JP6959474B1 - めっき装置及び気泡除去方法 - Google Patents

Abstract

【課題】抵抗体に滞留した気泡を除去することができる技術を提供する。【解決手段】めっき装置１０００は、めっき液Ｐｓを貯留するとともに抵抗体１２が内部に配置されためっき槽１０と、抵抗体よりも上方に配置されて、ダミー基板Ｗｆｘを保持する基板ホルダ３０と、基板ホルダを回転させる回転機構４０と、基板ホルダを昇降させる昇降機構５０と、を備え、ダミー基板の下面には、当該下面から下方に突出した少なくとも一つの凸部６０が設けられ、基板ホルダは、ダミー基板の下面の外周縁よりも下方に突出したリング３１を有し、凸部の下面は、リングの下面よりも下方に位置し、昇降機構が基板ホルダを下降させてダミー基板の凸部を抵抗体よりも上方に位置させた状態で且つダミー基板の凸部をめっき槽のめっき液に浸漬させた状態で、回転機構が基板ホルダを回転させるように構成されている。【選択図】図３

Description

本発明は、めっき装置及び気泡除去方法に関する。

従来、基板にめっき処理を施すことが可能なめっき装置として、いわゆるカップ式のめっき装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このようなめっき装置は、めっき液を貯留するめっき槽と、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、基板ホルダを回転させる回転機構と、基板ホルダを昇降させる昇降機構と、を備えている。

また、従来、例えばめっき皮膜の膜厚の面内均一性を図るために、めっき槽の内部に多孔質の抵抗体を配置する技術が知られている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００８−１９４９６号公報 特開２００４−３６３４２２号公報

上述した特許文献１に例示されるようなカップ式のめっき装置において、例えば特許文献２に例示されるような抵抗体をめっき槽の内部に配置した場合、めっき槽のめっき液に含まれる気泡が、抵抗体（具体的には抵抗体の下面や抵抗体の孔）に滞留するおそれがある。このように抵抗体に気泡が滞留した状態で、基板にめっき処理を施した場合、この滞留した気泡に起因して基板のめっき品質が悪化するおそれがある。

本発明は、上記のことを鑑みてなされたものであり、抵抗体に滞留した気泡を除去することができる技術を提供することを目的の一つとする。

（態様１）
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置は、めっき液を貯留するとともに多孔質の抵抗体が内部に配置されためっき槽と、前記抵抗体よりも上方に配置されて、ダミー基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダを回転させる回転機構と、前記基板ホルダを昇降させる昇降機構と、を備え、前記ダミー基板の下面には、当該下面から下方に突出した少なくとも一つの凸部が設けられ、前記基板ホルダは、前記ダミー基板の下面の外周縁よりも下方に突出したリングを有し、前記凸部の下面は、前記リングの下面よりも下方に位置し、前記昇降機構が前記基板ホルダを下降させて前記ダミー基板の前記凸部を前記抵抗体よりも上方に位置させた状態で且つ前記凸部を前記めっき槽のめっき液に浸漬させた状態で、前記回転機構が前記基板ホルダを回転させるように構成されている。

この態様によれば、めっき液に浸漬されたダミー基板の凸部が回転した場合に、ダミー基板の凸部の周囲に生じた圧力差によって、抵抗体の下面や孔の内部の気泡を吸い上げることができる。これにより、抵抗体に滞留した気泡を除去することができる。

（態様２）
上記の態様１において、前記凸部が前記リングと接触しないように、前記凸部と前記リ
ングとの間に空間が設けられていてもよい。

（態様３）
上記の態様１又は２において、前記ダミー基板の下面からの前記凸部の突出高さは、１ｍｍ以上１００ｍｍ以下の範囲から選択された値であってもよい。

この態様によれば、凸部の突出高さが高過ぎることに起因して、ダミー基板の搬送が困難になることを抑制しつつ、凸部の突出高さが低過ぎることに起因して、ダミー基板による気泡の除去効果が小さくなることを抑制することができる。すなわち、ダミー基板の搬送の容易性を確保しつつ、抵抗体に滞留した気泡を十分に除去することができる。

（態様４）
上記の態様１〜３のいずれか１態様において、前記凸部は、前記ダミー基板の下面の径方向に延在していてもよい。

（態様５）
上記の態様４において、前記凸部は、前記凸部の少なくとも一部に、前記ダミー基板の周方向に湾曲した湾曲部を有していてもよい。

（態様６）
上記の態様１〜３のいずれか１態様において、前記凸部は、前記ダミー基板の下面の中心から前記ダミー基板の下面の外周縁に向けて前記ダミー基板の下面の径方向に延在した第１部位と、前記第１部位における前記外周縁の側の端部に接続し、且つ、前記第１部位に対して傾斜した第２部位と、を有していてもよい。

（態様７）
上記の態様１〜３のいずれか１態様において、前記ダミー基板の前記下面を複数の仮想同心円で分割した場合に、複数の仮想同心円によって分割された各々の領域に、前記凸部が少なくとも一つずつ配置されていてもよい。

（態様８）
上記の態様１〜７のいずれか１態様において、前記基板ホルダは、基板にめっき処理を施すめっき処理時においては前記基板を保持し、前記抵抗体に滞留した気泡を除去する気泡除去時においては前記ダミー基板を保持するように構成され、前記昇降機構は、前記気泡除去時において、前記基板ホルダを前記めっき処理時の場合よりも上方に位置させてもよい。

この態様によれば、気泡除去時において、ダミー基板の凸部が抵抗体に接触しないようにすることを容易に実現することができる。

（態様９）
上記の態様１〜８のいずれか１態様において、前記昇降機構は、前記ダミー基板の前記凸部を前記めっき槽のめっき液に浸漬させる際に、前記ダミー基板の下面のうち前記凸部が設けられていない部分も前記めっき槽のめっき液に浸漬させてもよい。

