部の凹部Ｂｈの中における設計上の適正配置位置Ｐが、凹部Ｂｈの中における直交方向Ｖ及び横方向（第１横方向Ｈ１及び第２横方向Ｈ２）の中央に設定されている。これにより、第１接続端子２１の端部が、適正配置位置Ｐに対して、直交方向Ｖにおける両側のいずれか、或いは、横方向（第１横方向Ｈ１又は第２横方向Ｈ２）における両側のいずれかに位置ずれして配置された場合であっても、その位置ずれを許容し易くなり、第１接続端子２１と正極バスバーＢＰとを適切に接合することができる。

図６に示すように、本実施形態では、第１接続端子２１における直交方向Ｖの寸法が、第２接続端子２２における直交方向Ｖの寸法よりも大きい。これは、第１接続端子２１の接合対象である正極バスバーＢＰの凹部Ｂｈと、第２接続端子２２の接合対象である半導体モジュール５の第２面５２Ｆとの直交方向Ｖの位置の差に応じた寸法設定である。これにより、第２接続端子２２をその接合対象である第２端子５２に対して位置合わせした状態で、第１接続端子２１の端部が凹部Ｂｈの中に配置される状態を適切に実現できる。すなわち、第１接続端子２１の端部を凹部内接合材６０に埋没させるように配置し易くなる。このような構成は、本実施形態のように第１接続端子２１と第２接続端子２２との相対位置が固定されてなる対象接続端子ユニット２Ｔ（接続端子ユニット２）を用いる場合に、特に好適である。

〔半導体装置の製造方法〕
次に、半導体装置４の製造方法について説明する。

半導体装置４の製造方法では、半導体モジュール５と、半導体モジュール５に電気的に接続されるバスバーＢ（ここでは、正極バスバーＢＰ）と、棒状の第１接続端子２１と棒状の第２接続端子２２との相対位置が固定されてなる対象接続端子ユニット２Ｔ（接続端子ユニット２）と、を用いる。

上述のように、半導体モジュール５は、第１端子５１が設けられた第１面５１Ｆと、第１面５１Ｆとは反対側を向く面であって第２端子５２が設けられた第２面５２Ｆと、を備えている。そして、正極バスバーＢＰは、第１面５１Ｆが接合される接合領域ＢＡ１を有する接合面ＢＦを備えると共に、接合面ＢＦにおける接合領域ＢＡ１に対する外側領域ＢＡ２に、接合面ＢＦに開口すると共に接合面ＢＦに対して凹むように形成された凹部Ｂｈを備えている。

そして、半導体装置４の製造方法は、図７に示すように、接合面ＢＦと第１面５１Ｆとを対向させて配置する第１配置工程Ｄ１と、第１配置工程Ｄ１の後、第２接続端子２２が第２端子５２に近接すると共に、第１接続端子２１の端部が凹部Ｂｈの中に配置されるように、対象接続端子ユニット２Ｔを配置する第２配置工程Ｄ２と、各部を接合材６により接合する接合工程Ｊと、を備えている。

また、半導体装置４の製造方法は、接合工程Ｊとして、接合面ＢＦと第１端子５１とを第１表面接合材６１（接合材６）により接合する第１接合工程Ｊ１と、第２端子５２と第２接続端子２２とを第２表面接合材６２（接合材６）により接合する第２接合工程Ｊ２と、第１接続端子２１の端部を凹部Ｂｈの中に配置された接合材６である凹部内接合材６０に埋没させた状態として第１接続端子２１と正極バスバーＢＰとを凹部内接合材６０により接合する第３接合工程Ｊ３と、を備えている。

本実施形態では、図７に示すように、第１配置工程Ｄ１（ステップ＃１２）の前に、接合領域ＢＡ１と凹部Ｂｈの中とに接合材６を配置する第１接合材配置工程Ｐ１を実行する（ステップ＃１１）。本例では、第１接合材配置工程Ｐ１において、凹部Ｂｈの全体を満たすように、接合材６を配置する。このとき、凹部Ｂｈから接合面ＢＦ側にはみ出すように、接合材６を配置しても良い。或いは、凹部Ｂｈの中に挿入される第１接続端子２１の端部の体積を考慮して、凹部Ｂｈの容積よりも少ない量の接合材６を凹部Ｂｈの中に配置するようにしても良い。

