JP6957746B2

JP6957746B2 - 同軸伝送ライン構造

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Publication number: JP6957746B2
Application number: JP2020520442A
Authority: JP
Inventors: プゼラ，アンジェロ，エム．; アウアー，ランス，エー．; アルメンダリス，ノーマン; ボッザ，ドナルド，エー．; フランシス，ジョン，ビー．; エノー，フィリップ，エム．; オベルレ，ランダル，ダブリュ．; トルリ，スーザン，シー．; ザルク，ディミトリー
Original assignee: Raytheon Co
Current assignee: Raytheon Co
Priority date: 2017-07-28
Filing date: 2018-07-02
Publication date: 2021-11-02
Anticipated expiration: 2038-07-02
Also published as: US10276282B2; KR20190126929A; WO2019022922A1; EP3659206B1; KR102239468B1; PL3659206T3; JP2020526045A; US20190035517A1; EP3659206A1

Description

本開示は、概して、同軸伝送ライン構造（coaxial transmission line structure）に関し、より詳細には、当該同軸伝送ライン構造のための内側導体及び外側導体を形成するマイクロビアを有する同軸伝送ライン構造に関する。

当技術分野で知られているように、マイクロビアは、多層回路基板内の層間の電気的接続を生成するためにレーザによってドリル加工された微細な穴である。マイクロビアは、アスペクト比（マイクロビアの高さを（マイクロビア頂部における）マイクロビア直径で割ったアスペクト比）＜＝１：１を有する、典型的には、固体銅で充填したビアである。マイクロビアは、RF、電力、及び論理信号伝送ラインを、微細ピッチ、高ピン数アクティブMMIC(モノリシック・マイクロ波集積回路)、ASIC、及びプラスチック・クワッド・フラット・パッケージへと接続するために用いられる。マイクロビア相互接続技術は、プリント配線板(PWB)上の高密度部品レイアウトを可能にする。マイクロビアは、構成要素信号パッド(例えば、MMIC及び／又は受動構成要素)への直接的な半田リフロー相互接続を使用し、めっきされたスルーホール(PTH)から「ファンアウト」（fan-out）パッドを除去し、そして寄生インダクタンスを減少し、これらはRF及び高速デジタル信号にとって重要である。

多くの用途では、マイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)の電気出力をより大きなマイクロ波部品に接続することが必要である。また、このような部品に電力及び論理信号を供給することも必要とされる。同軸コネクタを使用してMMICとマイクロ波構成要素との間にこれらの接続を形成するために、多層プリント回路基板が必要とされることがある。中央同軸コネクタは、半田ボールに接続された一端と、はるかに大きな接触パッドに接続された他端とを有するであろう。例えば、MMICの半田ボールは、0.006インチの直径を有し、マイクロ波構成要素に接続するための接触パッドは、0.066インチの直径を有し得る。

本開示に従って設けられる同軸伝送ライン構造は、(A)入力コンタクトと該入力コンタクトより大きい出力コンタクトとを有する中央導体セクションであり、前記入力コンタクトからより大きい前記出力コンタクトへとサイズが順次増大して前記入力コンタクトからより大きい前記出力コンタクトへの導電体遷移をなす複数の導電性層を有し、前記導電性層は誘電層を通過しずらして配置されたマイクロビアによって中央に電気的に相互接続される、中央導体セクション；及び(B)前記中央導体セクションの周囲に同軸に配置され、前記誘電層によって前記中央導体セクションから電気的に絶縁されている外側導体セクション；を有する。

一実施形態において設けられる同軸伝送ライン構造は、誘電層を通過するずらして配置された第1の複数のマイクロビアによって電気的に相互接続された第1の複数の導電層の内側部分を有する中央導体セクション;及び外側導体セクションを有する。外側導体セクションは、前記中央導体セクションの周囲に同軸に配置され、前記誘電層によって前記中央導体セクションから電気的に絶縁されている。前記外側導体セクションが、前記第1の導電層の外側部分を電気的に相互接続するための、前記誘電層を通過するずらして配置された第2の複数のマイクロビアを含み、外側部分が内側部分から誘電的に間隔を空けられ、前記第1の導電層のうちの1層の内側部分が、前記第1の導電層のうちの他層の内側部分の幾何学的形状とは異なる幾何学的形状を有する。

