JP6981045B2 - プリント基板及び電子装置 - Google Patents

Description

この明細書における開示は、はんだ付けされるランドを備えたプリント基板及び電子装置に関する。

従来、特許文献１に開示されるように、プリント基板のランド表面にプリフラックスを塗布することで、ランドの酸化を抑制する技術が知られている。

特開２００７−５９４５１号公報

プリフラックスには、寿命が短いという問題がある。プリフラックスが塗布されたプリント基板を空気中で保管すると、プリフラックスが短期間で劣化し、プリント基板をはんだ付けして電子装置を形成する際に、はんだ付け不良が生じる虞がある。

本開示はこのような課題に鑑みてなされたものであり、プリフラックスを用いることなく、ランドの酸化を抑制できるプリント基板及び電子装置を提供することを目的とする。

本開示は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、技術的範囲を限定するものではない。

本開示のひとつは、はんだ付けされるランド（３５，３６）を備えたプリント基板であって、
ランドが、該ランドの表面をなすめっき膜（３５ｂ，３６ｂ）を有し、
めっき膜が、π受容性を有し、分光化学系列において配位子場分裂の大きさが２，２’−ビピリジル以上のπ受容性分子（３７）を含み、
めっき膜におけるπ受容性分子の含有量が、Ｃ原子換算でめっき膜の主成分の金属に対して０．１重量％以上とされ、
π受容性分子が、めっき膜中において、主成分の金属に対して分散されており、
π受容性分子は、置換基として電子吸引性基を有する。

以下において、ランド表面の金属における電子の局在化を、ダングリングボンドと示す。本開示によれば、π受容性分子が、ダングリングボンドを有する金属との間に逆供与π結合を形成する。これにより、ランド表面のダングリングボンドの数を従来よりも低減若しくは無くすことができる。したがって、ランドの酸化を抑制することができる。

また、プリフラックスを用いることなく、ランドの酸化を抑制することができる。たとえば空気中で保管しても、長期にわたってランドの酸化を抑制することができる。

本開示の他のひとつである電子装置は、
電気部品（３２，４０）と、
はんだ（３３）を介して電気部品と電気的に接続されるランド（３５，３６）を有するプリント基板（３１）と、を備え、
ランドが、ランドの表面をなすめっき膜（３５ｂ，３６ｂ）を有し、
めっき膜が、π受容性を有し、分光化学系列において配位子場分裂の大きさが２，２’−ビピリジル以上のπ受容性分子（３７）を含み、
めっき膜におけるπ受容性分子の含有量が、Ｃ原子換算でめっき膜の主成分の金属に対して０．１重量％以上とされ、
π受容性分子が、めっき膜中において、主成分の金属に対して分散されており、
π受容性分子は、置換基として電子吸引性基を有する。

これによれば、上記したプリント基板と同等の効果を奏することができる。

第１実施形態に係るプリント基板及び電子装置の概略構成を示す断面図である。 プリント基板のうち、電子部品が表面実装されるランド周辺を示す断面図である。 プリント基板のうち、スルーホール壁面に形成されたランド周辺を示す断面図である。 π受容性分子の分子構造を示す図である。 π受容性分子の分子構造を示す図である。 参考例を示す図である。 第１実施形態の効果を示す図である。 実施例についてのＸＰＳの測定結果を示す図である。 比較例についてのＸＰＳの測定結果を示す図である。 第２実施形態に係るプリント基板のうち、電子部品が表面実装されるランド周辺を示す断面図であり、図２に対応している。

図面を参照しながら、複数の実施形態を説明する。複数の実施形態において、機能的に及び／又は構造的に対応する部分には同一の参照符号を付与する。以下において、プリント基板の板厚方向をＺ方向、Ｚ方向に直交する一方向であって筐体の開口部に対する奥行方向をＸ方向と示す。また、Ｚ方向及びＸ方向の両方向に直交する方向をＹ方向と示す。特に断りのない限り、ＸＹ平面に沿う形状を平面形状とする。

（第１実施形態）
先ず、図１に基づき、本実施形態に係るプリント基板及び該プリント基板を備える電子装置の概略構成について説明する。

図１に示す電子装置１０は、たとえば車両に搭載される。電子装置１０は、車両を制御する電子制御装置として構成されている。電子装置１０は、たとえば車両に搭載されたエンジンを制御するエンジンＥＣＵ（Electronic Control Unit）として構成されている。電子装置１０は、筐体２０と、回路基板３０と、コネクタ４０を備えている。

