JP6956960B2 - 紫外線吸収剤 - Google Patents

Description

本発明は、紫外線吸収剤に関する。

従来、樹脂製品、各種繊維製品、塗料、電子部品材料、化粧料、フィルム等に紫外線吸収能を付与して、黄変や透明性の低下等を防ぐため、或いは皮膚を保護するために紫外線吸収剤が用いられている。こうした紫外線吸収剤としては、紫外線吸収能及びコストの観点から、２位の窒素原子にヒドロキシ基を有するアリール基が置換したベンゾトリアゾール化合物が広く用いられている（非特許文献１）。

春名徹編著「高分子添加剤ハンドブック」シーエムシー出版、２０１０年１１月

従来から知られる紫外線吸収剤としては、特定のアゾール化合物において紫外線吸収能があることが知られているに過ぎなかった。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、新たな基本骨格を有し、蛍光が抑制された紫外線吸収剤の提供を課題とする。

本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、アゾール化合物において、ヒドロキシ基の置換位置を特定の位置とすると、紫外線を吸収しても熱失活により吸収したエネルギーを逃がし、蛍光が抑制された紫外線吸収剤が得られることを見出し、本発明を完成した。

すなわち、本発明に係る紫外線吸収剤は、下記式（１）又は（２）で表される構造を有する事を特徴とする。

［式（１）及び（２）中、Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいＣ_6-10芳香族環又はＣ_1-10脂肪族炭化水素基を表す。Ｘ¹及びＸ²は、それぞれ独立に、窒素原子、リン原子又はホウ素原子を表す。Ｙ¹及びＹ²は、それぞれ独立に、含窒素複素環を表す。ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立に、１又は２の整数を表す。ｍ１は、０〜３の整数を表す。ｍ２は、０〜４の整数を表す。］

Ｘ¹及びＸ²が窒素原子であり、Ｙ¹及びＹ²が、それぞれ独立に、下記式（Ｙ１）〜（Ｙ４）のいずれかで表される含窒素複素環であることが好ましい。ただし＊は結合手を表す。

下記式（１Ｂ）又は（２Ｂ）で表される化合物も本発明の技術的範囲に包含される。

［式（１Ｂ）及び（２Ｂ）中、Ｒ¹¹及びＲ²¹は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいＣ_6-10芳香族環又はＣ_1-10脂肪族炭化水素基を表す。ｎ１１及びｎ２１は、それぞれ独立に、１又は２の整数を表す。ｍ１１は、０〜３の整数を表す。ｍ２１は、０〜４の整数を表す。Ｐ¹及びＰ²は、それぞれヒドロキシ基の保護基を表す。］

本発明の紫外線吸収剤は、ヒドロキシ基の置換位置が特定の位置にあることから、紫外線を吸収しても熱失活するため、特に紫外・可視領域における蛍光が抑制されている。そのため樹脂製品、各種繊維製品、塗料、電子部品材料、化粧料等に好適に用いられる。

図１は、比較例１の化合物の紫外可視吸収スペクトル及び蛍光スペクトルを表す。図中、紫外可視吸収スペクトルを実線で、蛍光スペクトルを破線で表す（以下同じ）。 図２は、実施例１の化合物の紫外可視吸収スペクトル及び蛍光スペクトルを表す。 図３は、実施例２の化合物の紫外可視吸収スペクトル及び蛍光スペクトルを表す。 図４は、実施例４の化合物の紫外可視吸収スペクトル及び蛍光スペクトルを表す。 図５は、実施例５の化合物の紫外可視吸収スペクトル及び蛍光スペクトルを表す。 図６は、実施例６の化合物の紫外可視吸収スペクトル及び蛍光スペクトルを表す。

以下、本発明について説明する。なお、以下「式（ｘ）で表される化合物」を、単に「化合物（ｘ）」という場合がある。

１．紫外線吸収剤
下記式（１）又は（２）で表される化合物は、紫外線吸収剤に用いることができる。化合物（１）、（２）では、ヒドロキシ基が含窒素複素環と炭素数３個以内で結合されており、紫外線を吸収した場合も熱失活し、紫外線吸収能を維持しつつ蛍光を抑制できる。
特に、式（１）で表される化合物は、短波長のＵＶ−Ｃ光（波長２８０ｎｍ以下）の吸収能が良好である。

［式（１）及び（２）中、Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいＣ_6-10芳香族環又はＣ_1-10脂肪族炭化水素基を表す。Ｘ¹及びＸ²は、それぞれ独立に、窒素原子、リン原子又はホウ素原子を表す。Ｙ¹及びＹ²は、それぞれ独立に、含窒素複素環を表す。ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立に、１又は２の整数を表す。ｍ１は、０〜３の整数を表す。ｍ２は、０〜４の整数を表す。］

Ｒ¹及びＲ²で表される芳香族環としては、芳香族炭化水素環、芳香族複素環が挙げられる。
芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ナフタレン環等が挙げられ、ベンゼン環が好ましい。
芳香族複素環としては、下記式で表される芳香族複素環が挙げられ、中でも、チオフェン環、チアゾール環、ピリジン環、ピロール環、イミダゾール環、フラン環、オキサゾール環等が好ましい。式中、Ｒ⁴は、水素原子、又はＣ_1-4アルキル基を表す。

Ｒ¹及びＲ²で表される芳香族環の炭素数は、好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜８であり、Ｒ¹及びＲ²で表される芳香族炭化水素環の炭素数は、好ましくは６〜１５、より好ましくは６〜１０、さらに好ましくは６〜８であり、Ｒ¹及びＲ²で表される芳香族複素環の炭素数は、好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜５である。

Ｒ¹及びＲ²で表される芳香族環が有していてもよい置換基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基又はハロゲン原子が挙げられる。

前記脂肪族炭化水素基は直鎖状又は分岐鎖状のいずれであってもよく、分岐鎖状であることが好ましい。また前記脂肪族炭化水素基は、アルキル基（飽和脂肪族炭化水素基）、或いはアルケニル基、アルキニル基等の不飽和脂肪族炭化水素基のいずれであってもよく、アルキル基であることが好ましい。前記脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５である。

前記脂肪族炭化水素基としては、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、２−メチルブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、１−ｎ−ブチルブチル基、１−ｎ−プロピルペンチル基、１−エチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、４−エチルヘキシル基、１−メチルヘプチル基、２−メチルヘプチル基、６−メチルヘプチル基、２，４，４−トリメチルペンチル基、２，５−ジメチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、１−ｎ−プロピルヘキシル基、２−ｎ−プロピルヘキシル基、１−エチルヘプチル基、２−エチルヘプチル基、１−メチルオクチル基、２−メチルオクチル基、６−メチルオクチル基、２，３，３，４−テトラメチルペンチル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、１−ｎ−ペンチルペンチル基、１−ｎ−ブチルヘキシル基、２−ｎ−ブチルヘキシル基、１−ｎ−プロピルヘプチル基、１−エチルオクチル基、２−エチルオクチル基、１−メチルノニル基、２−メチルノニル基、３，７−ジメチルオクチル基等が挙げられる。