この態様によれば、ダミー基板の下面のうち凸部が設けられていない部分がめっき液に浸漬されない場合に比較して、基板ホルダが回転して凸部が回転した場合に、めっき槽のめっき液の液面が波打つことを抑制することができる。これにより、めっき槽のめっき液の液はねが生じることを抑制することができる。

（態様１０）
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る気泡除去方法は、めっき液を貯留するとともに多孔質の抵抗体が内部に配置されためっき槽の前記抵抗体に滞留した気泡を除去する気泡除去方法であって、下方に突出した少なくとも一つの凸部が設けられた下面を有するダミー基板を、基板ホルダに保持させること、前記ダミー基板を保持した前記基板ホルダを下降させて、前記凸部が前記抵抗体よりも上方に位置した状態で前記凸部を前記めっき槽のめっき液に浸漬させること、及び、前記ダミー基板の前記凸部が前記抵抗体よりも上方に位置した状態で且つ前記凸部が前記めっき槽のめっき液に浸漬された状態で前記基板ホルダを回転させること、を含み、前記基板ホルダは、前記ダミー基板の下面の外周縁よりも下方に突出したリングを有し、前記凸部の下面は、前記リングの下面よりも下方に位置している。

この態様によれば、抵抗体に滞留した気泡を除去することができる。

実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す斜視図である。 実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す平面図である。 実施形態に係るめっき装置におけるめっきモジュールの構成を示す模式図である。 実施形態に係る気泡除去時においてダミー基板がめっき液に浸漬された様子を示す模式的断面図である。 実施形態に係る基板ホルダがカソードとしての基板を保持する様子を模式的に示す断面図である。 実施形態に係るダミー基板の模式的下面図である。 実施形態に係る気泡除去方法の一例を示すフローチャートである。 実施形態の変形例１に係るめっき装置の気泡除去時における凸部の周辺構成の一部を拡大して示す模式的断面図である。 実施形態の変形例２に係るダミー基板の模式的下面図である。 実施形態の変形例３に係るダミー基板の模式的下面図である。 実施形態の変形例４に係るダミー基板の模式的下面図である。 実施形態の変形例５に係るダミー基板の模式的下面図である。 実施形態の変形例６に係るダミー基板の模式的下面図である。 実施形態の変形例７に係るダミー基板の模式的下面図である。 実施形態の変形例８に係るめっき装置のめっき槽の周辺構成の模式的断面図である。

（実施形態）
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の実施形態や実施形態の変形例では、同一又は対応する構成について、同一の符号を付して説明を適宜省略する場合がある。また、図面は、構成要素の特徴の理解を容易にするために模式的に図示されており、各構成要素の寸法比率等は実際のものと同じであるとは限らない。また、いくつかの図面には、参考用として、Ｘ−Ｙ−Ｚの直交座標が図示されている。この直交座標のうち、Ｚ方向は上方に相当し、−Ｚ方向は下方（重力が作用する方向）に相当する。

図１は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す平面図である。図１及び図２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４０
０、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、及び、制御モジュール８００を備える。

ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないＦＯＵＰなどのカセットに収容された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数及び配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、及び搬送装置７００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０及び搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、仮置き台（図示せず）を介して基板の受け渡しを行うことができる。

アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数及び配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数及び配置は任意である。

プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸等の処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数及び配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数及び配置は任意である。

洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数及び配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤ６００が上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤ６００の数及び配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。

めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収容された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板を搬送装置７００へ受け渡す。

搬送装置７００は、搬送ロボット１１０から受け取った基板をプリウェットモジュール
２００へ搬送する。プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。

搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置７００は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット１１０へ受け渡す。搬送ロボット１１０は、搬送装置７００から受け取った基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収容したカセットが搬出される。

なお、図１や図２で説明しためっき装置１０００の構成は、一例に過ぎず、めっき装置１０００の構成は、図１や図２の構成に限定されるものではない。

続いて、めっきモジュール４００について説明する。なお、本実施形態に係るめっき装置１０００が有する複数のめっきモジュール４００は同様の構成を有しているので、１つのめっきモジュール４００について説明する。

図３は、本実施形態に係るめっき装置１０００におけるめっきモジュール４００の構成を示す模式図である。具体的には、図３は、後述する気泡除去が行われる前の状態におけるめっきモジュール４００を模式的に図示している。本実施形態に係るめっき装置１０００は、カップ式のめっき装置である。めっき装置１０００のめっきモジュール４００は、めっき槽１０と、オーバーフロー槽２０と、基板ホルダ３０と、回転機構４０と、昇降機構５０とを備えている。

本実施形態に係るめっき槽１０は、上方に開口を有する有底の容器によって構成されている。具体的には、めっき槽１０は、底壁１０ａと、この底壁１０ａの外周縁から上方に延在する外周壁１０ｂとを有しており、この外周壁１０ｂの上部が開口している。なお、めっき槽１０の外周壁１０ｂの形状は特に限定されるものではないが、本実施形態に係る外周壁１０ｂは、一例として円筒形状を有している。めっき槽１０の内部には、めっき液Ｐｓが貯留されている。また、めっき槽１０には、めっき槽１０にめっき液Ｐｓを供給するための供給口（図示せず）が設けられている。

めっき液Ｐｓとしては、めっき皮膜を構成する金属元素のイオンを含む溶液であればよく、その具体例は特に限定されるものではない。本実施形態においては、めっき処理の一例として、銅めっき処理を用いており、めっき液Ｐｓの一例として、硫酸銅溶液を用いている。また、本実施形態において、めっき液Ｐｓには所定の添加剤が含まれている。但し、この構成に限定されるものではなく、めっき液Ｐｓは添加剤を含んでいない構成とすることもできる。

めっき槽１０の内部には、アノード１１が配置されている。具体的には、本実施形態に係るアノード１１は、一例として、めっき槽１０の底壁１０ａに配置されている。アノード１１の具体的な種類は特に限定されるものではなく、不溶解アノードであってもよく、溶解アノードであってもよい。本実施形態では、アノード１１の一例として、不溶解アノードを用いている。この不溶解アノードの具体的な種類は特に限定されるものではなく、白金や酸化イリジウム等を用いることができる。