筐体２０は、回路基板３０を内部に収容し、回路基板３０を保護する。たとえば回路基板３０の生じた熱に対する放熱性を向上するために、筐体２０は、アルミニウムなどの金属材料を用いて形成される。たとえば電子装置１０の軽量化を図るために、筐体２０は、樹脂材料を用いて形成される。

本実施形態において、筐体２０は、Ｚ方向に分割された２つの部材、具体的には、ケース２１と、カバー２２を有している。ケース２１及びカバー２２は、いずれもアルミニウム系材料を用いて形成されている。筐体２０は、Ｚ方向においてケース２１とカバー２２を組み付けることで形成される。ケース２１とカバー２２の組み付け方法は特に限定されない。ねじ締結など周知の組み付け方法を採用することができる。

ケース２１は、一面が開口する箱状をなしている。平面略矩形状をなす回路基板３０に対応して、ケース２１の底面部も略矩形状となっている。ケース２１において、４つの側面部のひとつが開口しており、側面の開口は、上記した一面の開口につながっている。

カバー２２は、ケース２１とともに筐体２０の内部空間を形成する。ケース２１とカバー２２を組み付けることで、カバー２２によりケース２１における一面の開口が閉塞され、開口部２０ａが形成される。開口部２０ａは、カバー２２により一面の開口が閉塞されることで、側面の開口が区画されてなる。

回路基板３０は、プリント基板３１と、プリント基板３１に実装された電子部品３２を有している。電子部品３２は、プリント基板３１に、はんだ３３を介して電気的に接続されている。回路基板３０は、筐体２０の内部空間に収容されている。プリント基板３１は、一面３１ａ及び該一面３１ａに対してＺ方向に反対の面である裏面３１ｂを有している。プリント基板３１の板厚方向がＺ方向と一致している。プリント基板３１は、平面略矩形状をなしている。プリント基板３１（回路基板３０）は、ねじ締結、接着など周知の固定方法により、筐体２０に固定されている。本実施形態では、カバー２２が深さの浅い箱状をなしており、カバー２２の底部内面２２ａに、プリント基板３１に向けて突出する支持部２２ｂが形成されている。裏面３１ｂが支持部２２ｂにより支持された状態で、プリント基板３１が筐体２０（カバー２２）に固定されている。

プリント基板３１は、樹脂などの電気絶縁材料を用いて形成された絶縁基材３４に、配線が配置されてなる。そして、配線と電子部品３２とにより、回路が形成されている。図１では、プリント基板３１の配線のうち、外部接続用の電極部分であるランド３５，３６のみを図示している。すなわち、ランド３５，３６は、配線のうち、はんだ付けされる部分である。

ランド３５は、プリント基板３１の一面３１ａ及び裏面３１ｂの少なくとも一方に形成されている。ランド３５には、はんだ３３を介して、電子部品３２やコネクタ４０が電気的に接続される。

本実施形態では、図１に示すように、一面３１ａにランド３５が形成されている。そして、ランド３５に、はんだ３３を介して、表面実装型の電子部品３２が電気的に接続されている。電子部品３２のひとつは、一面３１ａ上に配置された本体部３２ａと、本体部３２ａの表面に形成された電極３２ｂを有している。そして、電極３２ｂが、はんだ３３を介して対応するランド３５に接続されている。電子部品３２の他のひとつは、一面３１ａ上に配置され、モールド樹脂によって封止された本体部３２ｃと、本体部３２ｃのモールド樹脂から外部に突出するリード３２ｄを有している。そして、リード３２ｄが、はんだ３３を介して対応するランド３５に接続されている。

プリント基板３１は、一面３１ａ及び裏面３１ｂにわたって形成されたスルーホール３１ｃを有している。ランド３６は、スルーホール３１ｃの壁面に形成されている。ランド３６は、スルーホールランドとも称される。本実施形態では、ランド３６が、スルーホール３１ｃの壁面と、一面３１ａ及び裏面３１ｂにおけるスルーホール３１ｃの開口周囲に、一体的に形成されている。そして、コネクタ４０の後述する端子４２が、はんだ３３を介してランド３６に接続されている。電子部品３２及びコネクタ４０が、電気部品に相当する。

