JP6939959B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
最初に本願発明の実施態様を列記して説明する。本願の半導体装置は、c面に対するオフ角が4°以下である主面を有する炭化珪素層と、炭化珪素層の上記主面上に配置される酸化膜と、酸化膜上に配置される電極と、を備える。電極側から平面的に見て電極に重なる炭化珪素層の上記主面には、電極側から平面的に見て外形形状が六角形である複数のピットが形成されている。そして、当該ピットの密度は10000cm−2以下である。
次に、本発明にかかる半導体装置の一実施の形態を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
10 炭化珪素層
11 基板
11A 主面
11B 主面
12 エピタキシャル成長層
12A 主面
13 ドリフト領域
14 ボディ領域
15 ソース領域
16 コンタクト領域
20 ゲート絶縁膜
29 犠牲酸化膜
30 ゲート電極
40 層間絶縁膜
40A コンタクトホール
60 ソース電極
70 ドレイン電極
80 ソース配線
91 ピット
91A 壁面
92 凹部
92A 壁面
Claims (4)
- c面に対するオフ角が4°以下である主面を有する炭化珪素層と、
前記炭化珪素層の前記主面上に配置される酸化膜と、
前記酸化膜上に配置される電極と、を備え、
前記電極側から平面的に見て前記電極に重なる前記炭化珪素層の前記主面には、前記電極側から平面的に見て外形形状が六角形である複数のピットが形成されており、
前記ピットの密度は500cm−2以下であり、
前記ピットの深さは10nm以上である、半導体装置。 - 前記電極側から平面的に見て前記電極に重なる前記炭化珪素層の前記主面には、前記複数のピットに一対一で対応するように複数の凹部が形成されており、
前記電極側から平面的に見て、前記ピットの中心軸は、対応する前記凹部内に位置する、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記凹部は、前記電極側から平面的に見て外形形状が三角形である、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記電極側から平面的に見て、前記ピットの中心軸は、前記凹部の重心と前記凹部の頂点との間に位置する、請求項3に記載の半導体装置。
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