めっき槽１０の内部において、アノード１１よりも上方には、多孔質の抵抗体１２が配置されている。具体的には、抵抗体１２は、複数の孔１２ａ（細孔）を有する多孔質の板部材によって構成されている（なお、孔１２ａの符号は後述する図４に図示されている）。本実施形態に係る抵抗体１２の孔１２ａは、抵抗体１２の下面と上面とを連通するように設けられた貫通孔である。抵抗体１２は、アノード１１とカソードとしての基板Ｗｆ（符号は後述する図５に図示されている）との間に形成される電場の均一化を図るために設けられている部材である。このように、めっき槽１０に抵抗体１２が配置されることで、基板Ｗｆに形成されるめっき皮膜（めっき層）の膜厚の均一化を容易に図ることができる。

オーバーフロー槽２０は、めっき槽１０の外側に配置された、有底の容器によって構成されている。オーバーフロー槽２０は、めっき槽１０の外周壁１０ｂの上端を超えためっき液Ｐｓ（すなわち、めっき槽１０からオーバーフローしためっき液Ｐｓ）を一時的に貯留するために設けられた槽である。オーバーフロー槽２０に一時的に貯留されためっき液Ｐｓは、オーバーフロー槽２０用の排出口（図示せず）から排出された後に、オーバーフロー槽２０用のリザーバータンク（図示せず）に一時的に貯留される。このリザーバータンクに貯留されためっき液Ｐｓは、その後、ポンプ（図示せず）によって圧送されて、めっき液用の供給口から再びめっき槽１０に循環される。

図４は、気泡除去時において、後述するダミー基板Ｗｆｘがめっき液Ｐｓに浸漬された様子を示す模式的断面図である。図５は、基板ホルダ３０がカソードとしての基板Ｗｆを保持する様子を模式的に示す断面図である。図３、図４、及び図５を参照して、基板ホルダ３０は、抵抗体１２よりも上方に配置されている。

図５に示すように、基板ホルダ３０は、基板Ｗｆにめっき処理を施す「めっき処理時」においては、基板Ｗｆ（すなわち、めっき処理が施される基板Ｗｆ）を、基板Ｗｆの下面（被めっき面）が抵抗体１２に対向するように保持する。

一方、図３や図４に示すように、基板ホルダ３０は、抵抗体１２に滞留した気泡を除去する「気泡除去時」においては、基板Ｗｆに代えて、めっき処理が施されないダミー基板Ｗｆｘを、ダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａが抵抗体１２に対向するように保持する。すなわち、本実施形態に係る基板ホルダ３０は、めっき処理が施される基板Ｗｆと、めっき処理が施されないダミー基板Ｗｆｘとを選択的に保持するように構成されている。

図３の特にＡ１部分の拡大図を参照して、本実施形態に係る基板ホルダ３０は、ダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａ（及び、基板Ｗｆの下面）の外周縁よりも下方に突出するように設けられたリング３１を有している。このリング３１は、下面視で、リング形状を有している。

なお、基板ホルダ３０とダミー基板Ｗｆｘとの間には、めっき液Ｐｓが基板ホルダ３０とダミー基板Ｗｆｘとの間の隙間に侵入することを抑制するためのシール部材が配置されていてもよい。すなわち、この場合、基板ホルダ３０は、シール部材を介してダミー基板Ｗｆｘを保持することになる。このシール部材の材質としては、例えば、フッ素ゴム（ＦＫＭ）等を用いることができる。

図３を参照して、基板ホルダ３０は、回転機構４０に接続されている。回転機構４０は、基板ホルダ３０を回転させるための機構である。図３に例示されている「Ｒ１」は、基板ホルダ３０の回転方向の一例である。回転機構４０としては、公知の回転モータ等を用いることができる。昇降機構５０は、上下方向に延在する支軸５１によって支持されている。昇降機構５０は、基板ホルダ３０及び回転機構４０を上下方向に昇降させるための機
構である。昇降機構５０としては、直動式のアクチュエータ等の公知の昇降機構を用いることができる。

めっきモジュール４００の動作は、制御モジュール８００が制御している。この制御モジュール８００は、マイクロコンピュータを備えており、このマイクロコンピュータは、プロセッサとしてのＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）８０１や、非一時的な記憶媒体としての記憶装置８０２等を備えている。制御モジュール８００は、記憶装置８０２に記憶されたプログラムの指令に基づいて、プロセッサとしてのＣＰＵ８０１が作動することで、めっきモジュール４００の被制御部（例えば、回転機構４０、昇降機構５０等）の動作を制御する。

ところで、めっき装置１０００において、何らかの原因により、めっき槽１０のめっき液Ｐｓに気泡（Ｂｕ）が発生することがある。具体的には、本実施形態のように、アノード１１として不溶解アノードを用いる場合、基板Ｗｆのめっき処理時（すなわち通電時）に、めっき液Ｐｓには以下の反応式に基づいて酸素（Ｏ_２）が発生する。この場合、この発生した酸素が気泡となり得る。

２Ｈ_２Ｏ→Ｏ_２+４Ｈ⁺+４ｅ^-

また、仮に、アノード１１として溶解アノードを用いる場合には、上記のような反応式は生じないが、例えば、めっき槽１０にめっき液Ｐｓを最初に導入する際に、空気がめっき液Ｐｓとともにめっき槽１０に流入するおそれがある。したがって、アノード１１として溶解アノードを用いる場合においても、めっき槽１０のめっき液Ｐｓに気泡が発生する可能性がある。

上述したように、めっき槽１０のめっき液Ｐｓに気泡が発生した場合に、この気泡が抵抗体１２の下面や抵抗体１２の孔１２ａに滞留する場合がある。このような状態で、基板Ｗｆにめっき処理を施した場合、この滞留した気泡に起因して、基板Ｗｆのめっき品質が悪化するおそれがある。そこで、本実施形態では、この問題に対処するために、以下に説明する技術を用いている。