一実施形態において、前記導電層のうちの1層の内側部分が、前記導電層のうちの他層の内側部分の幾何学的形状とは異なる幾何学的形状を有する。

一実施形態において設けられる同軸伝送ライン構造は、中央導体セクション；垂直方向に位置された誘電層の積層体；複数の導電性層であり、該複数の導電性層の各層が前記誘電層の積層体のうちの対応する1層の一部の上に配置される、複数の導電性層;及び前記中央導体セクションの周囲に同軸に配置され、前記誘電層の積層体により前記中央導体セクションから電気的に絶縁された外側導体セクションを有する。前記中央導体セクションが、前記複数の導電性層の内側部分;及び中央入力コンタクトと中央出力端子との間で、前記複数の導電層の内側部分を電気的に相互接続するために誘電層を通過するずらして配置された第1の複数のマイクロビアを含む。前記外側導体セクションが、前記複数の導電性層の外側部分;及び前記複数の導電性層の外側部分を電気的に相互接続するために誘電層を通過するずらして配置された第2の複数のマイクロビアを有する。前記複数の導電性層のうちの1層の内側部分は、前記複数の導電性層のうち他層の内側部分の幾何学的形状とは異なる幾何学的形状を有する。

そのような配置により、上記形状が、中央導体セクションと外側導体と信号伝送ラインとの間の容量性結合及び寄生インダクタンスを最小化する。

一実施形態において、前記複数の導電性層のうちの前記1層の前記幾何学的形状は楕円形又は長円形であり、前記複数の導電性層のうちの他層の前記幾何学的形状は円形である。

一実施形態において、前記第2の複数のマイクロビアは、前記中央導体セクションの周囲に円周方向に配置されている。

一実施形態において、前記第1の複数のマイクロビアのうち、前記誘電層の積層体のうちの1層を通過するマイクロビアが、前記誘電層の積層体のうちのより下方の1層を通過するマイクロビアからオフセットされている。

一実施形態において、前記第２の複数のマイクロビアのうち、前記誘電層の積層体のうちの1層を通過するマイクロビアが、前記誘電層の積層体のうちのより下方の1層を通過するマイクロビアからオフセットされている。

本開示における1又は複数の実施形態の詳細は、添付する図面及び下記の説明において記述される。本開示の他の特徴、目的、及び利点は、明細書及び図面並びに特許請求の範囲から明らかであろう。

本開示に従った同軸伝送ライン構造の平面図である。本開示に従った図１を１Ａ−１Ａ線に沿って切った、図１の同軸伝送ライン構造の断面図である。本開示に従った図１を１Ｂ−１Ｂ線に沿って切った、図１の同軸伝送ライン構造の断面図である。本開示に従った図１を１Ｃ−１Ｃ線に沿って切った、図１の同軸伝送ライン構造の断面図である。本開示に従った図１の同軸伝送ライン構造の中央導体セクションの平面図である。本開示に従った図２を２Ａ−２Ａ線に沿って切った、図２の同軸伝送ライン構造の中央導体セクションの断面図である。本開示に従った図２を２Ｂ−２Ｂ線に沿って切った、図２の同軸伝送ライン構造の中央導体セクションの断面図である。本開示に従った図２を２Ｃ−２Ｃ線に沿って切った、図２の同軸伝送ライン構造の中央導体セクションの断面図である。図１の同軸伝送ライン構造の中央導体セクションに用いられる導体層の配列を示す分解簡略化斜視図である。本開示に従った図１の同軸伝送ライン構造の外側導電構造をより詳細に示す平面図である。本開示に従った図１の同軸伝送ライン構造の外側導電構造をより詳細に示す断面図であり、図３を３Ａ−３Ａ線に沿って切った断面図である。本開示に従った図１の同軸伝送ライン構造の外側導電構造をより詳細に示す平面図である。本開示に従った図１の同軸伝送ライン構造の外側導電構造をより詳細に示す断面図であり、図４を４Ａ−４Ａ線に沿って切った断面図である。本開示に従った図１の同軸伝送ライン構造の外側導電構造をより詳細に示す断面図であり、図４を４Ｂ−４Ｂ線に沿って切った断面図である。各図における同様な参照符号は、同様な部材を指示している。