前記脂環式炭化水素基は、単環でも複環でもよく、単環であることが好ましい。また、脂環式炭化水素基は、シクロアルキル基（飽和脂環式炭化水素基）、或いはシクロアルケニル基、シクロアルキニル基等の不飽和脂環式炭化水素基のいずれであってもよく、シクロアルキル基であることが好ましい。前記脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜１０、より好ましくは３〜７である。

前記脂環式炭化水素基としては、具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等が挙げられる。

前記芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０である。前記芳香族炭化水素基としては、具体的には、フェニル基、ナフチル基が挙げられ、下記式で表される基であってもよい。
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子が挙げられる。

［式（Ｒ１）中、Ｒ³は、脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子を表し、ｍ３は０〜４の整数を表し、ｍ４は１〜５の整数を表す。＊は結合手を表す。］

Ｒ³における脂肪族炭化水素基としては、Ｒ¹で表される芳香族環が有していてもよい置換基として例示した脂肪族炭化水素基と同様の基が挙げられ、分岐鎖状の基であることが好ましく、また、アルキル基であることが好ましい。当該脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５である。
Ｒ³におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、好ましくは臭素原子、ヨウ素原子である。

ｍ３は、好ましくは０〜１である。ｍ４は、好ましくは１〜３である。

Ｒ¹及びＲ²で表される脂肪族炭化水素基としては、Ｒ¹及びＲ²で表される芳香族環が有していてもよい置換基として例示した脂肪族炭化水素基と同様の基が挙げられ、分岐鎖状の基であることが好ましく、また、アルキル基であることが好ましい。当該脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５である。

中でも、Ｒ¹は、置換基を有していてもよい芳香族環であることが好ましく、置換基を有する芳香族環であることが好ましい。
また、Ｒ²としては脂肪族炭化水素基が好ましい。
Ｒ¹及びＲ²は、ベンゼン環上、ヒドロキシ基のパラ位に置換していることが好ましい。

ｍ１は、好ましくは１〜３の整数であり、より好ましくは１〜２の整数である。ｍ２は、好ましくは１〜４の整数であり、より好ましくは１〜３の整数である。ｍ１及びｍ２が１以上であると、耐熱性が向上しやすくなる。
ｎ１及びｎ２は、好ましくは２である。

Ｘ¹及びＸ²としては、窒素原子が好ましい。

Ｙ¹及びＹ²で表される含窒素複素環としては、下記式（Ｙ１）〜（Ｙ４）のいずれかで表される環であることが好ましく、式（Ｙ１）又は（Ｙ２）で表される環であることがより好ましく、式（Ｙ１）で表される環であることがさらに好ましい。

式（１）で表される化合物としては、下記式（１−Ｉ）で表される化合物（１−Ｉ−１）〜（１−Ｉ−２５）が挙げられ、式（２）で表される化合物としては、下記式（２−Ｉ）で表される化合物（２−Ｉ−１）〜（２−Ｉ−２５）が挙げられる。
なお下記式において、ｍ１０が１以上の場合、Ｒ¹⁰の少なくとも１つは、ヒドロキシ基に対してパラ位に置換していることが好ましい。ｍ２０が１以上の場合、Ｒ²⁰の少なくとも１つは、ヒドロキシ基に対してパラ位に置換していることが好ましい。

表中、（Ａｒ１）〜（Ａｒ１７）は、それぞれ、以下の基を表す。

式（１）で表される化合物としては、化合物（１−Ｉ−１）〜（１−Ｉ−１６）、（１−Ｉ−２３）が特に好ましく、式（２）で表される化合物としては、化合物（２−Ｉ−１）〜（２−Ｉ−１６）、（２−Ｉ−２３）が特に好ましい。

２．製造方法
上記化合物（１）の製造方法の概要は、下記スキームで表される。すなわち、本発明の化合物（１）又は（２）は、化合物（１Ｃ）又は化合物（２Ｃ）を酸化した後（酸化工程：工程１）、得られた化合物（１Ｂ）又は（２Ｂ）に、塩基の存在下、アジド化合物を反応させ（環化工程：工程２）、得られた化合物（１Ａ）又は（２Ａ）を脱保護することにより製造することができる（脱保護工程：工程３）。

［スキーム中、Ｒ¹¹及びＲ²¹は、Ｒ¹及びＲ²とそれぞれ同義であり、ｎ１１及びｎ２１は、それぞれｎ１及びｎ２と同義であり、ｍ１１及びｍ２１は、それぞれｍ１及びｍ２と同義である。Ｐ¹及びＰ²は、それぞれヒドロキシ基の保護基を表す。］

上記スキームにおいてＰ¹及びＰ²は、ヒドロキシ基の保護基として用いることができるものであればよく、メチル基、ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等のエーテル系保護基；メトキシメチル基等のアセタール系保護基；アセチル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等のエステル系保護基；トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基等のシリルエーテル系保護基；メチル炭酸エステル残基、エチル炭酸エステル残基、ｔｅｒｔ−ブチル炭酸エステル残基等の炭酸エステル系保護基；メタンスルホン酸エステル残基、エタンスルホン酸エステル残基、ベンゼンスルホン酸エステル残基、ｐ−トルエンスルホン酸エステル残基等のスルホン酸エステル系保護基；等が挙げられる。中でも、エーテル系保護基が好ましい。

２−１．酸化工程（工程１）
上記化合物（１Ｃ）又は（２Ｃ）と、酸化剤とを反応させることにより、化合物（１Ｂ）又は（２Ｂ）を得ることができる。化合物（１Ｃ）又は（２Ｃ）としては、それぞれ、例えば、式（１Ｃ−Ｉ）で表される化合物（１Ｃ−Ｉ−１）〜（１Ｃ−Ｉ−２５）又は式（２Ｃ−Ｉ）で表される化合物（２Ｃ−Ｉ−１）〜（２Ｃ−Ｉ−２５）が好ましい。

式（１Ｃ）で表される化合物としては、化合物（１Ｃ−Ｉ−１）〜（１Ｃ−Ｉ−１６）、（１Ｃ−Ｉ−２３）が特に好ましく、式（２Ｃ）で表される化合物としては、化合物（２Ｃ−Ｉ−１）〜（２Ｃ−Ｉ−１６）、（２Ｃ−Ｉ−２３）が特に好ましい。

前記酸化剤としては、メタクロロ過安息香酸等の過カルボン酸、過酸化水素を用いることができる。前記酸化剤の量は、化合物（１Ｃ）又は（２Ｃ）１モルに対して、好ましくは０．１モル以上、１０モル以下、より好ましくは０．５モル以上、５モル以下である。
酸化工程における反応溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン、ジクロロプロパン等のハロゲン系溶媒；メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール等のアルコール系溶媒；酢酸、トリフルオロ酢酸等のカルボン酸系溶媒；水；或いはこれらの混合溶媒；が挙げられ、ハロゲン系溶媒が好ましい。