まず、ダミー基板Ｗｆｘについて説明する。図６は、ダミー基板Ｗｆｘを下方から視認した様子を示す模式的下面図である。図３及び図６を参照して、ダミー基板Ｗｆｘは、気泡除去時に、基板Ｗｆの代わりに基板ホルダ３０に保持される基板である。本実施形態において、ダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａの外周縁は円形状を有している。

ダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａには、下面Ｗｆａから下方に突出した、少なくとも一つの凸部６０が設けられている。すなわち、凸部６０の個数は一つでもよく、複数でもよい。本実施形態において凸部６０の個数は、一例として、一つである。

この凸部６０は、ダミー基板Ｗｆｘの凸部６０がめっき液Ｐｓに浸漬された状態で基板ホルダ３０が回転した場合に、凸部６０の周囲に生じた圧力差によって、抵抗体１２の下面や孔１２ａの内部の気泡（すなわち、抵抗体１２に滞留している気泡）を吸い上げるように構成されている。具体的には、凸部６０がめっき液Ｐｓに浸漬された状態で基板ホルダ３０が回転した場合、凸部６０の回転方向で背面側（回転方向とは反対側の面）は負圧になる。この負圧を利用して、抵抗体１２に滞留している気泡を上方に吸い上げることができる。

具体的には、本実施形態に係る凸部６０は、ダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａに沿った所定方向に延在するように構成されている。より具体的には、本実施形態に係る凸部６０は
、ダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａの径方向に延在している。

より詳しくは、本実施形態に係る凸部６０は、ダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａの中心Ｃｅから径方向で一方の側及び他方の側に向かって延在している（換言すると、凸部６０は、ダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａの直径方向に延在している）。

また、図３のＡ１部分の拡大図を参照して、本実施形態に係る凸部６０は、凸部６０がリング３１と接触しないように、基板ホルダ３０のリング３１の内周面との間に空間７０を有するように設けられている。

この空間７０の長さ、すなわち、凸部６０とリング３１との距離（ｄ１）の具体的な値は、特に限定されるものではないが、数値例を挙げると、０ｍｍよりも大きく１ｍｍ以下の範囲から選択された値を用いることができる。すなわち、本実施形態において、距離（ｄ１）は、０ｍｍ＜ｄ１≦１ｍｍを満たしている。

この構成によれば、凸部６０とリング３１との距離（ｄ１）が１ｍｍよりも大きい場合に比較して、凸部６０がダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａにおける外周縁の近傍部分にまで延在しているので、抵抗体１２の外周縁の近傍部分に滞留している気泡を効果的に上方に吸い上げることができる。

また、図３のＡ１部分の拡大図を参照して、ダミー基板Ｗｆｘが基板ホルダ３０に保持されている状態で、本実施形態に係る凸部６０の下面６０ａは、リング３１の下面３１ａよりも下方に位置している。換言すると、本実施形態に係る凸部６０は、リング３１よりも下方側に突出している。

ダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａからの凸部６０の突出高さ（ｈ１）は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、１ｍｍ以上１００ｍｍ以下の範囲から選択された値を用いている。

この構成によれば、凸部６０の突出高さ（ｈ１）が高過ぎることに起因して、ダミー基板Ｗｆｘの搬送が困難になることを抑制しつつ、凸部６０の突出高さ（ｈ１）が低過ぎることに起因して、後述するダミー基板Ｗｆｘによる気泡の除去効果が小さくなることを抑制することができる。すなわち、この構成によれば、ダミー基板Ｗｆｘの搬送の容易性を確保しつつ、抵抗体１２に滞留した気泡を十分に除去することができる。

なお、上述した凸部６０の突出高さ（ｈ１）の好適な数値例を挙げると、３ｍｍ以上５０ｍｍ以下の範囲から選択された値が好ましく、具体的には、５ｍｍ以上２０ｍｍ以下の範囲から選択された値がより好ましく、１０ｍｍがさらに好ましい。本実施形態では、この突出高さ（ｈ１）の具体例として、１０ｍｍを用いている。

また、凸部６０と抵抗体１２との間に、めっき液Ｐｓを撹拌するためのパドルを配置して、このパドルによって、めっき液Ｐｓを撹拌してもよい。

ダミー基板Ｗｆｘ及び凸部６０の材質は特に限定されるものでないが、例えば、樹脂、金属、ガラス、シリコン、又は、これらの組み合わせ等を用いることができる。

また、ダミー基板Ｗｆｘ及び凸部６０の材質として、金属を用いる場合には、金属からなるダミー基板Ｗｆｘ及び凸部６０の表面に、樹脂をコーティングしてもよい。この構成によれば、ダミー基板Ｗｆｘ及び凸部６０の金属成分がめっき液Ｐｓに溶解して、めっき液Ｐｓが汚染されることを効果的に抑制することができる。

ダミー基板Ｗｆｘの製造方法は特に限定されるものではないが、例えば、以下の製造方法を用いることができる。具体的には、凸部６０の形成されていない平坦な下面を有する基板を準備し、この準備された基板の下面を切削することで、この下面に凸部６０を形成する。これにより、ダミー基板Ｗｆｘを製造することができる。すなわち、この場合、ダミー基板Ｗｆｘは、切削加工によって、凸部６０と、ダミー基板Ｗｆｘの凸部６０以外の部位（すなわち、「ダミー基板本体」）と、が一体的に形成されることになる。

あるいは、事前に凸部６０を準備しておき、この準備された凸部６０を、平坦な下面を有する基板（すなわち、ダミー基板本体）の下面に接合させることで、下面Ｗｆａに凸部６０を有するダミー基板Ｗｆｘを製造することもできる。