次に、図1及び図１Ａ〜図１Ｃを参照すると、同軸伝送ライン構造10が、中央導体セクション12(図２及び図２Ａ〜図２Ｄにおいてより明確に示す)と；垂直に配置された誘電層16a〜16cのスタックによって、中央導体セクション12の周囲に、中央導体セクション12と同軸に、かつそこから電気的に絶縁されて配置された外側導体セクション14(図３及び図３Ａにおいてより明確に示す)と；中央導体セクション12と外側導体セクション14との間に配置され、ビア32a〜32jを有する中間電気的導体シールド構造30（図４、４Ａ及び４Ｂに関連してより詳細に説明する）と；を有する。

より詳細には、誘電層16aの上方表面の一部上に位置されているのは、中央の入力コンタクト19及び上方の導電性接地面層18aであり、導電性接地面層18aは、誘電層16aによって入力コンタクト19から誘電的に分離されている。誘電層16b、16cの上方表面部分内には、図示のようにそれぞれ導電層18b、18cが配置されている。誘電層16cの底部の一部の上には、下方導電性接地平面層18d及び出力コンタクト21のベース部分21bの層18eが配置されている。

まず注目すべきは、入力コンタクト19は、図示されていないMMICの半田ボールに典型的に接触することができ、したがって0.006インチから0.008インチの範囲の直径を有することができることである。入力コンタクト19は、出力コンタクト21の直径よりもはるかに小さく、出力コンタクト21直径は、典型的には0.034インチから0.044インチの範囲であり、例えば、論理信号線及び電力線を有するPWB（図示せず）などのプリント配線板に取り付けられた例えばサーキュレータ（図示せず）のような別のRFコンポーネントと接触することができる。したがって、中央導体セクション12は、入力コンタクト19から出力コンタクト21へと徐々に増加するサイズを有する複数の導電層18b_Ｉ、18c_Ｉを含むことによって、入力コンタクト19をより大きな出力コンタクト21へと遷移させる。導電層18b_Ｉ、18c_Ｉは、誘電層16a〜16cを通過するずらして配置されたマイクロビア（microvias）20a〜20gによって電気的に相互接続され、入力コンタクト19、複数の導電層18b_Ｉ、18c_Ｉ、及び出力コンタクト21の基部21bの導電層18eを電気的に相互接続する。

また注目すべきは、複数の導電層18b、18cの内側部分18b_Ｉ、18c_Ｉ、及び層18eは、それぞれ、中央導体セクション12の一部であり、導電層18b、18cの外側部分18b_Ｏ、18c_Ｏから誘電的に分離されていることである。導電層18b、18cの外側部分18b_Ｏ、18c_Ｏ、層18a及び層18dは、外側導体セクション14の一部である。複数の導電層18b、18cの内側部分18b_Ｉ、18c_Ｉ、及び層18eは、図示のように、導電層18b、18cの外側部分18b_Ｏ、18c_Ｏ、層18a及び層18dから、誘電層16a、16b及び16cの中間部分によって誘電的に分離されている。上述のように、誘電層16aの上方表面の一部の上に配置された入力コンタクト19は、誘電層16aの一部によって導電層18aから誘電的に分離され、出力コンタクト21の基部21bを形成する導電層18eは、誘電層16cの底面に配置され、図示のように、誘電層16cの一部によって導電層18dから誘電的に分離される。