２−２．環化工程（工程２）
上記化合物（１Ｂ）又は（２Ｂ）に、塩基の存在下、アジド化合物を反応させることで、化合物（１Ａ）又は（２Ａ）を得ることができる。本工程に用いられる化合物（１Ｂ）又は（２Ｂ）としては、それぞれ、例えば、式（１Ｂ−Ｉ）で表される化合物（１Ｂ−Ｉ−１）〜（１Ｂ−Ｉ−２５）又は式（２Ｂ−Ｉ）で表される化合物（２Ｂ−Ｉ−１）〜（２Ｂ−Ｉ−２５）が好ましい。

式（１Ｂ）で表される化合物としては、化合物（１Ｂ−Ｉ−１）〜（１Ｂ−Ｉ−１６）、（１Ｂ−Ｉ−２３）が特に好ましく、式（２Ｂ）で表される化合物としては、化合物（２Ｂ−Ｉ−１）〜（２Ｂ−Ｉ−１６）、（２Ｂ−Ｉ−２３）が特に好ましい。

前記アジド化合物としては、ジフェニルホスホリルアジド（ＤＰＰＡ）、ビス（４−ニトロフェニル）ホスホリルアジド等のジアリールホスホリルアジド；トリメチルシリルアジド（ＴＭＳＡ）等のトリアルキルシリルアジド；等の有機アジド化合物及びナトリウムアジドなどの無機アジド化合物が好ましい。前記有機アジド化合物は、ポリマー担持されていてもよい。中でも、ジフェニルホスホリルアジド（ＤＰＰＡ）及びトリメチルシリルアジド等のトリアルキルシリルアジド化合物が好ましい。

特に、アジド化合物の量は、前記化合物（１Ｂ）又は（２Ｂ）１モルに対して、好ましくは０．５モル以上、１０モル以下、より好ましくは１モル以上、８モル以下、さらに好ましくは１モル以上、５モル以下である。アジド化合物の量がこの範囲にあると、収率や反応効率が良好である。

前記アジド化合物として、トリアルキルシリルアジド化合物を用いる場合、さらに、スルホニルハライド化合物又はリン酸ハライド化合物を共存させてもよい。
前記スルホニルハライド化合物としては、メタンスルホニルクロリド、エタンスルホニルクロリド、プロパンスルホニルクロリド、イソプロパンスルホニルクロリド、ブタンスルホニルクロリド、ペンタンスルホニルクロリド、ヘキサンスルホニルクロリド；等のアルキルスルホニルクロリド化合物；ベンゼンスルホニルクロリド、２−メチルベンゼンスルホニルクロリド、３−メチルベンゼンスルホニルクロリド、４−メチルベンゼンスルホニルクロリド、２−クロロベンゼンスルホニルクロリド、３−クロロベンゼンスルホニルクロリド、４−クロロベンゼンスルホニルクロリド、２−ブロモベンゼンスルホニルクロリド、３−ブロモベンゼンスルホニルクロリド、４−ブロモベンゼンスルホニルクロリド、２−ヨードベンゼンスルホニルクロリド、３−ヨードベンゼンスルホニルクロリド、４−ヨードベンゼンスルホニルクロリド、２−フルオロベンゼンスルホニルクロリド、３−フルオロベンゼンスルホニルクロリド、４−フルオロベンゼンスルホニルクロリド、２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルクロリド、３−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルクロリド、４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルクロリド等のアリールスルホニルクロリド化合物；塩化スルフリル；等のスルホニルクロリド化合物；ノナフルオロブタンスルホン酸フルオリド、フェニルスルホン酸フルオリド等のスルホニルフルオリド化合物；等が挙げられる。中でも、スルホニルクロリド化合物が好ましく、アリールスルホニルクロリド化合物がより好ましく、４−メチルベンゼンスルホニルクロリドがさらに好ましい。

前記スルホニルハライド化合物の量は、前記化合物（１Ｂ）又は（２Ｂ）１モルに対して、好ましくは０．５モル以上、２０モル以下、より好ましくは１モル以上、１５モル以下、さらに好ましくは１モル以上、１３モル以下、特に好ましくは１モル以上、１０モル以下である。スルホニルハライド化合物の量がこの範囲にあると、収率や反応効率が良好である。

前記リン酸ハライド化合物としては、ジメチルホスホリルクロリド、ジエチルホスホリルクロリド、ジプロピルホスホリルクロリド、ジイソプロピルホスホリルクロリド、ジブチルホスホリルクロリド等のジアルキルホスホリルクロリド化合物；ビス（２，２，２−トリクロロエチル）ホスホリルクロリド等のジハロゲン化アルキルホスホリルクロリド化合物；２−クロロ−２−オキソ−１，３，２−ジオキサホスホラン；ジフェニルホスホリルクロリド、ビス（２−メチルフェニル）ホスホリルクロリド、ビス（３−メチルフェニル）ホスホリルクロリド、ビス（４−メチルフェニル）ホスホリルクロリド、ビス（３，５−ジメチルフェニル）ホスホリルクロリド、ビス（２−クロロフェニル）ホスホリルクロリド、ビス（３−クロロフェニル）ホスホリルクロリド、ビス（４−クロロフェニル）ホスホリルクロリド、ビス（３，５−ジクロロフェニル）ホスホリルクロリド等のジアリールホスホリルクロリド化合物；１，２−フェニレンホスホロクロリデート；等が挙げられる。中でも、ジハロゲン化アルキルホスホリルクロリド化合物、ジアリールホスホリルクロリド化合物が好ましく、ビス（２，２，２−トリクロロエチル）ホスホリルクロリド、ジフェニルホスホリルクロリドがより好ましい。

前記リン酸ハライド化合物の量は、前記化合物（１Ｂ）又は（２Ｂ）１モルに対して、好ましくは０．５モル以上、２０モル以下、より好ましくは１モル以上、１５モル以下、さらに好ましくは１モル以上、１３モル以下、特に好ましくは１モル以上、１０モル以下である。リン酸ハライド化合物の量がこの範囲にあると、収率や反応効率が良好である。

アジド化合物を反応させる際に共存させる塩基としては、ピリジン；Ｎ−メチルイミダゾール、イミダゾール等のイミダゾール化合物；水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化セシウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等のアルカリ金属塩化合物；水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム等のアルカリ土類金属塩化合物；リチウムメトキシド、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキシド、リチウムエトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド、リチウムイソプロポキシド、ナトリウムイソプロポキシド、カリウムイソプロポキシド、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、リチウムｔｅｒｔ−アミルアルコキシド、ナトリウムｔｅｒｔ−アミルアルコキシド、カリウムｔｅｒｔ−アミルアルコキシド等のアルコキシアルカリ金属化合物；水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム等の水素化金属化合物；トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリオクチルアミン、トリアリルアミン、ピリジン、２−メチルピリジン、３−メチルピリジン、４−メチルピリジン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ−メチルイミダゾール、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エンなどの３級アミン；等が挙げられる。中でも、ピリジン、イミダゾール化合物、アルカリ金属塩化合物、アミンが好ましく、より好ましくはピリジン、Ｎ−メチルイミダゾール、炭酸カリウム、トリエチルアミンであり、さらに好ましくはピリジン、炭酸カリウム、トリエチルアミンである。