第１接合材配置工程Ｐ１（ステップ＃１１）の後、第１配置工程Ｄ１を実行する（ステップ＃１２）。また本実施形態では、第１配置工程Ｄ１（ステップ＃１２）の後であって第２配置工程Ｄ２（ステップ＃１４）の前に、第２端子５２に接合材６を配置する第２接合材配置工程Ｐ２を実行する（ステップ＃１３）。そして、第２接合材配置工程Ｐ２（ステップ＃１３）の後、第２配置工程Ｄ２を実行する（ステップ＃１４）。

そして、本実施形態では、第２配置工程Ｄ２（ステップ＃１４）の後、第１接合工程Ｊ１と第２接合工程Ｊ２と第３接合工程Ｊ３とをまとめて実行する（ステップ＃１５）。例えば、接合材６が半田である場合、これらの各接合工程（Ｊ１〜Ｊ３）をまとめて実行する接合工程Ｊ（ステップ＃１５）は、リフロー炉を用いて実行すると良い。また、例えば、接合材６が銀ナノ粒子ペーストである場合、これらの各接合工程（Ｊ１〜Ｊ３）をまとめて実行する接合工程Ｊ（ステップ＃１５）は、銀ナノ粒子ペーストを焼結温度まで加熱するための加熱炉を用いて実行すると良い。

〔その他の実施形態〕
次に、半導体装置及び半導体装置の製造方法のその他の実施形態について説明する。

（１）上記の実施形態では、第１接続端子２１と第２接続端子２２とが、端子モールド部２０により一体化されて相対位置が固定された対象接続端子ユニット２Ｔとされている例について説明した。しかし、このような例に限定されることなく、例えば図８に示すように、第１接続端子２１と第２接続端子２２とは、一体的に形成された状態で接合対象に接合された後、分断される構成でも良い。この場合の半導体装置４の製造方法では、連結部７１を備えると共に、第１接続端子２１と第２接続端子２２とが連結部７１によって一体的に形成された導電性部材７を用いて、第２配置工程Ｄ２を実行する（図７参照）。すなわち、第２接続端子２２が第２端子５２に近接すると共に、第１接続端子２１の端部が凹部Ｂｈの中に配置されるように、導電性部材７を配置する第２配置工程Ｄ２を実行する。そして、図８及び図９に示すように、接合工程Ｊ（ステップ＃１５）の実行後、連結部７１から第１接続端子２１及び第２接続端子２２を連結部７１から分離する分離工程Ｓを実行する（ステップ＃１６）。これにより、第１接続端子２１と第２接続端子２２とが、互いに分断されて配置される。なお、この製造方法において、接合工程Ｊ（ステップ＃１５）以前の工程は、図７に示される第１実施形態に係る製造方法において実行される工程と同様であって良い。

（２）上記の実施形態では、第２配置工程Ｄ２の後、第１接合工程Ｊ１と第２接合工程Ｊ２と第３接合工程Ｊ３とをまとめて実行する例について説明した。しかし、このような例に限定されることなく、第１接合工程Ｊ１と第２接合工程Ｊ２と第３接合工程Ｊ３とを、別々に実行しても良い。例えば図１０に示すように、第１配置工程Ｄ１（ステップ＃２２）の後であって第２接合材配置工程Ｐ２（ステップ＃２４）の前に、第１接合工程Ｊ１を実行し（ステップ＃２３）、第２配置工程Ｄ２（ステップ＃２５）の後に、第２接合工程Ｊ２と第３接合工程Ｊ３とをまとめて実行しても良い（ステップ＃２６）。なお、図１０に示される例にも限定されることなく、第２接合工程Ｊ２と第３接合工程Ｊ３とを、別々に実行しても良い。

（３）上記の実施形態では、凹部Ｂｈが、接合面ＢＦに対して、直交方向Ｖに凹むように形成された有底状の凹部とされている例について説明した。しかし、このような例に限定されることなく、凹部Ｂｈは、例えば図１１に示すように、正極バスバーＢＰを直交方向Ｖに貫通する貫通孔とされていても良い。この場合、貫通孔としての凹部Ｂｈに接合材６を配置する際には、治具等により、正極バスバーＢＰにおける接合面ＢＦとは反対側の面から凹部Ｂｈを塞いだ状態で、凹部Ｂｈに接合材６を配置すると良い。