図７は、本実施形態に係るめっき装置１０００による気泡除去方法の一例を示すフローチャートである。このフローチャートは、抵抗体１２に滞留した気泡を除去する気泡除去時に実行される。なお、気泡除去の具体的な実行時期（すなわち、図７のフローチャートを実行する具体的な時期）は、特に限定されるものではないが、例えば、めっき槽１０にめっき液Ｐｓを最初に導入したときに、気泡除去を行ってもよい。あるいは、基板Ｗｆにめっき処理を施した後に、気泡除去を行ってもよい。この具体例を挙げると、基板Ｗｆへのめっき処理を所定の回数実行した後に、気泡除去を行ってもよい。あるいは、めっき装置１０００のメンテナンス時に、例えばユーザがダミー基板Ｗｆｘを基板ホルダ３０に保持させて、気泡除去を行ってもよい。

まず、ステップＳ１０において、ダミー基板Ｗｆｘを、ダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａが抵抗体１２に対向するように、基板ホルダ３０に保持させる。この場合において、基板Ｗｆの搬送方法と同様の手法で、ダミー基板Ｗｆｘを基板ホルダ３０の所に搬送してもよい。具体的には、「所定の載置場所」に載置されているダミー基板Ｗｆｘを、「搬送機構（これは、前述した搬送ロボット１１０及び搬送装置７００を備えている）」によって基板ホルダ３０の所に搬送してもよい。

また、この場合において、「所定の載置場所」としては、図１や図２に例示されている４つのロードポート１００のうちの一部を用いてもよい。あるいは、４つのロードポート１００とは別に、ダミー基板Ｗｆｘ専用のロードポートを設け、これを「所定の載置場所」として用いてもよい。

ステップＳ１０の後に、ダミー基板Ｗｆｘの凸部６０をめっき槽１０のめっき液Ｐｓに浸漬させる（ステップＳ１１）。本実施形態においては、昇降機構５０が基板ホルダ３０を降下させることで、図４に例示するように、凸部６０をめっき槽１０のめっき液Ｐｓに浸漬させる。また、この際、昇降機構５０は、ダミー基板Ｗｆｘの凸部６０が抵抗体１２に接触しないように、凸部６０を抵抗体１２よりも所定距離上方に位置させた状態で、凸部６０をめっき液Ｐｓに浸漬させる。

また、図４のＡ３部分の拡大図に例示するように、本実施形態に係る昇降機構５０は、ダミー基板Ｗｆｘの凸部６０をめっき液Ｐｓに浸漬させる際に、凸部６０のみならず、ダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａのうち、凸部６０が設けられていない部分もめっき液Ｐｓに浸漬させている。すなわち、本実施形態に係るダミー基板Ｗｆｘは、気泡除去時において、ダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａのうち凸部６０以外の部分も、めっき液Ｐｓの液面よりも下方に位置している。

この構成によれば、ダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａのうち凸部６０が設けられていない部分がめっき液Ｐｓに浸漬されない場合（後述する変形例１に係る図８参照）に比較して
、基板ホルダ３０が回転して凸部６０が回転した場合に、この凸部６０によって、めっき槽１０のめっき液Ｐｓの液面が波打つことを抑制することができる。これにより、めっき槽１０のめっき液Ｐｓの液はねが生じることを抑制することができる。

また、本実施形態において昇降機構５０は、気泡除去時において、凸部６０をめっき液Ｐｓに浸漬させるに際して、めっき処理時の場合よりも、基板ホルダ３０を上方に位置させてもよい。すなわち、めっき処理時における基板ホルダ３０の地上高が「第１所定値」の場合、気泡除去時における基板ホルダ３０の地上高は、第１所定値よりも高い「第２所定値」となっていてもよい。この構成によれば、気泡除去時においてダミー基板Ｗｆｘの凸部６０が抵抗体１２に接触しないようにすることを容易に実現することができる。

但し、上記の構成に限定されるものではなく、例えば、昇降機構５０は、気泡除去時に凸部６０をめっき液Ｐｓに浸漬させるに際して、めっき処理時の場合よりも、基板ホルダ３０を上方に位置させなくてもよい。

図７のステップＳ１１の後に、ステップＳ１２が実行される。ステップＳ１２において、ダミー基板Ｗｆｘの凸部６０が抵抗体１２よりも上方に位置した状態で且つダミー基板Ｗｆｘの凸部６０がめっき液Ｐｓに浸漬された状態で、回転機構４０が基板ホルダ３０を回転させる。

このように、ステップＳ１２で基板ホルダ３０が回転することで、基板ホルダ３０に保持されたダミー基板Ｗｆｘも回転し、凸部６０も回転する。これにより、ダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａの凸部６０の周囲に生じた圧力差によって、抵抗体１２の下面や孔１２ａの内部の気泡（すなわち、抵抗体１２に滞留した気泡）を吸い上げることができる。これにより、抵抗体１２に滞留した気泡を除去することができる。

なお、ステップＳ１２を実行した後においては（すなわち、気泡除去の実行後においては）、回転機構４０が基板ホルダ３０の回転を停止させるとともに、昇降機構５０が基板ホルダ３０を上昇させて、ダミー基板Ｗｆｘをめっき液Ｐｓよりも上方に位置させる。その後、ダミー基板Ｗｆｘが基板ホルダ３０から取り外される（ステップＳ１３）。

以上説明したような本実施形態によれば、上述したステップＳ１２の実行によって、めっき槽１０の抵抗体１２に滞留した気泡を除去することができる。これにより、基板Ｗｆにめっき処理を施した際に、この滞留した気泡に起因して、基板Ｗｆのめっき品質が悪化することを抑制することができる。

（実施形態の変形例１）
なお、上述した実施形態の気泡除去時において、ダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａのうち、凸部６０が設けられていない部分もめっき液Ｐｓに浸漬されているが、この構成に限定されるものではない。図８は、実施形態の変形例１に係るめっき装置１０００Ａの気泡除去時における凸部６０の周辺構成の一部（Ａ３部分）を拡大して示す模式的断面図である。図８に示すように、気泡除去時において、ダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａのうち、凸部６０が設けられていない部分はめっき液Ｐｓに浸漬されずに、凸部６０のみがめっき液Ｐｓに浸漬されてもよい。