コネクタ４０は、プリント基板３１に対して、Ｘ方向の一端側に配置されている。コネクタ４０は、プリント基板３１に挿入実装されている。コネクタ４０の一部は筐体２０の開口部２０ａを介して外部に露出され、残りの部分は筐体２０の内部空間に収容されている。コネクタ４０は、ハウジング４１と、複数の端子４２を有している。

ハウジング４１は、樹脂材料を用いて形成されている。ハウジング４１は、筒部４１ａと、閉塞部４１ｂを有している。筒部４１ａは、筒状に成形されている。筒部４１ａは、Ｘ方向に沿う軸を有している。閉塞部４１ｂは、筒部４１ａに連なり、筒部４１ａを閉塞している。閉塞部４１ｂには、複数の端子４２が保持されている。本実施形態では、閉塞部４１ｂが、筒部４１ａの一端を閉塞している。これにより、ハウジング４１は有底筒状をなしている。

端子４２は、導電性材料を用いて形成されており、回路基板３０に構成された回路と外部機器とを電気的に中継する。端子４２は、たとえば圧入固定やインサート成形により、閉塞部４１ｂに保持されている。図示を省略するが、複数の端子４２は、ハウジング４１の幅方向であるＹ方向に沿って配列されている。本実施形態では、端子数が多いため、端子４２がＺ方向に多段に配置されている。各端子４２は、略Ｌ字状をなしている。各端子４２は、スルーホール３１ｃを挿通している。そして、この挿通状態で、対応するランド３６に接続されている。

このように構成される電子装置１０は、防水構造及び非防水構造のいずれにも適用することができる。

次に、図２及び図３に基づき、ランド３５，３６の詳細構造について説明する。図２及び図３では、後述するπ受容性分子３７の分散状態を模式化して示している。また、図３では、便宜上、ランド３６のうち、一面３１ａ及び裏面３１ｂにおける開口周辺に配置された銅箔部を省略している。

図２に示すように、ランド３５は、基材である銅箔部３５ａと、めっき膜３５ｂを有している。めっき膜３５ｂが、後述するπ受容性分子３７を含むめっき膜に相当する。

銅箔部３５ａは、銅を構成材料として形成されている。銅箔部３５ａは、絶縁基材３４の表面に貼着された銅箔を、パターニングすることで形成されている。

めっき膜３５ｂは、銅箔部３５ａの表面に形成されている。めっき膜３５ｂは、銅箔部３５ａを被覆している。めっき膜３５ｂは、ランド３５の表面、具体的には、はんだ付けされる表面をなしている。めっき膜３５ｂは、π受容性分子３７との間に逆供与π結合を形成でき、且つ、銅箔部３５ａ上に成膜できる金属材料を主成分として形成されている。めっき膜３５ｂは、たとえばＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｏのいずれかを主成分として構成されている。Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｏは、遷移元素である。はんだ３３との濡れ性などを考慮すると、Ｃｕが好ましい。本実施形態では、Ｃｕを構成材料としてめっき膜３５ｂが形成されている。めっき膜３５ｂの厚みは、０．１μｍ〜１００μｍの範囲内にある。

めっき膜３５ｂは、主成分の金属に加えて、π受容性分子３７を含んでいる。めっき膜３５ｂにおけるπ受容性分子３７の含有量は、Ｃ（炭素）原子換算でめっき膜３５ｂの主成分の金属に対して０．１重量％以上とされている。π受容性分子３７の含有量とは、主成分の金属の重量％とπ受容性分子３７の重量％との比率のまま、これら重量％の和を１００重量％に換算したときの、π受容性分子３７の値である。

また、めっき膜３５ｂにおけるπ受容性分子３７の含有量は、めっき膜３５ｂの主成分の金属とπ受容性分子３７の体積比率で５０％以下、好ましくはＣ原子換算でめっき膜３５ｂの主成分の金属に対して１５重量％以下とされている。体積比率でπ受容性分子３７が５０％を超えると、めっき膜３５ｂの金属同士の繋がりを阻害され、導通経路が遮断されることとなり絶縁性の高いめっき膜３５ｂとなるためである。一例として、めっき膜３５ｂの主成分の金属を銅、π受容性分子３７を１，１０−フェナントロリンとした場合、Ｃ原子換算でめっき膜３５ｂの主成分の金属に対して１５重量％を超えると、めっき膜３５ｂの自立が阻害され、剥離等の現象が起こりやすくなるため、１５重量％以下が好ましい。