より詳細には、図２及び図２Ａ〜図２Ｄを参照すると、中央導体セクション１２がより詳細に示されている。したがって、注目すべきは、入力コンタクト１9、出力コンタクト２１、及び複数の導電層１8b、１8cの内側部分１8bＩ、１8cＩは、それぞれ、上述のように、誘電層１6a〜１6cを通過し、互いに鉛直方向にずらされ又はオフセットされて配置され、かつ水平方向に間隔を置いて配置された複数のマイクロビア２0a〜２0gによって電気的に相互接続されることである。従って、図示のように、入力コンタクト１9、複数の導電層１8a〜１8c、及び出力コンタクト２１の基部２１bの導電層１8eは、全て電気的に相互接続される。マイクロビア２0b〜２0gの間の間隔は、同軸伝送ライン構造１0の公称動作波長の波長の関数であり、いずれにしても、間隔は、公称動作波長の分数（fraction）である。

さらに詳しくは、マイクロビア20aは、同軸伝送ライン構造10の中心軸線24に沿って配置され、誘電層16aを通過し、導電層18bの内側部分18b_Ｉに中央入力コンタクト19を電気的に接続するために使用される。マイクロビア20b及び20cは、図示のように、図２の中央軸線24から等距離にあり、線２Ａ−２Ａに沿った直径に沿って配置され、導電層16bを通過し、導電層18bの内側部分18b_Ｉを導電層18c_Ｉに電気的に相互接続するために使用される。マイクロビア20d及び20eは、図２の直径２Ｂ−２Ｂに沿って配置され、直径２Ｂ−２Ｂは、図示のように、直径２Ａ−２Ａに対して45度の角度であり、図示のように中心軸線24から等距離にあり、誘電層16cを通過し、導電層18cの内側部分18c_Ｉを、出力コンタクト21の基部21bを形成する導電層18eに電気的に相互接続するために使用される。マイクロビア20f及び20gは、図２の直径２Ｃ−２Ｃに沿って配置され、直径２Ｃ−２Ｃは、図示のように、中心軸線24から等距離にあり、直径２Ｂ−２Ｂに対して90度の角度であり、誘電層16cを通過し、図示のように、出力コンタクト21の基部21bを形成する導電層18eの導電性層の複数の内側部分を電気的に相互接続するために使用される。注目すべきは、マイクロビア20b及び20cは、ビア20aの左右へと横方向にずらして配置され（staggered）又はオフセットされており;マイクロビア20d及び20eは、ビア20aの左右へと横方向にずらして配置され（staggered）又はオフセットされており;マイクロビア20f及び20eは、ビア20aの左右へと横方向にずらして配置され（staggered）又はオフセットされていることである。さらに、マイクロビア20d、20e、20f及び20gはマイクロビア20b及び20cからオフセットされていることに留意されたい。

注目すべきは、導電層18bの内側部分18b_Ｉは楕円形又は長円形であり、導電層18cの内側部分層18c_Ｉ及び導電層18eは円形であることである。導電層18bと導電層18c、18eとの間のこのような形状の違いの理由は、例えば、内側部分18bの楕円又は長円形状が、内側導体セクション12と外側導体構造14との間の分路（shunt）容量性結合を最小化するためである。さらに、RF電流を共有する多重のずれたマイクロビア20b、c、並びに20d、20e、20f及び20gによって、内側導体セクション12上の寄生インダクタンスが減少し、内側導体セクション12上の電流密度が減少し、内側導体セクション12の寄生インダクタンスが減少する。さらに、楕円又は長円形状は、2つのマイクロビア20b及び20cの間の機械的相互接続を提供する。