本変形例においても、前述した実施形態に係るめっき装置１０００と同様に、抵抗体１２に滞留した気泡を除去することができる。これにより、基板Ｗｆにめっき処理を施した際に、この滞留した気泡に起因して、基板Ｗｆのめっき品質が悪化することを抑制することができる。

また、上述した実施形態や変形例１において、凸部６０の形状は図５に例示するものに限定されるものではない。以下、凸部６０の変形例（変形例２〜変形例６）について説明する。

（実施形態の変形例２）
図９は、実施形態の変形例２に係るめっき装置１０００Ｂのダミー基板Ｗｆｘの模式的下面図である。本変形例に係る凸部６０Ｂは、下面Ｗｆａの中心Ｃｅから径方向で一方の側に向かってのみ延在している（すなわち、径方向で他方の側には延在していない）。換言すると、凸部６０Ｂは、ダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａの半径方向にのみ延在している。本変形例においても、前述した実施形態に係るめっき装置１０００と同様の作用効果を奏することができる。

（実施形態の変形例３）
図１０は、実施形態の変形例３に係るめっき装置１０００Ｃのダミー基板Ｗｆｘの模式的下面図である。本変形例に係るダミー基板Ｗｆｘは、複数の凸部を備えている。この複数の凸部の個数は特に限定されるものではなく、２つでもよく、３つでもよく、４つ以上でもよい。本変形例では、一例として、複数の凸部は２つである。具体的には、本変形例に係る複数の凸部は、凸部６０Ｃ−１及び凸部６０Ｃ−２である。

凸部６０Ｃ−１は、前述した図６の凸部６０と同様の構成を有している。一方、凸部６０Ｃ−２は、凸部６０Ｃ−１に交差するとともに、中心Ｃｅから径方向で一方の側及び他方の側に向かって延在している。すなわち、凸部６０Ｃ−２は、凸部６０Ｃ−１を円形状に配列複写したもの（または、回転複写したもの）となっている。なお、凸部６０Ｃ−１と凸部６０Ｃ−２とのなす角は特に限定されるものではないが、本変形例では一例として９０度である。

本変形例においても、前述した実施形態に係るめっき装置１０００と同様の作用効果を奏することができる。また、本変形例によれば、凸部を複数有しているので、凸部が一つのみの場合に比較して、効果的に気泡を吸い上げることができる。これにより、抵抗体１２に滞留した気泡を効果的に抑制することができる。

なお、前述した図９に例示する変形例２に係るダミー基板Ｗｆｘが、凸部６０Ｂを複数有していてもよい。すなわち、ダミー基板Ｗｆｘは、図９に例示するような下面Ｗｆａの中心Ｃｅから径方向で一方の側に向かってのみ延在する凸部６０Ｂを複数有していてもよい。

（実施形態の変形例４）
図１１は、実施形態の変形例４に係るめっき装置１０００Ｄのダミー基板Ｗｆｘの模式的下面図である。本変形例に係るダミー基板Ｗｆｘの凸部６０Ｄは、少なくとも一部に、ダミー基板Ｗｆｘの周方向に湾曲した湾曲部を有する点において、図６の凸部６０と異なっている。具体的には、本変形例に係る凸部６０Ｄは、湾曲部６１ａ及び湾曲部６１ｂを有している。

湾曲部６１ａは中心Ｃｅよりも下面Ｗｆａの径方向で一方の側に配置されており、湾曲部６１ｂは中心Ｃｅよりも下面Ｗｆａの径方向で他方の側に配置されている。湾曲部６１ａ及び湾曲部６１ｂは、ダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａの周方向に向かって突出するように湾曲している。

本変形例においても、前述した実施形態に係るめっき装置１０００と同様の作用効果を奏することができる。

なお、本変形例に係るダミー基板Ｗｆｘは、凸部６０Ｄを複数有していてもよい。

（実施形態の変形例５）
図１２は、実施形態の変形例５に係るめっき装置１０００Ｅのダミー基板Ｗｆｘの模式的下面図である。本変形例に係るダミー基板Ｗｆｘの凸部６０Ｅは、第１部位６２と、第２部位（第２部位６３ａ及び第２部位６３ｂ）とを備えている。第１部位６２は、ダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａの中心Ｃｅからダミー基板Ｗｆｘの外周縁に向けて、下面Ｗｆａの径方向に延在した部位である。具体的には、本実施形態に係る第１部位６２は、中心Ｃｅからダミー基板Ｗｆｘの外周縁に向けて、下面Ｗｆａの径方向で一方の側及び他方の側にそれぞれ延在している。

第２部位６３ａ及び第２部位６３ｂは、第１部位６２における外周縁の側の端部に接続し、且つ、第１部位６２に対して傾斜した部位である。具体的には、第２部位６３ａは、第１部位６２における外周縁側の端部（端部６２ａ、端部６２ｂ）のうち、一方の側の端部６２ａに接続し、第２部位６３ｂは、他方の側の端部６２ｂに接続している。

なお、第２部位６３ａ及び第２部位６３ｂの第１部位６２に対する傾斜角度（θ）は、特に限定されるものではないが、本変形例では、０度よりも大きく９０度よりも小さい範囲から選択された値になっており、具体的には、１０度以上４５度以下の範囲から選択された値になっている。また、本変形例において、第２部位６３ａ及び第２部位６３ｂの傾斜角度は同じ値になっている。但し、この構成に限定されるものではなく、第２部位６３ａ及び第２部位６３ｂの傾斜角度は、互いに異なる値であってもよい。

また、本変形例において、凸部６０Ｅは２つの第２部位（第２部位６３ａ及び第２部位６３ｂ）を備えているが、この構成に限定されるものではない。凸部６０Ｅは、第２部位６３ａ及び第２部位６３ｂのうち、いずれか一方のみを備えていてもよい。