塩基の量は、前記化合物（１Ｂ）又は（２Ｂ）１モルに対して、好ましくは０．５モル以上、１０モル以下、より好ましくは１モル以上、８モル以下、さらに好ましくは１モル以上、７モル以下、特に好ましくは１モル以上、５モル以下である。

上記反応時、反応溶媒は用いないことが好ましい。反応溶媒を使用する場合、反応に影響を及ぼさない範囲で使用でき、例えば、エーテル系溶媒、芳香族系溶媒、炭化水素系溶媒、ハロゲン系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒等を用いることができる。前記エーテル系溶媒としては、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、シクロペンチルメチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジオキサンが挙げられる。前記芳香族系溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンが挙げられる。前記エステル系溶媒としては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチルが挙げられる。前記炭化水素系溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタンが挙げられる。前記ハロゲン系溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン、ジクロロプロパンが挙げられる。前記ケトン系溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンが挙げられる。前記アミド系溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジメチル３，４，５，６−テトラヒドロ−（１Ｈ）−ピリミジンが挙げられる。また、アセトニトリル等のニトリル系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、スルホラン等のスルホン系溶媒を用いることができる。

反応温度は、好ましくは０℃以上、２００℃以下、より好ましくは３０℃以上、１８０℃以下、さらに好ましくは４０℃以上、１５０℃以下である。反応温度は、マイクロウェーブを用いて調節しても良い。

２−３．脱保護工程（工程３）
上記（１Ａ）又は（２Ａ）を脱保護することにより製造することができる（脱保護工程：工程３）。本工程に用いられる化合物（１Ａ）又は（２Ａ）としては、それぞれ、例えば、式（１Ａ−Ｉ）で表される化合物（１Ａ−Ｉ−１）〜（１Ａ−Ｉ−２５）又は式（２Ａ−Ｉ）で表される化合物（２Ａ−Ｉ−１）〜（２Ａ−Ｉ−２５）が好ましい。

式（１Ａ）で表される化合物としては、化合物（１Ａ−Ｉ−１）〜（１Ａ−Ｉ−１６）、（１Ａ−Ｉ−２３）が特に好ましく、式（２Ａ）で表される化合物としては、化合物（２Ａ−Ｉ−１）〜（２Ａ−Ｉ−１６）、（２Ａ−Ｉ−２３）が特に好ましい。

脱保護の方法は、保護基の種類に応じて適宜採用することができ、例えば、保護基としてベンジル基を用いた場合には、パラジウム炭素触媒の存在下、保護基と水素とを反応させることにより、脱保護することができる。反応溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒；酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−ブチル等のエステル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族溶媒；或いはこれらの混合溶媒；を用いることができる。

２−４．化合物（１Ｃ）及び（２Ｃ）の製造
上記化合物（１Ｃ）又は（２Ｃ）としては、市販品を用いてもよいし、以下の方法により製造してもよい。
化合物（１Ｃ）は、例えば、化合物（１Ｇ）のヒドロキシ基を保護し（保護工程：工程４）、次いで得られた化合物（１Ｆ）をハロゲン化し（ハロゲン化工程：工程５）、さらに得られた化合物（１Ｅ）と化合物（１Ｄ）とを反応させる（付加工程１：工程６）ことにより得ることができる。
また化合物（２Ｃ）は、例えば、化合物（２Ｇ）をハロゲン化し（ハロゲン化工程：工程７）、次いで得られた化合物（２Ｆ）のヒドロキシ基を保護し（保護工程：工程８）、さらに得られた化合物（２Ｅ）と金属マグネシウムを反応させグリニャール試薬とした上で、ニッケル触媒の存在下、化合物（２Ｄ）とを反応させる（付加工程２：工程９）ことにより得ることができる。
以下、各工程について説明する。

［式中、Ｒ¹¹、Ｒ²¹、Ｐ¹、Ｐ²、ｎ１１、ｎ２１、ｍ１１、ｍ２１は、上記と同義である。
Ｘ¹¹、Ｘ²¹、Ｘ²²は、それぞれ独立に、ハロゲン原子を表す。
Ｍ¹は、ホウ素原子又はスズ原子を表す。
Ｌ¹は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基、水酸基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を表し、複数のＬ¹は、Ｍ¹とともに環を形成していてもよい。
ｋ１は、２又は３の整数を表す。］

２−４−１．保護工程（工程４、８）
保護工程は、種々の方法により行うことができ、ヒドロキシ基の保護基としてベンジル基を用いる場合は、例えば、化合物（１Ｇ）又は化合物（２Ｆ）のヒドロキシ基に、塩基の存在下、臭化ベンジルを反応させることにより行うことができる。
前記塩基としては、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩；水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物；を用いることができる。反応溶媒としては、アセトニトリル等のニトリル系溶媒が好ましい。

２−４−２．ハロゲン化工程（工程５、７）
ハロゲン化は、種々の方法により行うことができ、例えば、化合物（１Ｆ）又は化合物（２Ｇ）に、酸の共存下、ハロゲン化試薬と接触させることにより行うことができる。前記酸としては、酢酸等の有機酸が好ましく、ハロゲン化試薬としては、Ｎ−ブロモスクシンイミド、Ｎ−クロロスクシンイミド、Ｎ−ヨードスクシンイミド、ピリジン臭素錯体塩、臭素、塩素、よう素等が好ましい。
反応溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン、ジクロロプロパン等のハロゲン系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチルなどのエステル系溶媒、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタンなどの炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの芳香族系溶媒が好ましい。

２−４−３．付加工程１（工程６）
ハロゲン化により得られた化合物（１Ｅ）を下記式で表される化合物（１Ｄ）と反応させることにより、化合物（１Ｃ）を製造することができる。

［式中、Ｒ¹¹は、Ｒ¹と同義である。Ｍ¹は、ホウ素原子又はスズ原子を表す。Ｌ¹は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基、水酸基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を表し、複数のＬ¹は、Ｍ¹とともに環を形成していてもよい。］

本工程に用いられる化合物（１Ｅ）としては、例えば、下記式（１Ｅ−Ｉ）で表される化合物が好ましい。

［式（１Ｅ−Ｉ）中、Ｘ¹¹、Ｐ¹は、上記と同義である。］

Ｘ¹¹で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子が挙げられ、塩素原子、ヨウ素原子又は臭素原子が好ましい。

また上記式（１Ｄ）において、Ｌ¹で表される脂肪族炭化水素基、アルコキシ基としては、それぞれ、Ｒ¹で表される芳香族環が有していてもよい脂肪族炭化水素基、Ｒ¹で表される芳香族環が有していてもよい脂肪族炭化水素基として例示したアルキル基に酸素原子が結合した基が挙げられる。Ｌ¹の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは１〜６であり、より好ましくは１〜４である。また、Ｌ¹のアルコキシ基の炭素数は、好ましくは１〜６であり、より好ましくは１〜２である。Ｌ¹のアリールオキシ基の炭素数は、好ましくは６〜１２、より好ましくは６〜１０であり、Ｌ¹のアリールオキシ基としては、具体的には、フェニルオキシ基、ベンジルオキシ基、フェニレンビス（メチレンオキシ）基等が挙げられる。
ｋ１は、Ｍ¹の種類に応じて２又は３であり、Ｍ¹がホウ素原子の場合２であり、Ｍ¹がスズ原子の場合３である。