次に、図３及び図３Ａを参照すると、外側導体セクション14がより詳細に示されており、導電層18a、導電層18b、18cのそれぞれの外側部分18b_Ｏ、18c_Ｏ、及び導電層18dを含む。ここで、例えば、導電層18a、外側部分18b_Ｏ、18c_Ｏ、及び層18dは、各々、環状又はリング状であり；層を支持する誘電層の表面を露出させるために層の中間を通過する孔（hole）又は開口（aperture）を有する薄いディスク状層である。上述のように、中央導体セクション12は、層の中間を通過する開口内に配置される。注目すべきは、外側導体セクション14は、図示のように、中央導体セクション12と同軸で円周方向に配置された矢印24a〜24aから24p〜24pで囲まれた16個の同一構成の重複領域を含む。領域の例示的な1つ、例えば、図３Ａに示されるように、矢印24a〜24aで囲まれた領域を参照すると、領域の各々は、図３Ａに示すように、16個の領域の例示的な1つについて示されるように、複数の垂直にずらして配置され又はオフセットされ、かつ水平方向に離間されたマイクロビア22a〜22eを含む。16個の領域の各々におけるマイクロビア22a〜22eは、誘電層16a〜16cを通過し、図示のように、導電層18aと、外側部分18b_Ｏ、18c_Ｏと、層18dとの間に配置され、図３の外側導体セクション14のコード（cord）に沿って配置され、上方の導電性接地平面層18a、部分18b_Ｏ、18c_Ｏ、及び下方導電性接地平面層18dを図示のように電気的に相互接続する。

再び図４、４Ａ及び４Ｂを参照すると、同軸伝送ライン構造10は、導電性シールド構造30を含む。導電性シールド構造30は、中央導体セクション12の周囲に円周方向に配置された複数の水平方向に間隔を置かれた同一のマイクロビア32a〜32jを含む。これらのマイクロビアの一例が、図４Ａ及び４Ｂに示されているようなマイクロビア32a〜32bであり、誘電層16aを通過して、図示のように層18aを導電層18bの外側部分18b_Ｏに電気的に接続する。

ここで、本開示による同軸伝送ライン構造は、(A)入力コンタクトと該入力コンタクトより大きい出力コンタクトとを有する中央導体セクションであり、前記入力コンタクトからより大きい前記出力コンタクトへとサイズが順次増大して前記入力コンタクトからより大きい前記出力コンタクトへの導電体遷移をなす複数の導電性層を有し、前記導電性層は誘電層を通過しずらして配置されたマイクロビアによって中央に電気的に相互接続される、中央導体セクション；及び(B)前記中央導体セクションの周囲に同軸に配置され、前記誘電層によって前記中央導体セクションから電気的に絶縁されている外側導体セクション；を有することを理解すべきである。また、同軸伝送ライン構造は、複数の導電層が異なる幾何学的形状を有するという特徴を含んでもよい。

本開示による同軸伝送ライン構造は、誘電層を通過するずらして配置された第1の複数のマイクロビアによって電気的に相互接続された第1の複数の導電層の内側部分を有する中央導体セクション;及び前記中央導体セクションの周囲に同軸に配置され、前記誘電層によって前記中央導体セクションから電気的に絶縁されている外側導体セクション；を有し、前記外側導体セクションが、前記第1の導電層の外側部分を電気的に相互接続するための、前記誘電層を通過するずらして配置された第2の複数のマイクロビアを含み、前記外側部分が前記内側部分から誘電的に間隔を空けられ、前記第1の導電層のうちの1層の内側部分が、前記第1の導電層のうちの他層の内側部分の幾何学的形状とは異なる幾何学的形状を有することも理解すべきである。