（４）上記の実施形態では、第１接続端子２１が、正極バスバーＢＰとインバータ制御装置８とを接続している例について説明した。しかし、このような例に限定されることなく、第１接続端子２１が、負極バスバーＢＮ或いは各出力バスバー（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）とインバータ制御装置８とを電気的に接続する構成であっても良い。また、上記の実施形態では、第１接続端子２１がドライブ回路ＤＲに接続され、当該ドライブ回路ＤＲを介して半導体モジュール５とインバータ制御装置８とを接続している構成を例として説明した。しかしこれに限定されず、第１接続端子２１が、ドライブ回路ＤＲを介さずに半導体モジュール５とインバータ制御装置８とを接続する構成としても良い。この場合、インバータ制御装置８には高圧回路領域が設定されると好適である。

（５）上記の実施形態では、第１接続端子２１における直交方向Ｖの寸法が、第２接続端子２２における直交方向Ｖの寸法よりも大きい例について説明した。しかし、このような例に限定されることなく、第１接続端子２１における直交方向Ｖの寸法は、第２接続端子２２における直交方向Ｖの寸法よりも小さい、或いは、同等であっても良い。これら第１接続端子２１と第２接続端子２２との寸法は、第１接続端子２１が接合されるバスバーＢや第２接続端子２２が接合される半導体モジュール５の形状や大きさ等によって定まる。

（６）上記の実施形態では、第１接続端子２１における正極バスバーＢＰに接合されている側の端部とは反対側の端部と、第２接続端子２２における第２端子５２に接合されている側の端部とは反対側の端部とが、共通の制御基板８０に接続されている例について説明した。しかし、このような例に限定されることなく、これらは、それぞれ異なる制御基板に接続されていても良い。

（７）上記の実施形態では、第１接続端子２１が、Ｗ相の上段側半導体モジュール１１ｗに対応して設けられる接続端子ユニット２に設けられている例について説明した。しかし、このような例に限定されることなく、第１接続端子２１を接続端子ユニット２に設ける場合には、第１接続端子２１は、各上段側半導体モジュール（１１ｕ，１１ｖ，１１ｗ）、各下段側半導体モジュール（１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ）、及び、各出力バスバー（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）のうち、少なくともいずれか１つに対応する接続端子ユニット２に設けられていれば良い。

（８）なお、上述した各実施形態で開示された構成は、矛盾が生じない限り、他の実施形態で開示された構成と組み合わせて適用することも可能である。その他の構成に関しても、本明細書において開示された実施形態は全ての点で単なる例示に過ぎない。従って、本開示の趣旨を逸脱しない範囲内で、適宜、種々の改変を行うことが可能である。

〔上記実施形態の概要〕
以下、上記において説明した半導体装置及び半導体装置の製造方法について説明する。

半導体装置（４）は、
半導体モジュール（５）と、
前記半導体モジュール（５）に電気的に接続される導電部材（Ｂ）と、
棒状の第１接続端子（２１）と、
棒状の第２接続端子（２２）と、を備え、
前記半導体モジュール（５）は、第１端子（５１）が設けられた第１面（５１Ｆ）と、前記第１面（５１Ｆ）とは反対側を向く面であって第２端子（５２）が設けられた第２面（５２Ｆ）と、を備え、
前記導電部材（Ｂ）は、前記第１面（５１Ｆ）と対向して配置される接合面（ＢＦ）を備えると共に、前記接合面（ＢＦ）における前記第１面（５１Ｆ）と対向する領域（ＢＡ１）に対する外側領域（ＢＡ２）に、前記接合面（ＢＦ）に開口すると共に前記接合面（ＢＦ）に対して凹むように形成された凹部（Ｂｈ）を備え、
前記第１端子（５１）と前記接合面（ＢＦ）とが接合材（６）により接合され、
前記第２端子（５２）と前記第２接続端子（２２）とが接合材（６）により接合され、
前記第１接続端子（２１）の端部が、前記凹部（Ｂｈ）の中に配置された接合材（６）である凹部内接合材（６０）に埋没するように配置され、前記第１接続端子（２１）と前記導電部材（Ｂ）とが前記凹部内接合材（６０）により接合されている。