本変形例においても、前述した実施形態に係るめっき装置１０００と同様の作用効果を奏することができる。

なお、本変形例に係るダミー基板Ｗｆｘは、凸部６０Ｅを複数有していてもよい。この一例を挙げると、前述した変形例３（図１０）に係るダミー基板Ｗｆｘが、本変形例に係る第２部位を備えていてもよい。

また、前述した変形例２（図９）に係るダミー基板Ｗｆｘが、本変形例に係る第２部位を備えていてもよい。この場合においても、ダミー基板Ｗｆｘは、第２部位を有する凸部を複数有していてもよい。

（実施形態の変形例６）
図１３は、実施形態の変形例６に係るめっき装置１０００Ｆのダミー基板Ｗｆｘの模式的下面図である。本変形例に係るダミー基板Ｗｆｘは、複数の凸部を有している。具体的には、本変形例に係る複数の凸部は、凸部６０Ｆ−１、凸部６０Ｆ−２、凸部６０Ｆ−３、凸部６０Ｆ−４、凸部６０Ｆ−５である。

また、本変形例に係る複数の凸部は、ダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａを、複数の仮想同心円（仮想同心円Ｃ１、仮想同心円Ｃ２、仮想同心円Ｃ３、仮想同心円Ｃ４）で分割した場合に、複数の仮想同心円で分割された各々の領域に、凸部が少なくとも一つずつ配置された構成を有している。

具体的には、仮想同心円Ｃ１よりも内側の領域に凸部６０Ｆ−１が配置され、仮想同心円Ｃ１と仮想同心円Ｃ２との間の領域に凸部６０Ｆ−２が配置されている。また、仮想同心円Ｃ２と仮想同心円Ｃ３との間の領域に凸部６０Ｆ−３が配置され、仮想同心円Ｃ３と仮想同心円Ｃ４との間の領域に凸部６０Ｆ−４が配置されている。そして、仮想同心円Ｃ４の外側の領域に凸部６０Ｆ−５が配置されている。

また、各々の領域に配置された凸部は、それぞれ、ダミー基板Ｗｆｘの下面Ｗｆａの径方向に延在している。そして、互いに隣接する一対の領域のうち、一方の領域に配置された凸部の延在方向と他方の領域に配置された凸部の延在方向とのなす角は、一例として、９０度になっている。

具体的には、凸部６０Ｆ−１と凸部６０Ｆ−２とのなす角、凸部６０Ｆ−２と凸部６０Ｆ−３とのなす角、凸部６０Ｆ−３と凸部６０Ｆ−４とのなす角、及び、凸部６０Ｆ−４と凸部６０Ｆ−５とのなす角は、それぞれ９０度になっている。

本変形例においても、前述した実施形態に係るめっき装置１０００と同様の作用効果を奏することができる。

なお、本変形例において、互いに隣接する一対の領域のうち、一方の領域に配置された凸部の延在方向と他方の領域に配置された凸部の延在方向とのなす角は、９０度に限定されるものではない。このなす角は、９０度よりも小さくてもよく、大きくてもよい。また、図１３では、複数の仮想同心円で分割された各々の領域に凸部が一つずつ配置されているが、この構成に限定されるものではない。複数の仮想同心円で分割された各々の領域に凸部が２つ以上配置されていてもよい。

（実施形態の変形例７）
図１４は、実施形態の変形例７に係るめっき装置１０００Ｇのダミー基板Ｗｆｘの模式的下面図である。本変形例に係るダミー基板Ｗｆｘは、オリエンテーションフラットＯＲＦ及びノッチＮＴをさらに備えている点で、図６に例示する実施形態に係るダミー基板Ｗｆｘと異なっている。

なお、本変形例に係るダミー基板Ｗｆｘの搬送は、基板Ｗｆの搬送時の場合と同様の方法で行われてもよい。すなわち、アライナ１２０がダミー基板ＷｆｘのオリエンテーションフラットＯＲＦ及びノッチＮＴの位置を所定の方向に合わせた後に、搬送機構がダミー基板Ｗｆｘを基板ホルダ３０の所に搬送してもよい。

本変形例においても、前述した実施形態に係るめっき装置１０００と同様の作用効果を奏することができる。

また、本変形例に係るダミー基板Ｗｆｘは、オリエンテーションフラットＯＲＦ及びノッチＮＴのうち、いずれか一方のみを備えていてもよい。すなわち、ダミー基板Ｗｆｘは、オリエンテーションフラットＯＲＦを備える一方でノッチＮＴを備えていない構成としてもよく、ノッチＮＴを備える一方でオリエンテーションフラットＯＲＦは備えていない構成としてもよい。

また、前述した変形例２〜６に係るダミー基板Ｗｆｘが、オリエンテーションフラットＯＲＦ及びノッチＮＴのうち少なくとも一方を備えていてもよい。

（実施形態の変形例８）
上述した実施形態や変形例１〜７において、ダミー基板Ｗｆｘを用いて気泡を除去した
後に、抵抗体１２の下面に沿って超音波を発信させて、この超音波に基づいて、抵抗体１２の下面に気泡が存在しているか否かを確認してもよい（以下、この工程を「気泡確認工程」と称する）。具体的には、前述した図７のステップＳ１２を実行した後であって、ステップＳ１３を実行する前に、この気泡確認工程を実行してもよい。本変形例に係るめっき装置１０００Ｈの構成は以下のとおりである。

図１５は、本変形例に係るめっき装置１０００Ｈのめっき槽１０の周辺構成を示す模式的断面図である。なお、図１５において、オーバーフロー槽２０等の図示は省略されている。めっき装置１０００Ｈは、めっき槽１０の外周壁１０ｂにおける抵抗体１２よりも下方側の箇所に、発信器８０及び受信器８１を備えている。発信器８０は、抵抗体１２の下面に沿って超音波（ＵＬ）を発信する。