π受容性分子３７は、めっき膜３５ｂ中において、主成分の金属原子に対して分散している。このようなめっき膜３５ｂは、めっき浴中にπ受容性分子３７を投入し、π受容性分子３７がめっき浴中において溶解した状態で、銅箔部３５ａ上にめっきを施すことで形成することができる。なお、図２中の符号３１ｄは、ソルダレジストを示している。

図３に示すように、ランド３６は、基材であるめっき膜３６ａと、めっき膜３６ｂを有している。めっき膜３６ｂが、π受容性分子３７を含むめっき膜に相当する。

めっき膜３６ａは、銅を構成材料として形成されている。めっき膜３６ａは、スルーホール３１ｃの壁面に形成されている。めっき膜３６ａは、スルーホール３１ｃの開口周囲にも形成されている。めっき膜３６ａは、無電解銅めっきにより形成することができる。

めっき膜３６ｂは、下地のめっき膜３６ａの表面に形成されている。めっき膜３６ｂは、めっき膜３６ａを被覆している。めっき膜３６ｂは、ランド３６の表面、具体的には、はんだ付けされる表面をなしている。めっき膜３６ｂは、π受容性分子３７との間に逆供与π結合を形成でき、且つ、めっき膜３６ａ上に成膜できる金属材料を主成分として形成されている。したがって、めっき膜３６ｂも、たとえばＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｏのいずれかを主成分として構成されている。本実施形態では、Ｃｕを構成材料としている。

めっき膜３６ｂも、主成分の金属に加えて、π受容性分子３７を含んでいる。めっき膜３６ｂにおけるπ受容性分子３７の含有量は、Ｃ（炭素）原子換算でめっき膜３６ｂの主成分の金属に対して０．１重量％以上とされている。π受容性分子３７は、めっき膜３６ｂ中において分散されている。このようなめっき膜３６ｂは、めっき浴中にπ受容性分子３７を投入し、π受容性分子３７がめっき浴中において溶解した状態で、めっき膜３６ａ上に電解めっきを施すことで形成することができる。

π受容性分子３７は、π受容性を有し、分光化学系列において配位子場分裂の大きさが２，２’−ビピリジル以上の分子である。π受容性分子３７は、π受容性が高い分子である。π受容性は、π酸性とも称される。配位子場分裂の大きさとは、ｄ軌道分裂のエネルギー差である。π受容性分子３７は、空のπ軌道に電子密度を受け入れて、金属との間に逆供与π結合を形成することができる分子である。このため、π受容性分子３７は、π受容性配位子とも称され、金属に配位して錯体を形成する。π受容性は、配位子場分裂の大きさに比例する。以下に、周知の分光化学系列を示す。例示において、配位子場分裂が最も大きい分子はＣＯである。

Ｉ⁻＜Ｂｒ⁻＜Ｃｌ⁻＜ＯＨ⁻＜Ｈ_２Ｏ＜ｐｙ＜ＮＨ_３＜ｅｎ＜ｂｐｙ＜ｐｈｅｎ＜ＮＯ_２ ⁻＜ＰＰｈ_３＜ＣＮ⁻＜ＣＯ
なお、ｐｙはピリジン、ｅｎはエチレンジアミン、ｂｐｙは２，２’−ビピリジル、ｐｈｅｎは１，１０−フェナントロリン、ＰＰｈ_３はトリフェニルフォスフィンである。以下において、２，２’−ビピリジルをｂｐｙ、１，１０−フェナントロリンをｐｈｅｎと示す。