本構成によれば、第１接続端子（２１）及び第２接続端子（２２）が、接合材（６）により、接合対象である導電部材（Ｂ）又は半導体モジュール（５）に接合されている。そのため、例えばこれらをワイヤボンディングにより接続する場合に比べてボンディングワイヤを配線するための空間を不要とすることができ、これらの接続端子と接続対象とを近づけて配置することが容易となる。従って、本構成によれば、半導体装置（４）の小型化を図ることが可能となる。
また、本構成では、第１接続端子（２１）の接合対象は導電部材（Ｂ）の接合面（ＢＦ）であり、第２接続端子（２２）の接合対象は半導体モジュール（５）の第２面（５２Ｆ）に設けられた第２端子（５２）であるため、第１接続端子（２１）の接合対象と第２接続端子（２２）の接合対象とが異なる部材の異なる面となっている。そのため、これらの接合対象の位置関係、特に接合面（ＢＦ）に直交する方向（直交方向（Ｖ））の位置関係は、導電部材（Ｂ）と半導体モジュール（５）との間の接合材（６）の厚さや、導電部材（Ｂ）及び半導体モジュール（５）のそれぞれの形状や寸法の誤差等に起因する誤差を有するものとなる。
しかし、本構成によれば、第１接続端子（２１）が、導電部材（Ｂ）の凹部（Ｂｈ）の中に配置された接合材（６）である凹部内接合材（６０）に埋没するように配置されている。そのため、凹部（Ｂｈ）の中における凹部内接合材（６０）の深さの分だけ、導電部材（Ｂ）に対する第１接続端子（２１）の位置が、直交方向（Ｖ）にずれても接合することが可能となっている。従って、例えば第１接続端子（２１）と第２接続端子（２２）とをそれぞれの接合対象に対して１つの工程でまとめて接合する場合にも、第２接続端子（２２）を第２端子（５２）に接合した状態での第１接続端子（２１）と導電部材（Ｂ）との直交方向（Ｖ）の位置ずれを、上記凹部（Ｂｈ）内の構成によって吸収して第１接続端子（２１）と導電部材（Ｂ）との接合を確保することができる。そのため、第２接続端子（２２）の接合対象と第１接続端子（２１）の接合対象との位置関係の誤差を少なくするために、各部材の寸法精度を高めたり接合材（６）の厚さの精度を高めたりする必要性を低減でき、その分製造コストを低減することが容易となっている。
すなわち、本構成によれば、半導体装置（４）の小型化を図りつつ、製造コストの上昇を抑えて各端子の接合品質を確保することができる。

ここで、
前記接合面（ＢＦ）に直交する方向を直交方向（Ｖ）とし、
前記第１接続端子（２１）における前記直交方向（Ｖ）の寸法が、前記第２接続端子（２２）における前記直交方向（Ｖ）の寸法よりも大きいと好適である。

本構成によれば、第２接続端子（２２）が接合される第２端子（５２）と第１接続端子（２１）が接合される導電部材（Ｂ）の凹部（Ｂｈ）との位置関係に合せて、第１接続端子（２１）と第２接続端子（２２）との寸法が設定されることになるため、第１接続端子（２１）の端部を、凹部内接合材（６０）に埋没させるように配置し易い。また本構成によれば、例えば、第１接続端子（２１）と第２接続端子（２２）とが、相対位置が固定された接続端子ユニット（２）とされている場合に特に好適であり、このような接続端子ユニット（２）を用いて、第２接続端子（２２）が第２端子（５２）と近接した位置に配置された状態で、第１接続端子（２１）を凹部内接合材（６０）に埋没させるように配置し易い。

また、
前記第１接続端子（２１）と前記第２接続端子（２２）とが、相対位置が固定された接続端子ユニット（２）とされていると好適である。

本構成によれば、第１接続端子（２１）と第２接続端子（２２）とを、それぞれの接合対象に対する適正位置に同時に配置することができる。このため、半導体装置（４）の製造工程を簡略化することが可能となる。