Ｍ¹がホウ素原子の場合、＊−Ｍ¹（Ｌ¹）_k1としては、下記式で表される基等が挙げられる。またＭ¹がスズ原子の場合、＊−Ｍ¹（Ｌ¹）_k1としては、下記式で表される基等が挙げられる。式中、Ｒ⁵は、水素原子又は、炭素数１〜４のアルキル基（好ましくは水素原子）を表す。＊は結合手を表す。
中でも、下記式（Ｏｍ−１）、（Ｏｍ−２）、（Ｏｍ−５）、（Ｏｍ−６）で表される基が好ましい。

化合物（１Ｄ）としては、下記式で表される化合物が好ましい。

化合物（１Ｄ）の量は、化合物（１Ｅ）１モルに対して、好ましくは０．５〜５モル、より好ましくは０．８〜３モルである。

化合物（１Ｄ）と化合物（１Ｅ）とを反応させる際には、触媒を共存させてもよい。触媒としては、金属触媒が挙げられ、パラジウム系触媒、ニッケル系触媒、鉄系触媒、銅系触媒、ロジウム系触媒、ルテニウム系触媒などの遷移金属触媒が挙げられる。中でも、パラジウム系触媒が好ましい。

前記パラジウム系触媒としては、塩化パラジウム（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、ヨウ化パラジウム（ＩＩ）、酸化パラジウム（ＩＩ）、硫化パラジウム（ＩＩ）、テルル化パラジウム（ＩＩ）、水酸化パラジウム（ＩＩ）、セレン化パラジウム（ＩＩ）、パラジウムシアニド（ＩＩ）、パラジウムアセテート（ＩＩ）、パラジウムトリフルオロアセテート（ＩＩ）、パラジウムアセチルアセトナート（ＩＩ）、ジアセテートビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ［１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン］パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ［１，１−ビス（ジフェニルホスフィノフェロセン）］パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ［１，１−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロロメタン付加体、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム付加体、ジクロロ［１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン］（３−クロロピリジル）パラジウム（ＩＩ）、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）、ジクロロ［２，５−ノルボルナジエン］パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（エチレンジアミン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（メチルジフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）が挙げられる。これらの触媒は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。中でも、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）又は、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）が好ましい。

触媒と前記化合物（１Ｅ）とのモル比（触媒／化合物（１Ｅ））は、好ましくは０．０００１〜０．５、より好ましくは０．００１〜０．４、さらに好ましくは０．００５〜０．３、よりいっそう好ましくは０．０１〜０．２である。

前記触媒には、特定の配位子を配位させてもよい。配位子としては、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ（ｎ−ブチル）ホスフィン、トリ（イソプロピル）ホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート、ビス（ｔｅｒｔ−ブチル）メチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ジフェニル（メチル）ホスフィン、トリフェニスホスフィン、トリス（ｏ−トリル）ホスフィン、トリス（ｍ−トリル）ホスフィン、トリス（ｐ−トリル）ホスフィン、トリス（２−フリル）ホスフィン、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（３−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４−メトキシフェニル）ホスフィン、２−ジシクロヘキシルホスフィノビフェニル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’−メチルビフェニル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピル−１，１’−ビフェニル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシ−１，１’−ビフェニル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’−（Ｎ，Ｎ’−ジメチルアミノ）ビフェニル、２−ジフェニルホスフィノ−２’−（Ｎ，Ｎ’−ジメチルアミノ）ビフェニル、２−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィノ−２’−（Ｎ，Ｎ’−ジメチルアミノ）ビフェニル、２−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィノビフェニル、２−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィノ−２’−メチルビフェニル、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，２−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）ブタン、１，２−ビスジフェニルホスフィノエチレン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、１，２−エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、２，２’−ビピリジル、１，３−ジフェニルジヒドロイミダゾリリデン、１，３−ジメチルジヒドロイミダゾリリデン、ジエチルジヒドロイミダゾリリデン、１，３−ビス（２，４，６−トリメチルフェニル）ジヒドロイミダゾリリデン、１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）ジヒドロイミダゾリリデン、１，１０−フェナントロリン、５，６−ジメチル−１，１０−フェナントロリン、バトフェナントロリンが挙げられる。配位子は、一種のみを用いてもよく、二種以上を用いてもよい。

配位子を配位させる場合、配位子と触媒とのモル比（配位子／触媒）は、好ましくは０．５〜１０、より好ましくは１〜８、さらに好ましくは１〜７、よりいっそう好ましくは１〜５である。

化合物（１Ｅ）と化合物（１Ｄ）とを反応させる際、さらに塩基を共存させてもよい。特に、上記Ｍ¹がホウ素原子であるときは、塩基を共存させることが好ましく、Ｍ¹がスズ原子であるときは、塩基を共存させなくともよい。

塩基としては、水素化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等のアルカリ金属塩化合物；水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム等のアルカリ土類金属塩化合物；リチウムメトキシド、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキシド、リチウムエトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド、リチウムイソプロポキシド、ナトリウムイソプロポキシド、カリウムイソプロポキシド、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、リチウムｔｅｒｔ−アミルアルコキシド、ナトリウムｔｅｒｔ−アミルアルコキシド、カリウムｔｅｒｔ−アミルアルコキシド等のアルコキシアルカリ金属化合物；水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム等の水素化金属化合物等が挙げられる。中でも、塩基としては、アルコキシアルカリ金属化合物が好ましく、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウムがより好ましい。

塩基と化合物（１Ｅ）とのモル比（塩基／化合物（１Ｅ））は、好ましくは０．５〜１０、より好ましくは０．７〜４、さらに好ましくは０．９〜３である。

反応溶媒としては、反応に影響を及ぼさない限り特に限定されることはなく、エーテル系溶媒、芳香族系溶媒、エステル系溶媒、炭化水素系溶媒、ハロゲン系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒等を用いることができる。前記エーテル系溶媒としては、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、シクロペンチルメチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジオキサンが挙げられる。前記芳香族系溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンが挙げられる。前記エステル系溶媒としては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチルが挙げられる。前記炭化水素系溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタンが挙げられる。前記ハロゲン系溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン、ジクロロプロパンが挙げられる。前記ケトン系溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンが挙げられる。前記アミド系溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジメチル３，４，５，６−テトラヒドロ−（１Ｈ）−ピリミジンが挙げられる。また、アセトニトリル等のニトリル系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、スルホラン等のスルホン系溶媒を用いることができる。
これらの中でも、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが特に好ましい。

反応溶媒の量は、化合物（１Ｅ）１ｇに対して、好ましくは１ｍＬ以上、１００ｍＬ以下、より好ましくは５ｍＬ以上、８０ｍＬ以下、さらに好ましくは８ｍＬ以上、７０ｍＬ以下、よりいっそう好ましくは１０ｍＬ以上、６０ｍＬ以下である。