π受容性分子３７としては、たとえばｂｐｙ、ｂｐｙ類縁体、ｐｈｅｎ、ｐｈｅｎ類縁体を用いることができる。π受容性分子３７として、ｂｐｙ及びｂｐｙ類縁体の少なくともひとつを含む構成を採用することができる。たとえば、めっき膜３５ｂ，３６ｂが、２種類のｂｐｙ類縁体を含んでもよいし、ｂｐｙとｂｐｙ類縁体を含んでもよい。ｂｐｙのみを含んでもよい。また、π受容性分子３７として、ｐｈｅｎ及びｐｈｅｎ類縁体の少なくともひとつを含む構成を採用することができる。たとえば、めっき膜３５ｂ，３６ｂが、２種類のｐｈｅｎ類縁体を含んでもよいし、ｐｈｅｎとｐｈｅｎ類縁体を含んでもよい。ｐｈｅｎのみを含んでもよい。

ｂｐｙ、ｂｐｙ類縁体、ｐｈｅｎ、及びｐｈｅｎ類縁体はいずれも、孤立電子対を有する窒素を有している。ｂｐｙ、ｂｐｙ類縁体、ｐｈｅｎ、及びｐｈｅｎ類縁体はいずれも、孤立電子対を有する窒素を２つ有した多座配位子である。ｂｐｙ、ｂｐｙ類縁体、ｐｈｅｎ、及びｐｈｅｎ類縁体はいずれも、π共役系分子である。ｂｐｙ、ｂｐｙ類縁体、ｐｈｅｎ、及びｐｈｅｎ類縁体はいずれも、複素環化合物である。ｂｐｙ、ｂｐｙ類縁体、ｐｈｅｎ、及びｐｈｅｎ類縁体はいずれも、複素環を複数有する多環式の複素環化合物である。これら例示したπ受容性分子３７については、後述する実施例に示すように、本発明者によって、金属表面の酸化の抑制が確認されている。

なお、図４にｐｈｅｎの分子構造を示し、図５にｂｐｙの分子構造を示す。図４及び図５では、位置番号を示している。ｐｈｅｎの場合、２〜９位の炭素に水素が結合している。ｐｈｅｎ類縁体は、ｐｈｅｎに構造が類似するもの、たとえば２〜９位の少なくとも１つの炭素に、水素の代わりに他の官能基が結合したものが含まれる。すなわち、ｐｈｅｎの水素が他の官能基に置換されたものである。ｂｐｙの場合、３，３’，４，４’，５，５’，６，６’位の炭素に水素が結合している。ｂｐｙ類縁体は、ｂｐｙに構造が類似するもの、たとえばｂｐｙの４，４’，５，５’，６，６’位の炭素に、水素の代わりに他の官能基が結合したものが含まれる。

次に、図６及び図７に基づき、本実施形態に係るプリント基板３１及び電子装置１０の効果について説明する。図６は参考例を示している。図６では、本実施形態の要素と共通乃至関連する要素に対し、本実施形態の要素の符号に１００を加算した符号を付与している。図６及び図７では、金属原子、ダングリングボンド、酸素分子、不対電子を模式化して示している。金属の結晶構造は特に限定されるものではない。図７では、ランド３５を一例として示す。図６の構成は、図７に対応している。

図６に示す参考例では、ランド１３５が、銅箔部１３５ａとともにめっき膜１３５ｂを有している。この構成では、めっき膜１３５ｂの表面が、ランド１３５における金属表面となっている。したがって、めっき膜１３５ｂの表面に、半導体表面のダングリングボンド（未結合手）のように、電子が局在化している。以下においては、金属表面における電子の局在化を、金属表面のダングリングボンドと示す。図６に示すように、めっき膜１３５ｂの表面に位置する金属原子１３８は、ダングリングボンド１３９を有している。

一方、酸素分子１００は、図６に示すように不対電子１００ａを２つ有している。このため、酸素分子１００とダングリングボンド１３９を有する金属とが互いに電子を共有し、酸素分子１００が金属表面に吸着して酸化に至るものと推測される。換言すれば、電子の局在化により金属表面に表面準位が形成されるため、不対電子１００ａを有する酸素分子１００が表面準位にトラップされて酸化に至るものと推測される。このように、従来構成を示す参考例の場合、ランド１３５の表面において酸化が進行する。

本実施形態では、図７に示すように、ランド３５が、銅箔部３５ａとともにめっき膜３５ｂを有している。このため、参考例で示したように、めっき膜３５ｂの表面が、ランド３５における金属表面となっている。また、上記したように、めっき膜３５ｂ中に、π受容性分子３７が分散されている。図７に示す例では、π受容性分子３７としてｐｈｅｎが分散されている。