また、
前記第１接続端子（２１）における前記導電部材（Ｂ）に接合されている側の端部とは反対側の端部と、前記第２接続端子（２２）における前記第２端子（５２）に接合されている側の端部とは反対側の端部とが、共通の制御基板（８０）に接続されていると好適である。

本構成によれば、制御基板（８０）に対して、第１接続端子（２１）及び第２接続端子（２２）を介して、導電部材（Ｂ）と半導体モジュール（５）との双方を電気的に接続することができる。またこのような構成では、制御基板（８０）に適切に接続できるようにするために第１接続端子（２１）と第２接続端子（２２）との相対位置関係が拘束される。しかし本構成によれば、上記のとおり、第２接続端子（２２）の接合対象と第１接続端子（２１）の接合対象との位置関係の誤差を凹部（Ｂｈ）内の構成によって吸収して、第２接続端子（２２）と第２端子（５２）との接合及び第１接続端子（２１）と導電部材（Ｂ）との接合を適切に確保することができる。

半導体装置（４）の製造方法は、
半導体モジュール（５）と、前記半導体モジュール（５）に電気的に接続される導電部材（Ｂ）と、棒状の第１接続端子（２１）と棒状の第２接続端子（２２）との相対位置が固定されてなる接続端子ユニット（２）と、を用い、
前記半導体モジュール（５）は、第１端子（５１）が設けられた第１面（５１Ｆ）と、前記第１面（５１Ｆ）とは反対側を向く面であって第２端子（５２）が設けられた第２面（５２Ｆ）と、を備え、
前記導電部材（Ｂ）は、前記第１面（５１Ｆ）が接合される接合領域（ＢＡ１）を有する接合面（ＢＦ）を備えると共に、前記接合面（ＢＦ）における前記接合領域（ＢＡ１）に対する外側領域（ＢＡ２）に、前記接合面（ＢＦ）に開口すると共に前記接合面（ＢＦ）に対して凹むように形成された凹部（Ｂｈ）を備えており、
前記接合面（ＢＦ）と前記第１面（５１Ｆ）とを対向させて配置する第１配置工程（Ｄ１）と、
前記第１配置工程（Ｄ１）の後、前記第２接続端子（２２）が前記第２端子（５２）に近接すると共に、前記第１接続端子（２１）の端部が前記凹部（Ｂｈ）の中に配置されるように、前記接続端子ユニット（２）を配置する第２配置工程（Ｄ２）と、
前記接合面（ＢＦ）と前記第１端子（５１）とを接合材（６）により接合する第１接合工程（Ｊ１）と、
前記第２端子（５２）と前記第２接続端子（２２）とを接合材（６）により接合する第２接合工程（Ｊ２）と、
前記第１接続端子（２１）の端部を前記凹部（Ｂｈ）の中に配置された接合材（６）である凹部内接合材（６０）に埋没させた状態として前記第１接続端子（２１）と前記導電部材（Ｂ）とを前記凹部内接合材（６０）により接合する第３接合工程（Ｊ３）と、を備える。

本構成によれば、上述のとおり、半導体装置（４）の小型化を図りつつ、製造コストの上昇を抑えて各端子の接合品質を確保することができる。

ここで、上記製造方法において、
前記第１配置工程（Ｄ１）の前に、前記接合領域（ＢＡ１）と前記凹部（Ｂｈ）の中とに接合材（６）を配置する第１接合材配置工程（Ｐ１）を実行し、
前記第１配置工程（Ｄ１）の後であって前記第２配置工程（Ｄ２）の前に、前記第２端子（５２）に接合材（６）を配置する第２接合材配置工程（Ｐ２）を実行し、
前記第２配置工程（Ｄ２）の後、前記第１接合工程（Ｊ１）と前記第２接合工程（Ｊ２）と前記第３接合工程（Ｊ３）とをまとめて実行すると好適である。

本構成によれば、半導体装置（４）を構成する各部材を適切に配置することができると共に、第１接合工程（Ｊ１）と第２接合工程（Ｊ２）と第３接合工程（Ｊ３）とをまとめて実行する分、製造工程を簡略化することが可能となる。