反応温度は、好ましくは０℃以上、２２０℃以下、より好ましくは３０℃以上、２００℃以下である。
反応には、マイクロウェーブを使用してもよい。

２−４−４．付加工程２（工程９）
化合物（２Ｅ）と金属マグネシウムを反応させグリニャール試薬とした上で、ニッケル触媒の存在下、化合物（２Ｄ）と反応させることにより、化合物（２Ｃ）を得ることができる。本工程の原料に用いられる化合物（２Ｅ）としては、例えば、式（２Ｅ−Ｉ）で表される化合物（２Ｅ−Ｉ−１）〜（２Ｅ−Ｉ−２５）が好ましい。

金属マグネシウムの量は、化合物（２Ｅ）１モルに対して、好ましくは０．５モル以上、１０モル以下、より好ましくは１モル以上、８モル以下、さらに好ましくは１モル以上、７モル以下、特に好ましくは１モル以上、５モル以下である。

反応溶媒としては、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、シクロペンチルメチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジオキサン等のエーテル系溶媒が好ましい。
反応系中、水を含まないことが好ましい。また、還流下で反応を行うことが好ましい。

得られたグリニャール試薬に反応させる化合物（２Ｄ）としては、例えば、下記式で表される化合物が好ましい。なお式中Ｘ²²は、ハロゲン原子を表し、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であることが好ましい。

化合物（２Ｄ）の量は、化合物（２Ｅ）１モルに対して、好ましくは０．１モル以上、より好ましくは０．５モル以上であり、好ましくは１０モル以下、より好ましくは７モル以下、さらに好ましくは５モル以下である。

グリニャール試薬と化合物（２Ｄ）とを反応させる際に用いるニッケル触媒としては、ジクロロニッケル、ジクロロニッケル・６水和物、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル、ジクロロ（１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン）ニッケル、ジクロロ（１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン）ニッケル、ジクロロ（１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン）ニッケル、ジクロロ（エチレンジアミン）ニッケル、ジクロロ（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン）ニッケル、ジクロロ（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルプロパンジアミン）ニッケル、ジクロロ（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン）ニッケル／トリフェニルホスフィン混合物、［１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン］トリフェニルホスフィンニッケル（ＩＩ）ジクロリド、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル／トリフェニルホスフィン混合物等が挙げられる。

ニッケル触媒の量は、化合物（２Ｅ）１モルに対して、好ましくは０．００１モル以上、より好ましくは０．００５モル以上、さらに好ましくは０．０１モル以上であり、好ましくは０．２モル以下、より好ましくは０．１モル以下である。

反応溶媒としては、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、シクロペンチルメチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジオキサン等のエーテル系溶媒が好ましい。
反応系中、水を含まないことが好ましい。また、還流下で反応を行うことが好ましい。

３．紫外線吸収剤含有樹脂組成物
本発明の紫外線吸収剤と、樹脂とを含有する紫外線吸収剤含有組成物（以下、単に「樹脂組成物」という場合がある）も本発明の範囲に包含される。

前記樹脂組成物において、紫外線吸収剤の含有量は、樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．１〜３０質量部、より好ましくは０．５〜２０質量部、さらに好ましくは１〜１５質量部である。
また前記樹脂としては、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素系樹脂、ポリ（メタ）アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ウレタン系樹脂、セルロール系樹脂、塩化ビニル樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合合成樹脂等が挙げられる。

前記樹脂組成物は、さらに、フェノール系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等の酸化防止剤；ヒンダードアミン系ラジカル捕捉剤等のラジカル捕捉剤；等の他の添加剤を含んでいてもよい。これらの他の添加剤を含む場合、その含有量は、樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．１〜１０質量部、より好ましくは１〜５質量部である。

本発明の紫外線吸収剤は、ヒドロキシ基の置換位置が特定の位置にあることから、紫外線を吸収しても熱失活するため、特に紫外・可視領域における蛍光が抑制されている。そのため樹脂製品、各種繊維製品、塗料、電子部品材料、化粧料等に好適に用いられる。

本願は、２０１５年１２月２日に出願された日本国特許出願第２０１５−２３６０８５号に基づく優先権の利益を主張するものである。２０１５年１２月２日に出願された日本国特許出願第２０１５−２３６０８５号の明細書の全内容が、本願に参考のため援用される。

以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。なお、以下においては、特に断りのない限り、「部」は「質量部」を、「％」は「質量％」を意味する。
各物性の測定方法は、以下の通りである。

熱重量分析測定
熱重量分析装置（島津製作所製、「ＴＧＡ−５０」）を用いて熱重量分析測定を行った。

紫外可視吸収測定
得られた化合物を０．０３ｇ／Ｌの濃度になるようにクロロホルムに溶解し、紫外・可視分光装置（島津製作所製、「ＵＶ−２４５０」）及び光路長１ｃｍのセルを用いて紫外可視吸収スペクトル測定を行った。

実施例１
９−ヒドロキシテトラゾロ［１，５−ａ］キノリンの合成

１００ｍＬフラスコに８−ヒドロキシキノリン（７２６ｍｇ、５ｍｍｏｌ）、臭化ベンジル（１．２モル当量）、炭酸カリウム（１．５モル当量）及びアセトニトリル（３０ｍＬ）を入れ、還流下、１２時間撹拌した。反応終了後、精製して、９−ベンジルオキシインキノリンを１．３７ｇ得た。
次いで、メタクロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）（１．５モル当量）及び無水ジクロロメタン２０ｍＬ）を入れ、室温で２４時間撹拌した。反応終了後、精製して９−ベンジルオキシインキノリン−Ｎ−オキシド（白色固体）を１．１２ｇ得た（収率７５％）。
ねじ口試験管に９−ベンジルオキシインキノリン−Ｎ−オキシド（１．１２ｇ）、ジフェニルホスホリルアジド（ＤＰＰＡ）（５モル当量）及び無水ピリジン（２モル当量）を入れ、窒素雰囲気下、１２０℃で２４時間撹拌した。反応終了後、精製して９−ベンジルオキシテトラゾロ［１，５−ａ］キノリン（白色固体）を６３０ｍｇ得た（収率５１％）。
さらに、５０ｍＬフラスコに９−ベンジルオキシテトラゾロ［１，５−ａ］キノリン（２７６ｍｇ、１ｍｍｏｌ）、エタノール（５ｍＬ）を入れ、５％パラジウム炭素触媒（５０ｍｇ）を入れ、さらに水素ガスを導入して、室温で２時間撹拌した。反応終了後、精製し、９−ヒドロキシテトラゾロ［１，５−ａ］キノリンを１０２ｍｇ得た（収率５５％）。

実施例２
６−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−９−ヒドロキシテトラゾロ［１，５−ａ］キノリンの合成