ここで、同軸伝送ライン構造は、中央導体セクション；垂直方向に位置された誘電層の積層体；複数の導電性層であり、該複数の導電性層の各層が前記誘電層の積層体のうちの対応する1層の一部の上に配置される、複数の導電性層;及び前記中央導体セクションの周囲に同軸に配置され、前記誘電層の積層体により前記中央導体セクションから電気的に絶縁された外側導体セクション;を有し、前記中央導体セクションが、前記複数の導電性層の内側部分;及び中央入力コンタクトと中央出力端子との間で、前記複数の導電層の内側部分を電気的に相互接続するために誘電層を通過するずらして配置された第1の複数のマイクロビアを有し、前記外側導体セクションが、前記複数の導電性層の外側部分;及び前記複数の導電性層の外側部分を電気的に相互接続するために誘電層を通過するずらして配置された第2の複数のマイクロビアを有し、かつ前記複数の導電性層のうちの1層の内側部分は、前記複数の導電性層のうち他層の内側部分の幾何学的形状とは異なる幾何学的形状を有することを理解すべきである。同軸伝送ライン構造は、以下の１つ以上の特徴を組み合わせて、或いは単独で含んでもよい。前記複数の導電性層のうちの前記1層の前記幾何学的形状は楕円形又は長円形であり、前記複数の導電性層のうちの他層の前記幾何学的形状は円形であるという特徴。前記第2の複数のマイクロビアは、前記中央導体セクションの周囲に円周方向に配置されているという特徴。前記第1の複数のマイクロビアのうち、前記誘電層の積層体のうちの1層を通過するマイクロビアが、前記誘電層の積層体のうちのより下方の1層を通過するマイクロビアからオフセットされているという特徴。前記第２の複数のマイクロビアのうち、前記誘電層の積層体のうちの1層を通過するマイクロビアが、前記誘電層の積層体のうちのより下方の1層を通過するマイクロビアからオフセットされているという特徴。

本開示の多くの実施形態が記述されてきた。しかしながら、本開示の技術思想及び範囲から逸脱せずに、種々の改変がなされてもよいということを理解されたい。例えば、同軸伝送ライン構造10の直径は、図示されたものよりも大きくても小さくてもよく、その場合、マイクロビアの数は、対応して多くなっても少なくなってもよい。同様に、誘電層の数及び／又は厚さは、同軸伝送ライン構造10の動作波長及び電力ハンドリング要求に応じて、示されたものとは異なることがある。したがって、他の態様は特許請求の範囲の範囲内にある。