本開示に係る技術は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に利用することができる。

２ ：接続端子ユニット
２Ｔ ：対象接続端子ユニット
２１ ：第１接続端子
２２ ：第２接続端子
４ ：半導体装置
５ ：半導体モジュール
５１ ：第１端子
５１Ｆ ：第１面
５２ ：第２端子
５２Ｆ ：第２面
６ ：接合材
６０ ：凹部内接合材
８０ ：制御基板
Ｂ ：バスバー（導電部材）
ＢＡ１ ：接合領域
ＢＡ２ ：外側領域
ＢＦ ：接合面
Ｂｈ ：凹部
Ｄ１ ：第１配置工程
Ｄ２ ：第２配置工程
Ｊ１ ：第１接合工程
Ｊ２ ：第２接合工程
Ｊ３ ：第３接合工程
Ｐ１ ：第１接合材配置工程
Ｐ２ ：第２接合材配置工程
Ｖ ：直交方向

Claims (6)

1. 半導体モジュールと、
   前記半導体モジュールに電気的に接続される導電部材と、
   棒状の第１接続端子と、
   棒状の第２接続端子と、を備え、
   前記半導体モジュールは、第１端子が設けられた第１面と、前記第１面とは反対側を向く面であって第２端子が設けられた第２面と、を備え、
   前記導電部材は、前記第１面と対向して配置される接合面を備えると共に、前記接合面における前記第１面と対向する領域に対する外側領域に、前記接合面に開口すると共に前記接合面に対して凹むように形成された凹部を備え、
   前記第１端子と前記接合面とが接合材により接合され、
   前記第２端子と前記第２接続端子とが接合材により接合され、
   前記第１接続端子の端部が、前記凹部の中に配置された接合材である凹部内接合材に埋没するように配置され、前記第１接続端子と前記導電部材とが前記凹部内接合材により接合されている、半導体装置。
2. 前記接合面に直交する方向を直交方向とし、
   前記第１接続端子における前記直交方向の寸法が、前記第２接続端子における前記直交方向の寸法よりも大きい、請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第１接続端子と前記第２接続端子とが、相対位置が固定された接続端子ユニットとされている、請求項１又は２に記載の半導体装置。
4. 前記第１接続端子における前記導電部材に接合されている側の端部とは反対側の端部と、前記第２接続端子における前記第２端子に接合されている側の端部とは反対側の端部とが、共通の制御基板に接続されている、請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置。
5. 半導体モジュールと、前記半導体モジュールに電気的に接続される導電部材と、棒状の第１接続端子と棒状の第２接続端子との相対位置が固定されてなる接続端子ユニットと、を用い、
   前記半導体モジュールは、第１端子が設けられた第１面と、前記第１面とは反対側を向く面であって第２端子が設けられた第２面と、を備え、
   前記導電部材は、前記第１面が接合される接合領域を有する接合面を備えると共に、前記接合面における前記接合領域に対する外側領域に、前記接合面に開口すると共に前記接合面に対して凹むように形成された凹部を備えており、
   前記接合面と前記第１面とを対向させて配置する第１配置工程と、
   前記第１配置工程の後、前記第２接続端子が前記第２端子に近接すると共に、前記第１接続端子の端部が前記凹部の中に配置されるように、前記接続端子ユニットを配置する第２配置工程と、
   前記接合面と前記第１端子とを接合材により接合する第１接合工程と、
   前記第２端子と前記第２接続端子とを接合材により接合する第２接合工程と、
   前記第１接続端子の端部を前記凹部の中に配置された接合材である凹部内接合材に埋没させた状態として前記第１接続端子と前記導電部材とを前記凹部内接合材により接合する第３接合工程と、を備える、半導体装置の製造方法。
6. 前記第１配置工程の前に、前記接合領域と前記凹部の中とに接合材を配置する第１接合材配置工程を実行し、
   前記第１配置工程の後であって前記第２配置工程の前に、前記第２端子に接合材を配置する第２接合材配置工程を実行し、
   前記第２配置工程の後、前記第１接合工程と前記第２接合工程と前記第３接合工程とをまとめて実行する、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。

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