１００ｍＬフラスコに９−ベンジルオキシキノリン１．１８ｇ（５ｍｍｏｌ）、臭素（１モル当量）、無水クロロホルム（１０ｍＬ）を入れ、室温で１７時間撹拌した。次いで、臭素（１モル当量）を追加し、室温でさらに２時間撹拌した。反応終了後、精製し、６−ブロモ−９−ベンジルオキシキノリンを１．６７ｇ得た。
６−ブロモ−９−ベンジルオキシキノリン（６３０ｍｇ、２ｍｍｏｌ）、１−ｔｅｒｔ−ブチル−４−（トリブチルスタンニル）ベンゼン（１．２モル当量）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．１モル当量）及び無水トルエン（５ｍＬ）を入れ、マイクロウェーブ反応装置を用いて１８０℃で１０分撹拌した。反応終了後、精製し、６−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−９−ベンジルオキシキノリンを７８０ｍｇ得た。
さらに、メタクロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）（１．５モル当量）及び無水ジクロロメタン（１０ｍＬ）を入れ、室温で８時間撹拌した。反応終了後、精製して６−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−９−ベンジルオキシキノリン−Ｎ−オキシドを５９５ｍｇ得た（収率７２％）。
ねじ口試験管にジフェニルホスホリルアジド（ＤＰＰＡ）（５モル当量）及び無水ピリジン（２モル当量）を入れ、窒素雰囲気下、１２０℃で２４時間撹拌した。反応液を精製し、６−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−９−ベンジルオキシテトラゾロ［１，５−ａ］キノリンを４５０ｍｇ得た（収率７１％）。
さらに１００ｍＬフラスコに６−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−９−ベンジルオキシテトラゾロ［１，５−ａ］キノリン（３４３ｍｇ、０．８４ｍｍｏｌ）、エタノール／酢酸エチル混合溶媒（１：１）（１０ｍＬ）を入れ、５％パラジウム炭素触媒（５０ｍｇ）を入れ、さらに水素ガスを導入して、６０℃で４時間撹拌した。反応終了後、精製して、６−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−９−ヒドロキシテトラゾロ［１，５−ａ］キノリンを１４６ｍｇ得た（収率５５％）。

実施例３
６−（４−フェニルフェニル）−９−ヒドロキシテトラゾロ［１，５−ａ］キノリンの合成
工程（１）：１−フェニル−４−（トリブチルスタンニル）ベンゼンの合成

１００ｍＬフラスコに４−ブロモ−１−フェニルベンゼン２．３３ｇ（１０ｍｍｏｌ）を無水テトラヒドロフラン（５０ｍＬ）に溶解させ、−７８℃でｎ−ブチルリチウム（１．０５モル当量）を入れ、１時間撹拌した。次いで、トリブチル錫クロリド（１．１モル当量）を入れ、１時間撹拌した。反応終了後、精製して、１−フェニル−４−（トリブチルスタンニル）ベンゼンを得た。

工程（２）：６−（４−フェニルフェニル）−９−ヒドロキシテトラゾロ［１，５−ａ］キノリンの合成

１００ｍＬフラスコに９−ベンジルオキシキノリン１．１８ｇ（５ｍｍｏｌ）、臭素（１モル当量）、無水クロロホルム（１０ｍＬ）を入れ、室温で１７時間撹拌した。次いで、臭素（１モル当量）を追加し、室温でさらに２時間撹拌した。反応終了後、精製し６−ブロモ−９−ベンジルオキシキノリンを１．６７ｇ得た。
６−ブロモ−９−ベンジルオキシキノリン（７８７ｍｇ、２．５ｍｍｏｌ）、１−フェニル−４−（トリブチルスタンニル）ベンゼン（１．２モル当量）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．１モル当量）及び無水トルエン（５ｍＬ）を入れ、マイクロウェーブ反応装置を用いて１８０℃で１０分撹拌した。反応終了後、精製し、６−（４−フェニルフェニル）−９−ベンジルオキシキノリンを３２０ｍｇ得た。
さらに、メタクロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）（１．５モル当量）及び無水ジクロロメタン（１０ｍＬ）を入れ、室温で２日間撹拌した。反応終了後、精製して６−（４−フェニルフェニル）−９−ベンジルオキシキノリン−Ｎ−オキシドを１８０ｍｇ得た（収率７５％）。
ねじ口試験管にジフェニルホスホリルアジド（ＤＰＰＡ）（５モル当量）及び無水ピリジン（２モル当量）を入れ、窒素雰囲気下、１２０℃で２４時間撹拌した。反応液を精製し、６−（４−フェニルフェニル）−９−ベンジルオキシテトラゾロ［１，５−ａ］キノリンを１０９ｍｇ得た（収率５７％）。
さらに６−（４−フェニルフェニル）−９−ベンジルオキシテトラゾロ［１，５−ａ］キノリン（１０９ｍｇ）と、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）を１００ｍＬフラスコに入れ、５％パラジウム炭素触媒（３０ｍｇ）を入れ、さらに水素ガスを導入して、６０℃で６時間撹拌した。反応終了後、精製して、６−（４−フェニルフェニル）−９−ヒドロキシテトラゾロ［１，５−ａ］キノリンを６５ｍｇ得た（収率７７％）。

実施例４〜５
４−（２−ヒドロキシフェニル）−テトラゾロ［１，５−ａ］ピリジンの合成（実施例４）
３−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−テトラゾロ［１，５−ａ］ピリジンの合成（実施例５）
工程（１）：２−ブロモ−１−ベンジルオキシベンゼンの合成

２００ｍＬフラスコに２−ブロモ−１−ヒドロキシベンゼン２．１２ｇ（２０ｍｍｏｌ）、臭化ベンジル（１．２モル当量）、炭酸カリウム（１．５モル当量）及びアセトニトリル（１２０ｍＬ）を入れ、還流下、一晩撹拌した。反応終了後、精製して、２−ブロモ−１−ベンジルオキシベンゼン５．６２ｇを得た。

工程（２）：２−ブロモ−１−ベンジルオキシ−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンの合成

３００ｍＬフラスコに１−ヒドロキシ−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン（１０ｇ、６６．６ｍｍｏｌ）を無水クロロホルム（１５０ｍＬ）に溶解させ、０℃で臭素（１モル当量）を入れ、室温で７時間撹拌した。反応終了後、精製し２−ブロモ−１−ヒドロキシ−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンを１３．８ｇ得た（収率９０％）。
次いで、２−ブロモ−１−ヒドロキシ−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン（２．２９ｇ、１９ｍｍｏｌ）、臭化ベンジル（１．２モル当量）、炭酸カリウム（１．５モル当量）、アセトニトリル６０ｍＬを加え、還流下、一晩撹拌した。反応終了後、精製し２−ブロモ−１−ベンジルオキシ−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンを４．３３ｇ得た。

工程（３）：４−（２−ヒドロキシフェニル）−テトラゾロ［１，５−ａ］ピリジンの合成（実施例４）又は３−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−テトラゾロ［１，５−ａ］ピリジンの合成（実施例５）