上記したように、π受容性分子３７は、空のπ軌道に電子密度を受け入れて、金属との間に逆供与π結合を形成することができる。π受容性分子３７は、分光化学系列において配位子場分裂の大きさがｂｐｙ以上の分子であり、π受容性が高い。このため、π受容性分子３７の空のπ軌道のエネルギーが、金属の占有されたｄ軌道のエネルギーと近接しており、π軌道がｄ軌道と相互作用して、金属からπ受容性分子３７に向けて電子の非局在化が生じる。すなわち、π受容性分子３７は、めっき膜３５ｂを構成する金属原子３８（銅原子）と間に、逆供与π結合を形成する。なお、π受容性分子３７の配位原子は孤立電子対を有しており、配位原子のσ軌道が金属の空の軌道（たとえばｄ軌道）と相互作用して、σ結合を形成する。

このように、本実施形態では、π受容性分子３７が、ダングリングボンドを有する金属原子３８との間に逆供与π結合を形成する。また、めっき膜３５ｂにおけるπ受容性分子３７の含有量が、Ｃ原子換算でめっき膜３５ｂの主成分の金属に対して０．１重量％以上とされており、分散状態で、金属表面付近にπ受容性分子３７が十分に存在する。これにより、はんだ付けされるランド３５において、金属表面のダングリングボンドの数を従来よりも低減する、若しくは、無くすことができる。したがって、プリフラックスを用いなくとも、ランド３５の酸化を抑制することができる。

ところで、プリフラックスの場合、寿命が短いという問題がある。ランド表面にプリフラックスが塗布されたプリント基板を空気中で保管すると、プリフラックスが短期間で劣化し、はんだ付けして電子装置を形成する際に、はんだ付け不良が生じる虞がある。これに対し、π受容性分子３７は、ダングリングボンドを有する金属原子３８に結合することで、金属表面の酸化を抑制する。結合状態が維持される限り、酸化を抑制することができる。上記したように、π受容性分子３７は、σ結合に加えて逆供与π結合により、金属原子３８に配位している。したがって、本実施形態によれば、長期にわたってランド３５の酸化を抑制することができる。たとえば空気中で保管しても、長期にわたってランド３５の酸化を抑制することができる。

また、金を用いないため、安価に金属表面の酸化を抑制することができる。

ランド３６は、π受容性分子３７を含むめっき膜３６ｂを有している。したがって、ランド３６も、ランド３５と同等の効果を奏することができる。

なお、π受容性分子３７として、ｐｈｅｎの２〜９位のうちの少なくともひとつの位置に電子吸引性基が結合されたｐｈｅｎ類縁体を用いるとよい。水素の代わりに電子吸引性基を導入すると、電子吸引性によってπ受容性が高くなる。換言すれば金属のダングリングボンドをｐｈｅｎ側に引きやすくなる。これにより、結合強度を向上することができる。したがって、耐熱性を向上し、広い温度範囲での使用が可能となる。なお、電子吸引性基として、ニトロ基、アルデヒド基、カルボキシ基、シアノ基などを用いることができる。耐熱性向上については、ｂｐｙについても同様である。具体的には、π受容性分子３７として、ｂｐｙの３〜６位及び３’〜６’位のうち、少なくともひとつの位置に電子吸引性基が導入されたｂｐｙ類縁体を用いるとよい。これにより、π受容性が高まり、耐熱性を向上することができる。

次に、本発明者によって確認された具体的な実施例について説明する。

（実施例）
本発明者は、π受容性分子３７の有無と金属表面の酸化との関係について確認した。具体的には、先ず、リン青銅を構成材料とする平板状の基材を準備した。基材の大きさは、２０ｍｍ×２０ｍｍとした。そして、銅を主成分とするめっき浴中に、π受容性分子３７であるｐｈｅｎと、添加剤とを加えて撹拌し、基材の表面にめっき膜を成膜して試験片を作成した。なお、めっき膜におけるπ受容性分子３７の含有量が、Ｃ原子換算で銅に対して０．１重量％以上（たとえば０．５〜９重量％）となるようにした。この試験片を、室温（２５℃）でＸＰＳ（X-ray Photoelectron Spectroscopy）により分析した。また、ホットプレートにより試験片を加熱して、試験片の温度を９０℃で３時間維持し、３時間加熱後の試験片をＸＰＳにより分析した。その分析結果を、図８に示す。図８において、破線が室温、実線が９０℃を示している。なお、試験は空気中で行った。

