JP6934258B2 - スイッチ素子、スイッチ方法および半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態のスイッチ素子の構成を示す図である。本実施形態のスイッチ素子1は、抵抗変化素子11と、第1のトランジスタ12と、第2のトランジスタ13とを有する。抵抗変化素子11は、金属析出型の抵抗変化膜14と、抵抗変化膜14の一方の面に接続し抵抗変化膜14に金属イオンを供給する第1の電極15と、抵抗変化膜14の他方の面に接続する第2の電極16と、を有する。第1の電極15には、第1のトランジスタ12のドレインもしくはソースが接続し、第2の電極16には、第2のトランジスタ13のソースもしくはドレインが接続する。
図2は、本発明の第2の実施形態のスイッチ素子の構成を示す図である。本実施形態のスイッチ素子2は、抵抗変化素子21と、行選択トランジスタ22と、ビット選択トランジスタ23とを有する。
(付記1)
金属析出型の抵抗変化膜と、前記抵抗変化膜の一方の面に接続し前記抵抗変化膜に金属イオンを供給する第1の電極と、前記抵抗変化膜の他方の面に接続する第2の電極と、を有する抵抗変化素子と、
前記第1の電極にドレインもしくはソースが接続する第1のトランジスタと、
前記第2の電極にソースもしくはドレインが接続する第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタが前記第2の電極の電位を前記第1の電極の電位よりも高くして前記抵抗変化素子を低抵抗状態から高抵抗状態にスイッチする際に、
前記第1のトランジスタもしくは前記第2のトランジスタのゲート電圧を第1のゲート電圧とし、前記第1の電極と前記第2の電極との間の電位差を第1の電位差とする、第1のモードと、
前記第1のトランジスタもしくは前記第2のトランジスタのゲート電圧を第2のゲート電圧とし、前記第1の電極と前記第2の電極との間の電位差を第2の電位差とする、第2のモードと、
を有して前記スイッチをし、
前記第1のゲート電圧は前記第2のゲート電圧よりも大きく、前記第1の電位差は前記第2の電位差よりも小さくし、
前記第1のモードと前記第2のモードを交互に繰り返す、
スイッチ素子。
(付記2)
前記第1と第2の電位差は、前記第1のトランジスタのソースもしくはドレインの電位と、前記第2のトランジスタのドレインもしくはソースの電位との差に基づく、付記1記載のスイッチ素子。
(付記3)
前記第1のモードで前記スイッチを開始する、付記1または2記載のスイッチ素子。
(付記4)
前記第1のモードと前記第2のモードを交互に繰り返すたびに、前記第1のゲート電圧と前記第2のゲート電圧、もしくは前記第1の電位差と前記第2の電位差を増やす、
請求項1から3の内の1項記載のスイッチ素子。
(付記5)
前記第1のモードと前記第2のモードの間で前記抵抗変化素子の抵抗値をモニタリングする、
請求項1から4の内の1項記載のスイッチ素子。
(付記6)
請求項1から5の内の1項記載のスイッチ素子を有する半導体集積回路を有する
半導体装置。
(付記7)
前記半導体集積回路は配線層を有し、前記スイッチ素子の前記抵抗変化素子は前記配線層内に設けられている、
請求項6記載の半導体装置。
(付記8)
金属析出型の抵抗変化膜と、前記抵抗変化膜の一方の面に接続し前記抵抗変化膜に金属イオンを供給する第1の電極と、前記抵抗変化膜の他方の面に接続する第2の電極と、を有する抵抗変化素子と、
前記第1の電極にドレインもしくはソースが接続する第1のトランジスタと、
前記第2の電極にソースもしくはドレインが接続する第2のトランジスタと、
を有するスイッチ素子のスイッチ方法において、
前記第2の電極の電位を前記第1の電極の電位よりも高くして前記抵抗変化素子を低抵抗状態から高抵抗状態にスイッチする際に、
前記第1のトランジスタもしくは前記第2のトランジスタのゲート電圧を第1のゲート電圧とし、前記第1の電極と前記第2の電極との間の電位差を第1の電位差とする、第1のモードと、
前記第1のトランジスタもしくは前記第2のトランジスタのゲート電圧を第2のゲート電圧とし、前記第1の電極と前記第2の電極との間の電位差を第2の電位差とする、第2のモードと、を有して前記スイッチをし、
前記第1のゲート電圧は前記第2のゲート電圧よりも大きく、前記第1の電位差は前記第2の電位差よりも小さくし、
前記第1のモードと前記第2のモードを交互に繰り返す、
スイッチ方法。
(付記9)
前記第1の電位差と前記第2の電位差は、
前記第1のトランジスタのソースもしくはドレインの電位と、前記第2のトランジスタのドレインもしくはソースの電位との差に基づく、