５０ｍＬフラスコに、２−ブロモ−１−ベンジルオキシベンゼン又は２−ブロモ−１−ベンジルオキシ−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン（５ｍｍｏｌ）、マグネシウム（１．２モル当量）、テトラヒドロフラン（５ｍＬ）を入れ、還流下、４時間撹拌した。次いで、２−ブロモピリジン（１モル当量）及びジクロロ（１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン）ニッケル（５ｍｍｏｌ％）を加え、還流下、１０時間撹拌した。反応終了後、精製して、２−（１−ベンジルオキシフェニル）ピリジンを９５０ｍｇ（収率７２％）又は２−（１−ベンジルオキシ−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ピリジンを１．３５ｇ（収率８５％）得た。
次いで、メタクロロ過安息香酸（１．５モル当量）及び無水ジクロロメタン（１０ｍＬ）を入れ、室温で１９時間撹拌した。反応終了後、精製して、２−（１−ベンジルオキシフェニル）ピリジン−Ｎ−オキシドを７９０ｍｇ（収率７９％）又は２−（１−ベンジルオキシ−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ピリジンを１．８７ｇ得た。
ねじ口試験管にジフェニルホスホリルアジド（ＤＰＰＡ）（５モル当量）、無水ピリジン（２モル当量）を入れ、窒素雰囲気下、１２０℃で２４時間撹拌した。反応終了後、精製して、４−（２−ベンジルオキシフェニル）−テトラゾロ［１，５−ａ］ピリジンを８５０ｍｇ（収率９８％）又は３−（２−ベンジルオキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−テトラゾロ［１，５−ａ］ピリジンを８６３ｍｇ（収率５７％）得た。
さらに５０ｍＬフラスコに４−（２−ベンジルオキシフェニル）−テトラゾロ［１，５−ａ］ピリジン（８５０ｍｇ）又は３−（２−ベンジルオキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−テトラゾロ［１，５−ａ］ピリジン（８６３ｍｇ）、エタノール／酢酸エチル混合溶媒（１：１）（３０ｍＬ）を入れ、５％パラジウム炭素触媒（１００ｍｇ）を入れ、さらに水素ガスを導入して、６０℃で４時間撹拌した。反応終了後、精製して、４−（２−ヒドロキシフェニル）−テトラゾロ［１，５−ａ］ピリジンを５３０ｍｇ（収率８５％）又は３−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−テトラゾロ［１，５−ａ］ピリジンを６４２ｍｇ得た（収率９９％）。

比較例１
２−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾールを比較例の化合物とした。

実施例６
６−［４−（４’−ｔｅｒｔ−ブチル）ビフェニル］−９−ヒドロキシテトラゾロ［１，５−ａ］キノリンの合成
１００ｍＬフラスコに９−ベンジルオキシキノリン１．１８ｇ（５ｍｍｏｌ）、臭素（１モル当量）、無水クロロホルム（１０ｍＬ）を入れ、室温で１７時間撹拌した。次いで、臭素（１モル当量）を追加し、室温でさらに２時間撹拌した。反応終了後、精製し６−ブロモ−９−ベンジルオキシキノリンを１．６７ｇ得た。
６−ブロモ−９−ベンジルオキシキノリン（６３０ｍｇ、２．０ｍｍｏｌ）、４−ｔｅｒｔ−ブチル−４’−（トリブチルスタンニル）ビフェニル（１．２モル当量）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．１モル当量）及び無水トルエン（５ｍＬ）を入れ、マイクロウェーブ反応装置を用いて１８０℃で２０分撹拌した。反応終了後、精製し、６−［４−（４’−ｔｅｒｔ−ブチル）ビフェニル］−９−ベンジルオキシキノリンを９８３ｍｇ得た。
さらに、メタクロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）（１．５モル当量）及び無水ジクロロメタン（１０ｍＬ）を入れ、室温で１２時間撹拌した。反応終了後、精製して６−［４−（４’−ｔｅｒｔ−ブチル）ビフェニル］−９−ベンジルオキシキノリン−Ｎ−オキシドを５５２ｍｇ得た（収率６０％）。
ねじ口試験管にジフェニルホスホリルアジド（ＤＰＰＡ）（５モル当量）及び無水ピリジン（２モル当量）を入れ、窒素雰囲気下、１２０℃で２４時間撹拌した。反応液を精製し、６−［４−（４’−ｔｅｒｔ−ブチル）ビフェニル］−９−ベンジルオキシテトラゾロ［１，５−ａ］キノリンを１２１ｍｇ得た（収率１７％）。
さらに６−［４−（４’−ｔｅｒｔ−ブチル）ビフェニル］−９−ベンジルオキシテトラゾロ［１，５−ａ］キノリン（１２１ｍｇ）と、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）エタノール（１０ｍＬ）を１００ｍＬフラスコに入れ、１０％パラジウム炭素触媒（１００ｍｇ）を入れ、さらに水素ガスを導入して、６０℃で２時間撹拌した。反応終了後、精製して、６−［４−（４’−ｔｅｒｔ−ブチル）ビフェニル］−９−ヒドロキシテトラゾロ［１，５−ａ］キノリンを９１ｍｇ得た（収率９２％）。

実施例２、５、６の化合物について、それぞれ、熱重量分析測定を行ったところ、分解温度は、実施例２の化合物では２０７℃、実施例５の化合物では２１７℃であり、実施例６の化合物では２０５℃であり、良好な耐熱性を有することが明らかになった。

本発明の紫外線吸収剤は、ヒドロキシ基の置換位置が特定の位置にあることから、紫外線を吸収しても熱失活するため、特に紫外・可視領域における蛍光が抑制されている。そのため樹脂製品、各種繊維製品、塗料、電子部品材料、化粧料等に好適に用いられる。

Claims (2)

1. 下記式（１）又は（２）で表される構造を有する紫外線吸収剤。
   

   

   
   ［式（１）及び（２）中、
   Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいＣ_6-10芳香族環又はＣ_1-10脂肪族炭化水素基を表し、前記置換基は脂肪族炭化水素基または芳香族炭化水素基である。
   Ｘ¹及びＸ²は、それぞれ独立に、窒素原子を表す。
   Ｙ¹及びＹ²は、それぞれ独立に、下記式（Ｙ１）〜（Ｙ４）のいずれかで表される含窒素複素環を表す。ただし＊は結合手を表す。
   

   

   
   ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立に、１又は２の整数を表す。
   ｍ１は、０〜３の整数を表す。
   ｍ２は、０〜４の整数を表す。］
2. 下記式（１Ｂ）又は（２Ｂ）で表される化合物。
   

   

   
   ［式（１Ｂ）及び（２Ｂ）中、
   Ｒ¹¹及びＲ²¹は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいＣ_6-10芳香族環又はＣ_1-10の脂肪族炭化水素基を表す。
   ｎ１１及びｎ２１は、それぞれ独立に、１又は２の整数を表す。
   ｍ１１は、０〜３の整数を表す。
   ｍ２１は、０〜４の整数を表す。
   Ｐ¹及びＰ²は、それぞれヒドロキシ基の保護基を表し、それぞれベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基、ｔｅｒｔ−ブチル基；アセタール系保護基；シリルエーテル系保護基；炭酸エステル系保護基；スルホン酸エステル系保護基；のいずれかである。］

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