Claims

同軸伝送ライン構造であって：
(A)入力コンタクトと該入力コンタクトより大きい出力コンタクトとを有する中央導体セクションであり、前記入力コンタクトからより大きい前記出力コンタクトへと水平方向サイズが順次増大して前記入力コンタクトからより大きい前記出力コンタクトへの導電体遷移をなす複数の導電層を有し、前記複数の導電層は誘電層を通過し互いに鉛直方向にずらされ、かつ水平方向に間隔を置いて配置されたマイクロビアによって前記入力コンタクトへと電気的に相互接続される、中央導体セクション；及び
(B)前記中央導体セクションの周囲に同軸に配置され、前記誘電層によって前記中央導体セクションから電気的に絶縁されている外側導体セクション；
を有する同軸伝送ライン構造。
前記複数の導電層は、異なる幾何学的形状を有する、請求項１に記載の同軸伝送ライン構造。
同軸伝送ライン構造であって：
入力コンタクトと該入力コンタクトより大きい出力コンタクトとを有する中央導体セクションであり、前記入力コンタクトからより大きい前記出力コンタクトへと水平方向サイズが順次増大して前記入力コンタクトからより大きい前記出力コンタクトへの導電体遷移をなす複数の導電層の内側部分を有し、前記複数の導電層の内側部分が、誘電層を通過し互いに鉛直方向にずらされ、かつ水平方向に間隔を置いて配置された第１の複数のマイクロビアによって電気的に相互接続される、中央導体セクション;及び
前記中央導体セクションの周囲に同軸に配置され、前記誘電層によって前記中央導体セクションから電気的に絶縁されている外側導体セクション；
を有し、
前記外側導体セクションが、
前記複数の導電層の外側部分を電気的に相互接続するための、前記誘電層を通過し互いに鉛直方向にずらされ、かつ水平方向に間隔を置いて配置された第２の複数のマイクロビア；
を含み、
前記外側部分が前記内側部分から誘電的に間隔を空けられ、
前記複数の導電層のうちの１層の内側部分が、前記複数の導電層のうちの他層の内側部分の幾何学的形状とは異なる幾何学的形状を有する、
ことを特徴とする同軸伝送ライン構造。
同軸伝送ライン構造であって：
入力コンタクトと該入力コンタクトより大きい出力コンタクトとを有する中央導体セクション；
垂直方向に位置された誘電層の積層体；
複数の導電層であり、該複数の導電層の各層が前記誘電層の積層体のうちの対応する１層の一部の上に配置される、複数の導電層;及び
前記中央導体セクションの周囲に同軸に配置され、前記誘電層の積層体により前記中央導体セクションから電気的に絶縁された外側導体セクション;
を有し、
前記中央導体セクションが、
前記入力コンタクトからより大きい前記出力コンタクトへと水平方向サイズが順次増大して前記入力コンタクトからより大きい前記出力コンタクトへの導電体遷移をなす、前記複数の導電層の内側部分;及び
前記入力コンタクトと前記出力コンタクトとの間で、前記複数の導電層の内側部分を電気的に相互接続するために誘電層を通過し互いに鉛直方向にずらされ、かつ水平方向に間隔を置いて配置された第１の複数のマイクロビア;
を有し、
前記外側導体セクションが、
前記複数の導電層の外側部分;及び
前記複数の導電層の外側部分を電気的に相互接続するために誘電層を通過し互いに鉛直方向にずらされ、かつ水平方向に間隔を置いて配置された第２の複数のマイクロビア;
を有し、かつ
前記複数の導電層のうちの１層の内側部分は、前記複数の導電層のうち他層の内側部分の幾何学的形状とは異なる幾何学的形状を有する、
ことを特徴とする同軸伝送ライン構造。
請求項４に記載の同軸伝送ライン構造であって、
前記複数の導電層のうちの前記１層の前記幾何学的形状は楕円形又は長円形であり、前記複数の導電層のうちの他層の前記幾何学的形状は円形である、同軸伝送ライン構造。
請求項４に記載の同軸伝送ライン構造であって、
前記第２の複数のマイクロビアは、前記中央導体セクションの周囲に円周方向に配置されている、同軸伝送ライン構造。
請求項５に記載の同軸伝送ライン構造であって、
前記第１の複数のマイクロビアのうち、前記誘電層の積層体のうちの１層を通過するマイクロビアが、前記誘電層の積層体のうちのより下方の１層を通過するマイクロビアからオフセットされている、同軸伝送ライン構造。
請求項４に記載の同軸伝送ライン構造であって、
前記第２の複数のマイクロビアのうち、前記誘電層の積層体のうちの１層を通過するマイクロビアが、前記誘電層の積層体のうちのより下方の１層を通過するマイクロビアからオフセットされている、同軸伝送ライン構造。
請求項７に記載の同軸伝送ライン構造であって、
前記第２の複数のマイクロビアのうち、前記誘電層の積層体のうちの１層を通過するマイクロビアが、前記誘電層の積層体のうちのより下方の１層を通過するマイクロビアからオフセットされている、同軸伝送ライン構造。
請求項７に記載の同軸伝送ライン構造であって、
前記複数の導電層のうちの前記１層の前記幾何学的形状は楕円形又は長円形であり、前記複数の導電層のうちの他層の前記幾何学的形状は円形である、同軸伝送ライン構造。
請求項１０に記載の同軸伝送ライン構造であって、
前記第２の複数のマイクロビアは、前記中央導体セクションの周囲に円周方向に配置されている、同軸伝送ライン構造。
請求項８に記載の同軸伝送ライン構造であって、
前記複数の導電層のうちの前記１層の前記幾何学的形状は楕円形又は長円形であり、前記複数の導電層のうちの他層の前記幾何学的形状は円形である、同軸伝送ライン構造。
請求項１２に記載の同軸伝送ライン構造であって、
前記第２の複数のマイクロビアは、前記中央導体セクションの周囲に円周方向に配置されている、同軸伝送ライン構造。
請求項８に記載の同軸伝送ライン構造であって、
前記第２の複数のマイクロビアは、前記中央導体セクションの周囲に円周方向に配置されている、同軸伝送ライン構造。