受信器８１は、発信器８０が発信した超音波を受信するように構成されている。具体的には、本変形例に係る受信器８１は、発信器８０に対向するように外周壁１０ｂに配置されている。発信器８０及び受信器８１は、制御モジュール８００によって制御されている。

気泡確認工程（すなわち、気泡確認時）において、発信器８０は抵抗体１２の下面に沿って超音波を発信させる。受信器８１は、受信した超音波に関する情報を制御モジュール８００に伝える。制御モジュール８００は、受信器８１が受信した超音波に基づいて、抵抗体１２の下面に気泡が存在するか否かを判断する。

具体的には、発信器８０が発信した超音波が気泡（抵抗体１２の下面に存在する気泡）に当たった場合、発信器８０が発信した超音波が気泡に当たらずに受信器８１に受信される場合に比較して、受信器８１が受信する超音波の強度は弱くなる傾向がある。したがって、受信器８１が受信する超音波の強度に基づいて、抵抗体１２の下面に気泡が存在するか否かを判断することができる。

そこで、本変形例に係る制御モジュール８００は、受信器８１が受信する超音波の強度が予め設定された所定値よりも低いか否かに基づいて、抵抗体１２の下面に気泡が存在するか否かを判断している。

以上、本発明の実施形態や変形例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態や変形例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、さらなる種々の変形・変更が可能である。

１０ めっき槽
１１ アノード
１２ 抵抗体
３０ 基板ホルダ
３１ リング
４０ 回転機構
５０ 昇降機構
６０ 凸部
７０ 空間
１０００ めっき装置
Ｗｆ 基板
Ｗｆｘ ダミー基板
Ｐｓ めっき液
Ｂｕ 気泡
ＵＬ 超音波

Claims (13)

1. めっき液を貯留するとともに多孔質の抵抗体が内部に配置されためっき槽と、
   前記抵抗体よりも上方に配置されて、ダミー基板を保持する基板ホルダと、
   前記基板ホルダを回転させる回転機構と、
   前記基板ホルダを昇降させる昇降機構と、を備え、
   前記ダミー基板の下面には、当該下面から下方に突出した少なくとも一つの凸部が設けられ、
   前記基板ホルダは、前記ダミー基板の下面の外周縁よりも下方に突出したリングを有し、
   前記昇降機構が前記基板ホルダを下降させて前記ダミー基板の前記凸部を前記抵抗体よりも上方に位置させた状態で且つ前記凸部を前記めっき槽のめっき液に浸漬させた状態で、前記回転機構が前記基板ホルダを回転させるように構成された、めっき装置。
2. 前記凸部が前記リングと接触しないように、前記凸部と前記リングとの間に空間が設けられている、請求項１に記載のめっき装置。
3. 前記ダミー基板の下面からの前記凸部の突出高さは、１ｍｍ以上１００ｍｍ以下の範囲から選択された値である、請求項１又は２に記載のめっき装置。
4. 前記凸部は、前記ダミー基板の下面の径方向に延在している、請求項１〜３のいずれか１項に記載のめっき装置。
5. 前記凸部は、前記凸部の少なくとも一部に、前記ダミー基板の周方向に湾曲した湾曲部を有する、請求項４に記載のめっき装置。
6. 前記凸部は、前記ダミー基板の下面の中心から前記ダミー基板の下面の外周縁に向けて前記ダミー基板の下面の径方向に延在した第１部位と、前記第１部位における前記外周縁の側の端部に接続し、且つ、前記第１部位に対して傾斜した第２部位と、を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のめっき装置。
7. 前記ダミー基板の前記下面を複数の仮想同心円で分割した場合に、複数の仮想同心円によって分割された各々の領域に、前記凸部が少なくとも一つずつ配置されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載のめっき装置。
8. 前記基板ホルダは、基板にめっき処理を施すめっき処理時においては前記基板を保持し、前記抵抗体に滞留した気泡を除去する気泡除去時においては前記ダミー基板を保持するように構成され、
   前記昇降機構は、前記気泡除去時において、前記基板ホルダを前記めっき処理時の場合よりも上方に位置させる、請求項１〜７のいずれか１項に記載のめっき装置。
9. 前記昇降機構は、前記ダミー基板の前記凸部を前記めっき槽のめっき液に浸漬させる際に、前記ダミー基板の下面のうち前記凸部が設けられていない部分も前記めっき槽のめっき液に浸漬させる、請求項１〜８のいずれか１項に記載のめっき装置。
10. 所定の載置場所に載置された前記ダミー基板を、前記抵抗体に滞留した気泡を除去する気泡除去時に、前記基板ホルダに搬送する搬送機構をさらに備え、
    前記基板ホルダは、基板にめっき処理を施すめっき処理時においては前記基板を保持し、前記気泡除去時においては、前記搬送機構によって搬送された前記ダミー基板を保持するように構成される、請求項１に記載のめっき装置。
11. 前記回転機構は、前記基板ホルダに保持された前記ダミー基板が前記抵抗体の上面に対して平行に回転するように、前記基板ホルダを回転させる、請求項１に記載のめっき装置。
12. 前記凸部と前記リングとの間の水平方向の距離は、０ｍｍよりも大きく１ｍｍ以下の範囲から選択された値である、請求項２に記載のめっき装置。
13. めっき液を貯留するとともに多孔質の抵抗体が内部に配置されためっき槽の前記抵抗体に滞留した気泡を除去する気泡除去方法であって、
    下方に突出した少なくとも一つの凸部が設けられた下面を有するダミー基板を、基板ホルダに保持させること、
    前記ダミー基板を保持した前記基板ホルダを下降させて、前記凸部が前記抵抗体よりも上方に位置した状態で前記凸部を前記めっき槽のめっき液に浸漬させること、及び、
    前記ダミー基板の前記凸部が前記抵抗体よりも上方に位置した状態で且つ前記凸部が前記めっき槽のめっき液に浸漬された状態で前記基板ホルダを回転させること、を含む、気泡除去方法。

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