請求項8記載のスイッチ方法。
(付記10)
前記第1のモードで前記スイッチを開始する、
請求項8または9記載のスイッチ方法。
(付記11)
前記第1のモードと前記第2のモードを交互に繰り返すたびに、
前記第1のゲート電圧と前記第2のゲート電圧もしくは前記第1の電位差と前記第2の電位差を増やす、
請求項8から10記載のスイッチ方法。
(付記12)
前記第1のモードと前記第2のモードの間で前記抵抗変化素子の抵抗値をモニタリングする、
請求項8から11の内の1項記載のスイッチ方法。
11、21 抵抗変化素子
12 第1のトランジスタ
13 第2のトランジスタ
14、24 抵抗変化膜
15、25 第1の電極
16、26 第2の電極
22 行選択トランジスタ
23 ビット選択トランジスタ
20 半導体集積回路
200 半導体装置
Claims (9)
- 金属析出型の抵抗変化膜と、前記抵抗変化膜の一方の面に接続し前記抵抗変化膜に金属イオンを供給する第1の電極と、前記抵抗変化膜の他方の面に接続する第2の電極と、を有する抵抗変化素子と、
前記第1の電極にドレインもしくはソースが接続する第1のトランジスタと、
前記第2の電極にソースもしくはドレインが接続する第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタが前記第2の電極の電位を前記第1の電極の電位よりも高くして前記抵抗変化素子を低抵抗状態から高抵抗状態にスイッチする際に、
前記第1のトランジスタもしくは前記第2のトランジスタのゲート電圧を第1のゲート電圧とし、前記第1の電極と前記第2の電極との間の電位差を第1の電位差とする、第1のモードと、
前記第1のトランジスタもしくは前記第2のトランジスタのゲート電圧を第2のゲート電圧とし、前記第1の電極と前記第2の電極との間の電位差を第2の電位差とする、第2のモードと、
を有して前記スイッチをし、
前記第1のゲート電圧は前記第2のゲート電圧よりも大きく、前記第1の電位差は前記第2の電位差よりも小さくし、
前記第1のモードと前記第2のモードを交互に繰り返す、
スイッチ素子。 - 前記第1の電位差と前記第2の電位差は、前記第1のトランジスタのソースもしくはドレインの電位と、前記第2のトランジスタのドレインもしくはソースの電位との差に基づく、
請求項1記載のスイッチ素子。 - 前記第1のモードで前記スイッチを開始する、
請求項1または2記載のスイッチ素子。 - 前記第1のモードと前記第2のモードを交互に繰り返すたびに、前記第1のゲート電圧と前記第2のゲート電圧、もしくは前記第1の電位差と前記第2の電位差を増やす、
請求項1から3の内の1項記載のスイッチ素子。 - 前記第1のモードと前記第2のモードの間で前記抵抗変化素子の抵抗値をモニタリングする、
請求項1から4の内の1項記載のスイッチ素子。 - 請求項1から5の内の1項記載のスイッチ素子を有する半導体集積回路を有する
半導体装置。 - 前記半導体集積回路は配線層を有し、前記スイッチ素子の前記抵抗変化素子は前記配線層内に設けられている、
請求項6記載の半導体装置。 - 金属析出型の抵抗変化膜と、前記抵抗変化膜の一方の面に接続し前記抵抗変化膜に金属イオンを供給する第1の電極と、前記抵抗変化膜の他方の面に接続する第2の電極と、を有する抵抗変化素子と、
前記第1の電極にドレインもしくはソースが接続する第1のトランジスタと、
前記第2の電極にソースもしくはドレインが接続する第2のトランジスタと、
を有するスイッチ素子のスイッチ方法において、
前記第2の電極の電位を前記第1の電極の電位よりも高くして前記抵抗変化素子を低抵抗状態から高抵抗状態にスイッチする際に、
前記第1のトランジスタもしくは前記第2のトランジスタのゲート電圧を第1のゲート電圧とし、前記第1の電極と前記第2の電極との間の電位差を第1の電位差とする、第1のモードと、
前記第1のトランジスタもしくは前記第2のトランジスタのゲート電圧を第2のゲート電圧とし、前記第1の電極と前記第2の電極との間の電位差を第2の電位差とする、第2のモードと、を有して前記スイッチをし、
前記第1のゲート電圧は前記第2のゲート電圧よりも大きく、前記第1の電位差は前記第2の電位差よりも小さくし、
前記第1のモードと前記第2のモードを交互に繰り返す、
スイッチ方法。 - 前記第1の電位差と前記第2の電位差は、
前記第1のトランジスタのソースもしくはドレインの電位と、前記第2のトランジスタのドレインもしくはソースの電位との差に基づく、
請求項8記載のスイッチ方法。
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