また、比較例として、めっき膜中にπ受容性分子３７（ｐｈｅｎ）を含まない試験片を作成し、これについても、室温と８０℃とでＸＰＳにより分析した。その分析結果を、図９に示す。図９において、破線が室温、実線が８０℃を示している。

ここで、酸化第二銅（ＣｕＯ）のピークは５２９．５ｅＶに現れ、酸化第一銅（Ｃｕ_２Ｏ）のピークは５３０．５ｅＶに現れる。実施例の場合、図８に示すように、室温と９０℃とで、５２９．５ｅＶにおける強度にほとんど変化は見られなかった。また、５３０．５ｅＶにおける強度にもほとんど変化は見られなかった。このことから、実施例では、金属表面の酸化が抑制されたことがわかる。

一方、比較例の場合、加熱温度を実施例よりも低い８０℃としながらも、図９に示すように、室温に対して、５２９．５ｅＶをピークとする帯域の面積の増加が確認できた。また、８０℃において、５３０．５ｅＶにショルダーが確認できた。このことから、めっき膜中にπ受容性分子３７を含まない比較例では、金属表面の酸化が進行したことがわかる。なお、ｂｐｙについても、同様の結果が得られた。

以上の結果からも、π受容性分子３７を所定量含むことで、ランド３５の酸化を抑制できることが明らかとなった。特に、π受容性分子３７として、ｐｈｅｎ及びｐｈｅｎ類縁体の少なくともひとつを含むと良いことが明らかとなった。

（第２実施形態）
本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示したプリント基板３１及び電子装置１０と共通する部分についての説明は省略する。

図１０に示すように、本実施形態のランド３５は、基材である銅箔部３５ａ上に配置された多層めっきを有している。多層めっきは、上記しためっき膜３５ｂとともに、めっき膜３５ｃを有している。めっき膜３５ｃは、π受容性分子３７を含まないめっき膜であり、銅箔部３５ａ上に形成されている。本実施形態では、めっき膜３５ｃが、銅を主成分としている。めっき膜３５ｂは、めっき膜３５ｃ上に形成されている。めっき膜３５ｂは、上記したようにπ受容性分子３７を含んでおり、ランド３５の表面をなしている。また、めっき膜３５ｂにおけるπ受容性分子３７の含有量が、Ｃ原子換算でめっき膜３５ｂの主成分の金属に対して０．１重量％以上とされている。

このように、本実施形態では、多層めっきのうち、ランド３５の表面をなす最外層のめっき膜３５ｂが、π受容性分子３７を含んでいる。したがって、めっき膜３５ｂにより、ランド３５の酸化を抑制することができる。また、基材である銅箔部３５ａ上に配置されためっき膜３５ｂ，３５ｃのうち、下層のめっき膜３５ｃは、π受容性分子３７を含んでいない。このため、めっき膜３５ｃの導電率は、π受容性分子３７を含むめっき膜３５ｂの導電率よりも高い。したがって、銅箔部３５ａ上にめっき膜３５ｂのみを有する構成に較べて、ランド３５の酸化を抑制しつつ、ランド３５の導電性の低下を抑制することができる。

たとえばπ受容性分子３７としてｐｈｅｎを用いる場合、めっき膜３５ｂ中におけるｐｈｅｎのＣ（炭素）の原子百分率（ａｔｍ％）を２〜３％とすると、めっき膜３５ｂの導電率は、純銅の導電率５．９×１０^７Ｓ／ｍの１／１０程度となる。

多層めっきの構造は、上記例に限定されない、３層以上としてもよい。最外層のめっき膜３５ｂのみが、π受容性分子３７を含めばよい。

上記構成は、ランド３５に限らず、ランド３６にも適用できる。ランド３６の場合、基材としてのめっき膜３６ａ上に配置される多層めっきのうち、最外層のめっき膜３６ｂのみが、π受容性分子３７を含むようにすればよい。

この明細書の開示は、例示された実施形態に制限されない。開示は、例示された実施形態と、それらに基づく当業者による変形態様を包含する。たとえば、開示は、実施形態において示された要素の組み合わせに限定されない。開示は、多様な組み合わせによって実施可能である。開示される技術的範囲は、実施形態の記載に限定されない。開示されるいくつかの技術的範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むものと解されるべきである。

ランド３５の基材として、銅箔部３５ａの例を示したがこれに限定されない。銅箔以外を採用することもできる。また、ランド３５，３６の記載として、銅以外の金属を採用することもできる。

ランド３５，３６は、少なくともランド３５，３６の表面をなすめっき膜３５ｂ、３６ｂを有せばよい。

ランド３５の接続対象は電子部品３２に限定されない。たとえば表面実装構造のコネクタ４０にも適用できる。ランド３６の接続対象は、コネクタ４０の端子４２に限定されない。たとえば挿入実装構造の電子部品３２にも適用できる。

電子装置１０は、上記例に限定されない。電気部品と、はんだを介して電気部品と電気的に接続されるランドを有するプリント基板を備える構成の電子装置であれば、はんだ付けされるランドに上記した構成を適用することができる。

プリント基板３１が、ランド３５，３６を有する例を示したが、一方のみを有する構成を採用することもできる。

１０…電子装置、２０…筐体、２０ａ…開口部、２１…ケース、２２…カバー、２２ａ…底部内面、２２ｂ…支持部、３０…回路基板、３１…プリント基板、３１ａ…一面、３１ｂ…裏面、３１ｃ…スルーホール、３１ｄ…ソルダレジスト、３２…電子部品、３２ａ，３２ｃ…本体部、３２ｂ…電極、３２ｄ…リード、３３…はんだ、３４…絶縁基材、３５，３６…ランド、３５ａ…銅箔部、３５ｂ…めっき膜、３５ｃ…めっき膜、３６ａ…めっき膜、３６ｂ…めっき膜、３７…π受容性分子、３８…金属原子、４０…コネクタ、４１…ハウジング、４１ａ…筒部、４１ｂ…閉塞部、４２…端子、１００…酸素分子、１００ａ…不対電子、１３５…ランド、１３５ａ…銅箔、１３５ｂ…めっき膜、１３８…金属原子、１３９…ダングリングボンド

Claims (5)

1. はんだ付けされるランド（３５，３６）を備えたプリント基板であって、
   前記ランドが、前記ランドの表面をなすめっき膜（３５ｂ，３６ｂ）を有し、
   前記めっき膜が、π受容性を有し、分光化学系列において配位子場分裂の大きさが２，２’−ビピリジル以上のπ受容性分子（３７）を含み、
   前記めっき膜における前記π受容性分子の含有量が、Ｃ原子換算で前記めっき膜の主成分の金属に対して０．１重量％以上とされ、
   前記π受容性分子が、前記めっき膜中において、前記主成分の金属に対して分散されており、
   前記π受容性分子は、置換基として電子吸引性基を有するプリント基板。
2. 前記π受容性分子として、１，１０−フェナントロリン及び１，１０−フェナントロリン類縁体の少なくともひとつを含む請求項１に記載のプリント基板。
3. 前記π受容性分子として、２，２’−ビピリジル及び２，２’−ビピリジル類縁体の少なくともひとつを含む請求項１に記載のプリント基板。
4. 前記ランドは、前記めっき膜を含む多層めっきを有し、
   前記めっき膜が、前記多層めっきの最外層をなしている請求項１〜３いずれか１項に記載のプリント基板。
5. 電気部品（３２，４０）と、
   はんだ（３３）を介して前記電気部品と電気的に接続されるランド（３５，３６）を有するプリント基板（３１）と、を備え、
   前記ランドが、前記ランドの表面をなすめっき膜（３５ｂ，３６ｂ）を有し、
   前記めっき膜が、π受容性を有し、分光化学系列において配位子場分裂の大きさが２，２’−ビピリジル以上のπ受容性分子（３７）を含み、
   前記めっき膜における前記π受容性分子の含有量が、Ｃ原子換算で前記めっき膜の主成分の金属に対して０．１重量％以上とされ、
   前記π受容性分子が、前記めっき膜中において、前記主成分の金属に対して分散されており、
   前記π受容性分子は、置換基として電子吸引性基を有する電子装置。

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